JP2004363242A - 光モジュール - Google Patents

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弘貴 大森
Shigero Hayashi
茂郎 林
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Abstract

【課題】光モジュールの消費電力を低減する。
【解決手段】光モジュール100では、ペルチェ素子10上に光学部品12が設置され、その光学部品上にレーザ素子14が設置されている。レーザ素子の出力光を検知する光検出器16は、ペルチェ素子から離間して配置されている。光学部品は、レーザ光42の方向を光検出器に向けて変更する。光検出器がペルチェ素子上に設置されていないので、ペルチェ素子に延びるボンディングワイヤの本数が削減される。外部から熱を伝えるワイヤの本数の削減に応じて、ペルチェ素子上のレーザ素子の発熱が抑えられる。この結果、ペルチェ素子の冷却効率が高まり、消費電力が低減される。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体レーザ素子を有する光モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体レーザ素子としてレーザダイオード(Laser Diode:LD)を有する光モジュールでは、LDの発振波長を安定させるため、LDの温度が制御される。通常、この温度制御は、ペルチェ素子を用いて行われる。LDは、ペルチェ素子上に搭載され、加熱または冷却される(例えば、特許文献1〜3参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平11−295559号公報
【特許文献2】
特開平05−095169号公報
【特許文献3】
特開平11−186668号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、光モジュールの消費電力を抑えることを課題とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明の光モジュールは、ペルチェ素子と、ペルチェ素子上に設置された光学部品と、光学部品上に設置された半導体レーザ素子と、ペルチェ素子から離間して配置された光検出器とを備えている。光学部品は、レーザ素子からレーザ光を受光して、そのレーザ光の方向を光検出器に向けて変更する。光検出器は、光学部品からレーザ光を受光して検知する。
【0006】
光検出器がペルチェ素子上に設置されていないので、光検出器に接続されるボンディングワイヤをペルチェ素子から離間させることができる。このため、ペルチェ素子に延びるボンディングワイヤの本数が削減される。外部から熱を運ぶワイヤの削減に応じて、ペルチェ素子上のレーザ素子の発熱が抑えられる。これにより、ペルチェ素子の冷却効率が高まり、低い消費電力で所望の冷却が達成される。さらに、ペルチェ素子上に光学部品が設置され、その光学部品上にレーザ素子が設置されているので、光学部品およびレーザ素子の設置に必要な面積を抑えることができる。このため、光モジュールの小型化が可能である。この結果、本発明は同軸型の光モジュールに適用することができる。
【0007】
この発明の光モジュールは、ほぼ平板状のステムをさらに備えていてもよい。このステムは、ペルチェ素子および光検出器を搭載する主面を有している。この主面は、レーザ素子の光軸と垂直であり、かつ、光検出器の光軸と平行であってもよい。この場合、同軸型の光モジュールを得ることができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【0009】
図1は、本実施形態の光モジュール100の構造を示す部分切欠斜視図であり、図2は、図1のII−II線部分断面図である。光モジュール100は、CAN型または同軸型と呼ばれる構造を有している。光モジュール100は、ペルチェ素子10、搭載ブロック12、レーザダイオード(以下、「LD」と表記する)14および光検出器16を有している。
【0010】
ペルチェ素子10は、LD14の温度を調節するための熱電温度制御器である。ペルチェ素子10は、平坦な上面10aおよび下面10bを有している。ペルチェ素子10の動作時には、上面10aおよび下面10bの一方が熱を吸収し、他方が熱を放出する。これにより、LD14を加熱または冷却できる。
【0011】
搭載ブロック12は、LD14を搭載する導電性の光学部品である。搭載ブロック12は、ペルチェ素子10の上面10aに設置されている。図2に示されるように、ブロック12は、四角柱状の搭載部12aおよび台形柱状の受光部12bからなる。
【0012】
搭載部12aの平坦な側面12c上には、チップキャリア19が設置されている。チップキャリア19上には、LD14が固定されている。LD14は、光透過性の前端面14aと光反射性の後端面14bを有する半導体レーザ素子である。チップキャリア19上においてLD14の近傍には、サーミスタ18が設置されている。サーミスタ18は、LD14の温度を測定する。
【0013】
受光部12bは、LD14によって生成されるレーザ光を十分に高い反射率で反射する側面12dを有する。この反射面12dは、ペルチェ素子10の上面10aおよび搭載部12aの側面12cに対して傾斜している。受光部12bは、例えば、台形柱の一側面に反射ミラーを設置することにより作製できる。
【0014】
ペルチェ素子10は、ほぼ円板状のステム20上に設置されている。ステム20は、鉄や銅タングステンなどの金属から構成されており、したがって導電性である。ステム20の一つの主面20aは、ペルチェ素子10の下面10bと接触する。光モジュール100は、ステム20を貫通する複数のリードピン51〜57をさらに有している。リードピン51〜54の端部51a〜54aは、板状に平坦化されている。リードピン55および56の端部55aおよび56aは、円柱状である。これらの端部51a〜56aは、ステム20の主面20aから突出している。
【0015】
光検出器16は、LD14の出力を監視するためのものである。光検出器16は、リードピン53の平坦端部53a上に固定されている。光検出器16は、例えば、フォトダイオードである。光検出器16は、リードピン53に電気的に接続されている。光検出器16は、搭載ブロック12の反射面12dと対向する受光面を有している。後述するように、光検出器16は、その光軸とLD14の光軸とが90度をなすように配置されている。光検出器16は、搭載ブロック12の受光部12bからレーザ光を受光し、レーザ光の強度に応じた電気信号を生成してリードピン53に送る。
【0016】
搭載ブロック12の搭載部12aとリードピン51の平坦端部51aとの間には、ボンディングワイヤ61が接続されている。サーミスタ18とリードピン52の平坦端部52aとの間には、ボンディングワイヤ62が接続されている。サーミスタ18の出力は、ワイヤ62を通じてリードピン52に送られる。光検出器16とステム20との間には、ボンディングワイヤ63が接続されている。チップキャリア19とリードピン54の平坦端部54aとの間には、ボンディングワイヤ64が接続されている。ペルチェ素子10とリードピン55および56の端部55aおよび56aとの間には、それぞれボンディングワイヤ65および66が接続されている。ペルチェ素子10の駆動電流は、リードピン55および56ならびにワイヤ65および66を通じて供給される。
【0017】
端部51a、52aおよび54aは、十分な長さにわたってステム20の主面20aから上方に延びている。したがって、LD14、サーミスタ18およびチップキャリア19が主面20aから高い位置にあるにもかかわらず、ワイヤ61、62および64は比較的短くて済む。また、端部51a、52aおよび54aの平坦な形状は、ワイヤボンディングの作業を容易にする。
【0018】
ステム20の主面20aには、LD14および光検出器16を覆う円筒状のキャップ26が取り付けられている。ステム20と同様に、キャップ26は、鉄や銅タングステンなどの金属から構成されており、したがって導電性である。キャップ26の上壁26aには、レンズ28が設置されている。LD14は、LD14で生成されたレーザ光40がレンズ28に入射するように配置されている。レンズ28は、レーザ光40を集光する。
【0019】
図2に示されるように、LD14とレンズ28とは、共通の光軸30を有している。光軸30は、ステム20の主面20aおよびペルチェ素子10の上面10aに対して垂直である。搭載ブロック12においてLD14、サーミスタ18およびチップキャリア19が搭載される側面12cは、LD14の光軸30と平行である。反射面12dは、側面12cに対して45°の角度で傾斜している。
【0020】
レーザ光40は、LD14の前端面14aから出射し、光軸30に平行な矢印34で示される方向に沿って上方に進行し、レンズ28に入射する。その後、レーザ光40はレンズ28によって集光され、光モジュール100から出射する。
【0021】
一方、LD14の後端面14bから漏出するレーザ光42は、光軸30に平行な矢印36で示される方向に沿って下方に進行し、反射面12dに入射する。反射面12dは、LD14の光軸30に対して45°の角度で傾斜している。このため、反射面12dは、レーザ光42を反射して、その進行方向を90°変更する。この結果、レーザ光42は、光軸30と直交する矢印38で示される方向に沿って進行し、光検出器16に向かう。光検出器16の光軸32は、LD14の光軸30に対して垂直であり、ステム20の主面20aおよびペルチェ素子10の上面10aに対しては平行である。反射面12dによって反射されたレーザ光42は、光軸32と平行な方向に沿って進行する。光検出器16は、レーザ光42を受光し、その強度に応じた電気信号を生成する。この信号は、リードピン53を通じて出力される。
【0022】
以下では、本実施形態の利点を説明する。第1に、本実施形態は、ペルチェ素子10の冷却効率を高めて、光モジュール100の消費電力を抑えることができる。一般に、光モジュールの消費電力の大半は、ペルチェ素子による電気熱変換に費やされる。ペルチェ素子の冷却効率は、ペルチェ素子上の部品に接続されるボンディングワイヤの本数に依存する。ワイヤの本数が多いほど、ワイヤを通じて外部からLDの周辺に運ばれる熱量が大きくなる。これに応じて、所望の冷却を達成するために必要なペルチェ素子の吸熱量も大きくなる。このため、ペルチェ素子の冷却効率を高めるためには、ペルチェ素子へ延びるワイヤを少なくすることが好ましい。
【0023】
本実施形態では、光検出器16がペルチェ素子10上に設置されていないため、光検出器16に接続されるボンディングワイヤ63をペルチェ素子10から離間させることができる。これにより、ペルチェ素子10に延びるボンディングワイヤを削減し、LDの発熱を抑えて、ペルチェ素子10の冷却効率を高めることができる。したがって、光モジュール100は低い消費電力で動作することができる。
【0024】
第2の利点として、本実施形態は、光モジュール100の小型化を可能にする。光モジュール100では、搭載ブロック12が、レーザ光42の進行方向を光検出器16に向けて変更する光学部品と、LD14を搭載するための部材とを兼ねる。このため、光学部品およびLDの設置に必要な面積を低減できる。このため、光モジュール100は、小型化が可能である。
【0025】
以上、本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
【0026】
【発明の効果】
この発明は、光検出器をペルチェ素子から離間して配置して、ペルチェ素子に延びるボンディングワイヤの本数を削減する。その結果、この発明は、ペルチェ素子上のレーザ素子の発熱を抑えて冷却効率を高め、光モジュールの消費電力を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態の光モジュール100の構造を示す部分切欠斜視図である。
【図2】図1のII−II線部分断面図である。
【符号の説明】
10…ペルチェ素子、12…搭載ブロック、12a…搭載部、12b…受光部、14…レーザダイオード、16…光検出器、18…サーミスタ、19…チップキャリア、20…ステム、26…キャップ、28…レンズ、51〜57…リードピン、61〜66…ボンディングワイヤ、100…光モジュール。

Claims (7)

  1. ペルチェ素子と、
    前記ペルチェ素子上に設置された光学部品と、
    前記光学部品上に設置された半導体レーザ素子と、
    前記ペルチェ素子から離間して配置された光検出器と
    を備える光モジュールであって、
    前記光学部品は、前記レーザ素子からレーザ光を受光して、そのレーザ光の方向を前記光検出器に向けて変更し、
    前記光検出器は、前記光学部品から前記レーザ光を受光して検知する
    光モジュール。
  2. 前記光検出器は、前記レーザ素子の光軸と前記光検出器の光軸とが90°の角度をなすように配置されている、請求項1に記載の光モジュール。
  3. 前記光学部品は、前記レーザ素子を搭載する第1の部分と、前記レーザ素子からレーザ光を受光する第2の部分とを含んでおり、
    前記第1の部分は、前記レーザ素子の光軸と平行な第1の面を有し、前記レーザ素子はその第1の面上に搭載されており、
    前記第2の部分は、前記レーザ光を反射して前記光検出器に向かわせる反射面を有し、その反射面は、前記第1の面に対して傾斜している
    請求項1または2に記載の光モジュール。
  4. 前記第1の面上において前記レーザ素子の付近に配置された温度測定器をさらに備える請求項3に記載の光モジュール。
  5. ほぼ平板状のステムをさらに備える請求項1〜4のいずれかに記載の光モジュールであって、
    前記ステムは、前記ペルチェ素子および前記光検出器を搭載する主面を有しており、
    前記レーザ素子の光軸は、前記主面と垂直であり、
    前記光検出器の光軸は、前記主面と平行である
    請求項1〜4のいずれかに記載の光モジュール。
  6. 前記ステムを貫通する第1のリードピンをさらに備える請求項5に記載の光モジュールであって、
    前記第1のリードピンは、前記ステムの前記主面から突出する平坦化された第1の端部を有しており、
    前記第1のリードピンと前記レーザ素子とを電気的に接続する第1のボンディングワイヤが前記第1の端部から延びている
    請求項5に記載の光モジュール。
  7. 前記ステムを貫通する第2のリードピンをさらに備える請求項5または6に記載の光モジュールであって、
    前記第2のリードピンは、前記ステムの前記主面から突出する平坦化された第2の端部を有しており、
    前記第2の端部上に前記光検出器が設置されている
    請求項5または6に記載の光モジュール。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064483A (ja) * 2003-07-30 2005-03-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光モジュール
KR100898129B1 (ko) 2007-06-22 2009-05-19 삼성전기주식회사 녹색 레이저 모듈 패키지
JP2017522614A (ja) * 2014-07-09 2017-08-10 エヌティーピー・ナノ・テク・プロジェクツ・エス.アール.エル.Ntp Nano Tech Projects S.R.L. ナノ粒子検出のためのレーザー光結合
JP2021072419A (ja) * 2019-11-01 2021-05-06 三菱電機株式会社 半導体パッケージ

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2604216B1 (en) 2003-02-25 2018-08-22 Tria Beauty, Inc. Self-contained, diode-laser-based dermatologic treatment apparatus
JP4361083B2 (ja) * 2003-02-25 2009-11-11 トリア ビューティ インコーポレイテッド 目に安全な内蔵型毛再生抑制装置
US20100069898A1 (en) * 2003-02-25 2010-03-18 Tria Beauty, Inc. Acne Treatment Method, System and Device
EP1596745B1 (en) * 2003-02-25 2016-02-17 Tria Beauty, Inc. Self-contained, diode-laser-based dermatologic treatment apparatus
US20060009749A1 (en) * 2004-02-19 2006-01-12 Weckwerth Mark V Efficient diffuse light source assembly and method
US8777935B2 (en) 2004-02-25 2014-07-15 Tria Beauty, Inc. Optical sensor and method for identifying the presence of skin
JP2007059537A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送信器
US7928459B2 (en) * 2006-02-24 2011-04-19 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package including thermoelectric element
US7889993B2 (en) * 2007-08-17 2011-02-15 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd Optical transceiver module having a front facet reflector and methods for making and using a front facet reflector
JP5628792B2 (ja) * 2008-04-25 2014-11-19 トリア ビューティ インコーポレイテッド 皮膚の存在および皮膚の色素沈着を識別するための光学センサおよびその方法
TW200947895A (en) * 2008-05-08 2009-11-16 Truelight Corp Tri-wavelength bi-directional fiber communication system
US8240885B2 (en) * 2008-11-18 2012-08-14 Abl Ip Holding Llc Thermal management of LED lighting systems
JP5188625B2 (ja) * 2009-06-02 2013-04-24 三菱電機株式会社 半導体光変調装置
KR101441008B1 (ko) * 2010-09-20 2014-09-17 한국전자통신연구원 온도제어가 가능한 광 송신 장치
JP2012227486A (ja) * 2011-04-22 2012-11-15 Sumitomo Electric Device Innovations Inc 光デバイス
US9625671B2 (en) 2013-10-23 2017-04-18 Lasermax, Inc. Laser module and system
JP2015088641A (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 三菱電機株式会社 光モジュール
KR101758148B1 (ko) 2013-11-29 2017-07-14 한국전자통신연구원 광 송신 모듈
US9859680B2 (en) 2013-12-17 2018-01-02 Lasermax, Inc. Shock resistant laser module
US20160036192A1 (en) * 2014-04-25 2016-02-04 Lasermax, Inc. Methods for making a laser core
WO2017033860A1 (ja) * 2015-08-24 2017-03-02 京セラ株式会社 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP6578976B2 (ja) * 2016-02-05 2019-09-25 三菱電機株式会社 光モジュール
US10892596B2 (en) * 2016-12-22 2021-01-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module
US20210257808A1 (en) * 2018-11-21 2021-08-19 Mitsubishi Electric Corporation Optical module
JP7350646B2 (ja) * 2019-12-17 2023-09-26 CIG Photonics Japan株式会社 光モジュール
US11340412B2 (en) * 2020-02-28 2022-05-24 CIG Photonics Japan Limited Optical module
WO2022127072A1 (zh) * 2020-12-16 2022-06-23 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块
CN112838468B (zh) * 2021-01-04 2021-12-31 武汉光迅科技股份有限公司 一种to封装结构

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5414180A (en) * 1977-07-05 1979-02-02 Canon Inc Semiconductor laser unit
JPH10173207A (ja) * 1996-10-11 1998-06-26 Sharp Corp 光送受信モジュール
JPH11274650A (ja) * 1998-03-26 1999-10-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュール
JP2000151006A (ja) * 1998-11-09 2000-05-30 Sharp Corp 半導体レーザ装置
JP2000276765A (ja) * 1999-01-21 2000-10-06 Toshiba Corp 光半導体装置及びその製造方法、光記録装置
JP2003078198A (ja) * 2001-09-03 2003-03-14 Hitachi Cable Ltd 発光素子モジュール

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2737345C2 (de) * 1976-08-20 1991-07-25 Canon K.K., Tokio/Tokyo Halbleiterlaser-Vorrichtung mit einem Peltier-Element
JPH0595169A (ja) 1991-10-02 1993-04-16 Nec Corp 半導体レーザ装置および半導体レーザモジユール
JPH11186668A (ja) 1997-12-19 1999-07-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体モジュール
JPH11295559A (ja) 1998-04-09 1999-10-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザモジュール
US6556608B1 (en) * 2000-04-07 2003-04-29 Stratos Lightwave, Inc. Small format optical subassembly
US6868104B2 (en) * 2001-09-06 2005-03-15 Finisar Corporation Compact laser package with integrated temperature control
EP1309048A1 (en) * 2001-11-06 2003-05-07 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Electronic or opto-electronic packages
US6807218B1 (en) * 2002-05-13 2004-10-19 Amkor Technology, Inc. Laser module and optical subassembly
JP2005303242A (ja) * 2004-03-19 2005-10-27 Hitachi Cable Ltd 冷却機能付き電気−光変換モジュール

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5414180A (en) * 1977-07-05 1979-02-02 Canon Inc Semiconductor laser unit
JPH10173207A (ja) * 1996-10-11 1998-06-26 Sharp Corp 光送受信モジュール
JPH11274650A (ja) * 1998-03-26 1999-10-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュール
JP2000151006A (ja) * 1998-11-09 2000-05-30 Sharp Corp 半導体レーザ装置
JP2000276765A (ja) * 1999-01-21 2000-10-06 Toshiba Corp 光半導体装置及びその製造方法、光記録装置
JP2003078198A (ja) * 2001-09-03 2003-03-14 Hitachi Cable Ltd 発光素子モジュール

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064483A (ja) * 2003-07-30 2005-03-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光モジュール
KR100898129B1 (ko) 2007-06-22 2009-05-19 삼성전기주식회사 녹색 레이저 모듈 패키지
JP2017522614A (ja) * 2014-07-09 2017-08-10 エヌティーピー・ナノ・テク・プロジェクツ・エス.アール.エル.Ntp Nano Tech Projects S.R.L. ナノ粒子検出のためのレーザー光結合
JP2021072419A (ja) * 2019-11-01 2021-05-06 三菱電機株式会社 半導体パッケージ
JP7331636B2 (ja) 2019-11-01 2023-08-23 三菱電機株式会社 半導体パッケージ

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US7263112B2 (en) 2007-08-28
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