CN101752387B - 电子纸、电子纸薄膜晶体管基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种电子纸、电子纸薄膜晶体管基板及其制造方法。薄膜晶体管基板包括形成在基板上的栅线、数据线和公共电极线，所述栅线和数据线限定的显示区域内形成有薄膜晶体管和显示电极，所述显示电极与薄膜晶体管的漏电极为一体结构。薄膜晶体管基板制造方法包括：采用普通掩模板通过构图工艺形成包括栅线、栅电极和公共电极线的图形；采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和显示电极的图形，所述显示电极形成在显示区域内并与所述漏电极为一体结构；沉积钝化层。本发明通过将显示电极与薄膜晶体管的漏电极设置成一体结构，简化了薄膜晶体管基板的结构，同时简化了薄膜晶体管基板的制备工艺。

Description

电子纸、电子纸薄膜晶体管基板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种电子纸及其制造方法，特别是一种电子纸、电子纸薄膜晶体管基板及其制造方法。

背景技术

电子纸(Electronic Paper，简称E-Paper)也称数字纸，是将普通纸张显示信息的特点与计算机显示屏的特点相结合的产物。由于现有的印刷制品主要采用纸张实现，随着纸张消费量的迅速增加，对环境造成了很大的破坏。电子纸能够反映纸张的显示特点且能够重复利用，因此不会对环境造成很大的破坏，而且电子纸能够显示动态画面，因而电子纸被认为有望在不久的将来可以取代现有纸质文件。

目前，基于电泳(Electrophoretic)技术的电子纸已从众多显示技术中脱颖而出，成为极具发展潜力的柔性电子显示技术之一。电泳显示被认为是一种双稳态结构，也就是说，电泳中的每个粒子都有且只有两种稳定状态，如果没有外力的话这种稳态是不会改变的，因而能够长久地保持显示状态。电泳显示的优点主要包括具有极低的能耗水平和厚度可以做到与纸张相当。

电泳显示的研究虽然早在70年代就已经开始了，但由于稳定性差、寿命短等问题而曾一度中止研究工作。90年代后，现有技术提出了一种将电泳粒子进行微胶囊化处理的技术方案，解决了电泳粒子的自然凝聚问题，大大提高了电泳显示的稳定性，实现了响应时间50ms、驱动电压15V的微胶囊电子墨水。后来，现有技术又提出了另外一种提高电泳溶液稳定性的手段，即微杯(Micro-Cup)技术。微杯技术通过首先在基板上制作出通过隔离壁相互隔离的格子，然后向格子中注入电泳液，通过格子之间的隔离壁阻隔电泳显示粒子的凝聚，因此提高了电泳显示的稳定性和寿命。由于采用微杯技术的电泳显示器件可以使用卷带式(roll-to-roll)工艺手段制备，因此微杯技术具有加工成本低等特点。

近年来，随着电泳显示研究的深入，应用于电泳显示的薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，简称TFT)基板的研究逐渐得到重视，

但目前现有技术的薄膜晶体管基板主要采用五次掩模(MASK)或四次掩模工艺制备，存在结构复杂、制备工艺流程多、成本较高等缺陷。

发明内容

本发明的目的是提供一种电子纸、电子纸薄膜晶体管基板及其制造方法，具有器件结构简单、制备工艺步骤少、制造成本低等优点。

为了实现上述目的，本发明提供了一种电子纸薄膜晶体管基板，包括形成在基板上的栅线、数据线和公共电极线，所述栅线和数据线限定的显示区域内形成有薄膜晶体管和显示电极，所述显示电极与薄膜晶体管的漏电极为一体结构。

所述薄膜晶体管包括：

栅电极，形成在基板上，且与所述栅线连接；

栅绝缘层，形成在栅线和栅电极上，并覆盖整个基板；

半导体层，形成在栅绝缘层上，并位于栅电极上方；

掺杂半导体层，形成在半导体层上，并位于栅电极上方；

源电极，形成在掺杂半导体层上，一端位于栅电极上方，另一端与所述数据线为一体结构；

漏电极，形成在掺杂半导体层上，一端位于栅电极上方，另一端与所述显示电极连接；

TFT沟道区域，形成在源电极与漏电极之间，源电极与漏电极之间的掺杂半导体层被完全刻蚀掉，露出半导体层；

钝化层，形成在源电极、漏电极和TFT沟道区域上。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种电子纸薄膜晶体管基板制造方法，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括栅线、栅电极和公共电极线的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属薄膜，采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和显示电极的图形，所述显示电极形成在显示区域内，并与所述漏电极为一体结构；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层。

所述步骤2包括：

步骤21、在完成步骤1的基板上，采用等离子体增强化学气相沉积方法依次沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层；

步骤22、在完成步骤21的基板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法沉积源漏金属薄膜；

步骤23、在完成步骤22的基板上涂覆一层光刻胶；

步骤24、采用半色调或灰色调掩模板曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分去除区域和光刻胶完全保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于数据线、源电极、漏电极和显示电极图形所在区域，光刻胶部分去除区域对应于TFT沟道区域图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶部分去除区域的光刻胶厚度变薄，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，暴露出该区域的源漏金属薄膜；

步骤25、采用湿法刻蚀工艺进行第一次刻蚀，依次刻蚀掉光刻胶完全去除区域的源漏金属薄膜、掺杂半导体层和半导体层，形成数据线、源电极、漏电极和显示电极图形，其中所述显示电极形成在显示区域内，并与所述漏电极为一体结构；

步骤26、采用灰化工艺，完全去除光刻胶部分去除区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜；

步骤27、采用干法刻蚀工艺进行第二次刻蚀，完全刻蚀掉光刻胶部分去除区域的源漏金属薄膜和掺杂半导体层，并刻蚀掉部分厚度的半导体层，使该区域露出半导体层，形成TFT沟道区域图形；

步骤28、剥离剩余的光刻胶。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种采用电子纸薄膜晶体管基板的电子纸，包括与所述电子纸薄膜晶体管基板相对设置的透明电极基板，所述透明电极基板上形成有公共电极，所述公共电极上涂覆有微胶囊电子墨水。

为了实现上述目的，本发明还提供了另一种采用电子纸薄膜晶体管基板的电子纸，包括与所述电子纸薄膜晶体管基板相对设置的透明电极基板，所述透明电极基板上形成有公共电极，所述公共电极上制备有封装电泳液的微杯结构。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种采用电子纸薄膜晶体管基板制造方法的电子纸制造方法，还包括制备透明电极基板的步骤，并将所述电子纸薄膜晶体管基板与透明电极基板对盒。

所述制备透明电极基板包括：在基板上形成公共电极，在所述公共电极上涂覆微胶囊电子墨水。

所述制备透明电极基板包括：在基板上形成公共电极，在所述公共电极上制备封装有电泳液的微杯结构。

本发明提供了一种电子纸、电子纸薄膜晶体管基板及其制造方法，通过将显示电极与薄膜晶体管的漏电极设置成一体结构，简化了薄膜晶体管基板的结构，同时简化了薄膜晶体管基板的制备工艺，由于掩模工艺是薄膜晶体管基板制作中成本最高的部分，因此本发明提高了生产工艺效率，降低了生产成本，使用简化的制备工艺即可制备出结构简单的反射式电子纸用薄膜晶体管基板，具有广阔的应用前景。

附图说明

图1为本发明电子纸薄膜晶体管基板的结构示意图；

图2为图1中A-A向的剖视图；

图3为本发明电子纸薄膜晶体管基板第一次构图工艺后的平面图；

图4为图3中B-B向的剖面图；

图5为本发明电子纸薄膜晶体管基板第二次构图工艺中涂覆光刻胶后的结构示意图；

图6为本发明电子纸薄膜晶体管基板第二次构图工艺中曝光显影后的结构示意图；

图7为本发明电子纸薄膜晶体管基板第二次构图工艺中第一次刻蚀后的结构示意图；

图8为本发明电子纸薄膜晶体管基板第二次构图工艺中灰化工艺后的结构示意图；

图9为本发明电子纸薄膜晶体管基板第二次构图工艺中第二次刻蚀后的结构示意图；

图10为本发明电子纸薄膜晶体管基板第二次构图工艺后的结构示意图；

图11为本发明电子纸薄膜晶体管基板制造方法的流程图；

图12为本发明电子纸薄膜晶体管基板制造方法第二次构图工艺的流程图；

图13为本发明电子纸第一实施例的结构示意图；

图14为本发明电子纸第二实施例的结构示意图。

附图标记说明：

1—基板；       2—栅线；      3—栅电极；

4—公共电极线； 5—栅绝缘层；  6—半导体层；

7—掺杂半导体层；   8—源电极；     9—漏电极；

10—数据线；        11—钝化层；    12—源漏金属薄膜；

13—光刻胶；        14—显示电极；  15—公共电极；

16—微胶囊电子墨水；17—微杯结构；  100—薄膜晶体管基板；

200—透明电极基板。

具体实施方式

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

图1为本发明电子纸薄膜晶体管基板的结构示意图，图2为图1中A-A向的剖视图。如图1、图2所示，本发明电子纸薄膜晶体管基板的主体结构包括栅线2、公共电极线4、数据线10、显示电极14和薄膜晶体管，栅线2和数据线10一起限定了显示区域，薄膜晶体管形成在栅线2与数据线10的交叉处，显示电极14形成在显示区域内，用于驱动微胶囊电子墨水，显示电极14与薄膜晶体管的漏电极为一体结构，公共电极线(也称存储电容线)4也形成在显示区域内，位于二条栅线2之间，用于与显示电极14一起构成存储电容。具体地，薄膜晶体管包括栅电极3、栅绝缘层5、有源层(包括半导体层6和掺杂半导体层7)、源电极8、漏电极9、TFT沟道区域和钝化层11，栅电极3形成在基板1上并与栅线2连接；栅绝缘层5形成在栅电极3上并覆盖整个基板1；有源层形成在栅绝缘层5上并位于栅电极3的上方；源电极8的一端位于栅电极3的上方，另一端与数据线10连接，漏电极9的一端位于栅电极3的上方，另一端与形成在显示区域内的显示电极14连接，使漏电极9与显示电极14为一体结构，源电极8与漏电极9之间形成TFT沟道区域；钝化层11形成在TFT沟道区域上并覆盖整个基板1。

图3～图10为本发明电子纸薄膜晶体管基板制备过程的示意图，下面通过电子纸薄膜晶体管基板的制备过程进一步说明本发明的技术方案，在以下说明中，本发明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀、剥离等工艺，其中光刻胶以正性光刻胶为例。

图3为本发明电子纸薄膜晶体管基板第一次构图工艺后的平面图，图4为图3中B-B向的剖面图。采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板1(如玻璃基板或石英基板)上沉积一层栅金属薄膜，栅金属薄膜可以采用AlNu或Mo等金属材料。采用普通掩模板通过构图工艺对栅金属薄膜进行构图，在基板1上形成包括栅线2、栅电极3和公共电极线4的图形，如图3、图4所示。公共电极线4位于相邻的二条栅线2之间，与栅线2平行并位于显示区域的中部，用于与显示电极构成存储电容，形成存储电容在公共电极线上(Cs onCommon)的结构。

图5为本发明电子纸薄膜晶体管基板第二次构图工艺中涂覆光刻胶后的结构示意图，为图1中A-A向的剖面图。在完成上述结构图形的基板上，采用等离子体增强化学气相沉积(简称PECVD)方法，依次沉积栅绝缘层5、半导体层6和掺杂半导体层(欧姆接触层)7，栅绝缘层5可以采用SiNx、SiOx或SiOxNy。然后采用磁控溅射或热蒸发的方法沉积源漏金属薄膜12，源漏金属薄膜12可以采用AlNu或Mo等金属材料。之后，在源漏金属薄膜12上涂覆一层光刻胶13，如图5所示。

图6为本发明电子纸薄膜晶体管基板第二次构图工艺中曝光显影后的结构示意图，为图1中A-A向的剖面图。采用半色调或灰色调掩模板曝光，使光刻胶13形成完全曝光区域G1(光刻胶完全去除区域)、部分曝光区域G2(光刻胶部分去除区域)和未曝光区域G3(光刻胶完全保留区域)，其中未曝光区域G3对应于数据线、源电极、漏电极和显示电极图形所在区域，部分曝光区域对应于TFT沟道区域图形所在区域，完全曝光区域对应于上述图形以外的区域。显影处理后，未曝光区域G3光刻胶的厚度没有变化，部分曝光区域G2光刻胶的厚度变薄，完全曝光区域G1的光刻胶被完全去除，暴露出该区域的源漏金属薄膜12，如图6所示。

图7为本发明电子纸薄膜晶体管基板第二次构图工艺中第一次刻蚀后的结构示意图，为图1中A-A向的剖面图。采用湿法刻蚀工艺对完全曝光区域G1进行第一次刻蚀，依次刻蚀掉完全曝光区域G1的源漏金属薄膜12、掺杂半导体层7和半导体层6，形成数据线、源电极、漏电极和显示电极图形，其中源电极与数据线连接，位于显示区域内的显示电极与漏电极为一体结构，如图7所示。

图8为本发明电子纸薄膜晶体管基板第二次构图工艺中灰化工艺后的结构示意图，为图1中A-A向的剖面图。采用灰化工艺，完全去除部分曝光区域G2的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜12，相应地，未曝光区域G3光刻胶的厚度变薄，如图8所示。

图9为本发明电子纸薄膜晶体管基板第二次构图工艺中第二次刻蚀后的结构示意图，为图1中A-A向的剖面图。采用干法刻蚀工艺对部分曝光区域G2进行第二次刻蚀，完全刻蚀掉部分曝光区域G2的源漏金属薄膜12和掺杂半导体层7，并刻蚀掉部分厚度的半导体层6，使该区域露出半导体层6，形成TFT沟道区域图形，如图9所示。

图10为本发明电子纸薄膜晶体管基板第二次构图工艺后的结构示意图，为图1中A-A向的剖面图。剥离剩余的光刻胶，完成本发明电子纸薄膜晶体管基板的第二次构图工艺，如图10所示。本构图工艺后，栅绝缘层覆盖整个基板，数据线、源电极、漏电极和显示电极图形下保留有半导体层和掺杂半导体层。

最后，在完成上述结构图形的基板上，采用PECVD方法沉积一层钝化层11，使钝化层11覆盖TFT沟道区域，钝化层11可采用SiNx或有机绝缘材料等，形成本发明电子纸薄膜晶体管基板，如图1、图2所示。

图11为本发明电子纸薄膜晶体管基板制造方法的流程图，具体包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括栅线、栅电极和公共电极线的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属薄膜，采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和显示电极的图形，所述显示电极形成在显示区域内，并与所述漏电极为一体结构；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层。

步骤1中，首先采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板(如玻璃基板或石英基板)上沉积一层栅金属薄膜，栅金属薄膜可以采用AlNu或Mo等金属材料。采用普通掩模板通过构图工艺对栅金属薄膜进行构图，在基板上形成包括栅线、栅电极和公共电极线的图形，完成本发明第一次构图工艺，该过程与前述图3和图4所示的制备过程相同。

图12为本发明电子纸薄膜晶体管基板制造方法第二次构图工艺的流程图，具体包括：

步骤21、在完成步骤1的基板上，采用等离子体增强化学气相沉积方法依次沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层；

步骤22、在完成步骤21的基板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法沉积源漏金属薄膜；

步骤23、在完成步骤22的基板上涂覆一层光刻胶；

步骤24、采用半色调或灰色调掩模板曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分去除区域和光刻胶完全保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于数据线、源电极、漏电极和显示电极图形所在区域，光刻胶部分去除区域对应于TFT沟道区域图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶部分去除区域的光刻胶厚度变薄，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，暴露出该区域的源漏金属薄膜；

步骤25、采用湿法刻蚀工艺进行第一次刻蚀，依次刻蚀掉光刻胶完全去除区域的源漏金属薄膜、掺杂半导体层和半导体层，形成数据线、源电极、漏电极和显示电极图形，其中所述显示电极形成在显示区域内，并与所述漏电极为一体结构；

步骤26、采用灰化工艺，完全去除光刻胶部分去除区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜；

步骤27、采用干法刻蚀工艺进行第二次刻蚀，完全刻蚀掉光刻胶部分去除区域的源漏金属薄膜和掺杂半导体层，并刻蚀掉部分厚度的半导体层，使该区域露出半导体层，形成TFT沟道区域图形；

步骤28、剥离剩余的光刻胶。

本发明电子纸薄膜晶体管基板制造方法第二次构图工艺的过程与前述图5～图10中介绍的过程相同，这里不再赘述。

步骤3中，在完成上述结构图形的基板上，采用PECVD方法沉积一层钝化层，使钝化层覆盖TFT沟道区域，钝化层可采用SiNx或有机绝缘材料等。

图13为本发明电子纸第一实施例的结构示意图。如图13所示，本实施例电子纸包括对盒的薄膜晶体管基板100和透明电极基板200，薄膜晶体管基板100采用前述本发明电子纸薄膜晶体管基板的结构，至少包括形成在基板上的栅线、数据线、公共电极线、薄膜晶体管和显示电极14，透明电极基板200与薄膜晶体管基板100相对设置，至少包括形成在基板上的公共电极15和微胶囊电子墨水16，其中公共电极15形成在基板上，微胶囊电子墨水16涂覆在公共电极上，形成本实施例电子纸。

微胶囊电子墨水是一种通过微胶囊将电泳液封装起来的微封装单元，经印刷涂布在透明电极基板上。电泳液中有两种不同颜色的带电颜料微粒，两种不同颜色的带电颜料微粒带有相反电荷。在没有电场作用时，带电颜料微粒均匀分布在整个微胶囊内；当有电场作用时，带电颜料微粒就会在电场力的作用下发生定向运动，当加上不同方向的电场时，两种颜色便会交替出现，实现显示。本实施例电子纸的工作原理为：微胶囊电子墨水被置于透明电极基板与薄膜晶体管基板之间，透明电极基板上设置的公共电极与薄膜晶体管基板上设置的显示电极之间形成电场，显示电极由薄膜晶体管基板上作为开关控制元件的薄膜晶体管控制，因此微胶囊电子墨水两侧的电场由薄膜晶体管控制，薄膜晶体管控制的电场诱导微胶囊电子墨水内白色带电颜料微粒或黑色带电颜料微粒向透明电极基板方向运动，实现显示。

图14为本发明电子纸第二实施例的结构示意图。如图14所示，本实施例电子纸包括对盒的薄膜晶体管基板100和透明电极基板200，薄膜晶体管基板100采用前述本发明电子纸薄膜晶体管基板的结构，至少包括形成在基板上的栅线、数据线、公共电极线、薄膜晶体管和显示电极14，透明电极基板200与薄膜晶体管基板100相对设置，至少包括形成在基板上的公共电极15和微杯结构17，其中公共电极15形成在基板上，微杯结构17制备在公共电极上，微杯结构17内封装有电泳液，形成本实施例电子纸。

微杯结构是一种通过相互隔离的格子将电泳液封装起来的微封装单元，制备在透明电极基板上。电泳液是一种带电颜色微粒悬浮在另一种带有颜色的颜色溶液中，如图14所示的黑色微粒悬浮在白色溶液中。在没有电场作用时，带电颜料微粒均匀分布在颜色溶液中，当有电场作用时，带电颜料微粒就会在电场力的作用下发生定向运动，人们看到的是带电颜料微粒的颜料或颜色溶液的颜料。本实施例电子纸的工作原理为：封装有电泳液的微杯结构置于透明电极基板与薄膜晶体管基板之间，透明电极基板上设置的公共电极与薄膜晶体管基板上设置的显示电极之间形成电场，显示电极由薄膜晶体管基板上作为开关控制元件的薄膜晶体管控制，因此微杯结构两侧的电场由薄膜晶体管控制，薄膜晶体管控制的电场诱导微杯结构内带电颜料微粒运动，实现显示。

此外，本发明还提供了一种电子纸制造方法，包括制备薄膜晶体管基板的步骤、制备透明电极基板的步骤以及将薄膜晶体管基板与透明电极基板对盒的步骤。制备薄膜晶体管基板的步骤采用本发明电子纸薄膜晶体管基板制造方法。制备透明电极基板的步骤包括二个方案：一个方案包括在基板上形成公共电极和在公共电极上涂覆微胶囊电子墨水，另一个方案包括在基板上形成公共电极和在所述公共电极上制备封装有电泳液的微杯结构。将薄膜晶体管基板与透明电极基板对盒的步骤包括涂覆封框胶和对盒封装等流程。

经过发明人的深入研究表明，考虑到基于电泳技术电子纸的显示原理，或其它类型通过反射自然光实现显示电子纸的显示原理，电子纸的显示原理与当前应用的液晶显示原理截然不同，因此当前应用于驱动液晶的薄膜晶体管基板并不适合直接应用于电泳显示的驱动。进一步地研究表明，虽然带有薄膜晶体管的有源基板适用于驱动电泳显示，但现有技术薄膜晶体管基板主要采用五次掩模(MASK)、四次掩模或三次掩模工艺制备，制备工艺复杂，成本高，在一定程度上限制了电子纸的推广应用。为此，本发明提供了一种电子纸、电子纸薄膜晶体管基板及其制造方法，通过将显示电极与薄膜晶体管的漏电极设置成一体结构，简化了薄膜晶体管基板的结构，同时简化了薄膜晶体管基板的制备工艺，由于掩模工艺是薄膜晶体管基板制作中成本最高的部分，因此本发明提高了生产工艺效率，降低了生产成本，使用简化的制备工艺即可制备出结构简单的反射式电子纸用薄膜晶体管基板，具有广阔的应用前景。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (7)

1.一种电子纸薄膜晶体管基板，包括形成在基板上的栅线、数据线和公共电极线，所述栅线和数据线限定的显示区域内形成有薄膜晶体管和显示电极，其特征在于，所述显示电极与薄膜晶体管的漏电极为一体结构，所述薄膜晶体管包括：

栅电极，形成在基板上，且与所述栅线连接；

栅绝缘层，形成在栅线和栅电极上，并覆盖整个基板；

半导体层，形成在栅绝缘层上，并位于栅电极上方；

掺杂半导体层，形成在半导体层上，并位于栅电极上方；

源电极，形成在掺杂半导体层上，一端位于栅电极上方，另一端与所述数据线为一体结构；

漏电极，形成在掺杂半导体层上，一端位于栅电极上方，另一端与所述显示电极连接；

TFT沟道区域，形成在源电极与漏电极之间，源电极与漏电极之间的掺杂半导体层被完全刻蚀掉，露出半导体层；

钝化层，形成在源电极、漏电极和TFT沟道区域上。

2.一种电子纸薄膜晶体管基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括栅线、栅电极和公共电极线的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属薄膜，采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和显示电极的图形，所述显示电极形成在显示区域内，并与所述漏电极为一体结构；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层；

所述步骤2包括：

步骤21、在完成步骤1的基板上，采用等离子体增强化学气相沉积方法依次沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层；

步骤22、在完成步骤21的基板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法沉积源漏金属薄膜；

步骤23、在完成步骤22的基板上涂覆一层光刻胶；

步骤24、采用半色调或灰色调掩模板曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分去除区域和光刻胶完全保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于数据线、源电极、漏电极和显示电极图形所在区域，光刻胶部分去除区域对应于TFT沟道区域图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶部分去除区域的光刻胶厚度变薄，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，暴露出该区域的源漏金属薄膜；

步骤25、采用湿法刻蚀工艺进行第一次刻蚀，依次刻蚀掉光刻胶完全去除区域的源漏金属薄膜、掺杂半导体层和半导体层，形成数据线、源电极、漏电极和显示电极图形，其中所述显示电极形成在显示区域内，并与所述漏电极为一体结构；

步骤26、采用灰化工艺，完全去除光刻胶部分去除区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜；

步骤27、采用干法刻蚀工艺进行第二次刻蚀，完全刻蚀掉光刻胶部分去除区域的源漏金属薄膜和掺杂半导体层，并刻蚀掉部分厚度的半导体层，使该区域露出半导体层，形成TFT沟道区域图形；

步骤28、剥离剩余的光刻胶。

3.一种包括权利要求1所述电子纸薄膜晶体管基板的电子纸，其特征在于，包括与所述电子纸薄膜晶体管基板相对设置的透明电极基板，所述透明电极基板上形成有公共电极，所述公共电极上涂覆有微胶囊电子墨水。

4.一种包括权利要求1所述电子纸薄膜晶体管基板的电子纸，其特征在于，包括与所述电子纸薄膜晶体管基板相对设置的透明电极基板，所述透明电极基板上形成有公共电极，所述公共电极上制备有封装电泳液的微杯结构。

5.一种包括权利要求2所述电子纸薄膜晶体管基板制造方法的电子纸制造方法，其特征在于，还包括制备透明电极基板的步骤，并将所述电子纸薄膜晶体管基板与透明电极基板对盒。

6.根据权利要求5所述的电子纸制造方法，其特征在于，所述制备透明电极基板包括：在基板上形成公共电极，在所述公共电极上涂覆微胶囊电子墨水。

7.根据权利要求6所述的电子纸制造方法，其特征在于，所述制备透明电极基板包括：在基板上形成公共电极，在所述公共电极上制备封装有电泳液的微杯结构。

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