JP4270792B2 - 導電性材料及びビアホールの充填方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電性材料及びビアホールの充填方法に係り、特に、微細なビアホールを空洞が発生することなく充填しうる導電率の高い導電性材料、並びに、このような導電性材料に好適なビアホールの充填方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子回路基板や半導体装置では、異なるレベルの配線層間を相互接続するために、絶縁膜に形成したビアホール内に導体を充填することが行われている。
【0003】
従来は、このようなビアホールに導体を充填する方法として、電気めっきによりビアホール内に導体膜を成長し充填する方法や、有機成分中に金属粉末を分散させた導電性の樹脂ペーストをビアホールに詰め込む方法が採用されていた。
【0004】
しかしながら、近年の電子回路基板や半導体装置の更なる微細化に伴ってビアホールの径も極めて微細化されており、従来のビアホール充填方法では不十分であった。
【0005】
すなわち、電気めっきによる充填方法では、通常は、図3(a)に示すようにめっき膜106の成長はビアホール104の壁面及び底面から進行する。しかしながら、上端のエッジ部分は電界が集中して電流密度が高くなるため、この領域の成長レートが高くなる。したがって、ビアホール104内部がめっき膜106によって完全に充填される前に、ビアホール104の上部が塞がれてしまい、ビアホール104の中央部に空洞108が残存してしまう(図3(b))。また、空洞108の発生は、ビアホールのアスペクト比が大きくなるほどに顕著となる。このため、導通不良や抵抗増加が発生したり、加熱時に空洞の膨れが生じて装置構造を破壊することがあった。
【0006】
これを改良する方法として、側壁からのめっき膜の成長を抑止し、底面からのめっき膜成長のみによりビアを充填する方法が検討されている。しかしながら、この方法では、ビア内の空洞はなくなるものの、多大なめっき時間を要するため非常なコスト高となる。
【0007】
また、樹脂ペーストを用いた充填方法は、めっき法と比較してコスト的には有利である。しかしながら、有機成分と金属粉末との混合物であるため導通抵抗が高い、ガス成分が残留する、使用限界温度が低いなどの問題があった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来のビアホールの充填方法は、微細なビアホールを充填する方法として十分とはいえなかった。このため、微細なビアホールを、空洞が発生することなく低コストで導電性の高い材料によって充填する技術が望まれていた。
【0009】
本発明の目的は、微細なビアホールを、空洞が発生することなく低コストで充填しうる導電率の高い導電性材料を提供することにある。
【0010】
また、本発明の他の目的は、このような導電性材料に好適なビアホールの充填方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、ビスマスを含む合金からなり融点が250℃以下の第1の金属材料と、融点が500℃以上の第2の金属材料とのみからなり、前記第2の金属材料は、250℃以下の温度でペースト状になるように、粉末の状態で前記第1の金属材料中に分散していることを特徴とする導電性材料によって達成される。
【0014】
また、上記他の目的は、第1の圧力を有する装置内において、ビアホールが形成された基板に上述の導電性材料を供給し、前記ビアホールの上端部に前記導電性材料を埋め込む工程と、前記装置内の圧力を、前記第1の圧力よりも高い第2の圧力に変化することにより、前記ビアホールの前記上端部に埋め込まれた前記導電性材料を、前記ビアホール内に押し込む工程とを有することを特徴とするビアホールの充填方法によって達成される。
【0015】
また、上記のビアホールの充填方法において、前記導電性材料がペースト状になる温度まで前記基板の温度を昇温するようにしてもよい。
【0016】
また、上記のビアホールの充填方法において、前記導電性材料を埋め込む工程と前記導電性材料を押し込む工程とを繰り返し行い、前記ビアホール内を前記導電性材料によって充填するようにしてもよい。
【0017】
また、上記のビアホールの充填方法において、前記ビアホール内に前記導電性材料を充填した後に、前記導電性材料の融点よりも高い温度で熱処理を行う工程を更に有するようにしてもよい。
【0018】
また、上記のビアホールの充填方法において、前記導電性材料を埋め込む工程では、スキージを用いて前記導電性材料を前記基板に擦り込むようにしてもよい。
【0019】
また、上記のビアホールの充填方法において、前記導電性材料を埋め込む工程では、ディスペンサを用いて前記ビアホール内に前記導電性材料を注入するようにしてもよい。
【0020】
また、上記他の目的は、上述の導電性材料をビアホールに充填することを特徴とするビアホールの充填方法によっても達成される。
【0021】
【発明の実施の形態】
本発明による導電性材料は、融点が250℃以下の金属材料Aと、融点が500℃以上の金属材料Bとを含み、250℃以下の温度でペースト状であることを主たる特徴とする。
【0022】
ここで、本発明による導電性材料が融点が250℃以下の金属材料Aを含有するのは、ビアホールの充填の際に導電性材料がペースト状となるために必要だからである。本発明による導電性材料を後述の方法によりビアホール内に充填する際には、高くとも250℃程度の温度下で行う。この温度下において導電性材料がペースト状となるためには、金属材料Aが液体状、つまり金属材料Aの融点が250℃よりも低いことが必要である。
【0023】
金属材料Aの融点は、導電性材料を用いるプロセスにおける基板温度などに応じて適宜選択することが望ましい。作業のしやすさを考慮すると、常温〜100℃程度の温度において液体状である単元素の金属材料や合金材料を適用することが望ましい。例えば、常温においても液体のIn−76%Ga合金、融点58℃の12%Sn−18%Pb−49%Bi−21%In、融点61℃の16%Sn−33%Bi−51%In、融点79℃の47%Sn−57%Bi−26%In、融点96〜110℃の22%Sn−28%Pb−50%Bi、などの低融点合金を適用することができる。
【0024】
また、金属材料Aとしては、ビスマスを含む合金を用いることが望ましい。通常の金属は温度上昇に伴い体積膨張する性質を有するが、ビスマスはこれとは逆に温度上昇に伴って収縮する性質を有する。したがって、金属材料Aにビスマスを含有させることにより、温度上昇に伴う他の金属による体積膨張をビスマスによって吸収することが可能となる。これにより、導電性材料全体としての体積膨張を抑制することができるからである。
【0025】
また、本発明による導電性材料が融点が500℃以上の金属材料Bを含有しているのは、金属材料Bを液体状の金属材料A中に分散してペースト状の導電性材料を構成するためである。この目的のため、金属材料Bは、金属材料A中に粉末状で分散させることが必要である。
【0026】
また、金属材料Bは、粉末化が可能な金属で、金属材料Aの融点で溶融しない金属であれば使用は可能である。例えば、Cu、Ag、Zn、Ni、Fe、Pd、Au、Ptなど単体金属粉末やAu−Sn、Cu−Sn、Fe−Ni、など合金粉末、AgめっきCu粉、AuめっきNi粉など複合金属粉末などが使用できる。なお、何れの金属粉末においても表面の酸化膜は溶融金属Aとの濡れを阻害するため、脂肪酸などで酸化防止処理を施した金属粉末が好ましい。
【0027】
但し、金属材料Bの融点が金属材料Aの融点に近いと、金属材料Bが金属材料A中に溶け込んで導電性材料自体の融点を高め、ビアホールの充填が困難になる虞がある。かかる観点から、金属材料Bの融点は500℃以上であることが望ましい。
【0028】
本発明において導電性材料をペースト状にするのは、以下の理由からである。すなわち、本発明による導電性材料をビアホール充填用導電材として用いることを考慮した場合、溶融した金属材料Aのみによって導電性材料を構成したのでは、表面張力が大きく微細なビアホールの充填が不可能であり、また、たとえ充填できたとしても流体であるためビアホール内に保持しておくことが困難だからである。
【0029】
金属材料Aに金属材料Bを入れて十分混練することにより、金属材料Bの表面が金属材料Aと濡れ、金属材料Aが導電性ペーストやはんだペーストのビヒクルの役割効果を示し、ペースト状となる。これにより、微細なビアホールへも樹脂ペーストと同様の手法で充填が可能となる。また、金属材料Aが溶融状態でも金属材料Bとの濡れにより保持され、ビア内に充填後も流れ出ることなく安定して存在することができる。
【0030】
なお、導電性材料がペースト状になるための金属材料Bの充填比率は、金属材料Bの種類や粒径によっても変化するが、5〜40wt%程度の範囲である。
【0031】
一方、樹脂系の導電性ペーストの場合、電気的導通は金属粉末粒子同士の接触によりなされ、その接触抵抗の合算がビアの導通抵抗となるため、その値は大きいものとなる。一方、本発明による導電性材料では、金属A中に金属Bを分散させたペーストであるので、ビアホール内は一体化した金属となるため導通抵抗も小さく、バルク金属と同等の導電性を得ることができる。
【0032】
次に、本発明による導電性材料をビアホールに充填するに好適なビアホールの充填方法について、図1及び図2を用いて説明する。図1及び図2は、本実施形態によるビアホールの充填方法を示す工程断面図である。
【0033】
なお、以下の説明では、シリコン基板を貫通するビアホール内に導電性材料を充填する場合を例に挙げて説明するが、本発明は本実施例の場合に限定されるものではない。
【0034】
まず、金属材料A中に金属材料Bの粉末が分散された本発明による導電性材料を作成する。導電性材料の作成は、金属材料Aを融点以上に加熱し、溶融した状態の金属材料A中に所定量の金属材料Bの粉末を分散し、混合・混練することにより、ペーストの導電性材料を調製する。
【0035】
次いで、導電性材料を充填するビアホールが形成されたシリコン基板10を、例えば真空印刷機のステージ20上に載置する(図1(a))。なお、シリコン基板10には、これを貫くビアホール12が形成されており、ビアホール12の内壁を含むシリコン基板の表面には、シリコン酸化膜14が形成されている。
【0036】
また、ステージ20上には、例えば膜厚0.5μmのPt/Tiよりなる導電層22が形成されている。なお、導電層22は、電極として用いるための層である。
【0037】
次いで、ステージ20を、導電性材料の融点より5〜10℃程度高い温度まで昇温する。
【0038】
次いで、シリコン基板10上に、予め加熱してペースト状態にしておいた導電性材料30をセットする。なお、導電性材料は、ビアホール12が形成されていないシリコン基板10の縁の部分にセットする。
【0039】
次いで、印刷機の装置内部を、所定の圧力まで減圧する。
【0040】
次いで、例えばウレタンゴム製やステンレススチール製のスキージ40を用い、導電性材料30をビアホール12内に擦り込む。これにより、ビアホール12の上端部には導電性材料30が埋め込まれる(図1(b)〜(c))。
【0041】
次いで、印刷機の装置内部を常圧にもどす。この際、ビアホール12のステージ20側の空隙16は大気圧よりも低い状態にあるので、ビアホール12の表面側に擦り込まれた導電性材料30はビアホール12内に引き込まれる(図2(a))。
【0042】
なお、装置内の圧力を、導電性材料をビアホールの上端部に埋め込む際の装置内圧力よりも高くすることにより、導電性材料はビアホール内に引き込むことができる。したがって、導電性材料を押し込む際の装置内圧力は、必ずしも常圧である必要はない。同様に、導電性材料をビアホールの上端部に埋め込む際の装置内圧力は、必ずしも減圧状態である必要はない。
【0043】
次いで、上述の方法と同様にして、導電性材料30の塗布、減圧処理、スキージング(図2(b))、常圧処理(図2(c))を繰り返し行う。これにより、ビアホール12に擦り込まれた導電性材料30はビアホール12内に順次引き込まれ、最終的には、ビアホール12内が導電性材料30によって充填される(図2(d))。
【0044】
次いで、ビアホール12内に導電性材料30を充填した後、必要に応じて熱処理を行う。この熱処理は、金属Bを金属Aと反応させることにより、導電性材料30の融点を高める効果がある。この熱処理を行うことにより、導電性材料の塗布温度よりも高い温度においても装置を安定して使用することができる。
【0045】
このようにしてビアホール内に導電性材料を埋め込むことにより、ビアホール内に空洞が残存することなく低コストで伝導率の高い導電性材料を充填することができる。
【0046】
なお、スキージを用いる代わりに、例えばディスペンサを用いて各ビアホール内に順次導電性材料を供給するようにしてもよい。この場合においても、導電性材料の供給、減圧処理、常圧処理を繰り返し行うことにより、効率よく導電性材料をビアホール内に充填することができる。ディスペンサを用いる場合、加熱機構を有するディスペンサを用いることにより、本発明による導電性材料をペースト状態で用いることができる。
【0047】
また、ビアホール12内に導電性材料30を充填した後、ビアホール12の表面に蓋めっきを施すようにしてもよい。
【0048】
また、本発明による導電性材料は、充填する際の温度を導電性材料の融点よりも高くすることにより、従来用いられている樹脂系の導電性ペーストを用いる場合と同様の方法によってビアホールの充填を行うこともできる。
【0049】
【実施例】
[実施例1]
磁器製ルツボに、Sn16g、Bi33g、In51gを入れ70〜80℃で加熱溶融させた後、直径2〜3μmのCu粉を10g入れて混合し、導電性材料を作製した。
【0050】
次いで、直径50μmのビアホールが150μmピッチで形成され、表面がシリコン酸化膜で覆われたシリコン基板を、真空印刷機の試料ステージにセットした。
【0051】
次いで、真空印刷機のステージの温度を70℃に加熱した。
【0052】
次いで、予め70℃に加熱しておいた導電性材料を基板上部(ビアホールが形成されていない縁の部分)にセットし、真空引きを行った。
【0053】
次いで、真空度が0.1kPaに到達した時点で、ウレタンゴム製スキージにより導電性材料を擦り込んだ。更に、反対方向にスキージングした後、真空度を常圧まで一気に戻した。
【0054】
次いで、再度真空引きを行い上記と同様の作業を2回繰り返した。
【0055】
このようにして作成した試料を劈開して断面を研磨し、SEMで観察した結果、導電性材料はビアホールの底まで充填されており、空洞や壁面との間隙など欠陥は認められなかった。
【0056】
また、ビアの導通抵抗を測定した結果、25mΩ/ビアと測定され、従来の樹脂ペーストを用いたときの代表的なビアの導通抵抗は300〜400mΩ/ビア程度よりも極めて低い導通抵抗を実現することができた。
【0057】
[実施例2]
Sn18.7wt%,Pb31.3wt%,Bi50wt%の融点95℃の溶融金属100gに、φ6〜7μmのAgコートCu紛20gを加え、攪拌・混合によりペースト状にすることにより、導電性材料を作製した。
【0058】
この導電性材料を用い、実施例1と同様の方法でビアホールへの充填を行った。但し、実施例2ではステンレススチール製のスキージを使用し、ステージ温度を105℃に加熱しながら充填作業を行った。
【0059】
このようにして作成した試料を劈開して断面を研磨し、SEMで観察した結果、導電性材料はビアホールの底まで充填されており、空洞や間隙などの欠陥は認められなかった。また、ビアの導通抵抗は20mΩ/ビアであった。
【0060】
[実施例3]
Sn48wt%,In52wt%の融点117℃の溶融金属100gに、φ5μmのCu粉20gを加え、攪拌・混合によりペースト状にすることにより、導電性材料を作製した。
【0061】
この導電性材料を用い、実施例1と同様の方法でビアホールへの充填を行った。但し、実施例3ではステンレススチール製のスキージを使用し、ステージ温度を125℃に加熱しながら充填作業を行った。
【0062】
このようにして作成した試料を劈開して断面を研磨し、SEMで観察した結果、導電性材料はビアホールの底まで充填されており、空洞や間隙などの欠陥は認められなかった。また、ビアの導通抵抗は20mΩ/ビアであった。
【0063】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、融点が250℃以下の第1の金属材料と、融点が500℃以上の第2の金属材料とを含み、250℃以下の温度でペースト状である導電性材料を構成するので、樹脂ペーストよりも大幅に導電性を高めることができる。また、ペースト状態で使用することにより、樹脂ペーストと同様の方法を用いてビアホールの充填を行うことができる。
【0064】
また、第1の圧力を有する装置内において、ビアホールが形成された基板に上述の導電性材料を供給し、前記ビアホールの上端部に導電性材料を埋め込み、装置内の圧力を、第1の圧力よりも高い第2の圧力に変化することにより、ビアホールの上端部に埋め込まれた導電性材料をビアホール内に押し込むことにより、ビアホールを導電性材料によって充填するので、微細なビアホールであっても空洞が発生することなく埋め込むことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態によるビアホールの充填方法を示す工程断面図(その1)である。
【図2】本発明の一実施形態によるビアホールの充填方法を示す工程断面図(その2)である。
【図3】従来のビアホールの充填方法の課題を示す断面図である。
【符号の説明】
10…シリコン基板
12…ビアホール
14…シリコン酸化膜
16…空隙
20…ステージ
22…導電層
30…導電性材料
40…スキージ
100…基板
102…絶縁膜
104…ビアホール
106…めっき膜
108…空洞
Claims (8)
- ビスマスを含む合金からなり融点が250℃以下の第1の金属材料と、融点が500℃以上の第2の金属材料とのみからなり、
前記第2の金属材料は、250℃以下の温度でペースト状になるように、粉末の状態で前記第1の金属材料中に分散している
ことを特徴とする導電性材料。 - 第1の圧力を有する装置内において、ビアホールが形成された基板に請求項1に記載の導電性材料を供給し、前記ビアホールの上端部に前記導電性材料を埋め込む工程と、
前記装置内の圧力を、前記第1の圧力よりも高い第2の圧力に変化することにより、前記ビアホールの前記上端部に埋め込まれた前記導電性材料を、前記ビアホール内に押し込む工程と
を有することを特徴とするビアホールの充填方法。 - 請求項2記載のビアホールの充填方法において、
前記導電性材料がペースト状になる温度まで前記基板の温度を昇温する
ことを特徴とするビアホールの充填方法。 - 請求項2又は3記載のビアホールの充填方法において、
前記導電性材料を埋め込む工程と前記導電性材料を押し込む工程とを繰り返し行い、前記ビアホール内を前記導電性材料によって充填する
ことを特徴とするビアホールの充填方法。 - 請求項2乃至4のいずれか1項に記載のビアホールの充填方法において、
前記ビアホール内に前記導電性材料を充填した後に、前記導電性材料の融点よりも高い温度で熱処理を行う工程を更に有する
ことを特徴とするビアホールの充填方法。 - 請求項2乃至5のいずれか1項に記載のビアホールの充填方法において、
前記導電性材料を埋め込む工程では、スキージを用いて前記導電性材料を前記基板に擦り込む
ことを特徴とするビアホールの充填方法。 - 請求項2乃至5のいずれか1項に記載のビアホールの充填方法において、
前記導電性材料を埋め込む工程では、ディスペンサを用いて前記ビアホール内に前記導電性材料を注入する
ことを特徴とするビアホールの充填方法。 - 請求項1記載の導電性材料をビアホールに充填する
ことを特徴とするビアホールの充填方法。
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