JP5805948B2 - ポジティブ型感光性樹脂組成物、感光性樹脂膜及び半導体素子 - Google Patents

ポジティブ型感光性樹脂組成物、感光性樹脂膜及び半導体素子 Download PDF

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Description

本発明は、ポジティブ型感光性樹脂組成物、前記ポジティブ型感光性樹脂組成物を利用して形成された感光性樹脂膜、および前記感光性樹脂膜を含む半導体素子に関するものである。
半導体装置の表面保護膜および層間絶縁膜には優れた耐熱性と電気特性、機械特性などを有するポリイミド樹脂が使用されている。このようなポリイミド樹脂は、最近、感光性ポリイミド前駆体組成物の形態に使用することによって、塗布が容易であり、前記ポリイミド前駆体組成物を半導体装置上に塗布した後、紫外線によるパターンを形成、現像、熱イミド化処理などを行って表面保護膜、層間絶縁膜などを容易に形成させることができる。最近の半導体装置はより薄膜化され、大きさはさらに小さくなっており、半導体チップの集積度は大きく増加した。
ポジティブ型感光性ポリイミド前駆体組成物はポリイミド前駆体であるポリアミド酸、感光性物質であるジアゾナフトキノンなどを含む。しかし、ポジティブ型感光性ポリイミド前駆体組成物には、使用されたポリアミド酸のカルボン酸部位のアルカリに対する溶解度があまりにも大きく、所望のパターンを得られないという問題があった。パターンの形成工程において、現像の際に露光された部分は速く溶解が行われなければならず、非露光部は溶解が抑制されなければならない。しかし、従来の感光性ポリイミド前駆体組成物では非露光部の溶解はほとんど抑制されず、露光部も迅速に溶解できなかったため、現像の後のコーティング膜の厚さが著しく減少する傾向にあり、パターンを形成するためのエネルギーも高まる傾向にあった。
従来の感光性ポリイミド前駆体組成物としては、下記特許文献1にアルカリ性水溶液で現像できるものが提案されており、下記特許文献2および特許文献3に、フェノール性水酸基を有するポリイミド、ポリアミド骨格とジアゾナフトキノンを組み合わせたポジティブ型のものが提案されている。しかし、これら感光性ポリイミド前駆体組成物を利用して形成された感光性樹脂膜は光透過性が低く、10μmを超える厚いコーティング膜のパターンは形成しにくい問題があった。また、現像性確保の観点からは、感光性樹脂の分子量が低分子量であり、感光剤のジアゾナフトキノンの添加量が感光性樹脂に比べて多量であるため、感光性樹脂の濃度が低く、コーティング膜の強度が落ちるなどの問題があった。
これを解決するために、下記特許文献4で、エステル結合によってカルボン酸の代わりにフェノール性水酸基を導入した感光性ポリイミド前駆体組成物が提案されたが、この感光性ポリイミド前駆体組成物を利用して形成された感光性樹脂膜の現像性は不十分であり、膜減少量が大きく、感光性樹脂膜が剥離するという問題があった。
他の方法としては、下記特許文献5でポリベンゾオキサゾール前駆体にジアゾナフトキノン化合物を混合した感光性ポリイミド前駆体組成物が提案された。しかしながら、現像時の非露光部の膜減少量が大きいために現像後所望のパターンを得にくいという問題があった。また、これを改善するためにポリベンゾオキサゾール前駆体の分子量を大きくすると非露光部の膜減少量は小さくなるが、現像時露光部に現像残余物(スカム)が発生して解像度が不良になり、露光部の現像時間が長くなる問題があった。
このような問題を解決するために、下記特許文献6および特許文献7にて、ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物に特定のフェノール化合物を添加して、非露光部の膜減少量を抑制することが提案されたが、この方法では非露光部の膜減少量を抑制する効果が不十分であるため、依然として現像残余物(スカム)を発生させずに膜減少量の抑制効果を大きくするための研究が継続して要求されていた。
また、溶解度を調節するために使用するフェノールが熱硬化の時に高い温度で分解されたり副反応を起こしたり、高温蒸発時に膜に微細気孔を形成するなどの問題を起こし、結果的に硬化膜の機械的物性に大きな損傷を与える問題があり、調節剤の量によっては感度低下および溶液保存安定性などで問題が発生したため、このような問題を解決できる溶解調節剤の開発が必要である。
特開平3−209478号公報 特公平11−44948号公報 特開平11−65107号公報 特開平10−30739号公報 特公昭63−96162号公報 特開平9−302221号公報 特開2000−292913号公報
本発明の一形態は、感度および解像度に優れており、パターン形状が優れており、優れた残余物除去性を有するポジティブ型感光性樹脂組成物を提供するものである。
本発明の他の形態は、前記ポジティブ型感光性樹脂組成物を利用して形成された感光性樹脂膜を提供するものである。
本発明のさらに他の形態は、前記感光性樹脂膜を含む半導体素子を提供するものである。
本発明が目的とする技術的課題は以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていない他の技術的課題は下記の記載より当業者に明確に理解されうるはずである。
本発明の一実施態様によれば、(A)ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミド酸またはこれらの組み合わせからなる群より選択される樹脂前駆体、(B)ジフェニルエーテル、シクロヘキシルピロリドン、またはこれらの組み合わせを含む溶解調節剤、(C)酸発生剤、(D)シラン系化合物、および(E)溶媒を含み、前記ポリベンゾオキサゾール前駆体が、下記化学式1で示される反復単位を含むかまたは下記化学式1および化学式2で示される反復単位を全て含み、少なくとも一方の末端部分に熱重合性官能基を有するものであり、前記ポリアミド酸が下記化学式50および化学式51で示される反復単位を含むポジティブ型感光性樹脂組成物を提供する。
前記化学式1および化学式2中、Xは4から6価の芳香族有機基または4から6価の脂肪族有機基であり、YおよびYはそれぞれ独立して、2から6価の芳香族有機基または2から6価の脂肪族有機基であり、Xは2から6価の芳香族有機基、2から6価の脂肪族有機基、2から6価の脂環族有機基、または下記化学式3で示される構造を有する有機基である。
前記化学式3中、RからRはそれぞれ独立して、置換されたまたは非置換のアルキル基、置換されたまたは非置換のアリール基、置換されたまたは非置換のアルコキシ基、またはヒドロキシ基であり、RおよびRはそれぞれ独立して、置換されたまたは非置換のアルキレン基、もしくは置換されたまたは非置換のアリーレン基であり、kは1から50の整数である。
前記化学式50および化学式51中、Xは2から6価の芳香族有機基、または2から6価の脂環族有機基であり、YおよびYはそれぞれ独立して、4から6価の芳香族有機基、または4から6価の脂環族有機基であり、Xは2から6価の芳香族有機基、2から6価の脂環族有機基、または前記化学式3で示される有機基であり、R100からR103はそれぞれ独立して、水素、または置換されたもしくは非置換の炭素数1から20のアルキル基である。
本発明の他の実施態様によれば、前記ポジティブ型感光性樹脂組成物を利用して形成された感光性樹脂膜を提供する。
本発明のさらに他の実施態様によれば、前記感光性樹脂膜を含む半導体用素子を提供する。
その他本発明の実施態様の具体的な事項は以下の詳細な説明に含まれている。
溶媒と相違した沸点と所定の範囲の電気双極子モーメントを有する溶解調節剤を使用することにより、現像時に露光部の可塑性を増進させて現像残留物なく高解像度にパターンを形成することができ、非露光部の溶解抑制効果を極大化して膜の厚さの減少を最小化させることができるポジティブ型感光性樹脂組成物、これを利用して製造された感光性樹脂膜、およびこれを含む半導体素子を提供することができる。
図1は合成例2で製造されたポリベンゾオキサゾール前駆体PBO−2のH−NMRの構造を示したグラフである。 表2で記載されたスカムの発生程度(1から3)の例として示した絵である。
以下、本発明の実施態様を詳しく説明する。ただし、これは例示として提示されるものであって、これによって本発明が制限されず、本発明は後述の特許請求の範囲の範疇によってのみ定義される。
本明細書で特別な言及がない限り、「置換」とは、有機基の中の一つ以上の水素がハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基(−NH、−NH(R)、−N(R’)(R”)であり、R、R’とR”は互いに独立的に炭素数1から10のアルキル基である)、アミジノ基、ヒドラジン基またはヒドラゾン基、カルボキシル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアリール基、およびヘテロサイクリック基からなる群より選択される1種以上の置換基に置換されたことを意味する。
また、本明細書で特別な言及がない限り、「アルキル基」とは炭素数1から30のアルキル基を、望ましくは炭素数1から16のアルキル基を意味し、「アルキレン基」とは炭素数1から30のアルキレン基を、望ましくは炭素数1から16のアルキレン基を意味し、「アルケニル基」とは炭素数2から30のアルケニル基を、望ましくは炭素数2から16のアルケニル基を意味し、「アルキニル基」とは炭素数2から30のアルキニル基を、望ましくは炭素数2から16のアルキニル基を意味し、「アルコキシ基」とは炭素数1から30のアルコキシ基を、望ましくは炭素数1から16のアルコキシ基を意味し、「アリール基」とは炭素数6から30のアリール基を、望ましくは炭素数6から18のアリール基を意味し、「アリーレン基」とは炭素数6から30のアリーレン基を、望ましくは炭素数6から18のアリーレン基を意味し、「ヘテロアリール基」とは炭素数2から30のヘテロアリール基を、望ましくは炭素数1から16のヘテロアリール基を意味し、「ヘテロサイクリック基」とは炭素数2から30のヘテロサイクリック基を、望ましくは炭素数2から18のヘテロサイクリック基を意味する。
また、本明細書で「脂肪族有機基」とは炭素数1から30のアルキル基、炭素数2から30のアルケニル基、または炭素数2から30のアルキニル基を意味し、「脂環族有機基」および「脂環族基」とは炭素数3から30のシクロアルキル基、炭素数3から30のシクロアルケニル基、または炭素数3から30のシクロアルキニル基を意味し、「芳香族有機基」とは炭素数6から30のアリール基または炭素数2から30のヘテロアリール基を意味する。
ここで、前記「アルキル基」の具体的な例としてはメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、エイコシル基などが挙げられるだけではなく、アルキル基の少なくとも1つの水素原子をハロゲン原子、シアノ基などで置換した、2−クロロエチル基、2−シアノエチル基、1−ブロモ−2−エチルヘキシル基などを含み、前記「アルキレン基」の具体的な例としてはメチレン基、メチルメチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、シクロプロピルメチレン基などであり、前記「アルケニル基」の具体的な例としてはビシクロ[2,2,1]ヘプト−2−エン−1−イル基、ビシクロ[2,2,2]オクト−2−エン−4−イル基などであり、前記「アルキニル基」の具体的な例としてはエチニル基、プロパルギル基、トリメチルシリルエチニル基などであり、前記「アルコキシ基」の具体的な例としてはメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基、n−オクチルオキシ基、2−メトキシエトキシ基などであり、前記「アリール基」の具体的な例としてはフェニル基、p−トリル基、ナフチル基、m−クロロフェニル基、o−ヘキサデカノイルアミノフェニル基などであり、前記「アリーレン基」の具体的な例としてはベンゼン−1,4−ジイル基、ナフタレン−1,8−ジイル基、アントラセン−1,4−ジイル基などであり、前記「ヘテロアリール基」の具体的な例としてはピリジニル基、イミダゾリル基、ピリミジニル基、ピラゾリル基、(1,2,3)−および(1,2,4)−トリアゾリル基、ピラジニル基、テトラゾリル基、フリル基、チエニル基、イソオキサゾリル基、オキサゾリル基、ピロリル基、およびチアゾリル基などであり、前記「ヘテロサイクリック基」の具体的な例としてはピリジル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、2,2,6,6−テトラメチルピペリジニル基などであり、前記「シクロアルキル基」の具体的な例としてはシクロヘキシル基、シクロペンチル基、4−n−ドデシルシクロヘキシル基など、が挙げられる。
本発明の一実施態様によるポジティブ型感光性樹脂組成物は、(A)下記化学式1で示される反復単位を含むかまたは下記化学式1および2の反復単位を含み、少なくとも一方の末端部分に熱重合性官能基を有するポリベンゾオキサゾール前駆体;(B)前記(A)樹脂前駆体の溶解調節剤、(C)酸発生剤を含む。
以下、前記ポジティブ型感光性樹脂組成物の各構成成分について詳しく説明する。
(A)樹脂前駆体
前記樹脂前駆体はポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミド酸またはこれらの組み合わせからなる群より選択される。
前記ポリベンゾオキサゾール前駆体は下記化学式1で示される反復単位を含むかまたは下記化学式1および2の反復単位を含み、少なくとも一方の末端部分に熱重合性官能基を有する。
前記化学式1および化学式2中、Xは4から6価の芳香族有機基または4から6価の脂肪族有機基であり、YおよびYはそれぞれ独立して、2から6価の芳香族有機基または2から6価の脂肪族有機基であり、Xは2から6価の芳香族有機基、2から6価の脂肪族有機基、2から6価の脂環族有機基、または下記化学式3で示される構造を有する有機基である。ここで、化学式中*は他の基との結合位置を示す。なお、前記それぞれ独立してとは、同一であるかまたは互いに相違していいことを意味する。
前記化学式3中、RからRはそれぞれ独立して、置換されたまたは非置換のアルキル基、置換されたまたは非置換のアリール基、置換されたまたは非置換のアルコキシ基、またはヒドロキシ基であり、RおよびRはそれぞれ独立して、置換されたもしくは非置換のアルキレン基、または置換されたもしくは非置換のアリーレン基であり、kは1から50の整数である。
前記ポリベンゾオキサゾール前駆体の形態は特に限定されるわけではなく、ランダム、ブロック、または交互共重合体のものが全て可能である。
また、前記ポリベンゾオキサゾール前駆体が化学式1で示される反復単位と化学式2で示される反復単位を全て含む場合、化学式1で示される反復単位は60モル%以上100モル%未満の量で含まれるのが望ましく、化学式2で示される反復単位は0モル%以上40モル%未満の量で含まれるのが望ましい。
前記Xは、下記化学式4および化学式5で示される有機基であるのが望ましい。
(前記化学式4および化学式5中、
からRはそれぞれ独立して、水素、置換されたまたは非置換のアルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、およびチオール基からなる群より選択されることができ、
はO、CO、CR1011、SO、S、および単一結合(いわゆる結合手)からなる群より選択されることができ、
この際、R10およびR11はそれぞれ独立して、水素、および置換されたまたは非置換のアルキル基からなる群より選択されるものであることができ、望ましくは前記R10およびR11はフルオロアルキル基であり、
は1または2の整数であることができ、
およびnはそれぞれ独立して、1から3の整数であることができる。)
また、前記Xは、二つのNHを結合する基であり、−NH−X−NH−は通常ジヒドロキシジアミンから誘導される残基であるのが望ましい。
前記ジヒドロキシジアミンの具体的な例としては、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシ−5−トリフルオロメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシ−6−トリフルオロメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシ−2−トリフルメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシ−5−トリフルオロメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシ−6−トリフルオロメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシ−2−トリフルオロメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシ−5−ペンタフルオロエチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2−(3−アミノ−4−ヒドロキシ−5−トリフルオロメチルフェニル)−2−(3−アミノ−4−ヒドロキシ−5−ペンタフルオロエチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2−(3−アミノ−4−ヒドロキシ−5−トリフルオロメチルフェニル)−2−(3−ヒドロキシ−4−アミノ−5−トリフルオロメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2−(3−アミノ−4−ヒドロキシ−5−トリフルオロメチルフェニル)−2−(3−ヒドロキシ−4−アミノ−6−トリフルオロメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2−(3−アミノ−4−ヒドロキシ−5−トリフルオロメチルフェニル)−2−(3−ヒドロキシ−4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2−(3−アミノ−4−ヒドロキシ−2−トリフルオロメチルフェニル)−2−(3−ヒドロキシ−4−アミノ−5−トリフルオロメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2−(3−アミノ−4−ヒドロキシ−6−トリフルオロメチルフェニル)−2−(3−ヒドロキシ−4−アミノ−5−トリフルオロメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、およびこれらの組み合わせから誘導される残基であることができ、望ましくは、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパンであるが、これに限定されるわけではない。また、前記Xは二つのNHを結合する基であり、−NH−X−NH−は通常芳香族ジアミン、シリコンジアミン、または脂環族ジアミンから誘導される残基であることができる。
前記芳香族ジアミンの具体的な例としては、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、ベンジジン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、1,5−ナフタレンジアミン、2,6−ナフタレンジアミン、ビス(4−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼンなどが挙げられるが、これに限定されるわけではない。前記シリコンジアミンの具体的な例としては、ビス(4−アミノフェニル)ジメチルシラン、ビス(4−アミノフェニル)テトラメチルシロキサン、ビス(p−アミノフェニル)テトラメチルジシロキサン、ビス(γ−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,4−ビス(γ−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン、ビス(4−アミノブチル)テトラメチルジシロキサン、ビス(γ−アミノプロピル)テトラフェニルジシロキサン、1,3−ビス(アミノプロピル)テトラメチルジシロキサンなどが挙げられ、望ましくは1,3−ビス(アミノプロピル)テトラメチルジシロキサンであるが、これに限定されるわけではない。前記脂環族ジアミンの具体的な例としては、シクロヘキシルジアミン、メチレンビスシクロヘキシルアミンなどが挙げられるが、これに限定されるわけではない。
また、前記芳香族ジアミン、シリコンジアミン、または脂環族ジアミンは単独でまたは混合して使用することができ、前記芳香族ジアミン、前記シリコンジアミン、または前記脂環族ジアミンからなる群より選択される芳香族ジアミン、シリコンジアミン、または脂環族ジアミンの1種以上を適切に混合して使用することができるが、これに限定されるわけではない。
また、前記YおよびYは下記化学式6から8で示される有機基であるのが望ましい。
前記化学式6から化学式8中、
12からR15はそれぞれ独立して、水素、または置換されたもしくは非置換のアルキル基であり、
、n、およびnはそれぞれ独立して、1から4の整数であることができ、nは1から3の整数であることができ、
はO、CR1617、CO、CONH、S、またはSOであることができ、前記R16およびR17はそれぞれ独立して、水素、置換されたもしくは非置換のアルキル基であり、望ましくはフルオロアルキル基である。
また、前記YおよびYは、二つのCOを結合する基であり、−CO−Y−CO−(ここで、Yは化学式1のYおよびYと同一である)は通常ジカルボン酸またはジカルボン酸誘導体から誘導される残基であることができる。
前記ジカルボン酸の具体的な例としては、Y(COOH)(ここで、Yは化学式1のYおよびYと同一である)が挙げられる。
前記ジカルボン酸誘導体の具体的な例としては、カルボン酸ハロゲン化物誘導体またはY(COOH)と1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾールなどを反応させた活性エステル誘導体の活性化合物が挙げられる。
前記カルボン酸ハロゲン化物誘導体の例としては、4,4’−オキシジベンゾイルクロライド、4,4’−オキシジフェニルカルボン酸クロライド、4,4’−スルホニルビス(フェニルカルボン酸クロライド)、4,4’−オキシビス(フェニルカルボン酸クロライド)、4,4’−カルボニルビス(フェニルカルボン酸クロライド)、フタル酸ジクロライド、テレフタル酸ジクロライド、イソフタル酸ジクロライドまたはカルボン酸ジクロライドなどが挙げられ、望ましくは4,4’−オキシジベンゾイルクロライドであるが、これに限定されるわけではない。
前記Y(COOH)と1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾールなどを反応させた活性エステル型誘導体の例としてはジフェニルオキシジカルボキシレートベンゾトリアゾールなどがあげられるが、これに限定されるわけではない。
また、前記カルボニルハロゲン化合物誘導体またはY(COOH)と1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾールなどを反応させた活性エステル型誘導体は単独でまたは混合して使用することができ、前記カルボニルハロゲン化合物誘導体、または1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾールなどを反応させた活性エステル型誘導体からなる群より選択されるカルボニルハロゲン化合物誘導体、または1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾールなどを反応させた活性エステル型誘導体の1種以上を適切に混合して使用することができる。
また、前記ポリベンゾオキサゾール前駆体は、分枝鎖末端のいずれか一方または両側に、末端封鎖単量体から誘導された残基である熱重合性官能基を有する。
前記末端封鎖単量体は二重結合を有するモノアミン類、二重結合を有するモノ酸無水物類、またはこれらの組み合わせであるのが望ましい。
前記二重結合を有するモノアミン類の具体的な例としては、トルイジン、ジメチルアニリン、エチルアニリン、アミノフェノール、アミノベンジルアルコール、アミノインダン、アミノアセトフェノン、またはこれらの組み合わせなどを使用することができるが、これに限定されるわけではない。
前記二重結合を有するモノ酸無水物類の具体的な例としては、下記化学式9の5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、下記化学式10の3,6−エポキシ−1,2,3,6−テトラヒドロフタル酸無水物、下記化学式11のイソブテニル無水コハク酸、無水マレイン酸、アコニット酸無水物、4,5,6−テトラヒドロフタル酸無水物、シス−1,2,3,6,−テトラヒドロフタル酸無水物、無水イタコン酸(IA)、シトラコン酸無水物(CA)、2,3−ジメチル無水マレイン酸(DMMA)またはこれらの組み合わせなどを使用することができ、望ましくは5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、3,6−エポキシ−1,2,3,6−テトラヒドロフタル酸無水物、イソブテニル無水コハク酸、無水マレイン酸、アコニット酸無水物であるが、これに限定されるわけではない。
また、下記化学式13から化学式16は、ポリベンゾオキサゾール前駆体の末端に位置する熱重合性官能基の代表的な例であって、このような熱重合性官能基は加熱する工程で架橋されることができる。
前記化学式13中、R18およびR19はそれぞれ独立して、H、CH、CHCOOH、またはCHCHCHCHである。
前記化学式15中、R20はHまたはCHであり、R21は−CH−、−O−,−CH−CH−、−CH−O−、−O−CH−であり、望ましくは、R20はHであり、R21は−CH−、−O−,−CH−CH−、−CH−O−または−O−CH−である。
前記化学式16中、R22およびR23はそれぞれ独立して、H、CHまたはOCOCHである。
前記ポリベンゾオキサゾール前駆体は、質量平均分子量(Mw)が3,000から300,000であるのが望ましい。質量平均分子量が前記範囲である場合、十分な物性が得られ、有機溶媒に対する溶解性に優れているので取り扱いが容易である。
前記ポリアミド酸は、下記化学式50および化学式51で示される反復単位を含むことができる。下記化学式50で示される反復単位を含むことによって、高温硬化時に樹脂の硬化が迅速に行われ、下記化学式51で示される反復単位を含むことによって、高温硬化時に樹脂の熱的特性を向上させることができる。
前記化学式50および化学式51中、Xは2から6価の芳香族有機基、または2から6価の脂環族有機基であり、YおよびYはそれぞれ独立して、4から6価の芳香族有機基、または4から6価の脂環族有機基であり、Xは2から6価の芳香族有機基、2から6価の脂環族有機基、または前記化学式3で示される有機基であり、R100からR103はそれぞれ独立して、水素、または置換されたもしくは非置換の炭素数1から20のアルキル基である。
前記ポジティブ型感光性樹脂組成物において、前記化学式50で示される反復単位と前記化学式51で示される反復単位の合計を100モル%にする場合、前記化学式50で示される反復単位は約5モル%から約50モル%、前記化学式51で示される反復単位は約95モル%から約50モル%で含まれる。
前記ポリイミド前駆体は約3,000から約300,000の質量平均分子量(Mw)を有することができる。
ここで、前記平均分子量(Mw)の測定方法としては、蒸気圧浸透圧法,膜浸透圧法,光散乱法,低角度光散乱法,沈降平衡法,粘度測定,ゲル浸透クロマトグラフィ(GPC)等が挙げられる。
(B)溶解調節剤
一般に、溶解調節剤に使用されるレゾルシノール系フェノールなどのような低分子量のフェノール化合物は、コーティング膜内の周囲の環境に影響を受けやすく、溶解性は低分子材料以外の材料に影響を受けやすい。酸発生剤を加えた際にはフェノール化合物の溶解性がポリマー材料に比べて小さく、パターンの断面形状が丸くなるなど、パターン形状が悪くなる傾向がある。
また、高感度を実現する方法としては酸発生剤の濃度を上げる方法が考慮され得るが、高濃度の酸発生剤を配合すると現像性が低下する問題があるため、この方法による高感度化には限界がある。
前記溶解調節剤はポジティブ型感光性樹脂組成物に含まれている溶媒より沸点が多少高いため、熱硬化時に溶媒と共に揮発されずに残ることがある。したがって、前記溶媒調節剤は、前記ポジティブ型感光性樹脂組成物中に残った現像残留物(スカム)をうまく濡らすことができ、前記現像残留物(スカム)を除去するのに優れた役割を果たす。
前記溶解調節剤はジフェニルエーテル、シクロヘキシルピロリドン、またはこれらの組み合わせを使用することができる。また、前記溶解調節剤はこれらと共にレゾルシノールを混合して使用することもできる。
前記溶解調節剤は、露光時、オニウム塩系化合物または感光性ジアゾキノン化合物から発生する酸成分によって、酸分解性有機基を解離するので、現像時、露光部をよりうまく溶解することができ、非露光部は、溶解が抑制される。このように露光部に残存する酸発生剤と前記(A)樹脂前駆体の現像液に対する湿潤性を増加させて、現像残留物(スカム)を除去する優れた役割を果たす。前記溶解調節剤は、レゾルシノール化合物に比べて相対的に沸点が低くて硬化温度で除去可能であるので、組成物の信頼性に問題を発生させない。
前記溶解調節剤は、前記樹脂前駆体100質量部に対して約0.1質量部から約30質量部の範囲で含まれることができる。前記範囲内でスカム減少および解像度向上効果があるので望ましい。
また、本発明の溶解調節剤はレゾルシノールを含むことが望ましい。
(C)酸発生剤
前記酸発生剤は、感光性ジアゾキノン系化合物;オニウム塩系化合物;スルホン酸系化合物;オキシムスルホン酸系化合物;ビスアルキルスルホニルジアゾメタン類、ビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類などのジアゾメタン系化合物;ニトロスルホン酸ベンジル系化合物;アミノスルホン酸系化合物;ジスルホン系化合物;およびこれらの組み合わせからなる群より選択されるものを使用することができる。
前記感光性ジアゾキノン系化合物としては下記化学式19、化学式21から化学式23で示される化合物が挙げられるが、これに限定されるわけではない。
前記化学式19中、R45からR47はそれぞれ独立して、水素、または置換されたもしくは非置換のアルキル基であり、望ましくはCHであり、DからDは、それぞれ独立して、−O−Qであり、Qは、水素、下記化学式20−1または化学式20−2で示されるものであることができるが、ただし、D〜Dが同時に−OHである条件は除く。n31からn33はそれぞれ独立して、1から3の整数である。
前記化学式21中、R48は水素、または置換されたもしくは非置換のアルキル基であり、前記DからDは、それぞれ独立して、−O−Qであり、Qは化学式19に定義されたものと同一であり、n34からn36はそれぞれ独立して、1から3の整数である。
前記化学式22中、AはCOまたはCRR’であることができ、前記RおよびR’はそれぞれ独立して、置換されたまたは非置換のアルキル基であることができ、DからD10はそれぞれ独立して、水素、置換されたまたは非置換のアルキル基、−O−Q、または−NH−Qであることができ、Qは化学式19に定義されたものと同一であり、n37からn40はそれぞれ独立して、1から4の整数であり、n37+n38およびn39+n40はそれぞれ独立して、5以下の整数であることができ、ただし、DからD10のうちの少なくとも一つは−O−Qであり、一つの芳香族環には−O−Qが1から3個含まれ、他の一つの芳香族環には−O−Qが1から4個含まれることができる。
前記化学式23中、R49からR56はそれぞれ独立して、水素、または置換されたもしくは非置換のアルキル基であり、n41およびn42はそれぞれ独立して、1から5の整数であり、より望ましくは2から4の整数であることができ、Qは化学式19に定義されたものと同一である。
前記オニウム塩系化合物としては、アルキルスルホン酸を陰イオンとするものであればいずれのものでも使用可能である。また、前記アルキルスルホン酸陰イオンと共にオニウム塩を構成する陽イオンには特に限定されるものはなく、従来化学増幅型レジスト組成物に提案された酸発生剤の陽イオンを使用することができる。具体的な例としては、スルホニウムイオンまたはヨードイオンなどが挙げられる。
前記オニウム塩系化合物の代表的な例としては、下記化学式24で示されるものが挙げられる。
前記化学式24中、X10からX12はそれぞれ独立して、置換されたまたは非置換のアリール基または置換されたもしくは非置換のアルキル基を示し、nは1から10の整数である。
望ましくは、前記X10からX12の中で少なくとも一つは置換されたまたは非置換のアリール基であることができ、より望ましくは前記X10からX12の中で少なくとも2つが置換されたまたは非置換のアリール基であることができ、より望ましくは前記X10からX12の全てが置換されたまたは非置換のアリール基であることができる。
前記アリール基は特に制限されるわけではないが、望ましくは炭素数6から20のアリール基であることができ、より望ましくは炭素数6から10のアリール基であることができる。また、前記アリール基が「置換されたアリール基」である場合、置換基の例としてはアルキル基またはハロゲンなどが挙げられ、「非置換のアリール基」の例としてはフェニル基またはナフチル基などが挙げられ、望ましくはフェニル基である。
前記アルキル基は特に制限されるわけではないが、望ましくは炭素数1から10の直鎖状、分枝状、または環状のアルキル基であることができ、より望ましくは炭素数1から5のアルキル基であるのが解像度に優れているので望ましい。前記アルキル基の具体的な例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デカニル基などが挙げられる。前記アルキル基はメチル基であるのが最も望ましく、解像度に優れ、安価に合成できる。
前記nは1から10の整数であることができ、1から8の整数であるのが望ましく、4から8の整数であるのがより望ましく、4または8であるのが工程上合成が容易であるので最も望ましい。
前記化学式24中、C2n+1で示されるアルキル基は直鎖状または分枝状のもの全て可能であるが、直鎖状のアルキル基であるのが望ましい。前記直鎖状のアルキル基の具体的な例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基などが挙げられる。
また、前記オニウム塩系化合物は単独で利用するのも可能であり、2種以上を混合して使用することもできる。
また、前記スルホン酸系化合物としては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホン酸、またはジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホン酸;トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸、トリフェニルスルホニウムヘプタフルオロプロパンスルホン酸、またはトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホン酸;ジメチル(4−ヒドロキシナフチル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸、ジメチル(4−ヒドロキシナフチル)スルホニウムヘプタフルオロプロパンスルホン酸、またはジメチル(4−ヒドロキシナフチル)スルホニウムノナフルオロブタンスルホン酸;モノフェニルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸、モノフェニルジメチルスルホニウムヘプタフルオロプロパンスルホン酸、またはモノフェニルジメチルスルホニウムノナフルオロブタンスルホン酸;ジフェニルモノメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸、ジフェニルモノメチルスルホニウムヘプタフルオロプロパンスルホン酸、またはジフェニルモノメチルスルホニウムノナフルオロブタンスルホン酸;(4−メトキシフェニル)ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸、(4−メトキシフェニル)ジフェニルスルホニウムヘプタフルオロプロパンスルホン酸、または(4−メトキシフェニル)ジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホン酸などが挙げられる。
前記オキシムスルホン酸系化合物の具体的な例としては、α−(p−トルエンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(p−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(4−ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(4−ニトロ−2−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−クロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,4−ジクロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,6−ジクロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニド、α−(2−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−チエン−2−イルアセトニトリル、α−(4−トデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−[(p−トルエンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニル]アセトニトリル、α−[(トデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニル]アセトニトリル、α−(トシルオキシイミノ)−4−チエニルシアニド、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘプテニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロオクテニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−シクロヘキシルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−エチルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−プロピルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−シクロペンチルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−シクロヘキシルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(n−ブチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(n−ブチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−p−メチルフェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。これらの中で、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリルが望ましい。
前記ジアゾメタン系化合物の中でビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体的な例としては、ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−ジメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタンなどが挙げられる。また、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類としては、以下で示される構造を有する1,3−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン(分解点135℃)、1,4−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ブタン(分解点147℃)、1,6−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン(融点132℃、分解点145℃)、1,10−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカン(分解点147℃)、1,2−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)エタン(分解点149℃)、1,3−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン(分解点153℃)、1,6−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン(融点109℃、分解点122℃)、1,10−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカン(分解点116℃)などが挙げられる。
前記ビスアリールスルホニルジアゾメタン類の例としては下記化学式30の化合物が挙げられ、これに限定されない。
前記化学式30中、mは2から6の整数である。
その他の酸発生剤は、これらを1種単独で利用することも可能であり、2種以上を組み合わせて利用することもできる。
前記酸発生剤は、ポリベンゾオキサゾール前駆体100質量部に対して1から50質量部で含まれる。ポリベンゾオキサゾール前駆体は水酸基(例えば、フェノール性水酸基)を有しているが、当該水酸基は以下の酸分解性有機基で保護されていても保護されてなくてもよく、酸分解性有機基で保護されている場合には、前記範囲の酸発生剤により、光で前記酸分解性有機基を効果的に解離させることができる。前記酸発生剤は、好ましくは、樹脂前駆体100質量部に対して約5質量部から約30質量部で含まれる。酸発生剤が前記範囲内に含まれる場合、スカム減少および解像度向上の効果があるので望ましい。前記酸分解性有機基は、鎖状第3級アルキル基、脂環族基を含む第3級アルキル基、鎖状アルコキシアルキル基、第3級アルキルオキシカルボニル基、第3級アルコキシカルボニルアルキル基、環状エーテル基、アミルオキシカルボニル基、アミルオキシカルボニルアルキル基、アセタール基またはこれらの組み合わせからなる群より選択される。望ましくはt−ブチル基、1,1−ジメチルプロピル基などの鎖状第3級アルキル基;メトキシメチル基、エトキシメチル基、n−プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基などの鎖状アルコキシアルキル基;t−ブトキシカルボニル基、1,1−ジメチルプロピルオキシカルボニル基などの第3級アルキルオキシカルボニル基;t−ブトキシカルボニルメチル基、t−ブトキシカルボニルエチル基、1,1−ジメチルプロピルオキシカルボニルn−プロピル基などの第3級アルコキシカルボニルアルキル基;フリル基、4,4’−オキシベンゾニル基などの環状エーテル基;アミルオキシカルボニル基、アミルオキシカルボニルアルキル基;ジメチルアセタール基などのアセタール基である。
(D)シラン系化合物
前記シラン系化合物は、ポジティブ型感光性樹脂組成物と基板の密着力を向上させることができる。
前記シラン系化合物としては下記化学式25で示されるものを使用することができる。
前記化学式25中、R61はビニル基、置換されたまたは非置換のアルキル基、および置換されたまたは非置換のアリール基からなる群より選択されることができ、望ましくは3−(メタ)アクリルオキシプロピル基、p−スチリル基、または3−(フェニルアミノ)プロピル基である。
62からR64はそれぞれ独立して、置換されたまたは非置換のアルコキシ基、置換されたまたは非置換のアルキル基、およびハロゲンからなる群より選択されるものであり、この時、R62からR64のうちの少なくとも一つはアルコキシ基またはハロゲンであり、望ましくは、前記アルコキシ基は炭素数1から8のアルコキシ基であり、前記アルキル基は炭素数1から20のアルキル基であることができる。
前記シラン系化合物としてより望ましくは、下記化学式26および27で示される化合物が挙げられる。
前記化学式26中、R65はNHまたはCHCONHであり、R66からR68はそれぞれ独立して、置換されたまたは非置換のアルコキシ基であり、望ましくは、前記アルコキシ基はOCHまたはOCHCHであることができ、n61は1から5の整数であることができる。
前記化学式27中、R69からR72はそれぞれ独立して、置換されたまたは非置換のアルキル基および置換されたまたは非置換のアルコキシ基からなる群より選択されることができ、望ましくはCHまたはOCHであることができ、R73およびR74はそれぞれ独立して、置換されたまたは非置換のアミノ基であり、望ましくはNHまたはCHCONHであることができ、n62およびn63はそれぞれ独立して、1から5の整数であることができる。
前記シラン系化合物の具体的な例としては、トリメトキシ[3−(フェニルアミノ)プロピル]シランなどのアリール基を有するシラン系化合物;ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、3−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、3−メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシランなどの炭素−炭素不飽和結合を含有するシラン系化合物が挙げられ、最も望ましくはビニルトリメトキシシランまたはビニルトリエトキシシランが挙げられる。シラン系化合物として特に望ましくはトリメトキシ[3−(フェニルアミノ)プロピル]シランである。
前記シラン系化合物は、前記樹脂前駆体100質量部に対して0.1から30質量部で使用することができる。シラン系化合物の含有量が前記範囲である場合、上下部膜層との接着力に優れており、現像後に残膜が残らず、光特性(透過率)および引張強度、延伸率、ヤング率などの膜の機械的物性を向上させることができるので望ましい。
(E)溶媒
前記溶媒は有機溶媒を使用し、望ましくは、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ラクト酸メチル、ラクト酸エチル、ラクト酸ブチル、メチル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチルなどを使用することができるが、これに限定されるわけではない。前記溶媒は単独または混合して使用することができる。
前記溶媒は、ポリベンゾオキサゾール前駆体100質量部に対して100から400質量部で使用されるのが望ましい。溶媒の含有量が前記範囲であれば十分な厚さの膜をコーティングすることができ、溶解度およびコーティング性が優れているので望ましい。
(F)その他の添加剤
本発明の一実施態様によるポジティブ型感光性樹脂組成物は、前記(A)樹脂前駆体から前記(E)溶媒以外の(F)その他の添加剤をさらに含むことができる。
前記その他添加剤としては熱潜在酸発生剤が挙げられる。前記熱潜在酸発生剤としては、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸などのアリールスルホン酸;トリフルオロメタンスルホン酸、フルオロブタンスルホン酸などのペルフルオロアルキルスルホン酸;メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ブタンスルホン酸などのアルキルスルホン酸;およびこれらの混合物が使用されることができる。
前記熱潜在酸発生剤は、ポリベンゾオキサゾール前駆体のフェノール性水酸基含有ポリアミド構造の脱水化反応および環化反応のための触媒として、硬化温度を低くしても環化反応を円滑に行うことができる。
また、膜厚さの染みを防止したり、現像性を向上するために、適当な界面活性剤またはレべリング剤を添加剤としてさらに使用することもできる。
本発明の一実施形態によるポジティブ型感光性樹脂組成物は、前記(A)樹脂前駆体100質量部に対し、前記(B)溶解調節剤を約0.1から約30質量部含み、前記(C)酸発生剤を約1から約50質量部含み、前記(D)シラン系化合物を約0.1から約30質量部含み、前記(E)溶媒を約100から約400質量部含む。
本発明の一実施態様によるポジティブ型感光性樹脂組成物を利用してパターンを形成する工程は、ポジティブ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布する工程;前記塗布された組成物を乾燥して、感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体膜を形成する工程;前記ポリベンゾオキサゾール前駆体膜を露光する工程;前記露光されたポリベンゾオキサゾール前駆体膜をアルカリ水溶液で現像して感光性樹脂膜を製造する工程;および前記感光性樹脂膜を加熱する工程を含む。ポジティブ型感光性樹脂組成物を塗布し、露光、現像してパターンを形成する工程上の条件などについては、当該分野に広く知られた事項であるので本明細書で詳しい説明は省略する。
本発明の他の実施態様によれば、ポジティブ型感光性樹脂組成物を利用して形成された感光性樹脂膜が提供される。前記感光性樹脂膜の例としては絶縁膜または保護膜が挙げられる。
また、本発明のさらに他の実施態様によれば、前述のポジティブ型感光性樹脂組成物を利用して形成された感光性樹脂膜を含む半導体素子が提供される。つまり、前述のポジティブ型感光性樹脂組成物は、半導体素子から絶縁膜、パッシベーション層、またはバッファーコーティング層に有用に使用することができる。つまり、前述のポジティブ型感光性樹脂組成物は半導体装置の表面保護膜および層間絶縁膜として有用に使用されることができる。
以下、実施例を挙げて本発明についてより詳細に説明するが、下記の実施例は本発明の実施例であるだけで本発明が下記の実施例に限定されるわけではない。
<合成例1>:ポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−1)の合成
撹拌機、温度調節装置、窒素ガス注入装置、および冷却器が装着された4口フラスコに窒素を通過させつつ、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン18.3gを添加し、ここにN−メチル−2−ピロリドン(NMP)280gを入れて溶解した。この時、得られた溶液中で固形分含有量は9質量%であった。
固体が完全に溶解すればピリジンを前記溶液に9.9g投入し、温度を0から5℃に維持しつつ、4,4’−オキシジベンゾニルクロライド14.8gをN−メチル−2−ピロリドン(NMP)142gに入れて溶解した溶液を、前記溶液に30分間ゆっくり滴下した。滴下後、0から5℃で1時間反応を行い、常温まで温度を上げて1時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を水/メタノール=10/1(容積比)の溶媒に投入して沈殿物を生成し、沈殿物を濾過して水で十分に洗浄した後、温度80℃の真空雰囲気で乾燥を24時間以上行ってポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−1)を製造した。
<合成例2>:ポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−2)の合成
撹拌機、温度調節装置、窒素ガス注入装置、および冷却器が装着された4口フラスコに窒素を通過させつつ、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン17.4g、1,3−ビス(アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン0.86gを入れ、ここにN−メチル−2−ピロリドン(NMP)280gを入れて溶解した。この時、得られた溶液中の固形分含有量は9質量%であった。
固体が完全に溶解すればピリジンを9.9g投入し、温度を0から5℃に維持しつつ、4,4’−オキシジベンゾニルクロライド14.8gをN−メチル−2−ピロリドン(NMP)142gに入れて溶解した溶液を30分間ゆっくり滴下させた。滴下後、0から5℃で1時間反応を行い、常温まで温度を上げて1時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を水/メタノール=10/1(容積比)の溶媒に投入して沈殿物を生成し、沈殿物を濾過して水で十分に洗浄した後、温度80℃の真空雰囲気で乾燥を24時間以上行ってポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−2)を製造した。製造されたポリベンゾオキサゾール前駆体のH−NMRを測定して、その結果を図1に示した。
<合成例3>:ポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)の合成
撹拌機、温度調節装置、窒素ガス注入装置、および冷却器が装着された4口フラスコに窒素を通過させつつ、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン17.4g、1,3−ビス(アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン0.86gを入れ、ここにN−メチル−2−ピロリドン(NMP)280gを入れて溶解した。この時、得られた溶液中の固形分含有量は9質量%であった。
固体が完全に溶解すればピリジンを9.9g投入し、温度を0から5℃に維持しつつ、4,4’−オキシジベンゾニルクロライド13.3gをN−メチル−2−ピロリドン(NMP)142gに入れて溶解した溶液を30分間ゆっくり滴下させた。滴下後、0から5℃で1時間反応を行い、常温まで温度を上げて1時間反応を行った。
ここに5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物を1.6gを投入し、常温で2時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を水/メタノール=10/1(容積比)の溶液に投入して沈殿物を生成し、沈殿物を濾過して水で十分に洗浄した後、80℃で真空下で乾燥を24時間以上行ってポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)を製造した。
<合成例4>:ポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−4)の合成
5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物を無水マレイン酸に変更したことを除いては、合成例3と同一に実施してポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−4)を製造した。
<合成例5>:ポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−5)の合成
5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物をアコニット酸無水物に変更したことを除いては、合成例3と同一に実施してポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−5)を製造した。
<合成例6>:ポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−6)の合成
5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物をイソブテニル無水コハク酸に変更したことを除いては、合成例3と同一に実施してポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−6)を製造した。
<合成例7>:ポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−7)の合成
5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物を3,6−エポキシ−1,2,3,6−テトラヒドロフタル酸無水物に変更したことを除いては、合成例3と同一に実施してポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−7)を製造した。
<実施例1>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gをγ−ブチロラクトン35.0に添加して溶解した後、ジフェニルエーテル0.75g、化学式19aの構造を有する酸発生剤として感光性ジアゾキノン3g、下記化学式25aのトリメトキシ[3−(フェニルアミノ)プロピル]シラン0.75gを入れて溶解した後、0.45μmのフルオロ樹脂材フィルターで濾過してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
(前記化学式19aで、Q、Q、およびQの中で、二つは下記化学式19a−1に置換されており、残りの一つは水素である。)
<実施例2>
前記実施例1で使用されたジフェニルエーテル0.75gをシクロヘキシルピロリドン0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例3>
前記ジフェニルエーテル0.75gを、レゾルシノールとジフェニルエーテルを6:1の質量比で混合した混合物0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例4>
前記ジフェニルエーテル0.75gを、レゾルシノールとシクロヘキシルピロリドンを6:1の質量比で混合した混合物0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例5>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例4で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−4)に変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例6>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例4で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−4)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gをシクロヘキシルピロリドン0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例7>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例4で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−4)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gを、レゾルシノールとジフェニルエーテルを6:1の質量比で混合した混合物0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例8>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例4で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−4)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gを、レゾルシノールとシクロヘキシルピロリドンを6:1の質量比で混合した混合物0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例9>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例5で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−5)に変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例10>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例5で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−5)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gをシクロヘキシルピロリドン0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例11>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例5で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−5)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gを、レゾルシノールとジフェニルエーテルを6:1の質量比で混合した混合物0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例12>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例5で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−5)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gを、レゾルシノールとシクロヘキシルピロリドンを6:1の質量比で混合した混合物0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例13>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例6で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−6)に変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例14>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例6で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−6)に変更し、ジフェニルエーテル0.75gを、シクロヘキシルピロリドン0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例15>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例6で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−6)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gを、レゾルシノールとジフェニルエーテルを6:1の質量比で混合した混合物0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例16>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例6で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−6)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gを、レゾルシノールとシクロヘキシルピロリドンを6:1の質量比で混合した混合物0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例17>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例7で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−7)に変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例18>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例7で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−7)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gを、シクロヘキシルピロリドン0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例19>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例7で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−7)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gを、レゾルシノールとジフェニルエーテルを6:1の質量比で混合した混合物0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<実施例20>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例7で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−7)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gを、レゾルシノールとシクロヘキシルピロリドンを6:1の質量比で混合した混合物0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<比較例1>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例1で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−1)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gをN−メチル−2−ピロリドン(NMP)0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<比較例2>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例1で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−1)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gを、レゾルシノール0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<比較例3>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例1で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−1)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gをジフェニルヨードニウムニトレート(DPIN)0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<比較例4>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例2で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−2)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gをN−メチル−2−ピロリドン(NMP)0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<比較例5>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例2で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−2)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gをレゾルシノール0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<比較例6>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例1で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−1)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gをジフェニルヨードニウムニトレート(DPIN)0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<比較例7>
前記ジフェニルエーテル0.75gをN−メチル−2−ピロリドン(NMP)0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<比較例8>
前記ジフェニルエーテル0.75gをレゾルシノール0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<比較例9>
前記ジフェニルエーテル0.75gをジフェニルヨードニウムニトレート(DPIN)0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<比較例10>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例4で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−4)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gをN−メチル−2−ピロリドン(NMP)0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<比較例11>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例4で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−4)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gを、レゾルシノール0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
<比較例12>
合成例3で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−3)15gを合成例4で製造したポリベンゾオキサゾール前駆体(PBO−4)に変更し、前記ジフェニルエーテル0.75gをジフェニルヨードニウムニトレート(DPIN)0.75gに変更したことを除いては、実施例1と同一に実施してポジティブ型感光性樹脂組成物を得た。
前記合成例1から5で製造した感光性樹脂組成物と溶解調節剤の構成成分を下記表1に要約した。
物性測定
実施例1から20および比較例1から21によって製造されたポジティブ型感光性樹脂組成物を、8インチのウエハーに三笠社製(1H−DX2)スピンコーターを利用してコーティングして塗布した後、ホットプレート上で120℃、4分間加熱して、感光性ポリイミド前駆体フィルムを形成した。
前記ポリイミド前駆体フィルムに、多様な大きさのパターンが刻まれたマスクを使用してニコン社製I−line stepper(NSR i10C)によって250msで露光した後、常温で2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に60秒、2パドル(puddle)を通じて露光部を溶解除去した後、蒸留水で30秒間洗浄した。次に、得られたパターンを電気炉を利用し、酸素濃度1000ppm以下で、150℃/30分、および追加して320℃/30分硬化して、パターンが形成されたフィルムを製造した。
完成されたフィルムはパターンは光学顕微鏡を通して解像度を確認できるが、予備焼成後、現像、および硬化後の膜の厚さの変化は、コーティング厚さをKMAC社製(ST4000−DLX)装備を利用して測定し、その結果を下記表2に示した。
また、現像後の膜の厚さに対する減少率が現像性と最終膜の厚さにも影響を及ぼし、現像の時にも膜の厚さの減少が小さくなければならないが、これを測定するために、予備焼成したフィルムを2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液に時間別に浸漬して、水で洗浄する方法を実施し、時間に伴う膜の厚さ変化を測定して残膜率(現像後厚さ/現像前厚さ、単位%)を計算して、下記表2に整理した。
感度は、露光および現像の後、10μmのL/Sパターンが1対1の線幅に形成される露光時間を求めて、これを最適露光時間とした。解像度は、前記最適露光時間における最小のパターンサイズを解像度とした。
パターンを形成した後、窒素雰囲気下で120℃で30分加熱し、320℃まで1時間昇温して1時間加熱して、硬化膜を製作した。
同時に、感度および現像残留物(スカム)発生程度を測定してその結果を表2に示し、スカムの発生程度はスカム無し(1)、スカム観察(2)、スカム多い(3)に分類しており、各発生程度による絵は図2で添付した。
前記表2に示したように、前記実施例で使用された溶解調節剤は、比較例で使用された調節剤に比べて現像残留物質の発生程度が著しく減少した。これは、アルカリ水溶液で現像する際、露光部に存在する酸発生剤とポリベンズオキサゾール誘導体は、実施例で使用された溶解調節剤と適切な電気双極子モーメントに応じた混和性が増加して現像液による除去が容易であって、パターンをよりうまく形成することができることが分かる。また、感度および残膜率は使用された溶解調節剤種類によって相異しているが、同じポリベンズオキサゾール誘導体を使用する実施例1から4と比較例7から9で分かるように、化学式17または化学式18の溶解調節剤を使用するのが、露光量の減少と残膜率の増加によるパターンの形成により効果的であることが分かる。
以上、本発明を望ましい実施例について詳細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されず、本発明の技術的な思想の範囲内で当分野における通常の知識を有する者によって多様に変形するのが可能である。

Claims (12)

  1. (A)ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミド酸またはこれらの組み合わせからなる群より選択される樹脂前駆体、
    (B)ジフェニルエーテル、シクロヘキシルピロリドン、またはこれらの組み合わせを含む溶解調節剤、
    (C)酸発生剤、
    (D)シラン系化合物、および
    (E)溶媒
    を含み、
    前記ポリベンゾオキサゾール前駆体が下記化学式1で示される反復単位を含むかまたは下記化学式1および化学式2で示される反復単位を全て含み、少なくとも一方の末端部分に熱重合性官能基を有するものであり、前記ポリアミド酸が下記化学式50および化学式51で示される反復単位を含む、ポジティブ型感光性樹脂組成物。
    (前記化学式1および化学式2中、
    は4から6価の芳香族有機基または4から6価の脂肪族有機基であり、
    およびYはそれぞれ独立して、2から6価の芳香族有機基または2から6価の脂肪族有機基であり、
    は2から6価の芳香族有機基、2から6価の脂肪族有機基、2から6価の脂環族有機基、または下記化学式3で示される構造を有する有機基である。)
    (前記化学式3中、
    からRはそれぞれ独立して、置換されたまたは非置換のアルキル基、置換されたまたは非置換のアリール基、置換されたまたは非置換のアルコキシ基、またはヒドロキシ基であり、
    およびRはそれぞれ独立して、置換されたまたは非置換のアルキレン基、または置換されたもしくは非置換のアリーレン基であり、
    kは1から50の整数である。)
    (前記化学式50および化学式51中、
    は2から6価の芳香族有機基、または2から6価の脂環族有機基であり、
    およびYはそれぞれ独立して、4から6価の芳香族有機基、または4から6価の脂環族有機基であり、
    は2から6価の芳香族有機基、2から6価の脂環族有機基、または前記化学式3で示される有機基であり、
    100からR103はそれぞれ独立して、水素または置換されたもしくは非置換の炭素数1から20のアルキル基である。)
  2. 前記(A)樹脂前駆体100質量部に対し、前記(B)溶解調節剤0.1から30質量部、前記(C)酸発生剤1から50質量部、前記(D)シラン系化合物0.1から30質量部、および前記(E)溶媒100から400質量部を含む、請求項1に記載のポジティブ型感光性樹脂組成物。
  3. 前記ポリベンゾオキサゾール前駆体が3,000から300,000の質量平均分子量(Mw)を有する、請求項1または2に記載のポジティブ型感光性樹脂組成物。
  4. 前記ポリベンゾオキサゾール前駆体の熱重合性官能基が、二重結合を有するモノアミン類、二重結合を有するモノ酸無水物類、またはこれらの混合物から誘導されるものである、請求項1〜3のいずれか1項に記載のポジティブ型感光性樹脂組成物。
  5. 前記溶解調節剤がレゾルシノールをさらに含むものである、請求項1〜4のいずれか1項に記載のポジティブ型感光性樹脂組成物。
  6. 前記酸発生剤が、感光性ジアゾキノン系化合物、オニウム塩系化合物、スルホン酸系化合物、オキシムスルホン酸系化合物、ジアゾメタン系化合物、ニトロスルホン酸ベンジル系化合物、イミノスルホン酸系化合物、ジスルホン系化合物、およびこれらの混合物からなる群より選択される、請求項1〜5のいずれか1項に記載のポジティブ型感光性樹脂組成物。
  7. 前記酸発生剤がアルキルスルホン酸を陰イオンとするオニウム塩系化合物である、請求項6に記載のポジティブ型感光性樹脂組成物。
  8. 前記酸発生剤が下記化学式24で示されるオニウム塩系化合物である、請求項6または7に記載のポジティブ型感光性樹脂組成物。
    (前記化学式24中、
    10からX12はそれぞれ独立して、置換されたまたは非置換のアリール基もしくは置換されたまたは非置換のアルキル基を示し、nは1から10の整数である。)
  9. 前記酸分解性有機基が、鎖状第3級アルキル基、脂環族基を含む第3級アルキル基、鎖状アルコキシアルキル基、第3級アルキルオキシカルボニル基、第3級アルコキシカルボニルアルキル基、環状エーテル基、アミルオキシカルボニル基、アミルオキシカルボニルアルキル基、アセタール基またはこれらの組み合わせからなる群より選択されるものである、請求項1〜8のいずれか1項に記載のポジティブ型感光性樹脂組成物。
  10. 前記溶媒が、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ラクト酸メチル、ラクト酸エチル、ラクト酸ブチル、メチル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、またはこれらの混合物からなる群より選択されるものである、請求項1〜9のいずれか1項に記載のポジティブ型感光性樹脂組成物。
  11. 請求項1〜10のいずれか1項に記載のポジティブ型感光性樹脂組成物を利用して形成された感光性樹脂膜。
  12. 請求項11に記載の感光性樹脂膜を含む半導体素子。
JP2010294563A 2009-12-29 2010-12-29 ポジティブ型感光性樹脂組成物、感光性樹脂膜及び半導体素子 Active JP5805948B2 (ja)

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