JP3585796B2 - 多層配線基板の製造方法、及び半導体装置 - Google Patents
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- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線基板、その製造方法、及び半導体装置に関し、より詳細には、多層配線基板に搭載される半導体素子の同時スイッチングノイズを低減するのに有用な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体素子の高密度化、及び高集積化に伴い、このような半導体素子を備えたPGA(Pin−Grid−Array)やBGA(Ball−Grid−Array)等の半導体装置が実用化されている。そして、これらの半導体装置は、信号線や電源線から成る配線層が複数積層された多層配線基板が用いられ、この多層配線基板の上に半導体素子が搭載されるようになっている。そして、このようにして搭載される半導体素子は、上述した信号線や電源線と電気的に接続されている。
【0003】
また、上のような多層配線基板には、様々な目的でコンデンサが設けられる。そして、このようにコンデンサを設ける技術については、例えば特開平10−93246号公報に開示されている。
この公報によると、多層配線基板に実装される部品の数を減らすために、コンデンサを配線層の層間に設けている。すなわち、隣接する薄膜配線導体の間に誘電物フイラーを含む有機樹脂絶縁層を設け、該薄膜配線導体と有機樹脂絶縁層とでコンデンサを形成している。これにより、コンデンサを多層配線基板に実装する必要が無くなり、多層配線基板に実装される部品の数を減らすことができる。
【0004】
ところで、多層配線基板にコンデンサを設ける目的の一つに、搭載される半導体素子の同時スイッチングノイズを低減するという目的がある。これについて説明すると、半導体素子は、該半導体素子中に形成されているスイッチング素子が同時にオン、オフすると、それに電力を供給する電源線やグランド線の電位が変動することが知られている(同時スイッチングノイズ)。
【0005】
そして、この同時スイッチングノイズを低減する目的で、多層配線基板の電源線とグランド線との間にコンデンサを設けることが知られている。すなわち、このようにしてコンデンサを設けると、該コンデンサのキャパシタンスによりノイズが吸収されて低減される。このような目的でコンデンサを設ける場合、該コンデンサの容量が大きい程、同時スイッチングノイズを効果的に低減することができる。
【0006】
また、コンデンサを半導体素子の近くに設けることにより、コンデンサと半導体素子とを結ぶ配線の抵抗が小さくなり、コンデンサと配線とを合わせたキャパシタンスが大きくなる。したがって、同時スイッチングノイズ低減用のコンデンサは、半導体素子との配線距離が短くなるように該半導体素子の出来るだけ近くに設けるのが望ましい。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特開平10−93246号公報に記載のコンデンサが同時スイッチングノイズ低減用のコンデンサであるかどうかは不明である。すなわち、この公報は、同時スイッチングノイズやそれを低減するためのコンデンサについて記載も示唆もしていない。同様に、電源線とグランド線との間にコンデンサを設けることについて記載も示唆もしていない。
【0008】
更に、この公報に記載のコンデンサは、その容量を所望に大きく出来ない可能性がある。すなわち、この公報に記載のコンデンサの電極面積の上限は、それが形成されている多層配線基板の面積であり、この面積よりも大きくすることができない。
従って、コンデンサの容量を大きくするために該コンデンサの電極面積を大きくすることを試みても、多層配線基板の面積で決まる容量よりも大きくすることが出来ない。
【0009】
そのため、特開平10−93246号公報に記載のコンデンサを同時スイッチングノイズ低減用のコンデンサとして用いる場合、該コンデンサの容量が所望に大きくできないことに起因して、同時スイッチングノイズを十分に低減できない場合が考えられる。
本発明は係る従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、多層配線基板の層間に設けられるコンデンサの電極を従来に比べて大きくすることができる多層配線基板、多層配線基板の製造方法、及び半導体装置を提供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、第1の発明である、支持体上に金属層を形成する工程と、前記金属層に一以上の開口部を形成する工程と、全体に表面被覆用金属層を形成し、該表面被覆用金属層と前記金属層とを含み一以上の凹部が形成されたコンデンサ下部電極用金属層を形成する工程と、化学的気相成長法又はスパッタリングにより、前記コンデンサ下部電極用金属層の表面形状に対応するような表面形状を有するコンデンサ用誘電体層を該コンデンサ下部電極用金属層上に形成する工程と、前記コンデンサ用誘電体層上にコンデンサ上部電極用金属層を形成する工程と、前記コンデンサ上部電極用金属層を形成した後に、前記支持体を除去する工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法によって解決する。
【0011】
又は、第2の発明である、支持体上に下地金属層を形成する工程と、前記下地金属層上にパターン形成用金属層を形成する工程と、前記パターン形成用金属層に凹凸状のパターンを形成し、該パターン形成用金属層と前記下地金属層とを含み表面に凹凸状のパターンを備えたコンデンサ下部電極用金属層を形成する工程と、化学的気相成長法又はスパッタリングにより、前記コンデンサ下部電極用金属層の表面形状に対応するような表面形状を有するコンデンサ用誘電体層を該コンデンサ下部電極用金属層上に形成する工程と、前記コンデンサ用誘電体層上にコンデンサ上部電極用金属層を形成する工程と、前記コンデンサ上部電極用金属層を形成した後に、前記支持体を除去する工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法によって解決する。
又は、第3の発明である、前記コンデンサ上部電極用金属層を形成する工程は、該コンデンサ上部電極用金属層を形成後にその表面を研磨し、平坦化する工程を含むことを特徴とする第2の発明に記載の多層配線基板の製造方法によって解決する。
【0012】
又は、第4の発明である、前記コンデンサ下部電極用金属層を形成する工程は、該コンデンサ下部電極用金属層を形成後にその表面を粗化する工程を含むことを特徴とする第1から第3の発明のいずれか一の発明に記載の多層配線基板の製造方法によって解決する。
又は、第5の発明である、前記コンデンサ下部電極用金属層上にコンデンサ用誘電体層を形成する工程は、該コンデンサ用誘電体層を形成する前に、コンデンサ下部電極用金属層上にコンデンサ用誘電体層との密着強度を高める金属層を形成する工程を含むことを特徴とする第1から第4のいずれか一の発明に記載の多層配線基板の製造方法によって解決する。
【0013】
又は、第6の発明である、前記誘電体層上にコンデンサ上部電極用金属層を形成する工程は、該コンデンサ上部電極用金属層を形成する前に、コンデンサ用誘電体層上にコンデンサ上部電極用金属層との密着強度を高める金属層を形成する工程を含むことを特徴とする第1から第5のいずれか一の発明に記載の多層配線基板の製造方法によって解決する。
又は、第7の発明である、前記誘電体層上にコンデンサ上部電極用金属層を形成する工程は、前記誘電体層上にスパッタリングにより銅層を形成する工程と、前記銅層上に電解銅めっき層を形成する工程とを含むことを特徴とする第1から第6のいずれか一の発明に記載の多層配線基板の製造方法によって解決する。
【0014】
又は、第8の発明である、第1から第7のいずれか一の発明に記載の多層配線基板の製造方法により製造された多層配線基板に半導体素子が搭載されたことを特徴とする半導体装置によって解決する。
【0020】
本発明に係る多層配線基板によれば、図2に例示するように、凹部101cが形成されたコンデンサ下部電極用銅層101(コンデンサ下部電極用金属層)上に誘電体層102(コンデンサ用誘電体層)が形成されている。そして、この誘電体層102上に、コンデンサ上部電極用銅めっき層103(コンデンサ上部電極用金属層)が形成され、これらコンデンサ下部電極用銅層101、誘電体層102、及びコンデンサ上部電極用銅めっき層103でコンデンサ113が構成されている。
【0021】
ここで、コンデンサ下部電極用銅層101の表面101dは、凹部101cが形成されていない場合に比べ、凹部101cの側部の面積の分だけその面積が大きくなる。
また、誘電体層102は、その下に形成されているコンデンサ下部電極用銅層101の表面形状に対応する表面形状を有するように形成されている。従って、凹部101cの形状に対応する凹部を、誘電体層102の表面102aが備えることになる。
【0022】
従って、上述したコンデンサ上部電極用銅めっき層103は、このような凹部を備えた誘電体層102の表面上に形成されることになる。そのため、コンデンサ上部電極用銅めっき層103において、誘電体層102と接する面103aの面積は、凹部101cが形成されていない場合に比べ、該凹部101cの側部の面積の分だけ概略大きくなる。
【0023】
すなわち、コンデンサ113の下部電極(コンデンサ下部電極用銅層101)と、上部電極(コンデンサ上部電極用銅めっき層103)のそれぞれが、凹部101cが形成されていない場合に比べてその面積が大きくなる。これにより、コンデンサ113の容量は、凹部101cが形成されていない場合に比べて大きくなる。
【0024】
また、上述した凹部101cを有するコンデンサ下部電極用銅層101に代えて、図4に例示するようなコンデンサ下部電極用銅層201を用いても良い。
このコンデンサ下部電極用銅層201の表面には、パターン形成用銅めっき層201bで構成される凹凸状のパターンが形成されている。そのため、コンデンサ下部電極用銅層201の表面201cの面積は、上のような凹凸状のパターンが形成されていない場合に比べて大きくなる。
【0025】
この場合は、上述した凹凸状のパターンに対応する表面形状を有する誘電体層202がコンデンサ下部電極用銅層201上に形成される。換言すると、誘電体層202は、コンデンサ下部電極用銅層201の表面に形成されるのと同様の凹凸状のパターンをその表面に備えている。
そして、このような表面形状を備えた誘電体層202上に、コンデンサ上部電極用銅めっき層203が形成される。従って、コンデンサ上部電極用銅めっき層203が誘電体層202と接する面203aも上のような凹凸状のパターンを備えることになる。これにより、この面203aの面積は、上述した凹凸状のパターンがコンデンサ下部電極用銅層201上に形成されていない場合に比べて大きくなる。
【0026】
従って、コンデンサ下部電極用銅層201、誘電体層202、及びコンデンサ上部電極用銅めっき層203で構成されるコンデンサ204は、凹凸状のパターンがコンデンサ下部電極用銅層201上に形成されていない場合に比べ、その両電極の面積が大きくなる。従って、このコンデンサ204の容量は、凹凸状のパターンがコンデンサ下部電極用銅層201上に形成されていない場合に比べて大きくなる。
【0027】
更に、コンデンサ下部電極用銅層101及び201の表面をブラックオキサイド処理やソフトエッチにより粗化し、該表面に微細な凹凸を形成しても良い。これにより、コンデンサ下部電極用銅層に凹部や凹凸状のパターンのみが形成されている場合に比べ、該コンデンサ下部電極用銅層の表面積を更に大きくすることができる。
【0028】
なお、コンデンサ下部電極用銅層101と誘電体層102との間に、ニッケルやクロム等を含み、これらの層の間の密着強度を高める層を形成しても良い。このような層は、コンデンサ下部電極用銅層201と誘電体層202との間、コンデンサ上部電極用銅めっき層103と誘電体層102との間、及びコンデンサ上部電極用銅めっき層203と誘電体層202との間にも形成しても良い。
【0029】
このような層を形成することにより、該層の上下に形成される層同士の密着強度が高くなり、これらの層が剥離するのを防ぐことができる。
【0030】
【発明の実施の形態】
(1)本発明の第1の実施の形態に係る多層配線基板についての説明
図1は、本実施形態に係る多層配線基板について説明する断面図である。図1において、101はコンデンサ下部電極用銅層(コンデンサ下部電極用金属層)であり、その上にはPZT(Lead−Zirconate−Titanate)、BaTiO3 、SrTiO3 等の高誘電体物質から成る誘電体層102(コンデンサ用誘電体層)が形成されている。そして、この誘電体層102の上には、コンデンサ上部電極用銅めっき層103(コンデンサ上部電極用金属層)が形成されている。
【0031】
図2は、図1の点線四角内に示されるA部の拡大断面図である。図2に示されるように、コンデンサ下部電極用銅層101は、凹部形成用銅めっき層101a(金属層)とその表面に形成されている表面被覆用銅めっき層101b(表面被覆用金属層)とから成る。そして、上のようなコンデンサ下部電極用銅層101には、凹部101cが形成されている。なお、101fはスルーホール銅めっき層であり、これはスルーホール106(図1参照)、コンデンサ下部電極用銅層101、及びコンデンサ上部電極用銅めっき層103のそれぞれの表面に形成されている。
【0032】
図2において、101d、及び102aは、コンデンサ下部電極用銅層101、及び誘電体層102のそれぞれの表面である。そして誘電体層102の表面102aは、コンデンサ下部電極用銅層101の表面101dの形状とほぼ同様の形状を有している。換言すると、誘電体層102は、その表面形状がコンデンサ下部電極用銅層101の表面形状と対応するように該コンデンサ下部電極用銅層101上に形成されている。
【0033】
更に、コンデンサ下部電極用銅層101は、図2の実線円内に示されるように、その表面101dが粗化処理されている。そのため、コンデンサ下部電極用銅層101の表面101dには、微細な凹凸が多数形成されている。そして、上述したコンデンサ下部電極用銅層101、誘電体層102、及びコンデンサ上部電極用銅めっき層103でコンデンサ113が構成される。
【0034】
なお、コンデンサ下部電極用銅層101を構成する表面被覆用銅めっき層101bと誘電体層102との密着強度を高めるために、表面被覆用銅めっき層101bと誘電体層102との間にニッケルやクロムの薄膜を形成しても良い。同様に、コンデンサ上部電極用銅めっき層103と誘電体層102との密着強度を高めるために、コンデンサ上部電極用銅めっき層103と誘電体層102との間にニッケルやクロムの薄膜を形成しても良い。
【0035】
再び図1を参照する。上述したスルーホール銅めっき層101fの上には、感光性ポリイミド樹脂、非感光性樹脂、エポキシ樹脂等から成る層間絶縁層105が形成されている。この層間絶縁層105は、その上下に形成されている配線層104とコンデンサ上部電極用銅めっき層103とを電気的に絶縁するためのものである。なお、106は、コンデンサ下部電極用銅層101、誘電体層102、コンデンサ上部電極用銅めっき層103のそれぞれを貫通するスルーホールである。このスルーホール106の内壁には、スルーホール銅めっき層101fが形成されており、該スルーホール銅めっき層101fにより、コンデンサ113(図2参照)の上部と下部のそれぞれに積層される配線層104同士が電気的に導通する。
【0036】
そして、105aは、層間絶縁層105に形成されたビアホールであり、その側部と底部には配線用銅めっき層104aが形成されている。この配線用銅めっき層104aにより、層間絶縁層105の上下それぞれに形成されている配線層104とコンデンサ上部電極用銅めっき層103とが電気的に導通する。なお、配線層104は、配線用銅めっき層104aを層間絶縁層105上に形成後、それをパターニングして成るものである。
【0037】
上述した配線層104と層間絶縁層105は、コンデンサ113(図2参照)の上部と下部にそれぞれ交互に複数積層される。そして、本実施形態に係る多層配線基板112は、コンデンサ113(コンデンサ下部電極用銅層101、誘電体層102、及びコンデンサ上部電極用銅めっき層103から成る)、配線層104、及び層間絶縁層105から成るものである。
【0038】
なお、このような多層配線基板112上には、半導体素子110がはんだボール109を介して搭載される。そして、107はソルダレジストであり、108はアンダーフィル剤である。このアンダーフィル剤108は、多層配線基板112と半導体素子110との間の応力の差を緩和し、この応力の差に起因して半導体素子110がひび割れするのを防ぐためのものである。
【0039】
また、上述した多層配線基板112は、図示しないマザーボードにはんだボール111を介して電気的かつ機械的に接続される。換言すると、本実施形態に係る多層配線基板112とそれに搭載される半導体素子110とで構成される半導体装置は、はんだボールによってマザーボードに搭載されるBGA(Ball−Grid−Array)タイプの半導体装置である。
【0040】
しかしながら、本実施形態に係る多層配線基板112を備えた半導体装置は上述したBGAタイプのものに限られるものではない。すなわち、はんだボール111に代えてピンを用いるPGA(Pin−Grid−Array)タイプの半導体装置であっても、以下で説明するのと同様の作用、及び効果を奏することができる。
【0041】
ところで、コンデンサ113(図2参照)を構成するコンデンサ下部電極用銅層101とコンデンサ上部電極用銅めっき層103のいずれか一方は、図1に示される半導体素子110に電力を供給する電源層である。そして、残りの一方は、半導体素子101を接地するための接地層である。従って、コンデンサ113は、電源層と接地層との間に形成されており、該コンデンサ113は同時スイッチングノイズ低減用のコンデンサとして機能する。
【0042】
更に、このコンデンサ113の容量は、従来例に係る多層配線基板の層間に形成されているコンデンサ(例えば特開平10−93246号公報に記載のコンデンサ)のそれと比べて大きくなる。
これについて説明すると、図2に示すように、コンデンサ113は、凹部101cを有するコンデンサ下部電極用銅層101をその下部電極として用いている。そして、このコンデンサ下部電極用銅層101は、凹部101cが形成されていない場合に比べ、該凹部101cの側壁の面積の分だけその表面101dの面積が大きくなっている。
【0043】
加えて、コンデンサ下部電極用銅層101の表面101dは、上述したように粗化処理されて凹凸が形成されている。そのため、コンデンサ下部電極用銅層101の表面101dの面積は、粗化処理されていない場合に比べてこの凹凸の分だけ面積が大きくなる。
そして、このようなコンデンサ下部電極用銅層101上に、該コンデンサ下部電極用銅層101の表面101dの形状に対応するような表面形状を有する誘電体層102が形成されている。そのため、この誘電体層102上に形成されるコンデンサ上部電極用銅めっき層103において、該誘電体層102と接する面103aの形状も、コンデンサ下部電極用銅層101の表面101dの形状とほぼ同様のものとなる。従って、コンデンサ上部電極用銅めっき層103の誘電体層102と接する面103aの面積も、コンデンサ下部電極用銅層101に凹部101cが形成されていない場合に比べて大きくなる。
【0044】
従って、コンデンサ下部電極用銅層101に凹部101cが形成されておらず、またその表面が粗化処理されていない場合に比べ、コンデンサ113の両極板(コンデンサ下部電極用銅層101及びコンデンサ上部電極用銅めっき層103)の表面積が大きくなるので、該コンデンサ113の容量も大きくなる。
これにより、コンデンサ113を同時スイッチングノイズ低減用コンデンサとして用いると、その容量が従来に比べて大きいので、該同時スイッチングノイズを従来に比べてより効果的に低減することができる。
【0045】
更に、コンデンサ113は、多層配線基板112の層間に形成されている。そのため、同時スイッチングノイズ低減用コンデンサを多層配線基板の表面に実装する場合に比べ、半導体素子110と該コンデンサ113との間の配線距離を短くすることができる。これにより、半導体素子110とコンデンサ113との間の配線抵抗を小さくすることができ、コンデンサ113のキャパシタンスの効果が十分に発揮できるので、同時スイッチングノイズを更に効果的に低減することができる。
【0046】
なお、本実施形態に係る多層配線基板112において、コンデンサ113の用途は同時スイッチングノイズ低減用コンデンサに限られるものではなく、その他様々な目的に使用することができる。
(2)本発明の第2の実施の形態に係る多層配線基板についての説明
図3は、本実施形態に係る多層配線基板について説明する断面図である。図3において、図1に示されるのと同様の構成部材には図1における参照符号と同様の参照符号を付し、その説明は以下では省略する。
【0047】
図3において、201は凹凸を有するパターンが形成されたコンデンサ下部電極用銅層(コンデンサ下部電極用金属層)である。そして、このコンデンサ下部電極用銅層201の上には、PZT(Lead−Zirconate−Titanate)、BaTiO3 、SrTiO3 等の高誘電体物質から成る誘電体層202(コンデンサ用誘電体層)が形成されている。更に、この誘電体層202の上には、コンデンサ上部電極用銅めっき層203(コンデンサ上部電極用金属層)が形成されている。そして、101fは、スルーホール106、コンデンサ下部電極用銅層201、及びコンデンサ上部電極用銅めっき層203それぞれの表面に形成されているスルーホール銅めっき層である。
【0048】
図4は、図3の点線四角内に示されるB部の拡大断面図である。図4に示されるように、コンデンサ下部電極用銅層201は、下地銅箔201a(下地金属層)と、パターニングによりランドやラインが形成され、開口部を有するパターン形成用銅めっき層201b(パターン形成用金属層)とから成る。すなわち、上述したコンデンサ下部電極用銅層201に形成された凹凸を有するパターンは、このパターン形成用銅めっき層201bのランドやラインにより形成されるものである。
【0049】
また、201c、及び202aは、それぞれコンデンサ下部電極用銅層201、及び誘電体層202の表面である。そして、誘電体層202は、その表面202aがコンデンサ下部電極用銅層201の表面201cとほぼ同様の形状を有するように該コンデンサ下部電極用銅層201上に形成されている。換言すると、誘電体層202は、その表面202aがコンデンサ下部電極用銅層201の表面201cに対応するように該コンデンサ下部電極用銅層201上に形成されている。
【0050】
加えて、コンデンサ下部電極用銅層201は、図4の実線円内に示されるように、その表面201cが粗化処理されており、該表面201cには微細な凹凸が多数形成されている。本実施形態においては、上述したコンデンサ下部電極用銅層201、誘電体層202、及びコンデンサ上部電極用銅めっき層203によりコンデンサ204が構成される。
【0051】
なお、コンデンサ下部電極用銅層201と誘電体層202との密着強度を高めるために、これらの層の間にニッケルやクロムの薄膜を形成しても良い。同様に、コンデンサ上部電極用銅めっき層203と誘電体層202との密着強度を高めるために、コンデンサ上部電極用銅めっき層203と誘電体層202との間にニッケルやクロムの薄膜を形成しても良い。
【0052】
ここで、コンデンサ下部電極用銅層201とコンデンサ上部電極用銅めっき層203のいずれか一方は、半導体素子110(図3参照)に電力を供給する電源層であり、残りの一方は該半導体素子110を接地するための接地層である。従って、コンデンサ204は、このような電源層と接地層との間に形成されるので、同時スイッチングノイズ低減用コンデンサとして機能する。
【0053】
更に、コンデンサ204は、従来例に係る多層配線基板の層間に形成されているコンデンサ(例えば特開平10−93246号公報に記載のコンデンサ)と比較して、その容量が大きくなる。
これについて図4を参照して説明すると、コンデンサ204の下部電極であるコンデンサ下部電極用銅層201は、凹凸を有するようにパターニングされているので、このようにパターニングされていない場合に比べてその表面積が大きくなる。すなわち、コンデンサ下部電極用銅層201がパターニングされていない場合に比べ、コンデンサ下部電極用銅層201の表面201cの面積は、パターン形成用銅めっき層201bに形成されているランドやラインの側部の面積の分だけ大きくなる。
【0054】
更に、コンデンサ下部電極用銅層201の表面201cは、上述したように粗化処理され、微細な凹凸が形成されている。そのため、この凹凸に起因して、コンデンサ下部電極用銅層201の表面201cの面積は、粗化処理されていない場合に比べてその面積が更に大きくなっている。
また、誘電体層202の表面202aの形状は、それが形成されているコンデンサ下部電極用銅層201の表面201aのそれと対応し、該表面201aとほぼ同様の形状を有している。従って、誘電体層202上に形成されているコンデンサ上部電極用銅めっき層203において、該誘電体層202と接している面203aの形状も、コンデンサ下部電極用銅層201の表面201aの形状と対応し、該表面201aとほぼ同様の形状を有している。
【0055】
そのため、コンデンサ204の上部であるコンデンサ上部電極用銅めっき層203の面積も、上で説明したのと同様の理由により、コンデンサ下部電極用銅層201がパターニングされていない場合に比べてその表面積が大きくなっている。
なお、図4に示されるコンデンサ204の上部と下部には、図3に示されるように、配線層104と層間絶縁層105とが交互に積層される。そして、本実施形態に係る多層配線基板205は、上述したコンデンサ204(コンデンサ下部電極用銅層201、誘電体層202、及びコンデンサ上部電極用銅めっき層203で構成される)、配線層104、及び層間絶縁層105とで構成される。
【0056】
そして、このような多層配線基板205には、半導体素子110がはんだボール109を介して搭載される。また、この多層配線基板205と半導体素子110とで構成される半導体装置は、はんだボール111を介して図示しないマザーボードに搭載される。このように、本実施形態に係る多層配線基板を備えた半導体装置は、BGAタイプの半導体装置であるが、本発明はこれに限られるものではない。すなわち、はんだボール111に代えてピンを用いるPGAタイプの半導体装置でも、本発明と同様の作用、及び効果を奏することができる。
【0057】
以上説明したように、本実施形態に係る多層配線基板によれば、多層配線基板205の層間に形成されるコンデンサ204の両電極の面積を従来に比べて大きくすることができる。そのため、コンデンサ204の容量も従来に比べて大きくすることができ、同時スイッチングノイズを従来に比べてより効果的に低減することができる。
【0058】
更に、コンデンサ204は、多層配線基板205の層間に形成されている。そのため、同時スイッチングノイズ低減用コンデンサを多層配線基板の表面に実装する場合に比べ、半導体素子110とコンデンサ204との間の配線距離を短くすることができる。従って、半導体素子110とコンデンサ204との間の配線抵抗が小さくなり、コンデンサ204のキャパシタンスの効果を十分に発揮することができる。これにより、同時スイッチングノイズを更に効果的に低減することができる。
【0059】
なお、本実施形態に係る多層配線基板205において、コンデンサ204の用途は同時スイッチングノイズ低減用コンデンサに限られるものではなく、その他様々な目的に使用することができる。
(3)本発明の第3の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法についての説明
次に、第1の実施形態で説明した多層配線基板112の製造方法について、図5(a)〜(d)、図6(a)〜(d)、図7(a)〜(d)、及び図8(a)〜(c)を参照しながら説明する。
【0060】
図5(a)〜(d)、図6(a)〜(d)、図7(a)〜(d)、及び図8(a)〜(c)は、本実施形態に係る多層配線基板の製造方法について示す断面図である。
まず最初に、図5(a)に示すように、アルミニウム基板114(支持体)に、凹部形成用銅めっき層101a(金属層)を電解銅めっきにより形成する。なお、支持体としては、アルミニウム基板の他に樹脂基板を用いても良い。この場合、凹部形成用銅めっき層101aは無電解銅めっきにより樹脂基板上に形成される。
【0061】
続いて、図5(b)に示すように、凹部形成用銅めっき層101aを開口し、開口部101gを形成する。この開口部101gは、凹部101c(図2参照)に対応するものである。
次に、図5(c)に示すように、全体に表面被覆用銅めっき層101b(表面被覆用金属層)を形成する。これにより、凹部形成用銅めっき層101aと表面被覆用銅めっき層101bとから成るコンデンサ下部電極用銅層101(コンデンサ下部電極用金属層)がアルミニウム基板114上に形成されたことになる。そして、コンデンサ下部電極用銅層101において開口部101gに対応する部分には、凹部101cが形成される。
【0062】
次に、図5(d)に示すように、上のようにして形成されたコンデンサ下部電極用銅層101に対して表面粗化処理をし、その表面101dに微細な凹凸を形成する。図5(d)の実線円内に示すものは、このようにして表面粗化処理を施した後の表面101dの拡大断面図である。
この表面粗化処理は、ブラックオキサイド処理や、ソフトエッチングにより行われる。ソフトエッチングを行う場合は、コンデンサ下部電極用銅層101の表面101dを硫酸、過酸化水素水、過硫酸ソーダ水溶液、過硫酸カリ水溶液等の酸化性を有する水溶液に浸し、該表面101dを僅かにエッチングして微細な凹凸を形成する。そして、ブラックオキサイド処理を行う場合は、上で挙げた酸化性を有する水溶液を表面101dに吹き付け、該表面101dに微細な凹凸を形成する。
【0063】
続いて、図6(a)に示すように、表面が粗化されたコンデンサ下部電極用銅層101上に、PZT、BaTiO3 、SrTiO3 等の高誘電体物質から成る誘電体層102(コンデンサ用誘電体層)を形成する。この誘電体層102は、CVD法(化学的気相成長法)やスパッタリングにより形成されるものである。CVD法を用いて誘電体層102を形成すると、カバレッジの良い層を形成することができる。そのため、これにより形成された誘電体層102の表面102aは、それが形成されているコンデンサ下部電極用銅層101の表面101dの形状とほぼ同様の形状を有することになる。
【0064】
なお、誘電体層102を形成する前に、コンデンサ下部電極用銅層101の表面にクロムやニッケルの薄膜をスパッタリングやCVD法により形成し、誘電体層102をこれらの薄膜上に形成しても良い。このようにすることで、コンデンサ下部電極用銅層101と誘電体層102との密着強度が高くなる。
次に、図6(b)に示すように、誘電体層102上にコンデンサ上部電極用銅めっき層103(コンデンサ上部電極用金属層)を形成する。このコンデンサ上部電極用銅めっき層103を形成するには、最初にスパッタリングにより銅層(図示せず)を誘電体層102上に形成し、その上に電解銅めっき層(図示せず)を形成する。
【0065】
すなわち、コンデンサ上部電極用銅めっき層103は、スパッタリングによる銅層と、電解銅めっき層とを積層して成るものである。このように、スパッタリングで誘電体層102上に銅層を形成すると、該誘電体層102とコンデンサ上部電極用銅めっき層103との密着強度が高くなる。
なお、上のようにしてコンデンサ上部電極用銅めっき層103を形成する代わりに、最初に無電解銅めっき層を誘電体層102上に形成し、該無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を形成し、該無電解銅めっき層と電解銅めっき層とでコンデンサ上部電極用銅めっき層103を構成しても良い。
【0066】
また、先に説明したのと同様に、誘電体層102上にクロムやニッケルの薄膜をスパッタリングやCVDにより形成し、これらの薄膜上に銅層を形成しても良い。このようにすることで、誘電体層102とコンデンサ上部電極用銅めっき層103との密着強度が更に高められる。
続いて、図6(c)に示すように、アルミニウム基板114の表面をエッチング液に浸し、該アルミニウム基板114を除去する。なお、アルミニウム基板114上に形成されているコンデンサ下部電極用銅層101は、このエッチング液に対してエッチングされない必要がある。そのため、この際に用いるエッチング液には、アルミニウムのエッチングレートが銅のエッチングレートよりも高くなるようなエッチング液を用いるのが好ましい。
【0067】
次に、図6(d)に示すように、機械ドリル等を用いて、コンデンサ下部電極用銅層101、誘電体層102、及びコンデンサ上部電極用銅めっき層103を貫通するスルーホール106を形成する。
続いて、図7(a)に示すように、全体に無電解銅めっきを施し、その後電解銅めっきを施すことにより、スルーホール銅めっき層101fを形成する。このスルーホール銅めっき層101fは、スルーホール106の内壁の他に、コンデンサ上部電極用銅めっき層103の表面やコンデンサ下部電極用銅層101の表面にも形成される。
【0068】
次に、図7(b)に示すように、誘電体層102の上部に形成されているコンデンサ上部電極用銅めっき層103とスルーホール銅めっき層101f、及び誘電体層102の下部に形成されているコンデンサ下部電極用銅層101とスルーホール銅めっき層101fをパターニングする。このパターニングは、スルーホール銅めっき層101fの表面にフォトレジスト(図示せず)を塗布し、それを露光後に現像したものをマスクにし、銅をウエットエッチングして行われる。
【0069】
続いて、図7(c)に示すように、全体に層間絶縁層105を形成する。この層間絶縁層105は、感光性ポリイミド樹脂、非感光性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等から成る。そして、これらの樹脂は、スピンコータや刷毛を用いて全体に塗布される。
次に、図7(d)に示すように、この層間絶縁層105にビアホール105aを形成し、該ビアホールの底部にスルーホール銅めっき層101fの表面が露出するようにする。
【0070】
このビアホール105aは、層間絶縁層105が非感光性ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等から成る場合、これらの樹脂においてビアホール105aに対応する部分にレーザを照射し、開口することで形成される。また、層間絶縁層105が感光性ポリイミド樹脂から成る場合は、この感光性ポリイミド樹脂においてビアホール105aとなる部分を露光、現像して除去することにより形成される。
【0071】
続いて、図8(a)に示すように、全体に配線用銅めっき層104aを形成する。この配線用銅めっき層104aは、最初に全体に無電解銅めっき層(図示せず)を形成し、この無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を形成することにより形成される。そして、この配線用銅めっき層104aにより、ビアホール105aの側部及び底部が覆われることになる。
【0072】
次に、図8(b)に示すように、上で形成された配線用銅めっき層104aをパターニングする。これにより、層間絶縁層105上に配線層104が形成されたことになる。
この後は、図7(c)から図8(b)に示される工程を所望の回数繰り返し、層間絶縁層105と配線層104とを交互に積層していく。図8(c)は、このようにして層間絶縁層105と配線層104とを交互に積層し、配線層104を6層積層した場合の断面図である。
【0073】
以上により、第1の実施の形態で説明した多層配線基板112が完成する。そして、この多層配線基板112には、第1の実施の形態で説明したように、半導体素子110がはんだボール109を介して搭載される(図1参照)。
(4)本発明の第4の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法についての説明
次に、第2の実施形態で説明した多層配線基板205の製造方法について、図9(a)〜(d)、図10(a)〜(d)、図11(a)〜(d)、図12(a)〜(d)、及び図13を参照しながら説明する。
【0074】
図9(a)〜(d)、図10(a)〜(d)、図11(a)〜(d)、図12(a)〜(d)、及び図13は、本実施形態に係る多層配線基板の製造方法について示す断面図である。
まず最初に、図9(a)に示すように、表面に下地銅箔201a(下地金属層)が形成されたアルミニウム基板114(支持体)を用意する。なお、これに代えて、表面に銅めっき層が形成されたアルミニウム基板を用意し、この銅めっき層を下地金属層にしても良い。また、支持体としては樹脂基板を用いても良く、この場合は無電解銅めっき層をその表面に形成し、該無電解銅めっき層を下地金属層として用いる。
【0075】
次に、図9(b)に示すように、下地銅箔201aの表面にフォトレジスト206を塗布し、該フォトレジスト206を露光、現像してパターンを形成する。これにより、開口部206aがフォトレジスト206に形成される。なお、この開口部206aは、ランドやライン等の形状を有するものである。また、この開口部206aの底部には、その下に形成されている下地銅箔201aの表面が露出する。
【0076】
続いて、図9(c)に示すように、下地銅箔201aを給電層にし、フォトレジスト206の開口部206aから表面が露出している部分の下地銅箔201a上に、パターン形成用銅めっき層201bを電解銅めっきにより形成する。上述したように、開口部206aはランドやライン等の形状を有しているので、上のようにして形成されるパターン形成用銅めっき層201bもランドやライン等の形状を有する。
【0077】
次に、図9(d)に示すように、表面に残っているフォトレジスト206を除去する。これにより、下地銅箔201aとパターン形成用銅めっき層201bとから成るコンデンサ下部電極用銅層201が、アルミニウム基板114上に形成されたことになる。
続いて、図10(a)に示すように、コンデンサ下部電極用銅層201の表面201cに対して表面粗化処理を行う。図10(a)の実線円内に示すものは、このようにして表面粗化処理を行った後の表面201cの拡大断面図である。
【0078】
この表面粗化処理は、第3の実施の形態と同様に、ブラックオキサイド処理や、ソフトエッチングにより行われる。そして、ソフトエッチングを行う場合は、コンデンサ下部電極用銅層201の表面201cを硫酸、過酸化水素水、過硫酸ソーダ水溶液、過硫酸カリ水溶液等の酸化性を有する水溶液に浸し、該表面201cを僅かにエッチングして微細な凹凸を形成する。そして、ブラックオキサイド処理を行う場合は、上で挙げた酸化性を有する水溶液を表面201cに吹き付け、該表面201cに微細な凹凸を形成する。
【0079】
次に、図10(b)に示すように、表面が粗化されたコンデンサ下部電極用銅層201上に、誘電体層202(コンデンサ用誘電体層)をスパッタリングやCVD法により形成する。この誘電体層202は、PZT、BaTiO3 、SrTiO3 等の高誘電体物質から成るものである。
ここで、第3の実施の形態で説明したように、CVD法を用いて誘電体層202を形成すると、カバレッジの良い誘電体層202をコンデンサ下部電極用銅層201上に形成することができる。従って、これにより形成された誘電体層202の表面202aは、その下のコンデンサ下部電極用銅層201の表面201cの形状とほぼ同様の形状を有することになる。
【0080】
なお、誘電体層202を形成する前に、クロムやニッケルの薄膜をコンデンサ下部電極用銅層201上にスパッタリングやCVD法により形成し、これらの薄膜上に誘電体層202を形成しても良い。このようにすると、コンデンサ下部電極用銅層と誘電体層202との密着強度が高められる。
続いて、図10(c)に示すように、誘電体層202の上にコンデンサ上部電極用銅めっき層203を電解銅めっきにより形成する。このときも、上と同様に、誘電体層202上にクロムやニッケルの薄膜をスパッタリングやCVD法により形成し、これらの膜の上にコンデンサ上部電極用銅めっき層203を形成しても良い。このようにすると、誘電体層202とコンデンサ上部電極用銅めっき層203との密着強度が高められる。
【0081】
また、第3の実施の形態と同様に、誘電体層202上にスパッタリングにより銅層を形成し、該銅層上にコンデンサ上部電極用銅めっき層203を電解銅めっきにより形成しても良い。このようにしても、誘電体層202とコンデンサ上部電極用銅めっき層203との密着強度を高くすることができる。
そして、図10(d)に示すように、CMP法(化学機械研磨法)により、コンデンサ上部電極用銅めっき層203の表面を研磨し、平坦化する。このとき、コンデンサ上部電極用銅めっき層203の下部にはアルミニウム基板114が形成されているので、CMP法による研磨の際にコンデンサ上部電極用銅めっき層が歪むことが無く、良好に研磨を行うことができる。
【0082】
次に、図11(a)に示すように、アルミニウム基板114をエッチング液に浸してエッチングし、除去する。なお、このエッチングの際に、コンデンサ下部電極用銅層201はエッチングされない必要がある。そのため、この際に用いるエッチング液には、アルミニウムのエッチングレートが銅のエッチングレートよりも高くなるようなエッチング液を用いる。
【0083】
続いて、図11(b)に示すように、機械ドリル等を用いて、コンデンサ下部電極用銅層201、誘電体層202、及びコンデンサ上部電極用銅めっき層203を貫通するスルーホール106を形成する。
そして、図11(c)に示すように、全体に無電解銅めっきを施し、その後電解銅めっきを施すことにより、スルーホール銅めっき層101fを形成する。なお、このスルーホール銅めっき層101fは、スルーホール106の内壁の他に、コンデンサ上部電極用銅めっき層203の表面やコンデンサ下部電極用銅層201の表面にも形成される。
【0084】
次に、図11(d)に示すように、誘電体層202上に形成されているコンデンサ上部電極用銅めっき層203とその表面に形成されているスルーホール銅めっき層101f、及び誘電体層202の下に形成されているコンデンサ下部電極用銅層201とその表面に形成されているスルーホール銅めっき層101fをパターニングする。なお、このパターニングは、スルーホール銅めっき層101fの表面にフォトレジスト(図示せず)を塗布し、それを露光後に現像したものをマスクにし、銅をウエットエッチングして行われるものである。
【0085】
続いて、図12(a)に示すように、全体に層間絶縁層105を形成する。この層間絶縁層105は、感光性ポリイミド樹脂、非感光性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等から成る。そして、これらの樹脂は、スピンコータや刷毛を用いて全体に塗布される。
そして、図12(b)に示すように、この層間絶縁層105にビアホール105aを形成し、該ビアホールの底部にスルーホール銅めっき層101fの表面が露出するようにする。
【0086】
このビアホール105aは、層間絶縁層105が非感光性ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等から成る場合、これらの樹脂においてビアホール105aに対応する部分にレーザを照射し、開口することで形成される。また、層間絶縁層105が感光性ポリイミド樹脂から成る場合は、この感光性ポリイミド樹脂においてビアホール105aとなる部分を露光、現像して除去することにより形成される。
【0087】
続いて、図12(c)に示すように、全体に配線用銅めっき層104aを形成する。この配線用銅めっき層104aは、最初に全体に無電解銅めっき層(図示せず)を形成し、この無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を形成することにより形成される。そして、この配線用銅めっき層104aにより、ビアホール105aの側部及び底部が覆われる。
【0088】
次に、図12(d)に示すように、上で形成された配線用銅めっき層104aをパターニングする。これにより、層間絶縁層105上に配線層104が形成されたことになる。
この後は、図12(a)から図12(d)に示される工程を所望の回数繰り返し、層間絶縁層105と配線層104とを交互に積層していく。図13は、このようにして層間絶縁層105と配線層104とを交互に積層し、配線層104を6層積層した場合の断面図である。
【0089】
以上により、第2の実施の形態で説明した多層配線基板205が完成する。そして、この多層配線基板205には、第2の実施の形態で説明したように、半導体素子110がはんだボール109を介して搭載される(図3参照)。
【0090】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る多層配線基板によれば、凹部や凹凸状のパターンが形成されたコンデンサ下部電極用金属層と、その上に形成されたコンデンサ用誘電体層、そして該コンデンサ用誘電体層上に形成されたコンデンサ下部電極用金属層でコンデンサが構成される。このような構成により、コンデンサの両電極の面積を従来よりも大きくすることができ、該コンデンサの容量を従来よりも大きくすることができる。
【0091】
加えて、コンデンサ下部電極用金属層の表面に対し表面粗化処理を施すことにより、該コンデンサ下部電極用金属層の表面の面積を更に大きくすることができ、これに伴いコンデンサの容量を更に大きくすることができる。
また、上述したコンデンサは、多層配線基板の層間に形成されている。そのため、コンデンサが多層配線基板の表面に実装される場合に比べ、多層配線基板に搭載される半導体素子とコンデンサとの配線距離を短くすることができ、該配線の配線抵抗を小さくすることができる。
【0092】
従って、本発明に係る多層配線基板では、その層間に形成されるコンデンサを同時スイッチングノイズ低減用コンデンサとして用いると、同時スイッチングノイズを従来に比べて効果的に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る多層配線基板の断面図である。
【図2】図1に示される本発明の第1の実施の形態に係る多層配線基板のA部の拡大断面図である。
【図3】本発明の第2の実施の形態に係る多層配線基板の断面図である。
【図4】図3に示される本発明の第2の実施の形態に係る多層配線基板のB部の拡大断面図である。
【図5】本発明の第3の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法について示す断面図(その1)である。
【図6】本発明の第3の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法について示す断面図(その2)である。
【図7】本発明の第3の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法について示す断面図(その3)である。
【図8】本発明の第3の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法について示す断面図(その4)である。
【図9】本発明の第4の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法について示す断面図(その1)である。
【図10】本発明の第4の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法について示す断面図(その2)である。
【図11】本発明の第4の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法について示す断面図(その3)である。
【図12】本発明の第4の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法について示す断面図(その4)である。
【図13】本発明の第4の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法について示す断面図(その5)である。
【符号の説明】
101、201・・・コンデンサ下部電極用銅層、
101a・・・・・・凹部形成用銅めっき層、
101b・・・・・・表面被覆用銅めっき層、
101c・・・・・・コンデンサ下部電極用銅層101の凹部、
101d・・・・・・コンデンサ下部電極用銅層101の表面、
101f・・・・・・スルーホール銅めっき層101a、
101g・・・・・・凹部形成用銅めっき層の開口部、
201a・・・・・・下地銅層、
201b・・・・・・パターン形成用銅めっき層、
201c・・・・・・コンデンサ下部電極用銅層201の表面、
102、202・・・誘電体層、
102a・・・・・・誘電体層102の表面、
202a・・・・・・誘電体層202の表面、
103、203・・・コンデンサ上部電極用銅めっき層、
103a・・・・・・コンデンサ上部電極用銅めっき層103が誘電体層102と接する面、
203a・・・・・・コンデンサ上部電極用銅めっき層203が誘電体層202と接する面、
104・・・・・・・配線層、
104a・・・・・・配線用銅めっき層、
105・・・・・・・層間絶縁層、
105a・・・・・・ビアホール、
106・・・・・・・スルーホール、
107・・・・・・・ソルダレジスト、
108・・・・・・・アンダーフィル剤、
109、111・・・はんだボール、
110・・・・・・・半導体素子、
112、205・・・多層配線基板、
113、204・・・コンデンサ、
114・・・・・・・支持体、
206・・・・・・・フォトレジスト、
206a・・・・・・フォトレジストの開口部。
Claims (8)
- 支持体上に金属層を形成する工程と、
前記金属層に一以上の開口部を形成する工程と、
全体に表面被覆用金属層を形成し、該表面被覆用金属層と前記金属層とを含み一以上の凹部が形成されたコンデンサ下部電極用金属層を形成する工程と、
化学的気相成長法又はスパッタリングにより、前記コンデンサ下部電極用金属層の表面形状に対応するような表面形状を有するコンデンサ用誘電体層を該コンデンサ下部電極用金属層上に形成する工程と、
前記コンデンサ用誘電体層上にコンデンサ上部電極用金属層を形成する工程と、
前記コンデンサ上部電極用金属層を形成した後に、前記支持体を除去する工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 支持体上に下地金属層を形成する工程と、
前記下地金属層上にパターン形成用金属層を形成する工程と、
前記パターン形成用金属層に凹凸状のパターンを形成し、該パターン形成用金属層と前記下地金属層とを含み表面に凹凸状のパターンを備えたコンデンサ下部電極用金属層を形成する工程と、
化学的気相成長法又はスパッタリングにより、前記コンデンサ下部電極用金属層の表面形状に対応するような表面形状を有するコンデンサ用誘電体層を該コンデンサ下部電極用金属層上に形成する工程と、
前記コンデンサ用誘電体層上にコンデンサ上部電極用金属層を形成する工程と、
前記コンデンサ上部電極用金属層を形成した後に、前記支持体を除去する工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 前記コンデンサ上部電極用金属層を形成する工程は、該コンデンサ上部電極用金属層を形成後にその表面を研磨し、平坦化する工程を含むことを特徴とする請求項2に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記コンデンサ下部電極用金属層を形成する工程は、該コンデンサ下部電極用金属層を形成後にその表面を粗化する工程を含むことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記コンデンサ下部電極用金属層上にコンデンサ用誘電体層を形成する工程は、該コンデンサ用誘電体層を形成する前に、コンデンサ下部電極用金属層上にコンデンサ用誘電体層との密着強度を高める金属層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記誘電体層上にコンデンサ上部電極用金属層を形成する工程は、該コンデンサ上部電極用金属層を形成する前に、コンデンサ用誘電体層上にコンデンサ上部電極用金属層との密着強度を高める金属層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記誘電体層上にコンデンサ上部電極用金属層を形成する工程は、
前記誘電体層上にスパッタリングにより銅層を形成する工程と、
前記銅層上に電解銅めっき層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一に記載の多層配線基板の製造方法。 - 請求項1から請求項7のいずれか一に記載の多層配線基板の製造方法により製造された多層配線基板に半導体素子が搭載されたことを特徴とする半導体装置。
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