JP4556158B2 - 貼り合わせsoi基板の製造方法および半導体装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 96
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 131
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 113
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 23
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 4
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/764—Air gaps
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は貼り合わせSOI基板の製造方法およびこの基板を用いた半導体装置、詳しくは活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを絶縁層を介して貼り合わせた後、活性層用ウェーハを減厚しSOI層とする技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
シリコン基板上に構成されるLSIの高集積化、多機能化の要請がきびしくなるにつれ、各素子間の分離が重要な課題となっている。従前のLSIは、厚さ500〜800μmのシリコンウェーハにあって、その表層(表面から十数μmの部分)に電子回路素子が集積されている。
このような素子間の分離の問題を解決するため、SOI(Silicon On Insulator)基板が知られている。SOI基板では、デバイスが形成されるSOI層と、これを支持する支持基板用ウェーハとの間に、厚さ数μmの埋め込みシリコン酸化膜が介在されている。
このSOI基板にあっては、3次元構造による多機能化を含むデバイスの高集積化が容易となり、ソフトエラーの低減および高信頼性化が図れて、消費電力も抑えることができる。
【0003】
従来、SOI基板の一種として、例えば特開2001−144276号公報に記載された「半導体基板」が知られている。この半導体基板は、1枚のシリコン基板の表面に複数のトレンチ(溝)を2次元的に配列した後、これを熱処理することで、基板の表層にてシリコン原子のマイグレーションを発生させ、各トレンチの開口部の内壁を連結してデバイス形成領域(SOI層)とするとともに、各トレンチの奥部を連通させて平板状の空洞(絶縁層)を形成している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体基板およびその製造方法によれば、その製造時に、半導体基板の表面に形成するトレンチ寸法の管理や、シリコン原子のマイグレーションにより平板状の空洞を形成するための熱処理条件等の管理が難しかった。その結果、設計した通りにSOI構造を作製することは困難であった。
【0005】
そこで、発明者は、鋭意研究の結果、貼り合わせSOI基板に着目した。すなわち、貼り合わせSOI基板の製造時において、活性層用ウェーハの表面およびまたは支持基板用ウェーハの表面に凹部を形成し、両表面を貼り合わせ面として活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを貼り合わせれば、内部に略設計された通りの空洞を有する貼り合わせSOI基板を製造することができることを知見し、この発明を完成させた。
【0006】
【発明の目的】
この発明は、寸法精度が高い空洞を絶縁層として埋め込むことができる貼り合わせSOI基板の製造方法を提供することを、その目的としている。
また、この発明は、同一チップ上にMOS素子とバイポーラ素子とを混在させることが容易な貼り合わせSOI基板の製造方法を提供することを、その目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、活性層用ウェーハの表面およびまたは支持基板用ウェーハの表面に凹部を形成する凹部形成工程と、この凹部を形成した表面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、この酸化膜形成工程後、この凹部を形成した表面を貼り合わせ面として活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを貼り合わせることにより空洞を形成する貼り合わせ工程と、この貼り合わせウェーハのうち、上記活性層用ウェーハを減厚してSOI層を形成する減厚工程とを備えた貼り合わせSOI基板の製造方法であって、上記貼り合わせ工程は、真空雰囲気中または減圧条件下で行われる貼り合わせSOI基板の製造方法である。
SOI層用ウェーハ、支持基板用ウェーハとしては各種のウェーハ、例えば単結晶シリコンウェーハ、ガリウム・ヒ素ウェーハなどを採用することができる。
SOI層に形成されるデバイスの種類は限定されない。例えば、MOS型素子、バイポーラ素子、また、各種ダイオード、各種トランジスタ等、さらにメモリ、プロセッサ、さらにまた、各種ディジタル回路、各種アナログ回路などである。
SOI層の厚さは限定されない。例えば厚膜のSOI層では20〜50μmである。また、薄膜のSOI層では0.01〜20μmである。
【0008】
空洞は、SOI層の平面内の略全域に形成してもよい。または、この平面内に部分的に形成してもよい。その空洞の形状は、例えば平面視して円形、楕円形、三角形または四角形以上の多角形でもよい。
空洞の高さ(基板厚さ方向の長さ)は0.01〜50μm、好ましくは0.01〜5μmである。
【0009】
上記絶縁膜はSOI層の貼り合わせ面に形成してもよいし、支持基板用ウェーハの貼り合わせ面に形成してもよい。さらには、SOI層と支持基板用ウェーハとの両方の貼り合わせ面に形成してもよい。絶縁膜が形成されるのは、SOI層およびまたは支持基板用ウェーハの貼り合わせ面だけに限定されない。例えば、SOI層およびまたは支持基板用ウェーハの全面に形成してもよい。
【0011】
凹部が形成されるのは、活性層用ウェーハの表面でもよい。また、支持基板用ウェーハの表面でもよい。さらには、活性層用ウェーハの表面と支持基板用ウェーハの表面との両方でもよい。
凹部形成には、各種の手法、例えばフォトリソグラフィなどを用いる。凹部の深さ、広さ、形状も任意に設定することができる。例えば、凹部が形成されるウェーハの表面上に、凹部と同形状のパターン孔を有するパターニングマスクを配置し、このパターン孔を介して、所定のエッチング法により、ウェーハ表面に凹部をエッチングすることができる。エッチング法は限定されない。例えばフッ酸と硝酸とを混合した混酸を使用した酸性エッチング、NaOHまたはKOHなどを使用したアルカリエッチングを採用することができる。それ以外にも、各種のドライエッチングを採用することができる。
また、この凹部は、エッチング以外の方法でも形成することが可能である。すなわち、例えば各種の薄膜形成法により、凹部以外のウェーハ表面の部分を隆起させ、相対的に凹部を形成する方法である。具体的には、フォトリソグラフィにより、凹部が形成されるウェーハの表面上に、この凹部の形成領域を除く部分のパターン孔を有するマスクを形成する。その後、このパターン孔を介して、所定の薄膜形成法によりウェーハ表面に所定の薄膜を形成する。次に、マスクを除去することで、ウェーハ表面上に設定寸法の凹部を形成する方法である。
薄膜形成法としては、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、CVD法、エピタキシャル成長法などがある。
【0012】
活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとの貼り合わせは、例えば常温により両ウェーハを重ね合わせた後、貼り合わせ熱処理することで行われる。この貼り合わせ熱処理の加熱温度は800℃以上、例えば1100℃である。貼り合わせ熱処理の時間は、例えば2時間である。使用する熱酸化炉内の雰囲気ガスには酸素などが用いられる。
【0013】
活性層用ウェーハの減厚方法としては、例えば熱酸化された表面側から活性層用ウェーハの中に水素イオンなどの軽元素を注入し、その後、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを貼り合わせて熱処理を施す。このとき、水素イオンを注入した部分から活性層用ウェーハの不要部分を剥離するスマートカット法を採用することができる。
これら以外にも、例えば表面研削、表面研磨による減厚法を採用することができる。また、その他の減厚法としてエッチストップ法なども採用することができる。
すなわち、貼り合わせウェーハの活性層用ウェーハ側を表面研削し、その後、この表面研削面を表面研磨してSOI層とする方法である。活性層用ウェーハを表面研削する際には、例えば表面研削砥石による研削が行われる。表面研磨としては、例えば研磨装置の研磨ヘッドに表面研削された貼り合わせウェーハを装着し、研磨液中に遊離砥粒を含む研磨剤(スラリー)を供給しながら、活性層用ウェーハの研削面を研磨定盤上に貼着された研磨布に押し付けて研磨する。表面研磨だけで活性層用ウェーハを減厚してもよい。この場合には研磨条件の調整が必要である。
研磨装置としては、枚葉式の研磨でも、バッチ式の研磨装置でもよい。さらに、ワックスタイプの片面研磨装置でも、ワックスレスタイプの装置でもよい。
研磨布としては、例えばポリエステルフェルトにポリウレタンを含浸させた多孔性の不織布タイプ、発泡したウレタンのブロックをスライスした発泡性ウレタンタイプ、そのほかポリエステルフェルトにポリウレタンが含浸された基材の表面に発泡ポリウレタンを積層し、このポリプレタンの表層部分を除去して発泡層に開口部を形成したスエードタイブなどを採用することができる。
【0017】
上記貼り合わせ工程は、真空雰囲気中または減圧条件下で行われる。
例えば、10torr、室温下で行う。貼り合わせは公知の治具を使用する。
【0020】
請求項2に記載の発明は、平面内において異なる高さの複数の空洞を有することによって厚さが異なるSOI層が形成された貼り合わせSOI基板で、そのSOI層で最も薄い部分にCMOSロジックによる機能ブロックが、その他の領域にメモリ機能ブロックおよびまたはアナログ機能ブロックが形成された半導体装置である。
【0021】
請求項3に記載の発明は、上記SOI層で最も薄い部分に、CMOSロジックの基本単位ブロックが形成された請求項2に記載の半導体装置である。
【0022】
請求項4に記載の発明は、上記SOI層で最も薄い部分に、単位トランジスタが形成された請求項3に記載の半導体装置である。
【0023】
請求項5に記載の発明は、上記SOI層で最も薄い部分に、単位トランジスタのチャネルが形成された請求項4に記載の半導体装置である。
【0025】
請求項1に記載の貼り合わせSOI基板の製造方法にあっては、活性層用ウェーハの表面およびまたは支持基板用ウェーハの貼り合わせ面にまず凹部を形成し、その後、これらを貼り合わせる。これにより、寸法精度が高い空洞を絶縁層として埋め込み、形成することができる。空洞を基板平面内の複数位置に同時的に形成することができ、しかもこれら空洞によるSOI層の厚さを任意に設定することが容易である。よって、例えば同一チップ上にMOS型素子とバイポーラ素子とを混載した半導体装置を容易に作製することができる。
【0026】
請求項2〜請求項5に記載の半導体装置にあっては、SOI層の厚さが最も薄い部分にCMOSロジックの機能ブロックを、その他の領域にメモリ機能ブロックまたはアナログ機能ブロックを形成したため、それらの素子の機能を効率良く発揮することができる。また、この薄い部分にCMOSロジックの基本単位ブロックを配設する場合、さらに、この部分に単位トランジスタを、特に単位トランジスタのチャネルを形成する場合、各素子の特性を最大限に有効に機能させた混載型の半導体装置を得ることができる。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
図1〜図3を参照して、この発明の第1の実施例に係る貼り合わせSOI基板およびその製造方法を説明する。
この実施例に係る貼り合わせSOI基板の特徴は、活性層10Aと支持基板用ウェーハ20との貼り合わせ界面より活性層用ウェーハ10側に、高さが低い空洞cと、これより高い空洞dが、それぞれ所定個数ずつ存在している点である。この高さが異なる結果、この部分ではSOI層(活性層)10Aの厚さも異なっている。図3中、空洞dの上方には厚さt1のSOI層10Aが、空洞cの上方には厚さt2のSOI層10Aが、それぞれ形成されている。ただし、t1<t2である。
そして、この薄いシリコン層部分にはCMOS100が、厚いシリコン層部分にはバイポーラトランジスタ110がそれぞれ形成されることとなる。
【0028】
以下、この貼り合わせSOI基板の製造方法を説明する。
まず、公知方法で作製した活性層用シリコンウェーハ10の裏面に(鏡面の表面から所定深さ位置に)所定条件で水素イオンをイオン注入する(図1(a))。10aは水素イオン注入領域を示す。
次いで、この活性層用シリコンウェーハ10の表面に、反応性イオンエッチング装置を用いて、開口面積1mm2×深さ0.5μmの凹部10d…と、開口面積1mm2×深さ1.0μmの凹部10e…とをイオンエッチングにより形成する(図1(b))。深さを異ならせるためには、例えばエッチングでのマスクを複数種類用意して複数段階に分けてエッチングを行う。
その後、酸素ガス雰囲気での900℃の熱酸化処理により、活性層用ウェーハ10の凹部10d,10eを含む露出面の全域に、シリコン酸化膜10fを形成する(図1(c))。
続いて、活性層用シリコンウェーハ10の表面(凹部を有する面)と、あらかじめ準備された支持基板用ウェーハ20(同一プロセスで作製したシリコンウェーハ)の鏡面とを貼り合わせ面(重ね合わせ面)とし、例えば真空装置内で公知の治具を用いて両ウェーハ10,20を貼り合わせる(図2(a))。このとき、活性層用ウェーハ10と支持基板用ウェーハ20との間には、開口面積1mm2×高さ0.5μmの所定個数の空洞cと、開口面積1mm2×高さ1.0μmの所定個数の空洞dと、シリコン酸化膜10fの貼り合わせ面側である埋め込み酸化膜30aとからなる絶縁層が埋設されることとなる。
その後、貼り合わせウェーハ30に対して500℃、1時間の低温熱処理を施し、この活性層用ウェーハ10内に水素バブル領域10aを形成する。
引き続いて、この貼り合わせウェーハ30に対して所定の貼り合わせ熱処理(1100℃、2時間)も行う。この結果、水素バルブ領域10aから、活性層用ウェーハ10の不要部分が剥離される(図2(b))。また、この貼り合わせ熱処理により、その貼り合わせ強度が高められる。
そして、この活性層用ウェーハ10の剥離面を、CMP処理または水素ベーク処理することにより、貼り合わせSOI基板が作製される(図2(c))。研磨により活性層ウェーハ表面が鏡面化される。なお、30aは埋め込み酸化膜として機能する。
【0029】
図3にはこのようにして作製した貼り合わせSOI基板を示す。このSOI基板にあっては高さの異なる空洞c,dが貼り合わせ面に形成される結果、これら空洞c,dの直上のSOI層10Aの厚さはそれぞれ異なる。高い空洞dには薄い(厚さt1)SOI層10Aが、低い空洞cの直上には厚い(厚さt2)SOI層10Aがそれぞれ形成されることとなる。
そして、このSOI基板を用いて半導体装置を作製する場合、SOI層10Aのうち、高さが高い空洞dの上の対応領域には、上述のように、CMOSロジックを形成する。CMOSロジックの形成領域は、できるだけ寄生容量が小さくなる薄膜の方が好ましいからである。また、SOI層10Aのうち、低い空洞cとの対応領域(厚さの厚い領域)には、メモリまたは各種のアナログ回路(バイポーラ素子)を形成する。
その他、SOI層10Aの空洞dとの対応領域には、例えばCMOSロジックの基本回路、CMOSロジックを除く別の単位トランジスタ、単位トランジスタのチャネル、各種の完全空乏型SOIデバイスなどを形成してもよい。
このように、異なる高さの複数の空洞c,dを形成したので、同一チップ上に異なる構造の素子を混載することができる。
【0030】
次に、図4〜図6にはこの発明の第2の実施例をしめす。この貼り合わせSOI基板の製造方法の特徴は、図4に示すように、水素イオン注入の前工程で、まず、活性層用シリコンウェーハ10の表面(鏡面)にシリコンゲルマニウム薄膜10bをエピタキシャル成長させ、次いで、このシリコンゲルマニウム薄膜10bの表面にシリコン薄膜10cを、連続してエピタキシャル成長させることにある。
なお、この活性層用シリコンウェーハ10は、CZ法により引き上げられ、スライス、面取り、ラップ、エッチング、鏡面研磨が施されたものを用いる。
引き続いて、このシリコンゲルマニウム(SiGe)薄膜10bと活性層用ウェーハ10との境界部分あるいはSiGe膜内に、もしくはSiGe膜直下のシリコン基板内に水素イオン濃度がピークとなるように水素イオンを注入する。10aは水素イオン注入部分を示している。このようにして、貼り合わせ用の活性層用ウェーハ10が作製される。
【0031】
一方、支持基板用シリコンウェーハ20については、図5に示すように、フォトリソグラフィなどにより、その貼り合わせ面(鏡面)に所定の凹部20a,20bが形成される。これらの凹部20a,20bの深さは異ならせている。これは例えばフォトマスクを用いたエッチングの条件を凹部20a,20bにより異ならせることで行う。
そして、凹部形成後、熱酸化によりこの支持基板用ウェーハ20の外面は酸化膜20cにより被覆される。なお、この支持基板用ウェーハ20は上記活性層用シリコンウェーハ10と同一の過程を経て形成されている。
【0032】
そして、図6に示すように、これらの活性層用ウェーハ10および支持基板用ウェーハ20を貼り合わせることにより、貼り合わせウェーハ30を作製する。
すなわち、所定の真空条件(例えば真空チャンバ内で)下、活性層用ウェーハ10のシリコン薄膜10cの表面と支持基板用ウェーハ20の表面(凹部形成面)とを重ね合わせることにより、これらを貼り合わせる。
そして、この貼り合わせウェーハ30は、熱酸化炉に挿入されて所定の熱処理が施される。すなわち、酸素ガス雰囲気、500℃、1時間の条件で、注入された水素イオンによる水素バブルを形成する。続いて、1100℃、2時間の貼り合わせ熱処理を行う。この結果、貼り合わせ強度が高められる。この熱処理により、貼り合わせウェーハ30においては水素バルブ形成領域から表面側の活性層用ウェーハ10の部分が、剥離される。
このようにして貼り合わせ面にシリコン酸化膜(埋め込み酸化膜)30aが介在された貼り合わせウェーハ30が形成される。そして、この場合、シリコン酸化膜30aの一部に空洞a,bを含むこととなる。
剥離後、シリコンゲルマニウム薄膜10bをエッチストップ法を用いたエッチングにより除去し、シリコン薄膜10cを露呈させる。ここでは、シリコンゲルマニウムに対するエッチングレートがシリコンに対するそれより大きいエッチャントが使用される。また、このエッチング面は化学的機械的研磨により鏡面化される。その結果、所定厚さのシリコン薄膜10cからなるSOI層10Aを有する貼り合わせSOI基板が作製される。
そして、このSOI層10Aの各空洞の直上部分に所定の素子が形成されることとなる。
【0033】
このように、活性層用ウェーハ10の表面にシリコンゲルマニウム薄膜10bとシリコン薄膜10cとを、順次、エピタキシャル成長させ、最終的にシリコン薄膜10cを活性層10Aとする貼り合わせSOI基板の製造方法を採用したので、剥離面はシリコンゲルマニウム膜内もしくはシリコンゲルマニウム直下のシリコン基板であり、その後エッチングにより不要層を除去しているので、最終的なSOI層表面のラフネスは低減できる。
【0034】
また、図7〜図9には、この発明の第3の実施例を示している。まず、CZ法により引き上げられた単結晶シリコンインゴットを、スライス、面取り、ラッピング、エッチング、研磨することで、厚さ725μm、直径200mm、初期酸素濃度14.0×1017atoms/ccの、表面が鏡面に仕上げられた活性層用ウェーハ10を用意する(図7)。次に、この活性層用ウェーハ10の内部に、中電流イオン注入装置を使用して、100keVの加速電圧により、そのウェーハ表面側から注入深さが約2μmとなるように水素イオンを5.0×1016atms/cm2で注入する。これにより、活性層用ウェーハ10の表層の所定深さ位置に水素イオン注入層10aが平面的に離間・延在して形成される。
【0035】
一方では、この活性層用ウェーハ10と同じ製法により、同じ厚さ、口径の鏡面仕上げされた支持基板用ウェーハ20を用意する(図8)。次いで、この支持基板用ウェーハ20には、スピンコート法により、その表面の全体にレジスト膜を1μmだけ塗布する。その後、フォトリソグラフィ技術により、このレジスト膜の所定の部分に、開口面積1mm2のパターン孔を所定数だけ形成する。そして、これらのパターン孔を介して、支持基板用ウェーハ20の表面の一部に、開口面積1mm2×深さ0.5μmの複数の凹部20a…と、開口面積1mm2×深さ1.0μmの複数の凹部20b…とをイオンエッチングにより形成する。
【0036】
その後、この支持基板用ウェーハ20を熱酸化炉に挿入し、炉内に所定量の酸素ガスを流し込みながら900℃で熱酸化処理する。これにより、凹部20a,20bの内壁全域を含む支持基板用ウェーハ20の露出面の全体に、厚さ0.4μmの絶縁性のシリコン酸化膜20cが形成される。
【0037】
それから、活性層用ウェーハ10の水素イオン注入層10a側の面と、支持基板用ウェーハ20の凹部20a,20bの形成側の面とをそれぞれ貼り合わせ面として、室温下、真空装置内で、活性層用ウェーハ10と支持基板用ウェーハ20とを重ね合わせ、貼り合わせウェーハ30を形成する(図9)。このとき、真空装置内は10Torr以下である。真空装置内で貼り合わせることにより、支持基板用ウェーハ10の鏡面仕上げされた表面と、支持基板用ウェーハ20の凹部20a,20b側の鏡面とを、貼り合わせ不良部分を発生させることなく、貼り合わせることができる。
【0038】
貼り合わせ後には、貼り合わせ界面の一部分(特定位置)に、開口面積1mm2×深さ0.5μmの所定個数の空洞a…と、開口面積1mm2×深さ1.0μmの所定個数の空洞b…とがそれぞれ形成される。このとき、活性層用ウェーハ10と支持基板用ウェーハ20との間に介在されたシリコン酸化膜20cの部分が埋め込みシリコン酸化膜30aとなる。この埋め込みシリコン酸化膜30aの厚さは、0.4μmである。
このように、この実施例では貼り合わせ法を採用して空洞a,bを有する貼り合わせSOI基板を製造するように構成したので、従来のシリコン原子のマイグレーションを利用した場合に比べて、高い寸法精度の空洞a,bを形成することができる。
【0039】
その後、この貼り合わせウェーハ30を貼り合わせ熱処理用の熱酸化炉に挿入し、酸素ガスの雰囲気下で、500℃、1時間のバブル形成用の熱処理を行う。これにより、活性層用ウェーハ10に注入された水素イオンが反応し、多数の水素バブルが密集した領域が形成される。
引き続き、1100℃、2時間で貼り合わせ熱処理を行う。これにより、活性層用ウェーハ10と支持基板用ウェーハ20との貼り合わせ強度が増強される。この熱処理時、水素バブル形成領域から活性層用ウェーハ10の不要な部分が剥離して、活性層用ウェーハ10が減厚される。その結果、支持基板用ウェーハ20上に、空洞a,bおよび埋め込み酸化膜30aから構成される絶縁層を介して、所定厚さの活性層10Aが形成される。その後、熱処理により活性層10Aおよび支持基板用ウェーハ20の露出面に形成されたシリコン酸化膜を、HF洗浄して除去する。
【0040】
それから、この活性層10Aの剥離面を平滑化するため、CMP(Chemical Mechanical Polising)処理を行う。これにより、活性層10Aの剥離面が鏡面仕上げされる。また、このCMPに代えて、活性層10Aの剥離面を水素ベーク処理してもよい。こうして、貼り合わせSOI基板が作製される。
【0041】
請求項1の貼り合わせSOI基板の製造方法によれば、活性層用ウェーハの表面およびまたは支持基板用ウェーハの表面に凹部を形成し、その後、この凹部を形成した表面を貼り合わせ面として活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを貼り合わせるので、寸法精度が高い空洞からなる絶縁層を基板内に形成することができる。
請求項2〜5に記載の発明によれば、異なる構造の素子を混載することができる。この場合、その素子の機能を効果的に発揮することができる。また、その素子の各部分について最適な機能を発揮可能とすることができる。さらに、例えばMOS型素子およびバイポーラ型素子のそれぞれの機能を充分に発揮できるように構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施例に係る貼り合わせSOI基板の製造方法の活性層用ウェーハの処理工程を示すフローシートである。
【図2】この発明の第1の実施例に係る貼り合わせSOI基板の製造方法の貼り合わせウェーハの作製工程を示すフローシートである。
【図3】この発明の第1の実施例に係る貼り合わせSOI基板に形成した半導体装置を示す断面図である。
【図4】この発明の第2の実施例に係る貼り合わせSOI基板の製造方法における活性層用ウェーハの処理工程を示すフローシートである。
【図5】この発明の第2の実施例に係る貼り合わせSOI基板の製造方法における支持基板用ウェーハの準備工程を示すフローシートである。
【図6】この発明の第2の実施例に係る貼り合わせSOI基板の製造方法における貼り合わせウェーハの処理工程を示すフローシートである。
【図7】この発明の第3の実施例に係る貼り合わせSOI基板の製造方法における活性層用ウェーハの処理工程を示すフローシートである。
【図8】この発明の第3の実施例に係る貼り合わせSOI基板の製造方法における支持基板用ウェーハの準備工程を示すフローシートである。
【図9】この発明の第3の実施例に係る貼り合わせSOI基板の製造方法における貼り合わせウェーハの処理工程を示すフローシートである。
【符号の説明】
10A SOI層、
10d,10e 凹部、
10f,20c シリコン酸化膜(絶縁層)、
20 支持基板用ウェーハ、
20a,20b 凹部、
30a 埋め込み酸化膜、
a,b,c,d 空間(絶縁層)。
Claims (5)
- 活性層用ウェーハの表面およびまたは支持基板用ウェーハの表面に凹部を形成する凹部形成工程と、
この凹部を形成した表面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
この酸化膜形成工程後、この凹部を形成した表面を貼り合わせ面として活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを貼り合わせることにより空洞を形成する貼り合わせ工程と、
この貼り合わせウェーハのうち、上記活性層用ウェーハを減厚してSOI層を形成する減厚工程とを備えた貼り合わせSOI基板の製造方法であって、
上記貼り合わせ工程は、真空雰囲気中または減圧条件下で行われる貼り合わせSOI基板の製造方法。 - 平面内において異なる高さの複数の空洞を有することによって厚さが異なるSOI層が形成された貼り合わせSOI基板で、そのSOI層で最も薄い部分にCMOSロジックによる機能ブロックが、その他の領域にメモリ機能ブロックおよびまたはアナログ機能ブロックが形成された半導体装置。
- 上記SOI層で最も薄い部分に、CMOSロジックの基本単位ブロックが形成された請求項2に記載の半導体装置。
- 上記SOI層で最も薄い部分に、単位トランジスタが形成された請求項3に記載の半導体装置。
- 上記SOI層で最も薄い部分に、単位トランジスタのチャネルが形成された請求項4に記載の半導体装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002307478A JP4556158B2 (ja) | 2002-10-22 | 2002-10-22 | 貼り合わせsoi基板の製造方法および半導体装置 |
TW092129099A TWI233151B (en) | 2002-10-22 | 2003-10-21 | Bonding SOI substrate, its manufacturing method, and semiconductor device |
US10/501,522 US7253082B2 (en) | 2002-10-22 | 2003-10-22 | Pasted SOI substrate, process for producing the same and semiconductor device |
EP03809450.4A EP1555690B1 (en) | 2002-10-22 | 2003-10-22 | Pasted soi substrate, process for producing the same and semiconductor device |
PCT/JP2003/013514 WO2004038790A1 (ja) | 2002-10-22 | 2003-10-22 | 貼り合わせsoi基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
KR1020047011567A KR100734229B1 (ko) | 2002-10-22 | 2003-10-22 | 접합 soi 기판, 그 제조 방법 및 반도체 장치 |
CNB2003801002358A CN100474554C (zh) | 2002-10-22 | 2003-10-22 | 贴合绝缘体基外延硅基片及其制造方法与半导体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002307478A JP4556158B2 (ja) | 2002-10-22 | 2002-10-22 | 貼り合わせsoi基板の製造方法および半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004146461A JP2004146461A (ja) | 2004-05-20 |
JP4556158B2 true JP4556158B2 (ja) | 2010-10-06 |
Family
ID=32170939
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002307478A Expired - Lifetime JP4556158B2 (ja) | 2002-10-22 | 2002-10-22 | 貼り合わせsoi基板の製造方法および半導体装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7253082B2 (ja) |
EP (1) | EP1555690B1 (ja) |
JP (1) | JP4556158B2 (ja) |
KR (1) | KR100734229B1 (ja) |
CN (1) | CN100474554C (ja) |
TW (1) | TWI233151B (ja) |
WO (1) | WO2004038790A1 (ja) |
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- 2002-10-22 JP JP2002307478A patent/JP4556158B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-10-21 TW TW092129099A patent/TWI233151B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-10-22 CN CNB2003801002358A patent/CN100474554C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-22 WO PCT/JP2003/013514 patent/WO2004038790A1/ja active Application Filing
- 2003-10-22 KR KR1020047011567A patent/KR100734229B1/ko active IP Right Grant
- 2003-10-22 US US10/501,522 patent/US7253082B2/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050081958A1 (en) | 2005-04-21 |
KR20050053525A (ko) | 2005-06-08 |
WO2004038790A1 (ja) | 2004-05-06 |
TW200409200A (en) | 2004-06-01 |
TWI233151B (en) | 2005-05-21 |
JP2004146461A (ja) | 2004-05-20 |
EP1555690B1 (en) | 2014-07-16 |
EP1555690A4 (en) | 2006-10-04 |
CN100474554C (zh) | 2009-04-01 |
EP1555690A1 (en) | 2005-07-20 |
KR100734229B1 (ko) | 2007-07-02 |
CN1692488A (zh) | 2005-11-02 |
US7253082B2 (en) | 2007-08-07 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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