JPH08340144A - 半導体レーザダイオード駆動回路 - Google Patents
半導体レーザダイオード駆動回路Info
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- JPH08340144A JPH08340144A JP7143202A JP14320295A JPH08340144A JP H08340144 A JPH08340144 A JP H08340144A JP 7143202 A JP7143202 A JP 7143202A JP 14320295 A JP14320295 A JP 14320295A JP H08340144 A JPH08340144 A JP H08340144A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザダイオードの寿命が長い半導体
レーザダイオード駆動回路を提供すること。 【構成】 半導体レーザダイオード１を駆動する半導体
レーザダイオード駆動回路において、半導体レーザダイ
オード１に、最大駆動電流が絶対最大定格電流を超えな
いように最大駆動電流を変化させる制御回路１０、１１
を設けたことを特徴としている。
レーザダイオード駆動回路を提供すること。 【構成】 半導体レーザダイオード１を駆動する半導体
レーザダイオード駆動回路において、半導体レーザダイ
オード１に、最大駆動電流が絶対最大定格電流を超えな
いように最大駆動電流を変化させる制御回路１０、１１
を設けたことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザダイオー
ドを駆動する半導体レーザダイオード駆動回路に関す
る。
ドを駆動する半導体レーザダイオード駆動回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図４は半導体レーザダイオード駆動回路
の従来のブロック図である。
の従来のブロック図である。
【０００３】１は半導体レーザダイオードであり、２は
半導体レーザダイオードのモニタ光を受光するフォトダ
イオードである。半導体レーザダイオード１とフォトダ
イオード２とでレーザダイオードモジュール３が構成さ
れている。
半導体レーザダイオードのモニタ光を受光するフォトダ
イオードである。半導体レーザダイオード１とフォトダ
イオード２とでレーザダイオードモジュール３が構成さ
れている。
【０００４】半導体レーザダイオード１のアノードに
は、コレクタが電源に接続されたダイオード駆動トラン
ジスタ（ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ）４のエミッ
タが接続され、半導体レーザダイオード１のカソードに
は一端が接地された駆動電流決定用抵抗器５の他端に接
続されている。
は、コレクタが電源に接続されたダイオード駆動トラン
ジスタ（ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ）４のエミッ
タが接続され、半導体レーザダイオード１のカソードに
は一端が接地された駆動電流決定用抵抗器５の他端に接
続されている。
【０００５】フォトダイオード２のカソードは駆動電流
決定用抵抗器５の他端に接続され、アノードはベース電
圧決定回路６の入力端に接続されている。ベース電圧決
定回路６の出力端はダイオード駆動トランジスタ４のベ
ースに接続されている。
決定用抵抗器５の他端に接続され、アノードはベース電
圧決定回路６の入力端に接続されている。ベース電圧決
定回路６の出力端はダイオード駆動トランジスタ４のベ
ースに接続されている。
【０００６】半導体レーザダイオード１が駆動されると
レーザ光を出射すると共に、レーザ光の出射方向とは反
対側に弱いモニタ光を出射する。モニタ光の強度はレー
ザ光の強度に比例しているためモニタ光をフォトダイオ
ード２で検出すれば半導体レーザダイオード１の光出力
が分かることが知られている。フォトダイオード２の検
出信号はベース電圧決定回路６に入力され、ベース電圧
決定回路６からは半導体レーザダイオード１の光出力が
一定になるようなベース電圧がダイオード駆動トランジ
スタ４のベースに印加される。
レーザ光を出射すると共に、レーザ光の出射方向とは反
対側に弱いモニタ光を出射する。モニタ光の強度はレー
ザ光の強度に比例しているためモニタ光をフォトダイオ
ード２で検出すれば半導体レーザダイオード１の光出力
が分かることが知られている。フォトダイオード２の検
出信号はベース電圧決定回路６に入力され、ベース電圧
決定回路６からは半導体レーザダイオード１の光出力が
一定になるようなベース電圧がダイオード駆動トランジ
スタ４のベースに印加される。
【０００７】ここで、半導体レーザダイオードに流れる
最大駆動電流は、ベース電圧決定回路６の最大出力電圧
と駆動電流決定用抵抗器５の抵抗値とで決まる。つまり
最大駆動電流の大小関係は、駆動電流決定用抵抗器５の
抵抗値が一定なら、ベース電圧決定回路６の出力電圧が
高い程駆動電流が大きく、ベース電圧決定回路６の出力
電圧値が一定なら、駆動電流決定用抵抗器５の抵抗値が
小さい程駆動電流が大きい。
最大駆動電流は、ベース電圧決定回路６の最大出力電圧
と駆動電流決定用抵抗器５の抵抗値とで決まる。つまり
最大駆動電流の大小関係は、駆動電流決定用抵抗器５の
抵抗値が一定なら、ベース電圧決定回路６の出力電圧が
高い程駆動電流が大きく、ベース電圧決定回路６の出力
電圧値が一定なら、駆動電流決定用抵抗器５の抵抗値が
小さい程駆動電流が大きい。
【０００８】このように図４に示す半導体レーザダイオ
ード１に流れる最大駆動電流は、ベース電圧決定回路６
の出力電圧と駆動電流決定用抵抗器５の抵抗値で決まる
ことが分かる。尚、半導体レーザダイオード１に駆動電
流が流れることによる半導体レーザダイオードのＶF と
ダイオード駆動トランジスタのＶBEO の変化は無視す
る。
ード１に流れる最大駆動電流は、ベース電圧決定回路６
の出力電圧と駆動電流決定用抵抗器５の抵抗値で決まる
ことが分かる。尚、半導体レーザダイオード１に駆動電
流が流れることによる半導体レーザダイオードのＶF と
ダイオード駆動トランジスタのＶBEO の変化は無視す
る。
【０００９】次に図５は半導体レーザダイオード駆動回
路の他の従来例のブロック図である。
路の他の従来例のブロック図である。
【００１０】図４に示した半導体レーザダイオード駆動
回路と略等しい回路であるが、ダイオード駆動トランジ
スタ４のコレクタに、最大電流制限抵抗器７が挿入され
たものである。半導体レーザダイオード１に流れる最大
駆動電流は、ベース電圧決定回路６の出力電圧と、駆動
電流決定用抵抗器５の値と、最大電流制限抵抗器７の値
とで決まる。
回路と略等しい回路であるが、ダイオード駆動トランジ
スタ４のコレクタに、最大電流制限抵抗器７が挿入され
たものである。半導体レーザダイオード１に流れる最大
駆動電流は、ベース電圧決定回路６の出力電圧と、駆動
電流決定用抵抗器５の値と、最大電流制限抵抗器７の値
とで決まる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
レーザダイオード駆動回路には以下の問題がある。
レーザダイオード駆動回路には以下の問題がある。
【００１２】周囲温度により半導体レーザダイオード１
の順方向電流ＩF と光出力ＰO との関係が変化するの
で、絶対最大定格電流は周囲温度によって変化してしま
う。
の順方向電流ＩF と光出力ＰO との関係が変化するの
で、絶対最大定格電流は周囲温度によって変化してしま
う。
【００１３】しかし周囲温度が変化しても図４及び図５
に示した半導体レーザダイオード駆動回路の最大駆動電
流は変化しない。
に示した半導体レーザダイオード駆動回路の最大駆動電
流は変化しない。
【００１４】このため、図４及び図５に示す半導体レー
ザダイオードにとって安全な最大駆動電流を、室温（２
５℃）で設計しても、駆動電流値が低温（２５℃以下）
絶対最大定格を超えることがある。
ザダイオードにとって安全な最大駆動電流を、室温（２
５℃）で設計しても、駆動電流値が低温（２５℃以下）
絶対最大定格を超えることがある。
【００１５】したがって図４及び図５に示した従来の半
導体レーザダイオード駆動回路では、回路の一部に故障
が発生したり、なんらかの原因で半導体レーザダイオー
ドに最大駆動電流が流れた時に低温（２５℃以下）で半
導体レーザダイオードが劣化し、最悪の場合には破壊さ
れてしまう。
導体レーザダイオード駆動回路では、回路の一部に故障
が発生したり、なんらかの原因で半導体レーザダイオー
ドに最大駆動電流が流れた時に低温（２５℃以下）で半
導体レーザダイオードが劣化し、最悪の場合には破壊さ
れてしまう。
【００１６】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、半導体レーザダイオードの寿命が長い半導体レーザ
ダイオード駆動回路を提供することにある。
し、半導体レーザダイオードの寿命が長い半導体レーザ
ダイオード駆動回路を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、半導体レーザダイオードを駆動する半導体
レーザダイオード駆動回路において、半導体レーザダイ
オードに、最大駆動電流が絶対最大定格電流を超えない
ように最大駆動電流を変化させる制御回路を設けたもの
である。
に本発明は、半導体レーザダイオードを駆動する半導体
レーザダイオード駆動回路において、半導体レーザダイ
オードに、最大駆動電流が絶対最大定格電流を超えない
ように最大駆動電流を変化させる制御回路を設けたもの
である。
【００１８】また本発明は、半導体レーザダイオードに
流れる駆動電流をトランジスタ回路で制御する半導体レ
ーザダイオード駆動回路において、半導体レーザダイオ
ードの周囲温度を検出する温度検出素子と、半導体レー
ザダイオードに設けられ温度検出素子からの信号より半
導体レーザダイオードの絶対最大定格電流を算出すると
共に、半導体レーザダイオードに流れる駆動電流を検出
し、最大駆動電流が絶対最大定格電流を超えないように
トランジスタ回路を制御する制御回路とを備えてもよ
い。
流れる駆動電流をトランジスタ回路で制御する半導体レ
ーザダイオード駆動回路において、半導体レーザダイオ
ードの周囲温度を検出する温度検出素子と、半導体レー
ザダイオードに設けられ温度検出素子からの信号より半
導体レーザダイオードの絶対最大定格電流を算出すると
共に、半導体レーザダイオードに流れる駆動電流を検出
し、最大駆動電流が絶対最大定格電流を超えないように
トランジスタ回路を制御する制御回路とを備えてもよ
い。
【００１９】上記構成に加えて本発明は、制御回路が、
上記トランジスタ回路のエミッタ側、ベース側及びコレ
クタ側のいずれかに接続された他のトランジスタ回路
と、他のトランジスタ回路に接続されたマイクロコンピ
ュータとで構成され、温度検出素子及びトランジスタ回
路からの信号が入力され半導体レーザダイオードの最大
駆動電流が絶対最大定格電流を超えないように最大駆動
電流を減少または停止させるようにしてもよい。
上記トランジスタ回路のエミッタ側、ベース側及びコレ
クタ側のいずれかに接続された他のトランジスタ回路
と、他のトランジスタ回路に接続されたマイクロコンピ
ュータとで構成され、温度検出素子及びトランジスタ回
路からの信号が入力され半導体レーザダイオードの最大
駆動電流が絶対最大定格電流を超えないように最大駆動
電流を減少または停止させるようにしてもよい。
【００２０】
【作用】温度検出素子で半導体レーザダイオードの周囲
温度を検出し、制御回路で半導体レーザダイオードの絶
対最大定格電流を算出すると共に、半導体レーザダイオ
ードに流れる駆動電流を検出し、最大駆動電流が絶対最
大定格電流を超えないようにトランジスタ回路を制御す
るので、半導体レーザダイオード駆動回路の一部の故障
や、なんらかの原因で半導体レーザダイオードに最大駆
動電流が流れても半導体レーザダイオードに流れる駆動
電流が減少または停止することにより、半導体レーザダ
イオードが過電流によって破壊されることがなく、寿命
が長くなる。
温度を検出し、制御回路で半導体レーザダイオードの絶
対最大定格電流を算出すると共に、半導体レーザダイオ
ードに流れる駆動電流を検出し、最大駆動電流が絶対最
大定格電流を超えないようにトランジスタ回路を制御す
るので、半導体レーザダイオード駆動回路の一部の故障
や、なんらかの原因で半導体レーザダイオードに最大駆
動電流が流れても半導体レーザダイオードに流れる駆動
電流が減少または停止することにより、半導体レーザダ
イオードが過電流によって破壊されることがなく、寿命
が長くなる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
て詳述する。
【００２２】図１は本発明の半導体レーザダイオード駆
動回路の一実施例を示すブロック図である。尚、上述し
た従来例と同様の部材には共通の符号を用いた。
動回路の一実施例を示すブロック図である。尚、上述し
た従来例と同様の部材には共通の符号を用いた。
【００２３】同図に示す半導体レーザダイオード駆動回
路は、図４に示した回路に、レーザダイオード駆動停止
用トランジスタ（ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ）１
０と、マイクロコンピュータ１１と、サーミスタ１２
と、分圧抵抗器１３とを追加したものである。
路は、図４に示した回路に、レーザダイオード駆動停止
用トランジスタ（ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ）１
０と、マイクロコンピュータ１１と、サーミスタ１２
と、分圧抵抗器１３とを追加したものである。
【００２４】電源とアースとの間にサーミスタ１２と分
圧抵抗器１３とが直列に接続されており、その中点がマ
イクロコンピュータ１１の一方の入力端に接続されてい
る。半導体レーザダイオード１のカソードはマイクロコ
ンピュータ１１の他方の入力端に接続されている。マイ
クロコンピュータ１１の出力端はレーザダイオード駆動
停止用トランジスタ１０のベースに接続されている。レ
ーザダイオード駆動停止用トランジスタ１０のエミッタ
は接地され、そのコレクタはダイオード駆動トランジス
タ４のベースに接続されている。尚、図では半導体レー
ザダイオード１とサーミスタ１２とが離れているが、実
際には接近して配置されている。
圧抵抗器１３とが直列に接続されており、その中点がマ
イクロコンピュータ１１の一方の入力端に接続されてい
る。半導体レーザダイオード１のカソードはマイクロコ
ンピュータ１１の他方の入力端に接続されている。マイ
クロコンピュータ１１の出力端はレーザダイオード駆動
停止用トランジスタ１０のベースに接続されている。レ
ーザダイオード駆動停止用トランジスタ１０のエミッタ
は接地され、そのコレクタはダイオード駆動トランジス
タ４のベースに接続されている。尚、図では半導体レー
ザダイオード１とサーミスタ１２とが離れているが、実
際には接近して配置されている。
【００２５】次に実施例の作用を述べる。
【００２６】マイクロコンピュータ１１には、サーミス
タ１２から半導体レーザダイオード１の周囲温度情報
（温度変化が電圧変化に比例する）が常に入力されてお
り、この温度情報をもとに、現在の半導体レーザダイオ
ード１の絶対最大定格電流を算出するようになってい
る。マイクロコンピュータ１１には常に駆動電流決定用
抵抗器５の端子電圧が入力されており、この端子電圧か
ら半導体レーザダイオード１に流れている駆動電流値を
把握する。
タ１２から半導体レーザダイオード１の周囲温度情報
（温度変化が電圧変化に比例する）が常に入力されてお
り、この温度情報をもとに、現在の半導体レーザダイオ
ード１の絶対最大定格電流を算出するようになってい
る。マイクロコンピュータ１１には常に駆動電流決定用
抵抗器５の端子電圧が入力されており、この端子電圧か
ら半導体レーザダイオード１に流れている駆動電流値を
把握する。
【００２７】半導体レーザダイオード駆動回路の一部が
故障したり、なんらかの原因で半導体レーザダイオード
１に最大駆動電流が流れ、かつ、そのときの周囲温度に
おける最大駆動電流が絶対最大定格電流を超えた時、マ
イクロコンピュータ１１はレーザダイオード駆動停止用
トランジスタ１０をオン状態にし、レーザダイオード駆
動トランジスタ４のベース電圧を強制的に動作点以下に
して半導体レーザダイオード１をオフにする。このた
め、半導体レーザダイオード１には絶対定格電流を超え
る電流が流れないので過電流によって破壊されることが
なく、長寿命化、高信頼性を図ることができる。
故障したり、なんらかの原因で半導体レーザダイオード
１に最大駆動電流が流れ、かつ、そのときの周囲温度に
おける最大駆動電流が絶対最大定格電流を超えた時、マ
イクロコンピュータ１１はレーザダイオード駆動停止用
トランジスタ１０をオン状態にし、レーザダイオード駆
動トランジスタ４のベース電圧を強制的に動作点以下に
して半導体レーザダイオード１をオフにする。このた
め、半導体レーザダイオード１には絶対定格電流を超え
る電流が流れないので過電流によって破壊されることが
なく、長寿命化、高信頼性を図ることができる。
【００２８】ここでマイクロコンピュータ１１には半導
体レーザダイオード１の周囲温度と絶対最大定格電流と
の関係が予めプログラムされている。
体レーザダイオード１の周囲温度と絶対最大定格電流と
の関係が予めプログラムされている。
【００２９】図２は本発明の他の実施例のブロック図で
ある。
ある。
【００３０】図１に示した実施例との相違点は、図１に
示した実施例の制御回路がトランジスタ回路のベース側
に接続されたのに対し、制御回路がトランジスタ回路の
エミッタ側に接続された点である。
示した実施例の制御回路がトランジスタ回路のベース側
に接続されたのに対し、制御回路がトランジスタ回路の
エミッタ側に接続された点である。
【００３１】同図において、駆動電流決定用抵抗器５の
アース側にレーザダイオード駆動停止用トランジスタ１
０のコレクタが接続されており、レーザダイオード駆動
停止用トランジスタ１０のエミッタが接地されている。
レーザダイオード駆動停止用トランジスタ１０のベース
はマイクロコンピュータ１１の出力端に接続されてい
る。 同図に示す半導体レーザダイオード駆動回路も図
１に示した回路と同様に、マイクロコンピュータ１１が
半導体レーザダイオード１の絶対最大定格電流を算出す
ると共に、半導体レーザダイオード１の駆動電流を監視
し、最大駆動電流が絶対最大定格電流を超えた時、レー
ザダイオード駆動停止用トランジスタ１０を強制的にオ
フにして半導体レーザダイオード１の駆動を停止するよ
うになっているので、半導体レーザダイオード１が過電
流で破壊されることがなく長寿命化、高信頼性を図るこ
とができる。また、レーザダイオード駆動停止用トラン
ジスタ１０が駆動電流決定用抵抗器５とアースとの間に
挿入されているため、回路に異常が生じたときにマイク
ロコンピュータ１１が直接半導体レーザダイオード１の
回路を遮断できるので図１に示した回路より遮断速度が
速くなりその分だけより安全性が高い。
アース側にレーザダイオード駆動停止用トランジスタ１
０のコレクタが接続されており、レーザダイオード駆動
停止用トランジスタ１０のエミッタが接地されている。
レーザダイオード駆動停止用トランジスタ１０のベース
はマイクロコンピュータ１１の出力端に接続されてい
る。 同図に示す半導体レーザダイオード駆動回路も図
１に示した回路と同様に、マイクロコンピュータ１１が
半導体レーザダイオード１の絶対最大定格電流を算出す
ると共に、半導体レーザダイオード１の駆動電流を監視
し、最大駆動電流が絶対最大定格電流を超えた時、レー
ザダイオード駆動停止用トランジスタ１０を強制的にオ
フにして半導体レーザダイオード１の駆動を停止するよ
うになっているので、半導体レーザダイオード１が過電
流で破壊されることがなく長寿命化、高信頼性を図るこ
とができる。また、レーザダイオード駆動停止用トラン
ジスタ１０が駆動電流決定用抵抗器５とアースとの間に
挿入されているため、回路に異常が生じたときにマイク
ロコンピュータ１１が直接半導体レーザダイオード１の
回路を遮断できるので図１に示した回路より遮断速度が
速くなりその分だけより安全性が高い。
【００３２】図３は本発明のさらに他の実施例のブロッ
ク図である。
ク図である。
【００３３】図１に示した実施例との相違点は、制御回
路がトランジスタ回路のコレクタ側に接続された点であ
る。
路がトランジスタ回路のコレクタ側に接続された点であ
る。
【００３４】同図に示すように、ダイオード駆動トラン
ジスタ４のコレクタに、最大電流制限トランジスタ（Ｐ
ＮＰ型バイポーラトランジスタ）１４のコレクタが接続
されている。最大電流制限トランジスタ１４のエミッタ
には、一端が電源に接続された電流制限抵抗器１５の他
端が接続されている。最大電流制限トランジスタ１４の
ベースには最大電流制限トランジスタベース電圧決定回
路１６の出力端が接続されている。最大電流制限トラン
ジスタベース電圧決定回路１６の入力端にはマイクロコ
ンピュータ１１の出力端が接続されている。
ジスタ４のコレクタに、最大電流制限トランジスタ（Ｐ
ＮＰ型バイポーラトランジスタ）１４のコレクタが接続
されている。最大電流制限トランジスタ１４のエミッタ
には、一端が電源に接続された電流制限抵抗器１５の他
端が接続されている。最大電流制限トランジスタ１４の
ベースには最大電流制限トランジスタベース電圧決定回
路１６の出力端が接続されている。最大電流制限トラン
ジスタベース電圧決定回路１６の入力端にはマイクロコ
ンピュータ１１の出力端が接続されている。
【００３５】同図に示す半導体レーザダイオード駆動回
路も図１に示した回路と同様に、マイクロコンピュータ
１１が半導体レーザダイオード１の周囲温度より絶対最
大定格電流を算出すると共に、半導体レーザダイオード
１の駆動電流を監視し、最大駆動電流が絶対最大定格電
流を超えた時、最大電流制限トランジスタベース電圧決
定回路１６が最大電流制限トランジスタ１４をオフにし
て半導体レーザダイオード１を遮断するので、過電流に
よる破壊が防止され半導体レーザダイオードの長寿命
化、高信頼性を図ることができる。また、電流制限抵抗
の値を選ぶことができるので、半導体レーザダイオード
の駆動電流をオフからある一定の最大電流に設定するこ
とが可能である。
路も図１に示した回路と同様に、マイクロコンピュータ
１１が半導体レーザダイオード１の周囲温度より絶対最
大定格電流を算出すると共に、半導体レーザダイオード
１の駆動電流を監視し、最大駆動電流が絶対最大定格電
流を超えた時、最大電流制限トランジスタベース電圧決
定回路１６が最大電流制限トランジスタ１４をオフにし
て半導体レーザダイオード１を遮断するので、過電流に
よる破壊が防止され半導体レーザダイオードの長寿命
化、高信頼性を図ることができる。また、電流制限抵抗
の値を選ぶことができるので、半導体レーザダイオード
の駆動電流をオフからある一定の最大電流に設定するこ
とが可能である。
【００３６】以上において半導体レーザダイオード駆動
回路に異常が生じたり、周囲温度が変化しても、温度検
出素子で周囲温度値を検出したり、マイクロコンピュー
タで半導体レーザダイオードに流れる電流値を検出する
ことにより、最大駆動電流が絶対最大定格を超える前に
半導体レーザダイオードに流れる電流を遮断するので、
半導体レーザダイオードが破壊されるのが防止される。
回路に異常が生じたり、周囲温度が変化しても、温度検
出素子で周囲温度値を検出したり、マイクロコンピュー
タで半導体レーザダイオードに流れる電流値を検出する
ことにより、最大駆動電流が絶対最大定格を超える前に
半導体レーザダイオードに流れる電流を遮断するので、
半導体レーザダイオードが破壊されるのが防止される。
【００３７】尚、上述した実施例では温度検出素子にサ
ーミスタを用いたが、これに限定されるものではなくポ
ジスタ等の温度検出素子を用いてもよい。また本実施例
ではレーザダイオードモジュールはトランジスタのエミ
ッタ側に挿入されているが、コレクタ側に挿入してもよ
い。さらにトランジスタにはＮＰＮ型及びＰＮＰ型のい
ずれを用いてもよい。
ーミスタを用いたが、これに限定されるものではなくポ
ジスタ等の温度検出素子を用いてもよい。また本実施例
ではレーザダイオードモジュールはトランジスタのエミ
ッタ側に挿入されているが、コレクタ側に挿入してもよ
い。さらにトランジスタにはＮＰＮ型及びＰＮＰ型のい
ずれを用いてもよい。
【００３８】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００３９】半導体レーザダイオードに、最大駆動電流
が絶対最大定格を超えないように最大駆動電流を変化さ
せる制御回路を設けたので、周囲温度が変化しても半導
体レーザダイオードが破壊されることがなく寿命が長
い。
が絶対最大定格を超えないように最大駆動電流を変化さ
せる制御回路を設けたので、周囲温度が変化しても半導
体レーザダイオードが破壊されることがなく寿命が長
い。
【図１】本発明の半導体レーザダイオード駆動回路の一
実施例を示すブロック図である。
実施例を示すブロック図である。
【図２】本発明の他の実施例のブロック図である。
【図３】本発明のさらに他の実施例のブロック図であ
る。
る。
【図４】半導体レーザダイオード駆動回路の従来のブロ
ック図である。
ック図である。
【図５】半導体レーザダイオード駆動回路の他の従来例
のブロック図である。
のブロック図である。
１ 半導体レーザダイオード ２ フォトダイオード ３ レーザダイオードモジュール ４ ダイオード駆動トランジスタ ５ 駆動電流決定用抵抗器 ６ ベース電圧決定回路 ７ 最大電流制限抵抗器 １０ レーザダイオード駆動停止用トランジスタ １１ マイクロコンピュータ １２ 温度検出素子（サーミスタ） １３ 分圧抵抗器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/06
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体レーザダイオードを駆動する半導
体レーザダイオード駆動回路において、上記半導体レー
ザダイオードに、最大駆動電流が絶対最大定格電流を超
えないように上記最大駆動電流を変化させる制御回路を
設けたことを特徴とする半導体レーザダイオード駆動回
路。 - 【請求項２】 半導体レーザダイオードに流れる駆動電
流をトランジスタ回路で制御する半導体レーザダイオー
ド駆動回路において、上記半導体レーザダイオードの周
囲温度を検出する温度検出素子と、上記半導体レーザダ
イオードに設けられ上記温度検出素子からの信号より上
記半導体レーザダイオードの絶対最大定格電流を算出す
ると共に、上記半導体レーザダイオードに流れる駆動電
流を検出し、最大駆動電流が絶対最大定格電流を超えな
いように上記トランジスタ回路を制御する制御回路とを
備えたことを特徴とする半導体レーザダイオード駆動回
路。 - 【請求項３】 上記制御回路が、上記トランジスタ回路
のエミッタ側、ベース側及びコレクタ側のいずれかに接
続された他のトランジスタ回路と、該他のトランジスタ
回路に接続されたマイクロコンピュータとで構成され、
上記温度検出素子及び上記トランジスタ回路からの信号
が入力され上記半導体レーザダイオードの最大駆動電流
が絶対最大定格電流を超えないように最大駆動電流を減
少または停止させるようにした請求項２記載の半導体レ
ーザダイオード駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7143202A JPH08340144A (ja) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | 半導体レーザダイオード駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7143202A JPH08340144A (ja) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | 半導体レーザダイオード駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08340144A true JPH08340144A (ja) | 1996-12-24 |
Family
ID=15333257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7143202A Pending JPH08340144A (ja) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | 半導体レーザダイオード駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08340144A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012034301A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-16 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 光送信器の起動方法 |
| JP2012084630A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Miyachi Technos Corp | ファイバレーザ加工装置及び励起用レーザダイオード電源装置 |
| WO2016161874A1 (zh) * | 2015-04-09 | 2016-10-13 | 西安华科光电有限公司 | 一种激光器驱动电路 |
| JP2018500769A (ja) * | 2014-12-19 | 2018-01-11 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | レーザービームの漏れを防止するための光モジュールおよびその制御方法 |
| WO2019193997A1 (ja) * | 2018-04-03 | 2019-10-10 | ソニー株式会社 | 過電流判定回路及び発光制御装置 |
-
1995
- 1995-06-09 JP JP7143202A patent/JPH08340144A/ja active Pending
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| CN111954960A (zh) * | 2018-04-03 | 2020-11-17 | 索尼公司 | 过电流判定电路及发光控制装置 |
| US11962126B2 (en) | 2018-04-03 | 2024-04-16 | Sony Corporation | Overcurrent determination circuit and light emission control apparatus |
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