JP5326052B2 - ガスバリアフィルム、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス - Google Patents
ガスバリアフィルム、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP5326052B2 JP5326052B2 JP2012535023A JP2012535023A JP5326052B2 JP 5326052 B2 JP5326052 B2 JP 5326052B2 JP 2012535023 A JP2012535023 A JP 2012535023A JP 2012535023 A JP2012535023 A JP 2012535023A JP 5326052 B2 JP5326052 B2 JP 5326052B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas barrier
- layer
- barrier film
- resin
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 255
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 242
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 212
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 71
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 52
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 52
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 21
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 13
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 claims description 101
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 56
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 50
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 47
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 23
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 12
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 12
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 10
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 claims description 10
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 8
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000013032 Hydrocarbon resin Substances 0.000 claims description 7
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229920006270 hydrocarbon resin Polymers 0.000 claims description 7
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 claims description 2
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 174
- -1 aromatic diol Chemical class 0.000 description 26
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 18
- 239000000047 product Substances 0.000 description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 6
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 6
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000005103 alkyl silyl group Chemical group 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 5
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 125000005017 substituted alkenyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000005346 substituted cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSVZEASGNTZBRQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyphenyl)sulfinylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1S(=O)C1=CC=CC=C1O XSVZEASGNTZBRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N Bisphenol Z Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)CCCCC1 SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N [(dimethyl-$l^{3}-silanyl)amino]-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)N[Si](C)C GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 description 2
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N cyclopentene Chemical compound C1CC=CC1 LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004464 hydroxyphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000003854 p-chlorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1Cl 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 2
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 2
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- BVNZLSHMOBSFKP-UHFFFAOYSA-N (2-methylpropan-2-yl)oxysilane Chemical compound CC(C)(C)O[SiH3] BVNZLSHMOBSFKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N (E)-1,3-pentadiene Chemical compound C\C=C\C=C PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-Bis(4-hydroxyphenyl)ethane Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)C1=CC=C(O)C=C1 HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004973 1-butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000006017 1-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- YIYBRXKMQFDHSM-UHFFFAOYSA-N 2,2'-Dihydroxybenzophenone Chemical class OC1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1O YIYBRXKMQFDHSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIADVASZMLCQIF-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6,8,8-octamethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetrazatetrasilocane Chemical compound C[Si]1(C)N[Si](C)(C)N[Si](C)(C)N[Si](C)(C)N1 FIADVASZMLCQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGGNJZRNHUJNEM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexamethyl-1,3,5,2,4,6-triazatrisilinane Chemical compound C[Si]1(C)N[Si](C)(C)N[Si](C)(C)N1 WGGNJZRNHUJNEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANZPUCVQARFCDW-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexamethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1(C)O[SiH2]O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 ANZPUCVQARFCDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXHYVVAUHMGCEX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyphenoxy)phenol Chemical class OC1=CC=CC=C1OC1=CC=CC=C1O VXHYVVAUHMGCEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUWAJPZDCZDTJS-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyphenyl)sulfonylphenol Chemical class OC1=CC=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1O QUWAJPZDCZDTJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLLZXMSTOYKVPY-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-4-[(3-bromo-4-hydroxyphenyl)-phenylmethyl]phenol Chemical compound C1=C(Br)C(O)=CC=C1C(C=1C=C(Br)C(O)=CC=1)C1=CC=CC=C1 VLLZXMSTOYKVPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLGGIBKAEYMHOI-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-4-[1-(3-bromo-4-hydroxyphenyl)-1-phenylethyl]phenol Chemical compound C=1C=C(O)C(Br)=CC=1C(C=1C=C(Br)C(O)=CC=1)(C)C1=CC=CC=C1 RLGGIBKAEYMHOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004974 2-butenyl group Chemical group C(C=CC)* 0.000 description 1
- BFZPKFLWSACAMJ-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-4-[(3-fluoro-4-hydroxyphenyl)-phenylmethyl]phenol Chemical compound C1=C(F)C(O)=CC=C1C(C=1C=C(F)C(O)=CC=1)C1=CC=CC=C1 BFZPKFLWSACAMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- WOFFQWIGWBMFPL-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-[(3-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)-phenylmethyl]phenol Chemical compound C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C(O)=CC=2)C(C)(C)C)=C1 WOFFQWIGWBMFPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCEQSAGTCSHWKF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-[1-(3-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)-1-phenylethyl]phenol Chemical compound C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(C(C)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C(O)=CC=2)C(C)(C)C)=C1 OCEQSAGTCSHWKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004975 3-butenyl group Chemical group C(CC=C)* 0.000 description 1
- VWGKEVWFBOUAND-UHFFFAOYSA-N 4,4'-thiodiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1SC1=CC=C(O)C=C1 VWGKEVWFBOUAND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVDRSXGPQWNUBN-UHFFFAOYSA-N 4-(4-carboxyphenoxy)benzoic acid Chemical compound C1=CC(C(=O)O)=CC=C1OC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 WVDRSXGPQWNUBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEQFBGHQPUXOFH-UHFFFAOYSA-N 4-(4-carboxyphenyl)benzoic acid Chemical compound C1=CC(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 NEQFBGHQPUXOFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGRIVKAIJRLAIC-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxy-3-methylphenoxy)-2-methylphenol Chemical compound C1=C(O)C(C)=CC(OC=2C=C(C)C(O)=CC=2)=C1 ZGRIVKAIJRLAIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWXGVUCKVZVSQE-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxy-3-methylphenyl)sulfinyl-2-methylphenol Chemical compound C1=C(O)C(C)=CC(S(=O)C=2C=C(C)C(O)=CC=2)=C1 JWXGVUCKVZVSQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZGQHKSLKRFZFL-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxyphenoxy)phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1OC1=CC=C(O)C=C1 NZGQHKSLKRFZFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDEQXFQEJZFWNA-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-bromophenyl)-(4-hydroxyphenyl)methyl]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C=1C=CC(Br)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 MDEQXFQEJZFWNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJSGQDFHZUWQES-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-chlorophenyl)-(4-hydroxyphenyl)methyl]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C=1C=CC(Cl)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 IJSGQDFHZUWQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHUGQNPASAGFGP-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-fluorophenyl)-(4-hydroxyphenyl)methyl]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C=1C=CC(F)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 AHUGQNPASAGFGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEVIXTQYIIKFSM-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-hydroxy-2,3,6-trimethylphenyl)-phenylmethyl]-2,3,5-trimethylphenol Chemical compound CC1=CC(O)=C(C)C(C)=C1C(C=1C(=C(C)C(O)=CC=1C)C)C1=CC=CC=C1 UEVIXTQYIIKFSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBBWYWBCXCFATG-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-hydroxy-2,6-dimethylphenyl)-phenylmethyl]-3,5-dimethylphenol Chemical compound CC1=CC(O)=CC(C)=C1C(C=1C(=CC(O)=CC=1C)C)C1=CC=CC=C1 UBBWYWBCXCFATG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNCYFKUQOKAIEA-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-hydroxy-3-methylphenyl)-phenylmethyl]-2-methylphenol Chemical compound C1=C(O)C(C)=CC(C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C(O)=CC=2)=C1 PNCYFKUQOKAIEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIFGCULLADMRTF-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-hydroxy-3-methylphenyl)methyl]-2-methylphenol Chemical compound C1=C(O)C(C)=CC(CC=2C=C(C)C(O)=CC=2)=C1 MIFGCULLADMRTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNSZIOPICMBKJK-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-hydroxy-3-phenylphenyl)-phenylmethyl]-2-phenylphenol Chemical compound OC1=CC=C(C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C(O)=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1C1=CC=CC=C1 SNSZIOPICMBKJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BATCUENAARTUKW-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-hydroxyphenyl)-diphenylmethyl]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C=1C=CC(O)=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 BATCUENAARTUKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSSGMIIGVQRGDS-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-hydroxyphenyl)-phenylmethyl]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=CC=C1 RSSGMIIGVQRGDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMNLWVVVDFQANH-UHFFFAOYSA-N 4-[1-(4-hydroxy-3-methylphenyl)-1-phenylethyl]-2-methylphenol Chemical compound C1=C(O)C(C)=CC(C(C)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C(O)=CC=2)=C1 MMNLWVVVDFQANH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDGXPHFWSPGAIB-UHFFFAOYSA-N 4-[1-(4-hydroxy-3-methylphenyl)ethyl]-2-methylphenol Chemical compound C=1C=C(O)C(C)=CC=1C(C)C1=CC=C(O)C(C)=C1 XDGXPHFWSPGAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZEBECRWRATTQK-UHFFFAOYSA-N 4-[1-(4-hydroxy-3-phenylphenyl)-1-phenylethyl]-2-phenylphenol Chemical compound C=1C=C(O)C(C=2C=CC=CC=2)=CC=1C(C=1C=C(C(O)=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(C)C1=CC=CC=C1 GZEBECRWRATTQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCDFWULUIVXACG-UHFFFAOYSA-N 4-[1-(4-hydroxyphenyl)-1-(4-nitrophenyl)ethyl]phenol Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C=1C=CC(=CC=1)[N+]([O-])=O)(C)C1=CC=C(O)C=C1 XCDFWULUIVXACG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNMNEYFYZTUKLS-UHFFFAOYSA-N 4-[1-(4-hydroxyphenyl)-1-phenylpropyl]phenol Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C=1C=CC(O)=CC=1)(CC)C1=CC=CC=C1 CNMNEYFYZTUKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVVCSFQRAXVPGT-UHFFFAOYSA-N 4-[1-(4-hydroxyphenyl)cyclopentyl]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)CCCC1 OVVCSFQRAXVPGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHJPJZROUNGTRJ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxyphenyl)octan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(CCCCCC)C1=CC=C(O)C=C1 QHJPJZROUNGTRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004203 4-hydroxyphenyl group Chemical group [H]OC1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- YWFPGFJLYRKYJZ-UHFFFAOYSA-N 9,9-bis(4-hydroxyphenyl)fluorene Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 YWFPGFJLYRKYJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOWWYDCFAISREI-UHFFFAOYSA-N Bisphenol AP Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C=1C=CC(O)=CC=1)(C)C1=CC=CC=C1 VOWWYDCFAISREI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTVITOHKHWFJKO-UHFFFAOYSA-N Bisphenol B Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(CC)C1=CC=C(O)C=C1 HTVITOHKHWFJKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIXXQTYGFOHYPT-UHFFFAOYSA-N Bisphenol P Chemical compound C=1C=C(C(C)(C)C=2C=CC(O)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 GIXXQTYGFOHYPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N Cyclopropane Chemical compound C1CC1 LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012695 Interfacial polymerization Methods 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOOMLFKONHCLCJ-UHFFFAOYSA-N N-(trimethylsilyl)diethylamine Chemical compound CCN(CC)[Si](C)(C)C JOOMLFKONHCLCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229920000491 Polyphenylsulfone Polymers 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- NOKSMMGULAYSTD-UHFFFAOYSA-N [SiH4].N=C=O Chemical class [SiH4].N=C=O NOKSMMGULAYSTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEGHITPVRNZWSI-UHFFFAOYSA-N [[bis(trimethylsilyl)amino]-dimethylsilyl]methane Chemical compound C[Si](C)(C)N([Si](C)(C)C)[Si](C)(C)C PEGHITPVRNZWSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLFZXEWJEUGNQC-UHFFFAOYSA-N [methyl-(silylamino)silyl]methane Chemical compound C[SiH](C)N[SiH3] JLFZXEWJEUGNQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- 229940045713 antineoplastic alkylating drug ethylene imines Drugs 0.000 description 1
- 101150059062 apln gene Proteins 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- MRIWRLGWLMRJIW-UHFFFAOYSA-N benzyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)CC1=CC=CC=C1 MRIWRLGWLMRJIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWKBGEYSGDAPGY-UHFFFAOYSA-N bis(4-hydroxy-3-methylphenyl)methanone Chemical compound C1=C(O)C(C)=CC(C(=O)C=2C=C(C)C(O)=CC=2)=C1 KWKBGEYSGDAPGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDWYFWIBTZJGOR-UHFFFAOYSA-N bis(trimethylsilyl)acetylene Chemical group C[Si](C)(C)C#C[Si](C)(C)C ZDWYFWIBTZJGOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNZSPXKCIAAEJK-UHFFFAOYSA-N bis(trimethylsilyl)methyl-trimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C([Si](C)(C)C)[Si](C)(C)C BNZSPXKCIAAEJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;molecular oxygen Chemical compound O=O.O=C=O UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- VMFHCJPMKUTMMQ-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-2,4-dien-1-yl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C1C=CC=C1 VMFHCJPMKUTMMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N diethyl(dimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](CC)(OC)OC VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIKHZBFJHONJJB-UHFFFAOYSA-N dimethyl(phenyl)silicon Chemical compound C[Si](C)C1=CC=CC=C1 OIKHZBFJHONJJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDSFBVVBFMKMRF-UHFFFAOYSA-N dimethyl-bis(prop-2-enyl)silane Chemical compound C=CC[Si](C)(C)CC=C ZDSFBVVBFMKMRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZFNONVXCZVHRD-UHFFFAOYSA-N dimethylamino(dimethyl)silicon Chemical compound CN(C)[Si](C)C KZFNONVXCZVHRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- JTGAUXSVQKWNHO-UHFFFAOYSA-N ditert-butylsilicon Chemical compound CC(C)(C)[Si]C(C)(C)C JTGAUXSVQKWNHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=C GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052945 inorganic sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- DLNFKXNUGNBIOM-UHFFFAOYSA-N methyl(silylmethyl)silane Chemical compound C[SiH2]C[SiH3] DLNFKXNUGNBIOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- KSVMTHKYDGMXFJ-UHFFFAOYSA-N n,n'-bis(trimethylsilyl)methanediimine Chemical compound C[Si](C)(C)N=C=N[Si](C)(C)C KSVMTHKYDGMXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSMNRKGGHXLZEC-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(trimethylsilyl)methanamine Chemical compound C[Si](C)(C)N(C)[Si](C)(C)C ZSMNRKGGHXLZEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIRXZHKWFHIBOF-UHFFFAOYSA-N n-(dimethylamino-ethenyl-methylsilyl)-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C=C)N(C)C FIRXZHKWFHIBOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QULMGWCCKILBTO-UHFFFAOYSA-N n-[dimethylamino(dimethyl)silyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)N(C)C QULMGWCCKILBTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGAVXENYOVMGDJ-UHFFFAOYSA-N n-[ethylamino(dimethyl)silyl]ethanamine Chemical compound CCN[Si](C)(C)NCC NGAVXENYOVMGDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- DFFZOPXDTCDZDP-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,5-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1C(O)=O DFFZOPXDTCDZDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-dicarboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 description 1
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N pentamethylene Natural products C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009512 pharmaceutical packaging Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005906 polyester polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical group CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical class [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XVYIJOWQJOQFBG-UHFFFAOYSA-N triethoxy(fluoro)silane Chemical compound CCO[Si](F)(OCC)OCC XVYIJOWQJOQFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000025 triisopropylsilyl group Chemical group C(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)* 0.000 description 1
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTDRTOYQXRJJTE-UHFFFAOYSA-N trimethyl(4-trimethylsilylbuta-1,3-dienyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=CC=C[Si](C)(C)C KTDRTOYQXRJJTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXFSUVJPEQYUGN-UHFFFAOYSA-N trimethyl(phenyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C1=CC=CC=C1 KXFSUVJPEQYUGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCGLONGLPGISNX-UHFFFAOYSA-N trimethyl(prop-1-ynyl)silane Chemical compound CC#C[Si](C)(C)C DCGLONGLPGISNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYWCXWRMUZYRPH-UHFFFAOYSA-N trimethyl(prop-2-enyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)CC=C HYWCXWRMUZYRPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULYLMHUHFUQKOE-UHFFFAOYSA-N trimethyl(prop-2-ynyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)CC#C ULYLMHUHFUQKOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYIODRUWWNNGPI-UHFFFAOYSA-N trimethyl(trimethylsilylmethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C[Si](C)(C)C GYIODRUWWNNGPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIOVKLKJSOKLIF-HJWRWDBZSA-N trimethylsilyl (1z)-n-trimethylsilylethanimidate Chemical compound C[Si](C)(C)OC(/C)=N\[Si](C)(C)C SIOVKLKJSOKLIF-HJWRWDBZSA-N 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- CWMFRHBXRUITQE-UHFFFAOYSA-N trimethylsilylacetylene Chemical group C[Si](C)(C)C#C CWMFRHBXRUITQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N tris(dimethylamino)silicon Chemical compound CN(C)[Si](N(C)C)N(C)C GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCHZCUMIENIQMY-UHFFFAOYSA-N tris(trimethylsilyl)silicon Chemical compound C[Si](C)(C)[Si]([Si](C)(C)C)[Si](C)(C)C SCHZCUMIENIQMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/04—Coating
- C08J7/048—Forming gas barrier coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/04—Coating
- C08J7/0427—Coating with only one layer of a composition containing a polymer binder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/04—Coating
- C08J7/043—Improving the adhesiveness of the coatings per se, e.g. forming primers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/12—Chemical modification
- C08J7/123—Treatment by wave energy or particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/48—Ion implantation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2369/00—Characterised by the use of polycarbonates; Derivatives of polycarbonates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2381/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen, or carbon only; Polysulfones; Derivatives of such polymers
- C08J2381/06—Polysulfones; Polyethersulfones
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2483/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
- C08J2483/16—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31667—Next to addition polymer from unsaturated monomers, or aldehyde or ketone condensation product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
例えば、食品や医薬品の包装用フィルムには、蛋白質や油脂等の酸化や変質を抑制して味や鮮度を保持するため、水蒸気や酸素の透過を防ぐガスバリア性のプラスチックフィルムが用いられている。また、近年、液晶ディスプレイやエレクトロルミネッセンス(EL)ディスプレイ等のディスプレイには、薄型化、軽量化、フレキシブル化等を実現するために、電極を有する基板として、ガラス板に代えて透明プラスチックフィルムを用いることが検討されている。
(1)基材層と、該基材層の少なくとも片面にガスバリア層とを有するガスバリアフィルムであって、
前記基材層が、ガラス転移温度(Tg)が130℃超の樹脂を含み、
前記ガスバリア層が、少なくとも、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成され、その表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が60〜75%、窒素原子の存在割合が0〜10%、ケイ素原子の存在割合が25〜35%であり、かつ、該表層部における膜密度が、2.4〜4.0g/cm3であるガスバリアフィルム。
(3)前記ガスバリア層が、ポリシラザン化合物を含む層にイオンが注入されて得られるものであることを特徴とする(1)又は(2)に記載のガスバリアフィルム。
(5)前記ガスバリア層が、ポリシラザン化合物を含む層に、プラズマイオン注入法により、イオンが注入されて得られるものであることを特徴とする(3)又は(4)に記載のガスバリアフィルム。
(7)前記基材層が、ポリサルフォン系樹脂、ポリアリレート系樹脂及び脂環式炭化水素樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂を含むことを特徴とする、(1)〜(6)のいずれかに記載のガスバリアフィルム。
(8)ヘイズ値が8.0%以下であることを特徴とする、(1)〜(7)のいずれかに記載のガスバリアフィルム。
(9)前記(2)〜(8)のいずれかに記載のガスバリアフィルムの製造方法であって、
ガラス転移温度(Tg)が130℃超の樹脂からなる基材層上に、ポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、イオンを注入する工程を有するガスバリアフィルムの製造方法。
(10)ガラス転移温度(Tg)が130℃超の樹脂からなる基材層上に、ポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスをイオン注入する工程を有する(9)に記載のガスバリアフィルムの製造方法。
(12)前記(1)〜(8)のいずれかに記載のガスバリアフィルムからなる電子デバイス用部材。
本発明の第4によれば、下記(13)の電子デバイスが提供される。
(13)前記(12)に記載の電子デバイス用部材を備える電子デバイス。
本発明の製造方法によれば、ガスバリア性、透明性、耐折り曲げ性及び耐熱性の全てに優れる本発明のガスバリアフィルムを、簡便かつ効率よく製造することができる。また、無機膜成膜に比して低コストにて容易に大面積化を図ることができる。
本発明の電子デバイス用部材は、優れた、ガスバリア性、透明性、耐折り曲げ性及び耐熱性を有する本発明のガスバリアフィルムからなるものであるため、タッチパネル、電子ペーパー、有機・無機ELのフレキシブルディスプレイ、太陽電池等の電子デバイス等に好適に用いることができる。
本発明のガスバリアフィルムは、基材層と、該基材層の少なくとも片面にガスバリア層とを有するガスバリアフィルムであって、前記基材層が、ガラス転移温度(Tg)が130℃超の樹脂を含み、前記ガスバリア層が、少なくとも、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成され、その表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が60〜75%、窒素原子の存在割合が0〜10%、ケイ素原子の存在割合が25〜35%であり、かつ、該表層部における膜密度が、2.4〜4.0g/cm3であることを特徴とする。
本発明のガスバリアフィルムは、ガラス転移温度(Tg)が130℃超の樹脂を含む基材層を有する。
前記基材層の素材は、ガラス転移温度が130℃超(130℃より大きい)の樹脂を含むものであれば、特に制限されない。前記基材層を構成する樹脂のガラス転移温度は、本発明のより優れた効果を得る観点から、135℃以上であるのが好ましく、150℃以上であるのがより好ましい。このようなガラス転移温度を有する樹脂を基材の素材として用いることで、優れた、ガスバリア性、透明性及び耐折り曲げ性に加えて、耐熱性にも優れるガスバリアフィルムを得ることができる。
これらの樹脂は、一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
また、市販品(フィルム)をそのまま基材層として用いてもよい。
本発明のガスバリアフィルムは、前記基材層上にガスバリア層を有する。
該ガスバリア層は、下記(a)〜(c)の特徴を有する。
(a)少なくとも、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなる。
(b)表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が60〜75%、好ましくは、60〜72%、より好ましくは、63〜70%、窒素原子の存在割合が0〜10%、好ましくは、0.1〜8%、より好ましくは、0.1〜6%、ケイ素原子の存在割合が25〜35%、好ましくは、27〜35%、より好ましくは、29〜32%である。
(c)表層部における膜密度が、2.4〜4.0g/cm3である。
表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合は、実施例において説明する方法で測定される。
X線は、基板上の薄膜に対して非常に浅い角度で入射させると全反射される。入射X線の角度が全反射臨界角以上になると、薄膜内部にX線が侵入し薄膜表面や界面で透過波と反射波に分かれ、反射波は干渉する。全反射臨界角を解析することで、膜の密度を求めることができる。なお、入射角度を変えながら測定を行い、光路差の変化に伴う反射波の干渉信号の解析から、薄膜の膜厚も求めることができる。
膜密度は、以下の方法で測定することができる。
一般に、X線に対する物質の屈折率n、及び屈折率nの実部部分のδは、以下の式1及び式2をみたすことが知られている。
ガスバリア層の表層部における膜密度は、実施例において説明する方法で測定し、式4を用いて得られる。
本発明においては、ガスバリ層がナノオーダーであっても、充分なガスバリア性能を有する成形体を得ることができる。
式(1)中、nは任意の自然数を表す。
Rx、Ry、Rzは、それぞれ独立して、水素原子、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基又はアルキルシリル基等の非加水分解性基を表す。
無機ポリシラザンとしては、下記
(i)−(Rx’SiHNH)−(Rx’は、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基、又はアルキルシリル基を表す。以下のRx’も同様である。)を繰り返し単位として、主として重合度が3〜5の環状構造を有するもの、
(ii)−(Rx’SiHNRz’)−(Rz’は、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基、又はアルキルシリル基を表す。)を繰り返し単位として、主として重合度が3〜5の環状構造を有するもの、
(iii)−(Rx’Ry’SiNH)−(Ry’は、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基、又はアルキルシリル基を表す。)を繰り返し単位として、主として重合度が3〜5の環状構造を有するもの、
(iv)下記式で表される構造を分子内に有するポリオルガノ(ヒドロ)シラザン、
で表される繰り返し構造を有するポリシラザン等が挙げられる。
用いる2級アミン、アンモニア及び1級アミンは、目的とするポリシラザン化合物の構造に応じて、適宜選択すればよい。
本発明においては、前記のような高温で加熱乾燥しても、また、たとえ基材層の厚みが薄い場合であっても、基材層がカールしたり収縮したり、白濁したり、可塑剤等を用いた場合であっても可塑剤等がはみ出して透明性が低下することがない。
本発明においては、ポリシラザン層の厚みがナノオーダーであっても、充分なガスバリア性能を有するガスバリアフィルムを得ることができる。
イオンの注入量は、形成するガスバリアフィルムの使用目的(必要なガスバリア性、透明性等)等に合わせて適宜決定すればよい。
メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類のイオン;エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類のイオン;ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類のイオン;アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類のイオン;ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類のイオン;シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類のイオン;シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類のイオン;(炭化水素のイオン)
シラン(SiH4)、有機ケイ素化合物等のケイ素化合物のイオン;等が挙げられる。
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリメトキシシラン等の無置換若しくは置換基を有するアルキルアルコキシシラン;
ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のアリールアルコキシシラン;
ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)等のジシロキサン;
ビス(ジメチルアミノ)ジメチルシラン、ビス(ジメチルアミノ)メチルビニルシラン、ビス(エチルアミノ)ジメチルシラン、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、テトラキスジメチルアミノシラン、トリス(ジメチルアミノ)シラン等のアミノシラン;
ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、テトラメチルジシラザン等のシラザン;
テトライソシアナートシラン等のイソシアナートシラン;
トリエトキシフルオロシラン等のハロゲノシラン;
ジアリルジメチルシラン、アリルトリメチルシラン等のアルケニルシラン;
ジ−t−ブチルシラン、1,3−ジシラブタン、ビス(トリメチルシリル)メタン、テトラメチルシラン、トリス(トリメチルシリル)メタン、トリス(トリメチルシリル)シラン、ベンジルトリメチルシラン等の無置換若しくは置換基を有するアルキルシラン;
ビス(トリメチルシリル)アセチレン、トリメチルシリルアセチレン、1−(トリメチルシリル)−1−プロピン等のシリルアルキン;
1,4−ビストリメチルシリル−1,3−ブタジエン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン等のシリルアルケン;
フェニルジメチルシラン、フェニルトリメチルシラン等のアリールアルキルシラン;
プロパルギルトリメチルシラン等のアルキニルアルキルシラン;
ビニルトリメチルシラン等のアルケニルアルキルシラン;
ヘキサメチルジシラン等のジシラン;
オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン等のシロキサン;
N,O−ビス(トリメチルシリル)アセトアミド;
ビス(トリメチルシリル)カルボジイミド;
等が挙げられる。
これらのイオンは一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
他の層としては、例えば、無機薄膜層、導電体層、衝撃吸収層、プライマー層等が挙げられる。
無機化合物としては、一般的に真空成膜可能で、ガスバリア性を有するもの、例えば無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物、無機硫化物、これらの複合体である無機酸化窒化物、無機酸化炭化物、無機窒化炭化物、無機酸化窒化炭化物等が挙げられる。
また、粘着剤、コート剤、封止剤等として市販されているものを使用することもでき、特に、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤等の粘着剤が好ましい。
また、別途、剥離基材上に衝撃吸収層を成膜し、得られた膜を、積層すべき層上に転写して積層してもよい。
衝撃吸収層の厚みは、通常1〜100μm、好ましくは5〜50μmである。
なお、ガスバリアフィルムの水蒸気透過率は、公知のガス透過率測定装置を使用して測定することができる。
ヘイズ値は、公知のヘイズメーターにより測定することができる。本発明においては、実施例において説明する方法で測定される。
本発明のガスバリアフィルムの製造方法は、ガラス転移温度(Tg)が130℃超の樹脂を含む基材層上に、ポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、イオンを注入する工程を有する。
プラズマイオン注入装置としては、具体的には、(α)ポリシラザン層(以下、「イオン注入する層」ということがある。)に負の高電圧パルスを印加するフィードスルーに高周波電力を重畳してイオン注入する層の周囲を均等にプラズマで囲み、プラズマ中のイオンを誘引、注入、衝突、堆積させる装置(特開2001−26887号公報)、(β)チャンバー内にアンテナを設け、高周波電力を与えてプラズマを発生させてイオン注入する層周囲にプラズマが到達後、イオン注入する層に正と負のパルスを交互に印加することで、正のパルスでプラズマ中の電子を誘引衝突させてイオン注入する層を加熱し、パルス定数を制御して温度制御を行いつつ、負のパルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させる装置(特開2001−156013号公報)、(γ)マイクロ波等の高周波電力源等の外部電界を用いてプラズマを発生させ、高電圧パルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させるプラズマイオン注入装置、(δ)外部電界を用いることなく高電圧パルスの印加により発生する電界のみで発生するプラズマ中のイオンを注入するプラズマイオン注入装置等が挙げられる。
以下、前記(γ)及び(δ)のプラズマイオン注入装置を用いる方法については、国際公開WO2010/021326号公報に記載のものが挙げられる。
本発明の電子デバイス用部材は、本発明のガスバリアフィルムからなることを特徴とする。従って、本発明の電子デバイス用部材は、優れたガスバリア性を有しているので、水蒸気等のガスによる素子の劣化を防ぐことができる。また、光の透過性が高く、耐熱性に優れるので、タッチパネル、液晶ディスプレイ、ELディスプレイ等のディスプレイ部材;太陽電池用バックシート;等として好適である。
本発明の電子デバイスは、本発明のガスバリアフィルムからなる電子デバイス用部材を備えているので、優れたガスバリア性、透明性、耐折り曲げ性及び耐熱性を有する。
下記に示す測定条件にて、ガスバリア層(イオン注入されて得られた層)の表層部における酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合の測定を行った。
測定装置:「PHI Quantera SXM」アルバックファイ社製
X線源:AlKα
X線ビーム径:100μm
電力値:25W
電圧:15kV
取り出し角度:45°
真空度:5.0×10−8Pa
ガスバリア層の表層部における膜密度は、下記に示す測定条件にてX線の反射率を測定して全反射臨界角度θcを求め、その値から、前記式(4)を用いて算出した。
測定装置:薄膜評価用試料水平型X線回折装置「SmartLab」株式会社リガク製
測定条件:
X線源;Cu−Kα1(波長:1.54059Å)
光学系;並行ビーム光学系
入射側スリット系;Ge(220)2結晶、高さ制限スリット5mm、入射スリッ ト0.05mm
受光側スリット系;受光スリット 0.10mm、ソーラースリット 5°
検出器;シンチレーションカウンター
管電圧・管電流;45kV−200mA
走査軸;2θ/θ
走査モード;連続スキャン
走査範囲;0.1−3.0deg.
走査速度;1deg./min.
サンプリング間隔;0.002°/step
なお、原子数比(xi)は、X線光電子分光測定により得られたガスバリア層の表層部における酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合を用いた。
RF電源:日本電子社製、型番号「RF」56000
高電圧パルス電源:栗田製作所社製、「PV−3−HSHV−0835」
水蒸気透過率測定装置:mocon社製、「PERMATRAN−W3/33」
測定条件:相対湿度90%、40℃
ガスバリアフィルムおよび、ポリシラザン層を形成する前の基材層単体のヘイズ値は、JIS K7105に準拠し、積分球式光線透過率測定装置(日本電色工業社製,NDH−2000)を用いて、拡散透過率(Td%)及び全光線透過率(Tt%)を測定した。また、ヘイズ値(%)を、下記式にて算出した。結果を表1に示す。
得られたガスバリアフィルムのイオンを注入した面(比較例1はポリシラザン層側、比較例3は窒化ケイ素膜側)を外側にし、中央部分で半分に折り曲げてラミネーター(フジプラ社製、「LAMIPACKER LPC1502」)の2本のロール間を、ラミネート速度5m/min、温度23℃の条件で通した。
尚、上記折り曲げ試験は、ガスバリアフィルムの内側に1mm厚の台紙を介在させて行った。
(i)基材層の作製
ポリサルフォン系樹脂のペレット(BASF社製、製品名「ウルトラゾーン S3010」、Tg=187℃)を、1,3−ジオキソランに溶解し、30重量%のポリサルフォン溶液を調製した。この溶液を、ポリエチレンテレフタレートフィルム(東洋紡社製、製品名「コスモシャイン PET50 A−4100」、以下、「PETフィルム」という。)の易接面と反対側の面に塗布し、形成された塗膜を60℃で8時間、次いで150℃で3時間加熱乾燥した。その後、PETフィルムを剥離して膜厚60μmのポリサルフォンフィルム(下記第1表中、フィルム「A」という。)を得た。
作製したポリサルフォンフィルム上に、ペルヒドロポリシラザンを主成分とするコーティング剤(製品名「アクアミカNL110A−20」、クラリアントジャパン社製)をスピンコートにより塗布し、130℃で1分間加熱して厚さ60nmのポリシラザン層(下記第1表において、ポリシラザン層「A」という。)を形成して成形物を得た。得られた成形物を、プラズマイオン注入装置を用いてポリシラザン層の表面に、アルゴン(Ar)をプラズマイオン注入してガスバリアフィルム1を作製した。
・ガス流量:100sccm
・Duty比:0.5%
・繰り返し周波数:1000Hz
・印加電圧:−10kV
・RF電源:周波数 13.56MHz、印加電力 1000W
・チャンバー内圧:0.2Pa
・パルス幅:5μsec
・処理時間(イオン注入時間):5分間
・搬送速度:0.2m/min
実施例1において、成形物を得る際の130℃での加熱時間を1分間から5分間に変更した以外は、実施例1と同様にしてガスバリアフィルム2を作製した。
実施例2において、形成するポリシラザン層の厚さを60nmから100nmとした以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム3を作製した。
実施例2において、形成するポリシラザン層の厚さを60nmから150nmとした以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム4を作製した。
実施例1において、130℃での加熱時間を1分間から20分間に変更した以外は、実施例1と同様にしてガスバリアフィルム5を作製した。
実施例2において、プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えて窒素(N2)を用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム6を作製した。
実施例2において、イオン注入を行う際の印加電圧を−10kVに変えて−5kVとした以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム7を作製した。
実施例2において、イオン注入を行う際の印加電圧を−10kVに変えて−15kVとした以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム8を作製した。
実施例2において、ポリシラザン層「A」の変わりに、飽和炭化水素基を有するオルガノポリシラザン化合物の混合物を主成分とするコーティング材(クラリアントジャパン社製、製品名「tutoProm Bright」)を用いた以外は、実施例2と同様にしてポリシラザン層(下記第1表において、ポリシラザン層「B」という。)を形成してガスバリアフィルム9を作製した。
実施例2において、プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えて水素(H2)を用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム10を作製した。
実施例2において、プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えて酸素(O2)を用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム11を作製した。
実施例2において、プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えてヘリウム(He)を用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム12を作製した。
実施例2において、プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えてネオン(Ne)を用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム13を作製した。
実施例2において、プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えてキセノン(Xe)を用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム14を作製した。
実施例2において、プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えてクリプトン(Kr)を用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム15を作製した。
(i)基材層の作製
ポリカーボネート樹脂のペレット(出光興産社製、製品名「タフロン LC1700」、Tg=145℃)をジクロロメタンに溶解し、10重量%のポリカーボネート溶液を調製した。この溶液を、PETフィルムに塗布し、形成された塗膜を60℃で8時間、次いで130℃で3時間加熱乾燥した。その後、PETフィルムを剥離して膜厚50μmのポリカーボネートフィルム(下記第1表中、フィルム「B」という。)を得た。
実施例2において、基材としてポリサルフォンフィルムに変えて上記ポリカーボネートフィルムを用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム16を作製した。
(i)基材層の作製
ポリアリレート系樹脂のペレット(ユニチカ社製、製品名「UポリマーU−1001A」、Tg=195℃)をジクロロメタンに溶解し、15重量%のポリアリレート溶液を調製した。この溶液をPETフィルムに塗布し、形成された塗膜を60℃で8時間、次いで150℃で3時間加熱乾燥した。その後、PETフィルムを剥離して膜厚50ミクロンのポリアリレートフィルム(下記第1表中、フィルム「C」という。)を得た。
(ii)ガスバリア層の作製
実施例2において、基材としてポリサルフォンフィルムに変えて上記ポリアリレートフィルムを用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム17を作製した。
実施例2において、基材としてポリサルフォンフィルムに変えて脂環式炭化水素樹脂フィルム(ゼオン化成社製、製品名「ゼオノアZF16」膜厚100「μm」、Tg=155℃、下記第1表中、フィルム「D」という。)を用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム18を作製した。
実施例1において、イオン注入を行わない以外は、実施例1と同様にしてガスバリアフィルムを作製した。すなわち、ポリサルフォンフィルム上にポリシラザン層を形成し、ガスバリアフィルム1rとした。
実施例1において、ポリサルフォンフィルム上にポリシラザン層を形成しない以外は、実施例1と同様にしてガスバリアフィルムを作製した。すなわち、ポリサルフォンフィルムの表面にアルゴンをプラズマイオン注入してガスバリアフィルム2rとした。
ポリサルフォンフィルムに、スパッタリング法により、厚さ60nmの窒化ケイ素(SiN)の膜を設け、ガスバリアフィルム3rを作製した。
実施例2において、ポリシラザン層に、イオン注入する代わりに、アルゴン(Ar)をプラズマ生成ガスとして用いてプラズマ処理を行い、ガスバリアフィルム4rを作製した。プラズマ処理は、実施例で用いた装置の印加電圧を0kVとしてプラズマイオン注入が起きない状態で行った。
実施例2において、基材としてポリサルフォンフィルムに変えてポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ社製、製品名「PET50T−61M」、厚さ50μm、Tg=70℃、下記第1表中、フィルム「E」という。)を用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム5rを作製した。
(i)基材層の作製
ポリメチルメタクリレート粉体(アルドリッチ社製、Tg=110℃)をメチルエチルケトンとトルエンの混合溶媒(重量比:50:50)に溶解し、20重量%のポリメチルメタクリレート溶液を調製した。この溶液をPETフィルムに塗布し、形成された塗膜を60℃で8時間、次いで110℃で3時間加熱乾燥した。その後、PETフィルムを剥離して膜厚55μmのポリメチルメタクリレートフィルム(下記第1表中、フィルム「F」という。)を得た。
実施例2において、基材としてポリサルフォンフィルムに変えてポリメチルメタクリレートフィルムを用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム6rを作製した。
さらに、得られたガスバリアフィルム1〜18、1r〜6rにつき、ガスバリア層の表層部における酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合、並びに膜密度を測定した。その結果を第1表に示す。
実施例及び比較例のガスバリアフィルム1〜18、1r〜6rにつき、折り曲げ試験前後の水蒸気透過率を測定した。さらに、折り曲げ試験後のクラックの発生 の有無を目視にて観察した。クラックの発生が見られた場合を「あり」、クラックの発生が見られなかった場合を「なし」と評価した。
また、実施例及び比較例につき、ポリシラザン層形成前の基材層単体のヘイズ値、得られたガスバリアフィルム1〜18、1r〜6rのヘイズ値を測定した。その結果を下記第2表に示す。
また、実施例1〜18は、比較例5、6に比べて、ポリシラザン層の形成前と形成後においてヘイズ値の上昇が少なく、ポリシラザン層の形成する際の乾燥時の加熱においても基材層が白濁したりすることがなく、透明性に優れており、耐熱性があることがわかった。
Claims (13)
- 基材層と、該基材層の少なくとも片面にガスバリア層とを有するガスバリアフィルムであって、
前記基材層が、ガラス転移温度(Tg)が130℃超の樹脂を含み、
前記ガスバリア層が、少なくとも、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成され、その表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が60〜75%、窒素原子の存在割合が0〜10%、ケイ素原子の存在割合が25〜35%であり、かつ、該表層部における膜密度が、2.4〜4.0g/cm3であるガスバリアフィルム。 - 前記ガスバリア層を構成する材料が、ポリシラザン化合物を含むことを特徴とする請求項1に記載のガスバリアフィルム。
- 前記ガスバリア層が、ポリシラザン化合物を含む層にイオンが注入されて得られるものであることを特徴とする請求項1又は2に記載のガスバリアフィルム。
- 前記イオンが、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスがイオン化されたものであることを特徴とする請求項3に記載のガスバリアフィルム。
- 前記ガスバリア層が、ポリシラザン化合物を含む層に、プラズマイオン注入法により、イオンが注入されて得られるものであることを特徴とする請求項3又は4に記載のガスバリアフィルム。
- 前記ポリシラザン化合物が、ペルヒドロポリシラザンであることを特徴とする請求項2〜5のいずれかに記載のガスバリアフィルム。
- 前記基材層が、ポリサルフォン系樹脂、ポリアリレート系樹脂及び脂環式炭化水素樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂を含むことを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載のガスバリアフィルム。
- ヘイズ値が8.0%以下であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のガスバリアフィルム。
- 請求項2〜8のいずれかに記載のガスバリアフィルムの製造方法であって、
ガラス転移温度(Tg)が130℃超の樹脂からなる基材層上に、ポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、イオンを注入する工程を有するガスバリアフィルムの製造方法。 - ガラス転移温度(Tg)が130℃超の樹脂からなる基材層上に、ポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスをイオン注入する工程を有する請求項9に記載のガスバリアフィルムの製造方法。
- ガラス転移温度(Tg)が130℃超の樹脂からなる基材層上に、ポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスを、プラズマイオン注入法により、イオン注入する工程を有する請求項9に記載のガスバリアフィルムの製造方法。
- 請求項1〜8のいずれかに記載のガスバリアフィルムからなる電子デバイス用部材。
- 請求項12に記載の電子デバイス用部材を備える電子デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012535023A JP5326052B2 (ja) | 2010-09-21 | 2011-09-16 | ガスバリアフィルム、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010211056 | 2010-09-21 | ||
JP2010211056 | 2010-09-21 | ||
JP2012535023A JP5326052B2 (ja) | 2010-09-21 | 2011-09-16 | ガスバリアフィルム、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
PCT/JP2011/071203 WO2012039355A1 (ja) | 2010-09-21 | 2011-09-16 | ガスバリアフィルム、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5326052B2 true JP5326052B2 (ja) | 2013-10-30 |
JPWO2012039355A1 JPWO2012039355A1 (ja) | 2014-02-03 |
Family
ID=45873842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012535023A Active JP5326052B2 (ja) | 2010-09-21 | 2011-09-16 | ガスバリアフィルム、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8846200B2 (ja) |
EP (1) | EP2620278B1 (ja) |
JP (1) | JP5326052B2 (ja) |
KR (1) | KR101943117B1 (ja) |
CN (1) | CN103201109B (ja) |
TW (1) | TWI457235B (ja) |
WO (1) | WO2012039355A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103582559B (zh) * | 2011-09-08 | 2015-09-09 | 琳得科株式会社 | 改性聚硅氮烷膜及隔气膜的制造方法 |
FR2980394B1 (fr) * | 2011-09-26 | 2013-10-18 | Commissariat Energie Atomique | Structure multicouche offrant une etancheite aux gaz amelioree |
WO2013108487A1 (ja) | 2012-01-20 | 2013-07-25 | リンテック株式会社 | ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法 |
KR102039390B1 (ko) | 2012-02-21 | 2019-11-04 | 린텍 가부시키가이샤 | 유기 전자 소자 및 유기 전자 소자의 제조 방법 |
JP6078051B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2017-02-08 | リンテック株式会社 | ガスバリアフィルム積層体、電子デバイス用部材、及び電子デバイス |
WO2013175911A1 (ja) * | 2012-05-21 | 2013-11-28 | リンテック株式会社 | ガスバリアシートおよびガスバリアシートの製造方法 |
CN104379347B (zh) * | 2012-05-21 | 2016-11-02 | 第一毛织株式会社 | 显示元件及其制造方法 |
WO2013175910A1 (ja) * | 2012-05-21 | 2013-11-28 | リンテック株式会社 | ガスバリア積層体、およびガスバリア積層体の製造方法 |
CN105102216B (zh) * | 2013-03-29 | 2017-09-29 | 琳得科株式会社 | 层叠体及其制造方法、电子设备用部件、以及电子设备 |
KR101676522B1 (ko) * | 2013-11-29 | 2016-11-15 | 제일모직주식회사 | 가스 배리어 필름 및 그 제조방법 |
JP6402518B2 (ja) * | 2014-07-16 | 2018-10-10 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルムおよびその製造方法、ならびにこれを用いた電子デバイス |
KR102387751B1 (ko) | 2015-03-11 | 2022-04-15 | 삼성전자주식회사 | 배리어 필름 및 이를 포함하는 양자점-폴리머 복합체 물품 |
KR102204854B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2021-01-19 | 다이킨 고교 가부시키가이샤 | 표면 처리제 및 해당 표면 처리제로 형성된 층을 포함하는 물품 |
KR20200062162A (ko) | 2017-10-20 | 2020-06-03 | 린텍 가부시키가이샤 | 가스 배리어 필름용 기재, 가스 배리어 필름, 전자 디바이스용 부재, 및 전자 디바이스 |
KR20230161971A (ko) * | 2021-03-25 | 2023-11-28 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 가스 배리어 필름 및 가스 배리어 필름 제조 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000246830A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-12 | Gunze Ltd | シリカ被覆プラスティックフィルム及びその製造方法 |
JP2002105676A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-04-10 | Contamination Control Service:Kk | コーティング膜とそれが施された部材及びコーティング膜の製造方法 |
JP2006070238A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-03-16 | Lintec Corp | 高分子フィルムの連続的表面改質方法、連続的表面改質装置および表面部にイオン注入層が形成された高分子フィルム |
JP2008204683A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Toppan Printing Co Ltd | 透明導電性フィルム |
JP2008235165A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電膜を有するロール状樹脂フィルムの製造方法 |
WO2010021326A1 (ja) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス部材および電子デバイス |
Family Cites Families (80)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5143747A (en) | 1991-02-12 | 1992-09-01 | Hughes Aircraft Company | Die improved tooling for metal working |
JPH05185568A (ja) | 1992-01-14 | 1993-07-27 | Diafoil Co Ltd | 液晶表示パネル用フィルム |
EP0578046B1 (en) | 1992-07-10 | 1996-11-06 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent conductive film, and target and material for vapor deposition to be used for its production |
JPH0664105A (ja) | 1992-08-12 | 1994-03-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ガスバリヤー性透明導電性積層体 |
JP3453805B2 (ja) | 1992-09-11 | 2003-10-06 | 旭硝子株式会社 | 透明導電膜 |
JPH0845452A (ja) | 1994-08-01 | 1996-02-16 | Takamisawa Denki Seisakusho:Kk | イオンバランス測定装置およびその測定方法 |
JP3515255B2 (ja) | 1994-12-20 | 2004-04-05 | 株式会社東芝 | 透明導電性基板、透明導電性基板の製造方法および表示装置 |
US5907382A (en) * | 1994-12-20 | 1999-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Transparent conductive substrate and display apparatus |
JP3484550B2 (ja) | 1994-12-22 | 2004-01-06 | 大日本印刷株式会社 | レトルト包装用フィルム |
JPH0910687A (ja) | 1995-03-31 | 1997-01-14 | Tonen Corp | SiO2系セラミックス被覆フィルムの製造方法 |
JP3489269B2 (ja) | 1995-04-28 | 2004-01-19 | 東洋製罐株式会社 | ガス遮断性透明包装材およびその製造方法 |
JP3562065B2 (ja) | 1995-10-30 | 2004-09-08 | 日新電機株式会社 | 高ガスバリア性高分子物品及びその製造方法 |
JP4144042B2 (ja) | 1997-03-06 | 2008-09-03 | 東洋製罐株式会社 | ガス遮断性プラスチック包材とその製造方法 |
JP4019334B2 (ja) | 1997-03-07 | 2007-12-12 | 東レ株式会社 | ガスバリア用ポリエステルフイルム |
JP3951348B2 (ja) | 1997-03-14 | 2007-08-01 | 東洋製罐株式会社 | ガス遮断性及びフレキシビリティーに優れた積層体 |
JP4205241B2 (ja) | 1999-03-04 | 2009-01-07 | 住友化学株式会社 | 積層体 |
US6849923B2 (en) | 1999-03-12 | 2005-02-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
US20060017162A1 (en) | 1999-03-12 | 2006-01-26 | Shoji Seta | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
JP4270632B2 (ja) | 1999-03-12 | 2009-06-03 | 株式会社東芝 | ドライエッチングを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2000338901A (ja) | 1999-06-01 | 2000-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フレキシブルディスプレイ基板の製造方法 |
JP2001119051A (ja) | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 太陽電池モジュ−ル用裏面保護シ−トおよびそれを使用した太陽電池モジュ−ル |
US6416817B1 (en) | 2000-03-03 | 2002-07-09 | Dow Corning Sa | Barrier coatings having bis-silanes |
JP2002018246A (ja) | 2000-07-07 | 2002-01-22 | Sony Corp | バリア膜 |
US6665033B2 (en) | 2000-11-30 | 2003-12-16 | International Business Machines Corporation | Method for forming alignment layer by ion beam surface modification |
GB0113751D0 (en) | 2001-06-06 | 2001-07-25 | Dow Corning | Surface treatment |
JP4669631B2 (ja) | 2001-06-18 | 2011-04-13 | 矢崎総業株式会社 | 印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニング方法 |
JP2003154596A (ja) | 2001-11-22 | 2003-05-27 | Nitto Denko Corp | 透明ガスバリア性フィルム、及びそれを用いた透明導電性電極基材、表示素子、太陽電池又は面状発光体 |
JP3971639B2 (ja) * | 2002-04-18 | 2007-09-05 | 大日本印刷株式会社 | バリアフィルムとこれを用いた積層材、包装用容器、画像表示媒体およびバリアフィルムの製造方法 |
US20030228475A1 (en) * | 2002-04-18 | 2003-12-11 | Minoru Komada | Barrier film and laminated material, container for wrapping and image display medium using the same, and manufacturing method for barrier film |
JP2003347570A (ja) | 2002-05-27 | 2003-12-05 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 太陽電池用裏面保護シート |
US7449246B2 (en) | 2004-06-30 | 2008-11-11 | General Electric Company | Barrier coatings |
US7015640B2 (en) | 2002-09-11 | 2006-03-21 | General Electric Company | Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same |
JP4185341B2 (ja) | 2002-09-25 | 2008-11-26 | パイオニア株式会社 | 多層バリア膜構造、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
JP2004322489A (ja) | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Pioneer Electronic Corp | ガスバリア基材およびその製造方法 |
JP2004352966A (ja) | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Dengiken:Kk | 電気・電子絶縁シート |
JP2005088431A (ja) | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Dainippon Printing Co Ltd | バリア性フィルム |
JP2005104025A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | ガスバリア性積層フィルム、及びそれを用いた画像表示素子 |
JP2005119160A (ja) | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリアフィルム及びその製造方法 |
JP2005119155A (ja) | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリアフィルム及びその製造方法 |
JP2007510258A (ja) | 2003-10-31 | 2007-04-19 | ベントラコー リミテッド | 導電性メッシュを使用するプラズマ浸漬イオン埋め込み |
JP4531380B2 (ja) | 2003-12-15 | 2010-08-25 | 大日本印刷株式会社 | ガスバリア性シート |
JP4852822B2 (ja) | 2004-02-17 | 2012-01-11 | 大日本印刷株式会社 | バリア性フィルムおよびそれを使用した積層材 |
JP4494824B2 (ja) | 2004-02-24 | 2010-06-30 | 株式会社クラレ | 表示装置用フィルムの製造方法 |
JP2006052376A (ja) | 2004-02-27 | 2006-02-23 | Lintec Corp | 高分子成形体の製造方法、高分子成形体およびその製造装置 |
EP1725699A1 (en) | 2004-03-09 | 2006-11-29 | Exatec, LLC. | Plasma coating system for non-planar substrates |
US20050287307A1 (en) | 2004-06-23 | 2005-12-29 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Etch and deposition control for plasma implantation |
US20090110892A1 (en) | 2004-06-30 | 2009-04-30 | General Electric Company | System and method for making a graded barrier coating |
JP2006035737A (ja) | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Teijin Ltd | ディスプレイ用に適したガスバリア性高分子積層フィルム |
JP2006123307A (ja) | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性積層体 |
JP2006123306A (ja) | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性積層体 |
EP1833925A4 (en) | 2004-12-13 | 2009-05-27 | Univ South Australia | CRACK-RESISTANT PLASTIC ARTICLE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
US7906217B2 (en) | 2005-02-22 | 2011-03-15 | Toyo Seikan Kaisha, Ltd. | Vapor deposited film by plasma CVD method |
JP4624152B2 (ja) | 2005-03-24 | 2011-02-02 | 富士フイルム株式会社 | プラスチックフィルム、ガスバリアフィルム、およびそれを用いた画像表示素子 |
JP2007022075A (ja) | 2005-06-14 | 2007-02-01 | Asahi Kasei Corp | 層構造体及びその製造方法 |
JP2007042616A (ja) | 2005-06-29 | 2007-02-15 | Asahi Kasei Corp | 発光素子及び表示デバイス並びにそれらの製造方法 |
JP2007065644A (ja) | 2005-08-03 | 2007-03-15 | Asahi Kasei Corp | ディスプレイ用基板及びディスプレイ並びにそれらの製造方法 |
CN100547811C (zh) | 2005-09-30 | 2009-10-07 | 东丽株式会社 | 太阳能电池组件用密封膜和太阳能电池组件 |
US20090130463A1 (en) | 2005-10-05 | 2009-05-21 | John Dean Albaugh | Coated Substrates and Methods for their Preparation |
JP2007237588A (ja) | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Kyodo Printing Co Ltd | ガスバリア性フィルム及びその製造方法 |
JP2007283726A (ja) | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Bridgestone Corp | 成形体及びその製造方法 |
JP2008015500A (ja) | 2006-06-09 | 2008-01-24 | Fujifilm Corp | 偏光板用保護フィルム |
JP4725735B2 (ja) | 2006-08-25 | 2011-07-13 | Jsr株式会社 | ガスバリア用シリカ膜積層フィルムの製造方法 |
JP4830733B2 (ja) | 2006-09-07 | 2011-12-07 | 凸版印刷株式会社 | ガスバリアフィルムおよびその製造方法 |
JP2008174792A (ja) | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Plasma Ion Assist Co Ltd | フッ素系合成樹脂の親水化改質方法及びその物品 |
US20100003483A1 (en) | 2007-02-05 | 2010-01-07 | Kazuhiro Fukuda | Transparent gas barrier film |
JPWO2008096617A1 (ja) | 2007-02-06 | 2010-05-20 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明ガスバリア性フィルム及び透明ガスバリア性フィルムの製造方法 |
JP4917942B2 (ja) | 2007-03-30 | 2012-04-18 | リンテック株式会社 | 高平滑ガスバリアフィルムおよびその製造方法 |
JP4978297B2 (ja) | 2007-04-25 | 2012-07-18 | 凸版印刷株式会社 | 透明導電性ガスバリアフィルム |
JP2009110897A (ja) | 2007-11-01 | 2009-05-21 | Toray Ind Inc | 透明導電性フィルム |
JP4969479B2 (ja) | 2008-02-20 | 2012-07-04 | 尾池工業株式会社 | 透明導電膜付基板の製造方法 |
JP5551885B2 (ja) | 2008-05-01 | 2014-07-16 | 日揮触媒化成株式会社 | 低誘電率シリカ系被膜の形成方法及び該方法から得られる低誘電率シリカ系被膜 |
JP5145149B2 (ja) | 2008-07-22 | 2013-02-13 | パイロットインキ株式会社 | 筆記具用油性インキ組成物及びそれを収容したマーキングペン |
US8673070B2 (en) | 2008-08-29 | 2014-03-18 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Process for producing silicon oxide thin film or silicon oxynitride compound thin film and thin film obtained by the process |
JP5666311B2 (ja) | 2008-12-12 | 2015-02-12 | リンテック株式会社 | 積層体、その製造方法、電子デバイス部材および電子デバイス |
WO2010107018A1 (ja) | 2009-03-17 | 2010-09-23 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
JP5704610B2 (ja) | 2009-05-22 | 2015-04-22 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス |
WO2010134611A1 (ja) | 2009-05-22 | 2010-11-25 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
JP5612277B2 (ja) | 2009-06-16 | 2014-10-22 | リンテック株式会社 | ガスバリア性フィルム及び電子デバイス用部材 |
US20120295120A1 (en) * | 2010-03-31 | 2012-11-22 | Lintec Corporation | Transparent conductive film, process for producing same, and electronic device employing transparent conductive film |
CN103154172B (zh) * | 2010-09-07 | 2014-12-10 | 琳得科株式会社 | 粘着片以及电子设备 |
-
2011
- 2011-08-26 TW TW100130643A patent/TWI457235B/zh active
- 2011-09-16 KR KR1020137007078A patent/KR101943117B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-16 US US13/823,688 patent/US8846200B2/en active Active
- 2011-09-16 CN CN201180055899.1A patent/CN103201109B/zh active Active
- 2011-09-16 EP EP11826800.2A patent/EP2620278B1/en active Active
- 2011-09-16 JP JP2012535023A patent/JP5326052B2/ja active Active
- 2011-09-16 WO PCT/JP2011/071203 patent/WO2012039355A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000246830A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-12 | Gunze Ltd | シリカ被覆プラスティックフィルム及びその製造方法 |
JP2002105676A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-04-10 | Contamination Control Service:Kk | コーティング膜とそれが施された部材及びコーティング膜の製造方法 |
JP2006070238A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-03-16 | Lintec Corp | 高分子フィルムの連続的表面改質方法、連続的表面改質装置および表面部にイオン注入層が形成された高分子フィルム |
JP2008204683A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Toppan Printing Co Ltd | 透明導電性フィルム |
JP2008235165A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電膜を有するロール状樹脂フィルムの製造方法 |
WO2010021326A1 (ja) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | リンテック株式会社 | 成形体、その製造方法、電子デバイス部材および電子デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130105837A (ko) | 2013-09-26 |
EP2620278A9 (en) | 2014-10-29 |
JPWO2012039355A1 (ja) | 2014-02-03 |
EP2620278A1 (en) | 2013-07-31 |
US20130244044A1 (en) | 2013-09-19 |
EP2620278B1 (en) | 2018-08-01 |
EP2620278A4 (en) | 2014-03-19 |
WO2012039355A1 (ja) | 2012-03-29 |
CN103201109B (zh) | 2014-10-22 |
TWI457235B (zh) | 2014-10-21 |
US8846200B2 (en) | 2014-09-30 |
TW201228832A (en) | 2012-07-16 |
CN103201109A (zh) | 2013-07-10 |
KR101943117B1 (ko) | 2019-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5326052B2 (ja) | ガスバリアフィルム、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス | |
KR101382429B1 (ko) | 투명 도전성 필름 및 그 제조 방법 및 투명 도전성 필름을 사용한 전자 디바이스 | |
JP5749344B2 (ja) | 変性ポリシラザンフィルム、および、ガスバリアフィルムの製造方法 | |
JP5808747B2 (ja) | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス | |
JP5704610B2 (ja) | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス | |
EP2979860B1 (en) | Gas barrier laminate, member for electronic device, and electronic device | |
KR101943665B1 (ko) | 성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스 | |
CN113226746B (zh) | 阻气性层叠体 | |
JP5635360B2 (ja) | 透明導電性フィルム、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス | |
JP5750441B2 (ja) | 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス | |
JP5408818B1 (ja) | ガスバリア構造体、およびガスバリア構造体の形成方法 | |
WO2013175911A1 (ja) | ガスバリアシートおよびガスバリアシートの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130716 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130722 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5326052 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |