JP6291694B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
また、本発明の目的は、シングルディフュージョンブレークとダブルディフュージョンブレークを利用する半導体装置の製造方法を提供することにある。
前記第1及び第2ダミーゲートの各々は、フィールド絶縁膜の上面上に全体が位置する少なくとも1つの金属層を含んでもよい。
前記第1及び第2アクティブ領域のそれぞれにおいて、前記第1及び第2ダミーゲートに隣接する第1のソース/ドレイン領域をさらに有し、前記ソース/ドレイン領域は、圧縮応力または引張応力を誘発する物質を含むエピタキシャル領域でありうる。
前記第1ダミーゲートの少なくとも一側の上に配置された第1スペーサをさらに有し、前記第1スペーサは前記第1フィンに重なるように前記第1フィン上に配置されうる。
前記第2ダミーゲートの少なくとも一側の上に配置された第2スペーサをさらに有し、前記第2スペーサは前記第2フィンに重なるように前記第2フィン上に配置されうる。
前記第2ダミーゲートの少なくとも一側の上に配置された第2スペーサをさらに有し、前記第2スペーサは前記第3フィンに重なるように前記第3フィン上に配置されることが好ましい。
前記第1ダミーゲートの少なくとも一側の上に配置された第1スペーサと、前記第2ダミーゲートの少なくとも一側の上に配置された第2スペーサと、前記第2フィールド絶縁膜の上に少なくとも部分的に配置された第3ダミーゲートと、前記第3ダミーゲートの少なくとも一側の上に配置された第3スペーサと、をさらに有し、前記第1スペーサは前記第1フィンに重なるように前記第1フィン上に配置され、前記第2スペーサは前記第2フィンに重なるように前記第2フィン上に配置され、前記第3スペーサは前記第3フィンに重なるように前記第3フィン上に配置されることが好ましい。
前記第1フィールド絶縁膜は、前記第1方向と交差する第2方向に前記第3フィールド絶縁膜に架かり、前記第2フィールド絶縁膜は、前記第2方向に前記第3フィールド絶縁膜に架かることが好ましい。
前記第1フィールド絶縁膜の下面は、前記第1乃至第3フィンが上方に突出する前記平面と同じ高さに位置することが好ましい。
前記第1ダミーゲートの下面は、前記ソース/ドレインの上面と同一平面上にあることが好ましい。
前記第2ダミーゲートの下面の一部は、前記ソース/ドレインの上面と同一平面上にあり、前記第2ダミーゲートの下面の他の一部は、前記ソース/ドレインの上面より低いことが好ましい。
前記第2フィールド絶縁膜の高さは前記第1フィールド絶縁膜の高さよりも高く、前記第2フィールド絶縁膜上に少なくとも部分的に配置された第3ダミーゲートをさらに有してもよい。
前記第2フィールド絶縁膜の高さは前記第1フィールド絶縁膜の高さよりも高く、前記第1フィールド絶縁膜の垂直断面はT字形であることが好ましい。
前記第2フィールド絶縁膜の下面は、前記第1フィールド絶縁膜の下面及び前記第3フィールド絶縁膜の下面よりも低いことが好ましい。
前記第1フィールド絶縁膜は、前記第1フィン及び前記第2フィンの上部に突出する突出部を含むことが好ましい。
前記第1ダミーゲートの一側の上に配置された第1スペーサと、前記第1ダミーゲートの他側の上に配置された第2スペーサとをさらに有し、前記第1スペーサと前記第2スペーサは前記突出部の上に配置されうる。
前記第1フィールド絶縁膜は、前記第1方向と交差する第2方向に延在し、前記第2フィールド絶縁膜は前記第2方向に延在し、前記第2フィールド絶縁膜の下面は前記第1フィールド絶縁膜の下面より低いことが好ましい。
101 基板
111、112、113 (第1、第2、第3)フィールド絶縁膜
F1〜F8、F11、12、F21、F22、F31、F32、F41、F42、F51、F52、F61、F62、F71、F72、F81、F82、F99 フィン
145、245、345、1145 ゲート絶縁膜
147_1、147_2、147_5、147_6 (第1、第2、第5、第6)ゲート
151、251、351 スペーサ
161、162、1161a、1161b ソース/ドレイン
166 第2半導体層領域
166a 第1半導体層領域
247_1 (第1)ダミーゲート
347_1〜347_4 (第2、第3、第4、第5)ダミーゲート
501、502、503 (第1、第2、第3)トレンチ
504 トレンチ
1100 電子システム
1110 コントローラ
1112 フィールド絶縁膜
1120 入出力装置
1122 突出部
1130 記憶装置
1140 インターフェース
1150 バス
1247_1 ゲート
1410 ロジック領域
1420 SRAM領域
2111、2211 絶縁膜
Claims (24)
- 第1方向に長手方向に整列した第1及び第2フィンと前記第1及び第2フィンの間に延在するトレンチとを備える基板と、
前記第1フィンと前記第2フィンとの間に介在するように前記トレンチ内に配置されたフィールド絶縁膜と、
前記第1及び第2フィンの上に配置された複数のゲートと、
前記フィールド絶縁膜の上面まで少なくとも部分的にトレンチ内に延在する第1ダミーゲートと、
前記フィールド絶縁膜の上面まで少なくとも部分的にトレンチ内に延在し第1ダミーゲートにトレンチを横切って対向する第2ダミーゲートと、を有し、
前記フィールド絶縁膜の上面は、前記第1フィンと前記第2フィンの最上面より下方に配置され、
前記第1ダミーゲートの第1の部分は、前記トレンチの縁部に隣接する前記第1フィンの上面上に延在し、第1ダミーゲートの第2の部分は、前記トレンチの側壁に沿ってフィールド絶縁膜の上面にまで延在し、
前記第2ダミーゲートの第1の部分は、前記トレンチの反対側の縁部に隣接する第2フィンの上面上に延在し、第2ダミーゲートの第2の部分は、前記トレンチの反対側の側壁に沿ってフィールド絶縁膜の上面にまで延在することを特徴とする半導体装置。 - 前記トレンチは第1及び第2アクティブ領域を定め、前記第1フィンは前記第1アクティブ領域にあり、前記第2フィンは前記第2アクティブ領域にあることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2ダミーゲートの各々は、フィールド絶縁膜の上面上に全体が位置する少なくとも1つの金属層を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2アクティブ領域のそれぞれにおいて、前記第1及び第2ダミーゲートに隣接する第1のソース/ドレイン領域をさらに有し、
前記ソース/ドレイン領域は、圧縮応力または引張応力を誘発する物質を含むエピタキシャル領域であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 各々が上面と側面とを備え第1方向に整列される第1乃至第3フィンと、前記第1フィンと前記第2フィンとの間に延在する第1トレンチと、前記第2フィンと前記第3フィンとの間に延在する第2トレンチとを含む基板と、
前記第1トレンチ内に配置された第1フィールド絶縁膜と、
前記第2トレンチ内に配置された第2フィールド絶縁膜と、
前記第2フィンの側面の下部に沿って第1フィールド絶縁膜から第2フィールド絶縁膜に向かって第1方向に延在する第3フィールド絶縁膜と、
前記第1フィールド絶縁膜上に配置された第1ダミーゲートと、
前記第2フィールド絶縁膜上に少なくとも部分的に配置された第2ダミーゲートと、を有し、
前記第3フィールド絶縁膜は前記第2フィンの上面と側面の上部とを露出させ、
前記第2フィールド絶縁膜の下面は、前記第1フィールド絶縁膜の下面及び前記第3フィールド絶縁膜の下面よりも低いことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1フィールド絶縁膜の前記第1方向の幅は、前記第2フィールド絶縁膜の幅よりも小さいことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記第1ダミーゲートの少なくとも一側の上に配置された第1スペーサをさらに有し、
前記第1スペーサは前記第1フィンに重なるように前記第1フィン上に配置されることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。 - 前記第2ダミーゲートの少なくとも一側の上に配置された第2スペーサをさらに有し、
前記第2スペーサは前記第2フィンに重なるように前記第2フィン上に配置されることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。 - 前記第2ダミーゲートの少なくとも一側の上に配置された第2スペーサをさらに有し、
前記第2スペーサは前記第3フィンに重なるように前記第3フィン上に配置されることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。 - 各々が上面と側面とを備え第1方向に整列される第1乃至第3フィンと、前記第1フィンと前記第2フィンとの間に延在する第1トレンチと、前記第2フィンと前記第3フィンとの間に延在する第2トレンチとを含む基板と、
前記第1トレンチ内に配置された第1フィールド絶縁膜と、
前記第2トレンチ内に配置された第2フィールド絶縁膜と、
前記第2フィンの側面の下部に沿って第1フィールド絶縁膜から第2フィールド絶縁膜に向かって第1方向に延在する第3フィールド絶縁膜と、
前記第1フィールド絶縁膜上に配置された第1ダミーゲートと、
前記第2フィールド絶縁膜上に少なくとも部分的に配置された第2ダミーゲートと、を有し、
前記第3フィールド絶縁膜は前記第2フィンの上面と側面の上部とを露出させ、
前記第2フィールド絶縁膜の最下面は、前記第1フィールド絶縁膜の下面よりも低く、
前記第2フィールド絶縁膜の下面は、前記第1乃至第3フィンよりも低くなるように前記平面よりも低いことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1ダミーゲートの少なくとも一側の上に配置された第1スペーサと、
前記第2ダミーゲートの少なくとも一側の上に配置された第2スペーサと、
前記第2フィールド絶縁膜の上に少なくとも部分的に配置された第3ダミーゲートと、
前記第3ダミーゲートの少なくとも一側の上に配置された第3スペーサと、をさらに有し、
前記第1スペーサは前記第1フィンに重なるように前記第1フィン上に配置され、前記第2スペーサは前記第2フィンに重なるように前記第2フィン上に配置され、前記第3スペーサは前記第3フィンに重なるように前記第3フィン上に配置されることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。 - 前記第1フィールド絶縁膜は、前記第1方向と交差する第2方向に前記第3フィールド絶縁膜に架かり、
前記第2フィールド絶縁膜は、前記第2方向に前記第3フィールド絶縁膜に架かることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。 - 前記第1フィールド絶縁膜の下面は、前記第1乃至第3フィンが上方に突出する前記平面と同じ高さに位置することを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 各々が上面と側面とを備え第1方向に整列される第1乃至第3フィンと、前記第1フィンと前記第2フィンとの間に延在する第1トレンチと、前記第2フィンと前記第3フィンとの間に延在する第2トレンチとを含む基板と、
前記第1トレンチ内に配置された第1フィールド絶縁膜と、
前記第2トレンチ内に配置された第2フィールド絶縁膜と、
前記第2フィンの側面の下部に沿って第1フィールド絶縁膜から第2フィールド絶縁膜に向かって第1方向に延在する第3フィールド絶縁膜と、
各々が前記第1乃至第3フィンのそれぞれの上に配置された複数のゲートと、
前記第1フィールド絶縁膜上に配置された第1ダミーゲートと、
前記第2フィールド絶縁膜上に少なくとも部分的に配置された第2ダミーゲートと、
前記複数のゲートのそれぞれの間または前記複数のゲートの少なくとも一つと前記第1ダミーゲートとの間に介在するソース/ドレインと、を有し、
前記第3フィールド絶縁膜は前記第2フィンの上面と側面の上部とを露出させ、
前記第1フィールド絶縁膜、第2フィールド絶縁膜、及び第3フィールド絶縁膜は高さが異なり、前記第1フィールド絶縁膜の高さと前記第2フィールド絶縁膜の高さはそれぞれ前記第3フィールド絶縁膜の高さより高く、前記複数のゲートの少なくとも一つの下面はソース/ドレインの上面よりも低いことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1ダミーゲート及び前記第2ダミーゲートの少なくとも一方の下面は、前記ソース/ドレインの上面よりも低く、前記第1フィールド絶縁膜の幅は前記第2フィールド絶縁膜の幅と異なることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。
- 前記第1ダミーゲートの下面は、前記ソース/ドレインの上面と同一平面上にあることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。
- 前記第2ダミーゲートの下面の一部は、前記ソース/ドレインの上面と同一平面上にあり、前記第2ダミーゲートの下面の他の一部は、前記ソース/ドレインの上面より低いことを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。
- 前記第2フィールド絶縁膜の高さは前記第1フィールド絶縁膜の高さよりも高く、
前記第2フィールド絶縁膜上に少なくとも部分的に配置された第3ダミーゲートをさらに有することを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。 - 前記第2フィールド絶縁膜の高さは前記第1フィールド絶縁膜の高さよりも高く、
前記第1フィールド絶縁膜の垂直断面はT字形であることを特徴とする請求項18に記載の半導体装置。 - 前記第2フィールド絶縁膜の下面は、前記第1フィールド絶縁膜の下面及び前記第3フィールド絶縁膜の下面よりも低いことを特徴とする請求項19に記載の半導体装置。
- 第1方向に整列される第1乃至第3フィンと、前記第1フィンと前記第2フィンとの間に配置された第1トレンチと、前記第2フィンと前記第3フィンとの間に配置された第2トレンチとを含む基板と、
前記第1トレンチ内に配置された第1フィールド絶縁膜と、
前記第2トレンチ内に配置された第2フィールド絶縁膜と、
前記第1フィールド絶縁膜上に配置された第1ダミーゲートと、
前記第2フィールド絶縁膜上に少なくとも部分的に配置された第2ダミーゲートと、を有し、
前記第1フィールド絶縁膜の垂直断面はT字形であることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1フィールド絶縁膜は、前記第1フィン及び前記第2フィンの上部に突出する突出部を含むことを特徴とする請求項21に記載の半導体装置。
- 前記第1ダミーゲートの一側の上に配置された第1スペーサと、前記第1ダミーゲートの他側の上に配置された第2スペーサとをさらに有し、
前記第1スペーサと前記第2スペーサは前記突出部の上に配置されることを特徴とする請求項22に記載の半導体装置。 - 前記第1フィールド絶縁膜は、前記第1方向と交差する第2方向に延在し、前記第2フィールド絶縁膜は前記第2方向に延在し、
前記第2フィールド絶縁膜の下面は前記第1フィールド絶縁膜の下面より低いことを特徴とする請求項21に記載の半導体装置。
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