JP2004170611A - ポジ型感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造方法及び電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、基板との接着性や貯蔵安定性に優れ、耐熱性、硬化膜特性に優れるポジ型感光性樹脂組成物、及びそれを用いたパターンの製造方法を提供する。また、基板との接着性良好なレリーフパターンをもつ層間絶縁膜又は表面保護膜を有する、信頼性の高い半導体装置や多層配線版となる電子部品を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記の一般式（１）で示される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体、（Ｂ）活性化学線照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）酸触媒反応により分解し、アルカリ水溶液に対する溶解性が増加する、酸分解性基を有する化合物、（Ｄ）シランカップリング剤、及び（Ｅ）溶剤を含有してなる組成物をポジ型感光性樹脂組成物として用いる。
【化１】

【選択図】 無し

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポジ型感光性樹脂組成物に関し、さらに詳しくは加熱処理により半導体素子などの電子部品の表面保護膜、層間絶縁膜などとして適用可能なポリベンゾオキサゾール系耐熱性高分子となるポジ型感光性樹脂組成物及びこの組成物を用いたレリーフパターンの製造方法並びに電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ポリベンゾオキサゾール樹脂はポリイミド樹脂と並び耐熱性と電気特性及び機械特性に優れ、また膜形成が容易であり、表面を平坦化できるなどの利点から、半導体素子の表面保護膜及び層間絶縁膜として広く使用されている。
【０００３】
ポリベンゾオキサゾール樹脂またはポリイミド樹脂を表面保護膜及び層間絶縁膜として使用する場合、その前駆体となる樹脂を溶液の形で基板上に塗布し熱乾燥させて成膜する方法が一般的である（下記特許文献１を参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特許第１８９１３０７号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記の樹脂は成膜方法の性質上、下地基板との接着性が十分でなく実用に適さないという問題があり、また貯蔵安定性にも問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記事情に鑑み鋭意検討した結果、シランカップリング剤含有してなるポジ型感光性樹脂組成物により、下地基板との十分な接着性が得られ、貯蔵安定性にも優れることを見出した。
【０００７】
本発明は、前記の課題を克服し、下地基板との十分な接着性が得られるポジ型感光性樹脂組成物、また前記発明の課題に加えて、耐熱性に優れるポジ型感光性樹脂組成物を提供するものである。また、本発明は、解像度が高く、良好な形状のパターンが得られるレリーフパターンの製造方法、及び、良好な形状のレリーフパターンを有することにより、信頼性の高い電子部品を提供するものである。
【０００８】
［１］すなわち、本発明は、（Ａ）下記の一般式（１）で表わされる繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体、
【化２】

（式中、Ｒ^１は１個の芳香環を含む基又は２〜３個の芳香環が単結合、エーテル結合、２，２−ヘキサフルオロプロピレン結合、２，２−プロピレン結合、スルホン結合、メチレン結合及びカルボニル結合の中から選ばれた少なくとも一種の結合を介して結合した化学構造を持つ２価の有機基を示し、Ｒ^２は１個の芳香環を含む基又は２〜３個の芳香環が単結合、エーテル結合、２，２−ヘキサフルオロプロピレン結合、２，２−プロピレン結合、メチレン結合及びスルホン結合の中から選ばれた少なくとも一種の結合を介して結合した化学構造を有する４価の有機基を示す）、（Ｂ）活性化学線により酸を発生する化合物、（Ｃ）酸触媒反応により分解し、アルカリ水溶液に対する溶解性が上昇する、酸分解性基を有する化合物、（Ｄ）シランカップリング剤、及び（Ｅ）溶剤を含有してなるポジ型感光性樹脂組成物に関する。
［２］また、本発明は、前記のポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し、乾燥する工程、露光する工程、加熱する工程、現像する工程及び加熱処理する工程を含むレリーフパターンの製造方法に関する。
［３］さらに、本発明は、前記製造方法により得られるパターンの層を有してなる電子デバイスを有する電子部品に関する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明に用いられる（Ａ）成分は、ポリベンゾオキサゾール前駆体である。活性化学線照射及び活性化学線照射後の加熱処理後、露光部は（Ｃ）成分の変化により、アルカリ水溶液に対する溶解性が上がり、未露光部との溶解速度が異なるので、レリーフパターンが形成できる。なお、アルカリ水溶液とはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、金属水酸化物、アミンなどが水に溶解された、アルカリ性を呈する水溶液である。ポリオキサゾール前駆体は、レリーフパターンの形成後に、硬化反応させることにより優れた耐熱性を有する樹脂膜となる。
【００１０】
（Ａ）成分のポリベンゾオキサゾール前駆体としては、一般にジカルボン酸とジヒドロキシジアミンを原料として得られるポリヒドロキシアミドが挙げられる。
【００１１】
前記ジカルボン酸としては、イソフタル酸、テレフタル酸、２、２−ビス（４−カルボキシフェニル）へキサフルオロプロパン、４，４’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジカルボキシジフェニルエーテル、４，４’−ジカルボキシテトラフェニルシラン、ビス（４−カルボキシフェニル）スルホン、２，２−ビス（ｐ−カルボキシフェニル）プロパン、５−ｔｅｒｔ−ブチルイソフタル酸、５−ブロモイソフタル酸、５−フルオロイソフタル酸、５−クロロイソフタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸などの芳香族系ジカルボン酸、１，２−シクロブタンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロペンタンジカルボン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸等の脂肪族系ジカルボン酸などが挙げられ、これらを単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。これらの中で耐熱性の点で芳香族系ジカルボン酸が好ましい。
【００１２】
前記ジヒドロキシジアミンとしては、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシビフェニル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）プロパン、４，６−ジアミノレゾルシノール、４，５−ジアミノレゾルシノール、ビス（４−アミノ−３−カルボキシフェニル）メタンなどの芳香族系ジアミンが好ましいものとして挙げられる。芳香族系ジアミンを使用することにより、耐熱性の良好な、ポリベンゾオキサゾール前駆体とされる。
【００１３】
本発明において、前記ポリベンゾオキサゾール前駆体は、例えば、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｌｅｔｔｅｒ．，Ｖｏｌ．２，ｐｐ６５５−６５９（１９６４）に示されているように、ジカルボン酸ジハライド（クロライド、ブロマイド）と、ジヒドロキシジアミンとを反応させて得ることができる。この場合、反応は脱ハロゲン酸触媒の存在下に、有機溶媒中で行うことが好ましい、ジカルボン酸ジクロリドは、ジカルボン酸と塩化チオニルを反応させて得ることができる。
【００１４】
前記ポリヒドロキシアミドは、例えば、前記ジアミン化合物とピリジンなどの脱塩酸触媒を有機溶剤に溶解し、有機溶剤に溶解したジカルボン酸ジクロリドを滴下して反応させた後、水などの貧溶剤に投入し、析出物をろ別、乾燥することにより得られる。反応に使用される有機溶媒としては、例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレンスルホン、γ−ブチロラクトンなどの非プロトン性極性溶剤が単独で又は２種以上併用して用いられる。
【００１５】
また、本発明において、前記ポリベンゾオキサゾール前駆体は、例えば、特開平９−１８３８４６号公報に示されているように、１−ヒドロキシベンゾトリアゾールとジカルボン酸とを反応させたジカルボン酸誘導体を経由して、これとジヒドロキシジアミンとを反応させて得ることができる。
【００１６】
前記ジアミン化合物とジカルボン酸の好ましい割合（モル比）は、前者／後者で０．６／１〜１／０．６の範囲とされる。
【００１７】
好ましい反応温度は−３０〜４０℃、好ましい反応時間は５分間〜１０時間である。
【００１８】
（Ａ）成分に用いられるポリヒドロキシアミドは、分子構造末端にアルケニル基またはアルキニル基などを導入することができる。二重結合を有するこのような化合物を樹脂末端に導入することにより、アルカリ水溶液に対する溶解速度のコントロール、加熱硬化処理により樹脂末端導入基が架橋することによる膜の伸びや引っ張り強度などの硬化膜特性向上、樹脂末端基が副反応を抑制することによるシェルフライフ向上を図ることができる。樹脂末端へのアルケニル基またはアルキニル基等の導入は、モノマへ予め末端基を反応させる、あるいは、樹脂合成後に末端基を反応させることにより容易に行うことができる。
【００１９】
（Ａ）成分の分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定され、標準ポリスチレン検量線により換算することができる。（Ａ）成分の分子量としては、重量平均分子量で３０００〜２０００００が好ましく、さらに５０００〜１０００００がより好ましい。また、重量平均分子量を数平均分子量で除した分散度は１〜４が好ましく、さらに１〜３がより好ましい。
【００２０】
本発明に使用される（Ｂ）成分である活性化学線照射により酸を発生する化合物は、露光により酸を発生させ、（Ｃ）成分の分解反応を誘起することにより、露光部のアルカリ水溶液への可溶性を増大させる機能を有するものである。（Ｂ）成分としては、オニウム塩、ハロゲン含有化合物、キノンジアジド化合物、スルホン酸エステル化合物などが用いられる。
【００２１】
オニウム塩としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、アンモニウム塩、ジアゾニウム塩などが挙げられ、好ましくは、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、トリアルキルスルホニウム塩（アルキル基の炭素数は１〜８）がある。該オニウム塩の対アニオンとしては、例えば、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸などが好ましい。
【００２２】
ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素系化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物等が挙げられ、好ましくは、トリクロロメチルトリアジン、ブロモアセチルベンゼンなどが好ましい。
【００２３】
キノンジアジド化合物としては、例えば、ジアゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物などを挙げることができる。
【００２４】
スルホン酸エステル化合物としては、フェノール性水酸基を有する芳香族化合物とアルキルスルホン酸あるいは芳香族スルホン酸とのエステルが挙げられる。例えば、フェノール性水酸基を有する芳香族化合物としては、フェノール、レゾルシノール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、１，３−ジホドロキシナフタレンなどがある。アルキルスルホン酸としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブチルスルホン酸、カンファースルホン酸などがある。芳香族スルホン酸としては、ベンゼンスルホン酸、ナフチルスルホン酸等がある。
【００２５】
（Ｂ）成分は現像後の膜厚及び感度の点から（Ａ）成分１００重量部に対して、０．５〜１００重量部、好ましくは１〜２０重量部用いられる。
【００２６】
活性化学線とは、活性光線又は化学線のことであり、例えば超高圧水銀灯を用いるコンタクト／プロキシミテイ露光機、ミラープロジェクション露光機、ｉ 線ステッパ、ｇ線ステッパ、その他の紫外線、可視光源や、Ｘ線、電子線などを挙げることができる。（Ｂ）成分に照射することにより（Ｂ）成分が酸を発生する活性化学線照射であれば特に限定はされない。
【００２７】
本発明に使用される（Ｃ）成分である酸触媒反応により分解し、アルカリ水溶液に対する溶解性が増加する、酸分解性基を有する化合物は、活性化学線照射により（Ｂ）成分より発生した酸を触媒とし分解反応を起こし、露光部のアルカリ水溶液への可溶性を増大させる機能を有するものである。上記（Ｃ）成分としては、フェノール性水酸基またはカルボキシル基を有する化合物においてフェノール性水酸基またはカルボキシル基の水素原子の一部または全てを酸分解性基で置換された化合物が好ましい。
【００２８】
フェノール性水酸基またはカルボキシル基を有する化合物としては、１〜１５個のベンゼン環を有し、フェノール性水酸基またはカルボキシル基を分子内に１〜２０個有する化合物が好ましい。また、これらの化合物は、フェノールノボラック樹脂やポリビニルフェノールのような樹脂状化合物を用いても良い。また、（Ａ）成分であるポリベンゾオキサゾール前駆体を用いても良い。すなわち、フェノール性水酸基またはカルボキシル基を有するポリヒドロキシアミドを用いても良い。これらの化合物のフェノール性水酸基またはカルボキシル基の水素原子の一部または全てが酸分解性基により置換されて用いられる。
【００２９】
（Ｃ）成分のフェノール性水酸基またはカルボキシル基の水素原子に置換される酸分解性基としては、アセタール、ケタール、シリル基、シリルエーテル基などの酸により分解される置換基が用いられる。酸分解性基としては、例えば、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、エトキシエチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル基、エチルビニルエーテル基、メチルビニルエーテル基、トリメチルシリルエーテル基などが挙げられる。
【００３０】
これらの置換基は、例えば、フェノール性水酸基またはカルボキシル基を有する化合物に酸触媒下でビニルエーテル化合物を反応させることにより容易に導入することができる。また、導入したい置換基の塩化物をアミン等のアルカリ触媒下で反応させることによっても容易に導入することができる。
【００３１】
（Ｃ）成分は現像後の膜厚及び感度の点から、（Ａ）成分１００重量部に対して、２〜５００重量部、好ましくは１０〜３００重量部用いられる。
【００３２】
本発明に使用される（Ｄ）成分であるシランカップリング剤としては、例えば、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、尿素プロピルトリエトキシシラン、メチルフェニルシランジオール、エチルフェニルシランジオール、ｎ−プロピルフェニルシランジオール、イソプロピルフェニルシランジオール、ｎ−ブチルシフェニルシランジオール、イソブチルフェニルシランジオール、ｔｅｒｔ−ブチルフェニルシランジオール、ジフェニルシランジオール、エチルメチルフェニルシラノール、ｎ−プロピルメチルフェニルシラノール、イソプロピルメチルフェニルシラノール、ｎ−ブチルメチルフェニルシラノール、イソブチルメチルフェニルシラノール、ｔｅｒｔ−ブチルメチルフェニルシラノール、エチルｎ−プロピルフェニルシラノール、エチルイソプロピルフェニルシラノール、ｎ−ブチルエチルフェニルシラノール、イソブチルエチルフェニルシラノール、ｔｅｒｔ−ブチルエチルフェニルシラノール、メチルジフェニルシラノール、エチルジフェニルシラノール、ｎ−プロピルジフェニルシラノール、イソプロピルジフェニルシラノール、ｎ−ブチルジフェニルシラノール、イソブチルジフェニルシラノール、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシラノール、フェニルシラントリオール、１，４−ビス（トリヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（メチルジヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（エチルジヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（プロピルジヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ブチルジヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジメチルヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジエチルヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジプロピルドロキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジブチルヒドロキシシリル）ベンゼンなどが挙げられる。これらの中で、アミノ基又はメルカプト基を有するものが、特に組成物の貯蔵安定性に優れ好ましい。これらのカップリング剤は、アルコールなどの有機溶媒による溶液の形で提供されることもある。
【００３３】
（Ｄ）成分の量は、基板との接着性向上の観点から（Ａ）成分１００重量部に対して０．５〜２０重量部が望ましいが、硬化後の膜特性の観点から０．５〜１０重量部が好ましい。
【００３４】
（Ｅ）成分の溶剤としては、（Ａ）〜（Ｄ）成分を良く相溶させ均一に溶解させることのできる溶剤であれば、特に制限はなく、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレンスルホン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタートなどの非プロトン性極性溶剤が単独で又は２種以上併用して用いられる。
【００３５】
（Ｅ）成分は、塗布膜厚の観点から（Ａ）成分１００重量部に対して５０〜７００重量部、好ましくは８０〜５００重量部用いられる。
【００３６】
また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、アルカリ現像液に対する溶解性を調製するために適当なフェノール化合物などを含むことができる。
【００３７】
このようなフェノール化合物としては、フェノール性水酸基を分子内に２〜８個含有する化合物を用いることができる。例えば、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、２−ヒドロキシフェニル−（４−ヒドロキシフェニル）メタン、３，３’−メチレンビス（２−ヒドロキシ−５−メチルベンゼンメタノール、２，２’−メチレンビス（４−メチルフェノール）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、トリス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）−（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキフェニル）−（２−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１，１−トリス（２−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−（２−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−［４−｛１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル｝フェニル］エタン、１，１−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−フェニルメタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）−フェニルメタン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチル−ビフェニルなどが挙げられる。
【００３８】
また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、塗布性、例えばストリエーション（膜厚のムラ）を防いだり、現像性を向上させるために、適当な界面活性剤あるいはレベリング剤を添加することができる。このような界面活性剤あるいはレベリング剤としては、例えば、ポリオキシエチレンウラリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテルなどがあり、市販品としては、メガファックスＦ１７１、Ｆ１７３、Ｒ−０８（大日本インキ化学工業株式会社製商品名）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム株式会社商品名）、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１、ＫＢＭ３０３、ＫＢＭ４０３、ＫＢＭ８０３（信越化学工業株式会社製商品名）などが挙げられる。
【００３９】
さらに、本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、必要に応じて、保存安定剤、溶解抑止剤なども配合することができる。
【００４０】
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、ガラス基板、半導体、金属酸化物絶縁体（例えばＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２など）、窒化ケイ素などの支持基板上に塗布し、乾燥することによりポジ型感光性樹脂組成物の膜とすることができる。その後、マスクを介して紫外線、可視光線、放射線などの活性光線照射（露光）または化学線照射を行い、次いで必要に応じて加熱処理を行い、次いで露光部を現像液で除去することによりポジ型のレリーフパターンが得られる。
【００４１】
乾燥は通常オーブン又はホットプレートを用いて行われる。乾燥条件は、ポジ型感光性樹脂組成物の成分により適宜決定されるが、ホットプレートを用いた場合、６０〜１４０℃で３０秒間〜１０分間が好ましい。乾燥温度が低いと現像時に微細パターンの剥離が起こりやすい傾向にある。また、乾燥温度が高いと露光部の現像液に対する溶解速度が減少し感度が低下する傾向にある。
【００４２】
次いで、必要に応じて、光の照射部の（Ｃ）成分の分解反応を促進するために露光後、現像前に加熱処理が行われる。加熱条件はポジ型感光性樹脂組成物の成分により適宜決定されるが、ホットプレートを用いた場合、６０〜１４０℃で３０秒間〜１０分間が好ましい。加熱温度が低いと酸触媒反応によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増加される酸分解性基を有する化合物の分解が効率よく起こらず、感度が低下する傾向にある。加熱温度が高いと露光部の現像液に対する溶解速度が低下し、現像時間が長くなる傾向にある。
【００４３】
次いで、現像処理に用いる現像液としては、アルカリ現像液を用いることが好ましく、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、コリンなどの５重量％以下の水溶液、好ましくは１．５〜３．０重量％の水溶液などが用いられるが、より好ましい現像液は水酸化テトラメチルアンモニウムの１．５〜３．０重量％の水溶液である。
【００４４】
さらに上記現像液にアルコール類や界面活性剤を添加して使用することもできる。これらはそれぞれ、現像液１００重量部に対して、好ましくは０．０１〜１０重量部、より好ましくは０．１〜５重量部の範囲で配合することができる。
【００４５】
次いで、得られたレリーフパターンに１５０〜４５０℃の加熱処理をすることにより、オキサゾール環や他に環状基を持つ耐熱性重合体のレリーフパターンになる。本発明のポジ型感光性樹脂組成物は４μｍ以上の耐熱性重合体の膜厚を形成するための樹脂組成物として好適である。
【００４６】
このパターンは、半導体装置や多層配線板等の電子部品の層間絶縁膜又は表面保護膜として用いることができる。本発明の電子部品は、前記組成物を用いて形成される表面保護膜や層間絶縁膜を有すること以外は特に制限されず、様々な構造をとることができる。
【００４７】
本発明の電子部品の一例である半導体装置製造工程の一例を以下に説明する。図１は多層配線構造の半導体装置の製造工程図である。図１において、回路素子を有するＳｉ基板などの半導体基板１は、回路素子の所定部分を除いてシリコン酸化膜などの保護膜２などで被覆され、露出した回路素子上に第一導体層３が形成されている。前記半導体基板上にスピンコート法などで層間絶縁膜層４が形成される（工程（ａ））。
【００４８】
次に塩化ゴム系、フェノールノボラック系等の感光性樹脂層５が前記層間絶縁膜層４上にスピンコート法で形成され、公知の写真食刻技術によって所定部分の層間絶縁膜層４が露出する様に窓６Ａが設けられている（工程（ｂ））。
【００４９】
前記窓６Ａから露出した層間絶縁膜層４は、酸素、四フッ化炭素などのガスを用いるドライエッチング手段によって選択的にエッチングされ、窓６Ｂがあけられている。ついで窓６Ｂから露出した第一導体層３を腐食することなく、感光性樹脂層５のみを腐食するようなエッチング溶液を用いて感光性樹脂層５が完全に除去される（工程（ｃ））。
【００５０】
さらに公知の写真食刻技術を用いて、第二導体層７を形成させ、第一導体層３との電気的接続が完全に行われる（工程（ｄ））。３層以上の多層配線構造を形成する場合には、前記の工程を繰り返して行い各層を形成することができる。
【００５１】
次に表面保護膜層８が形成される。この図１の例では、この表面保護膜層８を前記感光性樹脂組成物をスピンコート法にて塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成し、加熱して樹脂膜とする。この樹脂膜は、導体層を外部からの応力、α線などから保護するものであり、得られる半導体装置は信頼性に優れる。なお、前記例において、層間絶縁膜層４を本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成することも可能である。
【００５２】
【実施例】
以下、本発明を実施例により詳しく説明する。
【００５３】
合成例１
攪拌機、温度計を備えた０．５リットルのフラスコ中に、４，４’−ジフェニルエーテルジカルボン酸２１．６９ｇ、Ｎ−メチルピロリドン１２３ｇを仕込み、フラスコを５℃に冷却した後、塩化チオニル９．９９ｇを滴下し、１時間反応させて、４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸クロリドの溶液（ε）を得た。次いで、攪拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた０．５リットルのフラスコ中に、Ｎ−メチルピロリドン１０３ｇを仕込み、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン２５．８３ｇを添加し、攪拌溶解した後、ピリジン２６．５８ｇを添加し、温度を０〜５℃に保ちながら、４，４’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液（ε）を１時間で滴下した後、１時間攪拌を続けた。溶液を４リットルの水に投入し、析出物を回収、洗浄した後、減圧乾燥してポリヒドロキシアミドを得た（以下、ポリマＡとする）。ポリマＡの標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は２００００、分散度は１．５であった。
【００５４】
合成例２
攪拌機、温度計を備えた０．５リットルのフラスコ中に、マルカリンカーＭ（丸善化学工業株式会社製商品名、ポリビニルフェノール、ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は５０００、分散度は２．５であった）２０ｇ、酢酸エチル２００ｇを仕込み、攪拌溶解した後、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン５０ｇを添加し、次いで１２Ｎ塩酸０．３ｇを添加し、室温下で７０時間攪拌を継続した。その後、反応溶液を分液ロートに移した後、水酸化テトラメチルアンモニウムの２．３８重量％水溶液１５０ｇで中和し、さらに純水１５０ｇで数回有機層を洗浄した。有機層を取り出しエバポレータにより有機層を濃縮した後、濃縮した有機層をｎ−ヘキサンに投入し、析出した樹脂状物を回収した後、減圧乾燥して、フェノール性水酸基をテトラヒドロピラニル基で保護したポリビニルフェノールを得た（以下、溶解阻害剤Ｉとする）。溶解阻害剤Ｉのフェノール性水酸基に対するテトラヒドロピラニル基の保護化率を^１Ｈ−ＮＭＲにより測定したところ９５％であった。
【００５５】
実施例
（Ａ）成分としてポリマＡ、（Ｂ）成分としてＮＡＩ−１０５（みどり化学株式会社製商品名、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ナフタルイミド）、９，１０−ジメトキシアントラセン−２−スルホン酸ジフェニルヨードニウム（以下、酸発生剤ＩＩとする）、ＮＡＩ−１０６（みどり化学株式会社製商品名、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）ナフタルイミド）、（Ｃ）成分として溶解阻害剤Ｉ、（Ｄ）成分としてＳＩＢ１１４０．０（チッソ株式会社製商品名、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン６２％エタノール溶液）、ＳＩＵ９０５５．０（チッソ株式会社製商品名、尿素プロピルトリエトキシシラン５０％メタノール溶液）、（Ｅ）成分としてγ−ブチロラクトンを用いて、これらを組み合わせてフラスコに配合、室温下にて攪拌溶解させて均一な溶液状態とした。その後、この溶液を１μｍ孔のテフロン（登録商標）フィルタを用いて加圧濾過してポジ型感光性樹脂組成物を得た。（Ａ）〜（Ｅ）成分について、４例の組み合わせを配合しポジ型感光性樹脂組成物を調製した。それらの組成表を表１に示した。
【００５６】
比較例
表１に比較例の組成を示した。
【表１】

【００５７】
接着性評価を行うために、得られたポジ型感光性組成物をスピンナーでシリコンウエハ上に回転塗布し、ホットプレート上９０℃で２分間加熱乾燥を行い、１４μｍのポジ型感光性樹脂組成物の膜を得た。次いで、ホットプレート上で１２０℃で２分間加熱乾燥を行った後、２．３８重量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を現像液とし、１００秒間パドル現像を行い、純水で洗浄してシリコンウエハ上にポリベンゾオキサゾール前駆体のフィルムを得た。次いで、このフィルムを窒素雰囲気下３２０℃で１時間加熱処理し、シリコンウエハ上全面に膜厚１０μｍのポリベンゾオキサゾールの硬化フィルムを得た。得られたウエハ上の硬化膜を用いて、碁盤目試験を行った。また、試験後のウエハ上硬化膜をプレッシャークッカー（１２１℃、１．５気圧）に投入し１００時間経過後に同様の碁盤目試験を行った。表２に試験結果を示す。
【００５８】
【表２】

【００５９】
実施例２の組成を用いてスピンナーを使用してシリコンウエハ上に回転塗布し、ホットプレート上９０℃で２分間加熱乾燥を行い、１０μｍのポジ型感光性樹脂組成物の膜を得た。感光特性の評価を行うために、この塗膜にｉ線縮小投影露光装置（キャノン製ＰＦＡ３０００ｉｗ）を用い、レティクルを介し、１０００〜１１０００Ｊ／ｍ^２の露光をした。次いで、ホットプレート上で１２０℃で２分間加熱乾燥を行った後、２．３８重量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を現像液とし、１００秒間パドル現像を行い、純水で洗浄してレリーフパターンを得た。このパターンを窒素雰囲気下３２０℃で１時間加熱処理し硬化したレリーフパターンを得た。硬化後金属顕微鏡によるパターン観察を行った。さらに、組成物の安定性を評価するために、各組成物を２３−２５℃で１か月保管し、粘度の上昇を観察した。
【００６０】
実施例１〜４で確認したように、シランカップリング剤を添加したものは良好な接着性を示した。一方比較例のようにシランカップリング剤未添加のものは添加品に比べて基板との接着性が劣った。また、硬化後のレリーフパターン観察の結果、最小加工寸法１０μｍの良好な形状のレリーフパターンを得た。さらに、貯蔵安定性の評価の結果、各実施例においては、ほとんど粘度の上昇がなかったのに対し、比較例においては、著しく増粘していた。
【００６１】
【発明の効果】
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、基板との接着性や貯蔵安定性に優れるものである。また、本発明のレリーフパターンの製造方法によれば、基板との接着性に優れるので、容易に良好な特性を示す半導体素子等の表面保護膜、層間絶縁膜などを作成することができる。また、本発明の電子部品は、基板との接着性が良好な層間絶縁膜又は表面保護膜を有する信頼性に優れる半導体装置となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】多層配線構造の半導体装置の製造工程図である。
【符号の説明】
１…半導体基板
２…保護膜
３…第一導体層
４…層間絶縁膜層
５…感光樹脂層

Claims (3)

1. （Ａ）下記の一般式（１）で表わされる繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体、
   

   

   （式中、Ｒ^１は１個の芳香環を含む基又は２〜３個の芳香環が単結合、エーテル結合、２，２−ヘキサフルオロプロピレン結合、２，２−プロピレン結合、スルホン結合、メチレン結合及びカルボニル結合の中から選ばれた少なくとも一種の結合を介して結合した化学構造を持つ２価の有機基を示し、Ｒ^２は１個の芳香環を含む基又は２〜３個の芳香環が単結合、エーテル結合、２，２−ヘキサフルオロプロピレン結合、２，２−プロピレン結合、メチレン結合及びスルホン結合の中から選ばれた少なくとも一種の結合を介して結合した化学構造を有する４価の有機基を示す）、（Ｂ）活性化学線照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）酸触媒反応により分解し、アルカリ水溶液に対する溶解性が上昇する、酸分解性基を有する化合物、（Ｄ）シランカップリング剤、及び（Ｅ）溶剤を含有してなるポジ型感光性樹脂組成物。
2. 請求項１に記載のポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、前記乾燥後のポジ型感光性樹脂膜を露光する工程、前記露光後のポジ型感光性樹脂膜を加熱する工程、前記加熱後のポジ型感光性樹脂膜を現像する工程、及び前記現像後のポジ型感光性樹脂膜を加熱処理する工程を含むレリーフパターンの製造方法。
3. 請求項２に記載の製造方法により得られるパターンの層を有してなる電子デバイスを有する電子部品であって、前記電子デバイスに少なくとも層間絶縁膜層及び表面保護膜層が設けられ、前記層間絶縁膜層及び前記表面保護膜層の少なくともいずれかの層が、前記パターンの層であることを特徴とする電子部品。

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