JP6231741B2 - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6231741B2 JP6231741B2 JP2012269778A JP2012269778A JP6231741B2 JP 6231741 B2 JP6231741 B2 JP 6231741B2 JP 2012269778 A JP2012269778 A JP 2012269778A JP 2012269778 A JP2012269778 A JP 2012269778A JP 6231741 B2 JP6231741 B2 JP 6231741B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- semiconductor layer
- forming
- pair
- charge storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/807—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
- H10F39/028—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 performed after manufacture of the image sensors, e.g. annealing, gettering of impurities, short-circuit elimination or recrystallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/199—Back-illuminated image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
- H10F39/8063—Microlenses
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012269778A JP6231741B2 (ja) | 2012-12-10 | 2012-12-10 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US14/099,449 US9231019B2 (en) | 2012-12-10 | 2013-12-06 | Solid-state image sensor and method of manufacturing the same |
| US14/939,215 US9704905B2 (en) | 2012-12-10 | 2015-11-12 | Solid-state image sensor and method of manufacturing the same |
| US15/606,233 US9887227B2 (en) | 2012-12-10 | 2017-05-26 | Solid-state image sensor and method of manufacturing the same |
| US15/838,537 US10038023B2 (en) | 2012-12-10 | 2017-12-12 | Solid-state image sensor and method of manufacturing the same |
| US16/014,068 US10325948B2 (en) | 2012-12-10 | 2018-06-21 | Solid-state image sensor and method of manufacturing the same |
| US16/399,053 US10763291B2 (en) | 2012-12-10 | 2019-04-30 | Solid-state image sensor and method of manufacturing the same |
| US16/941,711 US11276722B2 (en) | 2012-12-10 | 2020-07-29 | Solid-state image sensor and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012269778A JP6231741B2 (ja) | 2012-12-10 | 2012-12-10 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017201954A Division JP6506814B2 (ja) | 2017-10-18 | 2017-10-18 | 固体撮像装置およびカメラ |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014116472A JP2014116472A (ja) | 2014-06-26 |
| JP2014116472A5 JP2014116472A5 (enExample) | 2015-11-12 |
| JP6231741B2 true JP6231741B2 (ja) | 2017-11-15 |
Family
ID=50880567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012269778A Expired - Fee Related JP6231741B2 (ja) | 2012-12-10 | 2012-12-10 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (7) | US9231019B2 (enExample) |
| JP (1) | JP6231741B2 (enExample) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12142618B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-11-12 | SK Hynix Inc. | Image sensor including isolation region for removing photocharges |
Families Citing this family (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6231741B2 (ja) | 2012-12-10 | 2017-11-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP6264616B2 (ja) * | 2013-01-30 | 2018-01-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置及び固体撮像装置 |
| US10276620B2 (en) * | 2014-02-27 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor device and method for forming the same |
| JP6274567B2 (ja) | 2014-03-14 | 2018-02-07 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
| KR102286109B1 (ko) * | 2014-08-05 | 2021-08-04 | 삼성전자주식회사 | 이미지 픽셀, 이를 포함하는 이미지 센서, 및 이를 포함하는 이미지 처리 시스템 |
| US9799699B2 (en) * | 2014-09-24 | 2017-10-24 | Omnivision Technologies, Inc. | High near infrared sensitivity image sensor |
| CN104916655B (zh) * | 2015-06-29 | 2018-10-16 | 上海华力微电子有限公司 | 图像传感器及制备方法、减少电学互扰的方法 |
| KR102437162B1 (ko) * | 2015-10-12 | 2022-08-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| KR102481481B1 (ko) * | 2015-12-15 | 2022-12-26 | 삼성전자 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| TWI785618B (zh) * | 2016-01-27 | 2022-12-01 | 日商新力股份有限公司 | 固體攝像元件及電子機器 |
| JP6727831B2 (ja) * | 2016-02-09 | 2020-07-22 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、および、撮像システム |
| JP2017195342A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | 株式会社ニコン | 撮像素子および電子機器 |
| KR102687387B1 (ko) | 2016-04-25 | 2024-07-23 | 소니그룹주식회사 | 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법 및 전자 기기 |
| JP6804140B2 (ja) * | 2016-09-02 | 2020-12-23 | 東芝情報システム株式会社 | 固体撮像素子 |
| KR102597436B1 (ko) * | 2016-09-07 | 2023-11-03 | 주식회사 디비하이텍 | 후면 조사형 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| JP6833430B2 (ja) * | 2016-09-27 | 2021-02-24 | 東芝情報システム株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| JP6776079B2 (ja) * | 2016-09-27 | 2020-10-28 | 東芝情報システム株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| CN107302008B (zh) * | 2017-06-06 | 2020-01-10 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 增强近红外感光性能的背照式像素单元结构及形成方法 |
| JP7039205B2 (ja) * | 2017-07-27 | 2022-03-22 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び撮像装置 |
| JP7250427B2 (ja) * | 2018-02-09 | 2023-04-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、および移動体 |
| JP2019140219A (ja) * | 2018-02-09 | 2019-08-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US11756977B2 (en) * | 2018-06-21 | 2023-09-12 | Semiconductor Components Industries, Llc | Backside illumination image sensors |
| US10834354B2 (en) * | 2018-06-25 | 2020-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device, imaging system, movable object, and signal processing device |
| TWI842804B (zh) * | 2019-02-01 | 2024-05-21 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 受光元件、固體攝像裝置及測距裝置 |
| US11069740B2 (en) | 2019-02-28 | 2021-07-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensor grid and method of manufacturing same |
| JP7134911B2 (ja) * | 2019-04-22 | 2022-09-12 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子および撮像システム |
| TWI868145B (zh) * | 2019-05-31 | 2025-01-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 固體攝像裝置 |
| JP2021005655A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および機器 |
| CN110729320B (zh) * | 2019-10-18 | 2024-12-13 | 光微信息科技(合肥)有限公司 | 像素单元、包含该像素单元的tof图像传感器以及成像装置 |
| JP2021068788A (ja) * | 2019-10-21 | 2021-04-30 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、および撮像システム |
| KR102818280B1 (ko) * | 2019-12-13 | 2025-06-11 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| JP7071416B2 (ja) * | 2020-01-29 | 2022-05-18 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子および撮像システム |
| KR102856409B1 (ko) * | 2020-02-04 | 2025-09-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
| CN111294493A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-16 | Oppo广东移动通信有限公司 | 图像传感器、摄像头组件及移动终端 |
| JP7574003B2 (ja) | 2020-06-25 | 2024-10-28 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システムおよび移動体 |
| JP2020188267A (ja) * | 2020-07-14 | 2020-11-19 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| KR20220063830A (ko) * | 2020-11-10 | 2022-05-18 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| US11574950B2 (en) * | 2020-11-23 | 2023-02-07 | Applied Materials, Inc. | Method for fabrication of NIR CMOS image sensor |
| US11664399B2 (en) * | 2021-02-01 | 2023-05-30 | Visera Technologies Company Limited | Solid-state image sensor |
| JP2022120551A (ja) | 2021-02-05 | 2022-08-18 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システム、移動体 |
| JP2022131332A (ja) * | 2021-02-26 | 2022-09-07 | 国立大学法人静岡大学 | 半導体装置 |
| JP2022148841A (ja) * | 2021-03-24 | 2022-10-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
| US11336246B1 (en) | 2021-03-25 | 2022-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Amplifier circuit |
| JP2021103793A (ja) * | 2021-03-31 | 2021-07-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子及び電子機器 |
| JP2021101491A (ja) | 2021-03-31 | 2021-07-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置及び電子機器 |
| US12176376B2 (en) | 2021-04-09 | 2024-12-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor |
| JP2023065208A (ja) * | 2021-10-27 | 2023-05-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法 |
| JPWO2024014326A1 (enExample) * | 2022-07-14 | 2024-01-18 | ||
| US20240274636A1 (en) * | 2023-02-15 | 2024-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pixel sensor arrays and methods of formation |
| WO2025225733A1 (ja) * | 2024-04-26 | 2025-10-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置及び電子機器 |
Family Cites Families (71)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07221341A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-08-18 | Nikon Corp | 紫外線検出用シリコンアバランシェフォトダイオード |
| JP3511772B2 (ja) | 1995-12-21 | 2004-03-29 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、カメラ装置及びカメラシステム |
| JP2001250931A (ja) * | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Canon Inc | 固体撮像装置およびこれを用いた撮像システム |
| JP3582715B2 (ja) * | 2000-09-08 | 2004-10-27 | シャープ株式会社 | 回路内蔵受光素子の製造方法 |
| JP4500434B2 (ja) | 2000-11-28 | 2010-07-14 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム、並びに撮像方法 |
| JP4130307B2 (ja) | 2001-01-15 | 2008-08-06 | Necエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2002250860A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Canon Inc | 撮像素子、撮像装置及び情報処理装置 |
| JP3759435B2 (ja) | 2001-07-11 | 2006-03-22 | ソニー株式会社 | X−yアドレス型固体撮像素子 |
| JP4027113B2 (ja) | 2002-02-19 | 2007-12-26 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びシステム |
| US7742088B2 (en) | 2002-11-19 | 2010-06-22 | Fujifilm Corporation | Image sensor and digital camera |
| US6762473B1 (en) | 2003-06-25 | 2004-07-13 | Semicoa Semiconductors | Ultra thin back-illuminated photodiode array structures and fabrication methods |
| JP4046067B2 (ja) * | 2003-11-04 | 2008-02-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| JP4561265B2 (ja) | 2004-09-14 | 2010-10-13 | ソニー株式会社 | 裏面照射型固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP4691939B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2011-06-01 | ソニー株式会社 | 裏面照射型固体撮像素子の製造方法 |
| JP2006278620A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US7573520B2 (en) | 2005-05-17 | 2009-08-11 | Fujifilm Corp. | Solid state imaging apparatus and a driving method of the solid state imaging apparatus |
| KR100718781B1 (ko) | 2005-06-15 | 2007-05-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 콤팩트 픽셀 레이아웃을 갖는 cmos 이미지 센서 |
| US7522341B2 (en) | 2005-07-12 | 2009-04-21 | Micron Technology, Inc. | Sharing of microlenses among pixels in image sensors |
| US7812299B2 (en) * | 2005-07-22 | 2010-10-12 | Nikon Corporation | Image sensor having two-dimensionally arrayed pixels, focus detecting device using the sensor, and imaging system including the sensor |
| WO2007015420A1 (ja) | 2005-08-03 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像装置 |
| JP4326513B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2009-09-09 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4992446B2 (ja) | 2006-02-24 | 2012-08-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ |
| US7576371B1 (en) * | 2006-03-03 | 2009-08-18 | Array Optronix, Inc. | Structures and methods to improve the crosstalk between adjacent pixels of back-illuminated photodiode arrays |
| JP5076528B2 (ja) * | 2007-02-06 | 2012-11-21 | 株式会社ニコン | 光電変換部の連結/分離構造、固体撮像素子及び撮像装置 |
| JP2008270298A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Nikon Corp | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
| TWI479887B (zh) * | 2007-05-24 | 2015-04-01 | 新力股份有限公司 | 背向照明固態成像裝置及照相機 |
| TW200913238A (en) | 2007-06-04 | 2009-03-16 | Sony Corp | Optical member, solid state imaging apparatus, and manufacturing method |
| JP5171158B2 (ja) | 2007-08-22 | 2013-03-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置及び距離画像測定装置 |
| JP2009111118A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Fujifilm Corp | 裏面照射型固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP5422889B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2014-02-19 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
| US8101978B2 (en) | 2008-02-08 | 2012-01-24 | Omnivision Technologies, Inc. | Circuit and photo sensor overlap for backside illumination image sensor |
| JP5262180B2 (ja) | 2008-02-26 | 2013-08-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP5314914B2 (ja) | 2008-04-04 | 2013-10-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、設計方法、及び光電変換装置の製造方法 |
| JP5213501B2 (ja) | 2008-04-09 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5283965B2 (ja) | 2008-05-09 | 2013-09-04 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム |
| JP5279352B2 (ja) | 2008-06-06 | 2013-09-04 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| US8400537B2 (en) | 2008-11-13 | 2013-03-19 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensors having gratings for color separation |
| JP5472584B2 (ja) | 2008-11-21 | 2014-04-16 | ソニー株式会社 | 撮像装置 |
| US7952096B2 (en) | 2008-12-08 | 2011-05-31 | Omnivision Technologies, Inc. | CMOS image sensor with improved backside surface treatment |
| JP2010161236A (ja) | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Canon Inc | 光電変換装置の製造方法 |
| JP2010206178A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Canon Inc | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 |
| JP2010206181A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Canon Inc | 光電変換装置及び撮像システム |
| JP2010192483A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Panasonic Corp | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
| JP5558857B2 (ja) | 2009-03-09 | 2014-07-23 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびそれを用いた撮像システム |
| JP5326793B2 (ja) | 2009-05-14 | 2013-10-30 | ソニー株式会社 | 静脈撮像装置、静脈画像補間方法およびプログラム |
| JP2011054911A (ja) | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
| JP2011059337A (ja) | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | 撮像装置 |
| WO2011042981A1 (ja) | 2009-10-09 | 2011-04-14 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP5564909B2 (ja) | 2009-11-30 | 2014-08-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
| KR20110085768A (ko) | 2010-01-21 | 2011-07-27 | 삼성전자주식회사 | Cmos 이미지 센서, 상기 이미지 센서의 데이터 리드아웃 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 전자 시스템 |
| JP5537172B2 (ja) | 2010-01-28 | 2014-07-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
| JP2011176715A (ja) | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Nikon Corp | 裏面照射型撮像素子および撮像装置 |
| JP2011199037A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Toshiba Corp | 固体撮像装置、及びその製造方法 |
| JP5505709B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-05-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
| JP5644177B2 (ja) | 2010-05-07 | 2014-12-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
| JP2012028459A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Sony Corp | 半導体装置、固体撮像装置、半導体装置の製造方法、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
| JP5682174B2 (ja) * | 2010-08-09 | 2015-03-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器 |
| JP5513623B2 (ja) | 2010-08-24 | 2014-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2012156310A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Sony Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、および電子機器 |
| KR20120110377A (ko) * | 2011-03-29 | 2012-10-10 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| JP5743837B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2015-07-01 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像装置および撮像システム |
| TWI467751B (zh) * | 2011-12-12 | 2015-01-01 | Sony Corp | A solid-state imaging device, a driving method of a solid-state imaging device, and an electronic device |
| JP6124502B2 (ja) | 2012-02-29 | 2017-05-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP6053347B2 (ja) | 2012-06-25 | 2016-12-27 | キヤノン株式会社 | 撮像装置およびその制御方法ならびにプログラム |
| US8933527B2 (en) * | 2012-07-31 | 2015-01-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Elevated photodiodes with crosstalk isolation |
| JP2015228388A (ja) * | 2012-09-25 | 2015-12-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、電子機器 |
| JP6119184B2 (ja) * | 2012-10-19 | 2017-04-26 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子、撮像装置および固体撮像素子の製造方法 |
| JP6231741B2 (ja) * | 2012-12-10 | 2017-11-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| KR102083402B1 (ko) * | 2013-02-25 | 2020-03-02 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 형성 방법 |
| JP2015065270A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
| JP6305028B2 (ja) * | 2013-11-22 | 2018-04-04 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法および光電変換装置 |
-
2012
- 2012-12-10 JP JP2012269778A patent/JP6231741B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-12-06 US US14/099,449 patent/US9231019B2/en active Active
-
2015
- 2015-11-12 US US14/939,215 patent/US9704905B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-05-26 US US15/606,233 patent/US9887227B2/en active Active
- 2017-12-12 US US15/838,537 patent/US10038023B2/en active Active
-
2018
- 2018-06-21 US US16/014,068 patent/US10325948B2/en active Active
-
2019
- 2019-04-30 US US16/399,053 patent/US10763291B2/en active Active
-
2020
- 2020-07-29 US US16/941,711 patent/US11276722B2/en active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12142618B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-11-12 | SK Hynix Inc. | Image sensor including isolation region for removing photocharges |
| KR102791695B1 (ko) * | 2020-04-29 | 2025-04-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9231019B2 (en) | 2016-01-05 |
| US10038023B2 (en) | 2018-07-31 |
| US9887227B2 (en) | 2018-02-06 |
| US10763291B2 (en) | 2020-09-01 |
| US20200357832A1 (en) | 2020-11-12 |
| US20190259788A1 (en) | 2019-08-22 |
| US11276722B2 (en) | 2022-03-15 |
| US20170263658A1 (en) | 2017-09-14 |
| US10325948B2 (en) | 2019-06-18 |
| US20140160335A1 (en) | 2014-06-12 |
| US9704905B2 (en) | 2017-07-11 |
| JP2014116472A (ja) | 2014-06-26 |
| US20160064432A1 (en) | 2016-03-03 |
| US20180102384A1 (en) | 2018-04-12 |
| US20180301483A1 (en) | 2018-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6231741B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| CN103681705B (zh) | 固体拍摄装置的制造方法及固体拍摄装置 | |
| US20100207231A1 (en) | Solid-state image device and method of manufacturing the same | |
| JP2016136584A (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 | |
| CN104217987A (zh) | 隔离结构及其形成方法、包括其的图像传感器及制造方法 | |
| CN105405856A (zh) | 固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备 | |
| TW201119024A (en) | Aligning elements in back-illuminated image sensors | |
| JP6744943B2 (ja) | 固体撮像装置およびカメラ | |
| JP2015220258A (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
| JP2005072236A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| KR20190124963A (ko) | 후면 조사형 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| JP6346488B2 (ja) | 半導体装置、固体撮像装置、それらの製造方法およびカメラ | |
| JP4479729B2 (ja) | 固体撮像装置、電子モジュール及び電子機器 | |
| JP2009065155A (ja) | イメージセンサー | |
| JP6506814B2 (ja) | 固体撮像装置およびカメラ | |
| JP2009065156A (ja) | イメージセンサーの製造方法 | |
| TW201212216A (en) | Manufacturing method for solid-state image pickup device, solid-state image pickup device and image pickup apparatus | |
| JP7015350B2 (ja) | 固体撮像装置およびカメラ | |
| US8629482B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2009194269A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| US9520436B2 (en) | Solid-state imaging device and manufacturing method thereof | |
| US9818789B2 (en) | Solid-state imaging device and manufacturing method thereof | |
| JP2017143159A (ja) | 撮像装置、及びその製造方法 | |
| JP2010171042A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2015056518A (ja) | 裏面照射型cmos撮像素子、裏面照射型cmos撮像素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150929 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150929 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160708 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160719 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160915 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170224 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170411 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170922 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171020 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6231741 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |