JP2003338660A

JP2003338660A - 半導体レーザ駆動回路

Info

Publication number: JP2003338660A
Application number: JP2002145075A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Fujii; 武藤井; Yoji Okazaki; 洋二岡崎; Kazuhiko Nagano; 和彦永野; Hideo Yamanaka; 英生山中
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2002-05-20
Filing date: 2002-05-20
Publication date: 2003-11-28

Abstract

(57)【要約】【課題】複数の半導体レーザで構成されたレーザ光源に
おいて、レーザ光源の交換やメンテナンス周期を延長す
ることができ、コストダウンが可能な半導体レーザ駆動
回路を提供する。【解決手段】各々の半導体レーザの出力効率の経時劣化
率を測定し、この測定値に応じて、各々の半導体レーザ
の光出力に差を与えるように制御する。これにより、経
時劣化率が大きい半導体レーザの光出力を小さくして、
その分寿命を延長することができるので、レーザ光源の
交換やメンテナンス周期を延長することができ、長周期
化することが可能となる。その結果、ランニングコスト
を含めて大幅なコストダウンが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の半導体レー
ザの光出力を束ねて構成された高出力のレーザ光源にお
いて、半導体レーザの駆動を制御する半導体レーザ駆動
回路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】複数の半導体レーザから出射される光を
合波し、これを１つの高出力の光ビームとして利用する
レーザ光源が知られている。従来の半導体レーザ駆動回
路では、このレーザ光源の光出力（光量）を略一定に保
つために、各半導体レーザの光出力を定期的に略一定の
同一値に保つように制御していた。

【０００３】また、半導体レーザは、その光出力を大き
くすればするほど、すなわち駆動電流を大きくすればす
るほど、その寿命が短くなるという特性があり、一般的
には、光出力（駆動電流）の２乗に反比例して寿命が短
くなると言われている。また、レーザ光源において、各
半導体レーザの出力効率（光出力÷駆動電流）の経時劣
化率に関しても個体差があることが良く知られている。

【０００４】以下、従来の半導体レーザ駆動回路の駆動
方式について一例を挙げて具体的に説明する。

【０００５】図１３のグラフは、３つの半導体レーザ
（ＬＤ）Ａ，Ｂ，Ｃによって構成されたレーザ光源の駆
動方式を示すものであり、図中縦軸は各ＬＤＡ，Ｂ，Ｃ
の光量、横軸は、経過時間を表す。図示例の場合、時間
０の時点におけるＬＤＡ，Ｂ，Ｃの光量は全て同じ
‘１’であり、その総和は‘３’である。また、時間ｔ
の経過後では、ＬＤＡ，Ｂ，Ｃの光量はそれぞれ０．
９，０．８，０．７になり、その総和は‘２．４’であ
るとする。

【０００６】この場合、従来の半導体レーザ駆動回路で
は、時間ｔの時点において、個々のＬＤＡ，Ｂ，Ｃの光
量を時間０の時点と同じ‘１’に戻していた。すなわ
ち、ＬＤＡは、その光量すなわち駆動電流を１／０．９
（≒１．１）倍、ＬＤＢは１／０．８（＝１．２５）
倍、ＬＤＣは１／０．７（≒１．４３）倍していた。

【０００７】前述のように、ＬＤの寿命は、一般的に光
出力の２乗に反比例すると言われており、この場合、Ｌ
ＤＡの寿命はＫ／（１．１）²≒０．８１Ｋ、ＬＤＢは
Ｋ／（１．２５）²＝０．６４Ｋ、ＬＤＣはＫ／（１．
４３）²≒０．４９Ｋとなる（Ｋは係数）。

【０００８】したがって、従来の半導体レーザ駆動回路
の駆動方式のように、全てのＬＤの光出力を略同じ一定
値に保つような制御を実施した場合、出力効率の経時劣
化率の大きなＬＤに関しては、経時と共に駆動電流が大
きくなり、それがまた寿命を短くするという悪循環に陥
り、著しい寿命の低下を招いていた。

【０００９】また、レーザ光源の交換もしくはメンテナ
ンス周期は、使用している複数のＬＤのうち、最も寿命
の短いものに合わせる必要があり、従来技術の場合に
は、短周期での交換、メンテナンスが求められるため、
大きなコストアップ要因となっていた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来技術に基づく問題点を解消し、複数の半導体レーザ
で構成されたレーザ光源において、レーザ光源の交換や
メンテナンス周期を延長することができ、コストダウン
が可能な半導体レーザ駆動回路を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、複数の半導体レーザで構成されるレーザ
光源の半導体レーザ駆動回路であって、各々の前記半導
体レーザの出力効率の経時劣化率を測定する測定手段
と、この測定手段による測定値に応じて、各々の前記半
導体レーザの光出力に差を与えるように制御する制御手
段とを備えることを特徴とする半導体レーザ駆動回路を
提供するものである。

【００１２】ここで、前記測定手段は、各々の前記半導
体レーザについて、経時前および経時後における駆動電
流値を同じ値に設定し、各々の前記半導体レーザの経時
前および経時後における光出力の差に基づいて、各々の
前記半導体レーザの出力効率の経時劣化率を測定する、
または、各々の前記半導体レーザについて、経時前およ
び経時後における光出力を同じ値に設定し、各々の前記
半導体レーザの経時前および経時後における駆動電流値
の差に基づいて、各々の前記半導体レーザの出力効率の
経時劣化率を測定するのが好ましい。

【００１３】また、前記制御手段は、出力効率の経時劣
化率の小さい半導体レーザの光出力を、出力効率の経時
劣化率の大きい半導体レーザの光出力よりも大きくする
よう制御するのが好ましい。

【００１４】また、前記制御手段は、全ての前記半導体
レーザの光出力の総和が概略一定となるように制御する
のが好ましい。

【００１５】また、前記制御手段は、全ての前記半導体
レーザの光出力の総和の平均の経時劣化率を全ての前記
半導体レーザに同じく適用して、各々の前記半導体レー
ザの光出力に差を与え、かつ全ての前記半導体レーザの
光出力の総和が概略一定となるように制御するのが好ま
しい。

【００１６】また、全ての前記半導体レーザは、１つの
パッケージ内に実装されているのが好ましい。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に、添付の図面に示す好適実
施例に基づいて、本発明の半導体レーザ駆動回路を詳細
に説明する。

【００１８】図１は、本発明を適用する露光装置の一実
施例の構成概略図である。同図に示す露光装置１０は、
高出力の光ビームによって露光対象物２０を直接露光す
るものであり、基台１２と、露光対象物２０を載置して
搬送するフラットベッド型のステージ１４と、画像デー
タ（デジタルデータ）に応じて変調された光ビームによ
り、ステージ１４に載置されて搬送される露光対象物２
０を直接露光する露光ヘッド１６とを備えている。

【００１９】ここで、基台１２には、図中矢印Ｘ方向の
中央部に、その上面を跨ぐようにコの字型の支持部材１
２ａが設けられている。また、基台１２上面の図中矢印
Ｙ方向（矢印Ｘ方向と概略直交する方向）の両端部近傍
には、矢印Ｘ方向に沿って、ステージ１４が載置される
２本のガイド１２ｂが設けられている。

【００２０】ステージ１４は、上記２本のガイド１２ｂ
の上に載置されており、本実施形態の場合、図示してい
ないリニアモータ等の駆動装置により、ガイド１２ｂに
沿って矢印Ｘ方向に移動（副走査）可能に構成されてい
る。

【００２１】露光ヘッド１６は、本実施形態の場合、一
度に１ライン（図中矢印Ｙ方向の全長）分の画像を露光
可能なラインヘッドであり、露光ヘッド１６から出射さ
れる光ビームが、ステージ１４（すなわち、露光対象物
２０）の上面に対向するように、基台１２中央部に設け
られているコの字型の支持部材１２ａに固定されてい
る。

【００２２】また、図中参照符号１８で示すものは、露
光対象物２０の配置（位置、傾斜等）を検出するＣＣＤ
（固体撮像素子）カメラ等の位置検出センサであり、露
光ヘッド１６と同様、ステージ１４の上面に対向するよ
うに、コの字型の支持部材１２ａに固定されている。

【００２３】なお、図１に示す露光装置１０は、単に本
発明を適用する露光装置の一例を示すものであり、その
各部位は、同様の機能を果す従来公知の他の構成要素に
よっても容易に実現可能である。本発明は、この露光装
置１０に限定されず、従来公知の各種の露光装置に適用
可能である。

【００２４】例えば、露光ヘッド１６は、１ライン中の
一部だけを露光可能なものを用い、これを矢印Ｙ方向に
走査（主走査）して１ラインの画像を露光した後、ステ
ージ１４を矢印Ｘ方向に１ラインずつ移動（副走査）し
て画像を露光したり、あるいはステージ１４または露光
ヘッド１６の一方を固定して、他方の露光ヘッド１６ま
たはステージ１４を主走査および副走査するようにして
もよい。また、ステージもフラットベッド型のものに限
定されず、縦置き型、ドラム型のものなど従来公知の形
態のものがいずれも利用可能である。

【００２５】続いて、露光ヘッド１６について説明す
る。

【００２６】露光ヘッド１６は、光ビームを出射する複
数の光源ユニット４０と、画像データに応じて、各々の
光源ユニット４０から出射される光ビームを変調する複
数の露光ユニット２２とを備えている。上記の通り、本
実施形態の場合、これら複数の光源ユニット４０および
複数の露光ユニット２２によりラインヘッドが構成され
る。

【００２７】露光ユニット２２は、図２に示すように、
光源ユニット４０から入射される光ビームを空間変調素
子３０の各反射面上に収束させるレンズ２６，２８と、
レンズ２６，２８を介して入射された光ビームを画像デ
ータに応じて各画素毎に光変調する空間変調素子３０
と、空間変調素子３０で変調された光ビームを露光対象
物２０の表面に倍率を変えて結像させるズームレンズ３
２，３４とを備えている。

【００２８】露光ユニット２２を構成する各部材は、本
実施形態の場合、ケーシング３８内の所定箇所に配置さ
れている。なお、これに限定されず、可能であれば、光
源ユニット４０を含めて全ての部材をケーシング３８内
に格納してもよい。

【００２９】ここで、空間変調素子３０は、例えば複数
の可動マイクロミラーを配列したデジタル・マイクロミ
ラー・デバイス（ＤＭＤ、テキサツ・インスツルメント
社製）や、反射回折格子型のグレーティング・ライト・
バルブ素子（ＧＬＶ素子、シリコン・ライトマシーン社
製）の他、従来公知の空間変調素子がいずれも利用可能
可能である。なお、ＧＬＶ素子の詳細については米国特
許第５３１１３６０号に記載されている。空間変調素子
３０の詳細については後述する。

【００３０】ズームレンズ３４は、駆動モータ３６の駆
動により図示しないガイドに沿って光軸方向に移動可能
に支持されており、これによって露光倍率の調整が行わ
れる。ズームレンズ３４から出射される光ビームは、ケ
ーシング３８に設けられた図示しない開口部を通過して
露光対象物２０の表面に照射される。なお、通常、ズー
ムレンズは組合せレンズで構成されるが、同図では、構
成を簡略化して１枚のレンズのみを示してある。

【００３１】個々の露光ユニット２２は、１ライン分の
画像のうちの一部をそれぞれ露光するものであり、ライ
ンヘッドを構成する全ての露光ユニット２２により、１
ライン分の画像を１度に露光可能である。なお、ライン
ヘッドを構成する露光ユニット２２の個数は必要に応じ
て適宜決定すればよく、何個の露光ユニット２２を使用
してもよい。露光ヘッド１６を複数の露光ユニット２２
で構成した場合の配列方式については後述する。

【００３２】一方、光源ユニット４０は、本実施形態の
場合、複数の半導体レーザ（ＬＤ）チップを搭載し、そ
の全ての光出力を合波して１本の光ファイバ４２に光結
合する合波モジュールを複数、図示例の場合、９個の合
波モジュールを備えている。これら９個の合波モジュー
ルの各々に光結合された９本の光ファイバ４２が３×３
のアレイ状に配列されて束ねられ、これらの合波モジュ
ールおよび光ファイバ４２によりレーザ光源２４が構成
されている。

【００３３】アレイ状に束ねられた光ファイバ４２の端
部は、露光ユニット２２のケーシング３８の側壁に設け
られた開口部（図示せず）を通してケーシング３８内に
導入されている。また、露光ユニット２２の空間変調素
子３０および光源ユニット４０の各々は、図示しないド
ライバを介して、これらを制御する図示しないコントロ
ーラに接続されている。なお、光源ユニット４０の個数
は、露光ユニット２２の個数に応じて適宜決定すればよ
い。

【００３４】続いて、レーザ光源２４の詳細について説
明する。

【００３５】レーザ光源２４は、露光装置１０で必要と
する所定光量の光出力が得られるものであれば何ら限定
されず、図３に示す各種形態のものが利用可能である。
例えば、同図（Ａ）は、複数のＬＤ４４をアレイ状に配
置したものである。また、同図（Ｂ）は、個々のＬＤ４
４の光出力をそれぞれ個別の光ファイバ４２に光結合
し、これら複数本の光ファイバ４２をアレイ状に束ねた
ものである。

【００３６】同図（Ｃ）は、特願２００１−２７３８７
０号及び特願２００１−２７３８７１号に記載されてい
るレーザ光源であり、１つのパッケージ内に複数のＬＤ
チップを搭載し、その全ての光出力を合波して１本の光
ファイバ４２に光結合する合波モジュール４６を使用し
たものである。また、同図（Ｄ）は、本実施形態のもの
であり、合波モジュール４６に光結合された複数の光フ
ァイバ４２をアレイ状に束ねたものである。

【００３７】図３（Ｅ）は、特願２００１−２７３８４
９号に記載のものであり、図４（Ａ）に示すように、複
数の発光点５２を有するＬＤチップ４８が、図４（Ｂ）
に示すように、所定方向に沿ってヒートシンクブロック
５０上に複数個配列固定されている。

【００３８】なお、レーザ光源２４の種類や、用いられ
るＬＤの個数、その配列方法等は何ら限定されず、必要
な光出力（光量）に応じて、１つ以上のＬＤを適宜組み
合わせて構成すればよい。

【００３９】ここで、図３（Ｄ）に記載の本実施形態の
レーザ光源について説明する。

【００４０】図３（Ｄ）に記載のレーザ光源２４は、図
５にその詳細を示すように、多数のＬＤチップから出射
される光ビームを１本の光ファイバ４２に合波する複数
個、図示例の場合、９個（一部のみ図示）の合波モジュ
ール４６と、その一方の端部が、９個の合波モジュール
４６の光出力の各々に光結合され、且つその他方の端部
が、３×３のアレイ状に配列された光ファイバ４２とを
備えている。

【００４１】各々の合波モジュール４６は、図６に詳細
を示すように、例えば銅からなるヒートシンクブロック
５４上に配列固定された複数個、図示例の場合、７個の
横マルチモード窒化ガリウム系半導体レーザ（以下、窒
化ガリウム系ＬＤという）５６と、窒化ガリウム系ＬＤ
５６の各々に対向して設けられたコリメータレンズ５８
と、集光レンズ６０とを備え、その光出力が１本の光フ
ァイバ４２に光結合されている。

【００４２】ヒートシンクブロック５４、ＬＤ５６、コ
リメータレンズ５８、および集光レンズ６０は、上方が
開口した箱状のパッケージ６２内に収容され、パッケー
ジ６２の開口がパッケージ蓋６４によって閉じられるこ
とにより、パッケージ６２およびパッケージ蓋６４が構
成する閉空間内に密閉保持される。

【００４３】パッケージ６２の底面にはベース板６６が
固定され、このベース板６６の上面に前記ヒートシンク
ブロック５４が取り付けられ、そしてこのヒートシンク
ブロック５４にコリメータレンズ５８を保持するコリメ
ータレンズホルダ６８が固定されている。さらに、ベー
ス板６６の上面には、集光レンズ６０を保持する集光レ
ンズホルダ７０と、光ファイバ４２の入射端部を保持す
るファイバホルダ７２が固定されている。また窒化ガリ
ウム系ＬＤ５６に駆動電流を供給する配線７４は、パッ
ケージ６２の横壁面に形成された図示しない気密封止材
料で封止される開口部を通してパッケージ６２外に引き
出されている。

【００４４】コリメータレンズ５８は、窒化ガリウム系
ＬＤ５６の発光点の並び方向の開口径が該方向に垂直な
方向（図６（Ｂ）の上下方向）の開口径よりも小さく
（すなわち、細長い形状で）形成されて、上記発光点の
並び方向に密接配置されている。窒化ガリウム系ＬＤ５
６としては、例えば、発光幅が２μｍで、活性層と平行
な方向、垂直な方向の拡がり角がそれぞれ１０°、３０
°の状態で各々光ビームを発するものが用いられる。こ
れらの窒化ガリウム系ＬＤ５６は、活性層と平行な方向
に発光点が１列に並ぶように配設されている。

【００４５】したがって、各発光点から発せられた光ビ
ームは、上述のように細長い形状とされた各コリメータ
レンズ５８に対して、拡がり角最大の方向が開口径大の
方向と一致し、拡がり角最小の方向が開口径小の方向と
一致する状態で入射することになる。つまり、細長い形
状とされた各コリメータレンズ５８は、入射する光ビー
ムの楕円形の断面形状に対応して、非有効成分を極力少
なくして使用されることになる。

【００４６】例えば、本実施形態では、コリメータレン
ズ５８の水平方向および垂直方向の開口径１．１ｍｍ、
４．６ｍｍ、焦点距離３ｍｍ、ＮＡ０．６、コリメータ
レンズ５８に入射する光ビームの水平方向および垂直方
向のビーム径０．９ｍｍ、２．６ｍｍが使用できる。ま
た、コリメータレンズ５８はピッチ１．２５ｍｍで配置
される。

【００４７】集光レンズ６０は、非球面円形レンズの光
軸を含む領域を細長く切り取って、コリメータレンズ５
８の並び方向すなわち水平方向に長く、それと直角な方
向に短い形状とされている。集光レンズ６０は、例え
ば、焦点距離１２．５ｍｍ、ＮＡ０．３であるものが使
用できる。上記コリメータレンズ５８および集光レンズ
６０は、例えば樹脂あるいは光学ガラスをモールド成形
することによって形成される。

【００４８】他方、光ファイバ４２は、例えば三菱電線
製のグレーデッドインデックス型を基本としたコア中心
部がグレーデッドインデックス型で外周部がステップイ
ンデックス型であるコア径２５μｍ、ＮＡ０．３、端面
コートの透過率９９．５％以上のファイバが使用でき
る。すなわちコア径×ＮＡの値は７．５μｍとなる。

【００４９】光ビームの光ファイバ４２への結合効率が
０．９、窒化ガリウム系ＬＤ５６の出力１００ｍＷ、窒
化ガリウム系ＬＤ５６の個数７の場合、出力６３０ｍＷ
（＝１００ｍＷ×０．９×７）の合波光ビームが得られ
ることになる。

【００５０】窒化ガリウム系ＬＤ５６は、発振波長は４
０５±１０ｎｍであり、最大出力は１００ｍＷである。
これらの窒化ガリウム系ＬＤ５６から発散光状態で出射
した光ビームは、各々対向するコリメータレンズ５８に
よって平行光化される。平行光とされた光ビームは、集
光レンズ６０によって集光され、光ファイバ４２のコア
の入射端面上で収束する。

【００５１】コリメータレンズ５８および集光レンズ６
０によって集光光学系が構成され、それと光ファイバ４
２とによって合波光学系が構成されている。すなわち、
集光レンズ６０によって上述のように集光された光ビー
ムがこの光ファイバ４２のコアに入射してそこを伝搬
し、１本の光ビームに合波されて光ファイバ４２から出
射する。なお、光ファイバ４２としては、例えば、ステ
ップインデックス型のものや微小コアで高いＮＡのもの
を使用する場合は、グレードインデックス型のもの及び
その複合型のファイバが適用可能である。

【００５２】なお、各々の窒化ガリウム系ＬＤ５６に対
応する個別のコリメータレンズ５８の代替として、窒化
ガリウム系ＬＤ５６の個数に対応する個数のレンズ要素
を有するコリメータレンズアレイが使用されてもよい。
個別のコリメータレンズを使用する場合もそれらを互い
に密接配置して、窒化ガリウム系ＬＤ５６の配置ピッチ
を小さくし、空間利用効率を高めることができるが、コ
リメータレンズアレイを用いることにより、その効果を
より一層高めることが可能である。また、そのようにし
て空間利用効率が高められると、合波本数を増やすこと
ができ、更に窒化ガリウム系ＬＤ５６、集光光学系およ
び光ファイバ４２の組立位置精度に比較的余裕を持たせ
ることができるという効果も得られる。

【００５３】上述の通り、窒化ガリウム系ＬＤ５６から
出射された光ビームは、各々対応するコリメータレンズ
５８でコリメートされた後、集光レンズ６０を介して光
ファイバ４２に入射される。各合波モジュール４６に７
個の窒化ガリウム系ＬＤ５６が備えられている場合、７
本のコリメートされた光ビームが、非球面ガラスモール
ドレンズ（集光レンズ）６０により、光ファイバ４２へ
光結合される。このコア径２５μｍ、ＮＡ＝０．３、出
力０．５Ｗの光ファイバ４２を１００本設ければ、アレ
イ状に配置された光ファイバ４２からは、５０Ｗ（＝
０．５Ｗ×１００本）のアレイ状の超高出力光ビームが
出射される。

【００５４】なお、本実施形態のレーザ光源２４とし
て、図３（Ｄ）に記載のレーザ光源について具体的な数
値を挙げて説明したが、前述の通り、本発明が適用され
るレーザ光源２４はこの具体例に何ら限定されるもので
はない。

【００５５】続いて、空間変調素子３０について説明す
る。

【００５６】空間変調素子３０としては、図７に示すよ
うに、光ビームを光変調するための反射面が一列に配置
された一次元の空間変調素子（同図（Ａ））、およびア
レイ状に配置された二次元の空間変調素子（同図
（Ｂ））のどちらも利用可能である。空間変調素子３０
の反射面の数は何ら限定されない。また、二次元空間変
調素子は、反射面数の縦横比も１対１に限らず、任意の
比率のものが利用可能である。

【００５７】本実施形態の露光装置１０では、図７に示
すように、実際に露光をするに際しては、変調後の光ビ
ームの解像点数を上げるために、空間変調素子３０が所
定角度傾斜して使用される。

【００５８】例えば、一次元空間変調素子の場合、図７
（Ａ）に示すように、６個の反射面が２０μｍのピッチ
（走査線ピッチ）で一列に配置され、傾斜させていない
場合のトータルの走査幅（ライン方向）が１００μｍで
あるとすると、これを所定角度傾斜させて、例えば走査
線ピッチを５μｍ、トータルの走査幅を２５μｍとして
露光することができる。

【００５９】また、二次元空間変調素子の場合は、同図
（Ｂ）に示すように、６×４個の反射面が２０μｍのピ
ッチ（走査線ピッチ）でアレイ状に配置され、傾斜させ
ていない場合のトータルの走査幅が１００μｍであると
すると、これを所定角度傾斜させて、例えば走査線ピッ
チを５μｍ、トータルの走査幅を１１５μｍとして露光
することができる。

【００６０】二次元空間変調素子は、解像点数を上げる
ために傾斜させてもトータルの走査幅が狭くならず、ラ
インヘッドを構成する場合の空間変調素子３０の部品点
数も、一次元空間変調素子よりも少数でよいという利点
があり好ましい。

【００６１】なお、空間変調素子３０を傾斜させて使用
した場合に、反射される光ビーム同士がオーバーラップ
して干渉する場合、図８に一例を示すように、ズームレ
ンズ３２，３４の構成部材の１つとしてマイクロレンズ
アレイ７６およびアパーチャアレイ７８を設け、マイク
ロレンズアレイ７６により、空間変調素子３０の個々の
反射面により反射される個々の光ビームのビーム径を絞
り、さらにアパーチャアレイ７８を介して出力するのが
好ましい。

【００６２】前述の通り、本実施形態の露光ヘッド１６
は、ラインヘッドを構成する複数の露光ユニット２２を
備えている。それぞれの露光ユニット２２は、可能な場
合には一列に配置してもよいが、現実的には、物理的な
サイズの問題から一列に配置するのは困難である。した
がって、図９に示すように、二列以上の複数列にわたっ
て配置するのが好ましい。この場合、それぞれの露光ユ
ニット２２は、１ライン中の異なる箇所を露光可能なよ
うに互いにずらして配置される。

【００６３】図９（Ａ）に示すように、空間変調素子３
０として、例えばＤＭＤのような二次元空間変調素子を
使用した場合、前述のように、１つの露光ユニット２２
当りの解像点数が大きく、露光ユニット２２の部品点数
が少なくて済むので、容易にラインヘッドを構成可能で
ある。この場合、図１に示す露光装置１０のように、露
光ヘッド１６を固定し、ステージ１４を搬送（副走査）
することにより、１回の定低速副走査で露光対象物２０
の全面を露光可能である。

【００６４】一方、図９（Ｂ）に示すように、空間変調
素子３０として、例えばＧＬＶ素子のような一次元空間
変調素子を使用した場合、１つの露光ユニット２２当り
の解像点数が小さく、露光ユニット２２の部品点数が多
くなるので、１ライン中の一部だけを露光するように構
成する方が好ましい。この場合、例えばステージ１４を
複数回高速搬送（主走査）し、さらに露光ヘッド１６を
複数回高速搬送（副走査）することにより、露光対象物
２０の全面を露光可能である。

【００６５】次に、本実施の形態の露光装置１０の動作
を説明する。

【００６６】露光ヘッド１６のレーザ光源２４から出射
された光ビームは、レンズ２６，２８を介して空間変調
素子３０に照射され、空間変調素子３０によって同時に
変調される。駆動モータ３６の駆動に伴い、ズームレン
ズ３４が光軸に沿って移動され、ズームレンズ３４によ
る露光倍率が調整される。空間変調素子３０により変調
された光ビームは、ズームレンズ３２，３４を介して露
光対象物２０の表面に所定の倍率で結像される。

【００６７】露光開始時には、ステージ１４が露光開始
位置（図１中矢印Ｘ方向の手前側）に移動される。ステ
ージ１４上には露光対象物２０が載置されており、その
配置は位置検出センサ１８により検出される。

【００６８】続いて、図示していないフレームメモリか
ら画像データが１ライン分読み出され、読み出された１
ライン分の画像データに応じて、空間変調素子４６の反
射面のオンオフが制御される。これにより、露光ヘッド
１６から出射される光ビームが、１ライン分の画像デー
タに応じて同時に変調されて各々オンオフされ、この光
ビームにより、露光対象物２０に１ライン（図１中矢印
Ｙ方向）分の画像が露光される。

【００６９】そして、図示していないリニアモータ等の
駆動装置により、ステージ１４が矢印Ｘ方向の奥手側に
１ライン分移動される（副走査）。以後、上記各工程を
繰り返し、最終的に、露光対象物１０の全面に画像デー
タに対応した画像が露光される。

【００７０】本実施形態の露光装置では、高出力のレー
ザ光源２４を用いているので、紫外を含む所定波長領域
に感度を有する露光対象物を、デジタルデータに基づい
て直接走査露光することができる。これにより、プロキ
シミティ方式の露光装置等のマスク露光による露光装置
と比べると、下記（１）〜（６）に示す利点がある。

【００７１】（１）マスクが不要でコストが削減できる
と共に製造時間を短縮することができる。これにより生
産性が向上する他、少量多品種の生産にも好適である。（２）デジタルデータに基づいて直接走査露光するので
適宜データを補正することができ、高精度な保持機構、
アライメント機構、及び温度安定化機構が不要になり、
装置のコストダウンを図ることができると共に、高速化
及び高精細化が図られる。（３）レーザ光源は超高圧水銀ランプに比べ安価で耐久
性に優れており、ランニングコストを低減することがで
きる。（４）更に、レーザ光源は駆動電圧が低く消費電力を低
減できる。（５）紫外領域に感度を有する材料だけでなくヒートモ
ード材料への記録も可能となる。（６）特に、ＧａＮ系ＬＤを用いた場合には、短パルス
露光により材料が熱の影響を受ける前に所定の反応を終
了させることができ、より高精細な描画（いわゆるキレ
のよい画像描画）が可能となる。

【００７２】次に、本発明の半導体レーザ駆動回路につ
いて説明する。

【００７３】図１０は、本発明の半導体レーザ駆動回路
の一実施例の構成概略図である。同図に示す半導体レー
ザ駆動回路８０は、半導体レーザ（ＬＤ）の駆動電流を
常に一定に保つよう制御するＡＣＣ（Auto Current Con
trol）型のレーザ光源２４に対して本発明を適用したも
のであり、ＬＤ駆動電流制御回路（Ａ，Ｂ，Ｃ）８２
と、ＬＤ（Ａ，Ｂ，Ｃ）８４と、光量検出器８６と、制
御ＣＰＵ（中央演算装置）８８と、メモリ９０とを備え
ている。

【００７４】なお、図示例では、説明を簡単にするため
に、３つのＬＤで構成されたレーザ光源２４に本発明を
適用した場合の例を挙げて説明を行うが、レーザ光源２
４が備えるＬＤ８４の個数に何ら制限がないことは既に
述べた通りである。また、ここで言うＬＤ８４とは、例
えば１つ１つの半導体レーザであると考えてもよいし、
あるいは複数の半導体レーザを統合してモジュール化し
て構成されたものと考えてもよい。

【００７５】図示例の半導体レーザ駆動回路８０におい
て、ＬＤ駆動電流制御回路８２は、制御ＣＰＵ８８から
供給される制御信号に従って、各々対応するＬＤ８４を
駆動するための駆動電流を発生する。ＬＤ駆動電流制御
回路８２から出力される駆動電流は、各々対応するＬＤ
８４に供給される。

【００７６】ＬＤ８４は、各々対応するＬＤ駆動電流制
御回路８２から供給される駆動電流の電流値に応じて、
そのオン時の光出力（光量）が決定される。ＬＤ８４の
光出力は全て光量検出器８６に供給される。

【００７７】光量検出器８６は、各ＬＤ８４の光出力を
検出する。光量検出器８６によって検出された各ＬＤ８
４の光出力の情報（データ）は、全て制御ＣＰＵ８８に
供給される。

【００７８】制御ＣＰＵ８８は、メモリ９０に記憶され
ている各ＬＤ８４の駆動電流の初期値（経時前の各ＬＤ
８４の駆動電流）およびこれに対応する各ＬＤ８４の光
出力の情報、ならびに光量検出器８６から供給される経
時後の各ＬＤ８４の光出力の情報に基づいて、各ＬＤ駆
動電流制御回路８２の動作を制御する制御信号を発生す
る。この制御ＣＰＵ８８によって発生される制御信号は
それぞれのＬＤ駆動電流制御回路８２に供給される。

【００７９】半導体レーザ駆動回路８０では、まず、メ
モリ９０に記憶されている各ＬＤ８４の駆動電流の初期
値の情報に基づいて制御ＣＰＵ８８で制御信号が発生さ
れ、それぞれのＬＤ駆動電流制御回路８２へ供給され
る。各ＬＤ８４の駆動電流の初期値は、各ＬＤ８４がこ
の駆動電流の初期値で駆動された場合に、全てのＬＤ８
４が同一の所定光出力でオンするようあらかじめ算出さ
れた値である。

【００８０】ＬＤ駆動電流制御回路８２では、制御ＣＰ
Ｕ８８から供給された制御信号に応じた駆動電流が発生
され、この駆動電流は、各々対応するＬＤ８４へ供給さ
れる。

【００８１】ＬＤ８４は、各々対応するＬＤ駆動電流制
御回路８２から供給される駆動電流に応じてその光出力
が決定される。前述の通り、各ＬＤ８４がオンする場
合、初期状態では、その光出力は全て同じである。

【００８２】初期状態から所定の一定期間が経過した
後、各ＬＤ８４の光出力は光量検出器８６によって検出
される。それぞれのＬＤ８４の駆動電流値は、ＡＣＣに
より、経時前および経時後共に同じ値に設定されてい
る。経時後の各ＬＤ８４の光出力は、経時前の各ＬＤ８
４の光出力よりも小さい値となるが、各ＬＤ８４の出力
効率の経時劣化率には個体差があるため、各ＬＤ８４の
経時後の光出力はそれぞれ異なる。光量検出器８６によ
って検出された光出力の情報は制御ＣＰＵ８８へ供給さ
れる。

【００８３】制御ＣＰＵ８８では、初期状態での各ＬＤ
８４の光出力と、所定の一定期間が経過した後の各ＬＤ
８４の光出力との差に基づいて各ＬＤ８４の出力効率の
経時劣化率が測定される。そして、この測定値に応じ
て、各々のＬＤ８４の光出力に差を与えるように制御す
る制御信号が出力される。

【００８４】より具体的には、各ＬＤ８４の出力効率の
経時劣化率の測定値に応じて、経時劣化率の小さいＬＤ
８４の光出力を、経時劣化率の大きいＬＤ８４の光出力
よりも大きくするように制御される。

【００８５】なお、各ＬＤ８４の光出力に対する差の与
え方は何ら限定されず、全てのＬＤ８４の光出力を変更
してもよいし、一部のＬＤ８４の光出力だけを変更して
もよい。例えば、経時劣化率の小さいＬＤ８４の光出力
だけを上げるようにしてもよいし、逆に、経時劣化率の
大きいＬＤ８４の光出力だけを下げるようにしてもよ
い。あるいは、経時劣化率の小さいＬＤ８４の光出力を
上げると共に、経時劣化率の大きいＬＤ８４の光出力を
相対的に下げるようにしてもよい。

【００８６】また、上記露光装置１０のように、常時安
定した所定（一定）の光出力が要求される場合には、レ
ーザ光源２４を構成する全てのＬＤ８４の光出力の総和
が一定値となるように制御される。この場合、全てのＬ
Ｄ８４の光出力を定数倍、例えば全てのＬＤ８４の光出
力の総和の平均の経時劣化率を全てのＬＤ８４に同じく
適用して全てのＬＤ８４の光出力を一律に定数倍しても
よいし、各ＬＤ８４の光出力に対して異なる係数を乗算
してもよい。

【００８７】これにより、所定の一定期間毎に、レーザ
光源２４を構成する全てのＬＤ８４の光出力の総和を、
常に所定の一定値となるように制御可能であるのはもち
ろん、経時劣化率が大きいＬＤ８４の光出力を比較的小
さくして、その分寿命を延長することができるので、レ
ーザ光源２４の交換やメンテナンス周期を延長すること
ができ、長周期化することが可能となる。その結果、ラ
ンニングコストを含めて大幅なコストダウンが可能とな
る。

【００８８】各ＬＤ８４の経時後の光出力とこれに対応
する駆動電流の情報はメモリ９０に記憶される。以後、
メモリ９０に記憶された情報と光量検出器８６から供給
される各ＬＤ８４の光出力の情報に基づいて、前述の動
作が繰り返し行われる。

【００８９】以下、本発明の半導体レーザ駆動回路８０
の駆動方式について一例を挙げて具体的に説明する。

【００９０】図１１のグラフは、図１３のグラフと同様
に３つのＬＤＡ，Ｂ，Ｃによって構成されたレーザ光源
２４の駆動方式を示すものであり、図１１中縦軸は各Ｌ
ＤＡ，Ｂ，Ｃの光量、横軸は、経過時間を表す。また、
時間０の時点におけるＬＤＡ，Ｂ，Ｃの光量は全て同じ
‘１’であり、その総和は‘３’である。また、時間ｔ
の経時後では、ＬＤＡ，Ｂ，Ｃの光量はそれぞれ０．
９，０．８，０．７になり、その総和は‘２．４’であ
るとする。

【００９１】この場合、本発明の半導体レーザ駆動回路
８０では、時間ｔの時点において、従来技術のように、
個々のＬＤＡ，Ｂ，Ｃの光量を時間０の時点と同じ
‘１’に戻すのではなく、例えば全てのＬＤＡ，Ｂ，Ｃ
の光出力の総和の平均の経時劣化率を全てのＬＤＡ，
Ｂ，Ｃに同じく適用して、各ＬＤＡ，Ｂ，Ｃの光出力に
差を与え、かつ全てのＬＤＡ，Ｂ，Ｃの光出力の総和
が、時間０の時点と概略同じである‘３’となるように
制御する。

【００９２】より具体的には、全てのＬＤＡ，Ｂ，Ｃの
光出力の総和の平均の経時劣化率の逆数＝１．２５をそ
れぞれのＬＤＡ，Ｂ，Ｃの経時後の光出力に乗算するこ
とにより、各ＬＤＡ，Ｂ，Ｃの光出力に差を与え、かつ
全てのＬＤＡ，Ｂ，Ｃの光出力の総和を概略一定とす
る。従って、ＬＤＡは、その光量すなわち駆動電流が
１．２５（＝３／２．４）倍されて１．１２５となり、
同様にＬＤＢも１．２５倍されて１となり、ＬＤＣも
１．２５倍されて０．８７５となる。

【００９３】ＬＤ８４の寿命は、一般的に光出力の２乗
に反比例すると言われており、この場合、ＬＤＡ，Ｂ，
Ｃの残寿命は一律にＫ／（１．２５）²＝０．６４Ｋと
なる（Ｋは係数）。このように、本発明を適用すること
により、ＬＤの寿命を平均化することができ、レーザ光
源の交換やメンテナンスの周期を延長して長周期化する
ことができるので、本発明の半導体レーザ駆動回路を利
用したレーザ光源２４をコストダウンすることが可能で
ある。

【００９４】なお、本実施例では、全てのＬＤＡ，Ｂ，
Ｃの光出力の総和の平均の経時劣化率の逆数＝１．２５
をそれぞれのＬＤＡ，Ｂ，Ｃの経時後の光出力に乗算す
ることにより、各ＬＤＡ，Ｂ，Ｃの光出力に差を与え、
かつ全てのＬＤＡ，Ｂ，Ｃの光出力の総和が概略一定と
なるように制御しているが、本発明はこれに限定され
ず、各ＬＤＡ，Ｂ，Ｃの光出力に対してそれぞれ異なる
係数を乗算してもよいことは既に述べた通りである。

【００９５】次に、本発明の半導体レーザ駆動回路の別
の実施例を挙げて説明する。

【００９６】図１２は、本発明の半導体レーザ駆動回路
の別の実施例の構成概略図である。同図に示す半導体レ
ーザ駆動回路９２は、ＬＤの光出力を常に一定に保つよ
う制御するＡＰＣ（Auto Power Control）型のレーザ光
源２４に対して本発明を適用したものであり、ＡＰＣ回
路（Ａ，Ｂ，Ｃ）９４と、ＬＤ（Ａ，Ｂ，Ｃ）８４と、
光検出器（Ａ，Ｂ，Ｃ）９６と、制御ＣＰＵ８８と、メ
モリ９０とを備えている。

【００９７】なお、本実施例においても、３つのＬＤに
よって構成されたレーザ光源２４に本発明を適用した場
合の一例を挙げて説明を行うが、レーザ光源２４に含ま
れるＬＤの個数は何ら制限されない。

【００９８】図示例の半導体レーザ駆動回路９２におい
て、ＡＰＣ回路９４は、制御ＣＰＵ８８から供給される
光量目標値の設定信号に従い、各々対応する光検出器９
６からフィードバックされる各ＬＤ８４の光出力の情報
に基づいて、ＬＤ８４の光出力（光量）が、光量目標値
となるようにＬＤ８４を駆動するための駆動電流を発生
する。それぞれのＡＰＣ回路９４から出力される駆動電
流は、各々対応するＬＤ８４に供給されると共に、駆動
電流の検出値として制御ＣＰＵ８８へ供給される。

【００９９】ＬＤ８４は、各々対応するＡＰＣ回路９４
から供給される駆動電流の電流値に応じて、そのオン時
の光出力（光量）が決定される。ＬＤ８４の光出力は、
それぞれ光出力Ａ，Ｂ，Ｃとして出力されると共に、各
々対応する光検出器９６に供給される。

【０１００】光検出器９６は、各ＬＤ８４の光出力を検
出する。光検出器９６によって検出された各ＬＤ８４の
光出力の情報（データ）は、ＡＰＣ回路９４にフィード
バックされる。前述のように、ＡＰＣ回路９４は、各々
対応する光検出器９６からフィードバックされる各ＬＤ
８４の光出力の情報に基づいて、ＬＤ８４の光出力（光
量）が、光量目標値となるようにＬＤ８４を駆動するた
めの駆動電流を発生する。すなわち、ＡＰＣが行われ
る。

【０１０１】制御ＣＰＵ８８は、メモリ９０に記憶され
ている各ＬＤ８４の光量目標値の初期値（経時前の各Ｌ
Ｄの光量目標値）の情報およびこれに対応して各ＡＰＣ
回路９４が発生する駆動電流の情報、ならびにＡＰＣ回
路９４から供給される経時後の各ＬＤ８４の駆動電流の
情報に基づいて、各ＡＰＣ回路９４の動作を制御する光
量目標値の設定信号を発生する。この制御ＣＰＵ８８に
よって発生される光量目標値の設定信号は、それぞれの
ＡＰＣ回路９４に供給される。

【０１０２】半導体レーザ駆動回路９２では、まず、メ
モリ９０に記憶されている各ＬＤ８４の光量目標値の初
期値の情報に基づいて制御ＣＰＵ８８で光量目標値の設
定信号が発生され、それぞれのＡＰＣ回路９４へ供給さ
れる。なお、メモリ９０に記憶されている各ＬＤ８４の
光量目標値の初期値は、全てのＬＤ８４に対して同じ値
である。

【０１０３】各ＡＰＣ回路９４は、光検出器９６により
フィードバックされるＬＤ８４の光出力の情報に基づい
て、各々対応するＬＤ８４の光出力が光量目標値となる
ように駆動電流を決定する。この駆動電流は、各々対応
するＬＤ８４へ供給される。

【０１０４】ＬＤ８４は、各々対応するＡＰＣ回路９４
から供給される駆動電流に応じてその光出力が決定され
る。前述の通り、各ＬＤ８４がオンする場合、初期状態
では、その光出力は全て同じとなる。各ＬＤ８４の光出
力は、光検出器８６によって常時検出されており、その
光出力の情報は、各々対応するＡＰＣ回路９４へフィー
ドバックされる。

【０１０５】各ＬＤ８４の光出力は、ＡＰＣ回路９４に
より、初期状態（経時前）も、初期状態から所定の一定
期間が経過した後（経時後）も常に同じ値に制御され
る。しかし、各ＬＤ８４の出力効率の経時劣化率には個
体差があるため、各ＡＰＣ回路９４によって発生される
経時後の駆動電流はそれぞれ異なる。ＡＰＣ回路９４に
よって発生された駆動電流の情報は制御ＣＰＵ８８へ供
給される。

【０１０６】制御ＣＰＵ８８では、初期状態において、
各ＬＤ８４の光出力が光量目標値となるように制御した
場合の駆動電流と、所定の一定期間が経過した後におい
て、各ＬＤ８４の光出力が光量目標値となるように制御
した場合の駆動電流との差に基づいて各ＬＤ８４の出力
効率の経時劣化率が測定される。そして、この測定値に
応じて、各々のＬＤ８４の光出力に差を与えるように制
御する光量目標値が出力される。

【０１０７】より具体的には、ＡＣＣ型のレーザ光源２
４に本発明を適用した場合と同様に、各ＬＤ８４の出力
効率の経時劣化率の測定値に応じて、経時劣化率の小さ
いＬＤ８４の光出力を、経時劣化率の大きいＬＤ８４の
光出力よりも大きくするように制御される。同様に、各
ＬＤ８４の光出力に対する差の与え方は何ら限定されな
いし、レーザ光源２４を構成する全てのＬＤ８４の光出
力の総和が一定値となるように制御することも可能であ
る。

【０１０８】各ＬＤ８４の経時後の光量目標値とこれに
対応する駆動電流の情報はメモリ９０に記憶される。以
後、メモリ９０に記憶された情報とＡＰＣ回路９４から
供給される各ＬＤ８４の駆動電流の情報に基づいて、前
述の動作が繰り返し行われる。

【０１０９】なお、ＡＣＣ型およびＡＰＣ型のレーザ光
源２４に対して本発明を適用した場合を例に挙げて説明
したが、本発明は、図示例の回路構成に限定されず、同
様の機能を果す、従来公知の他の回路構成によっても容
易に実現可能である。また、本発明は、各種形態の露光
装置、例えばＰＷＢ（プリント基板）露光装置、ＦＰＤ
（フラットパネルディスプレイ）露光装置、光造形装
置、粉末焼結造形装置等の空間変調素子用の照明用光源
として好適に利用可能である。

【０１１０】本発明の半導体レーザ駆動回路は、基本的
に以上のようなものである。以上、本発明の半導体レー
ザ駆動回路について詳細に説明したが、本発明は上記実
施例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲にお
いて、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんであ
る。

【０１１１】

【発明の効果】以上詳細に説明した様に、本発明の半導
体レーザ駆動回路は、各々の半導体レーザの出力効率の
経時劣化率を測定し、この測定値に応じて、各々の半導
体レーザの光出力に差を与えるように制御するようにし
たものである。これにより、本発明の半導体レーザ駆動
回路によれば、経時劣化率が大きい半導体レーザの光出
力を小さくして、その分寿命を延長することができるの
で、レーザ光源の交換やメンテナンス周期を延長するこ
とができ、長周期化することが可能となる。その結果、
ランニングコストを含めて大幅なコストダウンが可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用する露光装置の一実施例の構成
概略図である。

【図２】露光ユニットの一実施例の構成概略図であ
る。

【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）および
（Ｅ）は、それぞれレーザ光源の形態を表す一実施例の
構成概略図である。

【図４】（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ図３（Ｅ）
に示すレーザ光源の一実施例の構成概略図である。

【図５】図３（Ｄ）に示すレーザ光源の詳細を表す一
実施例の構成概略図である。

【図６】（Ａ）および（Ｂ）は、合波モジュールの構
成を表す一実施例の上面図および断面図である。

【図７】（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ一次元空間
変調素子および二次元空間変調素子の使用方法を表す一
実施例の構成概略図である。

【図８】ズームレンズの一実施例の構成概略図であ
る。

【図９】（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ二次元光変
調素子および一次元光変調素子を用いた露光ヘッドの配
置および露光方法を表す一実施例の構成概略図である。

【図１０】本発明の半導体レーザ駆動回路の一実施例
の構成概略図である。

【図１１】本発明の半導体レーザ駆動回路の駆動方式
を表す一実施例のグラフである。

【図１２】本発明の半導体レーザ駆動回路の別の実施
例の構成概略図である。

【図１３】従来の半導体レーザ駆動回路の駆動方式を
表す一実施例のグラフである。

【符号の説明】

１０露光装置１２基台１２ａ支持部材１２ｂガイド１４ステージ１６露光ヘッド１８位置検出センサ２０露光対象物２２露光ユニット２４レーザ光源２６，２８レンズ３０空間変調素子３２，３４ズームレンズ３８ケーシング４０光源ユニット４２光ファイバ４４半導体レーザ４６合波モジュール４８半導体レーザチップ５０，５４ヒートシンクブロック５２発光点５６窒化ガリウム系半導体レーザ５８コリメータレンズ６０集光レンズ６２パッケージ６４パッケージ蓋６８コリメータレンズホルダ７０集光レンズホルダ７２ファイバホルダ７４配線８０，９２半導体レーザ駆動回路８２ＬＤ駆動電流制御回路８４半導体レーザ８６光量検出器８８制御ＣＰＵ９０メモリ９４ＡＰＣ回路９６光検出器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者永野和彦神奈川県足柄上郡開成町宮台798番地富士写真フイルム株式会社内 (72)発明者山中英生神奈川県足柄上郡開成町宮台798番地富士写真フイルム株式会社内Ｆターム(参考） 5F073 AB02 AB28 BA09 CA01 EA15 EA24 EA28 FA03 GA01 GA12 GA17 HA03 HA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の半導体レーザで構成されるレーザ光
源の半導体レーザ駆動回路であって、各々の前記半導体レーザの出力効率の経時劣化率を測定
する測定手段と、この測定手段による測定値に応じて、
各々の前記半導体レーザの光出力に差を与えるように制
御する制御手段とを備えることを特徴とする半導体レー
ザ駆動回路。
【請求項２】前記測定手段は、各々の前記半導体レーザ
について、経時前および経時後における駆動電流値を同
じ値に設定し、各々の前記半導体レーザの経時前および
経時後における光出力の差に基づいて、各々の前記半導
体レーザの出力効率の経時劣化率を測定することを特徴
とする請求項１に記載の半導体レーザ駆動回路。
【請求項３】前記測定手段は、各々の前記半導体レーザ
について、経時前および経時後における光出力を同じ値
に設定し、各々の前記半導体レーザの経時前および経時
後における駆動電流値の差に基づいて、各々の前記半導
体レーザの出力効率の経時劣化率を測定することを特徴
とする請求項１に記載の半導体レーザ駆動回路。
【請求項４】前記制御手段は、出力効率の経時劣化率の
小さい半導体レーザの光出力を、出力効率の経時劣化率
の大きい半導体レーザの光出力よりも大きくするよう制
御することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
の半導体レーザ駆動回路。
【請求項５】前記制御手段は、全ての前記半導体レーザ
の光出力の総和が概略一定となるように制御することを
特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体レー
ザ駆動回路。
【請求項６】前記制御手段は、全ての前記半導体レーザ
の光出力の総和の平均の経時劣化率を全ての前記半導体
レーザに同じく適用して、各々の前記半導体レーザの光
出力に差を与え、かつ全ての前記半導体レーザの光出力
の総和が概略一定となるように制御することを特徴とす
る請求項１〜４のいずれかに記載の半導体レーザ駆動回
路。
【請求項７】全ての前記半導体レーザは、１つのパッケ
ージ内に実装されていることを特徴とする請求項１〜６
のいずれかに記載の半導体レーザ駆動回路。