JP2023105539A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】隣り合う２つの絶縁層の間において優れた密着性を達成する多層配線基板を提供する。
【解決手段】本発明の多層配線基板１は、互いに積層された複数の絶縁層であって、隣り合った２つの一方には、他方と隣接した面に溝部が設けられ、前記他方の絶縁層の前記一方と隣接した面は、前記溝部に対応した第１領域の表面粗さＲａ１が、他の位置に対応した第２領域の表面粗さＲａ２と比較してより小さい複数の絶縁層と、前記溝部を埋め込んだ配線部を含んだ導体層とを備える。
【選択図】図２

Description

本発明は、多層配線基板に関する。

近年、電子デバイスにおいては、高機能化等に伴う高集積化や、高速信号処理化に伴う電気信号の周波数、所謂、動作周波数の高周波化が進んでいる。このため、これら電子デバイスに使用される多層配線基板においては、配線の微細化による配線の高密度化や、高周波化への対応が求められている。

通常、多層配線基板は、導体層と絶縁樹脂層との各々を１層以上積層することで製造される。例えば、導体層と絶縁樹脂層との密着性が低い場合、層間剥離やクラック、絶縁信頼性の低下などの問題を引き起こしうる。

導体層と絶縁樹脂層との密着性を向上させる方法として、例えば、特許文献１には、導体層と絶縁樹脂層との間にシラン化合物からなる層を設ける方法が提案されている。

特開平１１－３５４９２２号公報

本発明は、隣り合う２つの絶縁層の間において優れた密着性を達成する多層配線基板を提供することを目的とする。

本発明の一態様によると、互いに積層された複数の絶縁層であって、隣り合った２つの一方には、他方と隣接した面に溝部が設けられ、前記他方の絶縁層の前記一方と隣接した面は、前記溝部に対応した第１領域の表面粗さＲａ１が、他の位置に対応した第２領域の表面粗さＲａ２と比較してより小さい複数の絶縁層と、前記溝部を埋め込んだ配線部を含んだ導体層とを備えた多層配線基板が提供される。

本発明の他の態様によると、前記表面粗さＲａ１は５ｎｍ乃至２００ｎｍの範囲内にある上記態様に係る多層配線基板が提供される。

本発明の更に他の態様によると、前記表面粗さＲａ２は１５０ｎｍより大きい上記態様の何れかに係る多層配線基板が提供される。

本発明の更に他の態様によると、前記表面粗さＲａ１と前記表面粗さＲａ２との比Ｒａ１／Ｒａ２は０．１乃至０．８３の範囲内にある上記態様の何れかに係る多層配線基板が提供される。

本発明の更に他の態様によると、前記配線部の表面のうち、前記溝部の内面と向き合った領域の表面粗さＲａ３は、前記表面粗さＲａ１よりも小さい上記態様の何れかに係る多層配線基板が提供される。

本発明の更に他の態様によると、前記配線部とこれに隣接した前記複数の絶縁層の１つとの間に介在した部分を含んだ機能層を更に備えた上記態様の何れかに係る多層配線基板が提供される。

本発明の更に他の態様によると、前記機能層は、前記第２領域を被覆した部分を更に含んだ上記態様に係る多層配線基板が提供される。

本発明の更に他の態様によると、前記機能層のうち前記第２領域を被覆した前記部分は不連続である上記態様に係る多層配線基板が提供される。

本発明の更に他の態様によると、前記第１領域を被覆したシード層を更に備えた上記態様の何れかに係る多層配線基板が提供される。

本発明の更に他の態様によると、前記溝部の底面及び側壁を被覆したシード層を更に備えた上記態様の何れかに係る多層配線基板が提供される。

本発明の更に他の態様によると、一方の面が第１領域と第２領域とを含んだ第１絶縁層の上に、前記第１領域の位置で開口した溝を有するダミー層を形成することと、前記溝を埋め込むように、導体層を形成することと、その後、前記ダミー層を除去することと、前記第２領域を粗化することと、前記第１絶縁層及び前記導体層の上に第２絶縁層を形成することとを含んだ多層配線基板の製造方法が提供される。

本発明の更に他の態様によると、前記ダミー層を形成する前に、前記第１領域を粗化することを更に含み、前記第１領域及び前記第２領域の粗化は、第１領域の表面粗さＲａ１が前記第２領域の表面粗さＲａ２と比較してより小さくなるように行う上記態様に係る多層配線基板の製造方法が提供される。

本発明の更に他の態様によると、前記ダミー層を形成する前に、前記第１絶縁層上にシード層を形成することと、前記ダミー層を除去した後であって、前記第１絶縁層のうち露出している前記部分を粗化する前に、前記シード層のうち露出している部分を除去することとを更に含んだ上記態様の何れかに係る多層配線基板の製造方法が提供される。

本発明の更に他の態様によると、前記シード層は無電解銅めっきにより形成する上記態様に係る多層配線基板の製造方法が提供される。

本発明の更に他の態様によると、前記第２領域を粗化した後に、前記導体層上に機能層を形成することを更に含んだ上記態様の何れかに係る多層配線基板の製造方法が提供される。

本発明の更に他の態様によると、下地層上に、溝を有する第１絶縁層を形成することと、前記溝を埋め込むように、導体層を形成することと、前記導体層の表面である第１領域の表面粗さＲａ１が、前記第１絶縁層の表面である第２領域の表面粗さＲａ２よりも小さくなるように、前記第２領域を粗化することと、前記第１絶縁層及び前記導体層の上に第２絶縁層を形成することとを含んだ多層配線基板の製造方法が提供される。

本発明によると、隣り合う２つの絶縁層の間において優れた密着性を達成する多層配線基板が提供される。

本発明の一実施形態に係る多層配線基板を概略的に示す断面図。 図１に示す多層配線基板の一部を概略的に示す拡大図。 図２に示す多層配線基板の一部を概略的に示す拡大図。 図３に示す多層配線基板の一部を概略的に示す拡大図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における一工程を概略的に示す断面図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における他の工程を概略的に示す断面図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における更に他の工程を概略的に示す断面図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における更に他の工程を概略的に示す断面図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における更に他の工程を概略的に示す断面図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における更に他の工程を概略的に示す断面図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における更に他の工程を概略的に示す断面図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における更に他の工程を概略的に示す断面図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における更に他の工程を概略的に示す断面図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における更に他の工程を概略的に示す断面図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における更に他の工程を概略的に示す断面図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における更に他の工程を概略的に示す断面図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における更に他の工程を概略的に示す断面図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における更に他の工程を概略的に示す断面図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における更に他の工程を概略的に示す断面図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における更に他の工程を概略的に示す断面図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における更に他の工程を概略的に示す断面図。 本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法における更に他の工程を概略的に示す断面図。 比較例に係る多層配線基板を概略的に示す断面図。 他の比較例に係る多層配線基板を概略的に示す断面図。 更に他の比較例に係る多層配線基板を概略的に示す断面図。 本発明の他の実施形態に係る多層配線基板を概略的に示す断面図。

以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下に説明する実施形態は、上記態様の何れかをより具体化したものである。以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化した例を示すものであって、本発明の技術的思想を、以下に記載する構成要素の材質、形状、構造、及び配置等に限定するものではない。本発明の技術的思想には、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。

以下の説明において参照する図面では、同様又は類似した機能を有する構成要素に、同一の参照符号を付している。ここで、図面は模式的なものであり、厚さ方向の寸法と厚さ方向に垂直な方向、即ち面内方向の寸法との関係や、複数の層の厚さ方向における寸法の関係等は、現実のものとは異なり得ることに留意すべきである。従って、具体的な寸法は、以下の説明を参酌して判断すべきである。また、２以上の構成要素の寸法の関係が、複数の図面の間で異なっている可能性があることにも留意すべきである。

なお、本開示において、「上面」及び「下面」は、板状部材又はそれに含まれる層の２つの主面、即ち、厚さ方向に垂直であり且つ最も広い面積を有する面及びその裏面であって、図面において上方に示された面と下方に示された面とをそれぞれ意味している。また、「側面」とは、上記主面に対して垂直であるか又は傾いた面を意味している。

また、本開示において、「ＡＡをＢＢの上に」という記載は、重力方向とは無関係に使用している。「ＡＡをＢＢの上に」という記載によって特定される状態は、ＡＡがＢＢと接触した状態を包含する。「ＡＡをＢＢの上に」という記載は、ＡＡとＢＢとの間に他の１以上の構成要素を介在させることを除外するものではない。

＜構造＞
図１は、本発明の一実施形態に係る多層配線基板を概略的に示す断面図である。図１に示す多層配線基板１は、コア層１１と、絶縁層１２０ａ及び１２０ｂと、層１２ａ及び１２ｂと、接合用導体１４ａ及び１４ｂとを含んでいる。

多層配線基板１は、例えば、一方の主面に設けられた接合用導体１４ａを介して１以上の機能デバイスと接合され、他方の主面に設けられた接合用導体１４ｂを介してマザーボード等の実装用基板と接合される。機能デバイスは、例えば、フリップチップボンディングによって、多層配線基板１へ接合される。機能デバイスの１以上は、ワイヤボンディングなどの他のボンディング法によって多層配線基板１へ接合されていてもよい。

ここで、「機能デバイス」は、電力及び電気信号の少なくとも一方が供給されることにより動作するデバイス、外部からの刺激により電力及び電気信号の少なくとも一方を出力するデバイス、又は、電力及び電気信号の少なくとも一方が供給されることにより動作し且つ外部からの刺激により電力及び電気信号の少なくとも一方を出力するデバイスである。機能デバイスは、例えば、半導体チップや、ガラス基板などの半導体以外の材料からなる基板上に回路や素子が形成されたチップのように、チップの形態にある。機能デバイスは、例えば、大規模集積回路（ＬＳＩ）、メモリ、撮像素子、発光素子、及びＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）の１以上を含むことができる。ＭＥＭＳは、例えば、圧力センサ、加速度センサ、ジャイロセンサ、傾斜センサ、マイクロフォン、及び音響センサの１以上である。一例によれば、機能デバイスは、ＬＳＩを含んだ半導体チップである。

コア層１１は、コア基板１１１と、導体層１１２ａ、１１２ｂ及び１１２ｃとを含んでいる。
コア基板１１１は、絶縁層である。コア基板１１１は、例えば、織布又は不織布に熱硬化性の絶縁樹脂を含浸させた繊維強化基板である。織布又は不織布としては、例えば、ガラス繊維、炭素繊維、又はアラミド繊維を使用することができる。絶縁樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を使用することができる。

コア基板１１１には、貫通孔が設けられている。導体層１１２ｃは、貫通孔の側壁を被覆している。ここでは、導体層１１２ｃは、側壁が導体からなる貫通孔を生じるように、コア基板１１１に設けられた貫通孔の側壁を被覆している。これら側壁が導体からなる貫通孔は、絶縁体で埋め込んでもよい。

導体層１１２ａ及び１１２ｂは、それぞれコア基板１１１の上面及び下面に設けられている。導体層１１２ａ及び１１２ｂの各々は、導体層１１２ｃと接触している。

絶縁層１２０ａ及び１２０ｂは、それぞれ、コア層１１の上面及び下面上に設けられている。絶縁層１２０ａ及び１２０ｂは、それぞれ、導体層１１２ａ及び１１２ｂを埋め込んでいる。絶縁層１２０ａ及び１２０ｂは、例えば、絶縁樹脂からなる層である。

層１２ａ及び層１２ｂは、それぞれ、絶縁層１２０ａ及び１２０ｂ上に設けられている。複数の層１２ａは多層配線構造を形成し、複数の層１２ｂも多層配線構造を形成している。層１２ａは、導体層１２２ａ及び絶縁層１２１を含み、層１２ｂは、導体層１２２ｂ及び絶縁層１２１を含んでいる。

層１２ａ及び層１２ｂが含む各絶縁層１２１は、例えば、絶縁樹脂からなる層である。絶縁層１２１には、凹部が設けられている。絶縁樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を使用することができる。

導体層１２２ａ及び１２２ｂは、銅などの金属又は合金からなる。導体層１２２ａ及び１２２ｂの各々は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。

導体層１２２ａ及び１２２ｂは、配線部１２２Ｗとランド部１２２Ｌとビア部１２２Ｖとを含んでいる。

絶縁層１３ａ及び１３ｂの各々は、上記の多層配線構造の最表面に位置した絶縁層１２１である。絶縁層１３ａ及び１３ｂは、例えば、ソルダーレジストなどの絶縁樹脂層である。絶縁層１３ａ及び１３ｂの各々には、接合用導体を設けるための凹部が設けられている。

接合用導体１４ａは、絶縁層１３ａの凹部の位置で露出した部分に設けられた金属バンプである。なお、接合用導体は、接合端子ともいう。接合用導体１４ａは、例えば、はんだからなる。接合用導体１４ｂは、そのピッチが接合用導体１４ａのピッチと異なること以外は、接合用導体１４ａと同様である。一例によると、接合用導体１４ｂのピッチは、接合用導体１４ａのピッチよりも大きい。

多層配線基板１について、図２を参照しながら、更に詳しく説明する。
図２は、図１に示す多層配線基板１の一部を概略的に示す拡大図である。

図２に示す多層配線基板１は、図２に示すように、絶縁層１２０ａと、層１２ａと、表面処理層１５ａと、接合用導体１４ａとを含んでいる。

絶縁層１２０ａは、コア層１１の導体層１１２ａと、絶縁層１２０ａと接している層１２ａが有するビア部１２２Ｖとを埋め込んでいる。なお、図２では、導体層１１２ａ及びビア部１２２Ｖを図示していない。

図２に示す多層配線基板１では、３つの層１２ａが積層されている。層１２ａの数は、２であってもよく、４以上であってもよい。

これら層１２ａの各々は、絶縁層１２１と、導体層１２２ａと、シード層１２３と、機能層１２４とを含んでいる。

絶縁層１２１は、例えば、厚さ方向に一体に形成されている。絶縁層１２１は、図２に示すように、第１面Ｓ１と、その裏面である第２面Ｓ２とを有している。絶縁層１２１には、複数の第１凹部Ｒ１、複数の溝部Ｇ及び第２凹部Ｒ２が設けられている。

第１凹部Ｒ１は、第１面Ｓ１で開口している。第１凹部Ｒ１は、ランド部１２２Ｌで埋め込まれたランド用凹部である。

第１凹部Ｒ１は、深さが互いに等しい。第１凹部Ｒ１の深さは、絶縁層１２１の厚さよりも小さい。

第１凹部Ｒ１の１以上は、溝部Ｇの１つと連通している。また、第１凹部Ｒ１の１以上は、この第１凹部Ｒ１が設けられた絶縁層１２１が有している第２凹部Ｒ２と連通している。

第１凹部Ｒ１は、開口と側壁と底面とを有している。第１凹部Ｒ１の底面は、厚さ方向に対して垂直な平面である。一例によれば、第１凹部Ｒ１は円形状の底面を有しており、第２凹部Ｒ２と連通した第１凹部Ｒ１の底面は円形に開口している。

第１凹部Ｒ１は、ここでは、厚さ方向に平行な断面が矩形状である。即ち、第１凹部Ｒ１は、高さ方向が厚さ方向に平行な角柱又は円柱形状を有している。第１凹部Ｒ１は、厚さ方向に対して垂直な方向の寸法が開口から底面に向かって漸次大きくなる形状を有していてもよい。即ち、第１凹部Ｒ１は、厚さ方向に対して垂直な断面が逆テーパ状であってもよい。この場合、第１凹部Ｒ１は、例えば、円錐台形状を有している。

溝部Ｇは、第１面Ｓ１で開口している。溝部Ｇは、配線部１２２Ｗで埋め込まれている。溝部Ｇの深さは、第１凹部Ｒ１の深さと等しい。

溝部Ｇは、開口と側壁と底面とを有している。溝部Ｇの底面は、厚さ方向に対して垂直な平面である。

溝部Ｇは、ここでは、長さ方向に対して垂直な断面が矩形状である。溝部Ｇは、開口から底面に向かって幅が漸次広くなる形状を有していてもよい。即ち、溝部Ｇは、長さ方向に対して垂直な断面が逆テーパ状であってもよい。

第２凹部Ｒ２は、第２面Ｓ２で開口している。第２凹部Ｒ２は、ビア部１２２Ｖで埋め込まれたビア用凹部、又は、接合用導体１４ａ及び表面処理層１５ａで埋め込まれた接合導体用凹部である。

第２凹部Ｒ２は、第１凹部Ｒ１の１以上と連通している。具体的には、第２凹部Ｒ２の各々は、第１凹部Ｒ１の何れかと連通している。

第２凹部Ｒ２は、開口と側壁とを有している。第２凹部Ｒ２は、その底部の位置で、第１凹部Ｒ１と連通している。厚さ方向に垂直な平面への第２凹部Ｒ２の正射影は、この第２凹部Ｒ２と連通した第１凹部Ｒ１の底面の先の平面への正射影の輪郭によって取り囲まれている。

第２凹部Ｒ２は、厚さ方向に対して垂直な方向の寸法が開口から底部へ向かって漸次小さくなる形状を有している。即ち、第２凹部Ｒ２は、厚さ方向に対して垂直な断面が順テーパ状である。一例によれば、第２凹部Ｒ２は、円錐台形状を有している。第２凹部Ｒ２は、厚さ方向に平行な断面が矩形状であってもよい。即ち、第２凹部Ｒ２は、高さ方向が厚さ方向に平行な角柱又は円柱形状を有していてもよい。
なお、第１凹部Ｒ１、溝部Ｇ及び第２凹部Ｒ２については、後で更に詳しく説明する。

導体層１２２ａは、絶縁層１２１の第１凹部Ｒ１及び溝部Ｇをそれぞれ埋め込んだランド部１２２Ｌ及び配線部１２２Ｗと、ランド部１２２Ｌの位置で第１面Ｓ１から突出したビア部１２２Ｖとを含んでいる。各導体層１２２ａにおいて、ビア部１２２Ｖの各々は、その導体層１２２ａが含んでいるランド部１２２Ｌの１つと一体に形成されている。各導体層１２２ａのビア部１２２Ｖは、その導体層１２２ａのランド部１２２Ｌ及び配線部１２２Ｗによって第１凹部Ｒ１及び溝部Ｇがそれぞれ埋め込まれた絶縁層１２１とその第１面Ｓ１側で隣接した他の絶縁層の第２凹部Ｒ２を埋め込んでいる。

導体層１２２ａは、銅などの金属又は合金からなる。一例によれば、導体層１２２ａは銅からなる。

シード層１２３は、図２に示すように、配線部１２２Ｗの側面を被覆することなしに、配線部１２２Ｗの第１面Ｓ１側の領域、即ち、第１領域を被覆している。第１領域については後述する。また、シード層１２３は、ランド部１２２Ｌの側面を被覆することなしにランド部１２２Ｌの第１面Ｓ１側の領域を被覆している。また、シード層１２３は、ビア部１２２Ｖの側面及び下面を被覆している。シード層１２３は、導体層１２２ａの電解めっきによる成膜において、給電層としての役割を果たす。

機能層１２４は、配線部１２２Ｗとこれに隣接した複数の絶縁層の１つとの間に介在した部分、即ち、第１部分を含んでいる。図２では、機能層１２４は第２部分及び第３部分を更に含んでいる。第２部分は、ランド部１２２Ｌと絶縁層１２１との間に介在した部分である。第３部分は、絶縁層１２１と、絶縁層１２１の第１面Ｓ１側で隣り合った他の絶縁層とが隣接した領域、即ち、第２領域を被覆した部分である。第２領域については後述する。機能層１２４は、絶縁層１２１との密着性に優れるため、絶縁層１２１と導体層１２２ａとの密着性を向上させる。

機能層１２４の材料は、例えば、シランカップリング剤、チオール化合物、アゾール化合物、又はチタンである。機能層１２４の材料としては、導電性を有するものを使用してもよく、導電性を有していない材料を使用してもよい。導電性を有している材料は、例えば、チタンである。導電性を有していない材料は、例えば、シランカップリング剤である。

絶縁層１３ａは、多層配線基板１の最表面に位置する層１２ａが有する絶縁層１２１である。絶縁層１３ａに設けられた第２凹部Ｒ２は、接合用導体１４ａ及び表面処理層１５ａで埋め込まれた接合導体用凹部である。

表面処理層１５ａは、絶縁層１３ａに設けられた第２凹部Ｒ２の底面に設けられている。表面処理層１５ａは、ランド部１２２Ｌの表面の酸化防止及びはんだに対する濡れ性向上のために設ける。

接合用導体１４ａは、表面処理層１５ａ上に設けられている。接合用導体１４ａは、絶縁層１３ａの第２凹部Ｒ２を埋め込むとともに、絶縁層１３ａの上面のうち第２凹部Ｒ２の開口及びその周囲の領域を被覆している。

図２に示すように、２以上の層１２ａの隣り合った各２つは、例えば、絶縁層１２１同士が接している。

図３は、図２に示す多層配線基板１の一部を概略的に示す拡大図である。図３における層１２ａが含む絶縁層１２１の絶縁層１２０ａと隣接した面は、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２と第３領域Ａ３とを含んでいる。第１領域Ａ１は、上記の面のうち、溝部Ｇに対応した領域である。第３領域Ａ３は、上記の面のうち、ランド部１２２Ｌに対応した領域である。第２領域Ａ２は、上記の面のうち、導体層１２２ａに対応していない領域、即ち、第１領域Ａ１及び第３領域Ａ３以外の領域である。第１領域Ａ１の表面粗さＲａ１は、第２領域Ａ２の表面粗さＲａ２と比較してより小さい。なお、図３においては第３領域Ａ３を図示していない。

配線部１２２Ｗの表面のうち、溝部Ｇの内面と向き合った領域の表面粗さ（以下、表面粗さＲａ３と呼ぶ）は、表面粗さＲａ１よりも小さいことが好ましい。

表面粗さＲａ１は、５ｎｍ乃至２００ｎｍの範囲内にあることが好ましい。表面粗さＲａ１が上記の範囲内にある場合、特に高い伝送特性を達成することができる。

表面粗さＲａ２は、１５０ｎｍより大きいことが好ましい。表面粗さＲａ２は、一例によると、５００ｎｍ以下である。表面粗さＲａ２が上記の範囲内にある場合、隣り合う２つの絶縁層の間で特に高い密着性を達成することができる。

表面粗さＲａ３は、３００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。表面粗さＲａ３は、一例によると、５ｎｍ以上である。表面粗さＲａ３が上記の範囲内にある場合、特に高い伝送特性を達成することができる。

表面粗さＲａ１と表面粗さＲａ２との比Ｒａ１／Ｒａ２は０．１乃至０．８３の範囲内にあることが好ましい。比Ｒａ１／Ｒａ２が上記の範囲内にある場合、隣り合う２つの絶縁層の間で特に高い密着性を達成することができる。また、高い伝送特性を達成することができる。

表面粗さＲａ３と表面粗さＲａ２との比Ｒａ３／Ｒａ２は０．１乃至０．８３の範囲内にあることが好ましい。比Ｒａ３／Ｒａ２が上記の範囲内にある場合、隣り合う２つの絶縁層の間で特に高い密着性を達成することができる。また、高い伝送特性を達成することができる。

図４は、図３に示す多層配線基板１の一部を概略的に示す拡大図である。図４に示すように、第２領域Ａ２には機能層１２４が設けられている。
機能層１２４の厚さは、例えば、１ｎｍ以上１μｍ以下の範囲内にある。機能層１２４の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましい。機能層１２４が薄い場合、機能層１２４の材料として導電性を有する材料を使用したときに、隣り合う２つの配線部１２２Ｗの間で特に高い絶縁信頼性を達成することができる。ただし、機能層１２４が薄すぎると、厚さが均一な機能層１２４を得ることが難しい。

上述した通り、機能層１２４の材料としては、導電性を有する材料を使用してもよく、導電性を有していない材料を使用してもよい。機能層１２４の材料として導電性を有する材料を使用する場合、機能層１２４の厚さは、表面粗さＲａ２よりも小さいことが好ましい。この場合、機能層１２４のうち、第２領域Ａ２を被覆した部分は不連続膜となる。不連続膜は、例えば、孔又は溝を有している膜である。このため、機能層１２４の材料として導電性を有する材料を使用した場合であっても、隣り合う２つの配線部１２２Ｗの間で高い絶縁信頼性を達成することができる。一例によると、表面粗さＲａ２が１５０ｎｍより大きい場合、機能層１２４の厚さは１００ｎｍとすることができる。

以上、多層配線基板１について述べた。
なお、シード層、機能層及び表面処理層のうち少なくとも１つは省略してもよい。

＜製造方法＞
多層配線基板１は、例えば、以下の方法により製造することができる。

図５乃至図２２は、本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法を概略的に示す断面図である。

この方法では、先ず、図５に示すように、上述したコア層１１の一方の面に、第１絶縁層としての絶縁層１２０ａを形成する。絶縁層１２０ａは、コア層１１が有する導体層１１２ａの位置に貫通孔を有している。なお、図５乃至図２２においては、コア基板１１１に設けられた貫通孔並びに導体層１１２ａ、１１２ｂ及び１１２ｃについては図示しておらず、絶縁層１２０ａに設けられた貫通孔についても図示していない。

絶縁層１２０ａの材料は、例えば、無機フィラーと絶縁樹脂との混合物である。上記の混合物は、液状であってもよく、フィルム状であってもよい。

絶縁層１２０ａの材料として、液状の上記の混合物を用いる場合は、絶縁層１２０ａは、例えば、スリットコート、カーテンコート、ダイコート、スプレーコート、静電塗布法、インクジェットコート、グラビアコート、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷、スピンコート、及びドクターコートの何れかの方法でコア層１１上に形成することができる。絶縁層１２０ａとして、上記の混合物の硬化物、例えば、フィルム状の硬化物を用いる場合、絶縁層１２０ａは、例えば、ラミネート、真空ラミネート、真空プレスなどの何れかの方法でコア層１１上に設けることができる。
絶縁層１２０ａは、無機フィラーを含んでいなくてもよい。この場合、絶縁層１２０ａ、例えば、液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ、ＬＣＰ）、フッ素樹脂、又はポリイミドからなる。ここでは、絶縁層１２０ａは、絶縁樹脂からなるとする。

次に、図６に示すように、絶縁層１２０ａの上面を粗化する。例えば、絶縁層１２０ａの上面の粗化は、図５に示す構造の絶縁層１２０ａにエッチング液を供給することで行われる。ここでは、一例として、過マンガン酸塩を含んだエッチング液に上記の積層体を浸漬することで絶縁層１２０ａの上面を粗化する。この場合、エッチング液の温度及び浸漬時間等の条件を調節することで、絶縁層１２０ａの表面粗さを調節することが可能である。ここでは、一例として、絶縁層１２０ａの上面の表面粗さ、即ち、表面粗さＲａ１は１００ｎｍとした。

絶縁層１２０ａの上面の粗化は、チャンバー内に入れた上記の積層体を真空中でプラズマ処理することによって行ってもよい。この場合、チャンバーに供給する気体の量及び処理時間等の条件を調節することで、絶縁層１２０ａの表面粗さを調節することが可能である。

次に、図７に示すように、絶縁層１２０ａ上にシード層１２３を形成する。シード層１２３は、導体層１２２ａを形成するための電解めっきにおいて、給電層としての役割を果たす。

シード層１２３は、例えば、無電解めっき等の湿式めっき又はスパッタリング法等の乾式めっきにより形成することができる。
無電解めっきを利用する場合、シード層１２３としては、例えば、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｉ又はＣｒからなる層を形成することができる。スパッタリング法を利用する場合、シード層１２３としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ－ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、ＴｉＮ、Ｃｕ_３Ｎ_４、Ｃｕ合金、又はこれらの２以上の組み合わせからなる層を形成することができる。ここでは、一例として、電気特性、製造の容易性及びコストを考慮して、無電解めっきによって、厚さが３００ｎｍの銅層を形成することとする。

次に、図８に示すように、シード層１２３上に、溝Ｇ’と、貫通孔Ｒ１’とを有するダミー層１９１を形成する。ダミー層１９１の溝Ｇ’及び貫通孔Ｒ１’は、それぞれ、絶縁層１２１の溝部Ｇ及び第１凹部Ｒ１に相当する。ダミー層１９１は、絶縁層１２０ａの上記一方の面が含む第２領域Ａ２上に設けられている。溝Ｇ’及び貫通孔Ｒ１’は、それぞれ、絶縁層１２０ａの一方の面が含む第１領域Ａ１及び第３領域Ａ３の位置で開口している。ここでは、溝部Ｇ’は、長さ方向に垂直な断面が矩形形状を有するように形成する。また、貫通孔Ｒ１’は、その厚さ方向と平行な断面が矩形形状を有するように形成する。溝部Ｇ’は、長さ方向に垂直な断面が順テーパ形状を有するように形成してもよい。また、貫通孔Ｒ１’は、その厚さ方向と平行な断面が順テーパ形状を有するように形成してもよい。

ダミー層１９１は、感光性樹脂からなる。感光性樹脂は、例えば、ノボラック樹脂又はエポキシ樹脂である。感光性樹脂は、液状であってもよく、フィルム状であってもよい。

ダミー層１９１の材料としてフィルム状の感光性樹脂を用いる場合、例えば、ポリエステルからなる保護層と、ポリエチレンからなる剥離層と、保護層と剥離層との間に介在した感光性樹脂層とを備えたフィルムを使用することができる。具体的には、先ず、図７に示す構造におけるシード層１２３の表面を洗浄した後、上述したフィルムから剥離層を除去し、その後、シード層１２３と感光性樹脂層とを熱圧着によりラミネートする。次に、感光性樹脂層の一部の領域に対して紫外線を照射する。次に、保護層を除去し、得られた構造に対して現像液を供給し、感光性樹脂層をパターニングする。このようにして、上述したダミー層１９１を得る。なお、感光性樹脂としてネガ型のレジストを用いた場合には、有機溶剤を含む現像液を用いることができる。また、ポジ型のレジストを用いた場合には、アルカリ系の現像液を用いることができる。

ダミー層１９１の材料として液状の感光性樹脂を用いる場合、例えば、以下の方法によってダミー層１９１を形成することができる。具体的には、先ず、図７に示す構造におけるシード層１２３の表面を洗浄した後、シード層１２３上に液状の感光性樹脂を塗布する。次に、液状の感光性樹脂を乾燥させ、その後、得られた感光性樹脂層の一部の領域に対して紫外線に露光する。次に、感光性樹脂層を現像液で処理する。このようにして、上述したダミー層１９１を得る。

次に、図９に示すように、シード層１２３上に導体層１２２ａを形成する。導体層１２２ａは、溝部Ｇ’と貫通孔Ｒ１’との下面及び、絶縁層１２０ａに設けられた貫通孔を埋め込むように形成する。導体層１２２ａのうち、溝部Ｇ’、貫通孔’及び絶縁層１２０ａに設けられた貫通孔を埋め込んだ部分は、それぞれ、配線部１２２Ｗ、ランド部１２２Ｌ及びビア部１２２Ｖに相当する。導体層１２２ａは、例えば、電解めっきによって形成することができる。導体層１２２ａは、例えば、銅からなる。

次に、図１０に示すように、ダミー層１９１を除去する。ダミー層１９１の材料としてフィルム状の感光性樹脂を使用した場合には、例えば、水酸化ナトリウム又はモノエタノールアミン系薬剤等のアルカリ性の溶液を用いてダミー層１９１を除去することができる。ダミー層１９１の材料として、ノボラック樹脂又はエポキシ樹脂等の樹脂からなる液状の感光性樹脂を使用した場合には、例えば、アセトン又はアルコールを用いてダミー層１９１を除去することができる。ダミー層１９１の除去後には所定の表面洗浄を行うことが好ましい。

次に、図１１に示すように、図１０に示す構造においてシード層１２３の露出部を除去する。シード層１２３の除去は、例えば、過酸化水素－硫酸系のエッチング液を用いて行うことができる。シード層１２３の除去は、導体層１２２ａの上面及び側面の表面粗さが３００ｎｍ以下となるように行うことが好ましく、１００ｎｍ以下となるように行うことがより好ましい。この場合、高い伝送特性を達成可能な多層配線基板が得られやすい。また、シード層１２３の露出部の除去により、導体層１２２ａと絶縁層１２０ａとの間に介在したシード層１２３が一部除去されてもよい。即ち、シード層１２３の露出部の除去により、シード層１２３にアンダーカットが生じても良い。

次に、図１２に示すように、図１１に示す構造において絶縁層１２１の露出部、即ち、第２領域Ａ２を粗化する。この粗化は、絶縁層１２１の露出部の表面粗さが１５０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲内となるように行うことが好ましい。絶縁層１２１の粗化は、例えば、図６を参照しながら説明した方法と同様の方法によって行うことができる。ただし、図１２に示す絶縁層１２１の粗化は、第２領域Ａ２の表面粗さＲａ２が第１領域Ａ１の表面粗さＲａ１よりも大きくなるように行う。ここでは、一例として、過マンガン酸塩を含んだエッチング液に図１１に示す構造を浸漬することで絶縁層１２１の露出部を粗化したとする。また、ここでは、絶縁層１２１の露出部の表面粗さ、即ち、表面粗さＲａ２は２００ｎｍとした。

次に、図１３に示すように、絶縁層１２１及び導体層１２２ａ上に機能層１２４を形成する。ここでは、機能層１２４の厚さを１００ｎｍとした。このように、機能層１２４の厚さを表面粗さＲａ２よりも小さくすることで、第２領域Ａ２上における機能層１２４を不連続膜とした。機能層１２４は、例えば、ウエットコーティングにより形成することができる。

次に、図１４に示すように、機能層１２４を被覆するとともに、ランド部１２２Ｌ及び配線部１２２Ｗの間を埋め込んだ、第２絶縁層としての絶縁層１２１を設ける。なお、絶縁層１２１のうちランド部１２２Ｌ及び機能層１２４で埋め込まれた凹部は、上述した第１凹部Ｒ１である。また、絶縁層１２１のうち配線部１２２Ｗ及び機能層１２４で埋め込まれた凹部は、上述した溝部Ｇである。

絶縁層１２１は、感光性樹脂又は非感光性樹脂からなる。絶縁層１２１の材料としては、例えば、ダミー層１９１及び絶縁層１２０ａについて上述したのと同様の材料を使用することができる。

次に、図１５に示すように、絶縁層１２１に第２凹部Ｒ２を形成する。第２凹部Ｒ２は、例えば、炭酸ガスレーザ又はエキシマレーザにより形成することができる。このような方法により第２凹部Ｒ２を形成した場合、図１５に示すように、第２凹部Ｒ２の下面に樹脂残渣１９２が生じることがある。

次に、図１６に示すように、樹脂残渣１９２及び機能層１２４の露出部を除去するとともに、絶縁層１２１の上面を粗化する。これらの除去及び絶縁層１２１の粗化は、例えば、過マンガン酸塩を含んだ溶液への浸漬処理、プラズマ処理、又はこれら２つの処理によって行う。ここでは、一例として、過マンガン酸塩を含んだ溶液に図１５に示す構造を浸漬することとする。この工程は、絶縁層１２１の上面の表面粗さ、即ち、表面粗さＲａ１が１００ｎｍとなるように行った。このようにして層１２ａを得た。

次に、図１７に示すように、絶縁層１２１及びランド部１２２Ｌの露出部上にシード層１２３を形成する。シード層１２３の形成は、例えば、上述したシード層１２３について説明したのと同様の方法により行う。ここでは、一例として、シード層１２３を無電解めっきにより形成した。なお、図１７に示すランド部１２２Ｌは、その上面に窪みを有しており、ランド部１２２Ｌ上のシード層１２３は、上記の窪みの形状に沿った形状を有している。これは、無電解めっきでは、シード層１２３を堆積させる前に、シード層１２３を形成する部分、即ち、ランド部１２２Ｌの上面がエッチングされるためである。

次に、図８及び図９を参照しながら説明した方法と同様の方法によりダミー層１９１を形成し、その後、導体層１２２ａを形成する。これにより、図１８に示す構造を得る。この導体層１２２ａの形成により、絶縁層１２１に設けられた第２凹部Ｒ２を埋め込んだビア部１２２Ｖを形成する。

次に、図１０乃至図１３を参照しながら説明した工程を行う。これにより、図１９に示す構造を得る。

次に、図１４乃至１９を参照しながら説明した工程を行う。これにより、図２０に示す構造を得る。

次に、図２１に示すように、機能層１２４を被覆するとともに、ランド部１２２Ｌ及び配線部１２２Ｗの間を埋め込んだ絶縁層１３ａを形成する。絶縁層１３ａは、ランド部１２２Ｌの位置に、機能層１２４を露出させる貫通孔を有している。絶縁層１３ａは、例えば、絶縁層１３ａと隣接する機能層１２４上にソルダーレジストを設け、ソルダーレジストを露光処理及び現像処理することにより形成する。ソルダーレジストは、例えば、感光性エポキシ樹脂からなる。なお、ソルダーレジストから得られる絶縁層は、ソルダーレジスト層ともいう。また、絶縁層１３ａに貫通孔を設ける際に樹脂残渣が生じた場合、樹脂残渣は、後に図２２を用いて説明する工程において機能層１２４と共に除去することが可能である。

次に、図２２に示すように、機能層１２４の露出部を除去する。機能層１２４の露出部の除去は、例えば、デスミア処理又はプラズマ処理によって行うことができる。

次に、ランド部１２２Ｌ上に表面処理層を形成し、その後、表面処理層上に接合用導体を形成する。表面処理層としては、無電解Ｎｉ／Ａｕめっき層、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき層、金めっき層、スズめっき層、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）膜、即ち、水溶性プレフラックスによる表面処理層を形成してもよい。接合用導体の材料としては、例えば、スズ又はインジウムを含んだはんだ材料を使用することができる。

このようにして、図２に示す多層配線基板を得る。
なお、絶縁層１２０ｂ、層１２ｂ及び接合用導体１４ｂは、それぞれ、上述した、絶縁層１２０ａ、層１２ａ及び接合用導体１４ａの形成方法と同様の方法によって形成することができる。

以上、本発明の一実施形態に係る多層配線基板の製造方法について説明した。

＜効果＞
図２３は、比較例に係る多層配線基板を概略的に示す断面図である。図２３に示す多層配線基板は、上述した機能層１２４を設けなかったこと、及び、第１領域Ａ１の表面粗さＲａ１と第２領域Ａ２の表面粗さＲａ２とが等しく、且つ、これら領域が平滑であること以外は、図３に示す多層配線基板と同様である。このような多層配線基板では、第１領域Ａ１の表面粗さＲａ１と第２領域Ａ２の表面粗さＲａ２とが等しく、且つ、これら領域が平滑であるため、第２領域Ａ２において高い密着性を達成することができない。

図２４は、他の比較例に係る多層配線基板を概略的に示す断面図である。図２４に示す多層配線基板は、第１領域Ａ１の表面粗さＲａ１と第２領域Ａ２の表面粗さＲａ２とが等しく、且つ、これら領域が平滑であること以外は、図３に示す多層配線基板と同様である。図２４に示す多層配線基板は、図２３に示す多層配線基板と比較して、配線部１２２Ｗと絶縁層１２１との間の密着性に優れる。しかしながら、図２４に示す多層配線基板において、機能層１２４の材料として導電性を有する材料を使用した場合、隣り合う２つの配線部１２２Ｗの間で高い絶縁信頼性を達成することが難しい。また、この多層配線基板は、第１領域Ａ１の表面粗さＲａ１と第２領域Ａ２の表面粗さＲａ２とが等しく、且つ、これら領域が平滑であるため、第２領域Ａ２において高い密着性を達成することができない。

図２５は、更に他の比較例に係る多層配線基板を概略的に示す断面図である。図２５に示す多層配線基板は、第１領域Ａ１の表面粗さＲａ１と第２領域Ａ２の表面粗さＲａ２とが等しく、且つ、これら領域が粗いこと以外は、図３に示す多層配線基板と同様である。図２５に示す多層配線基板は、図２３に示す多層配線基板と比較して、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２において高い密着性を達成することが可能である。しかしながら、図２５に示す多層配線基板では、第１領域Ａ１の表面粗さＲａ１が大きいため、高い伝送特性を達成することが難しい。

一方、上述した多層配線基板１では、第１領域Ａ１の表面粗さＲａ１が第２領域Ａ２の表面粗さＲａ２よりも小さい。このため、第２領域Ａ２、即ち、隣り合う２つの絶縁層の間において高い密着性を達成することができる。また、上述した多層配線基板１は、図２５に示す多層配線基板と比較して、高い伝送特性を達成することができる。

＜他の実施形態＞
図２６は、本発明の他の実施形態に係る多層配線基板を概略的に示す断面図である。図２６に示すように、この多層配線基板では、シード層１２３は溝部Ｇの底面及び側壁を被覆している。図２６に示す多層配線基板は、導体層１２２ａがダマシン法によって形成される。以下、図２６に示す多層配線基板の製造方法について説明する。

先ず、図５に示す構造を準備する。以下、絶縁層１２０ａが有している貫通孔を第１貫通孔と呼ぶ。次に、以下に説明する工程を含むシークエンスＳを行う。

シークエンスＳでは、先ず、下地層としての絶縁層１２０ａ上に、第１絶縁層としての絶縁層１２１を設ける。絶縁層１２１は、１以上が第１貫通孔と連通した第２貫通孔と、溝部Ｇとを有している。絶縁層１２１は、例えば、感光性絶縁樹脂からなる。

次に、絶縁層１２１の上面と、第１貫通孔の内面と、溝部Ｇの内面と、第２貫通孔の内面とを被覆したシード層１２３を形成する。シード層１２３は、例えば、チタン層と銅層とからなる層である。シード層１２３は、例えば、スパッタリングによって形成する。

次に、シード層１２３上に、第１貫通孔、第２貫通孔及び溝部Ｇを埋め込むように導体層を形成する。次に、導体層及びシード層１２３のうち、第１貫通孔、第２貫通孔又は溝部Ｇの外に位置した部分を除去する。これにより、第１貫通孔を埋め込んだビア部１２２Ｖ、第２貫通孔を埋め込んだランド部１２２Ｌ及び溝部Ｇを埋め込んだ配線部１２２Ｗを含んだ導体層１２２ａを形成する。

次に、図１２を参照しながら説明したのと同様の方法により、絶縁層１２１の露出部を粗化する。即ち、導体層１２２ａの表面である第１領域Ａ１の表面粗さＲａ１が、第１絶縁層としての絶縁層１２１の表面である第２領域Ａ２の表面粗さＲａ２よりも小さくなるように、第２領域Ａ２を粗化する。

次に、図１３を参照しながら説明したのと同様の方法により、絶縁層１２１、導体層１２２ａ及びシード層１２３上に機能層１２４を形成する。これにより、絶縁層１２０ａ、絶縁層１２１、導体層１２２ａ、シード層１２３及び機能層１２４を含んだ層１２ａを得る。

次に、絶縁層１２１及び機能層１２４上に、第２絶縁層としての絶縁層１２１を形成する。次に、第２絶縁層としての絶縁層１２１に、ランド部１２２Ｌの位置でランド部１２２Ｌを露出させる第１貫通孔を形成する。
以上、シークエンスＳについて述べた。

次に、上述したシークエンスＳを１回以上繰り返す。次に、上方に位置した第２絶縁層としての絶縁層１２１上に、シード層を形成する。次に、上方に位置した層１２ａが含むランド部１２２Ｌの位置で開口したダミー層を形成する。次に、シード層上に導体層を形成する。次に、ダミー層を除去し、その後、露出したシード層を除去する。次に、上方に位置した絶縁層１２１及び導体層上に、ソルダーレジストからなり、導体層の位置に貫通孔有する絶縁層（以下、ソルダーレジスト層と呼ぶ）を形成する。次に、導体層上に、上述した表面処理層１５ａ及び接合用導体１４ａの形成方法と同様の方法により、これらを形成する。
以上、図２６に示す多層配線基板の製造方法について述べた。

図２６に示す多層配線基板においても、第１領域Ａ１の表面粗さＲａ１が第２領域Ａ２の表面粗さＲａ２よりも小さい。このため、第２領域Ａ２、即ち、隣り合う２つの絶縁層の間において高い密着性を達成することができる。また、図２６に示す多層配線基板では、第１領域Ａ１が平滑であるため、高い伝送特性を達成することができる。また、図２６に示す多層配線基板においても、機能層１２４の厚さを表面粗さＲａ２よりも小さくすることで、機能層１２４を不連続膜として形成することが可能である。このため、この多層配線基板においても隣り合う２つの配線部１２２Ｗの間で絶縁信頼性を向上させることが可能である。

１…多層配線基板、１１…コア層、１２ａ…層、１２ｂ…層、１３ａ…絶縁層、１３ｂ…絶縁層、１４ａ…接合用導体、１４ｂ…接合用導体、１１１…コア基板、１１２ａ…導体層、１１２ｂ…導体層、１１２ｃ…導体層、１２０ａ…絶縁層、１２０ｂ…絶縁層、１２１…絶縁層、１２２ａ…導体層、１２２ｂ…導体層、１２２Ｖ…ビア部、１２２Ｌ…ランド部、１２２Ｗ…配線部、１２３…シード層、１２４…機能層、１９１…ダミー層、１９２…樹脂残渣、Ｒ１…第１凹部、Ｒ１’…貫通孔、Ｒ２…第２凹部、Ｓ１…第１面、Ｓ２…第２面、Ｇ…溝部、Ｇ’…溝。

Claims (17)

1. 互いに積層された複数の絶縁層であって、隣り合った２つの一方には、他方と隣接した面に溝部が設けられ、前記他方の絶縁層の前記一方と隣接した面は、前記溝部に対応した第１領域の表面粗さＲａ１が、他の位置に対応した第２領域の表面粗さＲａ２と比較してより小さい複数の絶縁層と、
   前記溝部を埋め込んだ配線部を含んだ導体層と
   を備えた多層配線基板。
2. 前記表面粗さＲａ１は５ｎｍ乃至２００ｎｍの範囲内にある請求項１に記載の多層配線基板。
3. 前記表面粗さＲａ２は１５０ｎｍより大きい請求項１又は２に記載の多層配線基板。
4. 前記表面粗さＲａ１と前記表面粗さＲａ２との比Ｒａ１／Ｒａ２は０．１乃至０．８３の範囲内にある請求項１乃至３の何れか１項に記載の多層配線基板。
5. 前記配線部の表面のうち、前記溝部の内面と向き合った領域の表面粗さＲａ３は、前記表面粗さＲａ１よりも小さい請求項１乃至４の何れか１項に記載の多層配線基板。
6. 前記配線部とこれに隣接した前記複数の絶縁層の１つとの間に介在した部分を含んだ機能層を更に備えた請求項１乃至５の何れか１項に記載の多層配線基板。
7. 前記機能層は、前記第２領域を被覆した部分を更に含んだ請求項６に記載の多層配線基板。
8. 前記機能層のうち前記第２領域を被覆した前記部分は不連続である請求項７に記載の多層配線基板。
9. 前記第１領域を被覆したシード層を更に備えた請求項１乃至８の何れか１項に記載の多層配線基板。
10. 前記溝部の底面及び側壁を被覆したシード層を更に備えた請求項１乃至８の何れか１項に記載の多層配線基板。
11. 一方の面が第１領域と第２領域とを含んだ第１絶縁層の上に、前記第１領域の位置で開口した溝を有するダミー層を形成することと、
    前記溝を埋め込むように、導体層を形成することと、
    その後、前記ダミー層を除去することと、
    前記第２領域を粗化することと、
    前記第１絶縁層及び前記導体層の上に第２絶縁層を形成することと
    を含んだ多層配線基板の製造方法。
12. 前記ダミー層を形成する前に、前記第１領域を粗化することを更に含み、前記第１領域及び前記第２領域の粗化は、第１領域の表面粗さＲａ１が前記第２領域の表面粗さＲａ２と比較してより小さくなるように行う請求項１１に記載の多層配線基板の製造方法。
13. 前記ダミー層を形成する前に、前記第１絶縁層上にシード層を形成することと、
    前記ダミー層を除去した後であって、前記第２領域を粗化する前に、前記シード層のうち露出している部分を除去することと
    を更に含んだ請求項１１又は１２に記載の多層配線基板の製造方法。
14. 前記シード層は無電解銅めっきにより形成する請求項１３に記載の多層配線基板の製造方法。
15. 前記第２領域を粗化した後に、前記導体層上に機能層を形成することを更に含んだ請求項１１乃至１４の何れか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
16. 前記導体層は電解銅めっきにより形成する請求項１１乃至１５の何れか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
17. 下地層上に、溝部を有する第１絶縁層を形成することと、
    前記溝部を埋め込むように、導体層を形成することと、
    前記導体層の表面である第１領域の表面粗さＲａ１が、前記第１絶縁層の表面である第２領域の表面粗さＲａ２よりも小さくなるように、前記第２領域を粗化することと、
    前記第１絶縁層及び前記導体層の上に第２絶縁層を形成することと
    を含んだ多層配線基板の製造方法。