JP6804140B2 - 固体撮像素子 - Google Patents

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この発明は、CMOSイメージセンサなどによって構成される固体撮像素子に関するものであり、更に詳しくは、位相差検出方式によるAF(オートフォーカス)処理のための機構を備える固体撮像素子に関するものである。
従来のAF処理のための機構を備える固体撮像素子としては、特許文献1に記載されてるものが知られている。この固体撮像素子は、半導体基板上に形成され、入射光を光電変換する光電変換部と、光電変換部の上層に形成され、入射光を光電変換部に導く導波路と、導波路の開口付近に形成され、導波路に入射する入射光の一部を遮光する遮光部とを有する位相差検出画素を備える。これによって、加工容易性とともに、測距精度を高めることができるものである。
また、特許文献2には、遮光部を薄化することなく、受光感度を向上させることができる固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法が開示されている。この特許文献2の発明の固体撮像素子は、半導体層と、遮光部とを備える。半導体層は、複数の光電変換素子が2次元アレイ状に配列される。遮光部は、半導体層の内部に設けられ、半導体層との界面が絶縁膜によって被覆される遮光部材を有する。さらに、遮光部は、遮光領域と、素子分離領域とを備える。遮光領域は、半導体層の内部における光電変換素子の受光面側に設けられて光電変換素子へ特定の方向から入射する光を遮断する。素子分離領域は、遮光領域から複数の光電変換素子の間へ向け、半導体層の深さ方向へ凸設されて複数の光電変換素子を電気的光学的に素子分離するものである。
更に、特許文献3の発明は、シリコン基板23の、位相差検出画素40L,40Rそれぞれのフォトダイオード24の間(素子分離領域)に、トレンチ71が形成されている。さらに、位相差検出画素40Lと隣接する撮像画素それぞれのフォトダイオード24の間、および、位相差検出画素40Lと隣接する撮像画素それぞれのフォトダイオード24の間には、トレンチ72が形成されている。
上記特許文献3の発明の構造によれば、トレンチ71により、隣接する位相差検出画素40L,40R同士の間の混色を抑えることができ、トレンチ72により、位相差検出画素40L,40Rそれぞれと、隣接する撮像画素20との間の混色を抑えることができる。
特開2015−15296号公報 特開2015−32640号公報 特開2015−60855号公報
更に、図1と図2に示されるように、1つのマイクロレンズ101と、上記1つのマイクロレンズ101の背後に配置された第1の画素102Lと第2の画素102Rを1組含む画素ペア102で構成する像面位相差画素と、を備える固体撮像素子が知られている。この固体撮像素子は、マイクロレンズ101及び画素ペア102が、平面において縦方向と横方向に複数隣接して配置された構成を有する。
上記の固体撮像素子では、各画素ペア102において第1の画素102L、第2の画素102Rが隣接する間の領域Cと、第1の画素102L、第2の画素102Rの底部及び側面部に、素子分離領域部103が設けられている。また、素子分離領域部103の上部には、遮光膜104が配置される。
上記のような固体撮像素子において、図2に示されるように、1つのマイクロレンズ101における中央部の上方から到来する光lは、領域Cの上部に配置された遮光膜104により遮断される。この結果、この固体撮像素子においては、感度の低下が生じるという問題がある。
上記に対し、図3、図4に示すように、図1及び図2に示す構成の固体撮像素子において、領域Cの上部に配置された遮光膜104を除去した構成とした固体撮像素子を考える。図3及び図4は、画素ペア102が、平面において縦方向に隣接する2ペアを示す。
上記の構成では、縦方向に隣接する2ペアにおいて、一方の素子分離領域部103へ入射した光lによって図4に示されるように電子eが生成される。この電子eが隣接する他方の画素ペア102に到達し、クロストーク(混色)が生じるという問題がある。
更に、クロストーク(混色)を改善するために、図1及び図2に示す構成の固体撮像素子において、平面の縦方向に隣接する画素ペア102における隣接位置のみ、素子分離領域部の上部に配置された遮光膜104Wの幅を広く構成することが考えられている(図5、図6)。
この構成の固体撮像素子によれば、幅広の遮光膜104Wの上部から入射した光lは、遮光膜104Wによって遮断され、第1の画素102L(第2の画素102R)へ到達できないため、感度が低下するという問題がある。
本発明はこのような固体撮像素子が有する問題を解決せんとしてなされたもので、その目的は、縦方向に隣接する画素ペア間におけるクロストーク(混色)や1つのマイクロレンズの背後に配置された像面位相差画素における感度の低下を、低減させることが可能な固体撮像素子を提供することである。
本発明に係る固体撮像素子は、1つのマイクロレンズと、前記1つのマイクロレンズの背後に配置された第1の画素と第2の画素を1組含んで構成される画素ペアである像面位相差画素とが、平面において縦方向と横方向に複数隣接し配置された固体撮像素子において、平面の前記画素ペア周縁部を囲繞するように配置された周縁部遮光膜と、前記周縁部遮光膜により囲繞された領域を直線状で帯状の領域で二分する素子分離領域部であって、前記画素ペアにおける前記第1の画素と前記第2の画素が前記直線状で帯状の領域を介して隣接する状態とする素子分離領域部と、前記周縁部遮光膜と前記素子分離領域部とが平面で交差する部位であって前記直線状で帯状の領域の両端部のそれぞれから前記素子分離領域部の中央部へ向かって前記素子分離領域部を所定の長さで覆うように突出され、前記素子分離領域部に覆われない領域を残して配置された突出遮光膜と、を有し、前記所定の長さが、隣接する一方の画素ペアのマイクロレンズから入射した光によって素子分離領域部において生成される電子が隣接する他方の画素ペアに到達しないように、入射する光を遮断できる長さとされていることを特徴とする。
本発明に係る固体撮像素子では、前記周縁部遮光膜と前記突出遮光膜とは一体に形成されていることを特徴とする。
本発明に係る固体撮像素子では、前記周縁部遮光膜は、平面においていずれの位置においても同一幅で形成されていることを特徴とする。
本発明に係る固体撮像素子では、各画素ペアにおいて、前記1つのマイクロレンズと1組の前記第1の画素と前記第2の画素との間に、1つのカラーフィルタが介装されていることを特徴とする。
本発明に係る固体撮像素子では、各画素ペアのカラーフィルタの色は、全画素ペアについてベイヤー配列とされていることを特徴とする。
本発明の固体撮像素子は、1つのマイクロレンズと、前記1つのマイクロレンズの背後に配置された第1の画素と第2の画素を1組含んで構成される画素ペアである像面位相差画素が、平面において縦方向と横方向に複数隣接し配置された固体撮像素子において、平面の前記画素ペア周縁部を囲繞するように配置された周縁部遮光膜と、各画素ペアにおいて前記第1の画素と前記第2の画素が隣接する領域に設けられた素子分離領域部と、各画素ペアにおいて前記周縁部遮光膜と前記素子分離領域部とが平面で交差する部位から前記素子分離領域部の中央部へ向かって突出されて配置された突出遮光膜とを有するので、縦方向に隣接する画素ペア間におけるクロストーク(混色)や1つのマイクロレンズの背後に配置された1組の第1の画素と第2の画素における感度の低下を、低減させることが可能である。
第1の従来例に係る固体撮像素子の平面図。 図1のI−I断面図。 第2の従来例に係る固体撮像素子の平面図。 図3のII−II断面図。 第3の従来例に係る固体撮像素子の平面図。 図5のIII−III断面図。 本発明に係る固体撮像素子の実施形態の平面図。 図7のA−A断面図。 図7のB−B断面図。 本発明に係る固体撮像素子の実施形態のカラーフィルタの配列を示す平面図。 本発明に係る固体撮像素子の実施形態の遮光膜のみの平面図。
以下添付図面を参照して、本発明に係る固体撮像素子の実施形態を説明する。各図において同一の構成要素には同一の符号を付して重複する説明を省略する。図7に、本発明に係る固体撮像素子の実施形態の平面図を示し、図8にA−A断面図を示し、図9にB−B断面図を示す。本実施形態に係る固体撮像素子は、CMOSイメージセンサなどによって構成され、1つのマイクロレンズ11と、上記1つのマイクロレンズ11の背後に配置された第1の画素(フォトダイオード)12Lと第2の画素(フォトダイオード)12Rを1組含んで構成される画素ペア12である像面位相差画素とが、平面において縦方向と横方向に複数隣接して配置されている。図7においては、縦方向に隣接する2つの画素ペア12を示している。全ての画素ペア12の第1の画素12L、第2の画素12Rは、例えば、撮像処理前のAF処理の際には像面位相差画素として用いられ、撮像処理の際には同じく全ての画素ペア12の第1の画素12L、第2の画素12Rが撮像素子として用いられる。
1組の第1の画素12L、第2の画素12Rは、それぞれ、その底部と側壁部に素子分離領域部13が設けられている。1組の第1の画素12L、第2の画素12Rの上面と素子分離領域部13の上面は同じ高さとされている。
1つのマイクロレンズ11と1組の第1の画素12L、第2の画素12Rとの間には、平坦化層14が設けられている。平坦化層14内の上側の位置には、1組の第1の画素12L、第2の画素12Rの表面領域を覆う大きさのカラーフィルタ15が介装されている。即ち、上記1つのマイクロレンズ11と上記1組の第1の画素12L、第2の画素12Rとの間に、1つのカラーフィルタが介装されている
各画素ペア12のカラーフィルタ15の色は、全画素ペアについて図10に示すようにベイヤー配列とすることができる。図10において、Rは赤色を透過させるカラーフィルタを示し、Gは緑色を透過させるカラーフィルタを示し、Bは青色を透過させるカラーフィルタを示す。ベイヤー配列は一例に過ぎない。
平面の上記画素ペア12の周縁部を囲繞するように周縁部遮光膜16が配置されている。この周縁部遮光膜16は、遮光膜のみの平面図である図11に示すように、いずれの位置においても同一幅に形成されている。
各画素ペア12において上記周縁部遮光膜16と上記素子分離領域部13とが平面で交差する部位X(図7)から上記素子分離領域部13の中央部へ向かって突出遮光膜17が突出されて配置されている。周縁部遮光膜16と突出遮光膜17により構成される遮光膜のみの平面である図11から明らかなように、上記周縁部遮光膜16と上記突出遮光膜17とは一体に形成されている。上記突出遮光膜17の突出した方向の寸法は、隣接する画素ペア12において生じるクロストークを防止できる長さとされている。
即ち、隣接する一方の画素ペア12のマイクロレンズ11から入射した光によって素子分離領域部13で電子eが生成されるが、この電子eが隣接する他方の画素ペア12に到達しないように、入射する光を遮断できる長さに上記突出遮光膜17が突出していれば良い。これ以上中心に近い位置までの長さであると、感度の低下を来すので、上記の寸法とすると好適である。
また、上記周縁部遮光膜16が画素ペア12の周縁を囲繞しているため、隣接する画素ペア12ではそれぞれにおいて、マイクロレンズ11から周縁部遮光膜16へ向かって入射した光を遮断することができる。
以上のように構成された本実施形態に係る固体撮像素子では、縦方向に隣接する2ペアの画素ペア12において、図8に示すように、一方の画素ペア12のマイクロレンズ11から素子分離領域部13へ向かって光lが入射したとしても、突出遮光膜17によってそれ以上の侵入が遮断される。即ち、図4に示されるように電子eが生成されることがなく、クロストーク(混色)を抑制することができる。
また、隣接する画素ペア12の隣接部付近において、上記の画素ペア12のマイクロレンズ11から入射した光lは、遮断されることなく、第1の画素12L(第2の画素12R)へと進むことができる。即ち、図6に示されるように入射した光lが周縁部遮光膜16によって遮断されることがない。このため、上記のような光lが第1の画素12L(第2の画素12R)へ到達できないことを原因とする感度低下を抑制することができる。
11 マイクロレンズ
12 画素ペア
12L 第1の画素
12R 第2の画素
13 素子分離領域部
14 平坦化層
15 カラーフィルタ
16 周縁部遮光膜
17 突出遮光膜

Claims (5)

  1. 1つのマイクロレンズと、前記1つのマイクロレンズの背後に配置された第1の画素と第2の画素を1組含んで構成される画素ペアである像面位相差画素とが、平面において縦方向と横方向に複数隣接し配置された固体撮像素子において、
    平面の前記画素ペア周縁部を囲繞するように配置された周縁部遮光膜と、
    前記周縁部遮光膜により囲繞された領域を直線状で帯状の領域で二分する素子分離領域部であって、前記画素ペアにおける前記第1の画素と前記第2の画素が前記直線状で帯状の領域を介して隣接する状態とする素子分離領域部と、
    前記周縁部遮光膜と前記素子分離領域部とが平面で交差する部位であって前記直線状で帯状の領域の両端部のそれぞれから前記素子分離領域部の中央部へ向かって前記素子分離領域部を所定の長さで覆うように突出され、前記素子分離領域部に覆われない領域を残して配置された突出遮光膜と、
    を有し、
    前記所定の長さが、隣接する一方の画素ペアのマイクロレンズから入射した光によって素子分離領域部において生成される電子が隣接する他方の画素ペアに到達しないように、入射する光を遮断できる長さとされていることを特徴とする固体撮像素子。
  2. 前記周縁部遮光膜と前記突出遮光膜とは一体に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
  3. 前記周縁部遮光膜は、平面においていずれの位置においても同一幅で形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像素子。
  4. 各画素ペアにおいて、前記1つのマイクロレンズと1組の前記第1の画素と前記第2の画素との間に、1つのカラーフィルタが介装されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
  5. 各画素ペアのカラーフィルタの色は、全画素ペアについてベイヤー配列とされていることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像素子。
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JP6231741B2 (ja) * 2012-12-10 2017-11-15 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP2015012127A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子機器
JP2015060855A (ja) * 2013-09-17 2015-03-30 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
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