JP4332533B2 - キャパシタ内蔵型プリント回路基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
この種の受動素子内蔵型プリント回路基板技術は、新規の材料(物質)と工程を用いて基板の外部あるいは内層にレジスタやキャパシタなどの受動素子を挿入して既存のチップレジスタおよびチップキャパシタの役割を代替する技術を意味する。言い換えれば、受動素子内蔵型プリント回路基板は、基板自体の内層あるいは外部に受動素子、例えばキャパシタが埋め込まれている形であって、プリント回路基板の大きさに関係なくキャパシタがプリント回路基板の一部として統合されていると、このようなキャパシタを「内蔵型キャパシタ(embedded(buried) capacitor」といい、このような基板を「キャパシタ内蔵型プリント回路基板(embedded capacitor printed circuit board)」という。このような内蔵型プリント回路基板の最も重要な特徴は、キャパシタがプリント回路基板の一部分として元々から備えられているため、基板の表面に実装する必要がないことである。
一方、現在までのキャパシタ内蔵型プリント回路基板技術は、3つの方法に大別されるが、以下にこれについて詳細に説明する。
三つ目は、プリント回路基板の表面に実装されたデカップリングキャパシタを代替し得るように、キャパシタンス特性を有する別途の誘電体をプリント回路基板の内層に挿入してキャパシタを実現する方法であって、米国Sanmina社が関連特許技術を保有している(特許文献2、特許文献3および特許文献4参照)。この方法は、プリント回路基板の内層に、電源電極および接地電極からなるキャパシタンス特性を有する別途の誘電体を挿入し、電源分散型デカップリングキャパシタ(Power distributed decoupling capacitor)を実現している。
前述した従来の技術に係る内蔵型キャパシタは、キャパシタが基板の内部に挿入されているため、チップキャパシタが占有していた面積を減らすことができるため、チップの実装密度を高めることができるうえ、表面にチップキャパシタを実装(SMT)する必要がないという長所がある。また、従来の技術によれば、高周波で素子間の接続距離が長くて電気的寄生成分を誘発して製品の電気的な性能を低下させるとともに、半田付けなどによる接続数が多くなることにより製品の信頼性にも問題が引き起こしたが、内蔵型キャパシタを使用すると、素子間の接続長さが短くなって電気的寄生成分を減少させ、その結果電気的性能の向上を期待することができる。
高容量のキャパシタを実現するには、誘電体の誘電定数が高くなければならず、誘電体厚さが薄ければ薄いほど、そして表面積が広ければ広いほど高い容量を有するキャパシタを得ることができる。
一方、従来の技術に係る内蔵型キャパシタの実現の際に使用される高誘電体物質および工程条件などを表1に簡略にまとめて示した。
(1)導入されたAl(CH3)3ガスは、プリント回路基板上に全体的に下記化学反応(1)で化学吸着される。
(2)パージングガス、例えばArガスのパージ(Purge)によってAl前駆体の1層のみを基板に残す。
(4)Arガスのパージによって不要な2C2H6を除去し、基板上にAl2O3の1層のみを形成する。
(5)サイクル:(1)〜(4)工程を反復適用して所望の厚さにする。
参考まで、本発明の方法によって実際銅張積層板上にALD法を用いてAl2O3薄膜を形成し、上部電極としてPt膜を蒸着した後、電気的特性を測定してその結果を図5〜図7にそれぞれ示した。
図5および図6から確認されるように、銅箔上に形成されたAl2O3薄膜の静電容量は印加電圧による差が大きくない均一な様子を示し、損失係数も通常のスパッタリング法またはゾルーゲル工法を用いた場合(>0.1)と比較して低い値を有し、印加電圧に応じて一定の様子を示す。この際、測定したAl2O3薄膜の誘電率は、約7V程度であって、バルクAl2O3の誘電率とほぼ同様の結果を示す。また、図7を参照すると、絶縁破壊電圧(break down voltage)は約±20〜30V程度であって、約4〜5MV/cmの高い電気場が加えられたときに絶縁破壊が発生することを観察することができた。このような特性は、銅張積層板上にALD工程を用いて誘電膜を形成したとき、Cu電極の激しい変形またはCu電極界面層の劣化なしに誘電膜が成功的に蒸着されたことを意味する。 また、測定したAl2O3薄膜の誘電率がバルクAl2O3の誘電率とほぼ同様なのは、粗い表面を有するCu基板の表面に均一に薄膜が形成されたことを意味する。
以上の実験結果は、Cu電極上にアルミナ誘電膜を形成する方法として原子層蒸着工程を用いることが非常に大きい長所であることを示し、ALD工程を用いたキャパシタ内蔵型プリント回路基板製作の高い適用可能性を示す。
第1の方法では、前記誘電体層上に、誘電体層と金属層との接着力および界面特性を向上させるために、無電解メッキ(electroless plating)法によってNi、Cr、Moまたはこれらの組み合わせからなる金属シード層(seed layer)を薄く(例えば、100Å〜5000Å)形成した後、前記金属シード層に電解メッキ法で銅メッキ層(例えば、10μm〜30μm)を形成して金属層を形成する。次いで、前記金属層上に所定のドライフィルムパターンを形成した後、露光および現像によってエッチングして上部電極および回路パターンを形成する。
以下、図8A〜図8Iを参照して本発明の好適な実施態様に係るキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法を説明する。
この際、前記第1回路層形成工程の前に、表面積を広めるために銅張積層板の外層には化学的エッチングなどによって約1〜5μmの粗さ(Ra)をさらに与えることにより、静電容量値を向上させることができる。前記粗さを与えることは、ソフトエッチング(soft etching)処理、ブラック酸化(black oxide) 処理、ブラウン酸化(brown oxide)処理、ABC(Acid base chemical)処理、セラミックバフ(ceramic buff)処理およびZ−スクラビング(Z-scrubbing)処理のいずれか一つを用いてあるいはこれらを組み合わせて行うことができる。
ここで、選択的な過程として、前記誘電体層105a、105b形成工程の前に、前記第1回路層上に、Pt、Ir、Au、Ru、Ni、Al、W、Mo、TaおよびTiよりなる群から選択された少なくとも一つの金属、またはこれらの導電性酸化物もしくは導電性窒化物からなる酸化防止層をさらに形成することにより、銅層102a〜102d、103の酸化を防止することができる。
前記誘電体層105a、105bは、順次流入される(i)トリメチルアルミニウムと、(ii)H2O、H2Oプラズマ、O2プラズマまたはO3といった酸化剤のソースガスを用いてALD法を繰り返し行うことにより、所定の厚さに形成される。ここで、前記各ソースガスの流入の後には、パージングのために通常の不活性気体、例えばArを流入させる。
こうして形成される誘電体層105a、105bの厚さは50〜5000Å、好ましくは100〜750Åであることが、高誘電容量値を達成するための効率対比経済的な面で適する。
前記エッチング過程は、ウェットエッチング工程またはドライエッチング工程で行われる。前記ウェットエッチング工程は、通常のプリント回路基板の工程で行われるように、所定のパターンでドライフィルムを覆い、エッチングしたい部分のみを露光および現像過程によってオープンした後、アルミナエッチング液でエッチングして行われる。また、前記ドライエッチング工程は、イオンビームまたはプラズマを用いてアルミナを削ることにより行われる。特に、前記ドライエッチング工程は、主にRIEという装備を用いて真空圧で行うことができるという利点がある。
次いで、前記誘電体層105a、105b上に金属層106を形成した後(図8D参照)、前記誘電体層105a、105bを介して下部電極102a〜102dと対向して上部電極が形成されるように、前記金属層106上に所定のドライフィルムパターン107a〜107dを形成した後(図8E参照)、露光および現像によってエッチングし、下部電極102a〜102dに対向する上部電極106a〜106d、および回路パターン(図示せず)を含む第2回路層を形成する(図8F参照)。
ここで、前記上部電極106a〜106dおよび回路パターンを含む第2回路層の形成方法は、特に限定されるものではないが、次の5つの方法のいずれか一つによって行われるのが好ましい。
第2の方法では、前記誘電体層上にスクリーン印刷またはインクジェット法で導電性ナノ金属としてのRu、Cu、Ni、Cr、Moまたはこれらの組み合わせからなる導電性ペーストを塗布した後、所定の温度で乾燥させて金属層を形成する。その後、前記乾燥したペーストをマスク法でパターニングして上部電極および回路パターンを形成する。
第3の方法では、前記誘電体層にスパッタリングまたはエバポレイション法でRu、Cu、Ni、Cr、Moまたはこれらの組み合わせからなる金属シート層を形成した後、前記金属シート層に電解メッキ方法で銅メッキ層を形成して誘電体層と金属層との接着力を向上させる。次いで、前記銅メッキ層上に所定のドライフィルムパターンを形成した後、露光および現像によってエッチングして上部電極および回路パターンを形成する。
第4の方法では、前記誘電体層上にALD法によってRu、Cu、Ni、Cr、Moまたはこれらの組み合わせからなる金属層を形成した後、前記金属層上に所定のドライフィルムパターンを形成し、その後露光および現像によってエッチングして上部電極および回路パターンを形成する。
次いで、前記上部電極106a〜106dの形成されたキャパシタ層の上部にビールドアップ(Build-up)工程を用いて片面銅張積層板、例えば樹脂コートされた銅箔(Resin Coated Copper:RCC)108a+109a、108b+109bを積層する(図8G参照)。
このように、こうして形成されたキャパシタ内蔵型プリント回路基板の誘電体層が形成された層は、信号整合用キャパシタまたは集積回路チップのためのデカップリングキャパシタの役割をする。
ひいては、下部電極の形成された銅張積層板上にALD法によって高誘電物質のアルミナ膜を数十〜数千Åの厚さに成膜することにより、高静電容量値を有する誘電体層を形成し、次いで上部電極を形成した後、プリント基板工程で直接積層するビールドアップ工程を行うことができるという利点がある。
102a〜102d 上部電極
103 回路パターン
104a〜104c 絶縁材
105a、105b 誘電体層
106 金属層
106a〜106d 下部電極
107a〜107d ドライフィルムパターン
108a+109a、108b+109b 片面銅張積層板
110 スルーホール
111 ブラインドビアホール
112〜116 集積回路チップ
117 回路パターン
118 ワイヤボンディング
Claims (32)
- (a)両面銅張積層板の外層に、下部電極および回路パターンを含む第1回路層を形成する工程と、
(b)前記第1回路層上にアトミック・レイヤ・デポジション(ALD)法によってアルミナ(Al2O3)膜を蒸着して誘電体層を形成する工程と、
(c)前記誘電体層上に、上部電極及び回路パターンを含む第2回路層を形成する工程と、
(d)前記第2回路層上に片面銅張積層板を積層する工程と、
(e)前記片面銅張積層板の所定の部位にブラインドビアホール(BVH)およびスルーホール(TH)を加工する工程と、
(f)前記ブラインドビアホールおよびスルーホールをメッキして層間を連結する工程とを含むことを特徴とする、キャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。 - 前記第1回路層形成工程の前に、両面銅張積層板の外層に1〜5μmの粗さ(Ra)を与える工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。
- 前記粗さを与える工程は、ソフトエッチング(soft etching)処理、ブラック酸化(black oxide)処理、ブラウン酸化(brown oxide)処理、酸塩基(Acid base chemical)処理、セラミックバフ(ceramic buff)処理およびZ−スクラビング(Z-scrubbing)処理のいずれか一つあるいはこれらの組み合わせで行うことを特徴とする、請求項2に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。
- 前記第1回路層形成工程は、
(i)両面銅張積層板の外層に所定のドライフィルムパターンを形成した後、露光および現像によってエッチングして下部電極および回路パターンを形成する工程と、
(ii)前記エッチング部位に絶縁材を充填させ、平坦化させる工程とを含んでなることを特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。 - 前記方法は、前記誘電体層形成工程の前に、前記第1回路層にPt、Ir、Au、Ru、Ni、Al、W、Mo、TaおよびTiよりなる群から選択される少なくとも一つの金属、またはこれらの導電性酸化物もしくは導電性窒化物からなる酸化防止層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。
- 前記誘電体層形成工程は、トリメチルアルミニウム(trimethyl aluminum:TMA)をソースガスとし、基板の温度を25〜250℃に維持してALD法によってアルミナ膜を蒸着して行うことを特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。
- 前記基板温度は、100〜200℃に維持することを特徴とする、請求項6に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。
- 前記基板温度は、120〜150℃に維持することを特徴とする、請求項7に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。
- 前記誘電体層形成工程は、順次流入される(i)トリメチルアルミニウムと、(ii)H2O、H2Oプラズマ、O2プラズマまたはO3酸化剤のソースガスを用いてALD法を繰り返し行うことにより、所定の厚さを有するアルミナ膜を蒸着して行うが、ここで、前記各ソースガスの流入の後、パージングのための不活性気体を流入させることを特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。
- 前記誘電体層形成工程は、
(i)前記蒸着されたアルミナ膜の所定の部位をエッチングし、前記下部電極上の一部分を除いた残り部分のアルミナ膜を除去する工程と、
(ii)前記エッチング部位に絶縁材を充填させ、平坦化させる工程とをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。 - 前記エッチングは、(i)前記アルミナ膜上に所定のドライフィルムパターンを形成した後、露光および現像によってエッチングして行うか、あるいは(ii)イオンビームまたはプラズマを用いてエッチングして行うことを特徴とする、請求項10に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。
- 前記絶縁材充填および平坦化は、真空印刷法で行うことを特徴とする、請求項4または10に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。
- 前記誘電体層は、50〜5000Åの厚さに形成することを特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。
- 前記第2回路層形成工程は、
(i)前記誘電体層に無電解メッキ法によってNi、Cr、Moまたはこれらの組み合わせからなる金属シード層を形成する工程と、
(ii)前記金属シード層に電解メッキ法によって銅メッキ層を形成する工程と、
(iii)前記銅メッキ層上に所定のドライフィルムパターンを形成した後、露光および現像によってエッチングして上部電極および回路パターンを形成する工程とを含んでなることを特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。 - 前記第2回路層形成工程は、
(i)前記誘電体層にスクリーン印刷またはインクジェット法によってRu、Cu、Ni、Cr、Moまたはこれらの組み合わせからなる導電性ペーストを塗布する工程と、
(ii)前記ペーストを乾燥させる工程と、
(iii)前記乾燥したペーストをマスク法によってパターニングして上部電極および回路パターンを形成する工程とを含んでなることを特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。 - 前記第2回路層形成工程は、
(i)前記誘電体層にスパッタリングまたはエバポレイション法によってRu、Cu、Ni、Cr、Moまたはこれらの組み合わせからなる金属シード層を形成する工程と、
(ii)前記金属シード層に電解メッキ法によって銅メッキ層を形成する工程と、
(iii)前記銅メッキ層上に所定のドライフィルムパターンを形成した後、露光および現像によってエッチングして上部電極および回路パターンを形成する工程と含んでなることを特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。 - 前記第2回路層形成工程は、
(i)前記誘電体層にALD法によってRu、Cu、Ni、Cr、Moまたはこれらの組み合わせからなる金属層を形成する工程と、
(ii)前記金属層上に所定のドライフィルムパターンを形成した後、露光および現像によってエッチングして上部電極および回路パターンを形成する工程と含んでなることを特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。 - 前記第2回路層形成工程は、
(i)前記誘電体層にスパッタリングまたはエバポレイション法によってITOまたはRuO2酸化金属シード層を形成する工程と、
(ii)前記酸化金属シード層に電解メッキ法によって銅メッキ層を形成する工程と、
(iii)前記銅メッキ層上に所定のドライフィルムパターンを形成した後、露光および現像によってエッチングして上部電極および回路パターンを形成する工程と含んでなることを特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。 - 前記片面銅張積層板は、ビールドアップ(Build up)工程を用いて積層することを特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板の製造方法。
- (a)外層に下部電極および回路パターンを含む第1回路層が形成される両面銅張積層板と、
(b)前記銅張積層板の第1回路層上にALD法によってアルミナ膜を蒸着して形成される誘電体層と、
(c)前記誘電体層上に形成され、上部電極および回路パターンを含む第2回路層と、
(d)前記第2回路層上に積層される片面銅張積層板と、
(e)前記片面銅張積層板の所定の部位に加工されるブラインドビアホールおよびスルーホールと、
(f)前記ブラインドビアホールおよびスルーホールにメッキされるメッキ層とを含むことを特徴とする、キャパシタ内蔵型プリント回路基板。 - 前記第1回路層は、下部電極、回路パターン、および前記下部電極と回路パターンとの間に位置するエッチング部位に充填されて平坦化される絶縁材を含んでなることを特徴とする、請求項20に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板。
- 前記誘電体層は、トリメチルアルミニウムをソースガスとし、基板温度を25〜250℃に維持してALD法によってアルミナ膜を蒸着してなることを特徴とする、請求項20に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板。
- 前記アルミナ膜は、前記第1回路層上の全体部位に、あるいは所定の部位がエッチングされて前記第1回路層の下部電極上の一部分にのみ形成され、
前記アルミナ膜が下部電極上の一部分にのみ形成される場合には、前記誘電体層が前記アルミナ膜のエッチング部位に充填されて平坦化される絶縁材をさらに含んでなることを特徴とする、請求項20に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板。 - 前記誘電体層の厚さは50〜5000Åであることを特徴とする、請求項20に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板。
- 前記第2回路層は、前記誘電体層に無電解メッキ法によってNi、Cr、Moまたはこれらの組み合わせからなる金属シード層を形成し、前記金属シード層に電解メッキ法によって銅メッキ層を形成した後、前記銅メッキ層上に所定のドライフィルムパターンを形成し、露光および現像によってエッチングして上部電極および回路パターンを形成してなることを特徴とする、請求項20に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板。
- 前記第2回路層は、前記誘電体層にスクリーン印刷またはインクジェット法でRu、Cu、Ni、Cr、Moまたはこれらの組み合わせからなる導電性ペーストを塗布し、乾燥させた後、前記乾燥したペーストをマスク法でパターニングして上部電極および回路パターンを形成してなることを特徴とする、請求項20に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板。
- 前記第2回路層は、前記誘電体層上にスパッタリングまたはエバポレイション法によってRu、Cu、Ni、Cr、Moまたはこれらの組み合わせからなる金属シード層を形成し、前記金属シード層に電解メッキ法で銅メッキ層を形成した後、前記銅メッキ層上に所定のドライフィルムパターンを形成し、露光および現像によってエッチングして上部電極および回路パターンを形成してなることを特徴とする、請求項20に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板。
- 前記第2回路層は、前記誘電体層上にALD法によってRu、Cu、Ni、Cr、Moまたはこれらの組み合わせからなる金属層を形成した後、前記金属層上に所定のドライフィルムパターンを形成し、露光および現像によってエッチングして上部電極および回路パターンを形成してなることを特徴とする、請求項20に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板。
- 前記第2回路層は、前記誘電体層にスパッタリングまたはエバポレイション法によってITOまたはRuO2酸化金属シード層を形成し、前記酸化金属シード層に電解メッキ法によって銅メッキ層を形成した後、前記銅メッキ層上に所定のドライフィルムパターンを形成し、露光および現像によってエッチングして上部電極および回路パターンを形成してなることを特徴とする、請求項20に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板。
- 前記銅張積層板の外層には、1〜5μmの粗さ(Ra)がさらに与えられることを特徴とする、請求項20に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板。
- 前記第1回路層上には、Pt、Ir、Au、Ru、Ni、Al、W、Mo、TaおよびTiよりなる群から選択された少なくとも一つの金属、またはこれらの導電性酸化物または導電性窒化物からなる酸化防止層がさらに形成されることを特徴とする、請求項20に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板。
- 前記誘電体層が形成された層は、信号整合用キャパシタまたは集積回路チップのためのデカップリングキャパシタの役割をすることを特徴とする、請求項20に記載のキャパシタ内蔵型プリント回路基板。
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---|---|---|---|---|
KR100649755B1 (ko) * | 2005-11-07 | 2006-11-27 | 삼성전기주식회사 | 박막 커패시터 내장된 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
US8058101B2 (en) | 2005-12-23 | 2011-11-15 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages and methods therefor |
KR100793916B1 (ko) * | 2006-04-05 | 2008-01-15 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 내장형 커패시터의 제조방법 |
KR100790694B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2008-01-02 | 삼성전기주식회사 | 캐패시터 내장형 ltcc 기판 제조방법 |
US7738257B2 (en) * | 2006-12-13 | 2010-06-15 | Intel Corporation | Microelectronic device including bridging interconnect to top conductive layer of passive embedded structure and method of making same |
TWI343116B (en) * | 2006-12-22 | 2011-06-01 | Unimicron Technology Corp | A capacitance element embedded in semiconductor package substrate structure and method for fabricating tme same |
CN101682989B (zh) * | 2007-03-10 | 2016-10-26 | 新美亚通讯设备有限公司 | 用于制造电容叠层和电子互联平台的方法 |
KR100851067B1 (ko) * | 2007-04-18 | 2008-08-12 | 삼성전기주식회사 | 캐패시터 및 그 제조방법 |
US7923645B1 (en) * | 2007-06-20 | 2011-04-12 | Amkor Technology, Inc. | Metal etch stop fabrication method and structure |
JP4912992B2 (ja) * | 2007-09-12 | 2012-04-11 | 新光電気工業株式会社 | キャパシタ内蔵基板及びその製造方法 |
KR100882608B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2009-02-12 | 삼성전기주식회사 | 캐비티 캐패시터의 제작 방법 및 캐비티 캐패시터가 내장된인쇄회로기판 |
JP2009099620A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | Fujitsu Ltd | コア基板およびその製造方法 |
TW200919676A (en) * | 2007-10-17 | 2009-05-01 | Phoenix Prec Technology Corp | Packaging substrate structure having capacitor embedded therein and method for manufacturing the same |
KR101397839B1 (ko) * | 2008-04-22 | 2014-05-20 | 삼성전기주식회사 | 절연층의 제조방법 및 그에 의하여 제조된 절연층을포함하는 내장형 커패시터 |
KR101578575B1 (ko) * | 2010-03-24 | 2015-12-17 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 접착제 조성물, 접착 테이프, 반도체 웨이퍼의 처리 방법 및 tsv 웨이퍼의 제조 방법 |
KR101078665B1 (ko) | 2010-04-01 | 2011-11-01 | 주식회사 심텍 | 초박형 인쇄회로기판 및 제조방법 |
CN102256440A (zh) * | 2010-05-20 | 2011-11-23 | 姚富翔 | 铝基电路板、其制备方法与供该方法使用的电镀液 |
KR101860965B1 (ko) * | 2010-06-03 | 2018-07-05 | 디디아이 글로벌 코퍼레이션 | 서브어셈블리를 결합시키기 위해 블라인드 및 내부 마이크로 비아를 사용하는 인쇄 회로 기판 제조시스템 및 그 방법 |
KR101067055B1 (ko) * | 2010-06-28 | 2011-09-22 | 삼성전기주식회사 | 미세 회로를 갖는 인쇄회로기판 및 이의 제조방법 |
US8482111B2 (en) | 2010-07-19 | 2013-07-09 | Tessera, Inc. | Stackable molded microelectronic packages |
US20120055706A1 (en) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Printed circuit board and method of manufacturing the same |
CN102543426A (zh) * | 2010-12-29 | 2012-07-04 | 深南电路有限公司 | 一种内置电容及其制造方法 |
CN102568820A (zh) * | 2010-12-31 | 2012-07-11 | 深南电路有限公司 | 一种共面式内置电容及其制造方法 |
KR101128063B1 (ko) | 2011-05-03 | 2012-04-23 | 테세라, 인코포레이티드 | 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리 |
JP5757163B2 (ja) * | 2011-06-02 | 2015-07-29 | ソニー株式会社 | 多層配線基板およびその製造方法、並びに半導体装置 |
CN102905465A (zh) * | 2011-07-26 | 2013-01-30 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 双面电路板结构 |
US9230899B2 (en) * | 2011-09-30 | 2016-01-05 | Unimicron Technology Corporation | Packaging substrate having a holder, method of fabricating the packaging substrate, package structure having a holder, and method of fabricating the package structure |
US8404520B1 (en) | 2011-10-17 | 2013-03-26 | Invensas Corporation | Package-on-package assembly with wire bond vias |
US8835228B2 (en) | 2012-05-22 | 2014-09-16 | Invensas Corporation | Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect |
US9391008B2 (en) * | 2012-07-31 | 2016-07-12 | Invensas Corporation | Reconstituted wafer-level package DRAM |
US9502390B2 (en) | 2012-08-03 | 2016-11-22 | Invensas Corporation | BVA interposer |
US9167710B2 (en) | 2013-08-07 | 2015-10-20 | Invensas Corporation | Embedded packaging with preformed vias |
US20150076714A1 (en) | 2013-09-16 | 2015-03-19 | Invensas Corporation | Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface |
US9583456B2 (en) | 2013-11-22 | 2017-02-28 | Invensas Corporation | Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate |
KR20150070810A (ko) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 삼성전기주식회사 | 캐패시터 내장 기판 및 그 제조 방법 |
US9583411B2 (en) | 2014-01-17 | 2017-02-28 | Invensas Corporation | Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing |
JP6649770B2 (ja) * | 2014-02-21 | 2020-02-19 | 三井金属鉱業株式会社 | 内蔵キャパシタ層形成用銅張積層板、多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法 |
US10381326B2 (en) | 2014-05-28 | 2019-08-13 | Invensas Corporation | Structure and method for integrated circuits packaging with increased density |
JP6539992B2 (ja) * | 2014-11-14 | 2019-07-10 | 凸版印刷株式会社 | 配線回路基板、半導体装置、配線回路基板の製造方法、半導体装置の製造方法 |
US9888579B2 (en) | 2015-03-05 | 2018-02-06 | Invensas Corporation | Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips |
US9502372B1 (en) | 2015-04-30 | 2016-11-22 | Invensas Corporation | Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer |
CN106449605B (zh) * | 2015-08-12 | 2018-12-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Mim电容结构 |
US10490528B2 (en) | 2015-10-12 | 2019-11-26 | Invensas Corporation | Embedded wire bond wires |
US9490222B1 (en) | 2015-10-12 | 2016-11-08 | Invensas Corporation | Wire bond wires for interference shielding |
US10332854B2 (en) | 2015-10-23 | 2019-06-25 | Invensas Corporation | Anchoring structure of fine pitch bva |
US10181457B2 (en) | 2015-10-26 | 2019-01-15 | Invensas Corporation | Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out |
CN105196726A (zh) * | 2015-10-28 | 2015-12-30 | 上海科闵电子科技有限公司 | 电阻印刷方法 |
US10043779B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-08-07 | Invensas Corporation | Packaged microelectronic device for a package-on-package device |
CN105592624B (zh) * | 2015-12-17 | 2018-11-13 | 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 | 高效抑制边沿辐射的高密度pcb板及边沿辐射抑制方法 |
US9984992B2 (en) | 2015-12-30 | 2018-05-29 | Invensas Corporation | Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces |
TWI656815B (zh) * | 2016-06-21 | 2019-04-11 | 中華精測科技股份有限公司 | 具有過孔電容結構的電路板及其製造方法 |
WO2018021001A1 (ja) | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 株式会社村田製作所 | 薄膜キャパシタ、及び電子装置 |
CN107665878A (zh) * | 2016-07-29 | 2018-02-06 | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 | 箔、具有箔的器件载体和具有器件载体的电子系统 |
CN107665879A (zh) * | 2016-07-29 | 2018-02-06 | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 | 器件载体及包括所述器件载体的电子系统 |
US9935075B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-04-03 | Invensas Corporation | Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding |
US10299368B2 (en) | 2016-12-21 | 2019-05-21 | Invensas Corporation | Surface integrated waveguides and circuit structures therefor |
KR102595293B1 (ko) | 2018-02-12 | 2023-10-30 | 삼성전자주식회사 | 인쇄 회로 기판 및 이를 포함하는 반도체 패키지 |
WO2019191350A1 (en) | 2018-03-28 | 2019-10-03 | Corning Incorporated | Boron phosphate glass-ceramics with low dielectric loss |
CN109321892B (zh) * | 2018-10-10 | 2021-05-18 | 西安近代化学研究所 | 一种电阻层及其制备方法 |
US11688604B2 (en) * | 2019-07-26 | 2023-06-27 | Tokyo Electron Limited | Method for using ultra thin ruthenium metal hard mask for etching profile control |
CN111182745B (zh) * | 2020-01-16 | 2022-01-04 | 惠州Tcl移动通信有限公司 | 一种印刷电路板加工方法及印刷电路板 |
CN111337471A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-26 | 有研工程技术研究院有限公司 | 一种基于纳米压印和电化学沉积技术的sers基底的制备方法 |
US11538748B2 (en) | 2020-06-04 | 2022-12-27 | Mediatek Singapore Pte. Ltd. | Semiconductor device with capacitor element |
CN113853069A (zh) * | 2020-06-28 | 2021-12-28 | 庆鼎精密电子(淮安)有限公司 | 电路板中间体的制造方法、电路板及其制造方法 |
CN112312654B (zh) * | 2020-08-14 | 2021-09-17 | 珠海越亚半导体股份有限公司 | 一种嵌埋在玻璃介质中的无源器件结构及其制造方法 |
CN113161738B (zh) * | 2021-05-25 | 2021-08-31 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 一种低频宽带曲面电路的制备方法 |
CN114040565A (zh) * | 2021-11-15 | 2022-02-11 | 广东世运电路科技股份有限公司 | Pcb板加工方法、设备及计算机可读存储介质 |
CN114613724B (zh) * | 2022-03-02 | 2023-06-02 | 业成科技(成都)有限公司 | 导电结构及其制造方法 |
US20230290746A1 (en) * | 2022-03-11 | 2023-09-14 | Chipletz, Inc. | Semiconductor package with integrated capacitors |
WO2023243903A1 (ko) * | 2022-06-17 | 2023-12-21 | 삼성전자주식회사 | 복합필름, 리지드 플렉서블 인쇄 회로 기판 및 이를 포함하는 전자 장치 |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6279610A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-13 | 日通工株式会社 | 電解コンデンサ用陽極体 |
JPH0652695B2 (ja) * | 1988-05-20 | 1994-07-06 | 三菱化成株式会社 | 固体電解コンデンサ |
US5079069A (en) | 1989-08-23 | 1992-01-07 | Zycon Corporation | Capacitor laminate for use in capacitive printed circuit boards and methods of manufacture |
US5800575A (en) * | 1992-04-06 | 1998-09-01 | Zycon Corporation | In situ method of forming a bypass capacitor element internally within a capacitive PCB |
US5261153A (en) | 1992-04-06 | 1993-11-16 | Zycon Corporation | In situ method for forming a capacitive PCB |
JP3086332B2 (ja) * | 1992-06-08 | 2000-09-11 | 日本シイエムケイ株式会社 | 多層プリント配線板の製造方法 |
JPH0722399A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-24 | Kawasaki Steel Corp | 埋込プラグの形成方法およびその装置 |
JP3361903B2 (ja) * | 1994-01-06 | 2003-01-07 | 凸版印刷株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
JP3821868B2 (ja) * | 1994-08-23 | 2006-09-13 | ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 | 絶縁基材上にめっきする方法及びその方法にて得られるめっき付与物 |
JPH11126977A (ja) * | 1997-10-22 | 1999-05-11 | Sony Corp | 配線板の製造方法 |
JPH11340427A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘導体不揮発性メモリ及びその製造方法 |
US6349456B1 (en) * | 1998-12-31 | 2002-02-26 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing photodefined integral capacitor with self-aligned dielectric and electrodes |
US6274224B1 (en) | 1999-02-01 | 2001-08-14 | 3M Innovative Properties Company | Passive electrical article, circuit articles thereof, and circuit articles comprising a passive electrical article |
JP3585796B2 (ja) * | 1999-12-17 | 2004-11-04 | 新光電気工業株式会社 | 多層配線基板の製造方法、及び半導体装置 |
KR100376267B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2003-03-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
EP1301341B1 (en) * | 2000-06-30 | 2006-08-23 | nGimat Co. | Method for applying polymer coatings |
US6862189B2 (en) * | 2000-09-26 | 2005-03-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic component, circuit device, method for manufacturing the circuit device, and semiconductor device |
TW548239B (en) * | 2000-10-23 | 2003-08-21 | Asm Microchemistry Oy | Process for producing aluminium oxide films at low temperatures |
JP2002252297A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Hitachi Ltd | 多層回路基板を用いた電子回路装置 |
US6759081B2 (en) * | 2001-05-11 | 2004-07-06 | Asm International, N.V. | Method of depositing thin films for magnetic heads |
JP2002367858A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサ内蔵回路基板およびその製造方法 |
US6954349B2 (en) * | 2001-06-08 | 2005-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Metallized film capacitor |
JP3941099B2 (ja) * | 2001-12-19 | 2007-07-04 | ソニー株式会社 | 薄膜形成方法 |
US20030129446A1 (en) * | 2001-12-31 | 2003-07-10 | Memscap Le Parc Technologique Des Fontaines | Multilayer structure used especially as a material of high relative permittivity |
JP4270792B2 (ja) * | 2002-01-23 | 2009-06-03 | 富士通株式会社 | 導電性材料及びビアホールの充填方法 |
JP4089273B2 (ja) * | 2002-04-18 | 2008-05-28 | ソニー株式会社 | 部品内蔵基板の製造方法 |
JP3881286B2 (ja) * | 2002-05-31 | 2007-02-14 | 横浜抵抗器株式会社 | プリント配線基板およびその製造方法 |
JP4248827B2 (ja) * | 2002-07-18 | 2009-04-02 | 日立化成工業株式会社 | 多層配線板およびその製造方法 |
WO2004015164A1 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-19 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Pyrrolyl complexes of copper for copper metal deposition |
US7030481B2 (en) * | 2002-12-09 | 2006-04-18 | Internation Business Machines Corporation | High density chip carrier with integrated passive devices |
KR100455891B1 (ko) * | 2002-12-24 | 2004-11-06 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 |
KR100455890B1 (ko) * | 2002-12-24 | 2004-11-06 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 |
KR100469158B1 (ko) * | 2002-12-30 | 2005-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 캐패시터 형성방법 |
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US7067407B2 (en) * | 2003-08-04 | 2006-06-27 | Asm International, N.V. | Method of growing electrical conductors |
TWI220260B (en) * | 2003-10-17 | 2004-08-11 | Phoenix Prec Technology Corp | Embedded capacitor structure of semiconductor package substrate and method for fabricating the same |
US7285321B2 (en) * | 2003-11-12 | 2007-10-23 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Multilayer substrates having at least two dissimilar polyimide layers, useful for electronics-type applications, and compositions relating thereto |
WO2006063288A2 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Wispry, Inc. | Pole-zero elements and related systems and methods |
US9572258B2 (en) * | 2004-12-30 | 2017-02-14 | Intel Corporation | Method of forming a substrate core with embedded capacitor and structures formed thereby |
US7361568B2 (en) * | 2005-12-21 | 2008-04-22 | Motorola, Inc. | Embedded capacitors and methods for their fabrication and connection |
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