JP2008304902A - ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法 - Google Patents

ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法 Download PDF

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Abstract

【課題】感度、解像度、残膜率、保存安定性に優れた、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法であって、硬化させることにより耐熱性、密着性、透過率などに優れる硬化膜が得られる、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定のアセタール構造を有する酸解離性基を有し、アルカリ不溶性若しくはアルカリ難溶性であり、且つ、酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）架橋剤及び（Ｄ）密着助剤を少なくとも含有するポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法に関する。さらに詳しくは、液晶表示素子、集積回路素子、固体撮像素子、有機ELなどの電子部品の平坦化膜、保護膜や層間絶縁膜の形成に好適な、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法に関する。
従来、液晶表示素子、集積回路素子、固体撮像素子、有機ELなどの電子部品においては、一般に、電子部品表面の平坦性を付与するための平坦化膜、電子部品の劣化や損傷を防ぐための保護膜や絶縁性を保つための層間絶縁膜を形成する際に感光性樹脂組成物が使用される。例えば、TFT型液晶表示素子は、ガラス基板上に偏光板を設け、ITO等の透明導電回路層及び薄膜トランジスタ（TFT）を形成し、層間絶縁膜で被覆して背面版とする一方、ガラス基板上に偏光板を設け、必要に応じてブラックマトリックス層及びカラーフィルター層のパターンを形成し、さらに透明導電回路層、層間絶縁膜を順次形成して上面板とし、この背面板と上面板とをスペーサーを介して対向させて両板間に液晶を封入して製造されるが、この中で層間絶縁膜を形成する際に用いられる感光性樹脂組成物としては感度、残膜率、解像性、耐熱性、密着性、透明性に優れていることが求められる。また、更に当該感光性樹脂組成物は、保存時の経時安定性に優れることが求められる。
感光性樹脂組成物として、例えば、特開平５−１６５２１４号公報には、（Ａ）（ａ）不飽和カルボン酸または不飽和カルボン酸無水物、（ｂ）エポキシ基を有するラジカル重合性化合物および（ｃ）他のラジカル重合性化合物の重合体であるアルカリ水溶液に可溶な樹脂、（Ｂ）感放射線性酸生成化合物を含有する感光性樹脂組成物が、特開平１０−１５３８５４公報には、アルカリ可溶性アクリル系高分子バインダー、キノンジアジド基含有化合物、架橋剤、および光酸発生剤を含有して成る感光性樹脂組成物が、それぞれ提案されている。しかし、これらは、何れも感度、未露光部残膜率、解像性、経時安定性が十分でなく高品質の液晶表示素子を製造するためには満足できるものではなかった。特開２００４−４６６９公報には、架橋剤、酸発生剤、およびそれ自体はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用により解裂しうる保護基を有し、該保護基が解裂した後はアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂を含有することを特徴とするポジ型化学増幅レジスト組成物が提案されている。しかし、密着性が十分でなく高品質の液晶表示素子を製造するためには満足できるものではなかった。特開２００４−２６４６２３号公報には、アセタール構造および／またはケタール構造並びにエポキシ基を含有する樹脂、酸発生剤を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物が提案されているが、感度が低く満足できるものではなかった。
特開平５−１６５２１４号公報 特開平１０−１５３８５４号公報 特開２００４−４６６９号公報 特開２００４−２６４６２３号公報
そこで、本発明の課題は、感度、解像度、残膜率、保存安定性に優れた、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法であって、硬化させることにより耐熱性、密着性、透過率などに優れる硬化膜が得られる、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法を提供することである。
本発明者は、上記課題を解決する鋭意検討した結果、本発明に到達した。
本発明は、下記の通りである。
（１） （Ａ）下記一般式（１）で表される酸解離性基を有し、アルカリ不溶性若しくはアルカリ難溶性であり、且つ、酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂、
（Ｂ）波長３００ｎｍ以上の活性光線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｃ）架橋剤及び
（Ｄ）密着助剤
を少なくとも含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
Figure 2008304902
一般式（１）に於いて、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基又は置換されていてもよいシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ１とＲ２が共に水素原子の場合を除く。
Ｒ３は、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。
Ｒ１とＲ3が連結して環状エーテルを形成しても良い。
（２） （Ａ）成分が、下記一般式（２）で表される構成単位と、一般式（３）で表される構成単位を有することを特徴とする（１）に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
Figure 2008304902
一般式（２）に於いて、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基又は置換されていてもよいシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ１とＲ２が共に水素原子である場合を除く。
Ｒ３は、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。
Ｒ１とＲ3が連結して環状エーテルを形成しても良い。
Ｒ４は、水素原子又はメチル基を表す。
Figure 2008304902
一般式（３）に於いて、
Ｒ５は、水素原子又はメチル基を表す。
（３） （Ｂ）成分として、下記一般式（４）で表される化合物を含有することを特徴とする（１）又は（２）に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
Figure 2008304902
一般式（４）に於いて、
Ｒ６は、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基又は置換されていてもよいアリール基を表す。
Ｘは、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基、置換されていてもよいアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
ｍは、０〜３の整数を表す。ｍが２又は３のとき、複数のＸは、同一でも異なっていてもよい。
（４） （Ｃ）成分として、下記一般式（５）で表される構造を少なくとも２つ有する化合物を含有することを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
Figure 2008304902
一般式（５）に於いて、
Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状若しくは分岐状アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒ９は、直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアシル基を表す。
（５） （Ｃ）成分として、下記一般式（６）で表される化合物、一般式（７）で表される化合物及び一般式（８）で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有することを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
Figure 2008304902
一般式（６）に於いて、
Ｒ１０は、それぞれ独立して、直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基又はアシル基を表す。
Figure 2008304902
一般式（７）に於いて、
Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基又はアシル基を表す。
Figure 2008304902
一般式（８）に於いて、
Ｒ１３は、それぞれ独立して、直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基又はアシル基を表す。
（６） （１）〜（５）のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥し、塗膜を形成する工程、マスクを介して波長３００ｎｍ以上の活性光線を用いて露光する工程、アルカリ現像液を用いて現像し、パターンを形成する工程及び得られたパターンを加熱処理する工程を含むことを特徴とする硬化膜形成方法。
（７） 更に、アルカリ現像液を用いて現像し、パターンを形成する工程後、得られたパターンを加熱処理する工程前に、全面露光する工程を含むことを特徴とする（６）に記載の硬化膜形成方法。
以下、更に、本発明の好ましい実施の態様を挙げる。
（８） （Ａ）成分１００質量部に対して、（Ｃ）成分を、２〜１００質量部含有することを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
（９） （Ａ）成分１００質量部に対して、（Ｄ）成分を、０．１〜２０質量部含有することを特徴とする（１）〜（５）及び（８）のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
本発明により、感度、解像度、残膜率、保存安定性に優れた、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法であって、硬化させることにより耐熱性、密着性、透過率などに優れる硬化膜が得られる、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法を提供することができる。
以下、本発明を詳細に説明する。
尚、本明細書における基（原子団）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
（Ａ）一般式（１）で表される酸解離性基を有し、アルカリ不溶性若しくはアルカリ難溶性であり、且つ、酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、下記一般式（１）で表される酸解離性基を有し、アルカリ不溶性若しくはアルカリ難溶性であり、且つ、酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂（「（Ａ）成分」ともいう）を含有する。
Figure 2008304902
一般式（１）に於いて、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基又は置換されていてもよいシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ１とＲ２が共に水素原子の場合を除く。
Ｒ３は、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。
Ｒ１とＲ3が連結して環状エーテルを形成しても良い。
一般式（Ｉ）に於ける、Ｒ１及びＲ２の直鎖状若しくは分岐状アルキル基は、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状アルキル基が好ましい。置換基としては、炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子が好ましい。
Ｒ１及びＲ２のシクロアルキル基は、炭素数３〜６のシクロアルキル基が好ましい。置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子が好ましい。
Ｒ３の直鎖状若しくは分岐状アルキル基は、炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐状アルキル基が好ましい。置換基としては、炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子が好ましい。
Ｒ３のシクロアルキル基は、炭素数３〜１０のシクロアルキル基が好ましい。置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子が好ましい。
Ｒ３のアラルキル基は、炭素数７〜１０のアラルキル基が好ましい。置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子が好ましい。
Ｒ１とＲ３が連結して環状エーテルを形成する際には、Ｒ１とＲ３が連結して炭素数２〜５のアルキレン鎖を形成することが好ましい。
本発明の（Ａ）成分は、一般式（１）で表される酸解離性基を有していることを特徴としている。本発明のポジ型感光性組成物は、架橋剤を含有するため、画像露光後に高温でPEB（POST EXPOSURE BAKE:露光後加熱）すると、架橋反応が起こり、現像できなくなる。一方、本発明の一般式（１）で表される酸解離性基は、酸分解の活性化エネルギーが低く、酸存在下に容易に分解するため、高温でPEBを行う必要がない。従って、比較的低温でPEBを行うことにより、架橋反応を起こすことなく、酸解離性基を分解することが可能なため、現像によりポジ画像を形成することができる。
一般式（１）で表される酸解離性基を有する構成単位としては、ヒドロキシスチレンや
ノボラック等のフェノール性水酸基をアセタール基で保護したものが挙げられる。好ましい構成単位は、下記一般式（２）で表される酸解離性基を有する構成単位であり、例えば、１−アルコキシアルコキシスチレン、１−（ハロアルコキシ）アルコキシスチレン、１−（アラルキルオキシ）アルコキシスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレンが挙げられる。これらの中で、１−アルコキシアルコキシスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレンがより好ましく、１−アルコキシアルコキシスチレンが特に好ましい。
Figure 2008304902
一般式（２）に於いて、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基又は置換されていてもよいシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ１とＲ２が共に水素原子である場合を除く。
Ｒ３は、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。
Ｒ１とＲ3が連結して環状エーテルを形成しても良い。
Ｒ４は、水素原子又はメチル基を表す。
一般式（２）に於ける、Ｒ１〜Ｒ３は、一般式（１）に於ける、Ｒ１〜Ｒ３と同義である。
一般式（２）で表される構成単位は、ベンゼン環上に、アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していてもよい。
一般式（１）で表される酸解離性基を有する構成単位の具体例としては、例えば、p又
はm−１−エトキシエトキシスチレン、p又はm−１−メトキシエトキシスチレン、p又はm
−１−ｎ−ブトキシエトキシスチレン、p又はm−１−イソブトキシエトキシスチレン、p
又はm−１−（１，１−ジメチルエトキシ）エトキシスチレン、p又はm−１−（２−クロ
ルエトキシ）エトキシスチレン、p又はm−１−（２−エチルヘキシルオキシ）エトキシスチレン、p又はm−１−ｎ−プロポキシエトキシスチレン、p又はm−１−シクロヘキシルオキシエトキシスチレン、p又はm−１−（２−シクロヘキシルエトキシ）エトキシスチレン、p又はm−１−ベンジルオキシエトキシスチレンなどを挙げることができ、単独又は２種類以上を組合わせて使用することができる。
一般式（１）で表される酸解離性基を有する構成単位の共重合組成は、全成分の１０〜９０モル％が好ましく、２０〜５０モル％がより好ましい。
（Ａ）成分は、下記一般式（３）で表される構成単位を有することが好ましい。
Figure 2008304902
一般式（３）に於いて、
Ｒ５は、水素原子又はメチル基を表す。
一般式（３）で表される構成単位は、ベンゼン環上に、アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していてもよい。
一般式（３）で表される構成単位としては、例えば、ヒドロキシスチレンやα−メチル−ヒドロキシスチレンが挙げられるが、ヒドロキシスチレンが特に好ましい。
一般式（３）で表される構成単位の共重合組成は、全成分の３０〜９０モル％が好ましく、５０〜８０モル％がより好ましい。
（Ａ）成分において、必要に応じて、一般式（２）で表される構成単位及び一般式（３）で表される構成単位以外の構成単位を共重合することができる。一般式（２）で表される構成単位及び一般式（３）で表される構成単位以外の構成単位としては、スチレン、tert−ブトキシスチレン、メチルスチレン、α−メチルスチレン、アセトキシスチレン、α−メチル−アセトキシスチレン、メトキシスチレン、エトキシスチレン、クロルスチレン、ビニル安息香酸メチル、ビニル安息香酸エチル、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ｎ−プロピル、メタクリル酸ｎ−プロピル、アクリル酸イソプロピル、メタクリル酸イソプロピル、アクリル酸tert−ブチル、メタクリル酸tert−ブチル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、メタクリル酸２−ヒドロキシプロピル、アクリル酸ベンジル、メタクリル酸ベンジル、アクリル酸イソボルニル、メタクリル酸イソボルニル、グリシジルメタクリレート、アクリロニトリルなどによる構成単位を挙げることができ、単独又は２種類以上を組合わせて使用することができる。
これら構成単位の共重合組成は、全成分の４０モル％以下が好ましく、より好ましくは２０モル％以下である。
（Ａ）成分の分子量は、ポリスチレン換算重量平均分子量で、好ましくは、１，０００〜２００，０００、より好ましくは２，０００〜５０，０００の範囲である。
（Ａ）成分は、異なる構成単位を含む樹脂を２種以上混合して使用することもできるし、また、同一の構成単位からなり組成の異なる２種以上の樹脂を混合して使用することもできる。
（Ａ）成分の合成法は、様々あるが、一例を挙げると、フェノール性水酸基を有する樹脂を酸触媒の存在下でビニルエーテルと反応させることにより合成することができる。
（Ｂ）波長３００ｎｍ以上の活性光線の照射により酸を発生する化合物
本発明で使用される波長３００ｎｍ以上の活性光線の照射により酸を発生する化合物（「（Ｂ）成分」ともいう）としては、波長３００ｎｍ以上の活性光線に感光し、酸を発生する化合物であれば、構造に制限されるものではない。発生酸としては、ｐＫａが３以下の酸を発生する化合物が好ましく、スルホン酸を発生する化合物が特に好ましい。例えば、スルホニウム塩やヨードニウム塩、ジアゾメタン化合物、イミドスルホネート化合物、オキシムスルホネート化合物、キノンジアジド化合物などを挙げることができ、単独又は２種類以上を組合わせて使用することができる。
（Ｂ）成分の中でオキシムスルホネート化合物が好ましく、下記一般式（４）で表す化合物がより好ましい。
Figure 2008304902
一般式（４）に於いて、
Ｒ６は、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基又は置換されていてもよいアリール基を表す。
Ｘは、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基、置換されていてもよいアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
ｍは、０〜３の整数を表す。ｍが２又は３のとき、複数のＸは、同一でも異なっていてもよい。
一般式（４）に於いて、Ｒ６のアルキル基としては、炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐状アルキル基が好ましい。Ｒ６のアルキル基は、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１０）あるいは脂環式基（７，７−ジメチル−２−オキソノルボルニル基などの有橋式脂環基を含む、好ましくはビシクロアルキル基）で置換されてもよい。
Ｒ６のシクロアルキル基は、炭素数３〜１０のシクロアルキル基が好ましい。
Ｒ６のアリール基としては、炭素数６〜１１のアリール基が好ましく、フェニル基あるいはナフチル基が更に好ましい。Ｒ６のアリール基は、アルキル基（好ましくは炭素数１〜５）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜５）あるいはハロゲン原子で置換されてもよい。
Ｘとしてのアルキル基は、炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
Ｘとしてのアルコキシ基は、炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐状アルコキシ基が好ましい。
Ｘとしてのハロゲン原子は、塩素原子若しくはフッ素原子が好ましい。
ｍは、０又は１が好ましい。
特に、一般式（３）において、ｍが１、Ｘがメチル基であり、Ｘの置換位置がオルトである化合物が好ましい。
一般式（４）で表される化合物は、下記一般式（４ａ）で表される化合物であることがより好ましい。
Figure 2008304902
一般式（４ａ）に於いて、
Ｒ６は、一般式（４）に於ける、Ｒ６と同義である。
オキシムスルホネート化合物の具体例としては、例えば、下記化合物（１０）、化合物（１１）、化合物（１２）、化合物（１３）等が挙げられ、単独又は２種類以上を組合わせて使用することができる。また、他の種類の（Ｂ）成分と組み合わせて使用することもできる。
Figure 2008304902
Figure 2008304902
化合物（１０）、化合物（１１）、化合物（１２）及び化合物（１３）は、市販品として、入手することができる。
（Ｃ）架橋剤
本発明で使用される架橋剤（「（Ｃ）成分」ともいう）としては、例えば、下記一般式（５）で表される構造を少なくとも２つ有する化合物が挙げられる。
Figure 2008304902
一般式（５）に於いて、
Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状若しくは分岐状アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒ９は、直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアシル基を表す。
一般式（５）において、Ｒ７、Ｒ８は及びＲ９の直鎖状若しくは分岐状アルキル基は、炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
Ｒ７、Ｒ８は及びＲ９のシクロアルキル基は、炭素数３〜１０のシクロアルキル基が好ましい。
Ｒ９のアラルキル基は、炭素数７〜１０のアラルキル基が好ましい。
Ｒ９のアシル基は、炭素数２〜１０のアシル基が好ましい。
好ましい架橋剤は、アルコキシメチル化ウレア樹脂、アルコキシメチル化グリコールウリル樹脂であり、アルコキシメチル化グリコールウリル樹脂がより好ましい。
架橋剤は、下記一般式（６）、一般式（７）又は一般式（８）で表される化合物が、より好ましい。
Figure 2008304902
一般式（６）に於いて、
Ｒ１０は、それぞれ独立して、直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基又はアシル基を表す。
一般式（６）において、Ｒ１０の直鎖状若しくは分岐状アルキル基は、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
Ｒ１０のシクロアルキル基は、炭素数３〜６のシクロアルキル基が好ましい。
Ｒ１０のアシル基は、炭素数２〜６のアシル基が好ましい。
Figure 2008304902
一般式（７）に於いて、
Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基又はアシル基を表す。
一般式（７）において、Ｒ１１及びＲ１２の直鎖状若しくは分岐状アルキル基は、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
Ｒ１１及びＲ１２のシクロアルキル基は、炭素数３〜６のシクロアルキル基が好ましい。
Ｒ１１及びＲ１２のアシル基は、炭素数２〜６のアシル基が好ましい。
Figure 2008304902
一般式（８）に於いて、
Ｒ１３は、それぞれ独立して、直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基又はアシル基を表す。
一般式（８）において、Ｒ１３の直鎖状若しくは分岐状アルキル基は、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
Ｒ１３のシクロアルキル基は、炭素数３〜６のシクロアルキル基が好ましい。
Ｒ１３のアシル基は、炭素数２〜６のアシル基が好ましい。
（Ｃ）成分は、市販品として、入手することができる。
（Ｄ）密着助剤
本発明に用いられる密着助剤（Ｄ）としては、基材となる無機物、たとえば、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物、金、銅、アルミニウム等の金属と絶縁膜との密着性を向上させる化合物である。具体的には、シランカップリング剤、チオール系化合物等が挙げられる。
本発明で使用される密着助剤としてのシランカップリング剤は、界面の改質を目的とするものであり、特に限定することなく、公知のものを使用することができる。
好ましいシランカップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリアルコキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリアルコキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリアルコキシシラン、ビニルトリアルコキシシランが挙げられる。
γ−グリシドキシプロピルトリアルコキシシランやγ−メタクリロキシプロピルトリアルコキシシランがより好ましく、γ−グリシドキシプロピルトリアルコキシシランが更により好ましい。
これらは単独あるいは２種以上を組合わせて使用することができる。これらは基板との密着性向上に有効であるとともに、基板とのテーパー角の調整にも有効である。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物における、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分の混合比は、（Ａ）成分１００質量部に対して、（Ｂ）成分は、０．０１〜１０質量部が好ましく、０．０５〜２質量部がより好ましい。また、（Ｃ）成分は、２〜１００質量部が好ましく、１０〜３０質量部がより好ましい。また、（Ｄ）成分は、０．１〜２０質量部が好ましく、０．５〜１０質量部がより好ましい。
その他の成分
本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分に加え、必要に応じて、塩基性化合物、界面活性剤、紫外線吸収剤、増感剤、可塑剤、増粘剤、有機溶剤、密着促進剤、有機あるいは無機の沈殿防止剤などを加えることができる。
塩基性化合物
塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものの中から任意に選択して使用することができる。例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、４級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸４級アンモニウム塩等が挙げられる。
脂肪族アミンとしては、例えば、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ト
リ−ｎ−ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミンなどが挙げられる。
芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。
複素環式アミンとしては、例えば、ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、Ｎ−メチル−４−フェニルピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−メチルイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、４−メチルモルホリン、１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］−５−ノネン、１，８−ジアザビシクロ［5，３，０］−7ウンデセンなどが挙げられる。
４級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ヘキシルアンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。
カルボン酸４級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムベンゾエートなどが挙げられる。
塩基性化合物の配合量は、（Ａ）成分１００質量部当たり、０．００１〜１質量部とすることが好ましく、０．００５〜０．２質量部とすることがより好ましい。
界面活性剤
界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系あるいは両性の何れでも使用することができるが、好ましい界面活性剤はノニオン系界面活性剤である。ノニオン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類、シリコーン系、フッ素系界面活性剤を使用することができる。また、以下商品名で、ＫＰ（信越化学工業製）、ポリフロー（共栄社化学製）、エフトップ（ＪＥＭＣＯ製）、メガファック（大日本インキ化学工業製）、フロラード（住友スリーエム製）、アサヒガード、サーフロン（旭硝子製）等の各シリーズを挙げることができる。
界面活性剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
界面活性剤の配合量は、（Ａ）成分１００質量部当たり、通常１０質量部以下であり、好ましくは、０．０１〜１０質量部、より好ましくは、０．０５〜２質量部である。
可塑剤
可塑剤としては、例えば、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジドデシルフタレート、ポリエチレングリコール、グリセリン、ジメチルグリセリンフタレート、酒石酸ジブチル、アジピン酸ジオクチル、トリアセチルグリセリンなどが挙げられる。
可塑剤の配合量は、（Ａ）成分１００質量部当たり、０．１〜３０質量部とすることが好ましく、１〜１０質量部とすることがより好ましい。
溶剤
本発明のポジ型感光性組成物は、溶剤に溶解してレ溶液として使用される。本発明のポジ型感光性組成物に使用される溶剤としては、例えば、
（ア）エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類；
（イ）エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル等のエチレングリコールジアルキルエーテル類；
（ウ）エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；
（エ）プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；
（オ）プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類；
（カ）プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；
（キ）ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類；
（ク）ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；
（ケ）ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル等のジプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；
（コ）ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルメチルエーテル等のジプロピレングリコールジアルキルエーテル類；
（サ）ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のジプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；
（シ）乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−プロピル、乳酸イソプロピル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸イソブチル、乳酸ｎ−アミル、乳酸イソアミル等の乳酸エステル類；
（ス）酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸イソアミル、酢酸ｎ−ヘキシル、酢酸２−エチルヘキシル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−プロピル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸イソブチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸エチル、酪酸ｎ−プロピル、酪酸イソプロピル、酪酸ｎ−ブチル、酪酸イソブチル等の脂肪族カルボン酸エステル類；
（セ）ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸エチル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、３−メトキシプロピオンメチル、３−メトキシプロピオンエチル、３−エトキシプロピオンメチル、３−エトキシプロピオンエチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチ
ル−３−メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類；
（ソ）メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類；
（タ）N−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド類；
（チ）γ−ブチロラクトン等のラクトン類等を挙げることができる。
また、これらの溶剤に更に必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナール、ベンジルアルコール、アニソール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等の溶剤を添加することもできる。
溶剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
溶剤の配合量は、（Ａ）成分１００質量部当たり、通常、５０〜３，０００質量部、好ましくは１００〜２，０００質量部、さらに好ましくは１５０〜１，０００質量部である。
（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分および（Ｄ）成分を含有するポジ型感光性樹脂組成物を用いることで、感度、残膜率、解像性および経時安定性に優れたポジ型感光性樹脂組成物であって、硬化させることによって絶縁性、平坦性、耐熱性、密着性、透明性などに優れる硬化膜が得られるポジ型感光性樹脂組成物を提供することができる。
次に、本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いた硬化膜の形成方法を説明する。
本発明によるポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布し加熱することにより基板上に塗膜を形成させる。得られた塗膜に波長３００ｎｍ以上の活性光線を照射することにより、（Ｂ）成分が分解し酸が発生する。発生した酸の触媒作用により、（Ａ）成分中に含まれる一般式（１）で表される酸解離性基が、加水分解反応により解離し、フェノール性水酸基が生成する。この加水分解反応の反応式を以下に示す。
Figure 2008304902
本加水分解反応を加速させるために、必要に応じて、露光後加熱処理（Post Exposure Bakeという）を行うことができる。
フェノール性水酸基は、アルカリ現像液に溶解しやすいので、現像により除去され、ポジ画像が得られる。
次に、得られたポジ画像を高温加熱することにより、（Ａ）成分と架橋剤（（Ｃ）成分）を架橋させることにより、硬化膜を形成することができる。この高温加熱は通常１５０℃以上で加熱され、好ましくは１８０℃以上、より好ましくは２００〜２５０℃で加熱される。
高温加熱工程の前に活性光線を全面照射する工程を加えると、活性光線の照射により発生する酸により架橋反応を促進することができる。
次に、本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いた硬化膜の形成方法を具体的に説明する。
組成物溶液の調製方法：（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分およびその他の配合剤を所定の割合で且つ任意の方法で混合し、攪拌溶解して組成物溶液を調製する。例えば、各々の成分を予め溶剤に溶解させ溶液とした後、これらを所定の割合で混合して組成物溶液を調製することもできる。以上のように調製した組成物溶液は、孔径０．２μｍのフィルター等を用いてろ過した後に、使用に供することもできる。
塗膜の作成方法：組成物溶液を、所定の基板に塗布し、加熱により溶媒を除去する（以後、プリベークという）ことにより所望の塗膜を形成することができる。前記基板としては、例えば液晶表示素子の製造においては、偏光板、さらに必要に応じてブラックマトリックス層、カラーフィルター層を設け、さらに透明導電回路層を設けたガラス板などが挙げられる。基板への塗布方法は特に限定されず、例えば、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法等の方法を用いることができる。また、プリベーク時の加熱条件は、各成分の種類や配合比によっても異なるが、８０〜１３０℃で３０〜１２０秒間程度である。
パターン形成方法：塗膜を設けた基板に所定のパターンのマスクを介し、活性光線を照射した後、必要に応じて加熱処理（ＰＥＢ）を行った後、現像液を用いて露光部を除去して画像パターンを形成する。
活性光線の放射には、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、エキシマレーザー発生装置などを用いることができるが、ｇ線、i線、h線などの３００ｎｍ以上の波長の活性光線が好ましい。また、必要に応じて長波長カットフィルター、短波長カットフィルター、バンドパスフィルターのような分光フィルターを通して照射光を調整することもできる。
現像液としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物類；炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩類；重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウムなどのアルカリ金属重炭酸塩類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリンヒドロキシド等のアンモニウムヒドロキシド類；ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウムなどの水溶液を使用することができる。また、上記アルカリ類の水溶液にメタノールやエタノールなどの水溶性有機溶剤や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。
現像時間は通常３０〜１８０秒間であり、また、現像の手法は液盛り法、ディップ法等の何れでも良い。現像後は、流水洗浄を３０〜９０秒間行い、所望のパターンを形成させることができる。
架橋工程：パターン形成した基板に活性光線を照射することにより未露光部分に存在する（Ｂ）成分から酸を発生させる。その後、ホットプレートやオーブン等の加熱装置を用いて、所定の温度、例えば１８０〜２５０℃で所定の時間、例えばホットプレート上なら５〜３０分間、オーブンならば３０〜９０分間、加熱処理をすることによって、（Ａ）成分を（Ｃ）成分により架橋させ、耐熱性、硬度等に優れた保護膜や層間絶縁膜を形成することができる。
本工程は、活性光線又は放射線を照射せずに加熱処理を行うことにより硬化膜を形成することもできる。また、加熱処理を行う際は窒素雰囲気下で行うことにより透明性を向上させることもできる。
次に実施例により本発明を更に具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例によって限定されるものではない。
実施例１〜９および比較例１〜４
（１）ポジ型感光性樹脂組成物溶液の調製
下記表１に示す各成分を混合して均一な溶液とした後、孔径０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルターを用いてろ過して、ポジ型感光性樹脂組成物溶液を調製した。
（２）保存安定性の評価
ポジ型感光性樹脂組成物溶液の２３℃における粘度を、東機産業株式会社製Ｅ型粘度計を使用して測定した。該組成物を２３℃の恒温層に1ヶ月間保存した後の粘度を測定した。調整後の粘度に対して、室温１ヶ月間保存後の粘度上昇が５％未満の場合を○、５％以上の場合を×とした。その結果を下記表２に示した。
（３）感度、解像性及び現像時の残膜率の評価
シリコン酸化膜を有するシリコンウエハー上にポジ型感光性樹脂組成物溶液を回転塗布した後、１００℃で６０秒間ホットプレート上でプリベークして膜厚２μｍの塗膜を形成した。
次に、i-線ステッパー（キャノン社製 ＦＰＡ−３０００ｉ５＋）を用いて、所定のマスクを介して露光した。そして、５０℃で６０秒間ベークした。次に、表２に記載のアルカリ現像液（２．３８質量％又は０．４質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）で２３℃で６０秒間現像した後、超純水で１分間リンスした。これらの操作により０．５μmのラインアンドスペースを１：１で解像する時の最適露光量（Eopt）を感度とした。
この最適露光量で露光した時に解像する最小線幅を解像度とした。
現像後の未露光部の膜厚を測定し、塗布後の膜厚に対する比（現像後の未露光部膜厚÷塗布後の膜厚）を求めることにより、現像時の残膜率を評価した。
感度、解像度及び現像時の残膜率の評価結果を表２に示した。
（４）耐熱性、透過率及び密着性の評価
上記（３）において、シリコン酸化膜を有するシリコンウエハーの代わりに透明基板（コーニング社製コーニング１７３７）を用いた以外は上記（３）と同様に塗膜を形成し、プロキシミティー露光装置（ウシオ電気社製 ＵＸ−１０００ＳＭ）を用いて、所定のマスクを密着させて、３６５nmでの光強度が１８ｍW/ｃｍ２である紫外線を用いて露光した。次に、表２に記載のアルカリ現像液（２．３８質量％又は０．４質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）で２３℃で６０秒間現像した後、超純水で１分間リンスした。これらの操作により１０μmのラインアンドスペースが１：１となるパターンを作成した。得られたパターンを、さらに１００秒間全面露光し、オーブン中で２２０℃で１時間加熱し、加熱硬化膜をガラス基板上に形成した。
加熱硬化前後のボトム寸法の変化率（１−加熱硬化膜のボトム寸法÷現像後のボトム寸法）×１００（％）を測定することにより耐熱性の評価を行なった。この変化率が５％未満の場合を○、５％以上の場合を×として評価した。
得られた加熱硬化膜の未露光部分（マスクを介して露光した際、未露光部だった部分）の透過率を、分光光度計（Ｕ−３０００：日立製作所製）を用いて、波長４００〜８００
ｎｍで測定した。最低透過率が９５％を超えた場合を○、９０〜９５％の場合を△、９０％未満の場合を×とした。
加熱硬化膜の未露光部分（マスクを介して露光した際、未露光部だった部分）にカッターを用いて、縦横に１mmの間隔で切り込みを入れ、スコッチテープを用いてテープ剥離試験を行なった。テープ裏面に転写された硬化膜の面積から硬化膜と基板間の密着性を評価した。その面積が１％未満の場合を○、１〜５％未満の場合を△、５％以上の場合を×とした。
耐熱性、透過率及び密着性の評価結果を表２に示した。
Figure 2008304902
表１中に記載されている（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分、塩基性化合物及び溶剤は、下記の通りである。
（Ａ）成分
構成単位の右側の数値は、構成単位のモル比を表す。
Figure 2008304902
Figure 2008304902
Figure 2008304902
（Ａ−９）の樹脂は、特開２００４−２６４６２３号公報、合成例１に従って合成した。
（Ｂ）成分
Figure 2008304902
Ｂ−５：４，７−ジ−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート
（Ｃ）成分
Figure 2008304902
（Ｄ）成分
Ｄ−１：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
Ｄ−２：β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン
Ｄ−３：γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
塩基性化合物
Ｅ−１：４−ジメチルアミノピリジン
Ｅ−２：１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］−５−ノネン
溶剤
Ｆ−１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
Ｆ−２：ジエチレングリコールジメチルエーテル
Ｆ−３：ジエチレングリコールエチルメチルエーテル
Figure 2008304902
表２から、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、感度、解像度、残膜率、保存安定性に優れ、且つ、硬化させることにより耐熱性、密着性、透過率などに優れる硬化膜を形成し得ることが明らかである。

Claims (7)

  1. （Ａ）下記一般式（１）で表される酸解離性基を有し、アルカリ不溶性若しくはアルカリ難溶性であり、且つ、酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂、
    （Ｂ）波長３００ｎｍ以上の活性光線の照射により酸を発生する化合物、
    （Ｃ）架橋剤及び
    （Ｄ）密着助剤
    を少なくとも含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
    Figure 2008304902
     一般式（１）に於いて、
    Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基又は置換されていてもよいシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ１とＲ２が共に水素原子の場合を除く。
    Ｒ３は、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。
    Ｒ１とＲ3が連結して環状エーテルを形成しても良い。
  2. （Ａ）成分が、下記一般式（２）で表される構成単位と、一般式（３）で表される構成単位を有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
    Figure 2008304902
     一般式（２）に於いて、
    Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基又は置換されていてもよいシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ１とＲ２が共に水素原子である場合を除く。
    Ｒ３は、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。
    Ｒ１とＲ3が連結して環状エーテルを形成しても良い。
    Ｒ４は、水素原子又はメチル基を表す。
    Figure 2008304902
     一般式（３）に於いて、
    Ｒ５は、水素原子又はメチル基を表す。
  3. （Ｂ）成分として、下記一般式（４）で表される化合物を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
    Figure 2008304902
     一般式（４）に於いて、
    Ｒ６は、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基又は置換されていてもよいアリール基を表す。
    Ｘは、置換されていてもよい直鎖状若しくは分岐状アルキル基、置換されていてもよいアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
    ｍは、０〜３の整数を表す。ｍが２又は３のとき、複数のＸは、同一でも異なっていてもよい。
  4. （Ｃ）成分として、下記一般式（５）で表される構造を少なくとも２つ有する化合物を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
    Figure 2008304902
     一般式（５）に於いて、
    Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状若しくは分岐状アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
    Ｒ９は、直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアシル基を表す。
  5. （Ｃ）成分として、下記一般式（６）で表される化合物、一般式（７）で表される化合物及び一般式（８）で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
    Figure 2008304902
     一般式（６）に於いて、
    Ｒ１０は、それぞれ独立して、直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基又はアシル基を表す。
    Figure 2008304902
     一般式（７）に於いて、
    Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基又はアシル基を表す。
    Figure 2008304902
     一般式（８）に於いて、
    Ｒ１３は、それぞれ独立して、直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基又はアシル基を表す。
  6. 請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥し、塗膜を形成する工程、マスクを介して波長３００ｎｍ以上の活性光線を用いて露光する工程、アルカリ現像液を用いて現像し、パターンを形成する工程及び得られたパターンを加熱処理する工程を含むことを特徴とする硬化膜形成方法。
  7. 更に、アルカリ現像液を用いて現像し、パターンを形成する工程後、得られたパターンを加熱処理する工程前に、全面露光する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の硬化膜形成方法。
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Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010019966A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Jsr Corp ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2012128011A (ja) * 2010-12-13 2012-07-05 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置、及び、液晶表示装置
JP2012155288A (ja) * 2011-01-28 2012-08-16 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置
JP2012230134A (ja) * 2011-04-22 2012-11-22 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法
JP2013015694A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物、パターン並びにその製造方法
CN102967970A (zh) * 2011-09-01 2013-03-13 Jsr株式会社 阵列基板、液晶显示元件及阵列基板的制造方法
JP2013054376A (ja) * 2012-11-01 2013-03-21 Jsr Corp ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2013109012A (ja) * 2011-11-17 2013-06-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
WO2014050324A1 (ja) * 2012-09-28 2014-04-03 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、これを用いたパターンの製造方法
KR20140103839A (ko) 2013-02-19 2014-08-27 제이에스알 가부시끼가이샤 네거티브형 감방사선성 수지 조성물, 경화막, 경화막의 형성 방법 및 표시 소자
KR20140109856A (ko) 2011-12-28 2014-09-16 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 중합체, 화합물 및 화합물의 제조 방법
WO2015015974A1 (ja) * 2013-08-01 2015-02-05 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
KR20150016087A (ko) 2013-08-02 2015-02-11 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 경화막, 그의 형성 방법 및 표시 소자
KR20150027700A (ko) 2013-09-04 2015-03-12 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 중합체 조성물, 경화막, 그의 형성 방법 및, 전자 디바이스
WO2015064555A1 (ja) * 2013-10-28 2015-05-07 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、パターンの製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置の製造方法、および液晶表示装置の製造方法
WO2015064556A1 (ja) * 2013-10-28 2015-05-07 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、パターンの製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置の製造方法、および液晶表示装置の製造方法
US9063421B2 (en) 2011-11-17 2015-06-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition and pattern forming process
JP2015129961A (ja) * 2009-12-15 2015-07-16 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ フォトレジストおよびその使用方法
KR20150097769A (ko) 2012-12-21 2015-08-26 군에이 가가쿠 고교 가부시끼가이샤 경화성 수지 및 그의 제조 방법, 및 경화물
KR20160016566A (ko) 2014-07-31 2016-02-15 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 경화막 및 그의 형성 방법, 그리고 표시 소자

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5524037B2 (ja) * 2010-01-19 2014-06-18 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の形成方法、有機ｅｌ表示装置、及び、液晶表示装置
US8377617B2 (en) * 2010-11-16 2013-02-19 Konica Minolta Business Technologies, Inc. Toner for developing electrostatic image and manufacturing method of toner for developing electrostatic image
JP5772181B2 (ja) * 2011-04-20 2015-09-02 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法
JP6065789B2 (ja) * 2012-09-27 2017-01-25 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
KR101364229B1 (ko) * 2012-12-20 2014-02-17 동우 화인켐 주식회사 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조되는 절연막
JP2014211490A (ja) * 2013-04-17 2014-11-13 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP6244134B2 (ja) * 2013-08-02 2017-12-06 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
KR102142648B1 (ko) * 2013-12-16 2020-08-10 삼성디스플레이 주식회사 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 유기막 형성방법 및 유기막을 포함하는 표시장치
JP6147218B2 (ja) * 2014-03-26 2017-06-14 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機ｅｌ表示装置、タッチパネル表示装置
KR20170109264A (ko) * 2016-03-21 2017-09-29 동우 화인켐 주식회사 화학증폭형 포지티브 감광형 유기절연막 수지 조성물 및 이로부터 제조된 절연막
TWI742165B (zh) * 2017-09-27 2021-10-11 奇美實業股份有限公司 化學增幅型正型感光性樹脂組成物、光阻圖案及其形成方法以及電子裝置
CN113671793A (zh) * 2021-08-25 2021-11-19 江苏汉拓光学材料有限公司 一种化学放大型正性紫外光刻胶及其制备与使用方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004004669A (ja) * 2002-03-28 2004-01-08 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型化学増幅型レジスト組成物
JP2004170611A (ja) * 2002-11-19 2004-06-17 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造方法及び電子部品
JP2005181976A (ja) * 2003-11-25 2005-07-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 化学増幅型ポジ型感光性熱硬化性樹脂組成物、硬化物の形成方法、及び機能素子の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4214363C2 (de) * 1991-04-30 1998-01-29 Toshiba Kawasaki Kk Strahlungsempfindliches Gemisch zur Ausbildung von Mustern
US5362597A (en) * 1991-05-30 1994-11-08 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive resin composition comprising an epoxy-containing alkali-soluble resin and a naphthoquinone diazide sulfonic acid ester
JP3317576B2 (ja) * 1994-05-12 2002-08-26 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
JP3873261B2 (ja) * 1997-09-04 2007-01-24 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜およびこれらの膜の形成法
JP3755571B2 (ja) * 1999-11-12 2006-03-15 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
EP1136885B1 (en) * 2000-03-22 2007-05-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition and patterning method
US6737215B2 (en) * 2001-05-11 2004-05-18 Clariant Finance (Bvi) Ltd Photoresist composition for deep ultraviolet lithography
JP4040392B2 (ja) * 2002-08-22 2008-01-30 富士フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
US7160665B2 (en) * 2002-12-30 2007-01-09 International Business Machines Corporation Method for employing vertical acid transport for lithographic imaging applications
JP4476680B2 (ja) * 2004-04-20 2010-06-09 東京応化工業株式会社 インプランテーション工程用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物
WO2006059392A1 (ja) * 2004-12-03 2006-06-08 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. 化学増幅型ホトレジスト組成物、ホトレジスト層積層体、ホトレジスト組成物製造方法、ホトレジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法
JP2007328093A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Fujifilm Corp ポジ型感光性組成物及びパターン形成方法
US7741015B2 (en) * 2007-02-16 2010-06-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process and resist composition

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004004669A (ja) * 2002-03-28 2004-01-08 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型化学増幅型レジスト組成物
JP2004170611A (ja) * 2002-11-19 2004-06-17 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造方法及び電子部品
JP2005181976A (ja) * 2003-11-25 2005-07-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 化学増幅型ポジ型感光性熱硬化性樹脂組成物、硬化物の形成方法、及び機能素子の製造方法

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010019966A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Jsr Corp ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2015129961A (ja) * 2009-12-15 2015-07-16 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ フォトレジストおよびその使用方法
JP2012128011A (ja) * 2010-12-13 2012-07-05 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置、及び、液晶表示装置
JP2012155288A (ja) * 2011-01-28 2012-08-16 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置
JP2012230134A (ja) * 2011-04-22 2012-11-22 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法
JP2013015694A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物、パターン並びにその製造方法
KR101919481B1 (ko) 2011-09-01 2018-11-16 제이에스알 가부시끼가이샤 어레이 기판, 액정 표시 소자 및 어레이 기판의 제조 방법
CN102967970B (zh) * 2011-09-01 2016-05-25 Jsr株式会社 阵列基板、液晶显示元件及阵列基板的制造方法
CN102967970A (zh) * 2011-09-01 2013-03-13 Jsr株式会社 阵列基板、液晶显示元件及阵列基板的制造方法
JP2013109012A (ja) * 2011-11-17 2013-06-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
US9063421B2 (en) 2011-11-17 2015-06-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition and pattern forming process
KR20190064663A (ko) 2011-12-28 2019-06-10 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 중합체, 화합물 및 화합물의 제조 방법
KR20140109856A (ko) 2011-12-28 2014-09-16 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 중합체, 화합물 및 화합물의 제조 방법
US9465291B2 (en) 2011-12-28 2016-10-11 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition, polymer, compound, and method for producing compound
WO2014050324A1 (ja) * 2012-09-28 2014-04-03 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、これを用いたパターンの製造方法
JPWO2014050324A1 (ja) * 2012-09-28 2016-08-22 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、これを用いたパターンの製造方法
CN104662476A (zh) * 2012-09-28 2015-05-27 富士胶片株式会社 感光性树脂组合物、使用其的图案的制造方法
CN104662476B (zh) * 2012-09-28 2019-04-23 富士胶片株式会社 感光性树脂组合物、图案的制造方法、硬化膜、有机el显示装置及液晶显示装置的制造方法
JP2013054376A (ja) * 2012-11-01 2013-03-21 Jsr Corp ポジ型感放射線性樹脂組成物
KR20150097769A (ko) 2012-12-21 2015-08-26 군에이 가가쿠 고교 가부시끼가이샤 경화성 수지 및 그의 제조 방법, 및 경화물
US9481751B2 (en) 2012-12-21 2016-11-01 Gunei Chemical Industry Co., Ltd. Curable resin, method of producing the same, and cured product
KR20140103839A (ko) 2013-02-19 2014-08-27 제이에스알 가부시끼가이샤 네거티브형 감방사선성 수지 조성물, 경화막, 경화막의 형성 방법 및 표시 소자
JP2015031795A (ja) * 2013-08-01 2015-02-16 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
WO2015015974A1 (ja) * 2013-08-01 2015-02-05 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
KR101811254B1 (ko) 2013-08-01 2017-12-21 후지필름 가부시키가이샤 패턴 형성 방법, 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 레지스트막, 그리고 이들을 이용한 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스
US10444627B2 (en) 2013-08-01 2019-10-15 Fujifilm Corporation Pattern formation method, active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, production method for electronic device using same, and electronic device
KR20150016087A (ko) 2013-08-02 2015-02-11 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 경화막, 그의 형성 방법 및 표시 소자
KR20150027700A (ko) 2013-09-04 2015-03-12 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 중합체 조성물, 경화막, 그의 형성 방법 및, 전자 디바이스
JPWO2015064556A1 (ja) * 2013-10-28 2017-03-09 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、パターンの製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置の製造方法、および液晶表示装置の製造方法
JPWO2015064555A1 (ja) * 2013-10-28 2017-03-09 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、パターンの製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置の製造方法、および液晶表示装置の製造方法
WO2015064555A1 (ja) * 2013-10-28 2015-05-07 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、パターンの製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置の製造方法、および液晶表示装置の製造方法
WO2015064556A1 (ja) * 2013-10-28 2015-05-07 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、パターンの製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置の製造方法、および液晶表示装置の製造方法
KR20160016566A (ko) 2014-07-31 2016-02-15 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 경화막 및 그의 형성 방법, 그리고 표시 소자

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