JP2021068788A - 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、および撮像システム - Google Patents
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Abstract
Description
前記第1の画素に配された第1の光電変換部および第2の光電変換部の間に、前記第1の面から第1のトレンチを形成する工程と、前記第1の画素および前記第2の画素の間において、前記第2の面から第2のトレンチを形成する工程とを備え、前記第1のトレンチの前記第2の面の側の端は、前記第2のトレンチの前記第1の面の側の端よりも前記第2の面の側に位置し、前記第1のトレンチは、前記第1の光電変換部および前記第2の光電変換部が並ぶ方向に沿った断面において第1の幅の部分および第2の幅の部分を有し、前記第1の幅は前記第2の幅よりも狭く、前記第1の幅の前記部分は前記第2の幅の前記部分よりも前記第2の面に近いことを特徴とする、光電変換装置の製造方法が提供される。
図1は本実施形態における光電変換装置のブロック図である。光電変換装置は、いわゆる裏面照射型の固体撮像装置であって、互いに積層された光電変換基板(半導体基板)1および回路素子基板(他の半導体基板)2を備える。
図10は本実施形態における光電変換装置の断面図である。以下、第1実施形態における光電変換装置と異なる構成を中心に説明する。
図11は本実施形態における光電変換装置の平面図であって、画素10の一部を示している。以下、第1実施形態における光電変換装置と異なる構成を中心に説明する。
続いて、本実施形態における光電変換装置を説明する。図13は、本実施形態における光電変換装置の平面図であって、画素10の一部を示している。また、図14は本実施形態における光電変換装置の断面図であって、図13のC−C’に沿った断面図である。以下、第1実施形態と異なる構成を中心に説明する。
続いて、本実施形態における光電変換装置を説明する。図15は、本実施形態における光電変換装置の断面図であって、図13のC−C’に沿った断面図である。以下、第4実施形態と異なる構成を中心に説明する。
本発明の第6実施形態における撮像システムについて、図16を用いて説明する。図16は、本実施形態における撮像システムのブロック図である。
図17(a)、図17(b)は、本実施形態における車載カメラに関する撮像システムのブロック図である。撮像システム8は、上述した実施形態の光電変換装置を用いた撮像装置80を有する。撮像システム8は、撮像装置80により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う画像処理部801と、撮像システム8より取得された複数の画像データから視差(視差画像の位相差)の算出を行う視差算出部802を有する。また、撮像システム8は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する距離計測部803と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する衝突判定部804とを有する。ここで、視差算出部802、距離計測部803は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部804はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。また、FPGA(Field Programmable Gate Array)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。
本発明は、上述の実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。
2 回路素子基板
10 画素
100、200 基板
101a、101b 電荷蓄積領域
110 分離構造
111 第1のトレンチ
312 第2のトレンチ
PD1、PD2 光電変換部
T11g、T12g ゲート電極
Claims (20)
- 第1の画素および第2の画素を有する光電変換装置であって、
第1の面、および前記第1の面とは反対側に配されるとともに光が入射される第2の面を有するとともに、前記第1の面と前記第2の面との間に複数の光電変換部が配された半導体基板を備え、
前記半導体基板は、
前記第1の画素の第1の光電変換部および第2の光電変換部の間において、前記第1の面から延在する第1のトレンチと、
前記第1の画素および前記第2の画素の間において、前記第2の面から延在する第2のトレンチと、を有し、
前記第1のトレンチの前記第2の面の側の端は、前記第2のトレンチの前記第1の面の側の端よりも前記第2の面の側に位置し、
前記第1のトレンチは、前記第1の光電変換部および前記第2の光電変換部が並ぶ方向に沿った断面において第1の幅の部分および第2の幅の部分を有し、前記第1の幅は前記第2の幅よりも狭く、前記第1の幅の前記部分は前記第2の幅の前記部分よりも前記第2の面に近いことを特徴とする光電変換装置。 - 第1の画素および第2の画素を有する光電変換装置であって、
第1の面、および前記第1の面とは反対側に配されるとともに光が入射される第2の面を有するとともに、前記第1の面と前記第2の面との間に複数の光電変換部が配された半導体基板を備え、
前記半導体基板は、
前記第1の画素の第1の光電変換部および第2の光電変換部の間において、前記第1の面から延在する第1のトレンチと、
前記第1の画素および前記第2の画素の間において、前記第2の面から延在する第2のトレンチと、を有し、
前記第1のトレンチの前記第2の面の側の端は、前記第2のトレンチの前記第1の面の側の端よりも前記第2の面の側に位置し、
前記第1のトレンチは前記第2の面に達していないことを特徴とする光電変換装置。 - 前記第1のトレンチは、前記第1の光電変換部および前記第2の光電変換部が並ぶ方向に沿った断面において第1の幅の部分および第2の幅の部分を有し、前記第1の幅は前記第2の幅よりも狭く、前記第1の幅の前記部分は前記第2の幅の前記部分よりも前記第2の面に近いことを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
- 前記第1のトレンチの前記方向に沿った断面における幅は、前記第1の面の側から前記第1のトレンチの前記端の側に向かって次第に狭くなることを特徴とする請求項1または3に記載の光電変換装置。
- 前記第1のトレンチは前記第2の面に達していることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記第2のトレンチは前記第1の面に達していないことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第1の面において、前記第1の画素および前記第2の画素の間と、前記第1の光電変換部および前記第2の光電変換部の間とのそれぞれには絶縁分離構造が形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第1の面における前記第1のトレンチを囲むように前記絶縁分離構造が形成され、
前記絶縁分離構造の前記第1の面からの深さは、前記第1のトレンチの前記第1の面からの深さよりも浅いことを特徴とする請求項7に記載の光電変換装置。 - 平面視において、前記第2のトレンチは前記絶縁分離構造に対応する位置に配され、
前記第2のトレンチは前記絶縁分離構造から離間していることを特徴とする請求項7または8に記載の光電変換装置。 - 前記第1の光電変換部の電荷を転送する第1のゲート電極と、前記第2の光電変換部の電荷を転送する第2のゲート電極とをさらに備え、
前記第1の光電変換部および前記第2の光電変換部の間に形成された前記絶縁分離構造は、平面視において、前記第1のゲート電極および前記第2のゲート電極に重ならないように配されることを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1の光電変換部および前記第2の光電変換部の間に形成された前記絶縁分離構造の少なくとも一部は、平面視において、前記第1のゲート電極および前記第2のゲート電極の間に配されていることを特徴とする請求項10に記載の光電変換装置。
- 前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極との間隔は、前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部との間隔よりも狭く、
前記第1の光電変換部および前記第2の光電変換部の間に形成された前記絶縁分離構造は、平面視において、前記第1のゲート電極および前記第2のゲート電極の間に配されていないことを特徴とする請求項10に記載の光電変換装置。 - 前記半導体基板の前記第1の面の側に積層された他の半導体基板を備えることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第1の光電変換部および前記第2の光電変換部に対応して1つのマイクロレンズが前記半導体基板の前記第2の面の側に形成されることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記半導体基板の厚さが3.0〜5.0μmであり、
平面視において前記第1の光電変換部および前記第2の光電変換部が並ぶ方向における前記第1のトレンチの幅は0.1μm〜0.3μm、深さは1.0〜3.0μmであって、前記第2のトレンチの前記方向の幅は0.1μm〜0.5μm、深さは1.0〜3.0μmであることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 第1の面、および前記第1の面とは反対側に配されるとともに光が入射される第2の面を備える半導体基板を含む光電変換装置の製造方法であって、
前記第1の面において、第1の画素および第2の画素を形成する工程と、
前記第1の画素に配された第1の光電変換部および第2の光電変換部の間に、前記第1の面から第1のトレンチを形成する工程と、
前記第1の画素および前記第2の画素の間において、前記第2の面から第2のトレンチを形成する工程とを備え、
前記第1のトレンチの前記第2の面の側の端は、前記第2のトレンチの前記第1の面の側の端よりも前記第2の面の側に位置し、
前記第1のトレンチは、前記第1の光電変換部および前記第2の光電変換部が並ぶ方向に沿った断面において第1の幅の部分および第2の幅の部分を有し、前記第1の幅は前記第2の幅よりも狭く、前記第1の幅の前記部分は前記第2の幅の前記部分よりも前記第2の面に近いことを特徴とする、光電変換装置の製造方法。 - 前記第1のトレンチを形成する工程の後であって、前記第2のトレンチを形成する工程の前に、他の半導体基板を前記半導体基板の前記第1の面に積層する工程をさらに備えることを特徴とする請求項16に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記第1のトレンチを形成する工程の後であって、前記第2のトレンチを形成する工程の前に、前記第2の面の側から前記半導体基板を薄膜化することにより、前記第1のトレンチを前記第2の面において露出させる工程をさらに備えることを特徴とする、請求項16または17に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記第1のトレンチを形成する工程は、前記第1のトレンチの内壁にポリマーを成膜する工程と前記第1のトレンチの前記端をエッチングする工程とを繰り返すことにより、前記第1のトレンチの前記端をテーパ状に形成することを特徴とする請求項16乃至18のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 請求項1乃至19のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力された画像信号を処理する信号処理部とを備えたことを特徴とする撮像システム。
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