JP5968477B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は電場の印加により反射率が変化するコントラスト媒体を用いた表示装置に係り
、特に有機樹脂フィルム基板に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）と当該コントラ
スト媒体とを組み合わせて形成される表示装置とその作製方法に関する。
陰極線管を用いる手段と異なり、平板面上に画面を形成する表示装置は、概略して二次
元的に配列された画素に電気的な信号を与え、液晶の電気光学的な性質や、エレクトロル
ミネセンス媒体の発光性を利用することで明暗若しくは濃淡を与え画像を表示するもので
ある。この種の表示装置として新しい表示媒体として、マイクロカプセルに充填された電
気泳動材料を用いた表示装置にも関心が集められている。
この電子的にアドレス可能なマイクロカプセル化されたコントラスト媒体は、電子イン
クとも呼ばれている。図１０に示すように、電子インクとは直径８０μm程度のマイクロ
カプセル７０６を作り、その中に透明な液体と、正に帯電した白い微粒子７０１と負に帯
電した黒い微粒子７０２とを封入している。マイクロカプセル７０６に電場を与えると、
白い微粒子７０１と、黒い微粒子７０２が逆の方向に移動する。図１０に示すように対向
電極(透明電極)７０３と画素電極７０４、７０５の間に正または負の電界をかけると表面
に白または黒の微粒子が現れ、白または黒を表示する。この電子インクおよび対向電極(
透明電極)は、印刷法によって成膜が可能であり、回路基板上に電子インクを印刷して表
示装置を形成できる。
電子インクを用いた表示装置は液晶表示装置にくらべて消費電力が小さいというメリッ
トがある。それは反射率が３０％前後有り、反射型液晶表示装置の数倍の反射率を持って
いる為である。反射型液晶表示装置は反射率が低いため、太陽光下など光の強い場所では
有利であるが、光の弱い場所ではフロントライトなどの補助照明が必要になる。一方、電
子インクを用いた表示装置では反射率が高いためフロントライトは不要である。フロント
ライトでは数１００mWの電力を必要とするが、この電力は不要となる。また、液晶は直流
駆動を継続すると劣化現象を起こしてしまう問題点があり交流反転駆動が必要であるが、
反転周波数が低いとフリッカが視認され、使用者に不快感を与えるため通常は６０〜１０
０Hzで交流反転駆動を行っている。電子インクを用いた表示装置では液晶のように交流反
転駆動をする必要がないので、６０Hzで毎回書き込みをする必要もない。以上の２点によ
って低消費電力化が可能になる。
このような電子インクに関しては、例えば、アモルファスシリコン(ａ−Ｓｉ)ＴＦＴを
用いた電気泳動表示装置に関する報告が「12.1"SVGA Microencapsulated Electrophoreti
c Active Matrix Display for Information Appliances,SID01 DIGEST p152-155.」や、
「A Conformable Electronic Ink Display using a Foil-Based a-Si TFT Array,SID01 D
IGEST p157-159.」に報告されている。
以上のような電子インクを用いた表示装置は、原理自体は簡便であり液晶表示装置のよ
うに照明手段が必要でないことから電子ペーパーと称して、従来の新聞や本など紙を媒体
とした情報伝達又は記録手段の代替品として普及が検討されている。
電子ペーパーを広く社会に普及させるには、新聞の紙面のように折りたたみ可能な大面
積表示媒体を紙に文字や写真を印刷するかのように高速且つ大量に安価で供給する手段が
必要となる。しかし、無機半導体層を使ったＴＦＴでは、製造技術が確立され安定的に生
産することが可能であるものの、従来の半導体プロセスと同様に真空を利用して活性層と
なる半導体層や配線及び電極を形成する金属膜を形成し、写真蝕刻工程によりパターン形
成を行う必要があった。
また、利用者に対し取り扱いの利便性を持たせるためには、ガラスなどの脆い材料やス
テンレスなど金属製で重く可撓性の悪い材料を基板に用いることは適していない。ステン
レスやアルミニウムなどの薄板を基板とすれば有る程度の可撓性は確保されるが、塑性変
形により板面の平坦性さえ確保するのは難しい。
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、生産性に優れ、軽く、可撓性を有する
表示装置を提供することを目的とする。
上記問題点を解決するための本発明の構成は、ゲート電極に合わせて配設された絶縁体
層の開口部にチャネル部を形成する活性層が有機半導体材料で形成されたＴＦＴと、その
ＴＦＴに接続する電極上に電場の印加により反射率が変化するコントラスト媒体、或いは
電場の印加により反射率が変化する帯電粒子を内蔵したマイクロカプセルが備えられた画
素部を有し、画素部が基板に挟まれて形成され、基板と画素部との間には無機絶縁体材料
で成るバリア層が設けられているものである。
また他の構成は、ゲート電極に合わせて配設された絶縁体層の開口部にチャネル部を形
成する活性層が有機半導体材料で形成されたＴＦＴと、ＴＦＴに接続する電極上に、電場
の印加により反射率が変化するコントラスト媒体、或いは電場の印加により反射率が変化
する帯電粒子を内蔵したマイクロカプセルが画素電極の周辺部を覆う絶縁材料で形成され
た隔壁層で囲まれて配設された画素部を有し、画素部が基板に挟まれて形成され、基板と
画素部との間には無機絶縁体材料で成るバリア層が設けられているものである。
当該画素の構成としては、一対の電極間にコントラスト媒体が挟まれたものであり、隣
接する画素とは、無機又は有機絶縁体材料で形成される隔壁層を備えている。
上記本発明の構成において、基板としては、可撓性又は非可撓性のプラスチック基板を
用いても良い。
上記発明の構成において、可撓性を有するプラスチック基板としては、ポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルフォ
ン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミドを適用することができる。これら
の基板は、可視光域において透明であり、その実用的な厚さとして１０〜２００μmとす
ることで可撓性を持たせることが可能であり、軽くて耐衝撃性に優れた表示装置を提供す
ることができる。
また、プラスチック基板上に形成するバリア層はＡｌＯxＮ1-x（但し、ｘ＝０．０１〜
０．２）又は、高周波スパッタリング法で形成された水素を含まない窒化シリコンで形成
することが望ましい。これらの無機絶縁材料は外部環境から侵入する水蒸気や有機物ガス
のバリア層となり、表示装置を構成する有機半導体材料や電場の印加により反射率が変化
するコントラスト媒体或いは電場の印加により反射率が変化する帯電粒子を内蔵したマイ
クロカプセルが水蒸気や有機物ガスにより劣化するのを防ぐことができる。
画素に設けるＴＦＴは、アモルファスシリコンに代表される無機半導体材料を用いるこ
ともできるが、気相成長法などの真空技術を使わず紙に文字や写真を印刷するかの如く大
面積の表示媒体を大量に安価に供給することができる印刷法で形成可能な有機半導体材料
を用いる。勿論、半導体層のみでなく、ゲート電極などの導電体層、ゲート絶縁膜などの
絶縁体層も有機化合物材料を用いることで、その目的は達成される。
このような構成を有する本発明の表示装置は、スパッタリングにより第１プラスチック
基板上に無機絶縁体材料からバリア層を形成する第１工程と、バリア層上にパターン状に
形成した導電性ペーストからゲート電極を形成する第２工程と、ゲート電極上に第１絶縁
体層を形成する第３工程と、第１絶縁体層上にゲート電極の配置に対応する開口部が形成
された第２絶縁体層を形成する第４工程と、当該開口部に有機半導体層を形成する第５工
程と、有機半導体層と接続するようにパターン状に形成した導電性ペーストからソース及
びドレイン電極を形成する第６工程と、ソース及びドレイン電極の一方の上に開口部が形
成された第３絶縁体層を形成する第７工程と、ソース及びドレイン電極と接続する画素電
極をパターン状に形成した導電性ペーストから形成する第８工程と、画素電極の端部を覆
う開口部が形成された第４絶縁体層を形成する第９工程と、当該開口部に帯電粒子を内蔵
したマイクロカプセルを含む樹脂層を形成する第１０工程と、スパッタリングにより無機
絶縁体材料からバリア層と透明電極が形成された第２プラスチック基板を樹脂層上に固着
する第１１工程との各工程を経て作製される。ここで、第１絶縁体層をゲート絶縁膜とし
て機能させても良い。
上記工程において、特に第２乃至第９工程はスクリーン印刷法により形成することで、
気相成長法などの真空技術や写真蝕刻技術を使うことなく、紙に文字や写真を印刷するか
の如く大面積の表示媒体を大量に安価に供給することができる。さらに、可撓性で長尺の
プラスチック基板を連続的に供給することにより、第２乃至第１１の工程を連続的に処理
を行うことができ、極めて高い生産性を得ることができる。従って、本発明により生産性
が優れ、軽く、可撓性を有する表示装置を安価に提供することが可能となる。
本発明により生産性に優れ、軽く、可撓性を有する表示装置を得ることが出来る。特に
、バリア層を省く全てを有機化合物材料で形成することで軽量且つ可撓性を有する表示装
置を実現することができる。また、生産技術の観点からは、スクリーン印刷法などを多用
することで、気相成長法などの真空技術や写真蝕刻技術を使うことなく、紙に文字や写真
を印刷するかの如く新聞の紙面程の表示媒体を大量に安価に供給することができる。
本発明の表示装置の画素部の詳細を説明する縦断面図である。 本発明の表示装置の画素部の詳細を説明する上面図である。 本発明の表示装置の作製工程を説明する縦断面図である。 本発明の表示装置の作製工程を説明する縦断面図である。 本発明に表示装置の構成を説明する上面図である。 本発明の表示装置において、端子部におけるＴＡＢとの接続構造を説明する図である。 本発明の表示装置において、端子部におけるＴＡＢとの接続構造を説明する図である。 可撓性長尺基板に連続的に被膜形成可能なスパッタリング装置の構成を示す図である。 基板が連続的に送り出され、且つ各工程順に連続して処理が成される生産手段を用いて本発明の表示装置を製作する工程を説明する図である。 電子インクの構成及びその原理を説明する図である。 本発明の表示装置の利用形態として携帯電話装置と組み合わせた一例を説明する図である。
本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。本発明に係る表示装
置は、電場の印加により反射率が変化するコントラスト媒体又は電場の印加により反射率
が変化する帯電粒子を内蔵したマイクロカプセルで成る電子インクを各画素毎に備え、そ
れぞれの画素に印加する電場を制御するＴＦＴが備えられた画素部を有するものである。
ＴＦＴはチャネル部を形成するための半導体が有機半導体材料で形成されるものであり、
それを島状に分離形成するための構造及び作製方法に特徴を有している。そして、このよ
うな構成の画素部はプラスチック基板に挟まれるように形成されている。
図１は画素部の構造を説明する縦断面図であり、図２は上面図を示している。
プラスチック基板１０１、２０１の間に有機半導体層１０６ａ、１０６ｂを使った有機Ｔ
ＦＴと、各有機ＴＦＴに接続する画素電極１１０ａ、１１０ｂと、それに対向する側の共
通電極２０３とで挟まれ、帯電粒子を内蔵したマイクロカプセル３０１が配設されている
。尚、図１に示す縦断面図は、図２で示すＡ−Ａ'線に対応するものである。
プラスチック基板１０１、２０１は少なくとも一方は透光性を有するものであり、ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテ
ルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミドなどから選択される。
好ましくは可撓性を有し、その実用的な厚さは１０〜２００μmである。勿論、これより
厚くしても良く本発明の構成に本質的に影響を及ぼすものではない。
このプラスチック基板１０１、２０１の表面には無機絶縁体材料でバリア層１０２、２
０２が１０〜２００nmの厚さで形成されている。これはＡｌＯxＮ1-x（但し、ｘ＝０．０
１〜０．２）又は、高周波スパッタリング法でシリコンをターゲットとし、窒素をスパッ
タガスとして形成される水素を含まない窒化シリコンから成る１層又は複数の層から成る
積層構造を有する。この無機絶縁材料は緻密に形成し、外部環境から侵入する水蒸気や有
機物ガスのバリア層とする。バリア層を形成する目的は、有機半導体材料や電場の印加に
より反射率が変化するコントラスト媒体或いは電場の印加により反射率が変化する帯電粒
子を内蔵したマイクロカプセルが水蒸気や有機物ガスにより劣化するのを防ぐためである
。
ＴＦＴのゲート電極を形成する第１配線１０３はアルミニウム、クロムなど公知の金属
材料でも良いが、導電性ペーストを用いてスクリーン印刷法やロールコーター法で形成し
ても良い。また、ゲート絶縁膜として用いる第１絶縁体層１０４、第２絶縁体層１０５、
第３絶縁体層１０９は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹
脂、非芳香族多官能性イソシアナート、メラミン樹脂を添加したもので形成する。尚、ゲ
ート絶縁膜は有機絶縁体材料に必ずしも限定されず、塗布法で形成されるシリコン酸化膜
（ＳＯＧ:Spin on Glass）
やスパッタリング法で形成する酸化シリコン膜を用いても良い。
第２絶縁体層１０５においてゲート電極に対応して設けられている開口部は、そこに有
機半導体層を形成するためにある。有機半導体層は印刷法、スプレー法、スピン塗布法、
インクジェット法などで形成する。本発明に用いる有機半導体材料としては、その骨格が
共役二重結合から構成されるπ電子共役系の高分子材料が望ましい。具体的には、ポリチ
オフェン、ポリ（３−アルキルチオフェン）
、ポリチオフェン誘導体等の可溶性の高分子材料を用いることができる。
その他にも本発明に用いることができる有機半導体材料としては、可溶性の前駆体を成
膜した後で処理することにより有機半導体層を形成することができる材料がある。なお、
このような前駆体を経由する有機半導体材料としては、ポリチエニレンビニレン、ポリ（
２，５−チエニレンビニレン）、ポリアセチレン、ポリアセチレン誘導体、ポリアリレン
ビニレンなどがある。
前駆体を有機半導体に変換する際には、加熱処理だけではなく塩化水素ガスなどの反応
触媒を添加することがなされる。なお、このような処理が必要である場合には電極等の腐
食の問題が生じるが、本発明に示した有機ＴＦＴの構造の場合にはそのような問題を心配
する必要はない。また、これらの可溶性有機半導体材料を溶解させる代表的な溶媒として
は、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、アニソール、クロロフォ
ルム、ジクロロメタン、γブチルラクトン、ブチルセルソルブ、シクロヘキサン、ＮＭＰ
（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、シクロヘキサノン、２−ブタノン、ジオキサン、ジメ
チルホルムアミド（ＤＭＦ）または、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）などを適用すること
ができる。
第２配線１０７ａ、１０７ｂ及び第３配線１０８ａ、１０８ｂはそれぞれ有機半導体層
と接触してＴＦＴにおけるソース電極とドレイン電極として機能させる。これらの配線を
形成する材料としては、多くの有機半導体材料が電荷を輸送する材料がキャリアとして正
孔を輸送するｐ型半導体であることからその半導体層とオーミック接触を取るために仕事
関数の大きい金属を用いることが望ましい。
具体的には、金や白金、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン
、ニッケル等の金属又は合金等が望ましい。第２配線１０７ａ、１０７ｂ及び第３配線１
０８ａ、１０８ｂはこれらの金属又は合金材料を用いた導電性ペーストを用いて印刷法や
ロールコーター法で形成する。また、画素電極１１０ａ、１１０ｂも同様に第３絶縁体層
１０９上に形成する。
第４絶縁体層は画素電極１１０ａ、１１０ｂの端部を覆うように形成し、隣接する画素
を区分する隔壁層である。電子インク層３０２は散布法、スピン塗布法、印刷法、ロール
コーター法などウエットコーティング法で形成し、第４絶縁体層の開口部、即ち隔壁層の
間に充填するように形成する。また、電子インク層上には、プラスチック基板２０１上に
無機絶縁体材料で形成されるバリア層２０２、酸化インジウム・スズ、酸化亜鉛などの透
明導電膜２０３が形成されており、これを固着する。
電子インク層３０２に含まれるマイクロカプセル３０１は、正に帯電したある色の粒子
と、負に帯電した異なる色の粒子を含み、カプセル内に含まれる溶媒中に分散して存在し
ている。そして、画素電極が付与する電場によりある色又は他の色に粒子が一方に偏析し
てコントラストを画素毎に変えることにより画像を表示する。
このような電子インク層でコントラストを変化させて画像を表示する本発明の表示装置
の作製工程は、図３と図４で説明されている。
図３（Ａ）において、プラスチック基板１０１上に高周波スパッタリング法で窒酸化ア
ルミニウム（ＡｌＯxＮ1-x：ｘ＝０．０１〜０．２）または窒化シリコンでなるバリア層
１０２を形成する。窒酸化アルミニウムは、窒化アルミニウムをターゲットとして、アル
ゴンの他に酸素及び窒素を適宜混合させたスパッタガスを用いて形成し、酸素の混合比を
適宜設定して窒酸化アルミニウム膜における酸素含有量を０．０１〜２０atomic％とする
。窒化シリコンは、シリコンをターゲートとし、窒素のみをスパッタガスとして形成する
。これらの無機絶縁体層はバリア層として適した緻密な無機絶縁体層を形成することがで
きる。その厚さは１０〜１００nm程度とすれば水蒸気や有機ガスなどのガスバリア性を持
たせることができる。
その上に形成する第１配線１０３はＴＦＴのゲート電極とするものであり、導電性ペー
ストを用いて形成する。導電性ペーストとしては、導電性カーボンペースト、導電性銀ペ
ースト、導電性銅ペースト、導電性ニッケルなどを用い、スクリーン印刷法又はロールコ
ーター法で所定のパターンに形成する。導電性ペーストで所定のパターンに形成した後は
、レベリング、乾燥後、１００〜２００℃で硬化させ１〜５μmの厚さを得る。
図３（Ｂ）はゲート絶縁膜とする第１絶縁体層１０４を形成する工程であり、ロールコ
ーター法やスプレー法などでアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂、非芳香族
多官能性イソシアナート、メラミン樹脂を添加した有機絶縁体材料で形成しても良いし、
塗布法で形成されたシリコン酸化膜（ＳＯＧ:Spin on Glass）やスパッタリング法で形成
する酸化シリコン膜を用いても良い。ゲート電圧を考慮すると１００〜２００nm程度で形
成することが好ましいが、それより厚くても特段の問題はない。
図３（Ｃ）で示すように第２絶縁体層１０５は、第１配線１０３の配置に合わせて、そ
の領域に開口部が形成されるようにスクリーン印刷法を用いて形成する。アクリル樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、非芳香族多官能性イソシアナート、
メラミン樹脂を添加したものなど有機絶縁体材料が適用され、０．１〜３μm程度の厚さ
で形成する。また、このような開口部を有する第２絶縁体材料の形状は、スピン塗布法な
どで全面に絶縁体層を形成した後に、写真蝕刻法で開口部を形成しても良い。いずれにし
ても、開口部を形成して、そこに有機半導体層を形成することにより、耐水性の低い有機
半導体層を各ＴＦＴ毎に絶縁分離するパターン形成のためのエッチング工程が不要となる
。
図３（Ｄ）は有機半導体層１０６a、１０６ｂを形成するものであり、印刷法、スプレ
ー法、スピン塗布法、インクジェット法などで開口部に合わせて形成する。図示するよう
な形態は、第２絶縁体層の開口部を充填するように有機半導体層を形成した後、表面を研
磨して開口部に有機半導体層を残存せしめるダマシン法を用いても良い。
図３（Ｅ）では、第２配線１０７ａ、１０７ｂ及び第３配線１０８ａ、１０８ｂを第１
配線と同様に導電性ペーストを用いて形成している。第２配線及び第３配線は一部を有機
半導体層１０６ａ、１０６ｂと重ねて形成し、ソース及びドレインとしての機能を持たせ
る。
図４（Ａ）における第３絶縁体層１０９は第３配線１０８ａ、１０８ｂ上に開口部を有
する形態で他の絶縁体層と同様にスクリーン印刷法で形成する。所定のパターンに形成し
た後は、レベリング及び乾燥をした後、１００〜２００℃で硬化させ１〜５μmの厚さを
得る。その後、導電性ペーストを印刷して画素電極１１０ａ、１１０ｂを形成する。画素
電極は透光性で有る必要はなく、導電性カーボンペースト、導電性銀ペースト、導電性銅
ペースト、導電性ニッケルなどを用いて形成する。
その後、図４（Ｂ）では画素電極１１０ａ、１１０ｂの周辺部を覆い、画素電極上に丁
度開口部があるように第４絶縁体層１１１を形成する。第４絶縁体層１１１は各画素領域
を区分するもので隔壁層としての機能を有する。用いる絶縁体材料及び形成方法は他の絶
縁体層と同様で良いが、カーボンブラックや黒色の顔料を分散させておくと良い。隣接す
る画素をこのように区分することで、クロストークを無くし、液晶表示装置などでもある
ようにブラックストライプとしての機能を付加して画像を鮮明にすることができる。開口
部の面積は適宜決定すれば良いが、電子インクのマイクロカプセルが各画素電極毎に一つ
又は複数個入る面積とするものであり、例えば１００×４００μmとすると良い。
図４（Ｃ）で示すように、電子インク層３０２はロールコーター法や印刷法、又はスプ
レー法などで形成する。そして、図１であるようにその上にバリア層２０２、透明導電膜
を用いた共通電極２０３が形成されたプラスチック基板２０１を固着する。共通電極２０
３の電位は一定として、画素電極に接続するＴＦＴのスイッチング動作により正又は負の
電圧が印加されると、電子インク層のマイクロカプセル３０１はそれに反応して、負又は
正に帯電した着色粒子が一方の側に偏析して画像表示を実現する。有機半導体層で形成し
たＴＦＴの駆動能力にもよるが、映像信号はＴＡＢやＣＯＧを使って配設したドライバ回
路を介して各画素に入力すれば良い。
図５はこのような本発明に表示装置の構成を説明するものであり、プラスチック基板１
０１に有機半導体層で形成されたＴＦＴ５０４とそれに接続するコントラスト媒体５０５
との組み合わせで一単位の画素５０３が構成され、このような画素をマトリクス状に配列
させて画素部５０２が形成される。ドライバＩＣ５０８はＴＡＢ５０６、５０７で実装さ
れている。
ＴＡＢ５０６、５０７の接続はプラスチック基板１０１の有機半導体層や電子インク層
が形成されていない裏側から行うことができる。走査線側のＴＡＢ５０７と信号線側のＴ
ＡＢ５０８では接続箇所が若干異なるが、その詳細は図６と図７で示されている。
図６は走査線側に接続するＴＡＢ５０７の接続を示す図であり、ＴＡＢ５０７は異方性
導電性接着剤３０４によりゲート配線１０３と接続している。接続においては、プラスチ
ック基板１０１とバリア層１０２とに開口部３００を形成し走査線を形成する第１配線１
０３を露出させている。一方、図７で示すように、信号線に接続するＴＡＢ５０６は、異
方性導電性接着剤３０４により信号線を形成する第２配線１０７と接続している。接続に
おいては、プラスチック基板１０１、バリア層１０２、第１絶縁体層１０４、第２絶縁体
層１０５とに開口部３００を形成し第２配線１０７を露出させている。開口部３００はレ
ーザー加工により形成可能であり、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーなどを用いることができる。開
口部は図示するように各配線の表面が露出するように形成するのが最も好ましいが、選択
加工が困難な場合にはプラスチック基板１０１、２０１を貫通させてしまっても良い。こ
の場合、開口部を形成する位置に接着性の樹脂で形成されるシールパターン３０３を重畳
させておくことで気密性は保たれ電子インク層３０２に影響を与えることはない。
以上のように、印刷法やロールコーター法を主体として作製される本発明の表示装置は
、適用する基板に可撓性を有するプラスチック基板を用いることで、その生産性を飛躍的
に向上させることができる。即ち、シート状であり長尺に巻かれた基板を用いることで、
ロールツーロール工法とも呼ばれる基板が連続的に送り出され、且つ各工程順に連続して
処理が成される生産手段を適用することができる。
この場合の生産工程は、窒酸化アルミニウム又は窒化シリコンなどを用いることで真空
プロセスが必要となるバリア層を形成する工程と、有機半導体層や第１乃至第４絶縁体層
など大気圧で印刷法により形成可能な工程とに区分されることになる。尤も、バリア層の
形成において、大気圧プラズマＣＶＤ技術などを採用すれば、全てを大気圧下で行うこと
も可能である。
図８はロールツーロール工法により、可撓性長尺基板に連続的に被膜形成可能なスパッ
タリング装置の構成を示している。成膜室８０１内部には、可撓性長尺基板が巻かれたロ
ール巻８０２、８０３が備えられ、連動して回転することにより一方から他方に可撓性長
尺基板が送り出される。被膜の形成は排気手段８０９により成膜室８０１内を減圧にし、
ガス供給手段８１０によりスパッタガスを供給し、ターゲット８０４、８１４に直流又は
交流の電力を電源８０６、８１６から供給してグロー放電を形成することにより成される
。ターゲット８０４、８１４は冷媒を供給する冷却手段８０８により冷やされ、基板の加
熱が必要な場合には加熱手段８０５、８１５を用いる。
ターゲット８０４、８１４は形成する被膜に応じて適宜選択すれば良い。窒酸化アルミ
ニウム膜を形成する場合には、窒化アルミニウムをターゲットとしてアルゴン、窒素、酸
素の混合ガスをスパッタガスとして形成すると良い。窒化シリコン膜を形成するには、シ
リコンをターゲットとして窒素をスパッタガスに用いて形成すると良い。
図１で示すようにプラスチック基板２０１にバリア層２０２と共通電極２０３を積層さ
せるには、窒化アルミニウムのターゲットと酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）のターゲッ
トを併設して連続形成することも可能である。
有機半導体層や第１乃至第４絶縁体層を形成し、ＴＦＴや電子インク層を形成する工程
は図９に示されている。バリア層が形成されたプラスチック基板はロール巻９０１から連
続的に供給され、又はステップ・バイ・ステップ方式で間欠的に送り出される。以降の工
程は、スクリーン印刷装置９０２と焼成装置９０３による第１配線印刷及び焼成、第１絶
縁体印刷及び焼成、第２絶縁体印刷及び焼成、有機半導体印刷及び焼成、第２及び再３配
線印刷及び焼成、第３絶縁体印刷及び焼成、画素電極印刷及び焼成、第４絶縁体印刷及び
焼成、コントラスト媒体塗布の順に行う。さらに、バリア層と共通電極が形成されたプラ
スチック基板がロール巻９０５から連続的に供給され、コントラスト媒体まで塗布された
基板と貼り合わせ手段により固着され、端子部加工工程は、レーザー加工装置９０７によ
り行う。
このような工程により長尺の基板に複数の画素部が連続的に形成される。最後の分断工
程では切断装置９０８により、各画素部単位で分断することにより、本発明の表示装置の
基本的構成部位９０９を得る。また、画素部が形成された長尺の基板をボビン（又はリー
ル）に巻き取り、その後再びボビン（又はリール）から送り出した後、各画素部単位で繰
り出しても良い。その後ドライバＩＣを実装すれば良い。
利便性向上の観点からは、１枚のパネルに情報を視覚的に表示する画素部と、各種情報
を送受信する通信機能と、情報を記憶又は加工するコンピュータ機能など全てを集積する
システム・オン・パネルの思想がある。一方、本発明の表示装置のように軽量、薄型、可
撓性、及び耐脆性を兼ね備えているものは、表示機能に特化した利用形態も可能である。
図１１は携帯電話装置と組み合わせて利用する一例を示している。携帯電話装置は、本
体６０１、筐体６０２、表示部６０３、音声入力部６０４、音声出力部６０５、操作キー
６０６、赤外線通信手段６０７、アンテナ６０８等を含んでいる。表示装置は筐体に入っ
ていても良く、本体６１０、画像を表示する画素部６１１、ドライバＩＣ６１２、受信装
置６１３、フィルムバッテリー６１４などを含んでいる。ドライバＩＣや受信装置などは
半導体部品を用い実装する。この場合、情報処理機能は携帯電話装置を利用することで、
表示装置の負荷は軽減される。一方、本発明の表示装置により大画面の表示媒体を自由に
持ち運びすることができる。
またその他にも、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディ
オコンポ等）、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュ
ータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）に加え、冷蔵庫装置、洗濯機、炊飯
器、固定電話装置、真空掃除機、体温計など家庭電化製品から、電車内の吊し広告、鉄道
駅や空港の発着案内版など大面積のインフォメーションディスプレイまで、主に静止画像
を表示する手段として用いることができる。
以上のように本発明における好適な実施の形態について特に示したが、本発明の趣旨及
びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者
であれば容易に理解されるものである。

Claims (4)

  1. 第１のプラスチック基板と、
    前記第１のプラスチック基板上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上の、トランジスタのチャネル部を有する半導体層と、
    前記半導体層上の第２配線と、
    前記半導体層上の第３配線と、
    前記第２配線及び前記第３配線上に設けられ、前記第３配線と電気的に接続する画素電極と、
    前記画素電極上のマイクロカプセルを含む層と、
    前記マイクロカプセルを含む層上に設けられた共通電極と、
    前記共通電極上に設けられた第２のプラスチック基板と、
    異方性導電性接着剤を介して前記トランジスタと電気的に接続された配線基板と、を有し、
    前記配線基板は、前記第１のプラスチック基板及び前記第２のプラスチック基板と重ならず、且つ前記異方性導電性接着剤と重なる領域を有することを特徴とする表示装置。
  2. 第１のプラスチック基板と、
    前記第１のプラスチック基板上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上の、トランジスタのチャネル部を有する半導体層と、
    前記半導体層上の第２配線と、
    前記半導体層上の第３配線と、
    前記第２配線及び前記第３配線上に設けられ、前記第３配線と電気的に接続する画素電極と、
    前記画素電極上のマイクロカプセルを含む層と、
    前記マイクロカプセルを含む層上に設けられた共通電極と、
    前記共通電極上に設けられた第２のプラスチック基板と、
    異方性導電性接着剤を介して前記トランジスタと電気的に接続された配線基板と、
    バッテリーと、を有し、
    前記配線基板は、前記第１のプラスチック基板及び前記第２のプラスチック基板と重ならず、且つ前記異方性導電性接着剤と重なる領域を有することを特徴とする表示装置。
  3. 第１のプラスチック基板と、
    前記第１のプラスチック基板上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上の、トランジスタのチャネル部を有する半導体層と、
    前記半導体層上の第２配線と、
    前記半導体層上の第３配線と、
    前記第２配線及び前記第３配線上に設けられ、前記第３配線と電気的に接続する画素電極と、
    前記画素電極上のマイクロカプセルを含む層と、
    前記マイクロカプセルを含む層上に設けられた共通電極と、
    前記共通電極上に設けられた第２のプラスチック基板と、
    異方性導電性接着剤を介して前記トランジスタと電気的に接続された配線基板と、を有し、
    前記配線基板は、前記第１のプラスチック基板及び前記第２のプラスチック基板と重ならず、且つ前記異方性導電性接着剤と重なる領域を有し、
    前記半導体層は、前記第２配線と接する第１の領域と、前記第３配線と接する第２の領域と、前記ゲート電極と重なる第３の領域とを有し、
    前記半導体層において、前記第３の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、且つ前記第２の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする表示装置。
  4. 第１のプラスチック基板と、
    前記第１のプラスチック基板上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上の、トランジスタのチャネル部を有する半導体層と、
    前記半導体層上の第２配線と、
    前記半導体層上の第３配線と、
    前記第２配線及び前記第３配線上に設けられ、前記第３配線と電気的に接続する画素電極と、
    前記画素電極上のマイクロカプセルを含む層と、
    前記マイクロカプセルを含む層上に設けられた共通電極と、
    前記共通電極上に設けられた第２のプラスチック基板と、
    異方性導電性接着剤を介して前記トランジスタと電気的に接続された配線基板と、
    バッテリーと、を有し、
    前記配線基板は、前記第１のプラスチック基板及び前記第２のプラスチック基板と重ならず、且つ前記異方性導電性接着剤と重なる領域を有し、
    前記半導体層は、前記第２配線と接する第１の領域と、前記第３配線と接する第２の領域と、前記ゲート電極と重なる第３の領域とを有し、
    前記半導体層において、前記第３の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、且つ前記第２の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする表示装置。
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JP2009236818A Expired - Fee Related JP5412228B2 (ja) 2002-03-14 2009-10-14 電気泳動表示装置
JP2010115962A Expired - Fee Related JP5581113B2 (ja) 2002-03-14 2010-05-20 電気泳動表示装置
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US (9) US6885146B2 (ja)
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CN (2) CN101097391B (ja)
TW (1) TWI289717B (ja)

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4841751B2 (ja) 2001-06-01 2011-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 有機半導体装置及びその作製方法
US6885146B2 (en) 2002-03-14 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising substrates, contrast medium and barrier layers between contrast medium and each of substrates
US20040174335A1 (en) * 2003-03-03 2004-09-09 Lee Wang Driver control scheme for electronic-ink display
KR100973811B1 (ko) * 2003-08-28 2010-08-03 삼성전자주식회사 유기 반도체를 사용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법
JP4627140B2 (ja) * 2003-10-17 2011-02-09 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
US7554121B2 (en) * 2003-12-26 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor device
KR101000455B1 (ko) * 2004-01-15 2010-12-13 삼성전자주식회사 구동 칩 및 이를 갖는 표시장치
JP4100351B2 (ja) * 2004-02-09 2008-06-11 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
US7388572B2 (en) * 2004-02-27 2008-06-17 E Ink Corporation Backplanes for electro-optic displays
WO2005098927A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Konica Minolta Holdings, Inc. Ｔｆｔシートおよびその製造方法
US20050253803A1 (en) * 2004-05-13 2005-11-17 Xerox Corporation Electric paper display with a thin film transistor active matrix and integrated addressing logic
KR100544144B1 (ko) * 2004-05-22 2006-01-23 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치
KR20050112878A (ko) * 2004-05-28 2005-12-01 삼성전자주식회사 전기 영동 표시 장치
CN101924124B (zh) 2004-08-31 2012-07-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的生产方法
US7259106B2 (en) * 2004-09-10 2007-08-21 Versatilis Llc Method of making a microelectronic and/or optoelectronic circuitry sheet
KR100603393B1 (ko) 2004-11-10 2006-07-20 삼성에스디아이 주식회사 유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법과 유기 박막트랜지스터를 구비한 유기전계 발광표시장치
US20060232578A1 (en) * 2004-12-21 2006-10-19 Silviu Reinhorn Collapsible portable display
US20060234784A1 (en) * 2004-12-21 2006-10-19 Silviu Reinhorn Collapsible portable display
KR101133759B1 (ko) 2004-12-28 2012-04-09 삼성전자주식회사 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
EP1693894B1 (de) * 2005-02-21 2010-12-01 Gigaset Communications GmbH Aktiv-Matrix-Struktur für eine Anzeigevorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
WO2006116032A2 (en) 2005-04-21 2006-11-02 Ndsu Research Foundation Radiation curable polymer films having improved laser ablation properties and radiation curable sensitizers therefor
KR101148500B1 (ko) * 2005-06-28 2012-05-23 엘지디스플레이 주식회사 전기영동 표시장치 및 그 제조방법
TWI429327B (zh) 2005-06-30 2014-03-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置、顯示裝置、及電子設備
KR100846251B1 (ko) * 2005-08-01 2008-07-16 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 컬러 전자 종이 표시 장치
TWI485681B (zh) * 2005-08-12 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置
EP1998373A3 (en) 2005-09-29 2012-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
KR20070040145A (ko) * 2005-10-11 2007-04-16 삼성전자주식회사 가요성 표시 장치용 표시판 및 그 제조 방법
TWI301554B (en) * 2005-11-16 2008-10-01 Prime View Int Co Ltd Electronic ink display device
KR20070053060A (ko) * 2005-11-19 2007-05-23 삼성전자주식회사 표시장치와 이의 제조방법
JP5167624B2 (ja) * 2005-12-28 2013-03-21 セイコーエプソン株式会社 電気泳動表示装置及び電子機器
CN1991557B (zh) * 2005-12-28 2012-06-20 精工爱普生株式会社 电泳显示装置
US8138075B1 (en) 2006-02-06 2012-03-20 Eberlein Dietmar C Systems and methods for the manufacture of flat panel devices
TW200732808A (en) * 2006-02-24 2007-09-01 Prime View Int Co Ltd Thin film transistor array substrate and electronic ink display device
US8173519B2 (en) 2006-03-03 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101244898B1 (ko) * 2006-06-28 2013-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101261605B1 (ko) 2006-07-12 2013-05-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101328628B1 (ko) 2006-07-28 2013-11-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101272331B1 (ko) * 2006-08-18 2013-06-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
TW200811569A (en) * 2006-08-21 2008-03-01 Prime View Int Co Ltd E-ink display panel
KR101295096B1 (ko) * 2006-10-04 2013-08-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 구비한 전기영동 표시장치
KR101328879B1 (ko) * 2006-12-12 2013-11-13 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블기판 및 이를 구비한 플렉서블 표시장치
US20080204197A1 (en) * 2007-02-23 2008-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory carrier and method for driving the same
US20080218470A1 (en) * 2007-03-09 2008-09-11 Citizen Electronics Co., Ltd. Display apparatus
KR101415560B1 (ko) * 2007-03-30 2014-07-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP5371341B2 (ja) * 2007-09-21 2013-12-18 株式会社半導体エネルギー研究所 電気泳動方式の表示装置
US8083956B2 (en) * 2007-10-11 2011-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
GB2453766A (en) * 2007-10-18 2009-04-22 Novalia Ltd Method of fabricating an electronic device
US7754542B2 (en) * 2007-12-19 2010-07-13 Palo Alto Research Center Incorporated Printed TFT array
JP4586863B2 (ja) * 2008-02-25 2010-11-24 セイコーエプソン株式会社 電気泳動表示装置及び電子機器
US7732265B2 (en) * 2008-06-03 2010-06-08 Toppan Printing Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same and film formation apparatus
TWI400509B (zh) * 2008-06-13 2013-07-01 Prime View Int Co Ltd 可撓性顯示模組及其製作方法
JP5358324B2 (ja) * 2008-07-10 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 電子ペーパー
TWI403950B (zh) * 2008-12-03 2013-08-01 Chi Hsin Electronics Corp 觸控式電子紙顯示裝置及其製造方法
CN101752387B (zh) * 2008-12-16 2012-02-29 京东方科技集团股份有限公司 电子纸、电子纸薄膜晶体管基板及其制造方法
CN101782706B (zh) * 2009-01-15 2012-06-20 元太科技工业股份有限公司 电泳显示器的制造方法
CN101806983B (zh) * 2009-02-16 2014-07-23 元太科技工业股份有限公司 可挠式彩色显示介质模块的制造方法
KR101906751B1 (ko) 2009-03-12 2018-10-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
TWI556323B (zh) * 2009-03-13 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法
CN104133314B (zh) * 2009-05-02 2019-07-12 株式会社半导体能源研究所 显示设备
KR102575653B1 (ko) 2009-05-02 2023-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2010140539A1 (en) * 2009-06-05 2010-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same
CN101932210A (zh) * 2009-06-25 2010-12-29 深圳富泰宏精密工业有限公司 壳体及应用该壳体的电子装置
TWI418280B (zh) * 2009-07-03 2013-12-01 Fih Hong Kong Ltd 殼體及應用該殼體的電子裝置
US8576209B2 (en) 2009-07-07 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5759686B2 (ja) 2009-08-06 2015-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9136286B2 (en) * 2009-08-07 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and electronic book
US20110080334A1 (en) * 2009-10-01 2011-04-07 Jong-Souk Yeo Visual image display apparatuses and methods
KR101820972B1 (ko) 2009-10-09 2018-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102317763B1 (ko) 2009-11-06 2021-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR101963300B1 (ko) 2009-12-04 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011093151A1 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the same
TWI451371B (zh) * 2010-05-21 2014-09-01 Au Optronics Corp 顯示裝置
JP6126775B2 (ja) 2010-06-25 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TWI423492B (zh) * 2010-12-03 2014-01-11 Univ Nat Taiwan Science Tech 有機薄膜電晶體及其製造方法
TWI420672B (zh) * 2011-06-13 2013-12-21 Au Optronics Corp 主動元件及具有此主動元件的電泳顯示器
KR20130021703A (ko) * 2011-08-23 2013-03-06 삼성디스플레이 주식회사 전기 습윤 표시 장치
CN103376609B (zh) * 2012-04-25 2016-07-13 蔡熊光 反射式视觉接口装置
US9981457B2 (en) 2013-09-18 2018-05-29 Semiconductor Emergy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus of stack
CN103941514B (zh) * 2013-12-18 2017-08-04 天马微电子股份有限公司 一种电泳显示面板及其制造方法、电泳显示装置
JP6636736B2 (ja) * 2014-07-18 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、電子機器の作製方法、及び発光装置
US10290267B2 (en) * 2015-04-15 2019-05-14 Microsoft Technology Licensing, Llc Fabrication of a display comprising autonomous pixels
US9847351B2 (en) * 2016-01-26 2017-12-19 United Microelectronics Corp. Semiconductor device and method for fabricating the same
KR102554183B1 (ko) 2016-07-29 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
TWI753868B (zh) 2016-08-05 2022-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 剝離方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
TWI730017B (zh) 2016-08-09 2021-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
KR102425705B1 (ko) 2016-08-31 2022-07-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US10923350B2 (en) 2016-08-31 2021-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US10369664B2 (en) 2016-09-23 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR102642016B1 (ko) * 2016-11-29 2024-02-28 엘지디스플레이 주식회사 반사 영역을 포함하는 디스플레이 장치
CN106997120B (zh) * 2017-06-07 2019-09-24 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、显示装置及驱动方法
CN107768386B (zh) * 2017-11-16 2020-09-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板及其制作方法以及液晶显示面板
CN109859624B (zh) * 2017-11-30 2021-04-20 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制备方法及显示屏
WO2020097462A1 (en) * 2018-11-09 2020-05-14 E Ink Corporation Electro-optic displays
CN109946900A (zh) * 2019-04-26 2019-06-28 苏州汉朗光电有限公司 电子墨水显示模组及其制造方法
CN111952321B (zh) * 2019-05-17 2024-06-11 元太科技工业股份有限公司 显示装置及阵列结构
TWI751416B (zh) * 2019-05-17 2022-01-01 元太科技工業股份有限公司 顯示裝置及薄膜電晶體陣列基板
CN111030220A (zh) * 2019-12-16 2020-04-17 珠海格力电器股份有限公司 一种电器设备显示装置及电器设备控制方法
KR20220014442A (ko) * 2020-07-27 2022-02-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
US20240241421A1 (en) * 2021-05-05 2024-07-18 Halion Displays Inc. Electrophoretic display devices
CN113406836A (zh) * 2021-06-24 2021-09-17 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备、壳体组件以及膜材
WO2023027779A1 (en) * 2021-08-26 2023-03-02 Flexterra, Inc. Electrowetting on demand system with organic transistors

Family Cites Families (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3885196A (en) 1972-11-30 1975-05-20 Us Army Pocketable direct current electroluminescent display device addressed by MOS or MNOS circuitry
JPS62237592A (ja) 1986-04-08 1987-10-17 Casio Comput Co Ltd Ｉｃカ−ドにおけるクロツク切換方式
JPS6486117A (en) * 1987-09-29 1989-03-30 Nippon Mektron Kk Electrophoretic display device
JPH01200645A (ja) * 1988-02-05 1989-08-11 Seiko Epson Corp 分子装置の素子分離法
JPH0755541Y2 (ja) * 1988-08-18 1995-12-20 旭硝子株式会社 電気光学装置及び調光装置
US5340968A (en) 1991-05-07 1994-08-23 Nippondenso Company, Ltd. Information storage medium with electronic and visual areas
JPH05183019A (ja) 1991-12-27 1993-07-23 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2651972B2 (ja) * 1992-03-04 1997-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶電気光学装置
US6720576B1 (en) 1992-09-11 2004-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing method and photoelectric conversion device
JPH06275803A (ja) * 1993-03-18 1994-09-30 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
US5567550A (en) 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
JP2938308B2 (ja) * 1993-05-27 1999-08-23 シャープ株式会社 液晶表示素子
US5629783A (en) * 1993-10-05 1997-05-13 Casio Computer Co., Ltd. Active matrix polymer dispersed liquid crystal display device with flourescent film
JP3246189B2 (ja) 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5574291A (en) 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
JPH08179284A (ja) 1994-12-21 1996-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネル及び液晶パネルの製造方法及び投射装置
JP2900229B2 (ja) 1994-12-27 1999-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法および電気光学装置
JPH08271932A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Toshiba Corp 液晶表示装置
US6124851A (en) 1995-07-20 2000-09-26 E Ink Corporation Electronic book with multiple page displays
US6262706B1 (en) 1995-07-20 2001-07-17 E Ink Corporation Retroreflective electrophoretic displays and materials for making the same
US7106296B1 (en) 1995-07-20 2006-09-12 E Ink Corporation Electronic book with multiple page displays
US6120839A (en) 1995-07-20 2000-09-19 E Ink Corporation Electro-osmotic displays and materials for making the same
US6120588A (en) 1996-07-19 2000-09-19 E Ink Corporation Electronically addressable microencapsulated ink and display thereof
US6118426A (en) 1995-07-20 2000-09-12 E Ink Corporation Transducers and indicators having printed displays
US6017584A (en) 1995-07-20 2000-01-25 E Ink Corporation Multi-color electrophoretic displays and materials for making the same
US7079305B2 (en) 2001-03-19 2006-07-18 E Ink Corporation Electrophoretic medium and process for the production thereof
US6326640B1 (en) 1996-01-29 2001-12-04 Motorola, Inc. Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility
JP4204649B2 (ja) 1996-02-05 2009-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH1054999A (ja) * 1996-06-04 1998-02-24 Canon Inc 表示装置とその製造法
US5986729A (en) 1996-07-10 1999-11-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JPH1062737A (ja) 1996-08-21 1998-03-06 Fuji Xerox Co Ltd 液晶マイクロカプセル、液晶表示記録材料、熱可逆性表示記録媒体及び画像記録方法
JP3655406B2 (ja) * 1996-09-17 2005-06-02 シチズン時計株式会社 液晶表示装置
US5998803A (en) * 1997-05-29 1999-12-07 The Trustees Of Princeton University Organic light emitting device containing a hole injection enhancement layer
JP3361029B2 (ja) * 1997-03-19 2003-01-07 株式会社東芝 表示装置
US5946551A (en) 1997-03-25 1999-08-31 Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric
US5796121A (en) * 1997-03-25 1998-08-18 International Business Machines Corporation Thin film transistors fabricated on plastic substrates
US6252564B1 (en) 1997-08-28 2001-06-26 E Ink Corporation Tiled displays
US6067185A (en) 1997-08-28 2000-05-23 E Ink Corporation Process for creating an encapsulated electrophoretic display
US6232950B1 (en) 1997-08-28 2001-05-15 E Ink Corporation Rear electrode structures for displays
US6177921B1 (en) 1997-08-28 2001-01-23 E Ink Corporation Printable electrode structures for displays
JP3830238B2 (ja) * 1997-08-29 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型装置
US6009777A (en) 1997-11-13 2000-01-04 Jarvis; Jack D. Socket wrench and ratchet attachment means
US6013538A (en) 1997-11-24 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Method of fabricating and patterning OLEDs
US6910297B1 (en) 1997-12-12 2005-06-28 Gary L. Sitton Composite fish hook having improved strength and penetration capability
NO306529B1 (no) 1998-01-16 1999-11-15 Opticom As Transistor
US6416964B2 (en) 1998-01-29 2002-07-09 Merck & Co., Inc. Methods of identifying modulators of kinases responsive to stress
DE69917441T2 (de) 1998-03-18 2004-09-23 E-Ink Corp., Cambridge Elektrophoretische anzeige
JP4664501B2 (ja) * 1998-04-10 2011-04-06 イー インク コーポレイション 有機系電界効果トランジスタを用いる電子ディスプレイ
DE69940112D1 (de) 1998-04-27 2009-01-29 E Ink Corp Als lichtverschluss arbeitende mikroverkapselte elektrophoretische bildanzeige
EP1078331A2 (en) 1998-05-12 2001-02-28 E-Ink Corporation Microencapsulated electrophoretic electrostatically-addressed media for drawing device applications
WO1999066540A2 (en) 1998-06-19 1999-12-23 Thin Film Electronics Asa An integrated inorganic/organic complementary thin-film transistor circuit and a method for its production
EP1095354B1 (en) 1998-07-08 2002-11-27 E Ink Corporation Method and apparatus for sensing the state of an electrophoretic display
EP0984492A3 (en) * 1998-08-31 2000-05-17 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising organic resin and process for producing semiconductor device
JP4061734B2 (ja) * 1998-09-30 2008-03-19 ブラザー工業株式会社 表示媒体の表示方法及び表示装置
WO2000020921A1 (en) 1998-10-07 2000-04-13 E Ink Corporation Capsules for electrophoretic displays and methods for making the same
US6506438B2 (en) * 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6312304B1 (en) * 1998-12-15 2001-11-06 E Ink Corporation Assembly of microencapsulated electronic displays
US6207472B1 (en) 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
JP2000269504A (ja) 1999-03-16 2000-09-29 Hitachi Ltd 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置
US6842657B1 (en) * 1999-04-09 2005-01-11 E Ink Corporation Reactive formation of dielectric layers and protection of organic layers in organic semiconductor device fabrication
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
JP2000298292A (ja) 1999-04-13 2000-10-24 Sony Corp 表示装置
US6531997B1 (en) * 1999-04-30 2003-03-11 E Ink Corporation Methods for addressing electrophoretic displays
US6504524B1 (en) 2000-03-08 2003-01-07 E Ink Corporation Addressing methods for displays having zero time-average field
JP3466964B2 (ja) * 1999-06-09 2003-11-17 キヤノン株式会社 表示装置
US6876476B1 (en) * 1999-05-18 2005-04-05 Canon Kabushiki Kaisha Display device and process for production thereof
KR100326443B1 (ko) 1999-05-31 2002-02-28 김순택 액정표시장치용 플라스틱 기판과 이를 포함하는 액정표시장치
JP2001007341A (ja) * 1999-06-25 2001-01-12 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
AU5779200A (en) * 1999-07-01 2001-01-22 E-Ink Corporation Electrophoretic medium provided with spacers
TW459275B (en) * 1999-07-06 2001-10-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of fabricating the same
JP3918371B2 (ja) 1999-07-19 2007-05-23 富士ゼロックス株式会社 カラーフィルタ、表示素子、表示方法、および表示装置
KR20010026069A (ko) 1999-09-02 2001-04-06 남기석 실리콘질화물(질화실리콘)을 이용한 계면의 변형에 의한
JP4236346B2 (ja) 1999-09-07 2009-03-11 株式会社リコー 書き込み装置
JP2001133815A (ja) * 1999-11-02 2001-05-18 Canon Inc 表示装置
JP2001147446A (ja) 1999-11-19 2001-05-29 Hitachi Ltd 液晶表示装置とその製造方法
US6930818B1 (en) * 2000-03-03 2005-08-16 Sipix Imaging, Inc. Electrophoretic display and novel process for its manufacture
JP2001244467A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Hitachi Ltd コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
KR100816197B1 (ko) * 2000-03-22 2008-03-21 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 표시장치의 제조장치 및 이를 이용한 유기전기발광 표시장치의 제조방법
ATE438927T1 (de) * 2000-04-18 2009-08-15 E Ink Corp Prozess zur herstellung von dünnfilmtransistoren
JP2001305992A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示素子用光学基板とその製造方法、及びそれを用いた液晶表示素子とその製造方法
JP2001305993A (ja) * 2000-04-24 2001-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示素子用光学基板の製造方法、及びそれを用いた液晶表示素子とその製造方法
CN1197044C (zh) * 2000-05-26 2005-04-13 精工爱普生株式会社 显示装置及显示装置的驱动方法
JP4006925B2 (ja) 2000-05-30 2007-11-14 セイコーエプソン株式会社 電気泳動表示装置の製造方法
JP2001343665A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示装置
GB0013473D0 (en) 2000-06-03 2000-07-26 Univ Liverpool A method of electronic component fabrication and an electronic component
US6696370B2 (en) 2000-06-16 2004-02-24 The Penn State Research Foundation Aqueous-based photolithography on organic materials
JP4399962B2 (ja) * 2000-07-06 2010-01-20 Ｔｄｋ株式会社 電気泳動表示装置及びその製造方法
US20020060321A1 (en) * 2000-07-14 2002-05-23 Kazlas Peter T. Minimally- patterned, thin-film semiconductor devices for display applications
JP2002040472A (ja) 2000-07-31 2002-02-06 Seiko Epson Corp 液晶装置の製造方法および液晶装置と電子機器
JP2002057491A (ja) * 2000-08-10 2002-02-22 Tokai Rubber Ind Ltd 電磁波シールド板
US7289101B1 (en) * 2000-08-17 2007-10-30 Copytele, Inc. Multi-color electrophoretic image display
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
WO2002045061A2 (en) 2000-11-29 2002-06-06 E Ink Corporation Addressing circuitry for large electronic displays
JP3925080B2 (ja) * 2000-12-01 2007-06-06 セイコーエプソン株式会社 電子ブック、それに用いる電子ペーパの製造方法
US20020092558A1 (en) 2001-01-18 2002-07-18 Kim Seong Bae Integrated thin film cell and fabrication method thereof
TW556044B (en) * 2001-02-15 2003-10-01 Sipix Imaging Inc Process for roll-to-roll manufacture of a display by synchronized photolithographic exposure on a substrate web
US7439096B2 (en) 2001-02-21 2008-10-21 Lucent Technologies Inc. Semiconductor device encapsulation
US6452207B1 (en) 2001-03-30 2002-09-17 Lucent Technologies Inc. Organic semiconductor devices
JP4643903B2 (ja) 2001-04-06 2011-03-02 ヴァレンス テクノロジー インコーポレーテッド ナトリウムイオンバッテリ
US7026643B2 (en) 2001-05-04 2006-04-11 International Business Machines Corporation Organic n-channel semiconductor device of N,N' 3,4,9,10 perylene tetracarboxylic diimide
EP1393122B1 (en) 2001-05-15 2018-03-28 E Ink Corporation Electrophoretic particles
JP4841751B2 (ja) 2001-06-01 2011-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 有機半導体装置及びその作製方法
US6831769B2 (en) * 2001-07-09 2004-12-14 E Ink Corporation Electro-optic display and lamination adhesive
TW539928B (en) * 2001-08-20 2003-07-01 Sipix Imaging Inc An improved transflective electrophoretic display
TWI308231B (en) * 2001-08-28 2009-04-01 Sipix Imaging Inc Electrophoretic display
US6433359B1 (en) * 2001-09-06 2002-08-13 3M Innovative Properties Company Surface modifying layers for organic thin film transistors
CN100378551C (zh) * 2001-10-22 2008-04-02 三星电子株式会社 液晶显示器及其制造方法
US6770904B2 (en) * 2002-01-11 2004-08-03 Xerox Corporation Polythiophenes and electronic devices generated therefrom
US20030132924A1 (en) * 2002-01-16 2003-07-17 Hamilton Robert S. E-paper labels on recordable/removable media with optical data link and optical power supply
US6885146B2 (en) * 2002-03-14 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising substrates, contrast medium and barrier layers between contrast medium and each of substrates
JP2004170903A (ja) * 2002-10-31 2004-06-17 Canon Inc 電気泳動表示装置

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