KR20100084149A - 전자 페이퍼 표시장치의 제조방법 - Google Patents

전자 페이퍼 표시장치의 제조방법 Download PDF

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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

이용자에 대하여 취급의 편리성을 갖게 하는 표시장치를 제공하는데는, 유리 등의 무른 재료나 스테인레스 등 금속제로 무겁고 가요성이 나쁜 재료를 기판에 사용하는 것은 적합하지 않다. 본 발명은 상기의 문제점을 해결하는 것으로, 생산성이 뛰어나고, 가볍고, 가요성을 갖는 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 게이트 전극에 맞춰서 배치된 절연체층의 개구부에 채널부를 형성하는 활성층이 유기 반도체재료로 형성된 TFT와, 그 TFT에 접속하는 전극상에 전계의 인가에 의해 반사율이 변화되는 콘트라스트 매체, 혹은 전계의 인가에 의해 반사율이 변화되는 대전입자를 내장한 마이크로 캡슐이 구비된 화소부를 가지고, 화소부가 플라스틱 기판에 끼워져 형성되고, 플라스틱 기판과 화소부의 사이에는 무기절연체재료로 이루어진 장벽층을 설치한다.

Description

전자 페이퍼 표시장치의 제조방법{METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRONIC PAPER DISPLAY DEVICE}
본 발명은 전계의 인가에 의해 반사율이 변화하는 콘트라스트 매체를 사용한 전자 페이터 표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 유기 수지 필름기판에 박막트랜지스터(이하, TFT라고 칭함)와 해당 매체를 조합하여 형성되는 전자 페이퍼 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
음극 선관을 사용하는 수단과 달리, 평판면상에 화면을 형성한 표시장치는, 개략적으로 이차원적으로 배열된 화소에 전기적인 신호를 주고, 액정의 전기광학적인 성질이나, 전계발광 매체의 발광성을 이용함으로써, 명암 또는 농담을 주어 화상을 표시하는 것이다. 이 종류의 표시장치로, 새로운 표시매체로서, 마이크로 캡슐에 충전된 전기영동재료를 사용한 표시장치에도 관심이 모아지고 있다.
이 전자적으로 어드레스 가능한 마이크로 캡슐화된 콘트라스트 매체는, 전자 잉크라고도 불리고 있다. 도 10에 나타낸 바와 같이, 전자 잉크란, 직경 약 80μm 정도의 마이크로 캡슐(706)을 만들어, 그 속에 투명한 액체와, 정(+)으로 대전한 흰 미립자(701)와 부(-)로 대전한 검은 미립자(702)를 봉입하고 있다. 마이크로 캡슐(706)에 전계를 주면, 흰 미립자(701)와, 검은 미립자(702)가 반대의 방향으로 이동한다. 도 10에 나타낸 바와 같이 대향전극(투명전극)(703)과 화소전극(704, 705)의 사이에 정 또는 부의 전계를 걸면 표면에 흰색 또는 검은색의 미립자가 나타나, 흰색 또는 검은색을 표시한다. 이 전자 잉크 및 대향전극(투명전극)은, 인쇄법에 의해 막형성이 가능하며, 회로기판 상에 전자 잉크를 인쇄하여 표시장치를 형성할 수 있다.
전자 잉크를 사용한 표시장치는, 액정표시장치에 비하여 소비전력이 작다는 장점이 있다. 그것은 반사율이 30% 전후이고, 반사형 액정 몇 배의 반사율을 가지고 있기 때문이다. 반사형 액정은 반사율이 낮기 때문에, 태양광 아래 등 빛이 강한 장소에서는 유리하지만, 빛이 약한 장소에서는 프론트라이트 등의 보조조명이 필요하게 된다. 한편, 전자 잉크를 사용한 표시장치에서는 반사율이 높기 때문에 프론트라이트는 불필요하다. 프론트라이트에서는 수백 mW의 전력을 필요로 하지만, 이 전력은 불필요하게 된다. 또한, 액정은 직류구동을 계속하면 열화현상을 일으켜버리는 문제점이 있어 교류반전구동이 필요하지만, 반전주파수가 낮으면 깜박임이 시인되어, 사용자에게 불쾌감을 주기 때문에 통상은 60∼100Hz에서 교류반전구동을 하고 있다. 전자 잉크를 사용한 표시장치에서는, 액정과 마찬가지로 교류반전구동을 할 필요가 없기 때문에, 60Hz에서 매회 기록을 할 필요도 없다. 이상의 두 가지 점에 의해서 저소비전력화가 가능하게 된다.
이러한 전자 잉크에 관해서는, 예를 들면, 비결정질 실리콘(a-Si) TFT를 사용한 전기영동표시장치에 관한 보고가「12.1 "SVGA Microencapsulated Electrophoretic Active Matrix Display for Information Appliances, SID01 DIGEST p152-155.」나, 「A Conformable Electronic Ink Display using a Foil-Based a­Si TFT Array, SID01 DIGEST p157-159.」에 보고되어져 있다.
이상과 같은 전자 잉크를 사용한 표시장치는, 원리 자체는 간단하고 액정표시장치와 마찬가지로 조명수단이 필요하지 않아 전자페이퍼로 칭하고, 종래의 신문이나 책 등의 종이를 매체로 한 정보전달 또는 기록수단의 대체품으로서 보급이 검토되고 있다.
전자 페이퍼를 널리 사회에 보급시키기 위해서는, 신문의 지면과 같이 접어갤 수 있는 대면적 표시매체를 종이에 문자나 사진을 인쇄하는 것처럼, 고속 그리고 대량으로 염가로 공급하는 수단이 필요하게 된다. 그러나, 무기 반도체층을 사용한 TFT에서는, 제조기술이 확립되어 안정적으로 생산하는 것이 가능하지만, 종래의 반도체 프로세스와 마찬가지로 진공을 이용하여 활성층으로 되는 반도체층이나 배선 및 전극을 형성하는 금속막을 형성하여, 사진식각공정에 의해 패턴형성을 할 필요가 있었다.
또한, 이용자에 대하여 취급의 편리성을 갖게 하기 위해서는, 유리 등의 무른 재료나 스테인레스 등 금속제이고 무겁고 가요성이 나쁜 재료를 기판에 사용하는 것은 적합하지 않다. 스테인레스나 알루미늄 등의 박판을 기판이라고 하면, 어드 정도의 가요성은 확보되지만, 소성 변형에 의해 판면의 평탄성도 확보하는 것은 어렵다.
본 발명은 상기 문제점을 감안한 것으로, 생산성이 뛰어나고, 가볍고, 가요성을 갖는 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 구성은, 게이트 전극에 맞춰서 배치된 절연체층의 개구부에 채널부를 형성하는 활성층이 유기반도체재료로 형성된 TFT와, 그 TFT에 접속하는 전극상에 전계의 인가에 의해 반사율이 변화되는 콘트라스트 매체, 혹은 전계의 인가에 의해 반사율이 변화하는 대전입자를 포함한 마이크로 캡슐이 구비된 화소부를 갖고, 이 화소부가 플라스틱 기판에 끼워져 형성되어, 플라스틱 기판과 화소부와의 사이에는 무기절연체 재료로 이루어진 장벽층이 설치된 것이다.
또한, 다른 구성은, 게이트 전극에 맞춰서 배치된 절연체층의 개구부에 채널부를 형성하는 활성층이 유기반도체재료로 형성된 TFT와, TFT에 접속하는 전극상에, 전계의 인가에 의해 반사율이 변화되는 콘트라스트 매체, 혹은 전계의 인가에 의해 반사율이 변화하는 대전입자를 포함한 마이크로 캡슐이 화소전극의 주변부를 덮는 절연재료로 형성된 격벽층으로 둘러싸여 배치된 화소부를 갖고, 이 화소부가 플라스틱 기판에 끼워져 형성되어, 플라스틱 기판과 화소부와의 사이에는 무기절연체 재료로 이루어진 장벽층이 설치된 것이다.
또한, 또 다른 구성은, 게이트 전극에 맞춰서 배치된 절연체층의 개구부에 채널부를 형성하는 활성층이 유기반도체재료로 형성된 TFT와, TFT에 접속하는 전극상에, 전계의 인가에 의해 반사율이 변화되는 콘트라스트 매체, 혹은 전계의 인가에 의해 반사율이 변화하는 대전입자를 포함한 마이크로 캡슐을 구비한 화소부를 갖고, 이 화소부가 기판에 끼워져 형성되어, 그 기판과 화소부와의 사이에는 무기절연체 재료로 이루어진 장벽층이 설치된 것이다.
또한, 다른 구성은, 게이트 전극에 맞춰서 배치된 절연체층의 개구부에 채널부를 형성하는 활성층이 유기반도체재료로 형성된 TFT와, TFT에 접속하는 전극상에, 전계의 인가에 의해 반사율이 변화되는 콘트라스트 매체, 혹은 전계의 인가에 의해 반사율이 변화하는 대전입자를 포함한 마이크로 캡슐이 화소전극의 주변부를 덮는 절연재료로 형성된 격벽층으로 둘러싸여 배치된 화소부를 갖고, 이 화소부가 기판에 끼워져 형성되어, 그 기판과 화소부와의 사이에는 무기절연체 재료로 이루어진 장벽층이 설치된 것이다.
상기 발명의 구성에 있어서, 플라스틱 기판이 가요성을 가지고, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 폴리카보네이트(PC) 또는 폴리이미드를 적용할 수 있다. 이 기판들은, 가시광역에서 투명하며, 그 실용적인 두께로서 10∼200μm으로 하는 것으로 가요성을 갖게 하는 것이 가능하며, 가볍고 내충격성에 뛰어난 표시장치를 제공할 수 있다.
또한, 플라스틱 기판상에 형성하는 장벽층은 AlOxNl-x(단, x=0.01∼0.2) 또는, 고주파 스퍼터링법으로 형성된 수소를 포함하지 않은 질화실리콘으로 형성하는 것이 바람직하다. 이것들의 무기절연재료는 외부환경으로부터 침입하는 수증기나 유기물 가스의 장벽층으로 되어, 표시장치를 구성하는 유기반도체재료나 전계의 인가에 의해 반사율이 변화되는 콘트라스트 매체 또는 전계의 인가에 의해 반사율이 변화하는 대전입자를 포함한 마이크로 캡슐이 수증기나 유기물 가스에 의해 열화하는 것을 막을 수 있다.
화소에 설치한 TFT는, 비결정질 실리콘으로 대표되는 무기반도체재료를 사용할 수도 있지만, 증기상 성장법 등의 진공기술을 쓰지 않고 종이에 문자나 사진을 인쇄하는 것처럼 대면적의 표시매체를 대량으로 염가에 공급할 수 있는 인쇄법으로 형성가능한 유기반도체재료를 사용한다. 물론, 반도체층만이 아니고, 게이트 전극 등의 전도체층, 게이트절연막 등의 절연층도 유기 화합물재료를 사용하는 것으로, 그 목적은 달성된다.
이러한 구성을 가지는 본 발명의 표시장치는, 스퍼터링에 의해 제 1 플라스틱 기판 상에 무기절연체 재료를 포함한 장벽층을 형성하는 제 1 공정과, 장벽층상에 패턴형으로 형성한 도전성 페이스트를 사용하여 게이트 전극을 형성하는 제 2 공정과, 게이트 전극 상에 제 1 절연층을 형성하는 제 3 공정과, 게이트절연막 상에 게이트 전극의 배치에 대응하는 개구부가 형성된 제 2 절연층을 형성하는 제 4 공정과, 해당 개구부에 유기 반도체층을 형성하는 제 5 공정과, 유기 반도체층과 접속하도록 패턴형으로 형성한 도전성 페이스트를 사용하여 소스 및 드레인전극을 형성하는 제 6 공정과, 소스전극 또는 드레인전극 중 한쪽 위에 개구부가 형성된 제 3 절연층을 형성하는 제 7 공정과, 소스 및 드레인전극과 접속하는 화소전극을 패턴형으로 형성한 도전성 페이스트를 사용하여 형성하는 제 8 공정과, 화소전극의 단부를 덮는 개구부가 형성된 제 4 절연층을 형성하는 제 9 공정과, 해당 개구부에 대전입자를 포함한 마이크로 캡슐을 포함하는 수지층을 형성하는 제 10 공정과, 스퍼터링에 의해 무기절연체 재료를 사용하여 장벽층과 투명전극이 형성된 제 2 플라스틱 기판을 수지층 상에 고착하는 제 11 공정의 각 공정을 거쳐서 제조된다. 여기서, 제 1 절연층은 게이트 절연막으로서 기능하기도 한다.
상기 공정에서, 특히 제 2 내지 제 9 공정은 스크린 인쇄법에 의해 형성하는 것으로, 증기상 성장법 등의 진공기술이나 사진식각기술을 사용하지 않고, 종이에 문자나 사진을 인쇄하는 것처럼 대면적의 표시매체를 대량으로 염가에 공급할 수 있다. 그리고, 가요성이며 긴 플라스틱 기판을 연속적으로 공급함으로써, 제 2 내지 제 11 공정을 연속적으로 처리를 할 수 있어, 매우 높은 생산성을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명에 의해 생산성이 뛰어나고, 가볍고, 가요성을 갖는 표시장치를 염가에 제공하는 것이 가능해진다.
본 발명에 의해 생산성이 뛰어나고, 가볍고, 가요성을 가지는 표시장치를 얻을 수 있다. 특히, 장벽층을 생략하는 모든 것을 유기 화합물재료로 형성함으로써 경량이면서 가요성을 가지는 표시장치를 실현할 수 있다. 또한, 생산 기술의 관점에서는, 스크린 인쇄법 등을 사용함으로써, 기상성장법 등의 진공기술이나 사진식각기술을 사용하지 않고, 종이에 문자나 사진을 인쇄하는 것과 같이 신문의 지면정도의 표시매체를 대량으로 염가에 공급할 수 있다.
도 1은 본 발명의 표시장치의 화소부를 상세하게 설명하는 종단면도,
도 2는 본 발명의 표시장치의 화소부를 상세하게 설명하는 평면도,
도 3은 본 발명의 표시장치의 제조공정을 설명하는 종단면도,
도 4는 본 발명의 표시장치의 제조공정을 설명하는 종단면도,
도 5는 본 발명에 표시장치의 구성을 설명하는 평면도,
도 6은 본 발명의 표시장치에서, 단자부에서의 TAB와의 접속구조를 설명하는 도면,
도 7은 본 발명의 표시장치에서, 단자부에서의 TAB와의 접속구조를 설명하는 도면,
도 8은 긴 가요성 기판에 연속적으로 피막형성 가능한 스퍼터링장치의 구성을 나타낸 도면,
도 9는 기판이 연속적으로 보내지고, 또한 각 공정순차로 연속하여 처리가 이루어진 생산수단을 사용하여 본 발명의 표시장치를 제조하는 공정을 설명하는 도면,
도 10은 전자 잉크의 구성 및 그 원리를 설명하는 도면,
도 11은 본 발명의 표시장치의 이용형태로서, 휴대전화장치와 조합한 일례를 설명하는 도면.
본 발명의 실시예에 관해서 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 본 발명에 따른 표시장치는, 전계의 인가에 의해 반사율이 변화하는 콘트라스트 매체 또는 전계의 인가에 의해 반사율이 변화하는 대전입자를 포함한 마이크로 캡슐로 이루어진 전자 잉크를 각 화소마다 구비하여, 각각의 화소에 인가하는 전계를 제어하는 TFT가 구비된 화소부를 가지는 것이다. TFT는 채널부를 형성하기 위한 반도체가 유기반도체재료로 형성되는 것으로, 그것을 섬 형상으로 분리형성하기 위한 구조 및 제조방법에 특징을 가지고 있다. 그리고, 이러한 구성의 화소부는 플라스틱 기판에 끼워지 도록 형성되어 있다.
도 1은 화소부의 구조를 설명하는 종단면도이고, 도 2는 평면도를 나타내고 있다. 플라스틱 기판(101, 102)의 사이에 유기 반도체층(106a, 106b)을 사용한 유기 TFT와, 각 유기 TFT에 접속하는 화소전극(110a, 110b)과, 그것에 대향하는 쪽의 공통전극(203)으로 끼워져, 대전입자를 포함한 마이크로 캡슐(301)이 배치되어 있다. 그리고, 도 1에 나타낸 종단면도는, 도 2에 나타낸 A-A'선에 대응하는 것이다.
플라스틱 기판(101, 102)은 적어도 한쪽은 투광성을 가지는 것으로, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드 등에서 선택된다. 바람직하게는 가요성을 가지며, 그 실용적인 두께는 10∼200μm 이다. 물론, 이것보다 두껍게 하여도 되고 본 발명의 구성에 본질적으로 영향을 미치게 하는 것이 아니다.
이 플라스틱 기판(101, 201)의 표면에는 무기절연체 재료로 장벽층(102, 202)이 10∼200nm의 두께로 형성되어 있다. 이것은 AlOxN1-x(단, x=0.01∼0.2) 또는, 고주파 스퍼터링법으로 실리콘을 타켓으로 하여, 질소를 스퍼터링가스로서 형성되는 수소를 포함하지 않은 질화실리콘으로 이루어진 1층 또는 복수의 층으로 이루어진 적층구조를 가진다. 이 무기절연재료는 조밀하게 형성하여, 외부환경으로부터 침입하는 수증기나 유기물 가스의 장벽층으로 기능한다. 장벽층을 형성하는 목적은, 유기반도체재료나 전계의 인가에 의해 반사율이 변화하는 콘트라스트 매체 혹은 전계의 인가에 의해 반사율이 변화하는 대전입자를 포함한 마이크로 캡슐이 수증기나 유기물 가스에 의해 열화하는 것을 막기 위함이다.
*TFT의 게이트 전극을 형성하는 제 1 배선(103)은, 알루미늄, 크롬 등 공지의 금속재료이어도 되지만, 도전성 페이스트를 사용하여 스크린 인쇄법이나 롤 코터(roll-coater)법으로 형성하여도 된다. 또한, 게이트절연막으로서 사용하는 제 1 절연층(104), 제 2 절연층(105), 제 3 절연층(109)은, 아크릴수지, 폴리이미드수지, 폴리아미드수지, 페녹시수지, 비방향족 다관능성 이소시아네이트, 멜라민수지를 첨가한 것으로 형성한다. 그리고, 게이트절연막은 유기절연체재료로 반드시 한정되지 않고, 도포법으로 형성되는 실리콘산화막(SOG:Spin on Glass)이나 스퍼터링법으로 형성하는 산화실리콘막을 사용하여도 된다.
제 2 절연층(105)에 있어서 게이트 전극에 대응하여 설치되는 개구부는, 거기에 유기 반도체층을 형성하기 위해서 있다. 유기 반도체층은 인쇄법, 스프레이법, 스핀도포법, 잉크젯법 등으로 형성한다. 본 발명에 사용하는 유기반도체재료로서는, 그 골격이 공역이중결합으로 구성되는 π전자공역계의 고분자재료가 바람직하다. 구체적으로는, 폴리티오펜, 폴리(3-알킬티오펜), 폴리티오펜유도체 등의 가용성의 고분자재료를 사용할 수 있다.
그 외에도 본 발명에 사용할 수 있는 유기반도체재료로서는, 가용성 전구체를 형성한 후에 처리함으로써 유기 반도체층을 형성할 수 있는 재료가 있다. 이러한 전구체를 경유하는 유기반도체재료로서는, 폴리티에닐렌비닐렌(polythienylene vinylene), 폴리(2, 5-티에닐렌비닐렌), 폴리아세틸렌, 폴리아세틸렌 유도체, 폴리아리렌비닐렌(polyallylene vinylene) 등이 있다.
전구체를 유기반도체로 변환할 때는, 가열처리만이 아니라 염화수소가스 등의 반응촉매를 첨가하는 것이 이루어진다. 또, 이러한 처리가 필요한 경우에는 전극 등의 부식의 문제가 생기지만, 본 발명에 나타낸 유기 TFT의 구조의 경우에는 그와 같은 문제를 걱정할 필요는 없다. 또한, 이것들의 가용성 유기반도체재료를 용해시키는 대표적인 용매로서는, 톨루엔, 크실렌, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 아니솔, 클로로폼(chloroform), 디클로로메탄, γ-부틸라크톤(butylcellosolve), 부틸셀로솔브, 시클로헥산, NMP(N-메틸-2-피롤리돈(pyrrolidone)), 시클로헥사논, 2-부타논, 디옥산, 디메틸포름아미드(DMF) 또는, THF(테트라하이드로후란)등을 적용할 수 있다.
제 2 배선(107a, 107b) 및 제 3 배선(108a, 108b)은, 각각 유기 반도체층과 접촉하여 TFT에서의 소스 전극과 드레인 전극으로서 가능시킨다. 이들 배선을 형성하는 재료로서는, 많은 유기 반도체재료가 전하를 수송하는 재료가 캐리어로서 정공을 수송하는 p형 반도체이기 때문에, 그 반도체층과 오믹접촉을 취하기 위해 일함수가 큰 금속을 사용하는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 금이나 백금, 크롬, 팔라듐, 알루미늄, 인듐, 니켈 등의 금속 또는 합금 등이 바람직하다. 제 2 배선(107a, 107b) 및 제 3 배선(108a, 108b)은 이들 금속 또는 합금재료를 사용한 도전성 페이스트를 사용하여 인쇄법이나 롤코터법으로 형성한다. 또한, 화소전극(110a, 110b)도 마찬가지로 제 3 절연층(109)상에 형성한다.
제 4 절연층은 화소전극(110a, 110b)의 단부를 덮도록 형성하고, 인접하는 화소를 구분하는 격벽층이다. 전자 잉크층(302)은 산포법, 스핀 도포법, 인쇄법, 롤코터법 등 습식 코팅법으로 형성하고, 제 4 절연층의 개구부, 즉 격벽층 사이에 충전하도록 형성한다. 또한, 전자 잉크층상에는, 플라스틱 기판(201)상에 무기 절연체재료로 형성되는 장벽층(202), 산화인듐주석, 산화아연 등의 투명도전막(203)이 형성되어 있고, 이것을 고착한다.
전자 잉크층(302)에 포함되는 마이크로 캡슐(301)은, 정(+)으로 대전한 소정 색의 입자와, 부(-)로 대전한 다른 색의 입자를 포함하고, 캡슐내에 포함되는 용매중에 분산되어 존재하고 있다. 그리고, 화소전극이 부여하는 전계에 의해 소정 색 또는 다른 색에 입자가 일 방향으로 분리하여 콘트라스트를 화소마다 바꿈으로써 화상을 표시한다.
이러한 전자 잉크층에서 콘트라스트를 변화시켜 화상을 표시하는 본 발명의 표시장치의 제조공정은, 도 3과 도 4에서 설명되어 있다.
도 3a에 있어서, 플라스틱 기판(101)상에 고주파 스퍼터링법으로 질산화알루미늄(AlOxN1-x:x=0.01∼0.2) 또는 질화실리콘으로 이루어진 장벽층(102)을 형성한다. 질산화 알루미늄은, 질화알루미늄을 타겟으로 해서, 아르곤 이외에 산소 및 질소를 적절히 혼합시킨 스퍼터링가스를 사용하여 형성하고, 산소의 혼합비를 적절히 설정하여 질산화 알루미늄막에서의 산소함유량을 0.01∼20atomic%로 한다. 질화실리콘은, 실리콘을 타겟으로 하고, 질소만을 스퍼터링가스로 하여 형성한다. 이들 무기절연층은 장벽층으로서 알맞은 치밀한 무기절연층을 형성할 수 있다. 그 두께는 10∼100nm 정도라고 하면, 수증기나 유기가스 등의 가스 장벽성을 갖게 할 수 있다.
그 위에 형성하는 제 1 배선(103)은, TFT 게이트 전극으로 하는 것이고, 도전성 페이스트를 사용하여 형성한다. 도전성 페이스트로서는, 도전성 카본 페이스트, 도전성 은 페이스트, 도전성 구리 페이스트, 도전성 니켈 등을 사용하고, 스크린 인쇄법 또는 롤코터법으로 소정의 패턴으로 형성한다. 도전성 페이스트로 소정의 패턴에 형성한 후는, 평탄화(leveling), 건조 후, 100∼200℃로 경화시켜 1∼5μm의 두께를 얻는다.
도 3b는 게이트 절연막으로 하는 제 1 절연층(104)을 형성하는 공정이며, 롤코터법이나 스프레이법 등으로 아크릴수지, 폴리이미드수지, 페녹시수지, 비방향족 다관능성 이소시아네트, 멜라민수지를 첨가한 유기절연체재료로 형성해도 되고, 도포법으로 형성된 실리콘 산화막(SOG:Spin on Glass)이나 스퍼터링법으로 형성하는 산화실리콘막을 사용해도 된다. 게이트전압을 고려하면 100∼200nm 정도로 형성하는 것이 바람직하지만, 그것보다 두꺼워도 별다른 문제는 없다.
도 3c에 나타낸 바와 같이, 제 2 절연층(105)은, 제 1 배선(103)의 배치에 맞춰서, 그 영역에 개구부가 형성되도록 스크린 인쇄법을 사용하여 형성한다. 아크릴수지, 폴리이미드수지, 폴리아미드수지, 페녹시수지, 비방향족 다관능성 이소시아네트, 멜라민수지를 첨가한 것 등의 유기절연체재료가 적용되고, 0.1∼3μm 정도의 두께로 형성한다. 또한, 이러한 개구부를 가지는 제 2 절연체재료의 형상은, 스핀도포법 등으로 전체면에 절연층을 형성한 후에, 사진식각법으로 개구부를 형성해도 된다. 어느 쪽이든, 개구부를 형성하여, 거기에 유기 반도체층을 형성함으로써, 내수성이 낮은 유기 반도체층을 각 TFT마다 절연 분리하는 패턴형성을 위한 식각공정이 불필요하게 된다.
도 3d는 유기 반도체층(106a, 106b)을 형성하는 것이고, 인쇄법, 스프레이법, 스핀도포법, 잉크젯법 등으로 개구부에 맞춰서 형성한다. 도시한 것과 같은 형태는, 제 2 절연층의 개구부를 충전하도록 유기 반도체층을 형성한 후, 표면을 연마하여 개구부에 유기 반도체층을 잔존시키는 다마신(damascene)법을 사용해도 된다.
도 3e에서는, 제 2 배선(107a, 107b) 및 제 3 배선(108a, 108b)을 제 1 배선과 마찬가지로 도전성 페이스트를 사용하여 형성하고 있다. 제 2 배선 및 제 3 배선은 일부를 유기 반도체층(106a, 106b)과 겹쳐서 형성하고, 소스 및 드레인으로서의 기능을 갖게 한다.
도 4a에서의 제 3 절연층(109)은, 제 3 배선(108a, 108b)상에 개구부를 갖는 형태로 다른 절연층과 마찬가지로 스크린 인쇄법으로 형성한다. 소정의 패턴으로 형성한 후는, 평탄화 및 건조를 한 후, 100∼200℃로 경화시켜 1∼5μm의 두께를 얻는다. 그 후, 도전성 페이스트를 인쇄하여 화소전극(110a, 110b)을 형성한다. 화소전극은 투광성일 필요는 없고, 도전성 카본 페이스트, 도전성 은 페이스트, 도전성 구리 페이스트, 도전성 니켈 등을 사용하여 형성한다.
그 후, 도 4b에서는 화소전극(110a, 110b)의 주변부를 덮고, 화소전극상에 정확히 개구부가 있도록 제 4 절연층(111)을 형성한다. 제 4 절연층(111)은 각 화소영역을 구분하는 것으로 격벽층으로서의 기능을 가진다. 사용하는 절연체재료 및 형성방법은, 다른 절연층과 마찬가지 방법으로 하여도 되지만, 카본 블랙이나 블랙색으로 되는 안료를 분산시켜 두면 된다. 인접한 화소를 이와 같이 구분함으로써, 누화를 없애고, 액정표시장치 등과 같이 블랙 스트라이프로서의 기능을 부가하여 화상을 선명하게 할 수 있다. 개구부의 면적은 적절히 결정하면 좋지만, 전자 잉크의 마이크로 캡슐이 각 화소전극의 하나 또는 복수 개 들어가는 면적으로 하기 때문에, 예를 들면 100×400μm으로 하여도 된다.
도 4c에 나타낸 바와 같이, 전자 잉크층(302)은 롤코터법이나 인쇄법, 또는 스프레이법 등으로 형성한다. 그리고, 도 1과 같이 그 위에 장벽층(202), 투명도전막을 사용한 공통전극(203)이 형성된 플라스틱 기판(201)을 고착한다. 공통전극(203)의 전위는 일정하게 하여, 화소전극에 접속하는 TFT의 스위칭동작에 의해 정 또는 부의 전압이 인가되면, 전자 잉크층의 마이크로 캡슐(301)은 그것에 반응하여, 부 또는 정으로 대전한 착색입자가 한쪽으로 분리하여 화상표시를 실현한다. 유기 반도체층으로 형성한 TFT의 구동능력에도 의존하지만, 영상신호는 TAB나 COG를 사용하여 배치한 드라이버회로를 통해 각 화소에 입력하여도 된다.
도 5는 이러한 본 발명에 표시장치의 구성을 설명한 것으로, 플라스틱 기판(101)에 유기 반도체층으로 형성된 TFT(504)와, 그것에 접속하는 콘트라스트 매체(505)의 조합으로 하나의 단위의 화소(503)가 구성되고, 이러한 화소를 매트릭스형으로 배열시켜 화소부(502)가 형성된다. 드라이버 IC(508)는 TAB(5O6, 507)로 실장되어 있다.
TAB(506, 507)의 접속은, 플라스틱 기판(101)의 유기 반도체층이나 전자 잉크층이 형성되어 있지 않은 이면에서 행할 수 있다. 주사선측의 TAB(507)와 신호선측의 TAB(508)에서는 접속부분이 약간 다르지만, 그 상세한 것은 도 6과 도 7에 도시되어 있다.
도 6은 주사선측에 접속하는 TAB(507)의 접속을 도시한 도면이고, TAB(507)은 이방성 도전성 접착제(304)에 의해 게이트배선(103)과 접속하고 있다. 접속에 있어서는, 플라스틱 기판(101)과 장벽층(102)과 개구부(300)를 형성하여 주사선을 형성하는 제 1 배선(103)을 노출시키고 있다. 한편, 도 7에 나타낸 바와 같이, 신호선에 접속하는 TAB(506)는, 이방성 도전성 접착제(304)에 의해 신호선을 형성하는 제 2 배선(107)과 접속하고 있다. 접속에 있어서는, 플라스틱 기판(101), 장벽층(102), 제 1 절연층(104), 제 2 절연층(105)과 개구부(300)를 형성하여 제 2배선(107)을 노출시키고 있다. 개구부(300)는 레이저가공에 의해 형성가능하며, Nd:YAG 레이저 등을 사용할 수 있다. 개구부는 도시한 것과 같이 각 배선의 표면이 노출하도록 형성하는 것이 가장 바람직하지만, 선택가공이 곤란한 경우에는 플라스틱 기판(101, 201)을 관통시켜 버려도 된다. 이 경우, 개구부를 형성하는 위치에 접착성의 수지로 형성되는 밀봉(sealing) 패턴(303)을 중첩시켜 놓은 것으로, 기밀성은 유지되고 전자 잉크층(302)에 영향을 주는 것은 없다.
이상과 같이, 인쇄법이나 롤코터법을 주체로 해서 제조되는 본 발명의 표시장치는, 적용하는 기판을 가요성을 가지는 플라스틱 기판을 사용함으로써, 그 생산성을 비약적으로 향상시킬 수 있다. 즉, 시이트형이며 길게 감긴 기판을 사용함으로써, 롤-투-롤(roll-to-roll)공법이라고도 불리는 기판이 연속적으로 보내지고, 또한, 각 공정순서로 연속하여 처리가 이루어진 생산수단을 적용할 수 있다.
이 경우의 생산 공정은, 질산화알루미늄 또는 질화실리콘 등을 사용함으로써 진공프로세스가 필요하게 되는 장벽층을 형성하는 공정과, 유기 반도체층이나 제 1 내지 제 4 절연층 등 대기압으로 인쇄법에 의해 형성가능한 공정으로 구분되게 된다. 무엇보다도 장벽층의 형성에 있어서, 대기압 플라즈마 CVD기술 등을 채용하면, 모든 것을 대기압하에서 행하는 것도 가능하다.
도 8은 롤투롤공법에 의해, 긴 가요성 기판에 연속적으로 피막형성 가능한 스퍼터링장치의 구성을 보이고 있다. 막형성실(801) 내부에는, 긴 가요성 기판이 감긴 롤(roll)(802, 803)이 구비되고, 연동하여 회전함으로써 한 쪽으로부터 다른 쪽으로 긴 가요성 기판이 보내진다. 피막의 형성은 배기수단(809)에 의해 막형성실(801)내를 감압으로 하고, 가스공급수단(810)에 의해 스퍼터링가스를 공급하고, 타깃(804, 814)에 직류 또는 교류의 전력을 전원(806, 816)으로부터 공급하여 글로방전을 형성함에 의해 이루어진다. 타깃(804, 814)은 냉매를 공급하는 냉각수단(808)에 의해 식혀지고, 기판의 가열이 필요한 경우에는 가열수단(805, 806)을 사용한다.
타깃(804, 814)은 형성하는 피막에 따라서 적절히 선택하여도 된다. 질산화 알루미늄막을 형성하는 경우에는, 질화알루미늄을 타깃으로 해서 아르곤, 질소, 산소의 혼합가스를 스퍼터링가스로서 형성하여도 된다. 질화실리콘막을 형성하기 위해서는, 실리콘을 타깃으로 해서 질소를 스퍼터링가스로 사용하여 형성하여도 된다.
도 1에 나타낸 바와 같이 플라스틱 기판(201)에 장벽층(202)과 공통전극(203)을 적층시키기 위해서는, 질화알루미늄의 타깃과 산화인듐주석(ITO)의 타깃을 병설하여 연속적으로 형성할 수도 있다.
유기 반도체층이나 제 1 내지 제 4 절연층을 형성하고, TFT나 전자 잉크층을 형성하는 공정은 도 9에 나타나 있다. 장벽층이 형성된 플라스틱 기판은 롤(901)로부터 연속적으로 공급되고, 또는 스텝 바이 스텝방식으로 간헐적으로 보내진다. 이후의 공정은, 스크린 인쇄장치(902)와 소성장치(903)에 의한 제 1 배선인쇄 및 소성, 제 1 절연체 인쇄 및 소성, 제 2 절연체 인쇄 및 소성, 유기반도체인쇄 및 소성, 제 2 및 제 3 배선인쇄 및 소성, 제 3 절연체 인쇄 및 소성, 화소전극 인쇄 및 소성, 제 4 절연체 인쇄 및 소성, 콘트라스트 매체 도포의 순으로 행한다. 게다가, 장벽층과 공통전극이 형성된 플라스틱 기판이 롤(905)로부터 연속적으로 공급되고, 콘트라스트 매체까지 도포된 기판과 접착 고착되고, 단자부 가공공정은, 레이저가공장치(907)에 의해 행한다.
이와 같은 공정에 의해 긴 기판에 복수의 화소부가 연속적으로 형성된다. 최후의 분단공정에서는 절단장치(908)에 의해, 각 화소부단위로 분단함으로써, 본 발명의 표시장치의 기본적 구성부위(909)를 얻는다. 그 후 드라이버 IC를 실장하여도 된다.
편리성 향상의 관점에서는, 1장의 패널에 정보를 시각적으로 표시하는 화소부와, 각종 정보를 송수신하는 통신기능과, 정보를 기억 또는 가공하는 컴퓨터기능 등 모두를 집적하는 시스템-온-패널의 사상이 있다. 한편, 본 발명의 표시장치와 같이 경량, 박형, 가요성 및 견고성을 겸비하여 구비하고 있는 것은, 표시기능에 특별한 이용형태도 가능하다.
도 11은 휴대전화장치와 조합하여 이용하는 일례를 나타내고 있다. 휴대전화장치는, 본체(601), 케이스(602), 표시부(603), 음성입력부(604), 음성출력부(605), 조작키(606), 적외선 통신수단(607), 안테나(608) 등을 포함하고 있다. 표시장치는 케이스에 들어가 있어도 되고, 본체(610), 화상을 표시하는 화소부(611), 드라이버 IC(612), 수신장치(613), 필름배터리(614) 등을 포함하고 있다. 드라이버 IC나 수신장치 등은 반도체부품을 사용하여 실장한다. 이 경우, 정보처리기능은 휴대전화장치를 이용함으로써, 표시장치의 부하는 경감된다. 한편, 본 발명의 표시장치에 의해 대화면의 표시매체를 자유롭게 운반할 수 있다.
또한 그 외에도, 네비게이션시스템, 음향재생장치(카오디오, 오디오 컴포넌트 스테레오 등), 퍼스널컴퓨터, 게임기기, 휴대정보단말(모바일 컴퓨터, 휴대전화, 휴대형 게임기 또는 전자서적 등)에 더하여, 냉장고장치, 세탁기, 밥솥, 고정전화장치, 진공청소기, 체온계 등 가정 전화제품부터, 전차내의 현수 광고, 철도역이나 공항의 발착 안내판 등 대면적의 정보 디스플레이까지, 주로 정지 화상을 표시하는 수단으로서 사용할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에서의 바람직한 실시예에 관해서 나타냈지만, 본 발명의 취지 및 그 범위로부터 벗어나지 않고, 그 실시예 및 상세 내용을 여러가지로 변경할 수 있는 것은, 당업자라면 용이하게 이해할 수 있는 것이다.
101, 102 : 플라스틱 기판 103 : 제 1 배선
104 : 제 1 절연체층 105 : 제 2 절연체층
106a, 106b : 유기 반도체층 107a, 107b : 제 2 배선
108a, 108b : 제 3 배선 109 : 제 3 절연체층
110a, 110b : 화소전극 111 : 제 4 절연체층
201 : 플라스틱 기판 202 : 장벽층
203 : 공통전극 301 : 마이크로 캡슐
302 : 전자 잉크층

Claims (10)

  1. 기판 위에 화소 전극을 형성하는 단계;
    상기 화소 전극의 단부 위에 설치되며, 인접한 화소를 구분하는 격벽층을 형성하는 단계; 및
    인쇄에 의해 상기 격벽층 및 상기 격벽층의 개구부를 통해 상기 화소전극 위에 전자 잉크층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 페이퍼 표시장치의 제조방법.
  2. 기판 위에 AlOxN1-x(x=0.01∼0.2) 또는 질화실리콘으로 이루어진 장벽층을 형성하는 단계;
    상기 장벽층 위에 화소전극을 형성하는 단계;
    상기 화소 전극의 단부 위에 설치되며, 인접한 화소를 구분하는 격벽층을 형성하는 단계;
    인쇄에 의해 상기 격벽층 및 상기 격벽층의 개구부를 통해 상기 화소전극 위에 전자 잉크층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 페이퍼 표시장치의 제조방법.
  3. 기판 위에 AlOxN1-x(x=0.01∼0.2) 또는 질화실리콘으로 이루어진 장벽층을 형성하는 단계;
    상기 장벽층 위에 화소전극을 형성하는 단계;
    상기 화소 전극의 단부 위에 설치되며, 인접한 화소를 구분하는 격벽층을 형성하는 단계;
    인쇄에 의해 상기 격벽층 및 상기 격벽층의 개구부를 통해 상기 화소전극 위에 전자 잉크층을 형성하는 단계; 및
    상기 전자 잉크층 위에 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 페이퍼 표시장치의 제조방법.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 장벽층은 스퍼터링에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 페이퍼 표시장치의 제조방법.
  5. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 장벽층은 10 내지 100nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 전자 페이퍼 표시장치의 제조방법.
  6. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 장벽층은 진공 처리에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 페이퍼 표시장치의 제조방법.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 격벽층은 절연체 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 페이퍼 표시장치의 제조방법.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 격벽층내에 카본 블랙 및 블랙 안료로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료가 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 페이퍼 표시장치의 제조방법.
  9. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자 잉크층은 정(+)으로 대전한 소정 색의 제 1 입자와 부(-)로 대전한 다른 색의 제 2 입자를 포함하는 마이크로 캡슐을 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 입자는 상기 마이크로 캡슐내에 포함된 솔벤트내에 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 페이퍼 표시장치의 제조방법.
  10. 제 3 항에 있어서,
    상기 공통전극은 투명한 도전성 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 페이퍼 표시장치의 제조방법.

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Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4841751B2 (ja) 2001-06-01 2011-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 有機半導体装置及びその作製方法
US6885146B2 (en) 2002-03-14 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising substrates, contrast medium and barrier layers between contrast medium and each of substrates
US20040174335A1 (en) * 2003-03-03 2004-09-09 Lee Wang Driver control scheme for electronic-ink display
KR100973811B1 (ko) * 2003-08-28 2010-08-03 삼성전자주식회사 유기 반도체를 사용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법
JP4627140B2 (ja) * 2003-10-17 2011-02-09 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
US7554121B2 (en) * 2003-12-26 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor device
KR101000455B1 (ko) * 2004-01-15 2010-12-13 삼성전자주식회사 구동 칩 및 이를 갖는 표시장치
JP4100351B2 (ja) * 2004-02-09 2008-06-11 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
US7388572B2 (en) * 2004-02-27 2008-06-17 E Ink Corporation Backplanes for electro-optic displays
WO2005098927A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Konica Minolta Holdings, Inc. Ｔｆｔシートおよびその製造方法
US20050253803A1 (en) * 2004-05-13 2005-11-17 Xerox Corporation Electric paper display with a thin film transistor active matrix and integrated addressing logic
KR100544144B1 (ko) * 2004-05-22 2006-01-23 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치
KR20050112878A (ko) * 2004-05-28 2005-12-01 삼성전자주식회사 전기 영동 표시 장치
CN101924124B (zh) 2004-08-31 2012-07-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的生产方法
US7259106B2 (en) * 2004-09-10 2007-08-21 Versatilis Llc Method of making a microelectronic and/or optoelectronic circuitry sheet
KR100603393B1 (ko) 2004-11-10 2006-07-20 삼성에스디아이 주식회사 유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법과 유기 박막트랜지스터를 구비한 유기전계 발광표시장치
US20060232578A1 (en) * 2004-12-21 2006-10-19 Silviu Reinhorn Collapsible portable display
US20060234784A1 (en) * 2004-12-21 2006-10-19 Silviu Reinhorn Collapsible portable display
KR101133759B1 (ko) 2004-12-28 2012-04-09 삼성전자주식회사 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
EP1693894B1 (de) * 2005-02-21 2010-12-01 Gigaset Communications GmbH Aktiv-Matrix-Struktur für eine Anzeigevorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
WO2006116032A2 (en) 2005-04-21 2006-11-02 Ndsu Research Foundation Radiation curable polymer films having improved laser ablation properties and radiation curable sensitizers therefor
KR101148500B1 (ko) * 2005-06-28 2012-05-23 엘지디스플레이 주식회사 전기영동 표시장치 및 그 제조방법
TWI429327B (zh) 2005-06-30 2014-03-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置、顯示裝置、及電子設備
KR100846251B1 (ko) * 2005-08-01 2008-07-16 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 컬러 전자 종이 표시 장치
TWI485681B (zh) * 2005-08-12 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置
EP1998373A3 (en) 2005-09-29 2012-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
KR20070040145A (ko) * 2005-10-11 2007-04-16 삼성전자주식회사 가요성 표시 장치용 표시판 및 그 제조 방법
TWI301554B (en) * 2005-11-16 2008-10-01 Prime View Int Co Ltd Electronic ink display device
KR20070053060A (ko) * 2005-11-19 2007-05-23 삼성전자주식회사 표시장치와 이의 제조방법
JP5167624B2 (ja) * 2005-12-28 2013-03-21 セイコーエプソン株式会社 電気泳動表示装置及び電子機器
CN1991557B (zh) * 2005-12-28 2012-06-20 精工爱普生株式会社 电泳显示装置
US8138075B1 (en) 2006-02-06 2012-03-20 Eberlein Dietmar C Systems and methods for the manufacture of flat panel devices
TW200732808A (en) * 2006-02-24 2007-09-01 Prime View Int Co Ltd Thin film transistor array substrate and electronic ink display device
US8173519B2 (en) 2006-03-03 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101244898B1 (ko) * 2006-06-28 2013-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101261605B1 (ko) 2006-07-12 2013-05-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101328628B1 (ko) 2006-07-28 2013-11-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101272331B1 (ko) * 2006-08-18 2013-06-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
TW200811569A (en) * 2006-08-21 2008-03-01 Prime View Int Co Ltd E-ink display panel
KR101295096B1 (ko) * 2006-10-04 2013-08-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 구비한 전기영동 표시장치
KR101328879B1 (ko) * 2006-12-12 2013-11-13 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블기판 및 이를 구비한 플렉서블 표시장치
US20080204197A1 (en) * 2007-02-23 2008-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory carrier and method for driving the same
US20080218470A1 (en) * 2007-03-09 2008-09-11 Citizen Electronics Co., Ltd. Display apparatus
KR101415560B1 (ko) * 2007-03-30 2014-07-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP5371341B2 (ja) * 2007-09-21 2013-12-18 株式会社半導体エネルギー研究所 電気泳動方式の表示装置
US8083956B2 (en) * 2007-10-11 2011-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
GB2453766A (en) * 2007-10-18 2009-04-22 Novalia Ltd Method of fabricating an electronic device
US7754542B2 (en) * 2007-12-19 2010-07-13 Palo Alto Research Center Incorporated Printed TFT array
JP4586863B2 (ja) * 2008-02-25 2010-11-24 セイコーエプソン株式会社 電気泳動表示装置及び電子機器
US7732265B2 (en) * 2008-06-03 2010-06-08 Toppan Printing Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same and film formation apparatus
TWI400509B (zh) * 2008-06-13 2013-07-01 Prime View Int Co Ltd 可撓性顯示模組及其製作方法
JP5358324B2 (ja) * 2008-07-10 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 電子ペーパー
TWI403950B (zh) * 2008-12-03 2013-08-01 Chi Hsin Electronics Corp 觸控式電子紙顯示裝置及其製造方法
CN101752387B (zh) * 2008-12-16 2012-02-29 京东方科技集团股份有限公司 电子纸、电子纸薄膜晶体管基板及其制造方法
CN101782706B (zh) * 2009-01-15 2012-06-20 元太科技工业股份有限公司 电泳显示器的制造方法
CN101806983B (zh) * 2009-02-16 2014-07-23 元太科技工业股份有限公司 可挠式彩色显示介质模块的制造方法
KR101906751B1 (ko) 2009-03-12 2018-10-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
TWI556323B (zh) * 2009-03-13 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法
CN104133314B (zh) * 2009-05-02 2019-07-12 株式会社半导体能源研究所 显示设备
KR102575653B1 (ko) 2009-05-02 2023-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2010140539A1 (en) * 2009-06-05 2010-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same
CN101932210A (zh) * 2009-06-25 2010-12-29 深圳富泰宏精密工业有限公司 壳体及应用该壳体的电子装置
TWI418280B (zh) * 2009-07-03 2013-12-01 Fih Hong Kong Ltd 殼體及應用該殼體的電子裝置
US8576209B2 (en) 2009-07-07 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5759686B2 (ja) 2009-08-06 2015-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9136286B2 (en) * 2009-08-07 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and electronic book
US20110080334A1 (en) * 2009-10-01 2011-04-07 Jong-Souk Yeo Visual image display apparatuses and methods
KR101820972B1 (ko) 2009-10-09 2018-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102317763B1 (ko) 2009-11-06 2021-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR101963300B1 (ko) 2009-12-04 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011093151A1 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the same
TWI451371B (zh) * 2010-05-21 2014-09-01 Au Optronics Corp 顯示裝置
JP6126775B2 (ja) 2010-06-25 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TWI423492B (zh) * 2010-12-03 2014-01-11 Univ Nat Taiwan Science Tech 有機薄膜電晶體及其製造方法
TWI420672B (zh) * 2011-06-13 2013-12-21 Au Optronics Corp 主動元件及具有此主動元件的電泳顯示器
KR20130021703A (ko) * 2011-08-23 2013-03-06 삼성디스플레이 주식회사 전기 습윤 표시 장치
CN103376609B (zh) * 2012-04-25 2016-07-13 蔡熊光 反射式视觉接口装置
US9981457B2 (en) 2013-09-18 2018-05-29 Semiconductor Emergy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus of stack
CN103941514B (zh) * 2013-12-18 2017-08-04 天马微电子股份有限公司 一种电泳显示面板及其制造方法、电泳显示装置
JP6636736B2 (ja) * 2014-07-18 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、電子機器の作製方法、及び発光装置
US10290267B2 (en) * 2015-04-15 2019-05-14 Microsoft Technology Licensing, Llc Fabrication of a display comprising autonomous pixels
US9847351B2 (en) * 2016-01-26 2017-12-19 United Microelectronics Corp. Semiconductor device and method for fabricating the same
KR102554183B1 (ko) 2016-07-29 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
TWI753868B (zh) 2016-08-05 2022-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 剝離方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
TWI730017B (zh) 2016-08-09 2021-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
KR102425705B1 (ko) 2016-08-31 2022-07-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US10923350B2 (en) 2016-08-31 2021-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US10369664B2 (en) 2016-09-23 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR102642016B1 (ko) * 2016-11-29 2024-02-28 엘지디스플레이 주식회사 반사 영역을 포함하는 디스플레이 장치
CN106997120B (zh) * 2017-06-07 2019-09-24 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、显示装置及驱动方法
CN107768386B (zh) * 2017-11-16 2020-09-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板及其制作方法以及液晶显示面板
CN109859624B (zh) * 2017-11-30 2021-04-20 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制备方法及显示屏
WO2020097462A1 (en) * 2018-11-09 2020-05-14 E Ink Corporation Electro-optic displays
CN109946900A (zh) * 2019-04-26 2019-06-28 苏州汉朗光电有限公司 电子墨水显示模组及其制造方法
CN111952321B (zh) * 2019-05-17 2024-06-11 元太科技工业股份有限公司 显示装置及阵列结构
TWI751416B (zh) * 2019-05-17 2022-01-01 元太科技工業股份有限公司 顯示裝置及薄膜電晶體陣列基板
CN111030220A (zh) * 2019-12-16 2020-04-17 珠海格力电器股份有限公司 一种电器设备显示装置及电器设备控制方法
KR20220014442A (ko) * 2020-07-27 2022-02-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
US20240241421A1 (en) * 2021-05-05 2024-07-18 Halion Displays Inc. Electrophoretic display devices
CN113406836A (zh) * 2021-06-24 2021-09-17 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备、壳体组件以及膜材
WO2023027779A1 (en) * 2021-08-26 2023-03-02 Flexterra, Inc. Electrowetting on demand system with organic transistors

Family Cites Families (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3885196A (en) 1972-11-30 1975-05-20 Us Army Pocketable direct current electroluminescent display device addressed by MOS or MNOS circuitry
JPS62237592A (ja) 1986-04-08 1987-10-17 Casio Comput Co Ltd Ｉｃカ−ドにおけるクロツク切換方式
JPS6486117A (en) * 1987-09-29 1989-03-30 Nippon Mektron Kk Electrophoretic display device
JPH01200645A (ja) * 1988-02-05 1989-08-11 Seiko Epson Corp 分子装置の素子分離法
JPH0755541Y2 (ja) * 1988-08-18 1995-12-20 旭硝子株式会社 電気光学装置及び調光装置
US5340968A (en) 1991-05-07 1994-08-23 Nippondenso Company, Ltd. Information storage medium with electronic and visual areas
JPH05183019A (ja) 1991-12-27 1993-07-23 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2651972B2 (ja) * 1992-03-04 1997-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶電気光学装置
US6720576B1 (en) 1992-09-11 2004-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing method and photoelectric conversion device
JPH06275803A (ja) * 1993-03-18 1994-09-30 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
US5567550A (en) 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
JP2938308B2 (ja) * 1993-05-27 1999-08-23 シャープ株式会社 液晶表示素子
US5629783A (en) * 1993-10-05 1997-05-13 Casio Computer Co., Ltd. Active matrix polymer dispersed liquid crystal display device with flourescent film
JP3246189B2 (ja) 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5574291A (en) 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
JPH08179284A (ja) 1994-12-21 1996-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネル及び液晶パネルの製造方法及び投射装置
JP2900229B2 (ja) 1994-12-27 1999-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法および電気光学装置
JPH08271932A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Toshiba Corp 液晶表示装置
US6124851A (en) 1995-07-20 2000-09-26 E Ink Corporation Electronic book with multiple page displays
US6262706B1 (en) 1995-07-20 2001-07-17 E Ink Corporation Retroreflective electrophoretic displays and materials for making the same
US7106296B1 (en) 1995-07-20 2006-09-12 E Ink Corporation Electronic book with multiple page displays
US6120839A (en) 1995-07-20 2000-09-19 E Ink Corporation Electro-osmotic displays and materials for making the same
US6120588A (en) 1996-07-19 2000-09-19 E Ink Corporation Electronically addressable microencapsulated ink and display thereof
US6118426A (en) 1995-07-20 2000-09-12 E Ink Corporation Transducers and indicators having printed displays
US6017584A (en) 1995-07-20 2000-01-25 E Ink Corporation Multi-color electrophoretic displays and materials for making the same
US7079305B2 (en) 2001-03-19 2006-07-18 E Ink Corporation Electrophoretic medium and process for the production thereof
US6326640B1 (en) 1996-01-29 2001-12-04 Motorola, Inc. Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility
JP4204649B2 (ja) 1996-02-05 2009-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH1054999A (ja) * 1996-06-04 1998-02-24 Canon Inc 表示装置とその製造法
US5986729A (en) 1996-07-10 1999-11-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JPH1062737A (ja) 1996-08-21 1998-03-06 Fuji Xerox Co Ltd 液晶マイクロカプセル、液晶表示記録材料、熱可逆性表示記録媒体及び画像記録方法
JP3655406B2 (ja) * 1996-09-17 2005-06-02 シチズン時計株式会社 液晶表示装置
US5998803A (en) * 1997-05-29 1999-12-07 The Trustees Of Princeton University Organic light emitting device containing a hole injection enhancement layer
JP3361029B2 (ja) * 1997-03-19 2003-01-07 株式会社東芝 表示装置
US5946551A (en) 1997-03-25 1999-08-31 Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric
US5796121A (en) * 1997-03-25 1998-08-18 International Business Machines Corporation Thin film transistors fabricated on plastic substrates
US6252564B1 (en) 1997-08-28 2001-06-26 E Ink Corporation Tiled displays
US6067185A (en) 1997-08-28 2000-05-23 E Ink Corporation Process for creating an encapsulated electrophoretic display
US6232950B1 (en) 1997-08-28 2001-05-15 E Ink Corporation Rear electrode structures for displays
US6177921B1 (en) 1997-08-28 2001-01-23 E Ink Corporation Printable electrode structures for displays
JP3830238B2 (ja) * 1997-08-29 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型装置
US6009777A (en) 1997-11-13 2000-01-04 Jarvis; Jack D. Socket wrench and ratchet attachment means
US6013538A (en) 1997-11-24 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Method of fabricating and patterning OLEDs
US6910297B1 (en) 1997-12-12 2005-06-28 Gary L. Sitton Composite fish hook having improved strength and penetration capability
NO306529B1 (no) 1998-01-16 1999-11-15 Opticom As Transistor
US6416964B2 (en) 1998-01-29 2002-07-09 Merck & Co., Inc. Methods of identifying modulators of kinases responsive to stress
DE69917441T2 (de) 1998-03-18 2004-09-23 E-Ink Corp., Cambridge Elektrophoretische anzeige
JP4664501B2 (ja) * 1998-04-10 2011-04-06 イー インク コーポレイション 有機系電界効果トランジスタを用いる電子ディスプレイ
DE69940112D1 (de) 1998-04-27 2009-01-29 E Ink Corp Als lichtverschluss arbeitende mikroverkapselte elektrophoretische bildanzeige
EP1078331A2 (en) 1998-05-12 2001-02-28 E-Ink Corporation Microencapsulated electrophoretic electrostatically-addressed media for drawing device applications
WO1999066540A2 (en) 1998-06-19 1999-12-23 Thin Film Electronics Asa An integrated inorganic/organic complementary thin-film transistor circuit and a method for its production
EP1095354B1 (en) 1998-07-08 2002-11-27 E Ink Corporation Method and apparatus for sensing the state of an electrophoretic display
EP0984492A3 (en) * 1998-08-31 2000-05-17 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising organic resin and process for producing semiconductor device
JP4061734B2 (ja) * 1998-09-30 2008-03-19 ブラザー工業株式会社 表示媒体の表示方法及び表示装置
WO2000020921A1 (en) 1998-10-07 2000-04-13 E Ink Corporation Capsules for electrophoretic displays and methods for making the same
US6506438B2 (en) * 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6312304B1 (en) * 1998-12-15 2001-11-06 E Ink Corporation Assembly of microencapsulated electronic displays
US6207472B1 (en) 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
JP2000269504A (ja) 1999-03-16 2000-09-29 Hitachi Ltd 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置
US6842657B1 (en) * 1999-04-09 2005-01-11 E Ink Corporation Reactive formation of dielectric layers and protection of organic layers in organic semiconductor device fabrication
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
JP2000298292A (ja) 1999-04-13 2000-10-24 Sony Corp 表示装置
US6531997B1 (en) * 1999-04-30 2003-03-11 E Ink Corporation Methods for addressing electrophoretic displays
US6504524B1 (en) 2000-03-08 2003-01-07 E Ink Corporation Addressing methods for displays having zero time-average field
JP3466964B2 (ja) * 1999-06-09 2003-11-17 キヤノン株式会社 表示装置
US6876476B1 (en) * 1999-05-18 2005-04-05 Canon Kabushiki Kaisha Display device and process for production thereof
KR100326443B1 (ko) 1999-05-31 2002-02-28 김순택 액정표시장치용 플라스틱 기판과 이를 포함하는 액정표시장치
JP2001007341A (ja) * 1999-06-25 2001-01-12 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
AU5779200A (en) * 1999-07-01 2001-01-22 E-Ink Corporation Electrophoretic medium provided with spacers
TW459275B (en) * 1999-07-06 2001-10-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of fabricating the same
JP3918371B2 (ja) 1999-07-19 2007-05-23 富士ゼロックス株式会社 カラーフィルタ、表示素子、表示方法、および表示装置
KR20010026069A (ko) 1999-09-02 2001-04-06 남기석 실리콘질화물(질화실리콘)을 이용한 계면의 변형에 의한
JP4236346B2 (ja) 1999-09-07 2009-03-11 株式会社リコー 書き込み装置
JP2001133815A (ja) * 1999-11-02 2001-05-18 Canon Inc 表示装置
JP2001147446A (ja) 1999-11-19 2001-05-29 Hitachi Ltd 液晶表示装置とその製造方法
US6930818B1 (en) * 2000-03-03 2005-08-16 Sipix Imaging, Inc. Electrophoretic display and novel process for its manufacture
JP2001244467A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Hitachi Ltd コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
KR100816197B1 (ko) * 2000-03-22 2008-03-21 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 표시장치의 제조장치 및 이를 이용한 유기전기발광 표시장치의 제조방법
ATE438927T1 (de) * 2000-04-18 2009-08-15 E Ink Corp Prozess zur herstellung von dünnfilmtransistoren
JP2001305992A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示素子用光学基板とその製造方法、及びそれを用いた液晶表示素子とその製造方法
JP2001305993A (ja) * 2000-04-24 2001-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示素子用光学基板の製造方法、及びそれを用いた液晶表示素子とその製造方法
CN1197044C (zh) * 2000-05-26 2005-04-13 精工爱普生株式会社 显示装置及显示装置的驱动方法
JP4006925B2 (ja) 2000-05-30 2007-11-14 セイコーエプソン株式会社 電気泳動表示装置の製造方法
JP2001343665A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示装置
GB0013473D0 (en) 2000-06-03 2000-07-26 Univ Liverpool A method of electronic component fabrication and an electronic component
US6696370B2 (en) 2000-06-16 2004-02-24 The Penn State Research Foundation Aqueous-based photolithography on organic materials
JP4399962B2 (ja) * 2000-07-06 2010-01-20 Ｔｄｋ株式会社 電気泳動表示装置及びその製造方法
US20020060321A1 (en) * 2000-07-14 2002-05-23 Kazlas Peter T. Minimally- patterned, thin-film semiconductor devices for display applications
JP2002040472A (ja) 2000-07-31 2002-02-06 Seiko Epson Corp 液晶装置の製造方法および液晶装置と電子機器
JP2002057491A (ja) * 2000-08-10 2002-02-22 Tokai Rubber Ind Ltd 電磁波シールド板
US7289101B1 (en) * 2000-08-17 2007-10-30 Copytele, Inc. Multi-color electrophoretic image display
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
WO2002045061A2 (en) 2000-11-29 2002-06-06 E Ink Corporation Addressing circuitry for large electronic displays
JP3925080B2 (ja) * 2000-12-01 2007-06-06 セイコーエプソン株式会社 電子ブック、それに用いる電子ペーパの製造方法
US20020092558A1 (en) 2001-01-18 2002-07-18 Kim Seong Bae Integrated thin film cell and fabrication method thereof
TW556044B (en) * 2001-02-15 2003-10-01 Sipix Imaging Inc Process for roll-to-roll manufacture of a display by synchronized photolithographic exposure on a substrate web
US7439096B2 (en) 2001-02-21 2008-10-21 Lucent Technologies Inc. Semiconductor device encapsulation
US6452207B1 (en) 2001-03-30 2002-09-17 Lucent Technologies Inc. Organic semiconductor devices
JP4643903B2 (ja) 2001-04-06 2011-03-02 ヴァレンス テクノロジー インコーポレーテッド ナトリウムイオンバッテリ
US7026643B2 (en) 2001-05-04 2006-04-11 International Business Machines Corporation Organic n-channel semiconductor device of N,N' 3,4,9,10 perylene tetracarboxylic diimide
EP1393122B1 (en) 2001-05-15 2018-03-28 E Ink Corporation Electrophoretic particles
JP4841751B2 (ja) 2001-06-01 2011-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 有機半導体装置及びその作製方法
US6831769B2 (en) * 2001-07-09 2004-12-14 E Ink Corporation Electro-optic display and lamination adhesive
TW539928B (en) * 2001-08-20 2003-07-01 Sipix Imaging Inc An improved transflective electrophoretic display
TWI308231B (en) * 2001-08-28 2009-04-01 Sipix Imaging Inc Electrophoretic display
US6433359B1 (en) * 2001-09-06 2002-08-13 3M Innovative Properties Company Surface modifying layers for organic thin film transistors
CN100378551C (zh) * 2001-10-22 2008-04-02 三星电子株式会社 液晶显示器及其制造方法
US6770904B2 (en) * 2002-01-11 2004-08-03 Xerox Corporation Polythiophenes and electronic devices generated therefrom
US20030132924A1 (en) * 2002-01-16 2003-07-17 Hamilton Robert S. E-paper labels on recordable/removable media with optical data link and optical power supply
US6885146B2 (en) * 2002-03-14 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising substrates, contrast medium and barrier layers between contrast medium and each of substrates
JP2004170903A (ja) * 2002-10-31 2004-06-17 Canon Inc 電気泳動表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6885146B2 (en) 2005-04-26
JP6242929B2 (ja) 2017-12-06
JP2010224565A (ja) 2010-10-07
US20080248609A1 (en) 2008-10-09
JP2013140405A (ja) 2013-07-18
CN101097391A (zh) 2008-01-02
KR20030074472A (ko) 2003-09-19
JP2020106854A (ja) 2020-07-09
US20050189876A1 (en) 2005-09-01
JP2016128937A (ja) 2016-07-14
US10088732B2 (en) 2018-10-02
TWI289717B (en) 2007-11-11
US20170146885A1 (en) 2017-05-25
CN100338523C (zh) 2007-09-19
JP2013057945A (ja) 2013-03-28
JP5412228B2 (ja) 2014-02-12
JP5968477B2 (ja) 2016-08-10
JP5581113B2 (ja) 2014-08-27
US20150370144A1 (en) 2015-12-24
CN1445596A (zh) 2003-10-01
KR20090074718A (ko) 2009-07-07
US8599469B2 (en) 2013-12-03
JP2010009074A (ja) 2010-01-14
TW200304033A (en) 2003-09-16
US20110235162A1 (en) 2011-09-29
CN101097391B (zh) 2012-06-20
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