JP5849124B2 - 基板処理チャンバ用処理キット - Google Patents

基板処理チャンバ用処理キット Download PDF

Info

Publication number
JP5849124B2
JP5849124B2 JP2014088675A JP2014088675A JP5849124B2 JP 5849124 B2 JP5849124 B2 JP 5849124B2 JP 2014088675 A JP2014088675 A JP 2014088675A JP 2014088675 A JP2014088675 A JP 2014088675A JP 5849124 B2 JP5849124 B2 JP 5849124B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shield
gas
chamber
substrate
ring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014088675A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014196563A (ja
Inventor
エム パブロフ クリストファー
エム パブロフ クリストファー
リチャード ホング イリョング
リチャード ホング イリョング
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2014196563A publication Critical patent/JP2014196563A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5849124B2 publication Critical patent/JP5849124B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32633—Baffles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Description

本発明の実施形態は、基板処理チャンバの処理キットに関連する。
関連技術の説明
集積回路及びディスプレイの製造においては、半導体ウェハやディスプレイパネル等の
基板を基板処理チャンバ内に配置し、チャンバ内の処理条件を設定して基板上にエッチン
グ材料を堆積する。典型的な処理チャンバは処理区域を包囲する筐体壁部、チャンバ内に
処理ガスを供給するためのガス供給源、基板処理用の処理ガスを励起するためのガス・エ
ナジャイザ、使用済みガスを排気し、かつチャンバ内のガス圧を維持するためのガス排気
口、及び基板を保持するための基板支持体を含むチャンバ構成材を備えている。こういっ
たチャンバには、例えば、スパッタリング（ＰＶＤ）、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、及びエ
ッチングチャンバを含めることができる。ＰＶＤチャンバにおいては、ターゲットを励起
させたガスによりスパッタすることでターゲット材料をスパッタし、これによりターゲッ
トに面している基板上にターゲット材料を堆積している。
スパッタリング処理においては、ターゲットからスパッタされた材料がターゲットを取
り囲むチャンバ構成材の縁部にも堆積するため、望ましくない。周縁ターゲット領域は暗
部領域を有し、このエリアにおけるイオン散乱の結果としてスパッタされた材料が再堆積
される。スパッタされた材料のこの領域における蓄積と集積は、こういった蓄積堆積物に
より分解と洗浄又はターゲット及びその周囲の構成材の交換が必要となったり、プラズマ
ショーティング（plasma shorting）やターゲットとチャンバ壁部との間でのアーク放電
が生じる可能性があるので望ましくない。また、これらの堆積が熱応力により剥離し、剥
がれ落ちて内部に落下し、チャンバ及びその構成材を汚染することがよくある。
基板支持体及びチャンバ側壁部周囲に配置されたシールド、カバーリング及び堆積リン
グを備えた処理キットが、過剰にスパッタされた材料を受け止め、チャンバ壁部及びその
他の構成材表面を保護し、その上への堆積を防止するためによく使用される。定期的に処
理キットの構成材を分解しチャンバから取外し、蓄積された堆積物を洗浄する。このため
、互いに又は基板と膠着することなく、或いは処理洗浄サイクル間における堆積物の剥落
を生じさすことなくより多くの蓄積堆積物を受け止め、許容するように設計された処理キ
ット構成材を得ることが望ましい。また、処理キットの部品又は構成材が処理チャンバの
内側表面上にスパッタされる堆積物の量が低減されるような形状及び相対位置関係を有す
るのみならず、数がより少ないことが望ましい。
チャンバ内でスパッタリング用プラズマに曝露され、シールドとチャンバ構成材との間
の熱伝導不良によりチャンバのライナ及びシールドが過度に高温となった場合には、また
別の問題が生じる。例えば、低熱伝導性材料から成るシールドの温度の調節は困難である
。アダプタ等の支持構成材との接触面における熱抵抗もシールド温度に影響をあたえる。
シールドとアダプタとの間の締め付け力の弱さもまた、シールドの過熱を引き起こす可能
性がある。熱制御をしない限り、連続して基板を処理する間、シールドの温度は待機時の
室温状態と高温との間で循環することになる。高応力下にある金属の処理堆積物がシール
ド上に堆積され大きな温度変化に晒されると、膜のそれ自体への付着力のみならず、シー
ルドへの接着性も、例えば膜とその下のシールドとの間の熱膨張係数の不整合から劇的に
低下する場合がある。基板処理中におけるシールドとライナの温度を低下させることで、
シールド表面からの蓄積堆積物の剥離を軽減することが望ましい。
チャンバからのガスコンダクタンス不良により、慣用の基板処理チャンバとＰＶＤ処理
では別の問題も生じる。必要な処理ガスの処理キャビティへの供給と使用済み処理ガスの
適切な排気の双方を実行するには高コンダクタンスのガス流経路が必要である。しかしな
がら、チャンバ壁部の内側を覆うシールド及びその他のチャンバ構成材は、実質的にガス
コンダクタンス流を低下させてしまう。これらの構成材にガスコンダクタンスを上昇させ
るために開口部を形成すると、これらのガスコンダクタンス穴部を通ってその同一視線方
向にあるスパッタ堆積物も処理空域から流出し、チャンバ壁部上に堆積されてしまう。ま
た、こういった穴部により処理キャビティ内から周囲のチャンバ領域へとプラズマ漏れが
起こる可能性がある。また、こういった穴部を有するチャンバ構成材は、これに限定され
るものではないが、追加部品の必要性、その相対的な薄さ、複数の部品による累積誤差、
及び接触面における熱伝導性の不良といったその他の欠点を有する。
このため、構成材表面からの処理堆積物の剥離を軽減しつつ熱伝導性を上昇させる処理
キット構成材を得ることが望ましい。プラズマ処理中にシールドとライナが過度な高温と
低温との間とを循環しないようにその温度を制御することが更に望ましい。また、処理区
域外での穴部と同一視線方向での堆積を防止しつつ、総体的なガスコンダクタンスを上昇
させ、かつプラズマ漏れを軽減することが望ましい。
本発明のこれらの構成、態様、利点は本発明の例を示す以下の説明、添付の特許請求の
範囲、添付図面と関連させてより理解することができる。当然のことながら、構成の各々
は特定の図面についてだけでなく本発明全般に使用でき、本発明はこれらの構成のあらゆ
る組み合わせを含む。
処理キット構成材及びスパッタリングターゲットを示す基板処理チャンバの実施形態の概略側部断面図である。 基板処理チャンバ内におけるシールドとリングアセンブリを有する処理キットの斜視図である。 シールドの簡略上面図である。 〜 アダプタに接続されたシールド上部の断面図である。 シールドとリングアセンブリを示す別の構成の基板処理チャンバの概略側部断面図である。
実施形態の説明
基板１０４を処理可能な適切な処理チャンバ１００の一例が図１に図示されている。チ
ャンバ１００はカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアル社から市販のクリ
ーンＷ（ＣＬＥＡＮ Ｗ：商標名）を表わす。しかしながら、本発明と共に別の処理チャ
ンバもまた使用することができる。チャンバ１００は処理区域１０８を包囲する筐体壁部
１０６を備える。壁部１０６は側壁部１１６、底壁部１２０、及び天井部１２４を含む。
チャンバ１００が、基板１０４の多様なチャンバ間での搬送を行うロボットアーム等の基
板搬送機構によって相互接続されたチャンバ群を有する複数チャンバプラットフォーム（
図示せず）の一部である場合もある。図１に図示の構成において、処理チャンバ１００は
物理気相蒸着つまりＰＶＤチャンバとしても知られるスパッタ堆積チャンバであり、アル
ミニウム、銅、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、タングステン及び窒化タ
ングステン等の１つ以上の材料を基板１０４上にスパッタ堆積可能である。
チャンバ１００は、基板１０４を支持する台座部１３４を備える基板支持体１３０を備
える。台座部１３４は、頭上のスパッタリングターゲット１４０のスパッタリング面１３
９に実質的に平行な面を有する基板受け面１３８を有する。台座部１３４の基板受け面１
３８は処理中、基板１０４を受け止め、支持する。台座部１３４は静電チャック又は電気
抵抗加熱装置等の加熱装置や熱交換器を含んでいてもよい。動作中、基板１０４をチャン
バ１００の側壁部１１６の基板装填口１４２を通してチャンバ１００内に導入し、基板支
持体１３０上に設置する。ロボットアームによる基板支持体１３０への基板１０４の載置
中、支持体１３０は支持体昇降蛇腹部により昇降可能であり、昇降フィンガセンブリを用
いて基板１０４を支持体１３０へと昇降することが可能である。プラズマ操作中、台座部
１３４を電気的に浮遊した電位又は接地状態に維持することが可能である。
図２Ａ及び２Ｂに図示されるように、チャンバ１００は、例えば構成材表面からスパッ
タ堆積物を洗い流す、侵食された構成材を交換する又は修復する、又は別の処理にむけて
チャンバ１００を適合させるために容易にチャンバ１００から取外し可能な多様な構成材
を備えた処理キット２００も含む。ある構成において、処理キット２００はシールド２０
１と基板支持体１３０の周壁部２０４近くに設置するリングアセンブリ２０２を備え、リ
ングアセンブリは基板１０４の張り出し縁部２０６の手前で終端している。リングアセン
ブリ２０２は堆積リング２０８とカバーリング２１２とを備える。堆積リング２０８は支
持体１３０を取り巻く環状バンド２１５を備える。カバーリング２１２は堆積リング２０
８を少なくとも部分的に覆っている。堆積リング２０８及びカバーリング２１２が連携し
て、支持体１３０の周壁部２０４及び基板１０４の張り出し縁部２０６上でのスパッタ堆
積物の形成を軽減する。
シールド２０１は、基板支持体１３０に面しているスパッタリングターゲット１４０の
スパッタリング面１３９と基板支持体１３０の外周とを取り囲む。シールド２０１はチャ
ンバ１００の側壁部１１６を覆い遮断することで、スパッタリングターゲット１４０のス
パッタリング面１３９から発生するスパッタ堆積物の、シールド２０１背後にある構成材
及び表面への堆積を軽減している。例えば、シールド２０１は支持体１３０の表面、基板
１０４の張り出し縁部２０６、チャンバ１００の側壁部１１６及び底壁部１２０を保護可
能である。
図２Ａ、２Ｂ及び３Ａ、３Ｂに図示されるように、シールド２０１は一体構成であり、
スパッタリングターゲット１４０のスパッタリング面１３９と基板支持体１３０とを取り
巻くサイズの直径を有する円筒状バンド２１４を備える。円筒状バンド２１４はスパッタ
リングターゲット１４０のスパッタリング面１３９を取り巻く上壁部２１６を有する。支
持出っ張り部２１９は円筒状バンド２１４の上壁部２１６から半径方向外側に向かって延
びている。アダプタ２２６はＯリング溝部２２２を含んでいてもよく、この溝にＯリング
２２３を設置して、アダプタと絶縁体３１０との間に真空シールを形成し、シールド２０
１からの漏れを防止する。支持出っ張り部２１９はチャンバ１００の側壁部１１６を取り
巻く環状アダプタ２２６上に載る設置面２２４を備える。支持出っ張り部２１９の設置面
２２４はピン２８２を収容できる形状とサイズに構成された複数のスロット２２８を備え
、これによりシールド２０１がアダプタ２２６と整列される。ピン２８２はアダプタ２２
６に圧入してもよい。複数の穴部２２９を設置し、シールド２１０をアダプタに連結する
固締具２３０を収容する。一実施形態において、固締具２３０はシールド２０１の穴部２
２９とアダプタプレート２２６の穴部２２０とを貫通し、保持プレート２９７の穴部２９
５へと螺入される。保持プレート２９７はステンレススチール製のリングであってもその
他の適切な材料から成るものであってもよい。図２Ｂではスロット２２８と穴部２２９を
それぞれ１つだけ図示しているが、シールド２０１の周縁には複数のスロット２２８と穴
部２２９とを分散して配置する。
アダプタ２２６はシールド２１０を支持し、基板処理チャンバ１００の壁部１１６周辺
における熱交換器として機能可能である。任意で、アダプタ２２６は、必要ならシールド
２０１を加熱又は冷却できるように抵抗加熱装置又は温度制御流体用の導管を含んでいて
もよい。アダプタ２２６及びシールド２０１はアセンブリを形成し、これによりシールド
２０１内外への熱伝達が良好となり、シールド上に堆積される材料への熱膨張応力が軽減
される。シールド２０１の一部は基板処理チャンバ内で生成されるプラズマへの曝露によ
り過剰に熱せられ、シールドの熱膨張が生じ、シールド上に形成されたスパッタ堆積物が
シールドから剥落し、基板１０４上に落下し汚染してしまう。アダプタ２２６はシールド
２０１の設置面２２４に接触する接触面２３２を有しており、これによりシールド２０１
とアダプタ２２６との間の良好な熱伝導が得られる。ある構成においては、シールド２０
１の設置面２２４及びアダプタ２２６の接触面２３２はそれぞれ約１０〜約８０マイクロ
インチ、又は約１６〜約６３マイクロインチにものぼる表面粗さを有しており、ある構成
においては、平均表面粗さは約３２マイクロインチである。ある構成において、アダプタ
２２６はその内部に熱伝達流体を通してアダプタ２２６の温度を制御するための導管を更
に備える。
アダプタ２２６とシールド２０１を備えるアセンブリはシールド２０１をアダプタ２２
６と整列させて固定するためのシールド固締システム２３４も含む。シールド固締システ
ム２３２は円形に沿って又はアダプタ２２６に沿った円形配列で離間・位置決定された複
数のピン２９３を備える。ある構成においては、少なくとも３つのピン２９３をアダプタ
２２６上で円形で位置させる。別の実施形態においては、１２本のピン２９３を利用する
。各ピン２９３は例えばスチール、例えばステンレススチール等の材料から構成された剛
性の円筒から構成される。各ピン２９３はアダプタ２２６内に圧入される圧入コネクタ２
３８を部材２３６の一端に有していてもよい。ピン２９３は図３Ａに図示されるようにス
ロット２２９を貫通する。シールド固締システム２３２は更に複数の固締具２３０を備え
る。一実施形態において、固締具２３０は六角穴付きボルト２３６である。ボルト２３６
の頭部２４０は穴部２２９のザグリ穴に埋め込まれている。ボルト２３６の端部は保持プ
レート２９７のネジ穴２９５に螺入される。一実施形態においては、少なくとも３つのボ
ルト２３６を円形に配置してアダプタ２２６をシールド２０１に固締する。別の実施形態
においては、１２本のボルト２９７を利用する。
支持出っ張り部２１９の下には基板支持体１３０を取り巻く底壁部２４２がある。傾斜
段差部２４４が円筒状バンド２１４の底壁部２４２から半径方向内側に向かって延び、基
板支持体１３０を取り囲んでいる。ある構成において、傾斜段差部２４４は湾曲接合部２
４５を備える。
Ｕ型チャネル２４６はシールドの傾斜段差部２４４と連結している。Ｕ型チャネル２４
６はそこを処理ガスが通過することでガスコンダクタンスが改善されるガスコンダクタン
ス穴部２４９を複数備えた外側第１脚部２９９を有する。Ｕ型チャネル２４６は外側第１
脚部２９９から離間された、より高さのある内側第２脚部２５３も有する。ある構成にお
いて、外側脚部２９９のガス穴部２４９は実質的に楕円形であり、カラムによって隔てら
れている（図示せず）。ある構成において、各ガス穴部２４９は幅約１〜約２インチ、高
さ約０．２〜約０．８インチを有する。
シールド２０１により、処理チャンバ１００からのガスが低い抵抗でガス穴部２４９を
通過しＵ型チャネル２４６を循環可能となる。更に、シールド２０１の設計により、高さ
という点で、基板支持体１３０の位置に対してのガスコンダクタンスの影響度が最小限に
抑えられる。
シールド２０１の円筒状バンド２１４、支持出っ張り部２１９、傾斜段差部２４４及び
Ｕ型チャネル２４６はある材料の一体成形から成る単一構造を構成している。例えば、シ
ールド２０１全体を３００系のステンレススチール、又はある構成においてはアルミニウ
ムから形成することが可能である。一体型のシールド２０１は、完全なシールドを構成す
るのに２つ又は３つの別々の部品を要することが多い、複数の構成材を含む従来のシール
ドより有利である。例えば、単体構造のシールドは複数の構成材から成るシールドよりも
、加熱及び冷却処理の双方において熱的により均一である。例えば、一体成形のシールド
２０１はアダプタ２２６に対して１つだけ熱インターフェースを有し、これによりシール
ド２０１とアダプタ２２６との間の熱交換がより制御し易くなる。複数の構成材を有する
シールドでは、洗浄時にシールドを取外すことがより困難かつ面倒となる。一体成形シー
ルド２０１はスパッタ堆積物に晒される連続面を有しており、洗浄がより困難な複数の界
面部又はコーナー部を伴うことがない。また、一体成形シールド２０１は、処理サイクル
中、スパッタ堆積からチャンバ壁部１０６をより効果的に遮断する。
ある構成において、シールド２０１の露出面はカリフォルニア州サンタクララのアプラ
イドマテリアル社から市販のクリーンコート（ＣＬＥＡＮＣＯＡＴ：商標名）で処理する
。クリーンコート（商標名）はシールド２０１等の基板処理チャンバ構成材へ適用するこ
とでシールド２０１上への堆積物の粒子落下を軽減し、これによりチャンバ１００内の基
板１０４の汚染を防止するツインワイヤ・アルミニウムアーク溶射コーティングである。
ある構成において、シールド２０１上のツインワイヤ・アルミニウムアーク溶射コーティ
ングの表面粗さは約６００〜約２３００マイクロインチである。
シールド２０１はチャンバ１００内のプラズマ区域１０８に面した露出面を有する。露
出面にはビードブラスト加工を施し、表面粗さを１７５±７５マイクロインチとする。テ
クスチャ加工したビードブラスト面により粒子の落下が軽減され、チャンバ１００内での
汚染が防止される。表面粗さ平均とは、露出面に沿った粗さ特徴の山部と谷部の平均線か
らのズレの絶対値の平均である。粗さ平均、歪度、又はその他の特性は、露出面に針を通
して表面上の凸凹の高さの変動のトレース図を生成する表面形状測定装置によって、或い
は表面で反射した電子ビームを用いて表面の画像を生成する走査型電子顕微鏡を用いて求
めることができる。
堆積リング２０８は、図２Ａに図示されるように支持体１３０の周壁部２０４付近に延
び、それを取り囲む環状バンド２１５を備える。環状バンド２１５は、バンド２１５から
横方向に延び、かつ支持体１３０の周壁部２０４に実質的に平行な内側リップ部２５０を
備える。内側リップ部２５０は基板１０４の張り出し縁部２０６のすぐ下で終端している
。内側リップ部２５０は基板１０４の周縁部と基板支持体１３０を取り巻く堆積リング２
０８の内周を規定し、処理中、基板１０４によって覆われない基板支持体１３０の領域を
保護する。例えば、内側リップ部２５０は、そのままでは処理環境に曝露されてしまう支
持体１３０の周壁部２０４を取り囲み、かつ部分的に覆うことで、周壁部２０４上へのス
パッタ堆積物の堆積を軽減或いは完全に防止する。堆積リング２０８を簡単に取外してリ
ング２０８の露出面からスパッタ堆積物を除去可能であることから、支持体１３０を洗浄
のために分解する必要がなく、有利である。堆積リング２０８は、支持体１３０の露出側
面も保護するため、励起されたプラズマ種によるその侵食が軽減される。
図２Ａに図示の構成において、堆積リング２０８の環状バンド２１５はバンド２１５の
中心部に沿って延びる半円形の突出部２５２を有し、その両側に半径方向内側の窪み２５
４ａ、ｂを有している。半径方向内側の窪み２５４ａはカバーリング２１２とは離れた位
置にあるため、窪みとカバーリングとの間にはアーチ型の間隙部２５６が形成され、この
間隙部がアーチ型間隙部２５６へのプラズマ種の浸透を軽減する迷路として機能する。内
側リップ部２５０と半円形突出部２５２との間には開放内側チャネル２５８が横たわって
いる。開放内側チャネル２５８は半径方向内側に延び、少なくとも部分的に基板１０４の
張り出し縁部２０６下で終端している。開放内側チャネル２５８により、堆積リング２０
８の洗浄中、これらの部位からのスパッタ堆積物の除去が促進される。堆積リング２０８
は、外側方向に延び、かつ半円形突出部２５２の半径方向外側に位置する出っ張り部２６
０も有する。出っ張り部２６０はカバーリング２１２の支持にも役立つ。
堆積リング２０８は酸化アルミニウム等のセラミック材料を成形及び機械加工すること
で形成可能である。好ましくは、鉄等の望ましくない元素によるチャンバ１００の汚染を
低減するために、酸化アルミニウムの純度は少なくとも約９９．５％である。セラミック
材料を静水圧プレス成形等の慣用の技法を用いて成形及び焼成し、それに続いて適切な機
械加工方法を用いて成形・焼成された予備成形物を機械加工することで必要とされる形状
と寸法にする。
堆積リング２０８の環状バンド２１５は、グリットブラスト加工された露出面を含んで
いてもよい。グリットブラスト加工は、既定の表面粗さを得るのに適したグリットサイズ
で行われる。ある構成においては、堆積リング２０８の表面を例えばクリーンコート（商
標名）等のツインワイヤ・アルミニウムアーク溶射コーティング等で処理して、粒子の落
下と汚染を軽減する。
カバーリング２１２は堆積リング２０８を取り囲み、少なくとも部分的に覆うことでス
パッタ堆積物の塊を受け止め、それにより堆積リング２０８を堆積物から遮断する。カバ
ーリング２１２はスパッタリングプラズマによる侵食に耐性のある材料、例えばステンレ
ススチール、チタン又はアルミニウム等の金属材料、又は酸化アルミニウム等のセラミッ
ク材料から作成する。ある構成において、カバーリング２１２は少なくとも約９９．９％
の純度を有するチタンから構成される。ある構成においては、カバーリング２１２の表面
を例えばクリーンコート（商標名）等のツインワイヤ・アルミニウムアーク溶射コーティ
ングで処理して、カバーリング２１２表面からの粒子落下を軽減する。
カバーリング２１２は、半径方向内側に傾斜し、かつ基板支持体１３０を取り囲む傾斜
上面２６４を備えた環状ウェッジ２６２を備える。環状ウェッジ２６２の傾斜上面２６４
は内側及び外側周縁部２６６、２６８を有する。内側周縁部２６６は堆積リング２０８の
開放内側チャネル２５８を構成する半径方向内側の窪み２５４ａ上に横たわる突出ブリム
２７０を備えている。突出ブリム２７０により、堆積リング２０８の開放内側チャネル２
５８上へのスパッタ堆積物の堆積が軽減される。突出ブリム２７０の突出距離は、堆積リ
ング２０８によって形成されるアーチ型間隙部２５６の幅の少なくとも約半分に対応する
のが有利である。突出ブリム２７０はアーチ型間隙部２５６と協働かつ相補することでカ
バーリング２１２と堆積リング２０８との間に回旋状の狭窄した流路を形成するようなサ
イズ、形状、及び位置に構成されており、この流路が周縁部２０４への処理堆積物の流れ
を阻害する。狭小な間隙部２５６の狭窄した流路により、そのままでは互いに膠着する又
は基板１０４の周縁張り出し縁部２０６と膠着してしまう、堆積リング２０８とカバーリ
ング２１２の合わせ面への低エネルギースパッタ堆積物の蓄積が制限される。基板張り出
し縁部２０６の下に延びる堆積リング２０８の開放内側チャネル２５８はカバーリング２
１２の突出ブリム２７０からの遮断と共に、例えば、アルミニウムスパッタリングチャン
バにおいて最低１５４０μｍのアルミニウムスパッタ堆積物を回収し、その一方で２つの
リング２０８、２１２の合わせ面上へのスパッタ堆積を軽減する又は実質的に排除するよ
うに設計されている。
傾斜上面２６４の外側周縁部２６８周辺には、バルブ型の突起部２７２がある。ある構
成において、バルブ型突起部２７２はシールド２０１と共にアーチ型間隙部を形成する楕
円形の周方向面２７４を含む。傾斜上面２６４はバルブ型の突出部２７２と突出ブリム２
７０と協働して、同一視線方向の堆積物が処理キャビティ１０８から流出してチャンバ本
体キャビティへと侵入するのを阻止する。傾斜上面２６４は少なくとも約１５度の角度で
傾斜していてもよい。カバーリング２１２の傾斜上面２６４の角度は、例えば、基板１０
４の張り出し縁部２０６に最も近い位置での、そのままでは基板１０４全体で得られる堆
積の均一性に悪影響を与えてしまうスパッタ堆積物の蓄積を最小限に留めるようにと設計
されている。
カバーリング２１２は、環状ウェッジ２６２の傾斜上面２６４から下方向に延びる足場
部２７６を備え、堆積リング２０８の出っ張り部２６０上に据えられる。足場部２７６は
ウェッジ２６２から下方向に延び、リング２０８に実質的に亀裂を与える又は破砕するこ
となく堆積リング２０８に押圧されている。
カバーリング２１２は更に内側及び外側円筒状バンド２７８ａ、ｂを備え、２７８ａ、
ｂは環状ウェッジ２６２から下方向に、その間に間隙を有して延びている。ある構成にお
いて、内側及び外側円筒状バンド２７８ａ、ｂは実質的には垂直である。円筒状バンド２
７８ａ、ｂはウェッジ２６２の足場部２７６の半径方向外側に位置している。内側円筒状
バンド２７８ａの高さは外側円筒状バンド２７８ｂよりも低い。典型的には、外側バンド
２７８ｂの高さは内側バンド２７８ａの高さの少なくとも約１．２倍である。例えば、内
径が約１５４ｍｍのカバーリング２１２の場合、外側バンド２７８ｂの高さは約１５〜約
３５ｍｍ、又は例えば２５ｍｍであり、内側バンド２７８ａの高さは約１２〜約２４ｍｍ
、例えば約１９ｍｍである。
カバーリング２１２は異なる高さ範囲で調節可能かつコンダクタンス穴部２４９を効果
的に遮断する。例えば、カバーリング２１２を上昇又は降下させることで、チャンバ内に
おける基板支持体１３０に対してのその高さ関係を調節することが可能である。
シールド２０１とカバーリング２１２との間の空間又は間隙部が、プラズマが通る回旋
状のＳ型経路又は迷路を形成する。この経路の形状は、例えば、プラズマ種のこの領域へ
の侵入を妨げるかつ阻害し、スパッタ材料の不本意な堆積を軽減されることから有利であ
る。
図４及び５に図示されるように、スパッタリングターゲット１４０はバッキングプレー
ト２８４に取り付けられるスパッタリングプレート２８０から構成される。スパッタリン
グプレート２８０は基板１０４にスパッタする材料を含む。スパッタリングプレート２８
０は、基板１０４の面に平行な面を形成するスパッタリング面１３９を有する中央円筒状
段丘部２８６を有していてもよい。環状の傾斜リム２８８が円筒状段丘部２８６を取り囲
んでいる。環状リム２８８は円筒状段丘部２８６の面に対して少なくとも約８度、例えば
約１０度〜約２０度の角度で傾斜している。段差部２９２を有する周縁部の傾斜側壁部２
９０は環状リム２８８を取り囲んでいる。周縁側壁部２９０は円筒状段丘部２８６の面に
対して少なくとも約６０度、例えば約７５度〜約８５度の角度で傾斜していてもよい。段
差部２９２は突出部２９４と凹部２９６との間でもよく、段差部２９２は約３０度〜約４
０度の刈り込み角度で表面に接合している。
環状傾斜リム２８８と、チャンバ１００内においてシールド２０１の上壁部２１６に隣
接している側壁部２９０の複雑な形状が、暗部領域つまり自由電子が非常に不足しており
真空としてモデル化可能なエリアを構成する回旋状間隙部３００を形成している。暗部領
域を制御することで、プラズマの進入、アーク放電の発生及び不安定な状態の発生を防止
することが重要である。間隙部３００の形状はスパッタされたプラズマ種のその内部の通
過を阻害する迷路として機能し、これにより周縁ターゲット領域の表面へのスパッタ堆積
物の蓄積が軽減される。ある構成においては、暗部領域の周縁境界部を、例えばクリーン
コート（商標名）等のツインワイヤ・アルミニウムアーク溶射コーティングで処理して、
この領域での粒子の落下を軽減してもよい。
スパッタリングプレート２８０は金属又は金属化合物を含む。例えば、スパッタリング
プレート２８０は例えばアルミニウム、銅、タングステン、チタン、コバルト、ニッケル
又はタンタル等の金属が可能である。スパッタリングプレート２８０は、例えば窒化タン
タル、窒化タングステン又は窒化チタン等の金属化合物であることも可能である。
バッキングプレート２８４は、スパッタリングプレート２８０を支持する支持面３０３
とスパッタリングプレート２８０の半径を超えて延びる周縁出っ張り部３０４を有する。
バッキングプレート２８４は例えばステンレススチール、アルミニウム、銅・クロム又は
銅・亜鉛等の金属から形成される。バッキングプレート２８４はターゲット１４０で発生
した熱を放散させるに十分な高さの熱伝導率を有する材料から形成可能であり、高い熱伝
導率はスパッタリングプレート２８０とバッキングプレート２８４の双方で形成される。
熱はこれらのプレート２８０、２８４で生じた渦電流及びプラズマからのエネルギーイオ
ンのターゲット１４０のスパッタリング表面１３９への衝突によって発生する。高い熱伝
導率を有するバッキングプレート２８４により、ターゲット１４０内で発生した熱の周辺
構造、更にはバッキングプレート２８４の背後又はそれ自体の内部に取り付けられる熱交
換器への放散が可能となる。例えば、バッキングプレート２８４は熱伝達流体をその内部
で循環させるチャネル（図示せず）を備えることが可能である。バッキングプレート２８
４にとって適切な高さの熱伝導率は少なくとも約２００Ｗ／ｍＫ、例えば約２２０〜約４
００Ｗ／ｍＫであることが判明している。こういった熱伝導性レベルにより、ターゲット
１４０内で発生した熱をより効率的に放散し、ターゲット１４０をより長い処理時間に亘
って稼動させることが可能となる。
高熱伝導性と低抵抗率を有する材料から成るバッキングプレート２８４であることと組
合せて、或いは独立して及びそれ自体で、バッキングプレート２８４は１つ以上の溝部（
図示せず）を有する背面を備えていてもよい。例えば、バッキングプレート２８４は環状
溝部等の溝部又は隆起部をターゲット１４０の背面１４１の冷却用に有する。溝部及び隆
起部は別のパターンを有することも可能であり、例えば矩形格子パターン、鳥足型パター
ン、又は背面全体を走る単純な直線パターンが挙げられる。
スパッタリングプレート２８０は２つのプレート２８０、２８４を互いに重ね合わせて
これらを適切な温度、典型的には少なくとも約２００℃にまで加熱する拡散接合によりバ
ッキングプレート２８４へと取り付け可能である。任意で、スパッタリングターゲット１
４０は、スパッタリングプレートとバッキングプレートの双方として機能するに十分な深
さを有する一体成形材料から成る一体型構造であってもよい。
バッキングプレート２８４の周縁出っ張り部３０４はチャンバ１００内において絶縁体
３１０上に載る外側足場部３０８を備える（図２Ａ〜Ｂ及び３）。周縁出っ張り部３０４
はＯリング溝部３１２を含み、この中にＯリング３１４を設置して真空シールを形成する
。絶縁体３１０はバッキングプレート２８４をチャンバ１００から電気的に隔離及び分離
し、典型的には酸化アルミニウム等の誘電又は絶縁材料から形成されたリングである。周
縁出っ張り部３０４は、スパッタされた材料及びプラズマ種のターゲット１４０と絶縁体
３１０との間の間隙を通っての流れ又は移動を妨害し、低角度でスパッタされた堆積物の
間隙部への侵入を妨げるような形状に構成されている。
ターゲット１４０の周縁出っ張り部３０４は例えばツインワイヤ・アーク溶射アルミニ
ウムコーティング等の保護コーティングでコーティングする。コーティング前、周縁出っ
張り部３０４から油分を除去し、炭化ケイ素盤で研磨することで粗さ２００〜３００マイ
クロインチを達成する。コーティング範囲は、スパッタリングプレート２８０の周縁側壁
部２９０とバッキングプレート２８４の周縁出っ張り部３０４に亘って広がる。コーティ
ングの最終表面粗さは約５００〜約９００マイクロインチ、厚さは約５〜約１０ミリであ
る。コーティングにより、ターゲット１４０の縁部が保護され、スパッタされた材料の接
着性が向上し、これらの表面からの材料の剥離が軽減される。
スパッタリングターゲット１４０はターゲット電源３２０へと接続されており、電源は
スパッタリング処理中に、電気的に浮遊しているシールド２０１に相対してバイアス電圧
をターゲット１４０に印加する。ターゲット電源３２０が電力をターゲット１４０、シー
ルド２０１、支持体１３０及びターゲット電源３２０に接続されたその他のチャンバ構成
材に供給する一方で、ガス・エナジャイザ３２４がスパッタリングガスを励起して、スパ
ッタリングガスのプラズマを形成する。ガス・エナジャイザ３２４はコイル３２６への電
流の印加により給電されるソースコイル３２６を備えていてもよい。形成されたプラズマ
はターゲット１４０のスパッタ面１３９に勢い良く衝突し、衝撃を与え、表面１３９から
基板１０４へと材料をスパッタする。
チャンバ１００はターゲット１４０周辺で磁場を成形することでターゲット１４０のス
パッタリングを改善する磁場発生装置３３０を備えていてもよい。容量結合によって発生
したプラズマを、例えば永久磁石又は電磁コイルによってチャンバ１００内で磁場を形成
し、基板１０４の面に対して平行に回転する軸を有する回転磁場が得られる磁場発生装置
３３０によって強化してもよい。それに加え或いはその代替として、チャンバ１００はチ
ャンバ１００のターゲット１４０付近で磁場を発生させ、ターゲット１４０に隣接した高
密度プラズマ領域におけるイオン密度を上昇させることでターゲット１４０材料のスパッ
タを改善する磁場発生装置３３０を含んでいてもよい。改善された磁場発生装置３３０を
用いることで、ターゲットへの衝突目的の非反応性ガスの必要性を最小限に留めながら、
銅の持続的な自己スパッタリング又はアルミニウム、チタン、又はその他金属のスパッタ
リングが可能となり、これは例えばフー（Ｆｕ）に発行された米国特許第６１８３６１４
号の「回転スパッタマグネトロンアセンブリ」及びゴパルラージャ（Ｇｏｐａｌｒａｊａ
）その他に発行された米国特許第６２７４００８号の「銅ビア充填のための統合プロセス
」に記載されている。磁場は実質的に非磁性のターゲット１４０からチャンバ１００に亘
って広がっている。
スパッタリングガスはガス送達システム３３２を通してチャンバ１００へと導入され、
ガス送達システムは質量流制御装置等のガス流量制御弁３３８を有する導管３３６を介し
て、ガス供給源３３４からガスを既定の流量で流す。ガスは混合ガスマニホルド（図示せ
ず）へと送られ、そこでガスは混合されて所望の処理ガス組成物となり、チャンバ１００
へとガスを導入するためのガス流出口を有するガス分配装置３４０へと供給される。処理
ガスは、勢い良くターゲット１４０に衝突してそこから材料をスパッタすることが可能な
アルゴン、キセノン等の非反応性ガスを含んでいてもよい。処理ガスはスパッタされた材
料と反応することで基板１０４上に層を形成可能な、１つ以上の酸素含有ガス及び窒素含
有ガス等の反応性ガスも含んでいてもよい。次に、ガスはガス・エナジャイザ３２４によ
り励起されてプラズマを形成し、スパッタリングターゲット１４０をスパッタする。使用
済みの処理ガス及び副生成物は排気口３４２を通してチャンバ１００から排気される。排
気口３４２は使用済み処理ガスを受け取り、排気導管３４６へと送る排気ポート３４４を
備え、導管はチャンバ１００内のガス圧を制御するための絞り弁を有する。排気導管３４
６は１つ以上の排気ポンプ３４８に接続されている。典型的には、スパッタリングガスの
チャンバ１００内における圧力は真空環境等、例えばガス圧１ミリＴｏｒｒ〜４００ミリ
Ｔｏｒｒ等の減圧状態に設定する。
チャンバ１００は制御装置３５０で制御してもよく、制御装置はチャンバ１００の構成
材による基板１０４の処理を作動させるための命令セットを有するプログラムコードを備
える。例えば、制御装置３５０は基板支持体１３０と基板搬送機構とを作動させるための
基板位置決定命令セットと、ガス流制御弁を作動させてチャンバ１００へのスパッタリン
グガスの流れを設定するためのガス流量制御命令セットと、排気絞り弁を作動させてチャ
ンバ１００内の圧力を維持するためのガス圧制御命令セットと、ガス・エナジャイザ３２
４を作動させてガス励起電力レベルを設定するためのガス・エナジャイザ制御命令セット
と、支持体１３０又は壁部１０６内の温度制御システムを制御してチャンバ１００内の多
様な構成材の温度を設定するための温度制御命令セットと、チャンバ１００内での処理を
監視するための処理監視命令セットを含むプログラムコードを備えることが可能である。
別の構成のスパッタリングチャンバ４００を図４を参照して説明する。このチャンバ４
００は、例えば、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアル社から入手可能
なヴァーサＴＴＮ（ＶＥＲＳＡ ＴＴＮ：商標名）であってもよいが、これに限定される
ものではない。チャンバ４００は基板１０４上にスパッタ材料を堆積するためのスパッタ
リングターゲット１４０を有する。スパッタリングターゲット１４０は、スパッタリング
ターゲット１４０に向かい合う基板支持体４０４の反対に位置される。基板支持体４０４
は、受け面４０８を有する台座部４０６を備える。台座部４０６は例えばステンレススチ
ール等の材料から構成してもよい。台座部４０６には抵抗加熱装置４０９が埋設されてお
り、台座部４０６上の基板１０４を加熱する役割を果たしている。スパッタリングターゲ
ット１４０及び基板支持体４０４はシールド２０１によって取り囲まれている。カバーリ
ング２１２は基板支持体４０４周辺に設置され、堆積リング２０８によって支持されてい
る。堆積リング２０８は台座部４０６の受け面４０８上への設置用にディスク４１０を備
える。ディスク４１０の直径は、台座部４０６の受け面４０８の直径よりも小さい。堆積
リング２０８は更にディスク４１０を取り巻く環状ウェッジ４１２を備える。円筒状バン
ド４１４が水平方向に、環状ウェッジ４１２から内側方向に延びている。環状ウェッジ４
１２は基板支持体４０４の台座部４０６上に据えられる足場部４１６を有する。チャンバ
４００はガス分配装置４１８、ガス・エナジャイザ４２０、及びガス排気口４２２も有す
る。
上述の処理キット２００により、チャンバ１００における処理サイクルの数と所持時間
が著しく向上し、洗浄間隔が伸びる。これは、洗浄が困難な、基板１０４周辺の構成材上
に形成されたスパッタ堆積物の量を低減することで得られる。処理キット２００の構成材
は、スパッタリング区域１０８内における力と圧力の向上させ、回旋状間隙部３００の暗
部領域の温度を低下させることでより高い堆積スループットを得られるようにと設計され
ている。これにより、アダプタ２２６を用いてシールド２０１の熱均一性もまた改善され
る。これに加え、既存の処理キットと比べ、処理キット２００は、キット２００の交換及
び保守サイクルを実行しなくてはならなくなるまでに少なくとも従来よりも約２〜約５倍
多い堆積物をその上に堆積可能となるように設計されている。これはチャンバ１００の稼
働時間における著しい向上であり、処理スループットの上昇にもつながる。
本発明をその特定の好ましい構成を参照して説明してきたが、その他の構成も可能であ
る。例えば、処理キット２００又はその構成材及びアダプタ２２６を、当業者には明らか
であるような、例えばエッチング、ＣＶＤ及びエッチングチャンバといった別のタイプの
用途に用いることが可能である。従って、添付の特許請求の範囲の精神及び範囲は本願に
記載の好ましい構成の説明に制限されるべきではない。

Claims (12)

  1. 基板処理チャンバにおいて堆積リング周辺に設置するためのカバーリングであり、堆積リングがチャンバ内において基板支持体と円筒状シールドとの間に配置され、カバーリングが、
    （ａ）基板支持体を取り囲む傾斜上面を備える環状ウェッジを備え、傾斜上面が内側及び外側周縁部と、傾斜上面の外側周縁部周辺にあり、円筒状シールド内に形成されたガスコンダクタンス穴部を遮断するように配置されたバルブ型突起部と、傾斜上面から下方向に延びて堆積リング上に据えられる足場部と、傾斜上面の内側周縁部周辺の突出ブリムを有し、更にカバーリングが、
    （ｂ）環状ウェッジから下方向に延びる内側及び外側円筒状バンドを備え、内側円筒状バンドの高さが外側円筒状バンドの高さよりも低く、円筒状シールドとカバーリングとの間の空間又は間隙部が、プラズマが通る回旋状のＳ型経路又は迷路を形成するカバーリング。
  2. 環状ウェッジの傾斜上面が半径方向内側に向かって傾斜している請求項１記載のカバーリング。
  3. 傾斜上面が少なくとも１５度の角度で傾斜している請求項１記載のカバーリング。
  4. バルブ型突起部が円筒状シールドとの間で間隙部を形成する楕円形の周方向面を備える請求項１記載のカバーリング。
  5. 基板処理チャンバ内における基板支持体に関連付けながらカバーリングの高さを調節するためにカバーリングが昇降可能である請求項１記載のカバーリング。
  6. カバーリングがチタンを含む請求項１記載のカバーリング。
  7. チタンの純度が少なくとも９９．９パーセントである請求項６記載のカバーリング。
  8. 内側及び外側円筒状バンドが実質的に垂直である請求項１記載のカバーリング。
  9. ツインワイヤ・アルミニウムアーク溶射コーティングを有する露出面を備える請求項１記載のカバーリング。
  10. 基板処理チャンバにおいてスパッタリングターゲットと基板支持体周辺に設置するための処理キットであり、
    （ａ）スパッタリングターゲットを取り囲むシールドであって、
    （１）スパッタリングターゲットと基板支持体を取り囲む円筒状バンドと、
    （２）円筒状バンドから半径方向外側に延びる支持出っ張り部と、
    （３）支持出っ張り部の下にあり、円筒状バンドから半径方向内側に延びる傾斜段差部と、
    （４）傾斜段差部に連結し、基板支持体を取り囲み、第１及び第２脚部を備え、第１脚部が処理ガスの通過が可能な複数のガス穴部を有し、ガス穴部によりガスコンダクタンスの上昇が得られるＵ型チャネルとを備えるシールドと、
    （ｂ）リングアセンブリであって、
    （１）基板支持体周辺に在り、基板支持体周辺の傾斜上面を備える環状ウェッジを備えるカバーリングであって、傾斜上面が内側及び外側周縁部と、傾斜上面の外側周縁部周辺にあり、円筒状シールド内に形成されたガスコンダクタンス穴部を遮断するように配置されたバルブ型突起部と、傾斜上面から下方向に延びて堆積リング上に据えられる足場部と、傾斜上面の内側周縁部周辺の突出ブリムと、環状ウェッジから下方向に延びる内側及び外側円筒状バンドを有し、内側円筒状バンドの高さが外側円筒状バンドの高さよりも低く、円筒状シールドとカバーリングとの間の空間又は間隙部が、プラズマが通る回旋状のＳ型経路又は迷路を形成するカバーリングと、
    （２）カバーリングを支持する堆積リングとを備えるリングアセンブリ、とを備える処理キット。
  11. シールド、カバーリング及び堆積リングのそれぞれがツインワイヤ・アルミニウムアーク溶射コーティングを施した露出面を備える請求項１０記載の処理キット。
  12. （ａ）基板上にスパッタされる物質を堆積するためのスパッタリングターゲットと、
    （ｂ）スパッタリングターゲットに対向する基板支持体と、
    （ｃ）スパッタリングターゲットと基板支持体を取り囲むシールドと、
    （ｄ）基板支持体周辺に配置された請求項１〜９のいずれか１項記載のカバーリングと、
    （ｅ）カバーリングを支持し、基板支持体の受け面上に設置するためのディスクとディスクを取り囲む環状ウェッジを備える堆積リングであって、環状ウェッジが環状ウェッジから内側に延びる円筒状バンドと基板支持体に据えられる足場部を備える堆積リングと、
    （ｆ）チャンバへガスを導入するためのガス分散装置と、
    （ｇ）ガスを励起してスパッタリングターゲットから物質をスパッタするためのプラズマを形成するガス・エナジャイザと、
    （ｈ）チャンバからガスを排気するガス排気口とを備えるスパッタリングチャンバ。
JP2014088675A 2007-01-29 2014-04-23 基板処理チャンバ用処理キット Active JP5849124B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/668,461 2007-01-29
US11/668,461 US7981262B2 (en) 2007-01-29 2007-01-29 Process kit for substrate processing chamber

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008016967A Division JP5563197B2 (ja) 2007-01-29 2008-01-28 基板処理チャンバ用処理キット

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014196563A JP2014196563A (ja) 2014-10-16
JP5849124B2 true JP5849124B2 (ja) 2016-01-27

Family

ID=39535408

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008016967A Active JP5563197B2 (ja) 2007-01-29 2008-01-28 基板処理チャンバ用処理キット
JP2014088675A Active JP5849124B2 (ja) 2007-01-29 2014-04-23 基板処理チャンバ用処理キット

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008016967A Active JP5563197B2 (ja) 2007-01-29 2008-01-28 基板処理チャンバ用処理キット

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7981262B2 (ja)
EP (1) EP1953798A3 (ja)
JP (2) JP5563197B2 (ja)
KR (1) KR100945608B1 (ja)
CN (2) CN101787519B (ja)
SG (1) SG144872A1 (ja)
TW (1) TWI419198B (ja)

Families Citing this family (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060226003A1 (en) * 2003-01-22 2006-10-12 John Mize Apparatus and methods for ionized deposition of a film or thin layer
US7910218B2 (en) 2003-10-22 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings
US7670436B2 (en) 2004-11-03 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Support ring assembly
US9659758B2 (en) * 2005-03-22 2017-05-23 Honeywell International Inc. Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production
US20060278520A1 (en) * 2005-06-13 2006-12-14 Lee Eal H Use of DC magnetron sputtering systems
US8617672B2 (en) 2005-07-13 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Localized surface annealing of components for substrate processing chambers
US7762114B2 (en) 2005-09-09 2010-07-27 Applied Materials, Inc. Flow-formed chamber component having a textured surface
US9127362B2 (en) 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US8647484B2 (en) 2005-11-25 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Target for sputtering chamber
US20070283884A1 (en) * 2006-05-30 2007-12-13 Applied Materials, Inc. Ring assembly for substrate processing chamber
US7981262B2 (en) 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
US20100107982A1 (en) * 2007-03-22 2010-05-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Vacuum deposition apparatus part and vacuum deposition apparatus using the part
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
US20090178763A1 (en) * 2008-01-10 2009-07-16 Applied Materials, Inc. Showerhead insulator and etch chamber liner
KR20200067957A (ko) 2008-04-16 2020-06-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들
US9062379B2 (en) * 2008-04-16 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Wafer processing deposition shielding components
KR101511027B1 (ko) * 2008-05-02 2015-04-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ｒｆ물리 기상 증착용 프로세스 키트
US8900471B2 (en) 2009-02-27 2014-12-02 Applied Materials, Inc. In situ plasma clean for removal of residue from pedestal surface without breaking vacuum
US20110036709A1 (en) * 2009-08-11 2011-02-17 Applied Materials, Inc. Process kit for rf physical vapor deposition
US8740206B2 (en) * 2010-01-27 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Life enhancement of ring assembly in semiconductor manufacturing chambers
WO2011094100A2 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Applied Materials, Inc. Adjustable process spacing, centering, and improved gas conductance
US9834840B2 (en) 2010-05-14 2017-12-05 Applied Materials, Inc. Process kit shield for improved particle reduction
US8920564B2 (en) * 2010-07-02 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for thermal based substrate processing with variable temperature capability
TWI554630B (zh) 2010-07-02 2016-10-21 應用材料股份有限公司 減少沉積不對稱性的沉積設備及方法
JP2013537719A (ja) * 2010-08-20 2013-10-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 長寿命デポジションリング
CN105177519B (zh) * 2010-10-29 2018-03-27 应用材料公司 用于物理气相沉积腔室的沉积环及静电夹盘
EP2487275B1 (en) * 2011-02-11 2016-06-15 SPTS Technologies Limited Composite shielding
GB201102447D0 (en) * 2011-02-11 2011-03-30 Spp Process Technology Systems Uk Ltd Composite shielding
US9905443B2 (en) * 2011-03-11 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporating same
TWI477630B (zh) * 2011-10-18 2015-03-21 Au Optronics Corp 薄膜沈積機台及其承載件
US20130136864A1 (en) * 2011-11-28 2013-05-30 United Technologies Corporation Passive termperature control of hpc rotor coating
CN103987873B (zh) * 2011-12-12 2016-10-05 佳能安内华股份有限公司 溅镀装置、靶材及护罩
US8702918B2 (en) * 2011-12-15 2014-04-22 Applied Materials, Inc. Apparatus for enabling concentricity of plasma dark space
US9404174B2 (en) 2011-12-15 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Pinned target design for RF capacitive coupled plasma
US9695502B2 (en) 2012-03-30 2017-07-04 Applied Materials, Inc. Process kit with plasma-limiting gap
KR101935958B1 (ko) * 2012-05-09 2019-01-07 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법
US8486821B1 (en) * 2012-06-05 2013-07-16 Intermolecular, Inc. Method and apparatus for variable conductance
SG11201505064YA (en) 2012-12-26 2015-08-28 Canon Anelva Corp Substrate processing apparatus
US9633824B2 (en) 2013-03-05 2017-04-25 Applied Materials, Inc. Target for PVD sputtering system
US9472443B2 (en) * 2013-03-14 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Selectively groundable cover ring for substrate process chambers
CN105009252B (zh) * 2013-03-14 2017-07-28 应用材料公司 使用选择性接地且可移动的处理配环处理基板的方法与装置
KR102066990B1 (ko) * 2013-06-12 2020-01-15 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치
WO2014209492A1 (en) * 2013-06-26 2014-12-31 Applied Materials, Inc. Single ring design for high yield, substrate extreme edge defect reduction in icp plasma processing chamber
US20150354054A1 (en) * 2014-06-06 2015-12-10 Applied Materials, Inc. Cooled process tool adapter for use in substrate processing chambers
CN105336640B (zh) * 2014-06-17 2018-12-11 北京北方华创微电子装备有限公司 一种反应腔室和反应设备
US10115573B2 (en) 2014-10-14 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Apparatus for high compressive stress film deposition to improve kit life
KR102438139B1 (ko) 2014-12-22 2022-08-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 높은 처리량의 프로세싱 챔버를 위한 프로세스 키트
US9865437B2 (en) * 2014-12-30 2018-01-09 Applied Materials, Inc. High conductance process kit
US10546733B2 (en) * 2014-12-31 2020-01-28 Applied Materials, Inc. One-piece process kit shield
JP2018513567A (ja) * 2015-04-24 2018-05-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ フローアイソレータリングを含むプロセスキット
JP7008509B2 (ja) 2015-05-27 2022-02-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 高成長率のｅｐｉチャンバのための遮熱リング
US10103012B2 (en) 2015-09-11 2018-10-16 Applied Materials, Inc. One-piece process kit shield for reducing the impact of an electric field near the substrate
US9953812B2 (en) 2015-10-06 2018-04-24 Applied Materials, Inc. Integrated process kit for a substrate processing chamber
KR20180077291A (ko) * 2015-11-24 2018-07-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Vhf-rf pvd 챔버들에서 사용하기 위한 프리-코팅된 실드
KR102709229B1 (ko) * 2015-12-07 2024-09-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 병합형 커버 링
US11114289B2 (en) 2016-04-27 2021-09-07 Applied Materials, Inc. Non-disappearing anode for use with dielectric deposition
WO2018008681A1 (ja) * 2016-07-06 2018-01-11 株式会社アルバック 成膜装置、プラテンリング
US10446420B2 (en) 2016-08-19 2019-10-15 Applied Materials, Inc. Upper cone for epitaxy chamber
JP7117300B2 (ja) 2016-11-19 2022-08-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 浮遊シャドウリングを有するプロセスキット
US10636628B2 (en) 2017-09-11 2020-04-28 Applied Materials, Inc. Method for cleaning a process chamber
US10312076B2 (en) 2017-03-10 2019-06-04 Applied Materials, Inc. Application of bottom purge to increase clean efficiency
US10600624B2 (en) 2017-03-10 2020-03-24 Applied Materials, Inc. System and method for substrate processing chambers
US10662520B2 (en) 2017-03-29 2020-05-26 Applied Materials, Inc. Method for recycling substrate process components
CN108690963B (zh) * 2017-04-10 2020-06-23 株式会社新柯隆 成膜装置
TWI673797B (zh) * 2017-09-06 2019-10-01 台灣積體電路製造股份有限公司 製程零件、半導體製造設備及半導體製造方法
US11183373B2 (en) 2017-10-11 2021-11-23 Honeywell International Inc. Multi-patterned sputter traps and methods of making
JP6911705B2 (ja) * 2017-10-27 2021-07-28 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜装置の運転方法
US11056325B2 (en) 2017-12-20 2021-07-06 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for substrate edge uniformity
WO2019147493A1 (en) * 2018-01-29 2019-08-01 Applied Materials, Inc. Process kit geometry for particle reduction in pvd processes
JP6998239B2 (ja) * 2018-03-01 2022-01-18 株式会社アルバック 成膜装置
CN110838429B (zh) * 2018-08-15 2022-07-22 北京北方华创微电子装备有限公司 腔体内衬、等离子体反应腔室和等离子体设备
US11270898B2 (en) * 2018-09-16 2022-03-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for enhancing flow uniformity in a process chamber
CN109735814B (zh) * 2019-01-23 2023-12-22 北京北方华创微电子装备有限公司 磁控溅射反应腔室的冷却组件及其磁控溅射设备
US11486038B2 (en) 2019-01-30 2022-11-01 Applied Materials, Inc. Asymmetric injection for better wafer uniformity
USD933725S1 (en) 2019-02-08 2021-10-19 Applied Materials, Inc. Deposition ring for a substrate processing chamber
CN113906159B (zh) * 2019-06-06 2024-07-19 应用材料公司 用于改进底部净化气流均匀性的挡板实现
US12100577B2 (en) 2019-08-28 2024-09-24 Applied Materials, Inc. High conductance inner shield for process chamber
US11313404B2 (en) * 2019-10-23 2022-04-26 Applied Materials, Inc. Spring-loaded fastening system for process chamber liners
USD941787S1 (en) * 2020-03-03 2022-01-25 Applied Materials, Inc. Substrate transfer blade
USD941372S1 (en) 2020-03-20 2022-01-18 Applied Materials, Inc. Process shield for a substrate processing chamber
USD934315S1 (en) 2020-03-20 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Deposition ring for a substrate processing chamber
US11339466B2 (en) 2020-03-20 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Heated shield for physical vapor deposition chamber
USD941371S1 (en) 2020-03-20 2022-01-18 Applied Materials, Inc. Process shield for a substrate processing chamber
US20210319989A1 (en) * 2020-04-13 2021-10-14 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
USD973609S1 (en) 2020-04-22 2022-12-27 Applied Materials, Inc. Upper shield with showerhead for a process chamber
US12080522B2 (en) 2020-04-22 2024-09-03 Applied Materials, Inc. Preclean chamber upper shield with showerhead
JP7546456B2 (ja) * 2020-11-13 2024-09-06 東京エレクトロン株式会社 エッジリングおよび基板処理装置
USD1038049S1 (en) 2020-11-18 2024-08-06 Applied Materials, Inc. Cover ring for use in semiconductor processing chamber
US12100579B2 (en) 2020-11-18 2024-09-24 Applied Materials, Inc. Deposition ring for thin substrate handling via edge clamping
US11996315B2 (en) 2020-11-18 2024-05-28 Applied Materials, Inc. Thin substrate handling via edge clamping
CN112746260B (zh) * 2020-12-30 2023-02-28 湖南柯盛新材料有限公司 一种冷喷涂制造旋转靶材的工艺及其生产设备
CN113292040B (zh) * 2021-05-31 2023-05-19 成都海威华芯科技有限公司 一种mems滤波器和制备方法
CN113445017B (zh) * 2021-06-01 2022-12-09 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体腔室及半导体工艺设备
US11915918B2 (en) * 2021-06-29 2024-02-27 Applied Materials, Inc. Cleaning of sin with CCP plasma or RPS clean
CN113634457B (zh) * 2021-08-10 2022-06-07 湖南大学 一种MicroLED面板覆膜装置及使用方法
US20230307211A1 (en) * 2022-03-25 2023-09-28 Applied Materials, Inc. Process Chamber And Process Kits For Advanced Packaging
CN114807886B (zh) * 2022-04-13 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室及工艺方法
CN114875362A (zh) * 2022-07-11 2022-08-09 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 一种加快腔室降温的物理气相沉积设备
CN117080042B (zh) * 2023-10-13 2023-12-26 江苏邑文微电子科技有限公司 一种半导体刻蚀设备

Family Cites Families (382)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2705500A (en) 1953-11-04 1955-04-05 Leon L Deer Cleaning aluminum
US3117883A (en) 1960-09-23 1964-01-14 Glidden Co Pigment for aqueous latex emulsion paints
US3482082A (en) 1966-03-18 1969-12-02 Techicon Corp Sample identification apparatus
US3457151A (en) 1966-10-27 1969-07-22 Solutec Corp Electrolytic cleaning method
US3565771A (en) 1967-10-16 1971-02-23 Shipley Co Etching and metal plating silicon containing aluminum alloys
US3522083A (en) 1967-11-03 1970-07-28 Grace W R & Co Phosphonitrilic laminating and molding resins
US3679460A (en) 1970-10-08 1972-07-25 Union Carbide Corp Composite wear resistant material and method of making same
DE2225390A1 (de) 1972-05-25 1973-12-06 Messerschmitt Boelkow Blohm Vorrichtung und verfahren zur herstellung definierter wanddickenaenderungen eines rotationssymmetrischen hohlkoerpers
USRE31198E (en) 1974-02-14 1983-04-05 Amchem Products, Inc. Method for cleaning aluminum at low temperatures
US4419201A (en) 1981-08-24 1983-12-06 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Apparatus and method for plasma-assisted etching of wafers
US4412133A (en) 1982-01-05 1983-10-25 The Perkin-Elmer Corp. Electrostatic cassette
JPS6059104B2 (ja) 1982-02-03 1985-12-23 株式会社東芝 静電チヤツク板
FR2538987A1 (fr) 1983-01-05 1984-07-06 Commissariat Energie Atomique Enceinte pour le traitement et notamment la gravure de substrats par la methode du plasma reactif
GB2147459A (en) 1983-09-30 1985-05-09 Philips Electronic Associated Electrostatic chuck for semiconductor wafers
US4606802A (en) 1983-12-21 1986-08-19 Hitachi, Ltd. Planar magnetron sputtering with modified field configuration
FR2562097A1 (fr) 1984-03-28 1985-10-04 Andritz Ag Maschf Procede pour le decapage d'aciers allies, de cuivre, d'alliages de metaux lourds non-ferreux, de titane, de zirconium, de tantale, etc. au moyen de bains d'acide nitrique
JPS6131636U (ja) 1984-07-31 1986-02-26 株式会社 徳田製作所 静電チヤツク
JPH0676652B2 (ja) 1984-10-08 1994-09-28 キヤノン株式会社 真空装置用構造材の表面処理方法
US5215639A (en) 1984-10-09 1993-06-01 Genus, Inc. Composite sputtering target structures and process for producing such structures
JPS61146717A (ja) 1984-12-18 1986-07-04 Sumitomo Chem Co Ltd タンタルの精製方法
FR2578455B1 (fr) 1985-03-08 1987-05-07 Lami Philippe Ensemble destine a redonner les conditions initiales de proprete dans un tube de quartz utilise comme chambre de reaction pour la fabrication des circuits integres
DE3523958A1 (de) 1985-07-04 1987-01-08 Licentia Gmbh Verfahren zur chemischen behandlung von keramikkoerpern mit nachfolgender metallisierung
JP2515731B2 (ja) 1985-10-25 1996-07-10 株式会社日立製作所 薄膜形成装置および薄膜形成方法
US4713119A (en) 1986-03-20 1987-12-15 Stauffer Chemical Company Process for removing alkali metal aluminum silicate scale deposits from surfaces of chemical process equipment
US4684447A (en) 1986-03-24 1987-08-04 Conoco Inc. Method for applying protective coatings
CH670970A5 (ja) 1986-09-18 1989-07-31 Grob Ernst Fa
US5009966A (en) 1987-12-31 1991-04-23 Diwakar Garg Hard outer coatings deposited on titanium or titanium alloys
US4832781A (en) 1988-01-07 1989-05-23 Varian Associates, Inc. Methods and apparatus for thermal transfer with a semiconductor wafer in vacuum
DE68909665T2 (de) 1988-04-26 1994-02-10 Toto Ltd Verfahren zur Herstellung dielektrischer Keramik für elektrostatische Haltevorrichtungen.
US5032469A (en) 1988-09-06 1991-07-16 Battelle Memorial Institute Metal alloy coatings and methods for applying
JP2665242B2 (ja) 1988-09-19 1997-10-22 東陶機器株式会社 静電チャック
US4959105A (en) 1988-09-30 1990-09-25 Fred Neidiffer Aluminium cleaning composition and process
US5409590A (en) 1989-04-17 1995-04-25 Materials Research Corporation Target cooling and support for magnetron sputter coating apparatus
JP2779950B2 (ja) 1989-04-25 1998-07-23 東陶機器株式会社 静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置
US4995958A (en) 1989-05-22 1991-02-26 Varian Associates, Inc. Sputtering apparatus with a rotating magnet array having a geometry for specified target erosion profile
IT1235332B (it) 1989-06-05 1992-06-26 Diaprint S P A Granitura elettrochimica di superfici in alluminio o in lega di alluminio
DE4018123C2 (de) 1989-06-09 1996-02-22 Minolta Camera Kk Bilddruck- und -abtastvorrichtung
JPH0317288A (ja) 1989-06-13 1991-01-25 Daicel Chem Ind Ltd スタンパー用電解洗浄液
EP0406690B1 (en) 1989-06-28 1997-03-12 Canon Kabushiki Kaisha Process for continuously forming a large area functional deposited film by microwave PCVD method and an apparatus suitable for practicing the same
US5130170A (en) 1989-06-28 1992-07-14 Canon Kabushiki Kaisha Microwave pcvd method for continuously forming a large area functional deposited film using a curved moving substrate web with microwave energy with a directivity in one direction perpendicular to the direction of microwave propagation
US5338367A (en) 1989-07-26 1994-08-16 Ugine, Aciers De Chatillon Et Gueugnon Pickling process in an acid bath of metallic products containing titanium or at least one chemical element of the titanium family
US4996859A (en) 1989-10-23 1991-03-05 A. J. Rose Manufacturing Company Method and apparatus for roll forming metal
US5180563A (en) 1989-10-24 1993-01-19 Gte Products Corporation Treatment of industrial wastes
DE69103915T2 (de) 1990-01-25 1995-05-11 Applied Materials Inc Elektrostatische Klemmvorrichtung und Verfahren.
FR2657888B1 (fr) 1990-02-08 1994-04-15 Ugine Aciers Procedes de decapage de materiaux en acier inoxydable.
US5391275A (en) 1990-03-02 1995-02-21 Applied Materials, Inc. Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber
US5202008A (en) 1990-03-02 1993-04-13 Applied Materials, Inc. Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber
JPH071675B2 (ja) 1990-08-22 1995-01-11 大日本スクリーン製造株式会社 シャドウマスクの製造方法及びシャドウマスク板材
JP3064409B2 (ja) 1990-11-30 2000-07-12 株式会社日立製作所 保持装置およびそれを用いた半導体製造装置
US5304248A (en) 1990-12-05 1994-04-19 Applied Materials, Inc. Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions
US5855687A (en) 1990-12-05 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Substrate support shield in wafer processing reactors
DE69130205T2 (de) 1990-12-25 1999-03-25 Ngk Insulators, Ltd., Nagoya, Aichi Heizungsapparat für eine Halbleiterscheibe und Verfahren zum Herstellen desselben
US5166856A (en) 1991-01-31 1992-11-24 International Business Machines Corporation Electrostatic chuck with diamond coating
US5215624A (en) 1991-02-08 1993-06-01 Aluminum Company Of America Milling solution and method
US5248386A (en) 1991-02-08 1993-09-28 Aluminum Company Of America Milling solution and method
US5191506A (en) 1991-05-02 1993-03-02 International Business Machines Corporation Ceramic electrostatic chuck
US5325261A (en) 1991-05-17 1994-06-28 Unisearch Limited Electrostatic chuck with improved release
US6077384A (en) 1994-08-11 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode
US5458759A (en) 1991-08-02 1995-10-17 Anelva Corporation Magnetron sputtering cathode apparatus
US5275683A (en) 1991-10-24 1994-01-04 Tokyo Electron Limited Mount for supporting substrates and plasma processing apparatus using the same
US5539609A (en) 1992-12-02 1996-07-23 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck usable in high density plasma
JPH05166757A (ja) 1991-12-13 1993-07-02 Tokyo Electron Ltd 被処理体の温調装置
US5356723A (en) 1991-12-18 1994-10-18 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Multilayer plated aluminum sheets
US5376223A (en) 1992-01-09 1994-12-27 Varian Associates, Inc. Plasma etch process
US5315473A (en) 1992-01-21 1994-05-24 Applied Materials, Inc. Isolated electrostatic chuck and excitation method
JP2865472B2 (ja) 1992-02-20 1999-03-08 信越化学工業株式会社 静電チャック
US5314597A (en) 1992-03-20 1994-05-24 Varian Associates, Inc. Sputtering apparatus with a magnet array having a geometry for a specified target erosion profile
FR2692599B1 (fr) 1992-06-17 1994-09-16 Prod Ind Cfpi Franc Procédé de traitement de substrats à base d'aluminium en vue de leur anodisation, bain mis en Óoeuvre dans ce procédé et concentré pour préparer le bain.
JP2938679B2 (ja) 1992-06-26 1999-08-23 信越化学工業株式会社 セラミックス製静電チャック
US5401319A (en) 1992-08-27 1995-03-28 Applied Materials, Inc. Lid and door for a vacuum chamber and pretreatment therefor
US5630314A (en) 1992-09-10 1997-05-20 Hitachi, Ltd. Thermal stress relaxation type ceramic coated heat-resistant element
US6338906B1 (en) 1992-09-17 2002-01-15 Coorstek, Inc. Metal-infiltrated ceramic seal
JP2839801B2 (ja) 1992-09-18 1998-12-16 三菱マテリアル株式会社 ウェーハの製造方法
US5803977A (en) 1992-09-30 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for full wafer deposition
JP3566740B2 (ja) 1992-09-30 2004-09-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 全ウエハデポジション用装置
US5292554A (en) 1992-11-12 1994-03-08 Applied Materials, Inc. Deposition apparatus using a perforated pumping plate
US5350479A (en) 1992-12-02 1994-09-27 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck for high power plasma processing
US5684669A (en) 1995-06-07 1997-11-04 Applied Materials, Inc. Method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck
US5366585A (en) 1993-01-28 1994-11-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for protection of conductive surfaces in a plasma processing reactor
US5542559A (en) 1993-02-16 1996-08-06 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Plasma treatment apparatus
US5800686A (en) 1993-04-05 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber with substrate edge protection
JPH06326175A (ja) 1993-04-22 1994-11-25 Applied Materials Inc 集積回路処理装置において使用されるウエハサポートの誘電材への保護被覆とその形成方法
CH690805A5 (de) 1993-05-04 2001-01-15 Unaxis Balzers Ag Magnetfeldunterstützte Zerstäubungsanordnung und Vakuumbehandlungsanlage hiermit.
US5403459A (en) 1993-05-17 1995-04-04 Applied Materials, Inc. Cleaning of a PVD chamber containing a collimator
US5407551A (en) 1993-07-13 1995-04-18 The Boc Group, Inc. Planar magnetron sputtering apparatus
EP0634756B1 (en) 1993-07-16 1998-09-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Metal oxide resistor, power resistor, and power circuit breaker
US5614055A (en) 1993-08-27 1997-03-25 Applied Materials, Inc. High density plasma CVD and etching reactor
US5433835B1 (en) 1993-11-24 1997-05-20 Applied Materials Inc Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid
US6199259B1 (en) 1993-11-24 2001-03-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Autoclave bonding of sputtering target assembly
US5487822A (en) 1993-11-24 1996-01-30 Applied Materials, Inc. Integrated sputtering target assembly
DE59406576D1 (de) 1993-12-27 1998-09-03 Hoechst Ag Thermisches auftragsverfahren für hydrophile schichten auf hydrophoben substraten und verwendung so beschichteter substrate als trägerkörper für offsetdruckplatten
US5463526A (en) 1994-01-21 1995-10-31 Lam Research Corporation Hybrid electrostatic chuck
KR100404631B1 (ko) 1994-01-31 2004-02-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 두께가일정한절연체막을갖는정전기척
US5474649A (en) 1994-03-08 1995-12-12 Applied Materials, Inc. Plasma processing apparatus employing a textured focus ring
US5512078A (en) 1994-03-24 1996-04-30 Griffin; Stephen E. Apparatus for making linearly tapered bores in quartz tubing with a controlled laser
US5685914A (en) 1994-04-05 1997-11-11 Applied Materials, Inc. Focus ring for semiconductor wafer processing in a plasma reactor
JP2720420B2 (ja) 1994-04-06 1998-03-04 キヤノン販売株式会社 成膜／エッチング装置
US5518593A (en) 1994-04-29 1996-05-21 Applied Komatsu Technology, Inc. Shield configuration for vacuum chamber
US5531835A (en) 1994-05-18 1996-07-02 Applied Materials, Inc. Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber
JP3909608B2 (ja) * 1994-09-30 2007-04-25 株式会社アルバック 真空処理装置
JP3020017B2 (ja) 1994-11-07 2000-03-15 大同メタル工業株式会社 湿式摩擦部材
US5605637A (en) 1994-12-15 1997-02-25 Applied Materials Inc. Adjustable dc bias control in a plasma reactor
US5868847A (en) 1994-12-16 1999-02-09 Applied Materials, Inc. Clamp ring for shielding a substrate during film layer deposition
DE4446919A1 (de) 1994-12-28 1996-07-04 Dynamit Nobel Ag Verfahren zur Herstellung von innenverzahnten Teilen
JP2689931B2 (ja) 1994-12-29 1997-12-10 日本電気株式会社 スパッタ方法
US5792562A (en) 1995-01-12 1998-08-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with polymeric impregnation and method of making
JP3744964B2 (ja) 1995-04-06 2006-02-15 株式会社アルバック 成膜装置用構成部品及びその製造方法
US6073830A (en) 1995-04-21 2000-06-13 Praxair S.T. Technology, Inc. Sputter target/backing plate assembly and method of making same
US5886863A (en) 1995-05-09 1999-03-23 Kyocera Corporation Wafer support member
US5695825A (en) 1995-05-31 1997-12-09 Amorphous Technologies International Titanium-containing ferrous hard-facing material source and method for hard facing a substrate
US5690795A (en) * 1995-06-05 1997-11-25 Applied Materials, Inc. Screwless shield assembly for vacuum processing chambers
US5660640A (en) 1995-06-16 1997-08-26 Joray Corporation Method of removing sputter deposition from components of vacuum deposition equipment
US5614071A (en) 1995-06-28 1997-03-25 Hmt Technology Corporation Sputtering shield
US5876573A (en) 1995-07-10 1999-03-02 Cvc, Inc. High magnetic flux cathode apparatus and method for high productivity physical-vapor deposition
US6221217B1 (en) 1995-07-10 2001-04-24 Cvc, Inc. Physical vapor deposition system having reduced thickness backing plate
KR100227924B1 (ko) 1995-07-28 1999-11-01 가이데 히사오 반도체 웨이퍼 제조방법, 그 방법에 사용되는 연삭방법 및 이에 사용되는 장치
TW279240B (en) 1995-08-30 1996-06-21 Applied Materials Inc Parallel-plate icp source/rf bias electrode head
JP3457477B2 (ja) 1995-09-06 2003-10-20 日本碍子株式会社 静電チャック
JPH09111446A (ja) * 1995-10-17 1997-04-28 Applied Materials Inc スパッタリング装置
JPH09111447A (ja) * 1995-10-17 1997-04-28 Applied Materials Inc スパッタリング装置
US6264812B1 (en) 1995-11-15 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating a plasma
US5763851A (en) 1995-11-27 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Slotted RF coil shield for plasma deposition system
JPH09270401A (ja) 1996-01-31 1997-10-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウェーハの研磨方法
US6095084A (en) 1996-02-02 2000-08-01 Applied Materials, Inc. High density plasma process chamber
US5879524A (en) 1996-02-29 1999-03-09 Sony Corporation Composite backing plate for a sputtering target
US5658442A (en) 1996-03-07 1997-08-19 Applied Materials, Inc. Target and dark space shield for a physical vapor deposition system
US5901751A (en) 1996-03-08 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Restrictor shield having a variable effective throughout area
JP3620554B2 (ja) 1996-03-25 2005-02-16 信越半導体株式会社 半導体ウェーハ製造方法
US5720818A (en) 1996-04-26 1998-02-24 Applied Materials, Inc. Conduits for flow of heat transfer fluid to the surface of an electrostatic chuck
EP0803900A3 (en) 1996-04-26 1999-12-29 Applied Materials, Inc. Surface preparation to enhance the adhesion of a dielectric layer
US6108189A (en) 1996-04-26 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved gas conduits
US6368469B1 (en) 1996-05-09 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Coils for generating a plasma and for sputtering
US5948288A (en) 1996-05-28 1999-09-07 Komag, Incorporated Laser disk texturing apparatus
US5824197A (en) 1996-06-05 1998-10-20 Applied Materials, Inc. Shield for a physical vapor deposition chamber
US5812362A (en) 1996-06-14 1998-09-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for the use of diamond films as dielectric coatings on electrostatic chucks
US5748434A (en) 1996-06-14 1998-05-05 Applied Materials, Inc. Shield for an electrostatic chuck
US6120621A (en) 1996-07-08 2000-09-19 Alcan International Limited Cast aluminum alloy for can stock and process for producing the alloy
US5736021A (en) 1996-07-10 1998-04-07 Applied Materials, Inc. Electrically floating shield in a plasma reactor
US5846332A (en) 1996-07-12 1998-12-08 Applied Materials, Inc. Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber
US5810931A (en) 1996-07-30 1998-09-22 Applied Materials, Inc. High aspect ratio clamp ring
US5914018A (en) 1996-08-23 1999-06-22 Applied Materials, Inc. Sputter target for eliminating redeposition on the target sidewall
US6143432A (en) 1998-01-09 2000-11-07 L. Pierre deRochemont Ceramic composites with improved interfacial properties and methods to make such composites
US5916454A (en) 1996-08-30 1999-06-29 Lam Research Corporation Methods and apparatus for reducing byproduct particle generation in a plasma processing chamber
US5942041A (en) 1996-09-16 1999-08-24 Mosel-Vitelic, Inc. Non-sticking semi-conductor wafer clamp and method of making same
US5830327A (en) 1996-10-02 1998-11-03 Intevac, Inc. Methods and apparatus for sputtering with rotating magnet sputter sources
US6007673A (en) 1996-10-02 1999-12-28 Matsushita Electronics Corporation Apparatus and method of producing an electronic device
US6190513B1 (en) 1997-05-14 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Darkspace shield for improved RF transmission in inductively coupled plasma sources for sputter deposition
US6254737B1 (en) 1996-10-08 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Active shield for generating a plasma for sputtering
US6036587A (en) 1996-10-10 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Carrier head with layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system
US5930661A (en) 1996-10-15 1999-07-27 Vanguard International Semiconductor Corporation Substrate clamp design for minimizing substrate to clamp sticking during thermal processing of thermally flowable layers
US5685959A (en) 1996-10-25 1997-11-11 Hmt Technology Corporation Cathode assembly having rotating magnetic-field shunt and method of making magnetic recording media
SG54602A1 (en) 1996-11-26 1998-11-16 Applied Materials Inc Coated deposition chamber equipment
US6284093B1 (en) 1996-11-29 2001-09-04 Applied Materials, Inc. Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
US5885428A (en) 1996-12-04 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for both mechanically and electrostatically clamping a wafer to a pedestal within a semiconductor wafer processing system
US6152071A (en) 1996-12-11 2000-11-28 Canon Kabushiki Kaisha High-frequency introducing means, plasma treatment apparatus, and plasma treatment method
US5939146A (en) 1996-12-11 1999-08-17 The Regents Of The University Of California Method for thermal spraying of nanocrystalline coatings and materials for the same
US5821166A (en) 1996-12-12 1998-10-13 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor wafers
US6120640A (en) 1996-12-19 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Boron carbide parts and coatings in a plasma reactor
WO1998028779A1 (de) 1996-12-21 1998-07-02 Singulus Technologies Ag Vorrichtung zur kathodenzerstäubung
JP2001509214A (ja) 1997-01-16 2001-07-10 ボトムフィールド，ロジャー，エル． 蒸気蒸着構成要素及び対応する方法
US5963778A (en) 1997-02-13 1999-10-05 Tosoh Smd, Inc. Method for producing near net shape planar sputtering targets and an intermediate therefor
US5808270A (en) 1997-02-14 1998-09-15 Ford Global Technologies, Inc. Plasma transferred wire arc thermal spray apparatus and method
US5844318A (en) 1997-02-18 1998-12-01 Micron Technology, Inc. Aluminum film for semiconductive devices
US6599399B2 (en) * 1997-03-07 2003-07-29 Applied Materials, Inc. Sputtering method to generate ionized metal plasma using electron beams and magnetic field
US5916378A (en) 1997-03-11 1999-06-29 Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. Method of reducing metal contamination during semiconductor processing in a reactor having metal components
US6432203B1 (en) 1997-03-17 2002-08-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated and cooled vacuum chamber shield
US5893643A (en) 1997-03-25 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for measuring pedestal temperature in a semiconductor wafer processing system
US6103069A (en) 1997-03-31 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Chamber design with isolation valve to preserve vacuum during maintenance
KR100246858B1 (ko) 1997-05-07 2000-03-15 윤종용 건식 식각 장치
DE19719133C2 (de) 1997-05-07 1999-09-02 Heraeus Quarzglas Glocke aus Quarzglas und Verfahren für ihre Herstellung
US6000415A (en) 1997-05-12 1999-12-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for positioning a restrictor shield of a pump in response to an electric signal
US6103070A (en) 1997-05-14 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Powered shield source for high density plasma
US6210539B1 (en) 1997-05-14 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for producing a uniform density plasma above a substrate
US5897752A (en) 1997-05-20 1999-04-27 Applied Materials, Inc. Wafer bias ring in a sustained self-sputtering reactor
US6589407B1 (en) 1997-05-23 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Aluminum deposition shield
US6051114A (en) 1997-06-23 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Use of pulsed-DC wafer bias for filling vias/trenches with metal in HDP physical vapor deposition
US5985033A (en) 1997-07-11 1999-11-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a gas
US6063440A (en) 1997-07-11 2000-05-16 Applied Materials, Inc. Method for aligning a wafer
US6186092B1 (en) 1997-08-19 2001-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for aligning and controlling edge deposition on a substrate
US6051122A (en) 1997-08-21 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Deposition shield assembly for a semiconductor wafer processing system
US6162297A (en) 1997-09-05 2000-12-19 Applied Materials, Inc. Embossed semiconductor fabrication parts
US6010583A (en) 1997-09-09 2000-01-04 Sony Corporation Method of making unreacted metal/aluminum sputter target
US6258170B1 (en) 1997-09-11 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Vaporization and deposition apparatus
US5922133A (en) 1997-09-12 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Multiple edge deposition exclusion rings
US5903428A (en) 1997-09-25 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Hybrid Johnsen-Rahbek electrostatic chuck having highly resistive mesas separating the chuck from a wafer supported thereupon and method of fabricating same
US5879523A (en) 1997-09-29 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Ceramic coated metallic insulator particularly useful in a plasma sputter reactor
US5920764A (en) 1997-09-30 1999-07-06 International Business Machines Corporation Process for restoring rejected wafers in line for reuse as new
US6364957B1 (en) 1997-10-09 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Support assembly with thermal expansion compensation
US6379575B1 (en) 1997-10-21 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Treatment of etching chambers using activated cleaning gas
US5953827A (en) 1997-11-05 1999-09-21 Applied Materials, Inc. Magnetron with cooling system for process chamber of processing system
US6106625A (en) 1997-12-02 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Reactor useful for chemical vapor deposition of titanium nitride
US5976327A (en) 1997-12-12 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Step coverage and overhang improvement by pedestal bias voltage modulation
EP1043428B1 (en) 1997-12-22 2006-06-07 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Fibers for electric flocking and electrically flocked article
US6340415B1 (en) 1998-01-05 2002-01-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing a sputtering target's lifetime
US6579431B1 (en) 1998-01-14 2003-06-17 Tosoh Smd, Inc. Diffusion bonding of high purity metals and metal alloys to aluminum backing plates using nickel or nickel alloy interlayers
KR100265289B1 (ko) 1998-01-26 2000-09-15 윤종용 플라즈마식각장치의 캐소우드 제조방법 및 이에 따라 제조되는 캐소우드
JP3271658B2 (ja) 1998-03-23 2002-04-02 信越半導体株式会社 半導体シリコン単結晶ウェーハのラップ又は研磨方法
JP3483494B2 (ja) 1998-03-31 2004-01-06 キヤノン株式会社 真空処理装置および真空処理方法、並びに該方法によって作成される電子写真感光体
US6015465A (en) 1998-04-08 2000-01-18 Applied Materials, Inc. Temperature control system for semiconductor process chamber
US6081414A (en) * 1998-05-01 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system
USH2087H1 (en) 1998-05-19 2003-11-04 H. C. Starck, Inc. Pickling of refractory metals
US6323055B1 (en) 1998-05-27 2001-11-27 The Alta Group, Inc. Tantalum sputtering target and method of manufacture
US6086735A (en) 1998-06-01 2000-07-11 Praxair S.T. Technology, Inc. Contoured sputtering target
JPH11350118A (ja) 1998-06-12 1999-12-21 Applied Materials Inc 成膜装置
US6014979A (en) 1998-06-22 2000-01-18 Applied Materials, Inc. Localizing cleaning plasma for semiconductor processing
DE19830817B4 (de) 1998-07-09 2011-06-09 Leifeld Metal Spinning Gmbh Verfahren zum Umformen eines Werkstücks durch Drückwalzen
US6096135A (en) 1998-07-21 2000-08-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing contamination of a substrate in a substrate processing system
US6280584B1 (en) 1998-07-29 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Compliant bond structure for joining ceramic to metal
US6132566A (en) 1998-07-30 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma
US6183686B1 (en) 1998-08-04 2001-02-06 Tosoh Smd, Inc. Sputter target assembly having a metal-matrix-composite backing plate and methods of making same
US6071389A (en) 1998-08-21 2000-06-06 Tosoh Smd, Inc. Diffusion bonded sputter target assembly and method of making
JP4213790B2 (ja) 1998-08-26 2009-01-21 コバレントマテリアル株式会社 耐プラズマ部材およびそれを用いたプラズマ処理装置
US6749103B1 (en) 1998-09-11 2004-06-15 Tosoh Smd, Inc. Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby
US6170429B1 (en) 1998-09-30 2001-01-09 Lam Research Corporation Chamber liner for semiconductor process chambers
US6238528B1 (en) 1998-10-13 2001-05-29 Applied Materials, Inc. Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source
JP2000124092A (ja) 1998-10-16 2000-04-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd 水素イオン注入剥離法によってｓｏｉウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたｓｏｉウエーハ
KR20010089376A (ko) 1998-10-29 2001-10-06 조셉 제이. 스위니 전력을 반도체 웨이퍼 프로세싱 시스템내의 제품을 통하여연결하기 위한 장치
JP2000144399A (ja) 1998-10-30 2000-05-26 Applied Materials Inc スパッタリング装置
US6365010B1 (en) 1998-11-06 2002-04-02 Scivac Sputtering apparatus and process for high rate coatings
US6149776A (en) * 1998-11-12 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Copper sputtering target
US6168668B1 (en) 1998-11-25 2001-01-02 Applied Materials, Inc. Shadow ring and guide for supporting the shadow ring in a chamber
US6447853B1 (en) 1998-11-30 2002-09-10 Kawasaki Microelectronics, Inc. Method and apparatus for processing semiconductor substrates
JP3919409B2 (ja) 1998-11-30 2007-05-23 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 プラズマ処理装置および半導体製造装置のフォーカスリング
JP3865349B2 (ja) 1998-12-21 2007-01-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド イオン注入装置のウェハ支持台
US6276997B1 (en) 1998-12-23 2001-08-21 Shinhwa Li Use of chemical mechanical polishing and/or poly-vinyl-acetate scrubbing to restore quality of used semiconductor wafers
JP4141560B2 (ja) 1998-12-28 2008-08-27 日本メクトロン株式会社 回路基板のプラズマ処理装置
JP3164559B2 (ja) 1998-12-28 2001-05-08 太平洋セメント株式会社 処理容器用部材
US6159299A (en) 1999-02-09 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Wafer pedestal with a purge ring
US6294063B1 (en) * 1999-02-12 2001-09-25 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and apparatus for programmable fluidic processing
US6183614B1 (en) 1999-02-12 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Rotating sputter magnetron assembly
US6123804A (en) 1999-02-22 2000-09-26 Applied Materials, Inc. Sectional clamp ring
KR100343136B1 (ko) 1999-03-18 2002-07-05 윤종용 이중 연마저지층을 이용한 화학기계적 연마방법
KR20010014842A (ko) 1999-04-30 2001-02-26 조셉 제이. 스위니 반도체 장치를 제조하기 위한 장치 및 방법
US6500321B1 (en) 1999-05-26 2002-12-31 Novellus Systems, Inc. Control of erosion profile and process characteristics in magnetron sputtering by geometrical shaping of the sputtering target
US6146509A (en) 1999-06-11 2000-11-14 Scivac Inverted field circular magnetron sputtering device
US6156124A (en) 1999-06-18 2000-12-05 Applied Materials, Inc. Wafer transfer station for a chemical mechanical polisher
US6352620B2 (en) 1999-06-28 2002-03-05 Applied Materials, Inc. Staged aluminum deposition process for filling vias
US6444083B1 (en) 1999-06-30 2002-09-03 Lam Research Corporation Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
US6235163B1 (en) 1999-07-09 2001-05-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for ionized metal plasma copper deposition with enhanced in-film particle performance
US6162336A (en) 1999-07-12 2000-12-19 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Clamping ring design to reduce wafer sticking problem in metal deposition
US6500299B1 (en) 1999-07-22 2002-12-31 Applied Materials Inc. Chamber having improved gas feed-through and method
KR100613919B1 (ko) 1999-07-26 2006-08-18 동경 엘렉트론 주식회사 기판세정구, 기판세정장치 및 기판세정방법
US6689252B1 (en) 1999-07-28 2004-02-10 Applied Materials, Inc. Abatement of hazardous gases in effluent
KR100315088B1 (ko) 1999-09-29 2001-11-24 윤종용 포커스 링을 갖는 반도체 웨이퍼 제조 장치
US6423175B1 (en) 1999-10-06 2002-07-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Apparatus and method for reducing particle contamination in an etcher
US6190516B1 (en) 1999-10-06 2001-02-20 Praxair S.T. Technology, Inc. High magnetic flux sputter targets with varied magnetic permeability in selected regions
US6398929B1 (en) 1999-10-08 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Plasma reactor and shields generating self-ionized plasma for sputtering
US6149784A (en) * 1999-10-22 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Sputtering chamber shield promoting reliable plasma ignition
US6299740B1 (en) 2000-01-19 2001-10-09 Veeco Instrument, Inc. Sputtering assembly and target therefor
US6780794B2 (en) 2000-01-20 2004-08-24 Honeywell International Inc. Methods of bonding physical vapor deposition target materials to backing plate materials
US6277249B1 (en) 2000-01-21 2001-08-21 Applied Materials Inc. Integrated process for copper via filling using a magnetron and target producing highly energetic ions
US6227435B1 (en) 2000-02-02 2001-05-08 Ford Global Technologies, Inc. Method to provide a smooth paintable surface after aluminum joining
US6627056B2 (en) 2000-02-16 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for ionized plasma deposition
TW503442B (en) 2000-02-29 2002-09-21 Applied Materials Inc Coil and coil support for generating a plasma
JP2002181050A (ja) 2000-03-16 2002-06-26 Nsk Ltd 転がり摺動部材とその製造方法及び転がり摺動ユニット
US6391146B1 (en) 2000-04-11 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Erosion resistant gas energizer
US6394023B1 (en) 2000-03-27 2002-05-28 Applied Materials, Inc. Process kit parts and method for using same
US6623595B1 (en) 2000-03-27 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Wavy and roughened dome in plasma processing reactor
US6416634B1 (en) 2000-04-05 2002-07-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing target arcing during sputter deposition
TW503449B (en) 2000-04-18 2002-09-21 Ngk Insulators Ltd Halogen gas plasma-resistive members and method for producing the same, laminates, and corrosion-resistant members
JP4592916B2 (ja) 2000-04-25 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置
US6401652B1 (en) 2000-05-04 2002-06-11 Applied Materials, Inc. Plasma reactor inductive coil antenna with flat surface facing the plasma
US6287437B1 (en) 2000-05-05 2001-09-11 Alcatel Recessed bonding of target for RF diode sputtering
US6619537B1 (en) 2000-06-12 2003-09-16 Tosoh Smd, Inc. Diffusion bonding of copper sputtering targets to backing plates using nickel alloy interlayers
US6484794B1 (en) 2000-07-06 2002-11-26 Edward R. Schulak Energy transfer system for cold storage facilities
US6358376B1 (en) 2000-07-10 2002-03-19 Applied Materials, Inc. Biased shield in a magnetron sputter reactor
US6627050B2 (en) 2000-07-28 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing a tantalum-containing layer on a substrate
US6506289B2 (en) 2000-08-07 2003-01-14 Symmorphix, Inc. Planar optical devices and methods for their manufacture
TW495863B (en) 2000-08-11 2002-07-21 Chem Trace Inc System and method for cleaning semiconductor fabrication equipment
JP2002057203A (ja) * 2000-08-14 2002-02-22 Anelva Corp 基板処理装置
KR20030024868A (ko) 2000-08-17 2003-03-26 토소우 에스엠디, 인크 수명-종료-표시를 갖는 고순도 스퍼터 타켓과 이의 제조방법
US6383459B1 (en) 2000-08-31 2002-05-07 Osram Sylvania Inc. Method for purifying a tantalum compound using a fluoride compound and sulfuric acid
WO2002022300A1 (en) 2000-09-11 2002-03-21 Tosoh Smd, Inc. Method of manufacturing sputter targets with internal cooling channels
US6503331B1 (en) 2000-09-12 2003-01-07 Applied Materials, Inc. Tungsten chamber with stationary heater
US6475336B1 (en) 2000-10-06 2002-11-05 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring for plasma processing
US6797639B2 (en) 2000-11-01 2004-09-28 Applied Materials Inc. Dielectric etch chamber with expanded process window
WO2002040733A1 (fr) 2000-11-17 2002-05-23 Nikko Materials Company, Limited Cible de pulverisation produisant peu de particules, plaque support ou appareil de pulverisation, et procede de pulverisation produisant peu de particules
US6887356B2 (en) 2000-11-27 2005-05-03 Cabot Corporation Hollow cathode target and methods of making same
EP1341948A1 (de) 2000-11-27 2003-09-10 Unaxis Trading AG Target mit dickenprofilierung für rf magnetron
US20020090464A1 (en) 2000-11-28 2002-07-11 Mingwei Jiang Sputter chamber shield
US6800173B2 (en) 2000-12-15 2004-10-05 Novellus Systems, Inc. Variable gas conductance control for a process chamber
WO2002049785A1 (en) 2000-12-18 2002-06-27 Tosoh Smd, Inc. Low temperature sputter target/backing plate joining technique and assemblies made thereby
US6805952B2 (en) 2000-12-29 2004-10-19 Lam Research Corporation Low contamination plasma chamber components and methods for making the same
JP2002220661A (ja) 2001-01-29 2002-08-09 Sharp Corp スパッタリング装置に用いられるバッキングプレートおよびスパッタリング方法
US6576909B2 (en) 2001-02-28 2003-06-10 International Business Machines Corp. Ion generation chamber
US6673199B1 (en) 2001-03-07 2004-01-06 Applied Materials, Inc. Shaping a plasma with a magnetic field to control etch rate uniformity
JP4209198B2 (ja) 2001-04-24 2009-01-14 トーソー エスエムディー，インク． ターゲット、およびターゲットプロファイルを最適化する方法
US6638366B2 (en) 2001-05-15 2003-10-28 Northrop Grumman Corporation Automated spray cleaning apparatus for semiconductor wafers
US6599405B2 (en) 2001-05-30 2003-07-29 Praxair S.T. Technology, Inc. Recessed sputter target
US6777045B2 (en) 2001-06-27 2004-08-17 Applied Materials Inc. Chamber components having textured surfaces and method of manufacture
US20030000647A1 (en) 2001-06-29 2003-01-02 Applied Materials, Inc. Substrate processing chamber
US7374636B2 (en) 2001-07-06 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing uniform plasma in a magnetic field enhanced plasma reactor
US6974640B2 (en) 2001-07-09 2005-12-13 The University Of Connecticut Duplex coatings and bulk materials, and methods of manufacture thereof
US6588889B2 (en) * 2001-07-16 2003-07-08 Eastman Kodak Company Continuous ink-jet printing apparatus with pre-conditioned air flow
US6620736B2 (en) 2001-07-24 2003-09-16 Tokyo Electron Limited Electrostatic control of deposition of, and etching by, ionized materials in semiconductor processing
US20030047464A1 (en) 2001-07-27 2003-03-13 Applied Materials, Inc. Electrochemically roughened aluminum semiconductor processing apparatus surfaces
US6652713B2 (en) 2001-08-09 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Pedestal with integral shield
US6682627B2 (en) 2001-09-24 2004-01-27 Applied Materials, Inc. Process chamber having a corrosion-resistant wall and method
US6652716B2 (en) 2001-10-19 2003-11-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Apparatus and method for self-aligning a cover ring in a sputter chamber
US6645357B2 (en) 2001-11-05 2003-11-11 Applied Materials, Inc. Mesh shield in a sputter reactor
US6454870B1 (en) 2001-11-26 2002-09-24 General Electric Co. Chemical removal of a chromium oxide coating from an article
US6667577B2 (en) 2001-12-18 2003-12-23 Applied Materials, Inc Plasma reactor with spoke antenna having a VHF mode with the spokes in phase
US6899798B2 (en) 2001-12-21 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Reusable ceramic-comprising component which includes a scrificial surface layer
US6656535B2 (en) 2001-12-21 2003-12-02 Applied Materials, Inc Method of fabricating a coated process chamber component
US6824612B2 (en) 2001-12-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Electroless plating system
US7371467B2 (en) 2002-01-08 2008-05-13 Applied Materials, Inc. Process chamber component having electroplated yttrium containing coating
US6821350B2 (en) 2002-01-23 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Cleaning process residues on a process chamber component
KR100446623B1 (ko) 2002-01-30 2004-09-04 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시장치 및 그 제조방법
US6743340B2 (en) 2002-02-05 2004-06-01 Applied Materials, Inc. Sputtering of aligned magnetic materials and magnetic dipole ring used therefor
DE10392235T5 (de) * 2002-02-14 2005-07-07 Trikon Technologies Limited, Newport Vorrichtung zur Plasmabearbeitung
US20040048876A1 (en) * 2002-02-20 2004-03-11 Pfizer Inc. Ziprasidone composition and synthetic controls
US6623610B1 (en) 2002-03-02 2003-09-23 Shinzo Onishi Magnetron sputtering target for magnetic materials
KR20030071926A (ko) 2002-03-02 2003-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 스퍼터링 타겟 어셈블리 및 이를 이용한 스퍼터링 장비
US6730174B2 (en) 2002-03-06 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Unitary removable shield assembly
US20030170486A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 David Austin Copper clad aluminum strips and a process for making copper clad aluminum strips
US6812471B2 (en) 2002-03-13 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Method of surface texturizing
US6933508B2 (en) 2002-03-13 2005-08-23 Applied Materials, Inc. Method of surface texturizing
US7026009B2 (en) 2002-03-27 2006-04-11 Applied Materials, Inc. Evaluation of chamber components having textured coatings
JP3696566B2 (ja) 2002-03-29 2005-09-21 株式会社日清製粉グループ本社 パン類の製造法
CN100356515C (zh) 2002-04-03 2007-12-19 东邦工程株式会社 抛光垫及使用该垫制造半导体衬底的方法
US20030188685A1 (en) 2002-04-08 2003-10-09 Applied Materials, Inc. Laser drilled surfaces for substrate processing chambers
US7041200B2 (en) 2002-04-19 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Reducing particle generation during sputter deposition
US6676812B2 (en) 2002-05-09 2004-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Alignment mark shielding ring without arcing defect and method for using
TWI269815B (en) 2002-05-20 2007-01-01 Tosoh Smd Inc Replaceable target sidewall insert with texturing
US20030217693A1 (en) 2002-05-22 2003-11-27 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having an edge protector
US6708870B2 (en) 2002-05-24 2004-03-23 Praxair S.T. Technology, Inc. Method for forming sputter target assemblies
US6565984B1 (en) 2002-05-28 2003-05-20 Applied Materials Inc. Clean aluminum alloy for semiconductor processing equipment
WO2003101762A1 (en) 2002-05-28 2003-12-11 Advanced Technology Materials, Inc. Process for cleaning and repassivating semiconductor equipment parts
US6652668B1 (en) 2002-05-31 2003-11-25 Praxair S.T. Technology, Inc. High-purity ferromagnetic sputter targets and method of manufacture
US6955748B2 (en) 2002-07-16 2005-10-18 Honeywell International Inc. PVD target constructions comprising projections
FR2842648B1 (fr) 2002-07-18 2005-01-14 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince electriquement active
US7223323B2 (en) 2002-07-24 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Multi-chemistry plating system
JP2005534188A (ja) 2002-07-26 2005-11-10 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド スピンドライヤーの為の親水性構成要素
US6846396B2 (en) 2002-08-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Active magnetic shielding
US20040231798A1 (en) 2002-09-13 2004-11-25 Applied Materials, Inc. Gas delivery system for semiconductor processing
US7141138B2 (en) 2002-09-13 2006-11-28 Applied Materials, Inc. Gas delivery system for semiconductor processing
DE60326621D1 (de) 2002-10-21 2009-04-23 Cabot Corp Verfahren zur herstellung eines sputtertargets und sputtertarget
US6902628B2 (en) 2002-11-25 2005-06-07 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a coated process chamber component
US20050028838A1 (en) 2002-11-25 2005-02-10 Karl Brueckner Cleaning tantalum-containing deposits from process chamber components
US6688252B1 (en) * 2002-12-11 2004-02-10 Gary Caravella Boat cover
CN101457338B (zh) 2003-02-14 2011-04-27 应用材料股份有限公司 利用含氢自由基清洁自生氧化物的方法和设备
US20060105182A1 (en) 2004-11-16 2006-05-18 Applied Materials, Inc. Erosion resistant textured chamber surface
US20040261946A1 (en) 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
US7297247B2 (en) 2003-05-06 2007-11-20 Applied Materials, Inc. Electroformed sputtering target
US7097744B2 (en) 2003-06-12 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling darkspace gap in a chamber
EP1639620A2 (en) 2003-06-20 2006-03-29 Cabot Corporation Method and design for sputter target attachment to a backing plate
US6992261B2 (en) 2003-07-15 2006-01-31 Cabot Corporation Sputtering target assemblies using resistance welding
US7425093B2 (en) 2003-07-16 2008-09-16 Cabot Corporation Thermography test method and apparatus for bonding evaluation in sputtering targets
US20050048876A1 (en) 2003-09-02 2005-03-03 Applied Materials, Inc. Fabricating and cleaning chamber components having textured surfaces
US20050061857A1 (en) 2003-09-24 2005-03-24 Hunt Thomas J. Method for bonding a sputter target to a backing plate and the assembly thereof
US7431195B2 (en) 2003-09-26 2008-10-07 Praxair S.T. Technology, Inc. Method for centering a sputter target onto a backing plate and the assembly thereof
US7910218B2 (en) 2003-10-22 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings
US20050098427A1 (en) 2003-11-11 2005-05-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. RF coil design for improved film uniformity of an ion metal plasma source
US7294224B2 (en) 2003-12-01 2007-11-13 Applied Materials, Inc. Magnet assembly for plasma containment
CN1910304A (zh) 2004-02-03 2007-02-07 霍尼韦尔国际公司 物理气相沉积靶构造
US7264679B2 (en) 2004-02-11 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Cleaning of chamber components
US20050178653A1 (en) 2004-02-17 2005-08-18 Charles Fisher Method for elimination of sputtering into the backing plate of a target/backing plate assembly
US7049612B2 (en) 2004-03-02 2006-05-23 Applied Materials Electron beam treatment apparatus
US7504008B2 (en) 2004-03-12 2009-03-17 Applied Materials, Inc. Refurbishment of sputtering targets
JP2005264177A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Renesas Technology Corp スパッタリング装置およびスパッタリング装置のアッパシールド位置調整方法
US7018515B2 (en) 2004-03-24 2006-03-28 Applied Materials, Inc. Selectable dual position magnetron
US20050238807A1 (en) 2004-04-27 2005-10-27 Applied Materials, Inc. Refurbishment of a coated chamber component
US7618769B2 (en) 2004-06-07 2009-11-17 Applied Materials, Inc. Textured chamber surface
US20060188742A1 (en) 2005-01-18 2006-08-24 Applied Materials, Inc. Chamber component having grooved surface
US20060005767A1 (en) 2004-06-28 2006-01-12 Applied Materials, Inc. Chamber component having knurled surface
US7670436B2 (en) 2004-11-03 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Support ring assembly
US7736599B2 (en) 2004-11-12 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Reactor design to reduce particle deposition during process abatement
EP1659193A1 (de) 2004-11-19 2006-05-24 Applied Films GmbH & Co. KG Gekühlte Rückenplatte für ein Sputtertarget und Sputtertarget bestehend aus mehreren Rückenplatten
US7579067B2 (en) * 2004-11-24 2009-08-25 Applied Materials, Inc. Process chamber component with layered coating and method
US7644745B2 (en) 2005-06-06 2010-01-12 Applied Materials, Inc. Bonding of target tiles to backing plate with patterned bonding agent
US7762114B2 (en) 2005-09-09 2010-07-27 Applied Materials, Inc. Flow-formed chamber component having a textured surface
US9127362B2 (en) 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US20070113783A1 (en) 2005-11-19 2007-05-24 Applied Materials, Inc. Band shield for substrate processing chamber
US8647484B2 (en) 2005-11-25 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Target for sputtering chamber
JP2007247061A (ja) 2006-03-14 2007-09-27 Applied Materials Inc スパッタリング前のスパッタリングターゲットの前調整
US20070283884A1 (en) 2006-05-30 2007-12-13 Applied Materials, Inc. Ring assembly for substrate processing chamber
US8221602B2 (en) 2006-12-19 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Non-contact process kit
US7981262B2 (en) 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
US20080257263A1 (en) 2007-04-23 2008-10-23 Applied Materials, Inc. Cooling shield for substrate processing chamber
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
US20090084317A1 (en) 2007-09-28 2009-04-02 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition chamber and components
EP2311067A1 (en) 2007-11-08 2011-04-20 Applied Materials Inc. a Corporation of the State of Delaware Electrode arrangement with movable shield

Also Published As

Publication number Publication date
US20080178801A1 (en) 2008-07-31
KR20080071090A (ko) 2008-08-01
JP2008261047A (ja) 2008-10-30
EP1953798A3 (en) 2010-07-21
CN101235482B (zh) 2010-09-29
JP2014196563A (ja) 2014-10-16
TW200845092A (en) 2008-11-16
CN101787519A (zh) 2010-07-28
CN101787519B (zh) 2012-11-14
SG144872A1 (en) 2008-08-28
JP5563197B2 (ja) 2014-07-30
TWI419198B (zh) 2013-12-11
EP1953798A2 (en) 2008-08-06
US7981262B2 (en) 2011-07-19
CN101235482A (zh) 2008-08-06
KR100945608B1 (ko) 2010-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5849124B2 (ja) 基板処理チャンバ用処理キット
US9689070B2 (en) Deposition ring and electrostatic chuck for physical vapor deposition chamber
JP5762281B2 (ja) Ｒｆ物理気相蒸着用処理キット
US9978569B2 (en) Adjustable process spacing, centering, and improved gas conductance
JP5916384B2 (ja) ウェハ処理堆積物遮蔽構成材
KR101356144B1 (ko) 스퍼터링 챔버용 타겟 및 프로세스 키트 부품들
JP5611350B2 (ja) Ｒｆ物理気相堆積用のプロセスキット
KR20100017278A (ko) 기판 처리 챔버용 냉각 차폐부
US9062379B2 (en) Wafer processing deposition shielding components
KR20210094108A (ko) Pvd 챔버에 대한 톨 증착 링을 갖는 프로세스 키트

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150126

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150224

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150521

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150623

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150723

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150813

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151104

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151130

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5849124

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250