JP2008010737A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】コンタクトホール内に形成される配線層の抵抗値を抑制する。
【解決手段】コンタクトホールHが、変曲位置H1から下方に向けて径が小さいテーパ孔形状に形成されていると共に変曲位置H1から上方に向けてシリコン基板2の表面に対して垂直柱状に形成されている。また、このコンタクトホールH内にポリプラグ8および金属プラグ9が形成されている。
【選択図】図3
【解決手段】コンタクトホールHが、変曲位置H1から下方に向けて径が小さいテーパ孔形状に形成されていると共に変曲位置H1から上方に向けてシリコン基板2の表面に対して垂直柱状に形成されている。また、このコンタクトホールH内にポリプラグ8および金属プラグ9が形成されている。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体基板上にコンタクトホールが形成された構造を備えた半導体装置およびその製造方法に関する。
例えば、半導体基板のソース/ドレイン領域上にコンタクトホールを形成する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。この特許文献1に開示されている技術によれば、次のように構成されている。半導体基板上に第1および第2のシリコン酸化物膜が層間絶縁膜として2層構造で積層されている。コンタクトホールが第2のシリコン酸化物膜に対して垂直側壁をもって貫通され、第1のシリコン酸化物膜に対して順テーパ面をもって貫通されている。金属配線層は層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介してソース/ドレイン領域に接続されている。
特開2000−150637号公報(0014段落)
近年、設計ルールの縮小化、素子の微細化に伴い、コンタクトホールの径の寸法も縮小化している。したがって、必然的にアスペクト比が高くなり、コンタクトホール内に金属配線層が埋込まれるときに埋込性が悪くなる。埋込性が悪いと金属配線層内にシームが生じてしまう。金属配線層の中にシームが生じてしまうと金属配線層の抵抗値も上昇してしまう。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、コンタクトホール内に形成される配線層の抵抗値を抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成された絶縁膜であって、上側部が前記半導体基板表面に対して垂直柱状で且つ下側部が前記半導体基板の表面に向かって径が小さくなるテーパ形状のコンタクトホールが形成された絶縁膜と、コンタクトホールの下側部に形成された多結晶シリコンからなる第1導電性プラグと、タングステン層を備え第1導電性プラグ上に形成されてなる第2導電性プラグとを備えたことを特徴としている。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、上側が垂直孔形状により形成されその垂直孔形状の下側端部から下方に対して順に径が小さくなるテーパ孔形状を有するコンタクトホールを前記絶縁膜に形成する工程と、コンタクトホールの垂直孔形状の下側端部より下方側に多結晶シリコンからなるポリプラグを形成する工程と、ポリプラグの上に金属プラグを埋込む工程とを備えたことを特徴としている。
本発明によれば、コンタクトホール内の配線層の抵抗値を抑制できる。
以下、本発明の一実施形態について、NAND型のフラッシュメモリのビット線コンタクト領域の構造に適用した実施形態について図面を参照しながら説明する。
図1はNAND型の不揮発性半導体記憶装置におけるメモリセルアレイの等価回路、図2は、図1の領域A1におけるメモリセルの構成を模式的に示した平面図である。半導体装置としてのNAND型の不揮発性半導体記憶装置1について、そのメモリセルアレイArは、NANDセルユニットSUが行列状に形成されることにより構成されている。このNANDセルユニットSUは、2個の選択ゲートトランジスタTrsと、これらの選択ゲートトランジスタTrs間に対して不純物拡散層(ソース/ドレイン領域)3(図4参照)を共用して直列接続された複数個(例えば8個:2のn乗個(nは正数))のメモリセルトランジスタTrnからなっている。
図1はNAND型の不揮発性半導体記憶装置におけるメモリセルアレイの等価回路、図2は、図1の領域A1におけるメモリセルの構成を模式的に示した平面図である。半導体装置としてのNAND型の不揮発性半導体記憶装置1について、そのメモリセルアレイArは、NANDセルユニットSUが行列状に形成されることにより構成されている。このNANDセルユニットSUは、2個の選択ゲートトランジスタTrsと、これらの選択ゲートトランジスタTrs間に対して不純物拡散層(ソース/ドレイン領域)3(図4参照)を共用して直列接続された複数個(例えば8個:2のn乗個(nは正数))のメモリセルトランジスタTrnからなっている。
図1中X方向(ワード線方向)に配列されたメモリセルトランジスタTrnはワード線(コントロールゲート線)WLで共通接続されている。また、図1中X方向に配列された選択ゲートトランジスタTrsは選択ゲート線SLで共通接続されている。さらに、選択ゲートトランジスタTrsはビット線コンタクト形成領域CBのプラグ8および9(図3参照)を介して図1中X方向に直交するY方向(ビット線方向)に延びるビット線BLに接続されている。
複数のNANDセルユニットSUは、図2に示すように、STI(Shallow Trench Isolation)構造の素子分離領域SbによりX軸方向に互いに分断されている。メモリセルトランジスタTrnの浮遊ゲート電極(図示せず)は、Y軸方向に延びる素子形成領域(活性領域:アクティブエリア)Saと、所定間隔をもって形成されるY軸方向に延びるワード線WLとの交差部に位置して形成されている。
<不揮発性半導体記憶装置1のビット線コンタクト形成領域CBについて>
以下、本実施形態の特徴部分となるビット線コンタクト形成領域CBの構造について詳細に説明する。図3は、図2のA−A線に沿う切断面図を模式的に示している。この図3に示すように、半導体基板としてのp型のシリコン基板2の表層であって、素子分離領域Sbで素子分離されたアクティブエリアには、ソース/ドレイン領域としての不純物拡散層(拡散領域)3が複数形成されている。
以下、本実施形態の特徴部分となるビット線コンタクト形成領域CBの構造について詳細に説明する。図3は、図2のA−A線に沿う切断面図を模式的に示している。この図3に示すように、半導体基板としてのp型のシリコン基板2の表層であって、素子分離領域Sbで素子分離されたアクティブエリアには、ソース/ドレイン領域としての不純物拡散層(拡散領域)3が複数形成されている。
素子分離領域Sbは、シリコン基板2の表層側に溝部4が形成され、当該溝部4内に素子分離絶縁膜5が埋込まれることにより構成されている。素子分離絶縁膜5は、例えばTEOS(Tetra EthOxy Silane)を主成分とした膜により形成されている。
このシリコン基板2の表面上には、絶縁膜としてシリコン窒化膜6が形成されている。このシリコン窒化膜6の上には絶縁膜として層間絶縁膜7が形成されている。この層間絶縁膜7は、例えばTEOSやBPSG(Boron Phosphor Silicate Glass)などを主成分としたシリコン酸化膜により形成される。
層間絶縁膜7には、その上層側の導電層(例えばアルミ金属層:図示せず)から不純物拡散層3の上面までを貫通するようにコンタクトホールHが形成されている。このコンタクトホールHは上部および下部から構成されている。コンタクトホールHの上部側面は、不純物拡散層3上にシリコン基板2の表面に対して垂直な柱状(柱面状)に形成されている。コンタクトホールHの下部は、上部と下部の境界部である変曲位置H1(垂直柱状(柱面状)となる孔の下側端部に相当)で孔の径が最大でシリコン基板2に近づくにつれて孔の径が小さくなり、シリコン基板2との境界部分で孔の径が最小となるテーパ孔形状に形成されている。変曲位置H1は、コンタクトホールHの高さの1/2から1/3の高さに調整されていることが望ましい。
このコンタクトホールHの下部(下側部)には、シリコン基板2の表面から変曲位置H1よりもシリコン基板2からの高さが低い所定位置までポリプラグ8が埋込まれている。ポリプラグ8は、不純物がドープされた多結晶シリコンにより第1導電性プラグとして構成されている。コンタクトホールHの下部はテーパ孔形状に形成されているため、ポリプラグ8内にはボイドが形成されることなく、ポリプラグ8がコンタクトホールH内に対して良好に埋込まれている。すなわちポリプラグ8が埋め込まれた部分では高抵抗化を抑制できる。
シリコン基板2の表面からコンタクトホールHの下部の変曲位置H1より低い所定レベルまで形成されたポリプラグ8の上には、上層側の金属プラグ9が第2導電性プラグとしてコンタクトホールHの最上端部分まで埋め込まれている。これらのポリプラグ8および金属プラグ9がビット線コンタクトCBを構成している。金属プラグ9は、ポリプラグ8の上面およびコンタクトホールHの側壁に薄く形成されたバリアメタル膜10と、このバリアメタル膜10上に形成されコンタクトホールHを埋め込むタングステン層11とから構成されている。バリアメタル膜10は、例えばTi/TiNの積層膜構造により構成され、タングステン層11と層間絶縁膜7との構造的接触を避けるために設けられている。
本実施形態の構造によれば、コンタクトホールHがテーパ孔形状に形成された下部と垂直柱状に形成された上部で構成され、下部のシリコン基板2の表面から変曲位置より低いレベルまでポリプラグ8が埋め込まれ、このポリプラグ8の上に金属が形成されるので、下部においてテーパ孔形状部分でポリプラグ8内でのボイド形成を防ぐことができ、かつ金属プラグ9に対するコンタクトホールHのアスペクト比が層間絶縁膜7の上端からシリコン基板2の表面まで金属プラグ9を埋め込む際のアスペクト比に対して低減されることから、金属プラグ9の埋め込み特性が向上し、プラグ8、9で構成されるコンタクトプラグの高抵抗化を抑制することができる。
なお、コンタクトホールHがテーパ孔形状に形成された下部と垂直柱状に形成された上部で構成されることにより、コンタクトホール全体をテーパ孔形状にした場合に比べ、コンタクトホール上端部分のホール径とコンタクトホール下端のホール径との寸法差を抑制でき、ポリプラグ8のシリコン基板2に対するボトム接触面積を所望の特性を満たすように確保し、シリコン基板2との接触抵抗の低減を図ることができる。
<製造方法について>
以下、製造方法について、ビット線コンタクト形成領域CBの製造工程を中心として図4ないし図7をも参照しながら説明する。尚、本実施形態に係る特徴部分について説明するが、本発明を実現できれば以下に説明する工程を必要に応じて省いても良いし、一般的な工程であれば付加しても良い。
以下、製造方法について、ビット線コンタクト形成領域CBの製造工程を中心として図4ないし図7をも参照しながら説明する。尚、本実施形態に係る特徴部分について説明するが、本発明を実現できれば以下に説明する工程を必要に応じて省いても良いし、一般的な工程であれば付加しても良い。
本実施形態では、シリコン基板2の上側の構造の製造方法に特徴を備えているため、シリコン基板2表面直下におけるシリコン基板2の表層の構造については製造方法の説明を省略する。図4に示すように、シリコン基板2には複数の溝部4が並設されており、この溝部4内にはそれぞれ素子分離絶縁膜5が埋め込まれている。隣接する素子分離絶縁膜5間のシリコン基板2の表層には、不純物拡散層3が形成されている。この不純物拡散層3は、インプランテーション技術により不純物が注入されることにより構成される。図4において、不純物拡散層3の表面幅は例えば70nm、素子分離絶縁膜5の表面幅は例えば約70nmに設定されている。
次に図5に示すように、シリコン基板2および素子分離絶縁膜5上にシリコン窒化膜6を例えば20nm形成すると共に、この上に層間絶縁膜7をシリコン酸化膜により例えば600nm形成する。次に図6に示すように、不純物拡散層3上を開口するように層間絶縁膜7およびシリコン窒化膜6に対してコンタクトホールHを形成する。コンタクトホールHを形成するときには、フロロカーボン系ガス、例えばCHF3またはCF4ガスによるRIE(Reactive Ion Etching)法を使用して加工形成する。
このコンタクトホールHの形成時、層間絶縁膜7の高さの1/2から1/3程度の位置(例えば層間絶縁膜7の最下部の位置から約200nmの位置)に変曲位置H1を設けるようにコンタクトホールHを加工形成する。具体的には、コンタクトホールHを、変曲位置H1よりも上側ではシリコン基板2の表面に対して垂直となるような孔形状に形成し、変曲位置H1よりも下側では下に凸となるテーパ孔形状に形成する。コンタクトホールHの径の寸法は、最上部で例えば80nm、シリコン基板2の表面部において例えば50nmで形成されている。
次に図7に示すように、このコンタクトホールH内にポリプラグ8の材料となる不純物がドープされた多結晶シリコンを埋込む。この場合、コンタクトホールHの変曲位置H1よりも下側では当該コンタクトホールHが下に凸となるようにテーパ孔形状に形成されているため、多結晶シリコンの埋込性が良好でありボイドV(シーム)が発生することもない。しかし変曲位置H1よりも上側ではボイドVが発生してしまうこともある。
そこで、図3に示すように、ボイドV(シーム)が発生しない程度の位置までポリプラグ8の構成材料となる多結晶シリコンをエッチバックし、ポリプラグ8の上面およびコンタクトホールHの内面にバリアメタル膜10を形成すると共にバリアメタル膜10の内側にタングステン層11を埋込み、CMP(Chemical Mechanical Polish)法により平坦化処理することで金属プラグ9を構成する。多結晶シリコンのエッチバック時には、処理時間を調整して変曲位置H1のわずかに下側までエッチング処理し除去することが望ましい。このことにより、ポリプラグ8内に生じたボイドVを確実に除去でき、高抵抗化を抑制することができる。次に、図示しないが、この金属プラグ9上に例えばアルミ金属層からなる導電層を形成することで多層配線構造を構成する。
本実施形態に係る製造方法によれば、シリコン基板2上にシリコン窒化膜6および層間絶縁膜7を形成し、変曲位置H1より上側が垂直孔形状に形成されると共に変曲位置H1より下側に対して順に径が小さくなるテーパ孔形状にコンタクトホールHを形成し、このコンタクトホールHの変曲位置H1より下方側に上面が位置するようにポリプラグ8を形成し、このポリプラグ8の上に金属プラグ9を形成している。このような工程によれば、ポリプラグ8の構成材料となる多結晶シリコンをコンタクトホールHに埋め込んだときに、たとえ変曲位置H1よりも上方にボイドVが形成されたとしても、このボイドVを覆う多結晶シリコンを除去することでボイドVを無くすことができる。また、ポリプラグ8上に金属プラグ9を形成する際に、金属プラグ9が埋め込まれるコンタクトホールHのアスペクト比が低減でき、金属プラグ9の埋め込み性も向上する。したがって、高抵抗化を抑制できるコンタクトプラグを提供できる。
(他の実施形態)
本発明は、上記実施例にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
本発明は、上記実施例にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
半導体基板としてp型のシリコン基板2を適用したが、他の半導体基板に適用しても良い。
NAND型の不揮発性半導体記憶装置1のビット線コンタクト形成領域の構造に適用した実施形態を示したがこれに限定されるものではなく、例えば、他の半導体メモリのコンタクト領域の構造に適用しても良いし、トランジスタのソース/ドレイン領域から上方に位置する配線部間を電気的に接続するためのコンタクトプラグの形成領域の構造に適用しても良い。
NAND型の不揮発性半導体記憶装置1のビット線コンタクト形成領域の構造に適用した実施形態を示したがこれに限定されるものではなく、例えば、他の半導体メモリのコンタクト領域の構造に適用しても良いし、トランジスタのソース/ドレイン領域から上方に位置する配線部間を電気的に接続するためのコンタクトプラグの形成領域の構造に適用しても良い。
また、ポリプラグ8上に埋め込まれる導電部材は必ずしも金属である必要はなく、ポリプラグ8と同様の多結晶シリコン等導電性を有する部材であれば良い。
図面中、1は不揮発性半導体記憶装置(半導体装置)、2はシリコン基板(半導体基板)、6はシリコン窒化膜(絶縁膜)、7は層間絶縁膜(絶縁膜)、8はポリプラグ(第1導電性プラグ)、9は金属プラグ(第2導電性プラグ)、11はタングステン層である。
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁膜であって、上側部が前記半導体基板表面に対して垂直柱状で且つ下側部が前記半導体基板の表面に向かって径が小さくなるテーパ形状のコンタクトホールが形成された絶縁膜と、
前記コンタクトホールの下側部に形成された多結晶シリコンからなる第1導電性プラグと、
タングステン層を備え前記第1導電性プラグ上に形成されてなる第2導電性プラグとを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記ポリプラグの上端は、前記コンタクトホールの前記上側部と前記下側部の境界位置より前記半導体基板の表面側に位置することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 不純物拡散層が表面に形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁膜であって、前記不純物拡散層上に、上側部が前記半導体基板表面に対して垂直柱状で且つ下側部が前記半導体基板の表面に向かって径が小さくなりるテーパ形状のコンタクトホールが形成された絶縁膜と、
前記コンタクトホールの下側部に形成され、下面が前記不純物拡散層に接する多結晶シリコンからなるポリプラグと、
前記ポリプラグ上に形成されたタングステン層を有する金属プラグとを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
上側が垂直孔形状により形成されその垂直孔形状の下側端部から下方に対して順に径が小さくなるテーパ孔形状を有するコンタクトホールを前記絶縁膜に形成する工程と、
前記コンタクトホールの垂直孔形状の下側端部より下方側に多結晶シリコンからなるポリプラグを形成する工程と、
前記ポリプラグの上に金属プラグを埋込む工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、上側が垂直孔形状で、この垂直孔形状の下側端部から下方に対して順に径が小さくなり前記半導体基板の表面部分で径が最小となるテーパ孔形状を有するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールに全体に多結晶シリコンからなるポリプラグを埋込む工程と、
前記コンタクトホールに埋め込まれたポリプラグを、前記半導体基板表面部分から前記垂直孔形状の下側端部より下の所定位置まで残存させつつ除去する工程と、
前記残存したポリプラグの上に金属プラグを埋込む工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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