JP6152893B2 - 半導体装置、半導体装置の組み立て方法、半導体装置用部品及び単位モジュール - Google Patents
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Description
本発明の第1の態様に係る半導体装置は、絶縁基板と、該絶縁基板上に搭載された半導体素子と、該半導体素子に接合され、立体的な放熱部を有する放熱ブロックと、該半導体素子と電気的に接続するリードピンと、該リードピンの複数個を固定するリードピンブロックとを備え、該リードピンブロックが、前記放熱ブロックを収容する開口を備え、前記開口に、前記放熱ブロックと係止している段が設けられていて、前記開口に該放熱ブロックが圧入または一体成形されて前記放熱ブロックと前記リードピンブロックとが、一体的に構成されていることを特徴とする。
また、本発明の別の態様に係る半導体装置は、絶縁基板と、該絶縁基板上に搭載された半導体素子と、該半導体素子に接合され、立体的な放熱部を有する放熱ブロックと、該半導体素子と電気的に接続するリードピンと、該リードピンの複数個を固定するリードピンブロックとを備え、該放熱ブロックと該リードピンブロックとが、一体的に構成されていて、前記リードピンブロックの下部に、脚を有し、前記脚が前記半導体素子と係合する切り欠きを備えることを特徴とする。
また、本発明の別の態様に係る半導体装置の組み立て方法は、絶縁基板と、該絶縁基板上に搭載された半導体素子と、該半導体素子に接合され、立体的な放熱部を有する放熱ブロックと、該半導体素子と電気的に接続するリードピン及び該リードピンの複数個を固定するリードピンブロックとを備え、前記放熱ブロックと前記リードピンブロックとが、一体的に構成されていて、前記リードピンブロックの下部に、脚を有し、前記脚が前記半導体素子と係合する切り欠きを備える単位モジュールを用意し、該単位モジュールを金属基板に固定し、該金属基板上に固定された該単位モジュールが、絶縁基板の周りに枠を有する状態とし、該金属基板を囲むケースを該金属基板と接着することを特徴とする。
また、本発明の別の態様に係る半導体装置用部品は、導電板を備える半導体装置に搭載して用いられる半導体装置用部品であって、絶縁基板と、該絶縁基板上に搭載された半導体素子と、該半導体素子に接合され、立体的な放熱部を有する放熱ブロックと、該半導体素子と電気的に接続するリードピンと、該リードピンの複数個を固定するリードピンブロックとを備え、該放熱ブロックと該リードピンブロックとが、一体的に構成されていて、前記リードピンブロックの下部に、脚を有し、前記脚が前記半導体素子と係合する切り欠きを備え、前記放熱ブロックを介して前記半導体素子が前記導電板と電気的に接続するように構成されていることを特徴とする。
また、本発明の別の態様に係る単位モジュールは、導電板及び金属基板を備える半導体装置に搭載して用いられる単位モジュールであって、絶縁基板と、該絶縁基板上に搭載された半導体素子と、該半導体素子に接合され、立体的な放熱部を有する放熱ブロックと、該半導体素子と電気的に接続するリードピンと、該リードピンの複数個を一体的に固定するリードピンブロックとを備え、前記放熱ブロックと前記リードピンブロックとが、一体的に構成されていて、前記リードピンブロックの下部に、脚を有し、前記脚が前記半導体素子と係合する切り欠きを備え、前記金属基板に固定され、前記放熱ブロックを介して前記半導体素子が前記導電板と電気的に接続するように構成されていることを特徴とする。
(実施形態1)
図1(a)に本発明の実施形態1の半導体装置用部品1を模式的な斜視図で示す。半導体装置用部品1は後述するパワー半導体モジュールを構成するために用いられる。図1(a)に示された半導体装置用部品1は、絶縁基板2上に半導体チップ3が搭載されている。絶縁基板2は、窒化珪素、アルミナ、窒化アルミニウム等のセラミックス材料よりなる絶縁板2aと、絶縁板2aの一方の表面に接合された金属箔2bと、絶縁板2aの他方の表面に接合された金属箔2cとを備えている。金属箔2b、2cは、具体的には例えば銅箔である。銅箔にはニッケル等のめっきが施されてもよい。金属箔2cは、図1(a)では絶縁板2aの裏面に位置するので図中に表れていない。絶縁板2a上で金属箔2bは選択的に形成されていて、これにより半導体チップ3の下面に形成された電極と接続する領域2ba、半導体チップ3の上面に形成された電極(ゲート電極等)と接続する領域2bbの回路パターンが形成されている。
本実施形態の半導体装置用部品1は、金属基板上に搭載され、端子が設けられたケース内に収容され、端子と配線され、ケース内に封止材が充填されて、パワー半導体モジュールとして用いられる。放熱ブロック6のベース部6aを介して端子と接続されるので、半導体チップ3と端子の間の電気抵抗および熱抵抗を小さくできる。
図2(a)を用いて本発明の実施形態2の半導体装置用部品を説明する。実施形態2の半導体装置用部品は、実施形態1の半導体装置用部品とは、放熱ブロックの形状のみが相違する。したがって、図2では、本実施形態の半導体装置用部品の放熱ブロックのみを示した。
図2(b)〜(d)には、放熱ブロックの放熱部の形状の変形例を、反転させた状態での斜視図で示す。図2(b)に示した放熱ブロック62は、ベース部6aと、ベース部6aから延びる複数の角柱状のピン6dからなる。角柱状のピン6dは、図2(b)に示した例では、4行4列で合計16本が形成されている。この複数の角柱状のピン6dが放熱部を構成している。放熱ブロック62は、形状が角柱のピン6dであっても、図1に示した放熱ブロック6と同じ効果を具備している。
(実施形態4)
図2(c)に示した放熱ブロック63は、ベース部6aと、ベース部6aから延びる互いに平行に配列された直線状の複数のフィン6eからなる。フィン6eは、図2(c)に示した例では、ベース部の一辺と同じ長さを有し、7枚のフィン6eが形成されている。この複数のフィン6eが放熱部を構成している。放熱ブロック63は、放熱部がフィン形状であっても、図1に示した放熱ブロック6と同じ効果を具備している。
図2(d)に示した放熱ブロック64は、ベース部6aと、ベース部6aから延びる互いに平行に配列された複数の波形フィン6fからなる。波形フィン6fは、図2(d)に示した例では、7枚の波形フィン6fが形成されている。この複数の波形フィン6fが放熱部を構成している。放熱ブロック64は、放熱部が波形フィン形状であっても、図1に示した放熱ブロック6と同じ効果を具備している。
図3に、放熱ブロックの別の例を示す。図3(b)に斜視図で示す放熱ブロック65は、ベース部6aと、ベース部6aより延びる複数の円柱状のピンよりなる放熱部6bと、放熱部6bのピンの先端と一方の面で接続するとともに、他方の面で半導体チップ3とはんだ接合される第2ベース部6cとからなる。放熱部6b及び第2ベース部6cを図3(a)に斜視図で示す。放熱部6bは、図1(b)に示した放熱部6bと同様に複数の円柱状のピンからなる。第2ベース部6cは、第1ベース部と同様の形状、寸法を有している。図3に示した放熱ブロック65は、例えば図1(b)に示した放熱ブロック6のピンの先端に、板状の第2ベース部6cを接合することにより製造することができる。
図4に、放熱ブロックの別の例を示す。図4(b)に斜視図で示す放熱ブロック66は、ベース部6aと、ベース部6aより延びる複数の円柱状のピンよりなる放熱部6bと、放熱部6bのピンの先端と一方の面で接続するとともに、他方の面で半導体チップ3とはんだ接合される第2ベース部6gとからなる。放熱部6b及び第2ベース部6gを図4(a)に斜視図で示す。放熱ブロック66の第2ベース部6gと、図3(a)に示した放熱ブロック65の第2ベース部6cとの相違は、本実施形態における放熱ブロック66の第2ベース部6gは、複数の貫通孔6hが形成されていることである。貫通孔6hは、図示した例では4行4列で形成されたピンの間に、3行3列で合計9個が形成されている。
図5に、放熱ブロックの別の例を示す。図5に示す放熱ブロック67は、板状のベース部6iに複数の貫通孔6jが形成されてなる。貫通孔6jは、図示した例では、3行3列で合計9個が形成されている。放熱ブロック67のベース部6iは、貫通孔6jが形成されていることにより、貫通孔を有しないものに比べて表面積が大きくなっている。したがって、放熱ブロック67は、ベース部6iそれ自体が放熱部となっていて、この放熱部で効果的に放熱することができる。
図1に示した半導体装置用部品1は、1又は2以上の半導体チップを有する単位モジュールとして、後述するパワー半導体モジュールに用いることができる。本発明の半導体装置の実施形態としての単位モジュールを、図6を用いて説明する。図6は、単位モジュール10を組み立て工程順に示した模式的な斜視図である。
単位モジュール10として用いられるために、半導体装置用部品1は、絶縁基板2の金属箔2bの領域2bbに、リードピン7が接合される(同図(b))。リードピン7は、半導体装置用部品1の制御用端子となるものである。各リードピン7は、リードピンブロック7Aにより、まとめて固定される。
放熱ブロック6、給電ブロック4およびリードピン7は封止材9から露出している。放熱ブロック6及び給電ブロック4はそれらの上面が単位モジュール10の主面に略平行になるように配置され、パワー半導体モジュールの導電板に電気的に接続できるように構成されている。
図6の単位モジュール10の変形例として、斜下方向から見た枠8の裏面の好ましい形態を図7の斜視図で示す。図7に示される単位モジュール10は、枠8の底面の四隅部に、突起8aを有している。この突起8aにより、単位モジュール10の絶縁基板2を金属基板11に接合する場合に、はんだの厚さを一定とすることができる。
枠8の別の好ましい形態では、はんだSの厚さよりも高い突起を有している。図9に、枠8に突起8bを有する単位モジュール10を金属基板11にはんだ接合する前後における単位モジュール10及び金属基板の断面図を示す。図示した突起8bは、はんだSの厚さよりも高い突起である。
本発明の半導体装置の一実施形態として、単位モジュール10を用いたパワー半導体モジュール及びその組み立て方法について、図10を用いて説明する。図10は、パワー半導体モジュール20の組み立て工程を時系列順に示す模式的な斜視図である。図10(c)に示すパワー半導体モジュール20は、図6(d)に示した単位モジュール10の6個を、金属基板11上に固定して、いわゆる6in1のパワー半導体モジュールの構成としている。パワー半導体モジュール20は、一例として三相インバータ回路を構成しているものである。
金属基板11の四隅にはボルト取り付け用の孔11aが形成されている。
ケース12は、樹脂製であり、単位モジュール10の放熱ブロック6や給電ブロック4と電気的に接続する端子13〜17がインサート成型により一体的に成型され、かつケース12の表面に露出している。ケース12の四隅にはボルト取り付け用の孔12aが形成されている。
単位モジュール10a〜10fは、図6(d)に示した単位モジュール10と同じ構成を有しているが、三相インバータ回路を構成するパワー半導体モジュール20の要素として便宜的に10a〜10fの符号を付している。ケース12にインサート成型された端子13〜17は、単位モジュール10a〜10fと対向する位置に、三相インバータ回路を構成するための所定の配置とされた導電板を備えている。
パワー半導体モジュール20の組み立て方法の別の例を、図11を用いて説明する。図11(a)〜(d)は、パワー半導体モジュール20の組み立て工程を時系列順に示す模式的な斜視図である。図11(d)に示すパワー半導体モジュール20の完成形は、図10(c)に示したパワー半導体モジュール20と同じである。
次いで、ケース12内に封止材18を充填し、パワー半導体モジュール20の組み立てを完了する(図11(d))。
次に、本発明の半導体装置用部品の別の実施形態を、図面を用いて説明する。先に図1を用いて説明した実施形態1の半導体装置用部品1の場合は、図6(b)に示すように、絶縁基板2の金属箔2bの領域2bbに、リードピン7が接合されていて、各リードピン7は、リードピンブロック7Aにより、まとめて固定されている。これに対して、本実施形態の半導体装置用部品では、リードピンブロックの形状が異なっている。
リードピンブロック7Bは、絶縁性、耐熱性の樹脂であり例えば、PPS樹脂よりなる。リードピン7は、インジェクション成形等により、リードピンブロック7Bと一体的に形成される。
リードピンブロックは、図12に示した、1個の放熱ブロック6を固定するものに限られない。2個又は3個以上の放熱ブロック6を固定するリードピンブロックの構成としてもよい。図14に、2個の放熱ブロック6を固定して一体化するリードピンブロック7Cの斜視図を示す。図14のリードピンブロック7Cは、略長方形の平面形状を有し、放熱ブロック6を収容する開口7Caを2個有している。開口7Caは、図12のリードピンブロック7Bの開口7Baと同様にリードピンブロック7Cを厚み方向に貫通する孔である。リードピンブロック7Cの一側面に、各開口に対応する複数のリードピン7がリードピンブロック7Cと一体的に取り付けられている。リードピンブロック7Cの下端側には、複数の脚7Cdが形成されている。
図14、図15に示したリードピンブロック7Cは、図12のリードピンブロック7Bとは、固定する放熱ブロック6の数が異なるが、リードピンブロックとして同じ機能、効果を有している。
次に、図17に平面図で示すように、リードピンブロック7Cの開口7Caに2個の放熱ブロック6に取り付ける。これにより、図18(a)に平面図で、図18(b)に側面図でそれぞれ示すように、リードピンブロック7Cに放熱ブロック6を一体的に取り付けた構造物42が得られる。
リードピンブロック7Cを用いた半導体装置用部品の別の実施形態を図20に斜視図で示す。図20に示した半導体装置用部品50は、1つの絶縁基板2上に、放熱を向上させるために設けられた金属板51を介して、4個の半導体チップ3が搭載されている。各半導体チップ3は、本実施形態ではRC−IGBT(逆導通IGBT)チップである。4個の半導体チップは、パワー半導体モジュールの容量を増大させるために2個が並列に接続され、かつ、その並列に接続された2個の半導体チップを一組とする合計二組が、インバータ装置としたときのパワー半導体モジュールの上アーム及び下アームを構成している。各半導体チップ3の下面の電極(例えばRC−IGBTチップのコレクタ電極、カソード電極)と金属板51を通して電気的に接続する金属箔2bは、上記した上アーム及び下アームを構成するための回路パターンが形成されている。
また本実施形態の半導体装置用部品50における放熱ブロック6及びリードピンブロック7Cの効果は、以前の実施形態で説明したのと同じである。
実施形態14で説明した半導体装置用部品30、実施形態15で説明した半導体装置用部品40、実施形態16で説明した半導体装置用部品50は、いずれも、単位モジュールとして、その1個又は複数個を金属基板上に設けることにより、パワー半導体モジュールを構成することができる。半導体装置用部品30、40又は50を単位モジュールとして用いる場合に、各半導体装置用部品の絶縁基板の周りに、図6に示した単位モジュール10の枠8と同様の枠を設けて、当該絶縁基板と接着固定され、この枠内に前述したのと同様の封止材を充填することも可能である。
単位モジュールとして、図20に示した半導体装置用部品50を用いたパワー半導体モジュール70を、図21、23、24に、そのパワー半導体モジュール70の組み立て工程順に説明する。
レーザ溶接を行う際は、スパッタから半導体チップ3等を保護するために、あらかじめケース72内に封止材を、レーザ溶接に影響を与えない高さまで注入することが好ましい。封止材は例えば、シリコーンゲルやエポキシ樹脂等、耐熱性及び/又は流動性の高いゲルや樹脂である。
次に、半導体装置用部品及びパワー半導体モジュールの他の実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置用部品80は、2in1のパワー半導体モジュールを組み立てるのに適した半導体装置用部品である。図25に、分解斜視図で示す本実施形態の半導体装置用部品80は、絶縁基板2が絶縁板2aと、絶縁板2aの一方の表面に接合された金属箔2bと、絶縁板2aの他方の表面に接合された金属箔2cとからなる。なお、図25の分解斜視図では金属箔2cは表れない。金属箔2bは、領域2b1と、領域2b2とに区画されている。
半導体装置用部品80にリードピンブロック7Dが設けられたことの作用効果は、図12や図14を用いて既に説明したのと同様であるから、ここでは重複する説明は省略する。
単位モジュールとして図28に示した半導体装置用部品80を用いたパワー半導体モジュール90を、その組み立て工程順に説明する。
半導体装置用部品80にプリント基板81が取り付けられ、リードピン7がプリント基板81の配線とはんだ接合または圧入接続されて電気的に接続されたものを図30に斜視図で示す。
なお、半導体チップ3と放熱ブロック6、リードピン7および金属箔2bとの間を接合するはんだとして様々なはんだを用いることができる。例えば、板状はんだやペースト状はんだである。また、はんだに代えてろう材や銀ナノ粒子を含んだペースト(焼結金属)を用いてもよい。
(実施形態19)
次に、半導体装置用部品及びパワー半導体モジュールの他の実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置用部品100は、2in1のパワー半導体モジュールを組み立てるのに適している。また、後述するように3個の半導体装置用部品100を用いて、6in1のパワー半導体モジュール110を組み立てることもできる。本実施形態の半導体装置用部品100が図33に斜視図で、図34に分解斜視図で示されている。半導体装置用部品100は絶縁基板2と、絶縁基板2上に搭載された半導体素子3と、半導体素子3に接合され、立体的な放熱部を有する放熱ブロック68と、を備える。絶縁基板2は絶縁板2aと、絶縁板2aの一方の表面に接合された金属箔2bと、絶縁板2aの他方の表面に接合された金属箔2cとからなる。なお、図33の斜視図では金属箔2cは表れない。金属箔2bは、領域2b1と、領域2b2と、領域2b3と、領域2b4とに区画されている。
本実施形態の半導体装置用部品100は、放熱ブロック68を備えることから、以前の実施形態で説明した放熱ブロック6と同様の効果を有している。
次に、半導体装置用部品100を単位モジュールとして用いたパワー半導体モジュール110及びその組み立て方法について製造工程順に図35〜39を用いて説明する。パワー半導体モジュール110は、最終的に図39に斜視図で示す形状を有している。パワー半導体モジュール110は、図33に示した半導体装置用部品100の3個を、金属基板111上に固定して、いわゆる6in1のパワー半導体モジュールの構成としている。パワー半導体モジュール110は、一例として三相インバータ回路を構成しているものである。
まず、図35に斜視図で示すように、半導体装置用部品100の3個と金属基板111とを用意する。半導体装置用部品100の各々は、単位モジュールとして用いられるために、絶縁基板2の金属箔2bの領域2b2及び2b4にはんだ接合されたリードピン7を有している。各リードピン7は、リードピンブロック7Eにより固定されている。したがって、複数のリードピン7を一つの部材として取り扱うことができる。金属基板111上の所定の位置に、板状はんだ又はペースト状はんだが形成され、組み立て装置の治具によって3個の半導体装置用部品100が一列に並ぶように位置決めされ、はんだにより接合される。
リードピン7と領域2b2及び2b4との接合及び金属基板111と絶縁基板2の金属箔2cとの接合は、加熱炉で加熱し、はんだをリフローさせることにより、同時に行うことができる。この時、放熱ブロック68と半導体チップ3との接合を同時に行うこともできる。
金属基板111は、裏面に冷却フィンが設けられ、このフィン間を冷却媒体が通過するような、冷却装置の一部分とすることもできる。
次いで、図36に分解斜視図で示すようにケース112が別途に用意され、このケース112を半導体装置用部品100に取り付けて金属基板111に接着固定する。
ケース112は、各半導体装置用部品100における領域2b1上の給電部103bと電気的に接続するP端子113、領域2b3上の放熱ブロック68と電気的に接続するN端子114、領域2b1上の放熱ブロック68及び領域2b2上の給電部103bに電気的に接続するU端子115又はV端子116又はW端子117が一体的に形成されている。各端子は、ケース112内の内部空間に延びる導電板を兼ねている。これらの端子は、樹脂よりなるケース112をインジェクション成形等で成形する際にケース112と一体化される。
ケース112には、リードピン7を通す貫通孔112aが形成されている。この貫通孔112aにリードピン7を通してリードピン7の先端がケース112より突出するようにしている。
次に、図37に示すようにケース112を金属基板111に接着固定する。
接着固定後に、ケース112のP端子113、N端子114を上述した半導体装置用部品100の上アーム側の給電部103bの主面、下アーム側の放熱ブロック68の主面と接合する。さらに、U端子115、V端子116及びW端子117を、半導体装置用部品100の上アーム側の各放熱ブロック68の主面と接合する。この接合は、レーザ溶接によるのが好ましい。
レーザ溶接時のスパッタから半導体チップ3等を保護するために、ケース112を金属基板111に接着固定した後、上記レーザ溶接の前に、ケース112内に封止材9を、レーザ溶接に影響を与えない高さまで注入することが好ましい。封止材9は例えば、シリコーンゲルやエポキシ樹脂等、耐熱性及び/又は流動性の高いゲルや樹脂である。
封止材9をケース112内に注入し、ケース112の上記端子を接合したときの形状を図38に示す。
レーザ溶接後は、図39に示すように、ケース内に封止材18を注入して充填する。レーザ溶接後に充填する封止材は、レーザ溶接前にケース内に注入する封止材と同じ種類の封止材でもよいし、より安価な封止材を用いてもよい。より安価な封止材を用いることにより、パワー半導体モジュール110は封止材について耐熱性と低コストとを両立させることができる。
なお、半導体チップ3と放熱ブロック6、リードピン7および金属箔2bとの間を接合するはんだとして様々なはんだを用いることができる。例えば、板状はんだやペースト状はんだである。また、はんだに代えてろう材や銀ナノ粒子を含んだペースト(焼結金属)を用いてもよい。はんだ等により接合された要素は、電気的及び機械的に接続される。更に、ケース112は、3個の半導体装置用部品100にそれぞれ対応した3個のケースを用いることもできる。
2 絶縁基板
3 半導体素子(半導体チップ)
4 給電ブロック
5 ボンディングワイヤ
6 放熱ブロック
7 リードピン
7A、7B、7C、7D リードピンブロック
8 枠
9 封止材
10 単位モジュール
11、71 金属基板
12、72 ケース
13、14、15、16、17、73、74、75、76、77 端子
18 封止材
20、70、90、110 パワー半導体モジュール(半導体装置)
Claims (15)
- 絶縁基板と、
該絶縁基板上に搭載された半導体素子と、
該半導体素子に接合され、立体的な放熱部を有する放熱ブロックと、
該半導体素子と電気的に接続するリードピンと、
該リードピンの複数個を固定するリードピンブロックと
を備え、
該リードピンブロックが、前記放熱ブロックを収容する開口を備え、前記開口に、前記放熱ブロックと係止している段が設けられていて、
前記開口に該放熱ブロックが圧入または一体成形されて前記放熱ブロックと前記リードピンブロックとが、一体的に構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 絶縁基板と、
該絶縁基板上に搭載された半導体素子と、
該半導体素子に接合され、立体的な放熱部を有する放熱ブロックと、
該半導体素子と電気的に接続するリードピンと、
該リードピンの複数個を固定するリードピンブロックと
を備え、
該放熱ブロックと該リードピンブロックとが、一体的に構成されていて、
前記リードピンブロックの下部に、脚を有し、前記脚が前記半導体素子と係合する切り欠きを備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記放熱ブロックの上面は、前記リードピンブロックの開口の上面と同一平面上に位置するか、又は開口の上面より上方に突出している請求項1又は2記載の半導体装置。
- 前記半導体素子、前記放熱ブロック、前記リードピン及び前記リードピンブロックを含む前記絶縁基板の一つを単位モジュールとして、少なくとも一つの単位モジュールが金属基板に固定された請求項1又は2記載の半導体装置。
- 前記金属基板に複数の単位モジュールが搭載され、各単位モジュールの半導体素子を、導電板により電気的に接続した請求項4記載の半導体装置。
- 前記絶縁基板と、前記半導体素子との間に金属板を備える請求項4記載の半導体装置。
- 前記単位モジュールが、前記絶縁基板の周りに枠を備え、該枠内に、封止材が充填された請求項4記載の半導体装置。
- 前記金属基板を収容するケースを備え、該ケース内に封止材が充填された請求項4記載の半導体装置。
- 絶縁基板と、該絶縁基板上に搭載された半導体素子と、該半導体素子に接合され、立体的な放熱部を有する放熱ブロックと、該半導体素子と電気的に接続するリードピン及び該リードピンの複数個を固定するリードピンブロックとを備え、該リードピンブロックが、前記放熱ブロックを収容する開口を備え、前記開口に、前記放熱ブロックと係止している段が設けられていて、前記開口に該放熱ブロックが圧入または一体成形されて前記放熱ブロックと前記リードピンブロックとが、一体的に構成されている単位モジュールを用意し、
該単位モジュールを金属基板に固定し、
該金属基板上に固定された該単位モジュールが、絶縁基板の周りに枠を有する状態とし、
該金属基板を囲むケースを該金属基板と接着する
ことを特徴とする半導体装置の組み立て方法。 - 絶縁基板と、該絶縁基板上に搭載された半導体素子と、該半導体素子に接合され、立体的な放熱部を有する放熱ブロックと、該半導体素子と電気的に接続するリードピン及び該リードピンの複数個を固定するリードピンブロックとを備え、前記放熱ブロックと前記リードピンブロックとが、一体的に構成されていて、前記リードピンブロックの下部に、脚を有し、前記脚が前記半導体素子と係合する切り欠きを備える単位モジュールを用意し、
該単位モジュールを金属基板に固定し、
該金属基板上に固定された該単位モジュールが、絶縁基板の周りに枠を有する状態とし、
該金属基板を囲むケースを該金属基板と接着する
ことを特徴とする半導体装置の組み立て方法。 - 導電板を備える半導体装置に搭載して用いられる半導体装置用部品であって、
絶縁基板と、
該絶縁基板上に搭載された半導体素子と、
該半導体素子に接合され、立体的な放熱部を有する放熱ブロックと、
該半導体素子と電気的に接続するリードピンと、
該リードピンの複数個を固定するリードピンブロックと
を備え、
該リードピンブロックが、前記放熱ブロックを収容する開口を備え、前記開口に、前記放熱ブロックと係止している段が設けられていて、
前記開口に該放熱ブロックが圧入または一体成形されて該放熱ブロックと該リードピンブロックとが、一体的に構成され、
前記放熱ブロックを介して前記半導体素子が前記導電板と電気的に接続するように構成されていることを特徴とする半導体装置用部品。 - 導電板を備える半導体装置に搭載して用いられる半導体装置用部品であって、
絶縁基板と、
該絶縁基板上に搭載された半導体素子と、
該半導体素子に接合され、立体的な放熱部を有する放熱ブロックと、
該半導体素子と電気的に接続するリードピンと、
該リードピンの複数個を固定するリードピンブロックと
を備え、
該放熱ブロックと該リードピンブロックとが、一体的に構成されていて、
前記リードピンブロックの下部に、脚を有し、前記脚が前記半導体素子と係合する切り欠きを備え、
前記放熱ブロックを介して前記半導体素子が前記導電板と電気的に接続するように構成されていることを特徴とする半導体装置用部品。 - 導電板及び金属基板を備える半導体装置に搭載して用いられる単位モジュールであって、
絶縁基板と、
該絶縁基板上に搭載された半導体素子と、
該半導体素子に接合され、立体的な放熱部を有する放熱ブロックと、
該半導体素子と電気的に接続するリードピンと、該リードピンの複数個を一体的に固定するリードピンブロックと
を備え、
該リードピンブロックが、前記放熱ブロックを収容する開口を備え、前記開口に、前記放熱ブロックと係止している段が設けられていて、
前記開口に該放熱ブロックが圧入または一体成形されて前記放熱ブロックと前記リードピンブロックとが、一体的に構成されていて、
前記金属基板に固定され、前記放熱ブロックを介して前記半導体素子が前記導電板と電気的に接続するように構成されていることを特徴とする単位モジュール。 - 導電板及び金属基板を備える半導体装置に搭載して用いられる単位モジュールであって、
絶縁基板と、
該絶縁基板上に搭載された半導体素子と、
該半導体素子に接合され、立体的な放熱部を有する放熱ブロックと、
該半導体素子と電気的に接続するリードピンと、該リードピンの複数個を一体的に固定するリードピンブロックと
を備え、
前記放熱ブロックと前記リードピンブロックとが、一体的に構成されていて、
前記リードピンブロックの下部に、脚を有し、前記脚が前記半導体素子と係合する切り欠きを備え、
前記金属基板に固定され、前記放熱ブロックを介して前記半導体素子が前記導電板と電気的に接続するように構成されていることを特徴とする単位モジュール。 - 前記絶縁基板の周りに枠を備え、該枠内に、封止材が充填された請求項13又は14記載の単位モジュール。
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