JP4564439B2 - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents
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- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 24
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 claims description 20
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 14
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 13
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 12
- YNGDWRXWKFWCJY-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dihydropyridine Chemical class C1C=CNC=C1 YNGDWRXWKFWCJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 8
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 23
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 20
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 17
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 7
- QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HDMWJDPKCBUQGL-UHFFFAOYSA-N dimethyl 1-ethyl-4-(2-nitrophenyl)-4h-pyridine-3,5-dicarboxylate Chemical compound COC(=O)C1=CN(CC)C=C(C(=O)OC)C1C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O HDMWJDPKCBUQGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- GUIHZXDUZDPDHT-UHFFFAOYSA-N diethyl 1-ethyl-4-(2-nitrophenyl)-4h-pyridine-3,5-dicarboxylate Chemical compound CCOC(=O)C1=CN(CC)C=C(C(=O)OCC)C1C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O GUIHZXDUZDPDHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HPYNZHMRTTWQTB-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylpyridine Chemical compound CC1=CC=CN=C1C HPYNZHMRTTWQTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N N-methylaniline Chemical compound CNC1=CC=CC=C1 AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- CYCWGQFQPAYBHG-UHFFFAOYSA-N dimethyl 1,2,6-trimethyl-4-(2-nitrophenyl)-4h-pyridine-3,5-dicarboxylate Chemical compound COC(=O)C1=C(C)N(C)C(C)=C(C(=O)OC)C1C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O CYCWGQFQPAYBHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylpyridin-2-amine Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=N1 PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 1,8-diaminooctane Chemical compound NCCCCCCCCN PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJUAJYUOPRGZPK-UHFFFAOYSA-N 1-[5-acetyl-2,6-dimethyl-4-(2-nitrophenyl)-1,4-dihydropyridin-3-yl]ethanone Chemical compound CC(=O)C1=C(C)NC(C)=C(C(C)=O)C1C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O AJUAJYUOPRGZPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHUFHLFHOQVFGB-UHFFFAOYSA-N 1-aminoanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2N KHUFHLFHOQVFGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-1H-imidazole Chemical compound CN1C=CN=C1 MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIALIKXMLIAOSN-UHFFFAOYSA-N 2-Propylpyridine Chemical compound CCCC1=CC=CC=N1 OIALIKXMLIAOSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANMWYJOXQXWAQB-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(methoxycarbonyl)-4-(2-nitrophenyl)-4h-pyridin-1-yl]propanoic acid Chemical compound COC(=O)C1=CN(C(C)C(O)=O)C=C(C(=O)OC)C1C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O ANMWYJOXQXWAQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAEAUUQNGWZTKQ-UHFFFAOYSA-N 2-anthracen-9-yl-n-methylethanamine Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 JAEAUUQNGWZTKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDKYTXBAVJELDQ-UHFFFAOYSA-N 2-methylhistamine Chemical compound CC1=NC=C(CCN)N1 XDKYTXBAVJELDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWHLJVMSZRKEAQ-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dicarboxyphenyl)phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O GWHLJVMSZRKEAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMXFZZAJHRLHGP-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dicarboxyphenyl)sulfonylphthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O FMXFZZAJHRLHGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJHPGXZOIAYYDW-UHFFFAOYSA-N 3-(2-cyanophenyl)-2-[(2-methylpropan-2-yl)oxycarbonylamino]propanoic acid Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)NC(C(O)=O)CC1=CC=CC=C1C#N AJHPGXZOIAYYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXJLFVRAWOOQDR-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenoxy)aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LXJLFVRAWOOQDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenyl)sulfonylaniline Chemical compound NC1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBMISJGHVWNWTE-UHFFFAOYSA-N 3-(4-aminophenoxy)aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC(N)=C1 ZBMISJGHVWNWTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYKLCAKICHXQNE-UHFFFAOYSA-N 3-[(2,3-dicarboxyphenyl)methyl]phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(CC=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O TYKLCAKICHXQNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 3-[(3-aminophenyl)methyl]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(CC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFSUKONUQMHUKQ-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(2,3-dicarboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(C=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1C(O)=O DFSUKONUQMHUKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(OC=3C=C(N)C=CC=3)C=CC=2)=C1 DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Thiodianiline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1SC1=CC=C(N)C=C1 ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVCOFPOLGHKJQB-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxyphenyl)sulfonylphthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 AVCOFPOLGHKJQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWXCYYWDGDDPAC-UHFFFAOYSA-N 4-[(3,4-dicarboxyphenyl)methyl]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1CC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 IWXCYYWDGDDPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APXJLYIVOFARRM-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 APXJLYIVOFARRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPUJEBAZZTZOFL-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(4-aminophenoxy)-2,2-dimethylpropoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(N)C=CC=1OCC(C)(C)COC1=CC=C(N)C=C1 HPUJEBAZZTZOFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC(OC=2C=CC(N)=CC=2)=C1 WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALYNCZNDIQEVRV-PZFLKRBQSA-N 4-amino-3,5-ditritiobenzoic acid Chemical compound [3H]c1cc(cc([3H])c1N)C(O)=O ALYNCZNDIQEVRV-PZFLKRBQSA-N 0.000 description 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical group [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- YUENFNPLGJCNRB-UHFFFAOYSA-N anthracen-1-amine Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(N)=CC=CC3=CC2=C1 YUENFNPLGJCNRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940111121 antirheumatic drug quinolines Drugs 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N bis(4-aminophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N)C=C1 ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQDZVVDGRIIQTE-UHFFFAOYSA-N dimethyl 1-[2-(dimethylamino)ethyl]-4-(2-nitrophenyl)-4h-pyridine-3,5-dicarboxylate Chemical compound COC(=O)C1=CN(CCN(C)C)C=C(C(=O)OC)C1C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O IQDZVVDGRIIQTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVUWTSLWVPPSBQ-UHFFFAOYSA-N dimethyl 4-(2,4-dinitrophenyl)-1-ethyl-4h-pyridine-3,5-dicarboxylate Chemical compound COC(=O)C1=CN(CC)C=C(C(=O)OC)C1C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O VVUWTSLWVPPSBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVTDYSXXLJYUTM-UHFFFAOYSA-N disperse red 9 Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2NC SVTDYSXXLJYUTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFTYSVGGYOXFRQ-UHFFFAOYSA-N dodecane-1,12-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCCCN QFTYSVGGYOXFRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Chemical group 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002537 isoquinolines Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- DILRJUIACXKSQE-UHFFFAOYSA-N n',n'-dimethylethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)CCN DILRJUIACXKSQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXHTZQSKTCCMFG-UHFFFAOYSA-N n,n-dibenzyl-1-phenylmethanamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1CN(CC=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 MXHTZQSKTCCMFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000010525 oxidative degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Chemical group 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 150000003212 purines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004892 pyridazines Chemical class 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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Description
本発明はポジ型感光性樹脂組成物に関する。
一般的に、ポジ型の感光性材料は、正テーパーであり、かつ、高解像度であるといわれている。これについては、ジアゾナフトキノンとノボラック樹脂から得られるフォトレジストや、光酸発生剤を用いた化学増幅型の材料が実用化されている。しかしながら、前者をカバー絶縁材料や層間絶縁材料のような構造材料として用いるには、機械的強度および電気的特性に劣る。また、後者については、光酸発生剤を用いるため、電気的信頼性が要求される用途においては使用することが難しい。
これらの問題を解決するため、本発明者らは、以前、機械的強度および電気的信頼性に優れる1,4-ジヒドロピリジン誘導体およびポリイミド前駆体樹脂からなるポジ型の感光性材料とその製造方法を提供した（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。
特開平05-005995号公報
特開平05-281717号公報
しかしながら、前述のポジ型の感光性材料は、5μm以上の膜厚での画像形成時のコントラストが低く、また、低弾性の材料を提供することが難しかった。
従って、本発明は、これらの問題点を克服し、低弾性、高耐熱性かつ高解像性のポジ型感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。
すなわち、本発明は、
（Ａ）ポリアミック酸、
（Ｂ）一般式（II）：
（Ａ）ポリアミック酸、
（Ｂ）一般式（II）：
（式中、R2は一価の有機基であり、R3、R4、R5およびR6はそれぞれ独立して水素または一価の有機基であり、Ar-NO2はオルソ位にニトロ基を有する芳香族炭化水素基を表す）
で表される1,4-ジヒドロピリジン誘導体、および
（Ｃ）アミン化合物
を含有するポジ型感光性樹脂組成物であって、前記（Ａ）成分が一般式（I）：
（式中、R 1 はメチル基または他の有機基であり、nは平均重合度を表し、２以上５０以下である）
で表される構造単位をその骨格に有するポリアミック酸である、ポジ型感光性樹脂組成物
に関する。
で表される1,4-ジヒドロピリジン誘導体、および
（Ｃ）アミン化合物
を含有するポジ型感光性樹脂組成物であって、前記（Ａ）成分が一般式（I）：
で表される構造単位をその骨格に有するポリアミック酸である、ポジ型感光性樹脂組成物
に関する。
本発明により、低弾性、高耐熱かつ高解像性のポジ型感光性樹脂組成物（以下単に組成物という場合がある）を提供することができる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、（Ａ）ポリアミック酸、
（Ｂ）一般式（II）：
（Ｂ）一般式（II）：
（式中、R2は一価の有機基であり、R3、R4、R5およびR6はそれぞれ独立して水素または一価の有機基であり、Ar-NO2はオルソ位にニトロ基を有する芳香族炭化水素基を表す）で表される1,4-ジヒドロピリジン誘導体、および
（Ｃ）アミン化合物
を含有することを特徴とする。
（Ｃ）アミン化合物
を含有することを特徴とする。
かかる特徴を有することにより、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、低弾性率、高耐熱性および高解像性を有するという効果を奏する。より詳細には、本発明のポジ型感光性樹脂組成物の硬化体が、25℃での貯蔵弾性率が1GPa以下であり、250℃での貯蔵弾性率が1MPa以上であるという特性を有する。従って、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、ポジ型の感光性パターンを与えることができ、高い信頼性を必要とする高密度デバイスの製造に利用することができる。
（Ａ）成分であるポリアミック酸は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを実質的に等モル比にて有機溶媒中で反応させることにより得ることができる。
（Ａ）成分であるポリアミック酸としては、一般式（I）：
で表される構造単位をその骨格に有するポリアミック酸が好ましい。式中、R1はメチル基または他の有機基である。他の有機基としては、例えば、メチル基以外のアルキル基、ベンジル基、フェニル基などの芳香族基、含フッ素アルキル基、ハロゲン化アルキル基、ポリアルキレンオキサイド基などが挙げられる。R1として好ましくはメチル基およびフェニル基であり、さらに好ましくはメチル基である。nは平均重合度を表し、ｎは、２以上５０以下であり、好ましくは、２以上２５以下、さらに好ましくは、２以上１２以下である。当該ポリアミック酸は、テトラカルボン酸二無水物と一般式（I）：
（式中、R1はメチル基または他の有機基であり、nは平均重合度を表し、2以上５０以下であり、好ましくは２以上１２以下である）で表される構造単位を有するジアミンとを実質的に等モル比にて有機溶媒中で反応させることにより得ることができる。
テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、4,4'-オキシジフタル酸二無水物、2,2-ビス（2,3-ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2-ビス（3,4-ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（6FDA）、ビス（2,3-ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（3,4-ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（2,3-ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（3,4-ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物などが挙げられる。これらは、単独で用いられてもよいし、２種以上併用されてもよい。
ジアミンとしては、一般式（III）：
（式中、R7はアルキレン基であり、nは平均重合度を表し、2以上５０以下であり、好ましくは、２以上２５以下、さらに好ましくは、２以上１２以下である。）で表される末端ジアミノシリコーンオリゴマーが用いられる。nが2未満の場合、本発明の組成物の硬化体を低弾性化することが困難であり、５０より大きい場合シリコーンドメインによる海島構造が形成され、高解像性を得ることが困難である。当該末端ジアミノシリコーンオリゴマーとしては、例えば、市販のシリコーンジアミン（例えば、東芝シリコーン社製TSL9346、東レダウコーニングシリコーン社製BY16-853Cなど）を使用することができる。
前記末端ジアミノシリコーンオリゴマーにより本発明の組成物に導入されたシリコーン基の導入量は、全組成物中、10〜90重量％であることが好ましく、30〜60重量％であることがさらに好ましい。導入量が10重量％以上であれば低弾性化を容易に行うことができ、良好なポジ型画像が得られ、90重量％以下であれば良好な現像性が得られる。
ジアミンとして、前記末端ジアミノシリコーンオリゴマーに加えてさらに、4,4'-ジアミノジフェニルエ−テル、3,4'-ジアミノジフェニルエ−テル、3,3'-ジアミノジフェニルエ−テル、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、4,4'-ジアミノジフェニルプロパン、3,3'-ジアミノジフェニルプロパン、4,4'-ジアミノジフェニルメタン、3,3'-ジアミノジフェニルメタン、4,4'-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3'-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4'-ジアミノジフェニルスルホン、3,3'-ジアミノジフェニルスルホン、1,4-ビス（4-アミノフェノキシ）ベンゼン、1,3-ビス（4-アミノフェノキシ）ベンゼン、1,3-ビス（3-アミノフェノキシ）ベンゼン、1,3-ビス（4-アミノフェノキシ）-2,2-ジメチルプロパン、ヘキサメチレンジアミン、1,8-ジアミノオクタン、1,12-ジアミノドデカン、4,4'-ジアミノベンゾフェノン、α,ω-ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサンなどを使用することもできる。これらは単独で用いられてもよいし、２種以上併用されてもよい。
溶媒としては、例えば、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。原材料の溶解性を調整するために、前記溶媒に加えて、トルエン、キシレンなどの非極性溶媒をさらに使用することもできる。
前記ポリアミック酸は、前記溶媒100重量部に対して、好ましくはテトラカルボン酸二無水物5〜100重量部およびジアミン2〜50重量部を添加し、反応させることで得ることができる。より具体的には、溶媒にジアミンを溶解し、次にテトラカルボン酸二無水物を添加し反応させることによりポリアミック酸を調製することができる。
テトラカルボン酸二無水物とジアミンとのモル比（テトラカルボン酸二無水物／ジアミン）は、好ましくは4/5〜5/4、より好ましくは19/20〜20/19である。
反応温度および時間は、所望のポリアミック酸が得られる限り限定されないが、例えば反応温度としては、通常、0〜120℃であり、好ましくは20〜90℃であり、反応時間としては、通常、30分〜100時間であり、好ましくは3〜72時間である。
ポリアミック酸は、反応終了後、通常溶液として得られるが、該溶液をメタノール、水などの貧溶媒中に滴下して沈殿させ、これを濾取して、乾燥することでポリアミック酸を単離することもできる。
本発明の組成物におけるポリアミック酸の含有量、すなわち、テトラカルボン酸二無水物およびジアミンの合計量は、組成物中、30〜90重量％が好ましく、60〜85重量％がより好ましい。
（Ｂ）成分である1,4-ジヒドロピリジン誘導体は、ポジ型感光性樹脂組成物において感光剤として機能し、一般式（II）：
（式中、R2は一価の有機基であり、R3、R4、R5およびR6はそれぞれ独立して水素または一価の有機基であり、Ar-NO2はオルソ位にニトロ基を有する芳香族炭化水素基を表す）で表される。一価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、iso-ブチル基、ベンジル基、フェニル基、これらの誘導体などが挙げられる。
その具体例としては、1-エチル-3,5-ジメトキシカルボニル-4-（2-ニトロフェニル）-1,4-ジヒドロピリジン、1-エチル-3,5-ジメトキシカルボニル-4-（2,4-ジニトロフェニル）-1,4-ジヒドロピリジン、1,2,6-トリメチル-3,5-ジメトキシカルボニル-4-（2-ニトロフェニル）-1,4-ジヒドロピリジン、2,6-ジメチル-3,5-ジアセチル-4-（2-ニトロフェニル）-1,4-ジヒドロピリジン、1-カルボキシエチル-3,5-ジメトキシカルボニル-4-（2-ニトロフェニル）-1,4-ジヒドロピリジン、1-[2-（ジメチルアミノ）エチル]-3,5-ジメトキシカルボニル-4-（2-ニトロフェニル）-1,4-ジヒドロピリジンなどが挙げられる。中でも、1-エチル-3,5-ジメトキシカルボニル-4-（2-ニトロフェニル）-1,4-ジヒドロピリジン、または1,2,6-トリメチル-3,5-ジメトキシカルボニル-4-（2-ニトロフェニル）-1,4-ジヒドロピリジンが好ましい。これらは、単独で用いられてもよいし、２種以上併用されてもよい。
本発明の組成物における1,4-ジヒドロピリジン誘導体の含有量は、テトラカルボン酸二無水物およびジアミンの合計量100重量部に対して5〜30重量部が好ましく、10〜20重量部がより好ましい。1,4-ジヒドロピリジン誘導体の含有量が5重量部以上であればパターン形成時のコントラストが低下しにくく、30重量部以下であれば良好な物性の組成物を調製することができる。
（Ｃ）成分であるアミン化合物は、一級アミン化合物、二級アミン化合物または三級アミン化合物のいずれでもよい。これらは、単独で用いられてもよいし、２種以上併用されてもよい。
一級アミン化合物としては、前記ポリアミック酸の原料として用いられるアミンのほか、エタノールアミン、3-アミノ安息香酸、4-アミノ安息香酸、1-アミノアントラセン、1-アミノアントラキノンなどが挙げられる。
二級アミン化合物としては、ジエタノールアミン、N-メチルアニリン、ジフェニルアミン、N,N-ジメチルエチレンジアミン、1-（メチルアミノ）アントラキノン、9-（メチルアミノエチル）アントラセンなどが挙げられる。
三級アミン化合物としては、脂肪族三級アミン化合物、含窒素複素環化合物などが挙げられる。
脂肪族三級アミン化合物としては、例えば、トリベンジルアミンなどの高沸点三級アミンなどが挙げられる。
含窒素複素環化合物としては、例えば、イミダゾール類、ベンゾイミダゾール類、プリン類、ピリジン類、ピリダジン類、ピリミジン類、ピラジン類、トリアジン類、キノリン類、イソキノリン類、アクリジン類などの窒素に基づく非共有電子対を有する化合物が挙げられる。具体例としては、イミダゾール、N-メチルイミダゾール、2-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-アミノエチル-2-メチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール類；ピリジン、メチルピリジン、ジメチルピリジン、プロピルピリジン、4-ジメチルアミノピリジンなどのピリジン類などが挙げられる。
本発明の組成物におけるアミン化合物の含有量は、テトラカルボン酸二無水物およびジアミンの合計量100重量部に対して0.5〜30重量部が好ましく、1〜15重量部がより好ましい。アミン化合物の含有量が0.5重量部以上であればパターン形成時のコントラストが低下しにくく、30重量部以下であれば良好な物性の組成物を調製することができる。
本発明の組成物は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分および（Ｃ）成分を混合して調製することができる。具体的には、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを有機溶媒中で反応させることにより得られたポリアミック酸溶液に1,4-ジヒドロピリジン誘導体およびアミン化合物を添加して、溶解させて調製することができる。
以上のようにして得られた本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、その硬化体の貯蔵弾性率が25℃で1GPa以下であり、250℃で1MPa以上であるという特性を有する。また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、低弾性、高耐熱性かつ高解像性という優れた特性を有する。
また、（Ａ）成分として、末端ジアミノシリコーンオリゴマーに加えて、芳香環にアルキレン基が直接結合している一般式（ＩＶ）:(式中、Ｒは炭素数１〜３のアルキレン基、Ａｒはアリール基)であらわされるジアミンを併用し、4,4'-オキシジフタル酸無水物（ODPA）または3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（BPDA）と反応させて得られるポリアミック酸を用いた場合、低弾性、高耐熱性、高解像性、に加え、i線（波長３６５ｎｍ）での透過率が向上しi線露光によるパターンニングも可能である。
本明細書において、「硬化体の貯蔵弾性率」とは、本発明の組成物を溶媒に溶解後、スピンコーターで100mm×100mmの25μmSUS304箔上に塗布し、100℃のオーブンで10分乾燥し、その後窒素雰囲気下、300℃で2時間処理した15μmの厚さのフィルム（硬化体）の貯蔵弾性率をいう。
貯蔵弾性率は、後述の実施例に記載の方法により測定することができる。
本発明の組成物は、例えば、以下のようにしてパターン形成される。即ち、前記組成物を有機溶媒に溶解して得られる樹脂溶液を適切な被着体に塗布し、乾燥させ被膜とし、フォトマスクを介して露光し、続いて熱処理した後、現像処理を行う。最終的に高温で熱処理することによって、ポジ型のパターン形状を有する樹脂層を得ることができる。
上記有機溶媒としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドなどを挙げることができる。
被着体としては、例えば、シリコンウエハなどの基板などが挙げられる。
被着体への塗布の方法としては、スピンコート法、スプレー法などを用いて、被着体上に直接塗布する方法、PETフィルムやポリイミドフィルム上にコンマコート法、ファウンテン法、グラビア法などを用いて塗工形成し、これを被着体上に、転写、ラミネートする方法などが挙げられる。
露光には、紫外線、電子線、マイクロ波などの活性光線を使用することができる。そして、露光後、現像前に行われる熱処理の温度は通常120〜180℃であり、時間は通常30秒〜30分である。
現像液としてはアルカリ水溶液を使用することが好ましく、現像時間を調整するため、現像液にアルコールや界面活性剤を加えてもよい。
最終的に熱処理する温度は、通常200℃〜400℃であり、樹脂層の酸化劣化を防ぐため、窒素雰囲気下や真空中など不活性な雰囲気下で、熱処理することが望ましい。
以上により、被着体上に低弾性、高耐熱性かつ高解像性のパターン化樹脂層を形成することができる。
以下に、実施例における評価方法をまとめて示す。
１．貯蔵弾性率
粘弾性測定装置RSA-II（Rheometric Scientific社製）を用いて、引っ張りモード、周波数1Hz、歪み0.3％で測定した。
粘弾性測定装置RSA-II（Rheometric Scientific社製）を用いて、引っ張りモード、周波数1Hz、歪み0.3％で測定した。
２．解像性
解像性テストチャートを用いて露光し、開孔した最小ビア径を解像性とした。
解像性テストチャートを用いて露光し、開孔した最小ビア径を解像性とした。
３．残膜率
（１）現像時残膜率
現像前と現像後のフィルム厚を測定し、以下の式を用いて現像時の残膜率を計算した。
現像時残膜率（％）＝（現像後のフィルム厚）／（現像前のフィルム厚）×100
（２）硬化時残膜率
硬化後と現像後のフィルム厚を測定し、以下の式を用いて硬化時の残膜率を計算した。
硬化時残膜率（％）＝（硬化後のフィルム厚）／（現像後のフィルム厚）×100
（１）現像時残膜率
現像前と現像後のフィルム厚を測定し、以下の式を用いて現像時の残膜率を計算した。
現像時残膜率（％）＝（現像後のフィルム厚）／（現像前のフィルム厚）×100
（２）硬化時残膜率
硬化後と現像後のフィルム厚を測定し、以下の式を用いて硬化時の残膜率を計算した。
硬化時残膜率（％）＝（硬化後のフィルム厚）／（現像後のフィルム厚）×100
実施例１
式（V）：
式（V）：
（式中、nは5である）
で表されるシリコーンジアミン（東芝シリコーン社製TSL9346）37.5g、および4,4'-ジアミノジフェニルエーテル（以下DDEと略す）13.8gをN,N-ジメチルアセトアミド（以下DMAcと略す）240gに溶解した。次に、ピロメリット酸二無水物（以下PMDAと略す）30.0ｇをさらに加え、室温で24時間反応させた。
で表されるシリコーンジアミン（東芝シリコーン社製TSL9346）37.5g、および4,4'-ジアミノジフェニルエーテル（以下DDEと略す）13.8gをN,N-ジメチルアセトアミド（以下DMAcと略す）240gに溶解した。次に、ピロメリット酸二無水物（以下PMDAと略す）30.0ｇをさらに加え、室温で24時間反応させた。
次いで、1-エチル-3,5-ジメトキシカルボニル-4-（2-ニトロフェニル）-1,4-ジヒドロピリジン12.2gおよびイミダゾール1.6gをさらに添加し、溶解させて本発明のポジ型感光性樹脂組成物の樹脂溶液を得た。
この樹脂溶液をスピンコーターでシリコンウエハ上に塗布し、100℃のホットプレート上で3分間乾燥して、14μmのフィルムを得た。これに解像性テストパターンを有するフォトマスクを介して500W超高圧水銀灯で3分間露光し、150℃ホットプレート上で5分間加熱した後、フィルム厚（現像前のフィルム厚）を測定した。その後、10％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（以下、TMAHと略す）水溶液/エタノール＝1/1の現像液を用いて、露光部が溶解除去されるまで現像を行った（30秒〜1分程度）。水洗した後、フィルム厚（現像後のフィルム厚）とフィルムの解像性を測定し、さらに、ステンレス製の加熱炉の中で窒素雰囲気下、300℃にて1時間加熱処理を行いフィルムを硬化させて、フィルム厚（硬化後のフィルム厚）を測定した。これらの結果から、現像時残膜率と硬化時残膜率を算出した。その結果を表１に示す。
次に、上記樹脂溶液をスピンコーターで100mm×100mmの25μmSUS304箔上に塗布し、100℃のオーブンで10分乾燥した。その後、ステンレス製の加熱炉の中で窒素雰囲気下、300℃にて2時間加熱処理を行いSUS304箔上に15μmの厚さのフィルム（硬化体）を作製した。SUS304箔を塩化第二鉄溶液にてエッチング除去した後、前記方法に従い、25℃および250℃での硬化体の貯蔵弾性率を測定した。その結果を表１に示す。
実施例２
式(VI）：
式(VI）：
（式中、nは8である）
で表されるシリコーンジアミン（東レダウコーニング社製BY16-853C）52.0g、およびDDE 17.7gを、N-メチル-2-ピロリドン(NMP) 195gに添加し、DDEが溶解するまで攪拌した。次にPMDA 35.0ｇを加え１時間反応させた。さらにこれを７０℃に加熱し、５時間攪拌して、透明な溶液を得た。冷却後、1-エチル-3,5-ジエトキシカルボニル-4-（2-ニトロフェニル）-1,4-ジヒドロピリジン15.7gおよびイミダゾール 2.1gを添加、溶解させて本発明のポジ型感光性樹脂組成物を得た。
で表されるシリコーンジアミン（東レダウコーニング社製BY16-853C）52.0g、およびDDE 17.7gを、N-メチル-2-ピロリドン(NMP) 195gに添加し、DDEが溶解するまで攪拌した。次にPMDA 35.0ｇを加え１時間反応させた。さらにこれを７０℃に加熱し、５時間攪拌して、透明な溶液を得た。冷却後、1-エチル-3,5-ジエトキシカルボニル-4-（2-ニトロフェニル）-1,4-ジヒドロピリジン15.7gおよびイミダゾール 2.1gを添加、溶解させて本発明のポジ型感光性樹脂組成物を得た。
この樹脂溶液をスピンコーターでシリコンウエハー上に塗布し、100℃のホットプレート上で５分間乾燥して、14μmのフィルムを得た。これに解像性テストパターンを有するフォトマスクを介して500W超高圧水銀灯で3分間露光し、150℃のホットプレート上で5分間加熱した後、フィルム厚（現像前のフィルム厚）を測定した。その後、10％TMAH水溶液/エタノール＝1/1の現像液を用いて、露光部が溶解除去されるまで現像を行った。水洗したあと、フィルム厚（現像前のフィルム厚）とフィルムの解像性を測定し、さらに、ステンレス製の加熱炉の中で窒素雰囲気下、330℃にて1時間加熱処理を行い、フィルムを硬化させてフィルム厚（硬化後のフィルム厚）を測定した。これらの結果から、現像時残膜率と硬化時残膜率を算出した。その結果を表１に示す。
次に、上記樹脂溶液をスピンコーターで100mm×100mmの25μmSUS箔上に塗布し、100℃のオーブンで10分乾燥した。その後、ステンレス製の加熱炉の中で窒素雰囲気下、330℃にて1時間熱処理を行いSUS304箔上に15μmの厚さのフィルムを作成した。SUS304箔を塩化第二鉄にてエッチング除去した後、前記方法に従い、25℃および250℃での硬化体の貯蔵弾性率を測定した。その結果を表１に示す。
実施例３
イミダゾールを使用する代わりに、4-ジメチルアミノピリジン3.1gを使用する以外は実施例２と同様に本発明のポジ型感光性樹脂組成物の樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液について実施例１と同様の操作を行い、現像時残膜率、硬化時残膜率、解像性、および、貯蔵弾性率を測定した。
イミダゾールを使用する代わりに、4-ジメチルアミノピリジン3.1gを使用する以外は実施例２と同様に本発明のポジ型感光性樹脂組成物の樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液について実施例１と同様の操作を行い、現像時残膜率、硬化時残膜率、解像性、および、貯蔵弾性率を測定した。
実施例４
式（V）：
式（V）：
（式中、nは5である）
で表されるシリコーンジアミン（東芝シリコーン社製TSL9346）26.4g、および4P-フェニレンジアミン5.2gをDMAc 250gに溶解した。次に、4,4'-オキシジフタル酸二無水物30.0gをさらに加え、室温で24時間反応させた。
で表されるシリコーンジアミン（東芝シリコーン社製TSL9346）26.4g、および4P-フェニレンジアミン5.2gをDMAc 250gに溶解した。次に、4,4'-オキシジフタル酸二無水物30.0gをさらに加え、室温で24時間反応させた。
次いで、1-エチル-3,5-ジメトキシカルボニル-4-（2-ニトロフェニル）-1,4-ジヒドロピリジン9.2gおよびイミダゾール1.2gをさらに添加し、溶解させて本発明のポジ型感光性樹脂組成物の樹脂溶液を得た。
得られた樹脂溶液について実施例１と同様の操作を行い、現像時残膜率、硬化時残膜率、解像性および貯蔵弾性率を測定した。その結果を表１に示す。
実施例５
イミダゾールを使用する代わりに4-ジアミノジフェニルエーテル2.8gを使用する以外は実施例１と同様に本発明のポジ型感光性樹脂組成物の樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液について実施例１と同様の操作を行い、現像時残膜率、硬化時残膜率、解像性および貯蔵弾性率を測定した。その結果を表１に示す。
イミダゾールを使用する代わりに4-ジアミノジフェニルエーテル2.8gを使用する以外は実施例１と同様に本発明のポジ型感光性樹脂組成物の樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液について実施例１と同様の操作を行い、現像時残膜率、硬化時残膜率、解像性および貯蔵弾性率を測定した。その結果を表１に示す。
実施例６
式（VII）：
式（VII）：
（式中、nは20である）
で表されるシリコーンジアミン（信越シリコーン製X-22-161A）53.9g、および、m-キシリレジアミン13.4gを、NMP 261gに添加した。次に、4,4'-オキシジフタル酸無水物41.0gを加え室温で1時間反応させ、さらにこれを７０℃に加熱し、５時間攪拌して、透明な溶液を得た。冷却後、1-エチル-3,5-ジエトキシカルボニル-4-（2-ニトロフェニル）-1,4-ジヒドロピリジン16.2gおよびジメチルアミノピリジン3.2gを添加、溶解させて本発明のポジ型感光性樹脂組成物を得た。
で表されるシリコーンジアミン（信越シリコーン製X-22-161A）53.9g、および、m-キシリレジアミン13.4gを、NMP 261gに添加した。次に、4,4'-オキシジフタル酸無水物41.0gを加え室温で1時間反応させ、さらにこれを７０℃に加熱し、５時間攪拌して、透明な溶液を得た。冷却後、1-エチル-3,5-ジエトキシカルボニル-4-（2-ニトロフェニル）-1,4-ジヒドロピリジン16.2gおよびジメチルアミノピリジン3.2gを添加、溶解させて本発明のポジ型感光性樹脂組成物を得た。
得られた樹脂溶液について実施例２と同様の操作を行い、現像時残膜率、硬化時残膜率、解像性および貯蔵弾性率を測定した。その結果を表１に示す。
実施例７
式（VIII）：
式（VIII）：
（式中、nは10である）
で表されるシリコーンジアミン（東レダウコーニング社製BY16-853U）53.6g、および、p-キシリレンジアミン10.9gを、NMP 200gに添加し攪拌した。次に4,4'-オキシジフタル酸無水物43gを加え反応させたところ白濁した溶液がえられた。さらにこれを７０℃に加熱し３時間以上攪拌して、透明なポリアミック酸溶液を得た。次いで1-エチル-3,5-ジエトキシカルボニル-4-（2-ニトロフェニル）-1,4-ジヒドロピリジン16.１gおよびジメチルアミノピリジン3.3gを添加、溶解させて本発明のポジ型感光性樹脂組成物を得た。
で表されるシリコーンジアミン（東レダウコーニング社製BY16-853U）53.6g、および、p-キシリレンジアミン10.9gを、NMP 200gに添加し攪拌した。次に4,4'-オキシジフタル酸無水物43gを加え反応させたところ白濁した溶液がえられた。さらにこれを７０℃に加熱し３時間以上攪拌して、透明なポリアミック酸溶液を得た。次いで1-エチル-3,5-ジエトキシカルボニル-4-（2-ニトロフェニル）-1,4-ジヒドロピリジン16.１gおよびジメチルアミノピリジン3.3gを添加、溶解させて本発明のポジ型感光性樹脂組成物を得た。
得られた樹脂溶液について実施例２と同様の操作を行い、現像時残膜率、硬化時残膜率、解像性および貯蔵弾性率を測定した。その結果を表１に示す。
表１の結果より、実施例で得られた感光性樹脂組成物は、低弾性、高耐熱かつ高解像性という特性を有することがわかる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、高密度デバイスの製造に利用することができる。
Claims (4)
- （Ａ）ポリアミック酸、
（Ｂ）一般式（II）：
で表される1,4-ジヒドロピリジン誘導体、および
（Ｃ）アミン化合物
を含有するポジ型感光性樹脂組成物であって、前記（Ａ）成分が一般式（I）：
で表される構造単位をその骨格に有するポリアミック酸である、ポジ型感光性樹脂組成物。 - （Ａ）成分が、一般式（III）：
で表される末端ジアミノシリコーンオリゴマーとテトラカルボン酸二無水物とを反応させて得られるポリアミック酸である、請求項１記載の組成物。 - （Ｃ）成分が三級アミン化合物である請求項１又は２記載の組成物。
- ポジ型感光性樹脂組成物の硬化体の貯蔵弾性率が、25℃で1GPa以下であり、250℃で1MPa以上である、請求項１〜３いずれか記載の組成物。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005306078A JP4564439B2 (ja) | 2005-03-07 | 2005-10-20 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| KR1020060007538A KR20060097573A (ko) | 2005-03-07 | 2006-01-25 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| US11/367,582 US7371506B2 (en) | 2005-03-07 | 2006-03-06 | Positive photosensitive resin composition |
| CN2006100515889A CN1831648B (zh) | 2005-03-07 | 2006-03-06 | 正型感光性树脂组合物 |
| TW095107688A TW200643629A (en) | 2005-03-07 | 2006-03-07 | Positive photosensitive resin composition |
| EP06004599A EP1701210A1 (en) | 2005-03-07 | 2006-03-07 | Positive photosensitive resin composition |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005062889 | 2005-03-07 | ||
| JP2005306078A JP4564439B2 (ja) | 2005-03-07 | 2005-10-20 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006285193A JP2006285193A (ja) | 2006-10-19 |
| JP4564439B2 true JP4564439B2 (ja) | 2010-10-20 |
Family
ID=36602758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005306078A Expired - Fee Related JP4564439B2 (ja) | 2005-03-07 | 2005-10-20 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7371506B2 (ja) |
| EP (1) | EP1701210A1 (ja) |
| JP (1) | JP4564439B2 (ja) |
| KR (1) | KR20060097573A (ja) |
| CN (1) | CN1831648B (ja) |
| TW (1) | TW200643629A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101023089B1 (ko) * | 2008-09-29 | 2011-03-24 | 제일모직주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| JP5199950B2 (ja) * | 2009-05-27 | 2013-05-15 | 日東電工株式会社 | ネガ型感光性材料およびそれを用いた感光性基材、ならびにネガ型パターン形成方法 |
| JP5208085B2 (ja) * | 2009-10-14 | 2013-06-12 | 日東電工株式会社 | 感光性樹脂組成物およびそれを用いた金属支持体付回路基板の製法、ならびに金属支持体付回路基板 |
| KR101333704B1 (ko) * | 2009-12-29 | 2013-11-27 | 제일모직주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| JP2012063645A (ja) | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Nitto Denko Corp | 感光性樹脂組成物およびそれを用いた金属支持体付回路基板 |
| KR101400192B1 (ko) | 2010-12-31 | 2014-05-27 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자 |
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| US7026080B2 (en) * | 2001-09-26 | 2006-04-11 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Positive photosensitive polyimide resin composition |
| KR100529577B1 (ko) * | 2001-11-22 | 2005-11-17 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 감광성 수지조성물, 드라이필름 및 그것을 이용한 가공부품 |
| US7037637B2 (en) * | 2002-07-17 | 2006-05-02 | Nitto Denko Corporation | Photosensitive polyimide resin precursor composition, optical polyimide obtained from the composition, optical waveguide using the polyimide, and process for producing the optical waveguide |
-
2005
- 2005-10-20 JP JP2005306078A patent/JP4564439B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-25 KR KR1020060007538A patent/KR20060097573A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-03-06 US US11/367,582 patent/US7371506B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-06 CN CN2006100515889A patent/CN1831648B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-07 EP EP06004599A patent/EP1701210A1/en not_active Withdrawn
- 2006-03-07 TW TW095107688A patent/TW200643629A/zh unknown
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200643629A (en) | 2006-12-16 |
| CN1831648A (zh) | 2006-09-13 |
| JP2006285193A (ja) | 2006-10-19 |
| KR20060097573A (ko) | 2006-09-14 |
| EP1701210A1 (en) | 2006-09-13 |
| CN1831648B (zh) | 2011-06-15 |
| US20060199102A1 (en) | 2006-09-07 |
| US7371506B2 (en) | 2008-05-13 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130806 Year of fee payment: 3 |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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