JP6374017B2 - 半導体レーザ発振器 - Google Patents

半導体レーザ発振器 Download PDF

Info

Publication number
JP6374017B2
JP6374017B2 JP2016554076A JP2016554076A JP6374017B2 JP 6374017 B2 JP6374017 B2 JP 6374017B2 JP 2016554076 A JP2016554076 A JP 2016554076A JP 2016554076 A JP2016554076 A JP 2016554076A JP 6374017 B2 JP6374017 B2 JP 6374017B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
diode
output
wavelength
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016554076A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2016060103A1 (ja
Inventor
かおり 臼田
かおり 臼田
稔 緒方
稔 緒方
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lumentum Operations LLC
Original Assignee
Lumentum Operations LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lumentum Operations LLC filed Critical Lumentum Operations LLC
Publication of JPWO2016060103A1 publication Critical patent/JPWO2016060103A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6374017B2 publication Critical patent/JP6374017B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0427—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laser
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B23K26/0608—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams in the same heat affected zone [HAZ]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B23K26/0613—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams having a common axis
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0869—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
    • B23K26/0876—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/361—Removing material for deburring or mechanical trimming
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702—Auxiliary equipment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702—Auxiliary equipment
    • B23K26/703—Cooling arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4018—Lasers electrically in series
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H01S5/4062—Edge-emitting structures with an external cavity or using internal filters, e.g. Talbot filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02423—Liquid cooling, e.g. a liquid cools a mount of the laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/0617—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium using memorised or pre-programmed laser characteristics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14—External cavity lasers
    • H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Description

本開示は、レーザを射出する半導体レーザ発振器に関する。
従来、半導体レーザ発振器は固体レーザやファイバレーザの励起用途に多く利用されてきており、高輝度化の達成により直接加工に用いるダイレクトダイオードレーザ（ＤＤＬ）の加工機が普及している。ＤＤＬ発振器として、高出力のシングルエミッタのレーザダイオードを複数使用した発振器がある。このＤＤＬ発振器は、複数の波長のそれぞれにロックさせスペクトルビーム結合したレーザを射出する。
シングルエミッタのレーザダイオードから構成されるＤＤＬ発振器では、複数のレーザダイオードを複数のバンクに分割し、バングごとに同じ電流値が流れるように制御するのが一般的である。１つのバンクには、例えば３０〜４０個のレーザダイオードが直列に接続される。
特開２０１２−１７４７２０号公報
ＤＤＬ発振器においては、スペクトルビームを結合させることにより、高出力・高輝度を達成している。複数の波長のレーザのスペクトルビーム結合を実現させるためには、各波長のスペクトルを狭帯域とする必要がある。そこで、ＤＤＬ発振器は、外部共振器によって、レーザを複数の所望の波長にロックさせる。
このとき、波長ロック効率が高いほど効率的にスペクトルビーム結合させることができ、高効率なレーザ出力が得られる。波長ロック効率を高くするためには、各ロック波長に近い発振をする最適なレーザダイオードの材料を選定する必要がある。しかしながら、全てのロック波長ごとに材料を異ならせてレーザダイオードを製作することは現実的には不可能である。
そこで、複数種類の材料によって製作されたレーザダイオードを、少なくとも高出力時に波長ロック効率が高くなるように、各ロック波長に対して振り分けるのが一般的である。
レーザダイオードは射出するレーザの波長が１℃の温度上昇で０．２５〜０．３ｎｍ程度長波長側へシフトする特性がある。よって、レーザダイオードの出力を上げると発熱量が増えて温度上昇するため、射出するレーザの波長は長波長側へシフトする。従って、高出力時に合わせて波長調整された材料は、高出力で波長ロック効率が高いものでも低出力時には波長が低波長側へシフトするため高い波長ロック効率を維持することが困難な場合がある。
波長ロックしていない通常のレーザダイオードの入力電流に対するレーザ出力は直線となる。しかし、レーザダイオードに高電流を流して高出力化すればするほど、低出力時との温度差が大きくなり波長シフト量も大きくなって波長ロックすると低出力時の効率が低くなりがちである。このような理由によりＤＤＬ発振器における各バンクのレーザダイオードへの入力電流に対するレーザ出力との関係は直線とはならず、低出力時は下に凸の曲線状の特性となってしまう。
波長ロック効率が低く、ロック波長以外の波長で発振したレーザは、本来の光軸から外れて射出すべきレーザのロスを増大させる。すると、そのロスが、半導体レーザ発振器の内部の発熱や伝送ファイバ入射部の局部的発熱を発生させる。よって、半導体レーザ発振器の性能を最大限に発揮することができない。
実施形態は、波長ロックしてスペクトルビーム結合した半導体レーザ発振器において、低出力時においても高効率な波長ロックを維持できる半導体レーザ発振器を提供することを目的とする。
実施形態の一態様によれば、直列に接続された複数のレーザダイオードが１つのバンクを構成し、並列に接続された複数のバンクを有するダイオードユニットを備え、前記ダイオードユニットは、前記複数のレーザダイオードそれぞれが射出するレーザを外部共振器とグレーティングとによって波長ロックし、スペクトルビーム結合させる機構を有し、前記複数のバンクそれぞれのレーザダイオードへの入力電流を、入力電流に応じて波長がロックされる効率である波長ロック効率の特性に対応させて個別に制御して、前記ダイオードユニット全体の出力を要求される出力に制御する制御部をさらに備えることを特徴とする半導体レーザ発振器が提供される。
実施形態の半導体レーザ発振器によれば、波長ロックしてスペクトルビーム結合した半導体レーザ発振器において、低出力時においても高効率な波長ロックを維持できる。
図１は、一実施形態の半導体レーザ発振器を備えるレーザ加工機の全体的な構成を示す斜視図である。 図２は、一実施形態の半導体レーザ発振器を示すブロック図である。 図３は、図２中のＤＤＬユニットの具体的な構成を示す概念図である。 図４は、図２中のＤＤＬユニットに設定されているバンクを説明するための図である。 図５は、レーザの波長の違いによって波長ロック効率の特性が異なることを説明するための図である。 図６は、一般的な入力電流とレーザパワーとの関係を示すＤＤＬの特性図である。 図７は、一実施形態における指令出力値に対する各バンクへの入力電流とレーザ出力及びＤＤＬユニット出力（バンク合計レーザ出力）の関係を示す特性図である。
以下、一実施形態の半導体レーザ発振器について、添付図面を参照して説明する。まず、一実施形態の半導体レーザ発振器を備えるレーザ加工機の全体的な構成及び動作を説明する。
図１に示すレーザ加工機１００は、レーザによって被加工材を切断加工するレーザ切断加工機である場合を例とする。レーザ加工機は、レーザによって被加工材を溶接加工するレーザ溶接加工機、レーザによって被加工材の表面を改質する表面改質装置、レーザによって被加工材にマーキングするマーキング装置であってもよい。
レーザ加工機１００は、レーザＬＢを生成して射出するレーザ発振器１１と、レーザ加工ユニット１５と、レーザＬＢをレーザ加工ユニット１５へと伝送するプロセスファイバ１２とを備える。
レーザ発振器１１は、一例としてＤＤＬ発振器である。以下、ＤＤＬ発振器１１と称する。ＤＤＬ発振器１１の具体的構成及び動作については後に詳述する。レーザ発振器１１は波長ロック機構を有していればよく、ＤＤＬ発振器に限定されない。
プロセスファイバ１２は、レーザ加工ユニット１５に配置されたＸ軸及びＹ軸のケーブルダクト（図示せず）に沿って装着されている。
レーザ加工ユニット１５は、被加工材Ｗを載せる加工テーブル２１と、加工テーブル２１上でＸ軸方向に移動自在である門型のＸ軸キャリッジ２２と、Ｘ軸キャリッジ２２上でＸ軸に垂直なＹ軸方向に移動自在であるＹ軸キャリッジ２３とを有する。また、レーザ加工ユニット１５は、Ｙ軸キャリッジ２３に固定されたコリメータユニット２９を有する。
コリメータユニット２９は、プロセスファイバ１２の出力端から射出されたレーザＬＢを略平行光束とするコリメートレンズ２８と、略平行光束に変換されたレーザＬＢをＸ軸及びＹ軸に垂直なＺ軸方向下方に向けて反射させるベンドミラー２５とを有する。また、コリメータユニット２９は、ベンドミラー２５で反射したレーザＬＢを集光させる集光レンズ２７と、加工ヘッド２６とを有する。
コリメートレンズ２８、ベンドミラー２５、集光レンズ２７、加工ヘッド２６は、予め光軸が調整された状態でコリメータユニット２９内に固定されている。焦点位置を補正するために、コリメートレンズ２８がＸ軸方向に移動するように構成されていてもよい。
コリメータユニット２９は、Ｙ軸方向に移動自在のＹ軸キャリッジ２３に固定され、Ｙ軸キャリッジ２３は、Ｘ軸方向に移動自在のＸ軸キャリッジ２２に設けられている。よって、レーザ加工ユニット１５は、加工ヘッド２６から射出されるレーザＬＢを被加工材Ｗに照射する位置を、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に移動させることができる。
以上の構成によって、レーザ加工機１００は、ＤＤＬ発振器１１より射出されたレーザＬＢをプロセスファイバ１２によってレーザ加工ユニット１５へと伝送させ、高エネルギ密度の状態で被加工材Ｗに照射して被加工材Ｗを切断加工することができる。
なお、被加工材Ｗを切断加工するとき、被加工材Ｗには溶融物を除去するためのアシストガスが噴射される。図１では、アシストガスを噴射する構成については図示を省略している。
次に、図２〜図４を用いて、ＤＤＬ発振器１１の具体的な構成及び動作を説明する。図２に示すように、ＤＤＬ発振器１１は、ＤＤＬユニット11u1〜11unのｎ個のＤＤＬユニットと、ＤＤＬユニット11u1〜11unそれぞれより射出されたレーザを空間ビーム結合させるコンバイナ１１２とを有する。ＤＤＬユニット11u1〜11unは、ダイオードユニットの一例である。
また、ＤＤＬ発振器１１は、ＤＤＬユニット11u1〜11unに電力を供給する電力供給部１１３と、ＤＤＬ発振器１１を制御する制御部１１４とを有する。電力供給部１１３は電力供給回路によって構成することができる。制御部１１４はマイクロプロセッサまたはマイクロコンピュータによって構成することができる。
ＤＤＬユニット11u1〜11unのうちのいずれかを特定しないＤＤＬユニットをＤＤＬユニット１１ｕと称することとする。ＤＤＬユニット１１ｕの個数ｎは１以上であり、射出するレーザＬＢの必要とする出力に応じて適宜設定すればよい。なお、ＤＤＬユニット１１ｕが１個の場合は、コンバイナを必要としない。
ＤＤＬユニット１１ｕは、具体的に、図３に示すように構成される。ＤＤＬユニット１１ｕは、レーザダイオードモジュールＵｍ１〜Ｕｍｎのｎ個のレーザダイオードモジュールを有する。
レーザダイオードモジュールＵｍ１〜Ｕｍｎのうちのいずれかを特定しないレーザダイオードモジュールをレーザダイオードモジュールＵｍと称することとする。レーザダイオードモジュールＵｍの個数ｎも適宜設定すればよい。
それぞれのレーザダイオードモジュールＵｍは、複数のレーザダイオードが直列に接続されて構成されている。レーザダイオードの個数は例えば１４個である。レーザダイオードモジュールＵｍのそれぞれでロックさせるレーザの波長が異なる。
レーザダイオードモジュールＵｍ１〜Ｕｍｎは、各レーザダイオードが光ファイバＵｆ１〜Ｕｆｎの一方の端部に空間結合されている。各レーザダイオードのレーザを射出する側とは反対側の端面には、高反射ミラーが形成されている。光ファイバＵｆ１〜Ｕｆｎの他方の端部は、ファイバアレイＵ１１となっている。
光ファイバＵｆ１〜Ｕｆｎの先端部は、レーザの射出方向と直交する方向に一列に並べられた光ファイバ列となっている。光ファイバ列の先端部の数ミリから十数ミリの範囲が樹脂で例えば円筒状に被覆されて、ファイバアレイＵ１１が構成されている。
レーザダイオードモジュールＵｍ１〜Ｕｍｎより射出されたレーザは、ファイバアレイＵ１１より射出して、コリメートレンズＵ１２によって平行光化されて略平行光束となる。コリメートレンズＵ１２より射出されたそれぞれのレーザは、グレーティングＵ１３に互いに異なる角度で入射して方向が曲げられて、部分反射ミラーＵ１４を介して射出する。
このとき、レーザがコリメートレンズＵ１２に入射する位置の違いによって、グレーティングＵ１３への入射角度が決まる。
レーザの一部は、部分反射ミラーＵ１４で反射してレーザダイオードモジュールＵｍの各レーザダイオードへと戻り、高反射ミラーで反射して再び部分反射ミラーＵ１４に入射する。
このように、レーザは、レーザダイオードモジュールＵｍ内部の高反射ミラーと部分反射ミラーＵ１４との間で共振する。ＤＤＬユニット１１ｕは外部共振器を構成する。高反射ミラー及び部分反射ミラーＵ１４は、外部共振器ミラーを構成する。
ＤＤＬユニット１１ｕは、レーザを、外部共振器とグレーティングＵ１３とによって波長ロックさせる。グレーティングＵ１３は、波長ロックの機能に加えて、スペクトルビーム結合させる機能を有する。
以上の構成及び動作によって、ＤＤＬユニット１１ｕからは、複数の波長にロックされた図示のような波長スペクトルＳＰ１を有するレーザが出力される。
ＤＤＬユニット１１ｕには、並列接続された複数のバンクが設定されている。図４は、ＤＤＬユニット１１ｕに設定されているバンクの構成例を示している。本実施形態においては、ＤＤＬユニット１１ｕには、２つのバンクが設定されているとする。バンクの数は３以上であってもよい。
図４に示すように、それぞれのバンクには、複数のレーザダイオードモジュールＵｍが直列に接続されている。図４では、２つのレーザダイオードモジュールＵｍを直列接続しているが、３つのレーザダイオードモジュールＵｍを直列接続してもよい。
直列接続するレーザダイオードの数は、電圧制御が容易な例えば５０〜７５Ｖの電圧となるような数とするのがよい。それぞれのバンクには、電力供給部１１３より５０〜７５Ｖの電圧が供給され、０〜１２Ａの電流が流れる。
図４に示すバンク１，２で、ＤＤＬユニット１１ｕは、波長λ１〜λ４それぞれの波長にロックされたレーザを出力する。なお、図２におけるＤＤＬユニット11u1〜11unの全体で、例えば波長９１０ｎｍ〜９５０ｎｍのレーザを出力する。
さて、ここで、図５を用いて、レーザの波長の違いによって波長ロック効率の特性が異なることを説明する。図５に示すように、波長λ１，λ２は、入力電流が０〜１２Ａのほぼ全出力領域で波長ロック効率が高い。一方、波長λ３，λ４は、入力電流が０〜４Ａ程度の低出力領域で波長ロック効率が低い。
図５に示す波長ロック効率の特性を有するレーザダイオードモジュールＵｍから構成されたＤＤＬユニット１１ｕに０〜１２Ａの電流を供給したとき、入力電流に対してレーザ出力は図６に示すような特性となる。図６において、一点鎖線は、波長λ１，λ２の波長にロックされたレーザを出力するバンク１における入力電流に対するレーザ出力特性、破線は、波長λ３，λ４の波長にロックされたレーザを出力するバンク２における入力電流に対するレーザ出力特性、実線はＤＤＬユニット１１ｕ（バンク１とバンク２の合計）の出力特性を示している。
入力電流とレーザパワーとの関係は、二点鎖線で示すように、理想的にはリニアである。しかしながら、一点鎖線で示す特性と破線で示す特性とを合わせることによって、実線で示すように、ＤＤＬユニット１１ｕ全体としての特性は、下に凸の曲線状となってしまう。
そこで、本実施形態においては、バンク１，２を図７に示すように制御する。上記のように、バンク１には、低出力から高出力まで波長ロック効率が高い波長λ１，λ２が割り当てられており、バンク２には、低出力時に波長ロック効率が低い波長λ３，λ４が割り当てられている。
図７に示すように、制御部１１４は、バンク１に対しては、一点鎖線で示すように、低出力から高出力までレーザパワーを出力させるように、パワーを指令する。詳細には、指令パワー値が０から４００Ｗ程度まで入力電流をリニアに増加させた後、一旦、入力電流を０とする。指令パワー値が４００Ｗ程度以降では、入力電流を０から１２Ａまでリニアに増加させる。
制御部１１４は、バンク２に対しては、破線で示すように、低出力時には出力させるレーザパワーを０とし、中出力以上でレーザパワーを出力させるように、パワーを指令する。詳細には、指令パワー値が０から４００Ｗ程度まで入力電流を０とする。指令パワー値が４００Ｗ程度で入力電流を６Ａ程度に上昇させて、それ以降、入力電流を１２Ａまでリニアに増加させる。
制御部１１４がバンク１，２を図７に示すように制御することによって、ＤＤＬユニット１１ｕ全体では、実線で示すように出力させることができ、二点鎖線で示す理想的な特性に近付けた特性とすることができる。
以上のように、バンク毎に入力電流制御を行うため、低出力時に波長ロック効率が低くなってしまうものは同じバンクに割り当て、中電流（中出力）以上で制御する。制御部１１４は、複数のバンクそれぞれのレーザダイオードへの入力電流を、波長ロック効率の特性に対応させて個別に制御する。
制御部１１４は、複数のバンクそれぞれが出力するレーザを合成したレーザパワーが要求される発振器出力となるように、また発振器の全出力領域にて波長ロック効率を高く維持できるように、複数のバンクそれぞれのレーザダイオードへの入力電流を個別に制御すればよい。
具体的には、複数のバンクが、入力電流が０から所定の値までの低電流時の波長ロック効率が第１の状態である第１のバンクと、第１の状態よりも波長ロック効率が低い第２の状態である第２のバンクとを少なくとも含むとき、制御部１１４は次のように制御すればよい。
制御部１１４は、第２のバンクの出力を、ＤＤＬユニット１１ｕ全体に要求される出力が０から所定の値まで０とするよう制御する。
本実施形態の半導体レーザ発振器によれば、発振器出力の低出力時の波長ロック効率改善が可能となり、併せて電気−光変換効率も高い領域で使用することになるため、低出力時の無駄な電力を削減することができる。
また、本実施形態の半導体レーザ発振器によれば、波長ロック効率低下による出力損失が影響する発振器内部の発熱や、伝送ファイバの局部的発熱を防ぎ、発振器出力を安定させてかつ光学部品の破損を防ぐことができる。
本発明は以上説明した本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
レーザダイオードは、一例として、シングルエミッタのレーザダイオードである。レーザダイオードは、シングルエミッタのレーザダイオードを複数空間結合したレーザダイオードモジュールであってもよい。
レーザダイオードは、ダイオードレーザバーであってもよい。レーザダイオードは、ダイオードレーザバーを複数空間結合したレーザダイオードモジュールであってもよい。なお、ダイオードレーザバーとは、エミッタが例えば５００μｍ間隔で横に並んだチップである。
本発明は、レーザを射出する半導体レーザ発振器に利用できる。

Claims (6)

  1. 直列に接続された複数のレーザダイオードが１つのバンクを構成し、並列に接続された複数のバンクを有するダイオードユニットを備え、
    前記ダイオードユニットは、前記複数のレーザダイオードそれぞれが射出するレーザを外部共振器とグレーティングとによって波長ロックし、スペクトルビーム結合させる機構を有し、
    前記複数のバンクそれぞれのレーザダイオードへの入力電流を、入力電流に応じて波長がロックされる効率である波長ロック効率の特性に対応させて個別に制御して、前記ダイオードユニット全体の出力を要求される出力に制御する制御部をさらに備える
    ことを特徴とする半導体レーザ発振器。
  2. レーザダイオードがシングルエミッタのレーザダイオードであることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ発振器。
  3. レーザダイオードがシングルエミッタのレーザダイオードを複数空間結合したレーザダイオードモジュールであることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ発振器。
  4. レーザダイオードがダイオードレーザバーであることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ発振器。
  5. レーザダイオードがダイオードレーザバーを複数空間結合したレーザダイオードモジュールであることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ発振器。
  6. 前記複数のバンクは、入力電流が０から所定の値までの低電流時の波長ロック効率が第１の状態である第１のバンクと、前記低電流時の波長ロック効率が前記第１の状態よりも低い第２の状態である第２のバンクとを少なくとも含み、
    前記制御部は、前記第２のバンクの出力を、前記ダイオードユニット全体に要求される出力が０から所定の値まで０とするよう制御する
    ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ発振器。
JP2016554076A 2014-10-15 2015-10-13 半導体レーザ発振器 Active JP6374017B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014210491 2014-10-15
JP2014210491 2014-10-15
PCT/JP2015/078877 WO2016060103A1 (ja) 2014-10-15 2015-10-13 半導体レーザ発振器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016060103A1 JPWO2016060103A1 (ja) 2017-07-20
JP6374017B2 true JP6374017B2 (ja) 2018-08-15

Family

ID=55746649

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017513110A Active JP6652555B2 (ja) 2014-10-15 2015-10-08 レーザシステム、及び、レーザシステムの出力パワーを調整する方法
JP2016554076A Active JP6374017B2 (ja) 2014-10-15 2015-10-13 半導体レーザ発振器

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017513110A Active JP6652555B2 (ja) 2014-10-15 2015-10-08 レーザシステム、及び、レーザシステムの出力パワーを調整する方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10305252B2 (ja)
EP (2) EP3207602A4 (ja)
JP (2) JP6652555B2 (ja)
CN (2) CN107005020B (ja)
WO (2) WO2016060933A1 (ja)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107005020B (zh) 2014-10-15 2021-07-20 朗美通经营有限责任公司 激光系统以及调谐激光系统的输出功率的方法
KR20170104818A (ko) * 2016-03-08 2017-09-18 주식회사 이오테크닉스 벨로우즈 용접이 가능한 레이저 용접 장치
JP6625914B2 (ja) * 2016-03-17 2019-12-25 ファナック株式会社 機械学習装置、レーザ加工システムおよび機械学習方法
CN109475976A (zh) * 2016-07-14 2019-03-15 三菱电机株式会社 激光加工装置
CN109863837B (zh) 2016-08-26 2022-07-08 恩耐公司 激光器配电模块
JP7089148B2 (ja) * 2016-09-30 2022-06-22 日亜化学工業株式会社 光源装置
GB2556197B (en) 2016-09-30 2021-11-24 Nichia Corp Light source device
JP6261810B1 (ja) * 2016-10-25 2018-01-17 三菱電機株式会社 レーザ加工機及びレーザ加工機の演算装置
CN108075351A (zh) * 2016-11-11 2018-05-25 大族激光科技产业集团股份有限公司 半导体激光器控制系统
CN106532431A (zh) * 2016-12-28 2017-03-22 尚华 一种应用于人体内的激光发生光导入装置
JP6502993B2 (ja) * 2017-04-06 2019-04-17 ファナック株式会社 複数のレーザモジュールを備えたレーザ装置
JP6568136B2 (ja) * 2017-04-06 2019-08-28 ファナック株式会社 複数のレーザモジュールを備えたレーザ装置
JP6642546B2 (ja) * 2017-09-21 2020-02-05 日亜化学工業株式会社 波長ビーム結合装置
DE102017129790A1 (de) * 2017-12-13 2019-06-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Betreiben einer Laservorrichtung und Laservorrichtung
JP6970036B2 (ja) * 2018-02-20 2021-11-24 ファナック株式会社 ファイバレーザ発振器用の電源回路
US10461851B1 (en) * 2018-03-30 2019-10-29 Facebook, Inc. Predicting optical transceiver failure
US10425156B1 (en) 2018-03-30 2019-09-24 Facebook, Inc. Dynamically determining optical transceiver expected life
GB2573303A (en) * 2018-05-01 2019-11-06 Datalase Ltd System and method for laser marking
WO2019215798A1 (ja) * 2018-05-07 2019-11-14 三菱電機株式会社 レーザ装置、レーザ加工機およびレーザ装置の出力制御方法
US10951007B2 (en) 2018-05-11 2021-03-16 Excelitas Technologies Corp. Optically pumped tunable VCSEL employing geometric isolation
CN112204830A (zh) * 2018-05-24 2021-01-08 松下知识产权经营株式会社 带角度调节的可替换激光谐振器模块
CN110994352A (zh) * 2019-11-11 2020-04-10 无锡锐科光纤激光技术有限责任公司 可拓展的分布式激光器
CN110854654B (zh) * 2019-11-18 2021-06-15 无锡锐科光纤激光技术有限责任公司 一种半闭环控制激光器
CN111162454B (zh) * 2020-01-02 2021-03-12 中国科学院半导体研究所 一种宽波段调谐系统及调谐方法
JP2021118271A (ja) * 2020-01-27 2021-08-10 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レーザ発振器及びレーザ加工方法
US12134142B1 (en) * 2020-02-07 2024-11-05 Flexform, Incorporated Systems and methods of permanently marking materials
US11769981B1 (en) * 2020-03-27 2023-09-26 Government Of The United States As Represented By The Secretary Of The Air Force Circuit and method for regulating currents to multiple loads
CN111682399B (zh) * 2020-06-20 2021-07-20 深圳市灵明光子科技有限公司 激光发射器驱动电路、系统及高速光通信装置
WO2023023390A1 (en) 2021-08-20 2023-02-23 General Electric Company Irradiation devices with optical modulators for additively manufacturing three-dimensional objects
US12030251B2 (en) 2021-08-20 2024-07-09 General Electric Company Irradiation devices with optical modulators for additively manufacturing three-dimensional objects
WO2023191788A1 (en) * 2022-03-31 2023-10-05 Intel Corporation Laser transmitter component, light detection and ranging system, and computer readable medium
DE102023200658A1 (de) 2023-01-27 2024-08-01 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Beleuchtungsvorrichtung und Verfahren zum Anschalten oder Ausschalten einer ersten und/oder einer zweiten Laserdiode einer Beleuchtungsvorrichtung

Family Cites Families (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4439861A (en) 1981-08-07 1984-03-27 Mrj, Inc. Solid state laser with controlled optical pumping
US5337325A (en) * 1992-05-04 1994-08-09 Photon Imaging Corp Semiconductor, light-emitting devices
US5729568A (en) 1993-01-22 1998-03-17 Deutsche Forschungsanstalt Fuer Luft-Und Raumfahrt E.V. Power-controlled, fractal laser system
DE4301689A1 (de) 1993-01-22 1994-07-28 Deutsche Forsch Luft Raumfahrt Leistungsgesteuertes fraktales Lasersystem
DE19623883A1 (de) * 1996-06-05 1997-12-11 Siemens Ag Optische Sendeeinrichtung
US5748654A (en) 1996-06-17 1998-05-05 Trw Inc. Diode array providing either a pulsed or a CW mode of operation of a diode pumped solid state laser
US5715270A (en) 1996-09-27 1998-02-03 Mcdonnell Douglas Corporation High efficiency, high power direct diode laser systems and methods therefor
US6094447A (en) * 1998-06-12 2000-07-25 Lockheed Martin Corporation System and method for reducing wavefront distortion in high-gain diode-pumped laser media
SE518827C2 (sv) 1999-02-17 2002-11-26 Altitun Ab Metod för karakterisering av en avstämbar laser
US6799242B1 (en) * 1999-03-05 2004-09-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical disc player with sleep mode
EP1139527A3 (en) 2000-03-27 2003-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High power semiconductor laser array apparatus
JP2001284732A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多波長レーザ発光装置、当該装置に用いられる半導体レーザアレイ素子及び当該半導体レーザアレイ素子の製造方法
EP1146617A3 (en) 2000-03-31 2003-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High-powered semiconductor laser array apparatus
EP1143584A3 (en) 2000-03-31 2003-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser array
US6518563B1 (en) 2000-06-22 2003-02-11 Agere Systems Inc. Detecting aging of optical components
ATE533212T1 (de) * 2000-08-09 2011-11-15 Santur Corp Verstimmbarer laserdiode mit verteilter rückkopplung
US6856634B2 (en) 2001-02-19 2005-02-15 Toyota Jidoshi Kabushiki Kaisha Laser processing device and laser processing method
JP2002335042A (ja) 2001-05-11 2002-11-22 Mitsubishi Chemicals Corp 外部共振器付きレーザダイオードモジュールの波長ロックの光出力範囲を広くする方法、および該方法を実施するためのレーザダイオードモジュール
CA2463502C (en) * 2001-10-09 2011-09-20 Infinera Corporation Digital optical network architecture
DE10345220B4 (de) * 2003-09-29 2012-02-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Übertragung von Daten
CN100541946C (zh) * 2004-02-21 2009-09-16 菲尼萨公司 用于粗波分复用系统的温度控制
US7369587B2 (en) 2004-02-21 2008-05-06 Finisar Corp Temperature control for coarse wavelength division multiplexing systems
US7508853B2 (en) 2004-12-07 2009-03-24 Imra, America, Inc. Yb: and Nd: mode-locked oscillators and fiber systems incorporated in solid-state short pulse laser systems
US7233442B1 (en) * 2005-01-26 2007-06-19 Aculight Corporation Method and apparatus for spectral-beam combining of high-power fiber lasers
US20070022939A1 (en) 2005-07-27 2007-02-01 Robert Stokes Wet floor warning device
JP2007288139A (ja) 2006-03-24 2007-11-01 Sumitomo Chemical Co Ltd モノシリック発光デバイス及びその駆動方法
US7515346B2 (en) 2006-07-18 2009-04-07 Coherent, Inc. High power and high brightness diode-laser array for material processing applications
WO2008093545A1 (ja) 2007-01-29 2008-08-07 Panasonic Corporation 固体レーザー装置、表示装置及び波長変換素子
JP5753686B2 (ja) * 2007-06-27 2015-07-22 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 光センサ・モジュール及びその製造方法
GB0713265D0 (en) 2007-07-09 2007-08-15 Spi Lasers Uk Ltd Apparatus and method for laser processing a material
CN201113219Y (zh) 2007-10-25 2008-09-10 常州凯森光电有限公司 激光模组结构
WO2010079635A1 (ja) 2009-01-09 2010-07-15 シャープ株式会社 発光ダイオード駆動回路およびそれを備えた面状照明装置
JP5187441B2 (ja) * 2009-04-24 2013-04-24 株式会社村田製作所 Ｍｅｍｓ素子およびその製造方法
JP5349129B2 (ja) 2009-05-07 2013-11-20 住友重機械工業株式会社 レーザ照射装置
DE112011100812T5 (de) * 2010-03-05 2013-03-07 TeraDiode, Inc. System und Verfahren zur Wellenlängenstrahlkombination
WO2011109753A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 TeraDiode, Inc. Wavelength beam combining based pump / pulsed lasers
US8488245B1 (en) 2011-03-07 2013-07-16 TeraDiode, Inc. Kilowatt-class diode laser system
US8437086B2 (en) 2010-06-30 2013-05-07 Jds Uniphase Corporation Beam combining light source
US8427749B2 (en) 2010-06-30 2013-04-23 Jds Uniphase Corporation Beam combining light source
US20120026320A1 (en) * 2010-07-28 2012-02-02 Bryceland Samuel S Aircraft traffic logging and acquisition system
EP3490343B1 (en) * 2010-10-08 2021-03-10 Lantiq Beteiligungs-GmbH & Co.KG Laser diode control device
US20120165800A1 (en) * 2010-12-22 2012-06-28 Scott Keeney Single-emitter diode based light homogenizing apparatus and a hair removal device employing the same
JP5068863B2 (ja) 2011-02-17 2012-11-07 ファナック株式会社 精確にレーザ出力を補正できる高出力レーザ装置
US9072533B2 (en) * 2011-03-30 2015-07-07 Tria Beauty, Inc. Dermatological treatment device with one or more multi-emitter laser diode
JP5729107B2 (ja) * 2011-04-20 2015-06-03 村田機械株式会社 レーザ発振器制御装置
US9158063B2 (en) * 2011-07-07 2015-10-13 Reald Inc. Apparatus for despeckling laser systems and methods thereof
JP2013197371A (ja) 2012-03-21 2013-09-30 Fujikura Ltd 駆動回路、光源装置、光増幅器、および、駆動方法
JP2013222799A (ja) 2012-04-16 2013-10-28 Sumitomo Electric Device Innovations Inc 半導体レーザの制御方法及び光トランシーバの製造方法
JP2013233556A (ja) 2012-05-08 2013-11-21 Product Support:Kk レーザー加工装置
US9679077B2 (en) * 2012-06-29 2017-06-13 Mmodal Ip Llc Automated clinical evidence sheet workflow
US8710470B2 (en) * 2012-07-12 2014-04-29 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Wavelength and power scalable waveguiding-based infrared laser system
WO2014011580A1 (en) 2012-07-12 2014-01-16 DePuy Synthes Products, LLC Device, kit and method for correction of spinal deformity
TWM443878U (en) * 2012-07-23 2012-12-21 Richtek Technology Corp Multi-phase switching regulator and droop circuit therefor
JP5513571B2 (ja) * 2012-09-06 2014-06-04 ファナック株式会社 放電開始を判定する機能を有するガスレーザ発振器
JP6211259B2 (ja) 2012-11-02 2017-10-11 株式会社アマダミヤチ レーザ電源装置
JP2014104479A (ja) 2012-11-27 2014-06-09 Amada Co Ltd ファイバーレーザ加工機及び断線検出方法
US9478931B2 (en) * 2013-02-04 2016-10-25 Nlight Photonics Corporation Method for actively controlling the optical output of a seed laser
JP2014164577A (ja) 2013-02-26 2014-09-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 駆動回路
JP5816370B2 (ja) * 2013-02-27 2015-11-18 コマツ産機株式会社 ファイバレーザ加工機の出力制御方法及びファイバレーザ加工機
US9550347B2 (en) * 2013-07-31 2017-01-24 Bell Helicopter Textron Inc. Method of configuring composite core in a core stiffened structure and a structure incorporating the same
CN107005020B (zh) 2014-10-15 2021-07-20 朗美通经营有限责任公司 激光系统以及调谐激光系统的输出功率的方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3208898A1 (en) 2017-08-23
US10305252B2 (en) 2019-05-28
WO2016060103A1 (ja) 2016-04-21
CN107078461B (zh) 2019-06-14
JP6652555B2 (ja) 2020-02-26
CN107005020B (zh) 2021-07-20
US20170279245A1 (en) 2017-09-28
WO2016060933A1 (en) 2016-04-21
US9917416B2 (en) 2018-03-13
EP3207602A4 (en) 2018-06-20
JP2018503966A (ja) 2018-02-08
EP3207602A1 (en) 2017-08-23
EP3208898A4 (en) 2018-06-20
JPWO2016060103A1 (ja) 2017-07-20
CN107078461A (zh) 2017-08-18
CN107005020A (zh) 2017-08-01
US20170279246A1 (en) 2017-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6374017B2 (ja) 半導体レーザ発振器
WO2016152404A1 (ja) 半導体レーザ発振器
JP5919356B2 (ja) レーザ光による板金の加工方法及びこれを実行するレーザ加工装置
JP6373714B2 (ja) ダイレクトダイオードレーザ加工装置及びその出力監視方法
JP6412478B2 (ja) 波長合成レーザシステム
JP7100236B2 (ja) 波長ビーム結合装置
JP2016112609A (ja) レーザ切断装置およびレーザ切断方法
WO2016129323A1 (ja) レーザモジュールおよびレーザ加工装置
JP6522166B2 (ja) レーザ装置
JP6069280B2 (ja) ダイレクトダイオードレーザ加工装置及びこれを用いた板金の加工方法
CN113258433A (zh) 激光振荡器以及激光加工方法
JP2016082219A (ja) 半導体レーザ発振器
JP2016073983A (ja) レーザ溶接装置およびレーザ溶接方法
JP6043773B2 (ja) ダイレクトダイオードレーザ光による板金の加工方法及びこれを実行するダイレクトダイオードレーザ加工装置
WO2016059893A1 (ja) 半導体レーザ発振器
WO2016059993A1 (ja) ダイレクトダイオードレーザ発振器、ダイレクトダイオードレーザ加工装置及び反射光検出方法
JP2016078051A (ja) ダイレクトダイオードレーザ加工装置及びこれを用いた板金の加工方法
JP6035304B2 (ja) ダイレクトダイオードレーザ加工装置及びこれを用いた板金の加工方法
JP2016221579A (ja) ダイレクトダイオードレーザ加工装置及びこれを用いた板金の加工方法
JP7384349B2 (ja) レーザ照射方法及びレーザ照射装置
JP7422355B2 (ja) レーザ発振器
JP2016078043A (ja) レーザ加工機
JP6937865B2 (ja) ダイレクトダイオードレーザ加工装置及びこれを用いた板金の加工方法
Hengesbach et al. Comparison of edge-emitter and vertical emitter based diode lasers for materials processing
WO2021106257A1 (ja) 光学ユニット、ビーム結合装置およびレーザ加工機

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170404

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170404

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180306

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180423

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180626

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180718

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6374017

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250