KR20100014533A - 포지티브 감광성 수지 조성물 및 이것을 사용한 경화막 형성방법 - Google Patents

포지티브 감광성 수지 조성물 및 이것을 사용한 경화막 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100014533A
KR20100014533A KR1020097019811A KR20097019811A KR20100014533A KR 20100014533 A KR20100014533 A KR 20100014533A KR 1020097019811 A KR1020097019811 A KR 1020097019811A KR 20097019811 A KR20097019811 A KR 20097019811A KR 20100014533 A KR20100014533 A KR 20100014533A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
substituted
branched alkyl
resin composition
alkyl group
Prior art date
Application number
KR1020097019811A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101435473B1 (ko
Inventor
사토시 타키타
Original Assignee
후지필름 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지필름 가부시키가이샤 filed Critical 후지필름 가부시키가이샤
Publication of KR20100014533A publication Critical patent/KR20100014533A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101435473B1 publication Critical patent/KR101435473B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0751—Silicon-containing compounds used as adhesion-promoting additives or as means to improve adhesion

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 (A) 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성이고, 산해리성기가 해리될 때 알칼리 가용성이 되는 본 명세서에 기재되어 있는 특정 아세탈 구조를 갖는 산해리성기를 함유하는 수지; (B) 활성 광선 또는 방사선에 의한 조사시 산을 발생할 수 있는 화합물; (C) 가교제; 및 (D) 밀착 보조제를 포함하는 포지티브 감광성 수지 조성물 및 이것을 사용한 경화막 형성방법을 제공한다.
포지티브 감광성 수지 조성물, 경화막

Description

포지티브 감광성 수지 조성물 및 이것을 사용한 경화막 형성방법{POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND CURED FILM FORMING METHOD USING THE SAME}
본 발명은 포지티브 감광성 수지 조성물 및 이것을 사용한 경화막 형성방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 본 발명은 액정 디스플레이 소자, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 및 유기 EL 소자 등의 전자 부품의 평탄화막, 보호막 또는 층간 절연막의 형성에 적합한 포지티브 감광성 수지 조성물 및 이것을 사용한 경화막 형성방법에 관한 것이다.
종래, 액정 디스플레이 소자, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 및 유기 EL 등의 전자 부품에 있어서, 일반적으로 전자 부품의 표면에 평탄성을 부여하기 위한 평탄화막, 전자 부품의 열화 또는 손상을 억제하기 위한 보호막 또는 절연성을 유지하기 위한 층간 절연막을 형성할 시에 감광성 수지 조성물이 사용된다. 예컨대, TFT형 액정 디스플레이 소자의 제조에 있어서, 유리 기판상에 편광판을 설치하고, ITO 및 박막 트랜지스터(TFT) 등의 투명 도전성 회로층을 형성하고, 층간 절연막을 코팅하여 이면판이 제조되고, 유리 기판 상에 편광판을 설치하고, 필요에 따라서, 블랙 매트릭스층 및 컬러 필터층의 패턴을 형성하고, 투명 도전성 회로층 및 층간 절연막을 순차적으로 더 형성하여 상면판이 제조되고, 스페이서를 통하여 서로 대향하도록 상기 이면판 및 상면판을 배치한 후, 두개의 판 사이에 액정이 봉입된다. 여기서, 층간 절연막의 형성시에 사용되는 감광성 수지 조성물은 감도, 잔막률, 해상성, 내열성, 밀착성 및 투명성이 우수할 필요가 있다. 또한, 보존 동안의 우수한 경시 안정성이 상기 감광성 수지 조성물에 더 요구된다.
상기 감광성 수지 조성물에 대하여, 예컨대, JP-A-5-165214에는 (A) (a) 불포화 카르복실산 또는 불포화 카르복실산 무수물, (b) 에폭시기 함유 라디칼 중합성 화합물 및 (c) 다른 라디칼 중합성 화합물의 폴리머인 알칼리 수용액에 가용인 수지 및 (B) 감방사선성 산발생 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물이 제안되어 있고, JP-A-10-153854에는 알칼리 가용성 아크릴계 폴리버 바인더, 퀴논디아지드기 함유 화합물, 가교제 및 광산 발생제를 포함하는 감광성 수지 조성물이 제안되어 있다. 그러나, 이들 모두 감도, 미노광 영역 잔막률, 해상성 및 경시 안정성이 불충분하여 고화질 액정 디스플레이 소자를 제조하는데 만족스럽지 않는다. JP-A-2004-4669에는 가교제, 산발생제 및 산의 작용하에 개열될 수 있는 보호기를 갖는 수지를 포함하는 포지티브 화학 증폭형 레지스트 조성물이 제안되어 있고, 여기서, 상기 수지 자체는 알칼리 수용액 중에서 불용 또는 난용이지만, 상기 보호기의 개열 후에 알칼리 수용액에서 가용이 된다. 그러나, 이것은 밀착성이 불충분하여 고품질 액정 디스플레이 소자를 제조하는데 만족스럽지 않다. JP-A-2004-264623에서는 에폭시기 뿐만 아니라 아세탈 구조 및 또는 케탈 구조를 함유하는 수지 및 산발생제를 포함하는 감방사선성 수지 조성물이 제안되어 있지만, 감도가 낮아 만족할 수 없다.
본 발명의 목적은 감도, 해상성, 잔막률 및 보존 안정성이 우수한 포지티브 감광성 수지 조성물 및 이것을 사용한 경화막 형성방법으로서, 상기 조성물이 경화될 때, 내열성, 밀착성, 투과율 등이 우수한 경화막이 얻어지는 포지티브 감광성 수지 조성물 및 이것을 사용한 경화막 형성방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 상기 문제를 해결하기 위하여 예의 검토하였고 본 발명에 도달하였다.
본 발명은 하기와 같다.
(1) (A) 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성이고, 산해리성기가 해리될 때 알칼리 가용성이 되는 일반식(1)로 나타내어지는 산해리성기를 갖는 수지;
(B) 파장 300nm 이상의 활성 광선에 의한 조사시 산을 발생할 수 있는 화합물;
(C) 가교제; 및
(D) 밀착 보조제를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 수지 조성물.
Figure 112009058171038-PCT00001
[여기서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기 또는 치환되어도 좋은 시클로알킬기를 나타내고, 단 R1 및 R2가 모두 수소 원자인 경우는 제외하고;
R3은 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 치환되어도 좋은 시클로알킬기 또는 치환되어도 좋은 아랄킬기를 나타내며;
R1과 R3은 결합하여 환상 에테르를 형성하여도 좋다.]
(2) 상기 (1)에 있어서, 상기 성분(A)는 일반식(2)로 나타내어지는 구성 단위 및 일반식(3)으로 나타내어지는 구성 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 수지 조성물.
Figure 112009058171038-PCT00002
[여기서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기 또는 치환되어도 좋은 시클로알킬기를 나타내고, 단 R1 및 R2가 모두 수소 원자인 경우는 제외하고;
R3은 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 치환되어도 좋은 시클로알킬기 또는 치환되어도 좋은 아랄킬기를 나타내고;
R1과 R3은 결합하여 환상 에테르를 형성하여도 좋고;
R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.]
Figure 112009058171038-PCT00003
[여기서, R5는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.]
(3) 상기 (1) 또는 (2)에 있어서, 상기 성분(B)로서 일반식(4)로 나타내어는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 수지 조성물.
Figure 112009058171038-PCT00004
[여기서, R6은 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 치환되어도 좋은 시클로알킬기 또는 치환되어도 좋은 아릴기를 나타내고;
X는 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 치환되어도 좋은 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내고;
m은 0~3의 정수를 나타내고, m이 2 또는 3을 나타내는 경우, 복수의 X는 같거나 달라도 좋다.]
(4) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 있어서, 상기 성분(C)로서 일반식(5)로 나타내어지는 구조를 적어도 2개 갖는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 수지 조성물.
Figure 112009058171038-PCT00005
[여기서, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소 원자, 직쇄상 또는 분기상 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고;
R9는 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기 또는 아실기를 나타낸다.]
(5) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 있어서, 상기 성분(C)로서 일반식(6)으로 나타내어지는 화합물, 일반식(7)로 나타내어지는 화합물 및 일반식(8)로 나타내어지는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 수지 조성물.
Figure 112009058171038-PCT00006
[여기서, R10은 각각 독립적으로 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 시클로알킬기 또는 아실기를 나타낸다.]
Figure 112009058171038-PCT00007
[여기서, R11 및 R12는 각각 독립적으로 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 시클로알킬기 또는 아실기를 나타낸다.]
Figure 112009058171038-PCT00008
[여기서, R13은 각각 독립적으로 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 시클로알킬기 또는 아실기를 나타낸다.]
(6) 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 포지티브 감광성 수지 조성물을 코팅 및 건조하여 막코팅을 형성하는 단계;
파장 300nm이상의 활성 광선을 사용하여 마스크를 통해 상기 막코팅을 노광하는 단계;
알칼리 현상액을 사용하여 상기 막코팅을 현상해서 패턴을 형성하는 단계; 및
얻어진 패턴을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막 형성방법.
(7) 상기 (6)에 있어서, 상기 알칼리 현상액을 사용하여 상기 막코팅을 현상해서 패턴을 형성한 후 얻어진 패턴을 열처리하기 전에 전면 노광을 행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 경화학 형성방법.
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태가 더 기재된다.
(8) 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 있어서, 상기 성분(C)를 상기 성분(A)의 100질량부당 2~100질량부의 양으로 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 수지 조성물.
(9) 상기 (1) 내지 (5), 또는 (8) 중 어느 하나에 있어서, 상기 성분(D)를 상기 성분(A)의 100질량부당 0.1~20질량부의 양으로 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 수지 조성물.
이하, 본 발명이 상세히 설명된다.
또한, 본 발명에 있어서, 기(원자단)가 치환 또는 미치환인지의 표시가 없는 경우, 상기 기는 치환기를 갖지 않는 기와 치환기를 갖는 기 모두를 포함한다. 예컨대, "알킬기"는 치환기를 갖지 않는 알킬기(미치환 알킬기)뿐만 아니라 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함한다.
(A) 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성이고 산해리성기가 해리될 때 알칼리 가용성이 되는 일반식(1)로 나타내어지는 산해리성기를 갖는 수지
본 발명의 포지티브 감광성 수지 조성물은 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성이고, 산해리성기가 해리될 때 알칼리 가용성이 되는 하기 일반식(1)로 나타내어지는 산해리성기를 갖는 수지(이하, "성분(A)"라고도 함)를 함유한다.
Figure 112009058171038-PCT00009
일반식(1)에 있어서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기 또는 치환되어도 좋은 시클로알킬기를 나타내고, 단 R1 및 R2가 모두 수소 원자인 경우는 제외된다.
R3은 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 치환되어 좋은 시클로알킬기 또는 치환되어도 좋은 아랄킬기를 나타낸다.
R1과 R3는 결합하여 환상 에테르를 형성해도 좋다.
일반식(1)에 있어서, R1 및 R2의 직쇄상 또는 분기상 알킬기는 탄소수가 1~6개인 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다. 치환기로서, 탄소수가 1~6개인 알콕시기 또는 할로겐 원자가 바람직하다.
R1 및 R2의 시클로알킬기는 탄소수가 3~6개인 시클로알킬기가 바람직하다. 치환기로서, 탄소수가 1~6개인 알킬기, 탄소수가 1~6개인 알콕시기 또는 할로겐 원자가 바람직하다.
R3의 직쇄상 또는 분기상 알킬기는 탄소수가 1~10개인 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다. 치환기로서, 탄소수가 1~6개인 알콕시기 및 할로겐 원자가 바람직하다.
R3의 시클로알킬기는 탄소수가 3~10개인 시클로알킬기가 바람직하다. 치환기로서, 탄소수가 1~6개인 알킬기, 탄소수가 1~6개인 알콕시기 또는 할로겐 원자가 바람직하다.
R3의 아랄킬기는 탄소수가 7~10개인 아랄킬기가 바람직하다. 치환기로서, 탄소수가 1~6개인 알킬기, 탄소수가 1~6개인 알콕시기 또는 할로겐 원자가 바람직하다.
R1 및 R3이 결합하여 환상 에테르를 형성하는 경우, R1과 R3는 결합하여 탄소수가 2~5개인 알킬렌쇄를 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 성분(A)는 일반식(1)로 나타내어지는 산해리성기를 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 포지티브 감광성 조성물은 가교제를 함유하므로 화상 노광 후, 고온에서 PEB(후노광 베이킹)이 행해지면, 가교 반응이 일어나 현상이 이루어지는 것을 불가능하게 한다. 한편, 본 발명의 일반식(1)로 나타내어지는 산해리성 기는 산분해 활성 에너지가 낮고, 산의 존재하에서 용이하게 분해되어 PEB가 고온에서 행해질 필요가 없다. 따라서, 상기 산해리성기는 가교반응을 일으킴없이 비교적 낮은 온도에서 PEB를 행하여 분해될 수 있고, 현상에 의해 포지티브 화상이 형성될 수 있다.
일반식(1)으로 나타내어지는 산해리성기를 갖는 구성 단위는 히드록시스티렌 또는 노볼락 등의 페놀성 히드록실기가 에세탈기로 보호된 것을 포함한다. 상기 바람직한 구성 단위는 하기 일반식(2)으로 나타내어지는 산해리성기 함유 구성 단위이고, 그 예로는 1-알콕시알콕시스티렌, 1-(할로알콕시)알콕시스티렌, 1-(아랄킬옥시)알콕시스티렌 및 테트라히드로피라닐옥시스티렌이 포함된다. 이들 중, 1-알콕시알콕시스티렌 및 테트라히드로피라닐옥시스티렌이 바람직하고, 1-알콕시알콕시스티렌이 더욱 바람직하다.
Figure 112009058171038-PCT00010
일반식(2)에 있어서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기 또는 치환되어도 좋은 시클로알킬기를 나타내고, 단 R1 및 R2가 모두 수소 원자인 경우는 제외한다.
R3은 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 치환되어도 좋은 시클로알킬기 또는 치환되어도 좋은 아랄킬기를 나타낸다.
R1과 R3은 결합하여 환상 에테르를 형성하여도 좋다.
R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다,
일반식(2)에서의 R1~R3은 일반식(1)에서의 R1~R3과 동일한 의미를 갖는다.
일반식(2)으로 나타내어지는 구성 단위는 벤젠환상에 알킬기 또는 알콕시기 등의 치환기를 가져도 좋다.
일반식(1)로 나타내어지는 산해리성기를 갖는 구성 단위의 구체예는 p- 또는 m-1-에톡시에톡시스티렌, p- 또는 m-메톡시에톡시스티렌, p- 또는 m-1-n-부톡시에톡시스티렌, p- 또는 m-1-이소부톡시에톡시스티렌, p- 또는 m-1-(1,1-디메틸에톡시)-에톡시스티렌, p- 또는 m-1-(2-클로로에톡시)에톡시스티렌, p- 또는 m-1-(2-에틸헥실옥시)에톡시스티렌, p- 또는 m-1-n-프로폭시에톡시스티렌, p- 또는 m-1-시클로헥실옥시에톡시스티렌, p- 또는 m-1-(2-시클로헥실에톡시)에톡시스티렌 및 p- 또는 m-1-벤질옥시에톡시스티렌이 포함되고, 이들은 독립적으로 또는 그들의 2종 이상의 조합으로 사용해도 좋다.
일반식(1)로 나타내어지는 산해리성기를 갖는 구성 단위의 공중합 조성은 전체 성분에 대하여 10~90몰%가 바람직하고, 20~50몰%가 더욱 바람직하다.
상기 성분(A)는 하기 일반식(3)으로 나타내어지는 구성 단위를 갖는 것이 바 람직하다:
Figure 112009058171038-PCT00011
일반식(3)에 있어서, R5는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.
일반식(3)으로 나타내어지는 구성 단위는 벤젠환 상에 알킬기 또는 알콕시기 등의 치환기를 가져도 좋다.
일반식(3)으로 나타내어지는 구성 단위의 예로는 히드록시스티렌 및 α-메틸히드록시스티렌이 포함되고, 히드록시스티렌이 바람직하다.
일반식(3)으로 나타내어지는 구성 단위의 공중합 조성은 전체 성분에 대하여 30~90몰%가 바람직하고, 50~80몰%가 보다 바람직하다.
상기 성분(A)에 있어서, 필요에 따라서, 일반식(2)로 나타내어지는 구성 단위 이외의 구성 단위 및 일반식(3)으로 나타내어지는 구성 단위가 공중합되어도 좋다. 일반식(2)으로 나타내어지는 구성 단위 이외의 구성 단위 및 일반식(3)으로 나타내어지는 구성 단위의 예로는 스티렌, tert-부톡시 스티렌, 메틸스티렌, α-메틸스티렌, 아세톡시스티렌, α-메틸아세톡시스티렌, 메톡시스티렌, 에톡시스티렌, 클로로스티렌, 메틸비닐벤조에이트, 에틸비닐벤조에이트, 메틸아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-프로필아크릴레이트, n- 프로필메타크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 이소프로필메타크릴레이트, tert-부틸아크릴레이트, tert-부틸메타크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 이소보르닐메타크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트 및 아크릴로니트릴에 의한 구성 단위가 포함되고, 이들은 단독으로 또는 그들의 2종 이상의 조합으로 사용되어도 좋다.
이러한 구성 단위의 공중합 조성은 전체 성분에 대하여 40몰%이하가 바람직하고, 20몰%이하가 더욱 바람직하다.
상기 성분(A)의 분자량은 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량에 대하여 1,000~200,000이 바람직하고, 2,000~50,000이 더욱 바람직하다.
상기 성분(A)로서, 다른 구성 단위를 함유하는 2종 이상의 수지가 혼합되어 사용되어도 좋고, 또한, 동일한 구성 단위와 조성이 다른 것을 포함하는 2종 이상의 수지가 혼합되어 사용되어도 좋다.
상기 성분(A)는 각종 방법으로 합성되어도 좋지만, 예컨대, 산성 촉매의 존재하에서 비닐에테르와 페놀성 히드록실기 함유 수지를 반응시켜 합성되어도 좋다.
(B) 파장 300nm이상의 활성 광선에 의한 조사시 산을 발생할 수 있는 화합물
본 발명에서 사용되는 파장 300nm이상의 활성 광선에 의한 조사시 산을 발생할 수 있는 화합물("성분(B)라고도 함")은 상기 화합물이 파장 300nm이상의 활성 광선으로 감광하여 산을 발생하는 한, 그것의 구조에 제한은 없다. 상기 산발생제 로서, pKa 3이하의 산을 발생하는 화합물이 바람직하고, 술폰산을 발생하는 화합물의 더욱 바람직하다. 그것의 예로는 술포늄염, 요오드늄염, 디아조메탄 화합물, 이미도술포네이트 화합물, 옥심술포네이트 화합물 및 퀴논디아지드 화합물이 포함되고, 이들은 단독으로 또는 이들의 2종 이상의 조합으로 사용되어도 좋다.
상기 성분(B) 중 옥심술포네이트 화합물이 바람직하고, 하기 일반식(4)로 나타내어지는 화합물이 더욱 바람직하다.
Figure 112009058171038-PCT00012
일반식(4)에 있어서, R6은 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 치환되어도 좋은 시클로알킬기 또는 치환되어도 좋은 아릴기를 나타낸다.
X는 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 치환되어도 좋은 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.
m은 0~3의 정수를 나타낸다. m이 2 또는 3인 경우, 복수의 X는 같거나 달라도 좋다.
일반식(4)에 있어서, R6의 알킬기는 탄소수가 1~10개인 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다. R6의 알킬기는 알콕시기(바람직하게는 탄소수가 1~10개) 또는 지환식기(7,7-디메틸-2-옥소노르보닐기 등의 가교성 지환식기를 포함; 바람직하게는 비시클로알킬기)로 치환되어도 좋다.
R6의 시클로알킬기는 탄소수가 3~10개인 시클로알킬기가 바람직하다.
R6의 아릴기는 탄소수가 6~11개인 아릴기가 바람직하고, 페닐기 또는 나프틸기가 더욱 바람직하다. R6의 아릴기는 알킬기(바람직하게는 탄소수가 1~5개), 알콕시기(바람직하게는 탄소수가 1~5개), 할로겐 원자로 치환되어도 좋다.
X의 알킬기는 탄소수가 1~4개인 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.
X의 알콕시기는 탄소수가 1~4개인 직쇄상 또는 분기상 알콕시기가 바람직하다.
X의 할로겐 원자는 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.
m은 0 또는 1이 바람직하다.
특히, 일반식(3)에 있어서, m이 1이고, x는 메틸기이고, X의 치환 위치는 오르토 위치인 화합물이 바람직하다.
일반식(4)로 나타내어지는 화합물은 하기 일반식(4a)로 나타내어지는 화합물이 더욱 바람직하다.
Figure 112009058171038-PCT00013
일반식(4a)에 있어서, R6은 일반식(4)의 R6과 동일한 의미를 갖는다.
상기 옥심술포네이트 화합물의 구체예는 이하에 나타내어지는 화합물(10), 화합물(11), 화합물(12) 및 화합물(13)이 열거되고, 이들은 단독으로 또는 이들의 2종 이상의 조합으로 사용되어도 좋다. 상기 성분(B)의 다른 종류가 조합으로 사용되어도 좋다.
Figure 112009058171038-PCT00014
화합물(10), 화합물(11), 화합물(12) 및 화합물(13)은 시판품으로서 입수가능하다.
(C) 가교제
가교제("성분(C)"라고도 함)의 예로는 하기 일반식(5)로 나타내어지는 구조를 적어도 2개 갖는 화합물이 포함된다.
Figure 112009058171038-PCT00015
일반식(5)에 있어서, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소 원자, 직쇄상 또는 분기상 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.
R9는 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기 또는 아실기를 나타낸다.
일반식(5)에 있어서, R7, R8 및 R9의 직쇄상 또는 분기상 알킬기는 탄소수가 1~10개인 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.
R7, R8 및 R9의 시클로알킬기는 탄소수가 3~10개인 시클로알킬기가 바람직하다.
R9의 아랄킬기는 탄소수가 7~10개인 아랄킬기가 바람직하다.
R9의 아실기는 탄소수가 2~10개인 아실기가 바람직하다.
상기 가교제는 알콕시메틸화 우레아 수지 또는 알콕시메틸화 글리콜우릴 수지가 바람직하고, 알콕시메틸화 글리콜우릴 수지가 더욱 바람직하다.
상기 가교제는 하기 일반식(6), (7) 또는 (8)로 나타내어지는 화합물이 더욱 바람직하다.
Figure 112009058171038-PCT00016
일반식(6)에 있어서, R10은 각각 독립적으로 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 시클로알킬기 또는 아실기를 나타낸다.
일반식(6)에 있어서, R10의 직쇄상 또는 분기상 알킬기는 탄소수가 1~6개인 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.
R10의 시클로알킬기는 탄소수가 3~6개인 시클로알킬기가 바람직하다.
R10의 아실기는 탄소수가 2~6개인 아실기가 바람직하다.
Figure 112009058171038-PCT00017
일반식(7)에 있어서, R11 및 R12는 각각 독립적으로 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 시클로알킬기 또는 아실기를 나타낸다.
일반식(7)에 있어서, R11 및 R12의 직쇄상 또는 분기상 알킬기는 탄소수가 1~6개인 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.
R11 및 R12의 시클로알킬기는 탄소수가 3~6개인 시클로알킬기가 바람직하다.
R11 및 R12의 아실기는 탄소수가 2~6개인 아실기가 바람직하다.
Figure 112009058171038-PCT00018
일반식(8)에 있어서, R13은 각각 독립적으로 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 시클로알킬기 또는 아실기를 나타낸다.
일반식(8)에 있어서, R13의 직쇄상 또는 분기상 알킬기는 탄소수가 1~6개인 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.
R13의 시클로알킬기는 탄소수가 3~6개인 시클로알킬기가 바람직하다.
R13의 아실기는 탄소수가 2~6개인 아실기가 바람직하다.
상기 성분(C)는 시판품으로서 입수가능하다.
(D) 밀착 보조제
본 발명에 사용되는 밀착 보조제(D)는 기판을 이루는 무기물, 예컨대, 규소, 이산화 규소 및 질화 규소 등의 규소 화합물 또는 금, 동 및 알루미늄 등의 금속과 절연막간의 밀착성을 향상시키기 위한 화합물이다. 그 구체예로는 실란 커플링제 및 티올계 화합물이 포함된다.
본 발명에 사용되는 밀착 보조제로서의 실란 커플링제는 계면을 개질하기 위 해 사용되고, 특별히 제한은 없으며 공지의 실란 커플링제가 사용될 수 있다.
상기 실란 커플링제의 바람직한 예로는 γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란 및 비닐트리알콕시실란이 포함된다.
이들 중, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란 및 γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란이 더욱 바람직하고, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이 가장 바람직하다.
상기 실란 커플링제는 단독으로 또는 이들의 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 상기 실란 커플링제는 기판에 대한 밀착성을 향상시키기 위해서 뿐만 아니라 기판과의 테이퍼각을 조절하기 위해서도 유효하다.
본 발명의 포지티브 감광성 수지 조성물의 상기 성분(A), 성분(B), 성분(C) 및 성분(D)의 혼합비로서, 상기 성분(A) 100질량부당, 상기 성분(B)는 0.01~10질량부가 바람직하고, 0.05~2질량부가 더욱 바람직하고, 상기 성분(C)는 2~100질량부가 바람직하고, 10~30질량부가 더욱 바람직하고, 상기 성분(D)는 0.1~20질량부가 바람직하고, 0.5~10질량부가 더욱 바람직하다(본 명세서에 있어서, 질량비는 중량비와 동일하다).
기타 성분:
본 발명의 포지티브 감광성 수지 조성물에 있어서, 상기 성분(A), 성분(B), 성분(C) 및 성분(D) 이외에, 필요에 따라서 예컨대, 염기성 화합물, 계면활성제, 자외선 흡수제, 증감제, 가소제, 증점제, 유기 용제, 밀착 촉진제 및 유기 또는 무기 침전 방지제가 첨기되어도 좋다.
염기성 화합물:
사용되는 염기성 화합물은 화학 증폭형 레지스트에 사용되는 것으로부터 임의로 선택될 수 있다. 그 예로는 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 4급 암모늄 히드록시드 및 4급 암모늄 카르복실레이트가 포함된다.
상기 지방족 아민의 예로는 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디시클로헥실아민 및 디시클로헥실메틸아민이 포함된다.
상기 방향족 아민의 예로는 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린 및 디페닐아민이 포함된다.
상기 복소환 아민의 예로는 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, 1,5-디아자비시클로[4,3,0]-5-노넨 및 1,8-디아자비시클로[5,3,0]-7-운데센이 포함된다.
상기 4급 암모늄히드록시드의 예로는 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에 틸암모늄히드록시드, 테트라-n-부틸암모늄히드록시드 및 테트라-n-헥실암모늄히드록시드가 포함된다.
상기 4급 암모늄카르복실레이트의 예로는 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트 및 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트가 포함된다.
상기 염기성 화합물의 혼합량은 상기 성분(A)의 100질량부 당, 0.001~1질량부가 바람직하고, 0.005~0.2질량부가 더욱 바람직하다.
계면활성제:
상기 계면활성제로서, 음이온성, 양이온성, 비이온성 및 양쪽성 계면활성제 중 어느 하나가 사용되어도 좋지만, 바람직한 계면활성제는 비이온성 계면활성제이다. 사용할 수 있는 비이온성 계면활성제의 예로는 폴리옥시에틸렌 고급 알킬에테르, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸렌글리콜의 고급 지방산 디에스테르, 실리콘 함유 또는 불소 함유 계면활성제 및 KP(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제작), Polyflow(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.제작), EFtop(JEMCO 제작), Megafac(Dainippon Ink and Chemicals, Inc.제작), Florad(Sumitomo 3M, Inc. 제작), Asahi Guard 및 Surflon(Asahi Glass Co., Ltd. 제작) 등의 상품명 하의 시리즈가 포함된다.
사용되는 계면활성제는 독립적으로 또는 이들의 2종 이상의 혼합물로서 사용되어도 좋다.
상기 계면활성제의 혼합량은 상기 성분(A)의 100질량부 당 10질량부이하가 일반적이고, 0.01~10질량부가 바람직하며 0.05~2질량부가 더욱 바람직하다.
가소제:
상기 가소제의 예로는 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 디도데실프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린, 디메틸글리세린프탈레이트, 디부틸타르트레이트, 디옥틸아디페이트 및 트리아세틸글리세린이 포함된다.
상기 가소제의 혼합량은 상기 성분(A)의 100질량부 당, 0.1~30질량부가 바람직하고, 1~10질량부가 더욱 바람직하다.
용제:
본 발명의 포지티브 감광성 조성물은 용제에 용해되어 용액으로서 사용된다. 본 발명의 포지티브 감광성 조성물에 사용되는 용제의 예로는 이하의 것이 포함된다.
(a) 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르 및 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류;
(b) 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르 및 에틸렌글리콜디프로필에테르 등의 에틸렌글리콜디알킬에테르류;
(c) 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트 및 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류;
(d) 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필 렌글리콜모노프로필에테르 및 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류;
(e) 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르 및 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 프로필렌글리콜디알킬에테르류;
(f) 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트 및 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류;
(g) 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르아세테이트 및 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디에틸렌글리콜디알킬에테르류;
(h) 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트 및 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류;
(i) 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르 및 디프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류;
(j) 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르 및 디프로필렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디프로필렌글리콜디알킬에테르류;
(k) 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트 및 디프로필렌글 리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류;
(l) 메틸락테이트, 에틸락테이트, n-프로필락테이트, 이소프로필락테이트, n-부틸락테이트, 이소부틸락테이트, n-아밀락테이트 및 이소아밀락테이트 등의 락트산 에스테르류;
(m) n-부틸아세테이트, 이소부틸아세테이트, n-아밀아세테이트, 이소아밀아세테이트, n-헥실아세테이트, 2-에틸헥실아세테이트, 에틸프로피오네이트, n-프로필프로피오네이트, 이소프로필프로피오네이트, n-부틸프로피오네이트, 이소부틸프로피오네이트, 메틸부티레이트, 에틸부티레이트, n-프로필부티레이트, 이소프로필부티레이트, n-부틸부티레이트 및 이소부틸부티레이트 등의 지방족 카르복실산 에스테르류;
(n) 에틸히드록시아세테이트, 에틸2-히드록시-2-메틸프로피오네이트, 에틸2-히드록시-3-메틸부티레이트, 에틸메톡시아세테이트, 에틸에톡시아세테이트, 메틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-메톡시프로피오네이트, 메틸-3-에톡시프로피오네이트, 에틸3-에톡시프로피오네이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 3-메틸-3-메톡시부틸부티레이트, 메틸아세토아세테이트, 에틸에세토아세테이트, 메틸피루베이트 및 에틸피루베이트 등의 기타 에스테르류;
(o) 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸n-부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논 및 시클로헥사논 등의 케톤류;
(p) N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디 메틸아세트아미드 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; 및
(q) γ-부티로락톤 등의 락톤류.
또한, 상기 용제에 필요에 따라서, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 이소포론, 카프론산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노날, 벤질알콜, 아니솔, 벤질아세테이트, 에틸벤조에이트, 디에틸옥살레이트, 디에틸말레에이트, 에틸렌카보네이트 및 프로필렌카보네이트 등의 용제가 더 첨가되어도 좋다.
하나의 용제가 단독으로 사용되어도 좋고, 2종 이상이 혼합되어 사용되어도 좋다.
상기 용제의 배합량은 상기 성분(A)의 100질량부 당, 50~3,000질량부가 일반적이고, 100~2,000질량부가 바람직하며, 150~1,000질량부가 더욱 바람직하다.
상기 성분(A), 성분(B), 성분(C) 및 성분(D)를 함유하는 포지티브 감광성 수지 조성물을 사용하여 감도, 잔막률, 해상성 및 경시 안정성이 우수한 포지티브 감광성 수지 조성물로서, 경화시에 절연성, 평탄성, 내열성, 밀착성, 투명성 등이 우수한 경화막이 얻어지는 것이 확보되는 포지티브 감광성 수지 조성물이 제공될 수 있다.
이하, 본 발명의 포지티브 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막 형성방법이 기재된다.
본 발명의 포지티브 감광성 수지 조성물은 기판 상에 코팅되어 가열되어 상기 기판 상에 막코팅이 형성된다. 얻어진 막코팅이 파장 300nm이상의 활성 광선으 로 조사될 때, 상기 성분(B)가 분해되어 산이 발생된다. 상기 발생된 산의 촉매 활성에 의해서, 가수 분해 반응에 의해서 상기 성분(A)에 함유된 일반식(1)로 나타내어지는 산해리성기가 해리되어 페놀성 히드록실기가 생성된다. 상기 가수분해 반응의 반응식이 이하에 나타내어진다.
Figure 112009058171038-PCT00019
상기 가수 분해 반응을 촉진시키기 위해서, 필요에 따라서 후노광 베이킹이 행해질 수 있다.
상기 페놀성 히드록실기는 알칼리 현상액에서 용이하게 용해되므로 현상에 의해 제거되어 포지티브 화상이 얻어진다.
상기 얻어진 포지티브 화상은 고온에서 가열되어 상기 성분(A)와 상기 가교제(성분(C))를 가교시켜 경화막이 형성될 수 있다. 고온에서의 가열은 일반적으로 150℃이상에서 행해지고, 바람직하게는 180℃이상, 더욱 바람직하게는 200~250℃이다.
활성 광선으로 전면을 조사하는 단계가 고온 가열 단계전에 가해지면, 활성 광선에 의한 조사시 발생된 산에 의해 상기 가교 반응이 촉진될 수 있다.
이하, 본 발명의 포지티브 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막 형성방법이 구체적으로 기재된다.
조성물 용액의 제조방법:
배합되는 성분(A), 성분(B), 성분(C), 성분(D) 및 기타 성분이 임의의 방법으로 소정비로 혼합되고, 교반에 의해서 용해되어 조성물 용액을 제조한다. 예컨대, 상기 조성물 용액은 용제에 각각의 성분을 미리 용해시켜 용액을 제조하고, 소정비로 이들 용액을 혼합하여 제조될 수도 있다. 이와 같이 제조된 조성물 용액은 세공 0.2㎛의 필터 등을 사용하여 여과된 후 사용되어도 좋다.
막코팅의 형성방법:
상기 조성물 용액은 소정 기판상에 코팅되고 상기 용제는 가열에 의해 제거되어(이하, "프리베이킹"이라고 함) 소망의 막코팅이 형성될 수 있다. 상기 기판의 예로는 액정 디스플레이 소자의 제조에 있어서, 예컨대, 블랙 매트릭스층 및 컬러 필터층이 더 형성되고, 또한, 필요에 따라서 투명 도전성 회로층이 더 형성된 편광판을 구비한 유리 기판이 포함된다. 상기 기판 상의 코팅 방법은 특별히 한정되지 않지만, 스프레이법, 롤 코팅법 및 로터리 코팅법 등의 방법이 사용될 수 있다. 또한, 프리베이킹시의 가열 조건은 각각의 성분의 종류 및 혼합비에 따라서 달라지지만, 대략 30~120초 동안 80~130℃이다.
패턴형성방법:
막코팅이 형성된 기판이 소정 패턴을 갖는 마스크를 통하여 활성 광선에 의해 조사되고, 필요에 따라서 열처리(PEB)가 행해진 후, 현상액을 사용하여 노광 영역이 제거되어 화상 패턴이 형성된다.
활성 광선의 조사에는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 화학 램프, 엑시머 레이저 발생기 등이 사용되어도 좋지만, g선, i선 및 h선 등의 파장 300nm이상의 활성 광선이 바람직하다. 또한, 필요에 따라서, 장파장 커트 필터, 단파장 커트 필터 및 밴드 패스 필터 등의 분광 필터를 통하여 상기 조사광이 조정될 수 있다.
상기 현상액으로서, 예컨대, 수산화리튬, 수산화나트륨 및 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산나트륨 및 탄산칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산나트륨 및 중탄산칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드 및 콜린히드록시드 등의 암모늄히드록시드류; 규산나트륨 또는 메타규산나트륨의 수용액이 사용될 수 있다. 또한, 상기 알칼리 수용액에 메탄올 또는 에탄올 등의 수용성 유기 용제 및 계면활성제를 적당량 첨가하여 얻어진 수용액이 사용되어도 좋다.
현상 시간은 30~180초가 일반적이고, 현상 방법은 패들, 딥 등 중 어느 하나의 방법이어도 좋다. 상기 현상 후, 흐르는 물로의 세정이 30~90초 행해져 소망의 패턴이 형성될 수 있다.
가교 단계:
패턴이 형성된 기판이 활성 광선으로 조사되어 미노광 영역에 존재하는 성분(B)으로부터 산을 발생한다. 이어서, 소정 온도, 예컨대, 180~250℃에서 소정 시간, 예컨대, 핫플레이트 상에서는 5~30분 또는 오븐에서는 30~90분 동안 핫플레이트 또는 오븐 등의 가열 장치를 사용하여 열처리가 행해져 상기 성분(C)에 의해 상 기 성분(A)의 가교가 이루어짐으로써 내열성, 경도 등이 우수한 보호막 또는 층간 절연막이 형성될 수 있다.
이 단계에 있어서, 또한, 활성 광선 또는 방사선을 조사하지 않고 열처리를 행하여 경화막이 형성될 수 있다. 또한, 질소 분위기에서 열처리를 행하여 투명성이 향상될 수 있다.
(실시예)
이하, 본 발명이 실시예를 참고로 더욱 상세히 설명되지만, 본 발명이 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
실시예 1~9 및 비교예 1~4:
(1) 포지티브 감광성 수지의 제조
조성물 용액
이하의 표 1에 나타내어지는 성분이 혼합되어 균일한 용액을 얻고, 얻어진 용액은 0.2㎛의 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 통하여 여과되어 포지티브 감광성 수지 조성물 용액을 제조하였다.
(2) 보존 안정성의 평가
상기 포지티브 감광성 수지 조성물 용액의 23℃에서의 점도가 Toki Sangyo Co., Ltd.제작의 E형 점도계를 사용하여 측정되었다. 또한, 1달 동안 23℃의 일정 온도 배스에서 보존한 후의 상기 조성물의 점도가 측정되었다. 상기 보존 안정성은, 제조 후의 점도에 대해서 1달 동안 실온에서의 보존 후의 점도의 증가가 5%미만이면 "A"로, 5%이상이면 "B"로 평가되었다. 그 결과가 이하의 표 2에 나타내어진 다.
(3) 감도, 해상성 및 현상시의 잔막률의 평가
상기 포지티브 감광성 수지 조성물 용액이 이산화규소 막을 갖는 실리콘 웨이퍼에 로터리 코팅된 후 60초 동안 100℃의 핫플레이트 상에서 프리베이킹되어 2㎛두께의 막코팅을 형성하였다.
이어서, 상기 막코팅이 i선 스텝퍼(FPA-3000i5+, Canon Inc.제작)를 사용하여 소정 마스크를 통하여 노광되었고 60초 동안 50℃에서 베이킹되었다. 이어서, 상기 막코팅이 표 2에 나타내어진 알칼리 현상액(2.38질량% 또는 0.4질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액)으로 60초 동안 23℃에서 현상된 후 1분 동안 초순수로 세정되었다. 이들 조작에 의해 1:1로 0.5㎛ 라인 앤드 스페이스를 해상할 때의 최적 노광량(Eopt)을 감도로 하였다.
상기 최적 노광량에 의한 노광에 의해 해상된 최소 선폭은 해상성으로서 규정되었다.
현상 후의 미노광 영역의 막두께가 측정되었고, 코팅 후의 막두께에 대한 비율(현상 후의 미노광 영역의 막두께 ÷ 코팅 후의 막두께)을 측정하여 현상시의 잔막률이 평가되었다.
감도, 해상성 및 현상시의 잔막률의 평가 결과가 표 2에 나타내어진다.
(4) 내열성, 투과율 및 밀착성의 평가
상기 (3)에 있어서, 이산화규소 막을 갖는 실리콘 웨이퍼 대신에 투명 기판(Corning 1737, Corning Inc. 제작)이 사용되는 것을 제외하고는 상기 (3)과 동 일한 방법으로 막코팅이 형성되었다. 상기 막코팅은 소정 프록시미티 노광 장치(UX-1000SM, Ushio Inc. 제작)를 사용하여 소정 마스크를 밀착시키면서 365nm에서 18mW/cm2의 광감도를 갖는 자외선을 사용하여 노광된 후 표 2에 나타내어지는 알칼리 현상액(2.38질량% 또는 0.4질량% 테트라메틸암모늄 히드록시드 수용액)으로 60초 동안 23℃에서 현상되고 1분 동안 초순수로 세정되었다. 이들 조작에 의해 10㎛ 라인 앤드 스페이스가 1:1이 되는 패턴이 형성되었다. 얻어진 패턴이 100초 동안 전면 노광이 더 행해진 후 1시간 동안 220℃의 오븐에서 가열되어 상기 유리 기판 상에 열경화막을 형성하였다.
내열성의 평가는 열경화 전과 후 사이의 보틈 치수(bottom dimension)의 변화율 (1-열경화 필름의 보틈 치수÷현상 후의 보틈 치수) × 100(%)을 측정하여 행해졌다. 상기 내열성은, 변화율이 5%미만이면 "A", 5%이상이면 "B"로 평가되었다.
얻어진 열경화 필름의 미노광부(마스크를 통한 노광시 미노광 영역에 상응하는 부분)의 투과율이 400~800nm의 파장 영역에서 분광 광도계(U-3000, Hitachi, Ltd. 제작)로 측정되었다. 상기 투과율은, 최소 투과율이 95℃를 초과하면 "A", 90~95%이면 "B", 90%미만이면 "C"로 평가되었다.
상기 경화막의 미노광부(마스크를 통한 노광시에 미노광 영역에 상응하는 부분)가 1mm간격으로 커터에 의해 수직 및 수평으로 절개되어 스크치 테이프(Scotch Tape)를 사용하여 테이프 박리 시험이 행해졌다. 상기 테이프의 이면에 전사된 경화막의 영역으로부터 상기 경화막과 기판간의 밀착성이 평가되었다. 밀착성은, 상 기 면적이 1%미만이면 "A", 1~5%이면 "B", 5%이상이면 "C"로 평가되었다.
내열성, 투과율 및 밀착성의 평가 결과는 표 2에 나타내어진다.
Figure 112009058171038-PCT00020
표 1에 나타내어지는 성분(A), 성분(B), 성분(C), 성분(D), 염기성 화합물 및 용제는 이하와 같다.
성분(A) :
구성 단위의 오른측 상의 수치는 구성 단위의 몰비를 나타낸다.
Figure 112009058171038-PCT00021
Figure 112009058171038-PCT00022
(A-9)의 수지는 JP-A-2004-264623호의 합성예 1에 따라서 합성되었다.
성분(B) :
B-1: CGI-1397(Ciba Specialty Chemicals Corp. 제작)
Figure 112009058171038-PCT00023
B-2: CGI-1325(Ciba Specialty Chemicals Corp. 제작)
Figure 112009058171038-PCT00024
B-3: CGI-1380(Ciba Specialty Chemicals Corp. 제작)
Figure 112009058171038-PCT00025
B-4: CGI-1311(Ciba Specialty Chemicals Corp. 제작)
Figure 112009058171038-PCT00026
B-5: 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄 트리플루오로메탄술포네이트
성분(C) :
C-1: MX-270(Sanwa Chemical Co., Ltd.제작)
Figure 112009058171038-PCT00027
C-2: MX-280(Sanwa Chemical Co., Ltd.제작)
Figure 112009058171038-PCT00028
성분(D):
D-1: γ-글리시독시프로필트리메톡시실란
D-2: β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란
D-3: γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란
염기성 화합물:
E-1: 4-디메틸아미노피리딘
E-2: 1,5-디아자비시클로[4,3,0]-5-노넨
용제:
F-1: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트
F-2: 디에틸렌글리콜디메틸에테르
F-3: 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르
Figure 112009058171038-PCT00029
표 2로부터 명백하듯이, 본 발명의 포지티브 감광성 수지 조성물은 감도, 해상성, 잔막률 및 보존 안정성이 우수하고, 경화시에 내열성, 밀착성, 투과율 등이 우수한 경화막을 형성할 수 있다.
본 발명에 따라서, 감도, 해상성, 잔막률 및 보존 안정성이 우수한 포지티브 감광성 수지 조성물 및 이것을 사용한 경화막 형성방법으로서, 상기 조성물이 경화될 시, 내열성, 밀착성, 투과율 등이 우수한 경화막이 얻어지는 것이 확보되는 포지티브 감광성 수지 조성물 및 이것을 사용한 경화막 형성방법이 제공될 수 있다.
각 모든 특허의 설명과 외국우선권으로부터의 모든 외국 특허 출원은 본 출원에서 참조에 의해 이 문서에 포함하여 청구하였고, 모두 이 명세서 중에 설명되었다.

Claims (9)

  1. (A) 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성이고, 산해리성기가 해리될 때 알칼리 가용성이 되는 일반식(1)로 나타내어지는 산해리성기를 갖는 수지;
    (B) 파장 300nm 이상의 활성 광선에 의한 조사시 산을 발생할 수 있는 화합물;
    (C) 가교제; 및
    (D) 밀착 보조제를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 수지 조성물.
    Figure 112009058171038-PCT00030
    [여기서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기 또는 치환되어도 좋은 시클로알킬기를 나타내고, 단 R1 및 R2가 모두 수소 원자인 경우는 제외하고;
    R3은 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 치환되어도 좋은 시클로알킬기 또는 치환되어도 좋은 아랄킬기를 나타내고;
    R1과 R3은 결합하여 환상 에테르를 형성하여도 좋다.]
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 성분(A)는 일반식(2)로 나타내어지는 구성 단위 및 일반식(3)으로 나타내어지는 구성 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 수지 조성물.
    Figure 112009058171038-PCT00031
    [여기서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기 또는 치환되어도 좋은 시클로알킬기를 나타내고, 단 R1 및 R2가 모두 수소 원자인 경우는 제외하고;
    R3은 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 치환되어도 좋은 시클로알킬기 또는 치환되어도 좋은 아랄킬기를 나타내고;
    R1과 R3은 결합하여 환상 에테르를 형성하여도 좋고;
    R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.]
    Figure 112009058171038-PCT00032
    [여기서, R5는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.]
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 성분(B)로서 일반식(4)로 나타내어는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 수지 조성물.
    Figure 112009058171038-PCT00033
    [여기서, R6은 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 치환되어도 좋은 시클로알킬기 또는 치환되어도 좋은 아릴기를 나타내고;
    X는 치환되어도 좋은 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 치환되어도 좋은 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내고;
    m은 0~3의 정수를 나타내고, m이 2 또는 3을 나타내는 경우, 복수의 X는 같 거나 달라도 좋다.]
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성분(C)로서 일반식(5)로 나타내어지는 구조를 2개 이상 갖는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 수지 조성물.
    Figure 112009058171038-PCT00034
    [여기서, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소 원자, 직쇄상 또는 분기상 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고;
    R9는 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기 또는 아실기를 나타낸다.]
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성분(C)로서 일반식(6)으로 나타내어지는 화합물, 일반식(7)로 나타내어지는 화합물 및 일반식(8)로 나타내어지는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 수지 조성물.
    Figure 112009058171038-PCT00035
    [여기서, R10은 각각 독립적으로 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 시클로알킬기 또는 아실기를 나타낸다.]
    Figure 112009058171038-PCT00036
    [여기서, R11 및 R12는 각각 독립적으로 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 시클로알킬기 또는 아실기를 나타낸다.]
    Figure 112009058171038-PCT00037
    [여기서, R13은 각각 독립적으로 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 시클로알킬기 또는 아실기를 나타낸다.]
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 포지티브 감광성 수지 조성물을 코팅 및 건조하여 막코팅을 형성하는 단계;
    파장 300nm 이상의 활성 광선을 사용하여 마스크를 통해 상기 막코팅을 노광하는 단계;
    알칼리 현상액을 사용하여 상기 막코팅을 현상해서 패턴을 형성하는 단계; 및
    얻어진 패턴을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막 형성방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 알칼리 현상액을 사용하여 상기 막코팅을 현상해서 패턴을 형성한 후 얻어진 패턴을 열처리하기 전에 전면 노광을 행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막 형성방법.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성분(C)를 상기 성분(A)의 100질량부당 2~100질량부의 양으로 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 수지 조성물.
  9. 제 1 항 내지 제 5 항, 또는 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성분(D)를 상기 성분(A)의 100질량부당 0.1~20질량부의 양으로 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 수지 조성물.
KR1020097019811A 2007-03-27 2008-03-27 포지티브 감광성 수지 조성물 및 이것을 사용한 경화막 형성방법 KR101435473B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2007-081505 2007-03-27
JP2007081505 2007-03-27
JPJP-P-2007-124402 2007-05-09
JP2007124402 2007-05-09
PCT/JP2008/056626 WO2008123563A1 (en) 2007-03-27 2008-03-27 Positive photosensitive resin composition and cured film forming method using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100014533A true KR20100014533A (ko) 2010-02-10
KR101435473B1 KR101435473B1 (ko) 2014-08-28

Family

ID=39661408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097019811A KR101435473B1 (ko) 2007-03-27 2008-03-27 포지티브 감광성 수지 조성물 및 이것을 사용한 경화막 형성방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20100119973A1 (ko)
EP (1) EP2130095A1 (ko)
JP (1) JP5075706B2 (ko)
KR (1) KR101435473B1 (ko)
CN (1) CN101663618B (ko)
TW (1) TWI431426B (ko)
WO (1) WO2008123563A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130005232A (ko) * 2011-07-05 2013-01-15 후지필름 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 패턴 그리고 그 제조 방법

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5217707B2 (ja) * 2008-07-09 2013-06-19 Ｊｓｒ株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物
US9665001B2 (en) * 2009-12-15 2017-05-30 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresists and methods for use thereof
JP5524037B2 (ja) * 2010-01-19 2014-06-18 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の形成方法、有機ｅｌ表示装置、及び、液晶表示装置
US8377617B2 (en) * 2010-11-16 2013-02-19 Konica Minolta Business Technologies, Inc. Toner for developing electrostatic image and manufacturing method of toner for developing electrostatic image
JP5492760B2 (ja) * 2010-12-13 2014-05-14 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置、及び、液晶表示装置
JP5642578B2 (ja) * 2011-01-28 2014-12-17 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置
JP5772181B2 (ja) * 2011-04-20 2015-09-02 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法
JP5772184B2 (ja) * 2011-04-22 2015-09-02 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法
JP5741331B2 (ja) * 2011-09-01 2015-07-01 Jsr株式会社 アレイ基板、液晶表示素子およびアレイ基板の製造方法
US9063421B2 (en) 2011-11-17 2015-06-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition and pattern forming process
JP5621755B2 (ja) * 2011-11-17 2014-11-12 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
WO2013099998A1 (ja) 2011-12-28 2013-07-04 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、重合体、化合物及び化合物の製造方法
JP6065789B2 (ja) * 2012-09-27 2017-01-25 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
KR101729599B1 (ko) * 2012-09-28 2017-04-24 후지필름 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 이것을 사용한 패턴의 제조 방법
JP5500230B2 (ja) * 2012-11-01 2014-05-21 Ｊｓｒ株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物
KR101364229B1 (ko) * 2012-12-20 2014-02-17 동우 화인켐 주식회사 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조되는 절연막
JP5982277B2 (ja) 2012-12-21 2016-08-31 群栄化学工業株式会社 硬化性樹脂の製造方法
KR102138141B1 (ko) 2013-02-19 2020-07-27 제이에스알 가부시끼가이샤 네거티브형 감방사선성 수지 조성물, 경화막, 경화막의 형성 방법 및 표시 소자
JP2014211490A (ja) * 2013-04-17 2014-11-13 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP6247858B2 (ja) * 2013-08-01 2017-12-13 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及びこれを用いた電子デバイスの製造方法
JP6244134B2 (ja) * 2013-08-02 2017-12-06 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
JP6136727B2 (ja) 2013-08-02 2017-05-31 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、硬化膜、その形成方法及び表示素子
JP6492444B2 (ja) 2013-09-04 2019-04-03 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、硬化膜、その形成方法、及び電子デバイス
WO2015064555A1 (ja) * 2013-10-28 2015-05-07 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、パターンの製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置の製造方法、および液晶表示装置の製造方法
WO2015064556A1 (ja) * 2013-10-28 2015-05-07 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、パターンの製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置の製造方法、および液晶表示装置の製造方法
KR102142648B1 (ko) * 2013-12-16 2020-08-10 삼성디스플레이 주식회사 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 유기막 형성방법 및 유기막을 포함하는 표시장치
JP6147218B2 (ja) * 2014-03-26 2017-06-14 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機ｅｌ表示装置、タッチパネル表示装置
JP6318957B2 (ja) 2014-07-31 2018-05-09 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、硬化膜及びその形成方法、並びに表示素子
KR20170109264A (ko) * 2016-03-21 2017-09-29 동우 화인켐 주식회사 화학증폭형 포지티브 감광형 유기절연막 수지 조성물 및 이로부터 제조된 절연막
TWI742165B (zh) * 2017-09-27 2021-10-11 奇美實業股份有限公司 化學增幅型正型感光性樹脂組成物、光阻圖案及其形成方法以及電子裝置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5403695A (en) * 1991-04-30 1995-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Resist for forming patterns comprising an acid generating compound and a polymer having acid decomposable groups
US5362597A (en) * 1991-05-30 1994-11-08 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive resin composition comprising an epoxy-containing alkali-soluble resin and a naphthoquinone diazide sulfonic acid ester
JP3317576B2 (ja) * 1994-05-12 2002-08-26 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
JP3873261B2 (ja) * 1997-09-04 2007-01-24 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜およびこれらの膜の形成法
JP3755571B2 (ja) * 1999-11-12 2006-03-15 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
KR100555286B1 (ko) * 2000-03-22 2006-03-03 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
US6737215B2 (en) * 2001-05-11 2004-05-18 Clariant Finance (Bvi) Ltd Photoresist composition for deep ultraviolet lithography
JP4269740B2 (ja) * 2002-03-28 2009-05-27 住友化学株式会社 ポジ型化学増幅型レジスト組成物
JP4040392B2 (ja) * 2002-08-22 2008-01-30 富士フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
JP2004170611A (ja) * 2002-11-19 2004-06-17 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造方法及び電子部品
US7160665B2 (en) * 2002-12-30 2007-01-09 International Business Machines Corporation Method for employing vertical acid transport for lithographic imaging applications
JP4131864B2 (ja) * 2003-11-25 2008-08-13 東京応化工業株式会社 化学増幅型ポジ型感光性熱硬化性樹脂組成物、硬化物の形成方法、及び機能素子の製造方法
JP4476680B2 (ja) * 2004-04-20 2010-06-09 東京応化工業株式会社 インプランテーション工程用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物
EP1818722A4 (en) * 2004-12-03 2010-02-17 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd CHEMICALLY AMPLIFIED PHOTORESIST COMPOSITION, PHOTORESIST LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING PHOTORESIST COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING PHOTORESIST PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING JUNCTION TERMINAL
JP2007328093A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Fujifilm Corp ポジ型感光性組成物及びパターン形成方法
US7741015B2 (en) * 2007-02-16 2010-06-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process and resist composition

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130005232A (ko) * 2011-07-05 2013-01-15 후지필름 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 패턴 그리고 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TWI431426B (zh) 2014-03-21
WO2008123563A1 (en) 2008-10-16
US20100119973A1 (en) 2010-05-13
JP2008304902A (ja) 2008-12-18
JP5075706B2 (ja) 2012-11-21
CN101663618A (zh) 2010-03-03
EP2130095A1 (en) 2009-12-09
KR101435473B1 (ko) 2014-08-28
CN101663618B (zh) 2012-08-29
TW200903167A (en) 2009-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101435473B1 (ko) 포지티브 감광성 수지 조성물 및 이것을 사용한 경화막 형성방법
KR101021187B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막 형성 방법
JP4637209B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法
KR101724565B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막 형성방법
JP4718623B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法
KR101757797B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막 형성 방법
KR101754841B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막 형성 방법
JP2010026460A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法
JP4677512B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170720

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180801

Year of fee payment: 5