JP2014116472A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固体撮像装置の製造方法は、第1面および第2面を有する半導体層の中に前記第1面を通してイオンを注入することによって前記半導体層の中に第1導電型の第1分離領域を形成する工程と、前記半導体層の中に前記第1面を通してイオンを注入することによって前記半導体層の中に第2導電型の複数の電荷蓄積領域を形成する工程と、前記半導体層の中に前記第2面を通してイオンを注入することによって前記半導体層の中に第1導電型の第2分離領域を形成する工程と、を含み、前記第1分離領域および前記第2分離領域は、前記複数の電荷蓄積領域における電荷蓄積領域と電荷蓄積領域との間に配置される。
【選択図】図1
Description
Claims (15)
- 第1面および第2面を有する半導体層の中に前記第1面を通してイオンを注入することによって前記半導体層の中に第1導電型の第1分離領域を形成する工程と、
前記半導体層の中に前記第1面を通してイオンを注入することによって前記半導体層の中に第2導電型の複数の電荷蓄積領域を形成する工程と、
前記半導体層の中に前記第2面を通してイオンを注入することによって前記半導体層の中に第1導電型の第2分離領域を形成する工程と、を含み、
前記第1分離領域および前記第2分離領域は、前記複数の電荷蓄積領域における電荷蓄積領域と電荷蓄積領域との間に配置される、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1分離領域を形成する工程および前記複数の電荷蓄積領域の形成する工程は、前記半導体層となるべき領域を含む基板に対して実施され、
前記第2分離領域を形成する工程は、前記第1分離領域を形成する工程および前記複数の電荷蓄積領域の形成する工程を経た前記基板を薄化した後に実施される、
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1分離領域を形成する工程の後に実施される第1アニール工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1アニール工程は、前記第1分離領域を形成する工程の後であって、前記第2分離領域を形成する工程の前に実施される、
ことを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第2分離領域を形成する工程の後に実施される第2アニール工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第2分離領域を形成する工程において前記第2分離領域を形成するためのイオン注入の回数は、前記第1分離領域を形成する工程において前記第1分離領域を形成するためのイオン注入の回数よりも少ない、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1分離領域を形成する工程におけるもっとも高いイオン注入エネルギーは、前記第2分離領域を形成する工程におけるもっとも高いイオン注入エネルギーよりも高い、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記第1分離領域の前記半導体層の深さ方向の寸法は、前記第2分離領域の前記深さ方向の寸法よりも大きい、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記半導体層の前記第2面の側に複数のマイクロレンズを形成する工程を更に含み、
前記複数のマイクロレンズは、2つの前記電荷蓄積領域からなる電荷蓄積領域ペアに対して1つの前記マイクロレンズが割り当てられるように配置され、
前記電荷蓄積領域ペアを構成する2つの前記電荷蓄積領域の間に配置される前記第1分離領域および前記第2分離領域によって形成されるポテンシャルバリアは、前記電荷蓄積領域ペアと他の前記電荷蓄積領域ペアとの間に配置される前記第1分離領域および前記第2分離領域によって形成されるポテンシャルバリアよりも低い、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 複数の電荷蓄積領域と、
2つの前記電荷蓄積領域からなる電荷蓄積領域ペアに対して1つのマイクロレンズが割り当てられるように配置された複数のマイクロレンズと、
前記電荷蓄積領域ペアを構成する2つの前記電荷蓄積領域の間に配置されていて、ポテンシャルバリアを形成するペア内分離部と、
前記電荷蓄積領域ペアと他の前記電荷蓄積領域ペアとの間に配置されていて、ポテンシャルバリアを形成するペア間分離部と、を含み、
前記ペア内分離部によって形成されるポテンシャルバリアは、前記ペア間分離部によって形成されるポテンシャルバリアより低い、
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記ペア内分離部は、第1段数の不純物半導体領域で構成され、前記ペア間分離部は、第2段数の不純物半導体領域で構成され、前記第1段数は、前記第2段数より小さい、
ことを特徴とする請求項10に記載の固体撮像装置。 - 前記ペア内分離部の不純物濃度は、前記ペア間分離部の不純物濃度よりも低い、
ことを特徴とする請求項10又は11に記載の固体撮像装置。 - 前記ペア内分離部の幅は、前記ペア間分離部の幅よりも小さい、
ことを特徴とする請求項10乃至12のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 第1面および第2面を有する半導体層と、
前記半導体層の中に配置された複数の電荷蓄積領域と、
前記複数の電荷蓄積領域を相互に分離するように前記半導体層の中に配置された分離部と、を備え、
前記分離部は、接続面で相互に接続された第1分離領域および第2分離領域を含み、
ここで、
前記第1分離領域は、前記第1面と前記接続面との間に、前記接続面に接触するように配置され、前記第1分離領域の前記接続面の側の幅は、前記第1分離領域の前記第1面の側の部分の幅よりも大きく、および/または、
前記第2分離領域は、前記第2面と前記接続面との間に、前記接続面に接触するように配置され、前記第2分離領域の前記接続面の側の幅は、前記第2分離領域の前記第2面の側の部分の幅よりも大きい、
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項10乃至14のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
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