JP5295623B2 - 半導体メモリ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体メモリ装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5295623B2 JP5295623B2 JP2008115897A JP2008115897A JP5295623B2 JP 5295623 B2 JP5295623 B2 JP 5295623B2 JP 2008115897 A JP2008115897 A JP 2008115897A JP 2008115897 A JP2008115897 A JP 2008115897A JP 5295623 B2 JP5295623 B2 JP 5295623B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- area
- insulating film
- word lines
- gate electrode
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 75
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 65
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 53
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 49
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical group [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 7
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 7
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003491 array Methods 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N silicon tungsten Chemical compound [Si].[W] WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/788—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with floating gate
- H01L29/7881—Programmable transistors with only two possible levels of programmation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
- H10B41/35—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region with a cell select transistor, e.g. NAND
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/926—Dummy metallization
Description
本発明の例では、金属シリサイド構造のワード線を有する半導体メモリ装置において、ワード線コンタクトエリア内におけるワード線の直下にアクティブエリアを配置することにより、金属シリサイドの溶解液がワード線間に残留することを防止する。
ボイドが形成され易い状況は、ワード線コンタクトエリア以外のエリア、例えば、メモリセルアレイエリア内においても同じである。
NAND型フラッシュメモリを例に本発明の実施の形態を説明する。
第1実施の形態は、ワード線コンタクトエリア内におけるワード線の直下に、ライン&スペース構造を構成するアクティブエリアとは異なるアクティブエリアを配置するワード線の端部の下地構造に関する。
図3は、NAND型フラッシュメモリのワード線の端部のレイアウトを示している。
図4は、図3のA−A線、B−B線、C−C線、D−D線及びE−E線に沿う断面をそれぞれ示している。
図5乃至図11は、図3及び図4のNAND型フラッシュメモリの製造方法の例を示している。これら図において、各断面は、図3の破断線に対応する。
以上、第1実施の形態によれば、ワード線コンタクトエリア内において、複数のワード線の直下に、ライン&スペース構造のアクティブエリアとは異なるアクティブエリアを配置することにより、金属又は金属シリサイドの溶解液がワード線間に残留することがない。
比較例では、ワード線コンタクトエリア内に素子分離絶縁層12がベタに形成される。この場合、ワード線コンタクトエリア内のコントロールゲート電極(ワード線)17,18間の絶縁膜19には、細長いトンネル状のボイド22Aが形成される。
第2実施の形態は、メモリセルアレイエリアとワード線コンタクトエリアの境界からワード線コンタクトエリア内のワード線の先端まで、ワード線の直下に、ライン&スペース構造を構成するアクティブエリアを配置するワード線の端部の下地構造に関する。
図16は、NAND型フラッシュメモリのワード線の端部のレイアウトを示している。
図17は、図16のA−A線、B−B線、C−C線、D−D線、E−E線及びF−F線に沿う断面をそれぞれ示している。
図18乃至図25は、図16及び図17のNAND型フラッシュメモリの製造方法の例を示している。これら図において、各断面は、図16の破断線に対応する。
以上、第2実施の形態によれば、ワード線コンタクトエリア内において、メモリセルアレイエリアとワード線コンタクトエリアの境界からワード線コンタクトエリア内のワード線の先端まで、ワード線の直下に、ライン&スペース構造を構成するアクティブエリアを配置することにより、金属又は金属シリサイドの溶解液がワード線間に残留することがない。
第3実施の形態は、第1実施の形態の応用例である。
第4実施の形態は、第1及び第2実施の形態の応用例であり、図1に示すように、メモリセルアレイエリアの片側のみにワード線コンタクトエリアが配置されるレイアウトの半導体メモリ装置に適用される。
第1乃至第4実施の形態では、ワード線が8本の例を説明したが、ワード線の本数については、これに限定されることはない。また、素子分離絶縁層についても、STI構造に限定されることはない。
本発明の適用例を説明する。
メモリデバイスは、例えば、USBメモリ、メモリカードなどである。
本発明によれば、金属シリサイドの溶解液がワード線間に残留することがない。
Claims (3)
- ライン&スペース構造を構成する第1アクティブエリア及び第1素子分離エリアを有し、前記第1アクティブエリア内にフローティングゲート電極及びコントロールゲート電極を有する第1及び第2メモリセルを備えるメモリセルアレイエリアと、
前記メモリセルアレイエリアに隣接し、第2アクティブエリアを有するワード線コンタクトエリアと、
前記第1及び第2メモリセルの前記コントロールゲート電極としてそれぞれ機能し、前記メモリセルアレイエリア及び前記ワード線コンタクトエリアに跨って配置される金属シリサイド構造の第1及び第2ワード線と、
前記ワード線コンタクトエリア内の前記第1及び第2ワード線にそれぞれ対応して設けられる第1及び第2コンタクトホールと、
前記第1及び第2コンタクトホールを介して前記第1及び第2ワード線の一端に接続されるワード線ドライバとを具備し、
前記第2アクティブエリア内において、前記第1及び第2ワード線の直下にダミーゲート電極が配置され、
前記第1及び第2ワード線の側面は、前記第1及び第2ワード線間のスペースを満たす第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上の第2絶縁膜とにより覆われ、前記第1絶縁膜の最も高い部分は、前記第1及び第2ワード線の上面よりも低く、前記第1及び第2ワード線の下面よりも高い位置に存在し、
前記第1絶縁膜は、前記第1及び第2アクティブエリア内で、上部が開口されたボイドを有していることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 第1エリア及び前記第1エリアに隣接する第2エリアを有する半導体メモリ装置において、
前記第1エリア内で第1方向に延びる第1素子分離エリア、前記第1エリア内で前記第1素子分離エリアによって区画される第1アクティブエリア、前記第2エリア内で前記第1方向に延びる第2素子分離エリア、及び、前記第2エリア内で前記第2素子分離エリアによって区画される第2アクティブエリアを含む半導体基板と、
前記第1エリアから前記第2エリアまで延び、互いに平行に配置され、前記第1方向に直交する第2方向に沿って配置され、ポリシリコン膜と前記ポリシリコン膜上の金属シリサイド膜とを含む複数のワード線と、
前記第1アクティブエリアと前記複数のワード線との間に配置されるフローティングゲート電極と、
前記第2アクティブエリアと前記複数のワード線との間に配置されるダミーゲート電極と、
前記第1アクティブエリア上、前記第2アクティブエリア上、前記第1素子分離エリア上、及び、前記第2素子分離エリア上の前記複数のワード線の間に配置され、前記複数のワード線の上面よりも低く、かつ、前記複数のワード線の下面よりも高い範囲で規定される上部にボイドを有する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に配置される第2絶縁膜と
を具備することを特徴とする半導体メモリ装置。 - 第1エリア及び前記第1エリアに隣接する第2エリアを有し、前記第1エリア内で第1方向に延びる第1素子分離エリア、前記第1エリア内で前記第1素子分離エリアによって区画される第1アクティブエリア、前記第2エリア内で前記第1方向に延びる第2素子分離エリア、及び、前記第2エリア内で前記第2素子分離エリアによって区画される第2アクティブエリアを含む半導体基板を有する半導体メモリ装置の製造方法において、
前記第1アクティブエリア内及び前記第2アクティブエリア内の前記半導体基板上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第1ポリシリコン膜を形成し、
前記第1ポリシリコン膜上にゲート間絶縁膜を形成し、
前記ゲート間絶縁膜上に第2ポリシリコン膜を形成し、
前記第1ポリシリコン膜、前記第2ポリシリコン膜、及び、前記ゲート間絶縁膜をエッチングし、前記第1エリア内に、フローティングゲート電極、前記ゲート間絶縁膜、及び、ワード線としてのコントロールゲート電極から構成される複数の第1ゲート電極構造を形成し、前記第2エリア内に、ダミーゲート電極、前記ゲート間絶縁膜、及び、前記ワード線としてのコントロールゲート電極から構成される複数の第2ゲート電極構造を形成し、
前記第1エリア内の前記複数の第1ゲート電極構造の間、及び、前記第2エリア内の前記複数の第2ゲート電極構造の間に、前記ワード線の上面よりも低く、かつ、前記ワード線の下面よりも高い範囲で規定される上部にボイドを有する第1絶縁膜を形成し、
前記第1絶縁膜をエッチングし、前記ワード線としてのコントロールゲート電極の上面及び側面を露出させ、
前記コントロールゲート電極としての前記第2ポリシリコン膜上に金属シリサイド膜を形成し、
前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成し、
前記第1及び第2アクティブエリア内の前記ボイドの上部は、前記第1絶縁膜をエッチングするステップにおいて開口される
ことを特徴とする半導体メモリ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008115897A JP5295623B2 (ja) | 2007-04-27 | 2008-04-25 | 半導体メモリ装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007120067 | 2007-04-27 | ||
JP2007120067 | 2007-04-27 | ||
JP2008115897A JP5295623B2 (ja) | 2007-04-27 | 2008-04-25 | 半導体メモリ装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008294434A JP2008294434A (ja) | 2008-12-04 |
JP5295623B2 true JP5295623B2 (ja) | 2013-09-18 |
Family
ID=39968730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008115897A Active JP5295623B2 (ja) | 2007-04-27 | 2008-04-25 | 半導体メモリ装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7948021B2 (ja) |
JP (1) | JP5295623B2 (ja) |
KR (1) | KR101068331B1 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009010088A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Toshiba Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JP2009182114A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Elpida Memory Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
CN101770954A (zh) * | 2008-12-29 | 2010-07-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 快闪存储器的形成方法 |
JP2011165975A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2012033766A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
KR20120015178A (ko) * | 2010-08-11 | 2012-02-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 반도체 소자 제조 방법 |
JP2013021102A (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US8916920B2 (en) * | 2011-07-19 | 2014-12-23 | Macronix International Co., Ltd. | Memory structure with planar upper surface |
US9123784B2 (en) * | 2012-08-21 | 2015-09-01 | Nanya Technology Corporation | Memory process and memory structure made thereby |
JP2014056899A (ja) * | 2012-09-11 | 2014-03-27 | Toshiba Corp | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
JP2014146776A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-14 | Toshiba Corp | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
JP2014150234A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-21 | Toshiba Corp | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
US9257484B2 (en) | 2013-01-30 | 2016-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile memory device and method of manufacturing the same |
KR102059183B1 (ko) | 2013-03-07 | 2019-12-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 장치 |
US9082654B2 (en) | 2013-05-30 | 2015-07-14 | Rohm Co., Ltd. | Method of manufacturing non-volatile memory cell with simplified step of forming floating gate |
CN104934378B (zh) * | 2014-03-21 | 2018-08-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种Flash器件及其制备方法 |
JP6367044B2 (ja) * | 2014-08-13 | 2018-08-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2017005097A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | ソニー株式会社 | メモリデバイスおよびメモリシステム |
CN106972021B (zh) * | 2016-01-12 | 2019-12-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 |
CN108074932B (zh) * | 2016-11-08 | 2020-09-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及其制作方法、电子装置 |
US10115639B2 (en) * | 2016-11-29 | 2018-10-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | FinFET device and method of forming the same |
CN108807394B (zh) * | 2017-05-05 | 2020-11-27 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及其制作方法、电子装置 |
US10580791B1 (en) | 2018-08-21 | 2020-03-03 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device structures, semiconductor devices, and electronic systems |
US11195560B2 (en) * | 2019-12-10 | 2021-12-07 | Micron Technology, Inc. | Integrated assemblies having void regions between digit lines and conductive structures, and methods of forming integrated assemblies |
CN114068562A (zh) | 2020-07-29 | 2022-02-18 | 联华电子股份有限公司 | 半导体存储装置以及其制作方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006114925A (ja) * | 1997-03-28 | 2006-04-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
TW468273B (en) * | 1997-04-10 | 2001-12-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same |
KR100295136B1 (ko) * | 1998-04-13 | 2001-09-17 | 윤종용 | 불휘발성메모리장치및그제조방법 |
JP4068286B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2008-03-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP4493182B2 (ja) * | 2000-08-23 | 2010-06-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP2002176114A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-06-21 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002110791A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002280463A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100600681B1 (ko) * | 2001-08-10 | 2006-07-13 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법 |
US6894341B2 (en) * | 2001-12-25 | 2005-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method |
US7045849B2 (en) * | 2003-05-21 | 2006-05-16 | Sandisk Corporation | Use of voids between elements in semiconductor structures for isolation |
KR100507362B1 (ko) | 2003-06-23 | 2005-08-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 제조방법 |
JP4498088B2 (ja) | 2004-10-07 | 2010-07-07 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP4543383B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2010-09-15 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP4287400B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2009-07-01 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置 |
JP2006302950A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体装置および不揮発性半導体装置の製造方法 |
JP4250616B2 (ja) * | 2005-05-13 | 2009-04-08 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JP4886219B2 (ja) * | 2005-06-02 | 2012-02-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007049111A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4528700B2 (ja) | 2005-09-09 | 2010-08-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4764151B2 (ja) * | 2005-12-01 | 2011-08-31 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
EP1804294A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-04 | STMicroelectronics S.r.l. | Method for manufacturing non volatile memory cells |
JP4868864B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-02-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US7977190B2 (en) * | 2006-06-21 | 2011-07-12 | Micron Technology, Inc. | Memory devices having reduced interference between floating gates and methods of fabricating such devices |
JP2008010737A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4764284B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2011-08-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100854498B1 (ko) * | 2006-09-04 | 2008-08-26 | 삼성전자주식회사 | 펀치쓰루 억제용 불순물 영역을 갖는 선택 트랜지스터들을구비하는 낸드형 플래쉬 메모리 소자 및 그 제조방법 |
JP5091504B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2012-12-05 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP2009302116A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2008
- 2008-04-23 US US12/108,101 patent/US7948021B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-25 KR KR1020080038986A patent/KR101068331B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-04-25 JP JP2008115897A patent/JP5295623B2/ja active Active
-
2011
- 2011-04-06 US US13/081,248 patent/US8076205B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-11-21 US US13/301,136 patent/US8525249B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-02-05 US US13/759,746 patent/US8704287B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080277713A1 (en) | 2008-11-13 |
US8525249B2 (en) | 2013-09-03 |
US8076205B2 (en) | 2011-12-13 |
US20120061742A1 (en) | 2012-03-15 |
JP2008294434A (ja) | 2008-12-04 |
US8704287B2 (en) | 2014-04-22 |
KR20080096473A (ko) | 2008-10-30 |
US7948021B2 (en) | 2011-05-24 |
US20110183511A1 (en) | 2011-07-28 |
KR101068331B1 (ko) | 2011-09-28 |
US20130147006A1 (en) | 2013-06-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5295623B2 (ja) | 半導体メモリ装置及びその製造方法 | |
JP4818061B2 (ja) | 不揮発性半導体メモリ | |
US7915647B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP2006186378A (ja) | ツインビットセル構造のnor型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 | |
US7957174B2 (en) | Semiconductor memory | |
US8217467B2 (en) | Semiconductor memory devices | |
JP2012028467A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2006351789A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2006019570A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP2009277847A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP5306036B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
US7408220B2 (en) | Non-volatile memory and fabricating method thereof | |
US20090242960A1 (en) | Semiconductor memory device and manufacturing method thereof | |
JP2009164349A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 | |
JP2010135561A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
TWI593086B (zh) | 記憶元件及其製造方法 | |
JP5099691B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7663184B1 (en) | Memory and method of fabricating the same | |
JP2009283826A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPWO2008126177A1 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 | |
JP2007300136A (ja) | 不揮発性半導体メモリ | |
JP2007134534A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8390076B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2006054283A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置,及びその製造方法 | |
JP2006228869A (ja) | 半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130430 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130521 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130612 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5295623 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |