JP3613167B2 - パッド電極の接続状態の検査方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、部品に形成されたパッド電極(部品側パッド電極)と、基板に形成されたパッド電極(基板側パッド電極)を、はんだバンプにより接続する際の接続状態の検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
部品に形成された部品側パッド電極と、基板に形成された基板側パッド電極を、はんだバンプにより接続する際の接続構造としては、例えば、特開平9−82760号に開示されているような接続構造が知られている。
【0003】
この接続構造は、図7(a),(b)に示すように、下面に複数の端子電極(部品側パッド電極)112が設けられた半導体チップ(表面実装部品)111を、配線基板113上に搭載して、配線基板113上に設けられた配線パターン(基板側パッド電極)114と、部品側パッド電極112とを、バンプ(はんだバンプ)115によって電気的に接続する場合の接続構造であり、この接続構造において、バンプ115は、はんだ115aと、Cuなどを用いた金属コア115bとより構成されている。さらに、はんだ115aのうち半導体チップ111の平面形状に対応する領域の外縁より外側(外周部側)に形成された部分は、配線パターン(基板側パッド電極)114上に形成されたソルダーレジスト117と接している。
【0004】
そして、この接続構造においては、半導体チップ111の配線基板113への実装にはリフロー法が用いられており、具体的には以下に述べるような方法で接続が行われている。
【0005】
(1)まず、半導体チップ111の端子電極112上に金属コア115bを形成し、はんだ115aで被覆してバンプ115を形成しておく。
(2)そして、半導体チップ111を配線基板113上の配線パターン(基板側パッド電極)114上に位置決め搭載し、バンプ115のはんだ115aを溶融させ、その後冷却してはんだ115aを凝固させる。
【0006】
このようにして端子電極112と配線パターン(基板側パッド電極)114とがバンプ115によって電気的に接続され、半導体チップ111が、配線基板113上に実装される。このとき溶融したはんだ115aは、はんだの濡れ性の良い配線パターン(基板側パッド電極)114の上を流れて広がり、ソルダーレジスト117によって堰とめられる。その結果、はんだバンプ115のはんだ115aの量と配線パターン(基板側パッド電極)114のソルダーレジスト117により覆われていない部分の面積を適切に設定することにより、バンプ115と配線パターン(基板側パッド電極)114との接触面積を一定にして、安定した接続状態を確保することができるという特徴を有している。
【0007】
しかし、上記従来の接続構造においては、基板側パッド電極114が半導体チップ111の平面形状に対応する領域の外縁より外側に延びて形成されているため、半導体チップなどの表面実装部品を高密度に実装する場合には適用することが困難であり、また、半導体チップなどを実装することにより得られる製品の小型化が制約されるという問題点がある。
【0008】
本願発明は、上記問題点を解決するものであり、高密度実装に対応することが可能で、表面実装部品を基板に実装してなる製品の小型化を図ること可能にした、部品側パッド電極と基板側パッド電極のはんだバンプによる接続構造における接続状態の検査方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願発明(請求項)のパッド電極の接続状態の検査方法は、
基板の表面に形成された基板側パッド電極が、表面実装部品の平面形状に対応する領域(以下、「部品対応領域」)の内側に、かつ、部品対応領域の外縁に沿って一列に配設されているとともに、基板側パッド電極の部品対応領域の外縁に略直交する方向の寸法(以下、「基板側パッド電極の長さ」)が、表面実装部品の基板と対向する面に形成された、対応する部品側パッド電極の、表面実装部品の外縁に略直交する方向の寸法(以下、「部品側パッド電極の長さ」)より大きく、かつ、基板側パッド電極が、対応する部品側パッド電極よりも部品対応領域の中央側に長く延びており、
部品側パッド電極が、対応する基板側パッド電極に、はんだバンプが溶融して流れ込んだはんだにより接続されたパッド電極の接続構造におけるパッド電極の接続状態の検査方法であって、
前記基板の裏面側からX線を照射し、前記部品対応領域の内側の領域であって、外縁が前記複数の基板側パッド電極を長さ方向の途中部分で横切る領域についてX線透過像を得る工程と、
得られたX線透過像から、前記はんだバンプが溶融し、前記基板側パッド電極上を流動した後のはんだの形状を検出して、部品側パッド電極と基板側パッド電極の接続状態の良否を識別する工程と
を具備することを特徴としている。
【0010】
本願発明(請求項1)のパッド電極の接続状態の検査方法においては、基板の表面に形成された基板側パッド電極が、部品対応領域の内側に、かつ、部品対応領域の外縁に沿って一列に配設されているので、表面実装部品を高密度実装した場合にも、各表面実装部品 の電極どうしの短絡を招いたりすることがなく、また、基板側パッド電極の長さが、表面実装部品の基板と対向する面に形成された、対応する部品側パッド電極の長さより長く形成され、かつ、基板側パッド電極が、対応する部品側パッド電極よりも部品対応領域の中央側に長く延びているので、例えば、X線撮影による非破壊検査で、はんだバンプが溶融流動した後のはんだの形状を検出することにより、部品側パッド電極と基板側パッド電極の、はんだバンプによる接続状態の良否を容易かつ確実に識別することができる。
また、基板の裏面側からX線を照射し、部品対応領域の内側の領域であって、外縁が複数の基板側パッド電極を長さ方向の途中部分で横切る領域についてX線透過像を得るとともに、得られたX線透過像から、はんだバンプが溶融流動した後のはんだの形状を検出することにより、部品側パッド電極と基板側パッド電極の、はんだバンプによる接続状態の良否を容易かつ確実に識別することが可能になり、表面実装部品の実装信頼性を向上させることが可能になる。
【0011】
また、請求項2のパッド電極の接続状態の検査方法は、前記部品側パッド電極の幅が、前記基板側パッド電極の幅よりも大きく形成されていることを特徴としている。
【0012】
部品側パッド電極の幅を基板側パッド電極の幅より大きくすることにより、部品側パッド電極上にはんだバンプを形成する場合に、はんだバンプの幅を基板側パッド電極の幅より大きくすることが可能になり、基板側パッド電極の長手方向へのはんだの流れ込み量を大きくして、識別の精度を向上させることが可能になる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態を示して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【0014】
[実施形態1]
この実施形態1では、図1及び図2に示すように、基板1と対向する面に部品側パッド電極2が形成されており、かつ、部品側パッド電極2上にはんだバンプ3が形成されたICチップ(表面実装部品)4を、表面に基板側パッド電極12が形成された基板1上に実装する場合における、部品側パッド電極2と基板側パッド電極12の接続構造におけるパッド電極の接続状態の検査方法を例にとって説明する。
なお、図1はICチップ4を基板1上に載置した状態を示す図であり、(a)は平面透視図、(b)は(a)のa−a線断面図、図2はリフロー後の状態を示す図であり、(a)は平面透視図、(b)は(a)のa−a線断面図である。
【0015】
<基板側パッド電極と部品側パッド電極の構成>
この実施形態1においては、図1(a),(b)に示すように、基板側パッド電極12が、基板1上のICチップ4の平面形状に対応する領域(部品対応領域)Aの内側に配設されているとともに、基板側パッド電極12の、部品対応領域Aの外縁に略直交する方向の寸法(長さ)L1が、対応する部品側パッド電極2の、ICチップ4の外縁に略直交する方向の寸法(長さ)L2よりも大きく形成されている。
【0016】
すなわち、この実施形態1においては、基板側パッド電極12は、平面形状が、幅W1が0.1mm、長さL1が0.2mmの長方形の電極であり、部品側パッド電極2は、平面形状が、直径(=長さL2=幅W2)が0.1mmの円形の電極であり、L1>L2となっている。また、部品側パッド電極2上に形成されたはんだバンプ3の幅W3及び長さL3も0.1mmとなっている。
【0017】
なお、この実施形態1では、基板側パッド電極12の平面形状を長方形とし、部品側パッド電極2の平面形状を円形としているが、その他の形状とすることも可能である。例えば、部品側パッド電極の平面形状を、円形ではなく、正多角形としてもよく、また、基板側パッド電極の平面形状を、長方形ではなく、長円形状や楕円形状とすることも可能である。
【0018】
<ICチップの実装(部品側パッド電極と基板側パッド電極の接続)>
次に、ICチップ(表面実装部品)4を基板1上に実装する際の、部品側パッド電極2と基板側パッド電極12の接続方法について説明する。
【0019】
(1)まず、図1(a),(b)に示すように、ICチップ4を、その部品側パッド電極2上のはんだバンプ3が、対応する基板側パッド電極12に対向するように位置決めして、基板1上に載置する。
(2)それから、基板1ごとリフロー炉に入れて、所定の温度に加熱することにより、はんだバンプ3を溶融させる。これにより、図2(a),(b)に示すように、はんだバンプ3が溶融したはんだ3aが流動して、基板側パッド電極12の表面に広がる。
(3)その後、はんだ3aを凝固させることにより、図2(a),(b)に示すように、部品側パッド電極2と基板側パッド電極12とがはんだ3aによって電気的、機械的に接続され、ICチップ4が基板1上に実装される。
【0020】
<部品側パッド電極と基板側パッド電極の接続状態の検査方法>
次に、上述のようにして接続された部品側パッド電極2と基板側パッド電極12の接続状態の検査方法について説明する。
【0021】
(1)まず、基板1の裏面側からX線を照射して、図3,図4に示すような透過像を得る。
(2)次に、得られたX線透過像から、はんだバンプ3が溶融して流動したはんだ3aの形状を検出して、部品側パッド電極2と基板側パッド電極12の、はんだバンプ3(はんだ3a)による接続状態の良否を識別(判定)する。
【0022】
なお、図3(a)及び図4(a)は平面透視図、図3(b)及び図4(b)は、図3(a)及び図4(a)のX線照射領域BのX線透過像を示している。
図3(b)に示すように、各基板側パッド電極12のすべてについて、溶融したはんだ3aが流動して、基板側パッド電極12上の全面にゆきわたっている場合には、複数の部品側パッド電極2のすべてが、溶融したはんだバンプ3(はんだ3a)を介して基板側パッド電極12に接続されていると判定する。
【0023】
一方、図4(b)に示すように、各基板側パッド電極12のうちの一部に、はんだバンプ3が溶融して、その全面にゆきわたっている状態が認められない基板側パッド電極12(12a)が検出された場合には、かかる基板側パッド電極12(12a)と部品側パッド電極2との接続状態は不良であると判定する。
【0024】
すなわち、リフロー後に、溶融したはんだ3aが基板側パッド電極12上にゆきわたっていない場合、X線透過像のX線不透過部分は円形に近い形状となり、また、溶融したはんだ3aが基板側パッド電極12上にゆきわたっている場合には、X線透過像のX線不透過部分は基板側パッド電極12とほぼ同じ形状となる。そして、領域Bについてみた場合には、溶融したはんだ3aがその表面にゆきわたっていない基板側パッド電極12(12a)については、X線不透過部分が認められず、全体がX線透過部分として認識され、また、溶融したはんだ3aがその表面にゆきわたった基板側パッド電極12については、全体がX線不透過部分として認識されるため、容易に接続状態の良否を識別することができる。
【0025】
なお、この実施形態1においては、基板側パッド電極の平面形状が単純な長方形であって、基板作製の際に印刷工法などを用いて容易に形成することが可能で、コストの低減を図ることができる。
【0026】
[実施形態2]
<基板側パッド電極と部品側パッド電極の構成>
図5は、本願発明の他の実施形態(実施形態2)にかかるパッド電極の接続方法におけるパッド電極の接続状態の検査方法の一工程において、ICチップ4を基板1上に載置した状態を示す図であり、(a)は平面透視図、(b)は(a)のa−a線断面図であり、また、図6はリフロー後の状態を示す図であり、(a)は平面透視図、(b)はX線照射領域B1のX線透過像、(c)はX線照射領域B2のX線透過像を示している。
【0027】
この実施形態2においては、図5(a),(b)に示すように、平面形状が幅W1(=0.05mm)、長さL1(=0.2mm)の長方形の基板側パッド電極12が、ICチップ4の平面形状に対応する領域(部品対応領域)Aの内側に延びるように配設されているとともに、基板側パッド電極12の、部品対応領域Aの外縁に略直交する方向の寸法(=長さ)L1が、対応する部品側パッド電極2の、ICチップ4の外縁に略直交する方向の寸法(平面形状が直径0.1mmの円形の部品側パッド電極2の直径(=長さ))L2より長く形成されている。
【0028】
なお、この実施形態2では、部品側パッド電極2の幅W2及び長さL2(=直径)が0.1mmで、はんだバンプ3の幅W3及び長さL3も、部品側パッド電極2の幅W2及び長さL2と同じく0.1mmとなっているのに対して、基板側パッド電極12の幅W1が0.05mmとなっており、部品側パッド電極2の幅W2及びはんだバンプ3の幅W3(=W2)が、基板側パッド電極12の幅W1より大きく形成されている。
【0029】
なお、その他の構成は、上記実施形態1の場合と同様であることから、重複を避けるため、ここではその説明を省略する。なお、図5及び図6において、実施形態1の説明に用いた図1〜4と同一符号を付した部分は、同一又は相当する部分を示している。
【0030】
また、この実施形態2では、基板側パッド電極12の平面形状を長方形とし、部品側パッド電極2の平面形状を円形としているが、その他の形状とすることも可能である。例えば、部品側パッド電極の平面形状を、円形ではなく、正多角形としてもよく、また、基板側パッド電極の平面形状を、長方形ではなく、長円形状や楕円形状とすることも可能である。
【0031】
<ICチップの実装(部品側パッド電極と基板側パッド電極の接続)>
次に、ICチップ(表面実装部品)4を基板1上に実装する際の、部品側パッド電極2と基板側パッド電極12の接続方法について説明する。
【0032】
(1)図5(a),(b)に示すように、ICチップ4を、その部品側パッド電極2上のはんだバンプ3が、対応する基板側パッド電極12に対向するように位置決めして、基板1上に載置する。
(2)それから、基板1ごとリフロー炉に入れて、所定の温度に加熱することにより、はんだバンプ3を溶融させる。これにより、図6(a)に示すように、はんだバンプ3が溶融したはんだ3aが流動して、基板側パッド電極12の表面に広がる。
(3)その後、はんだ3aを凝固させることにより、図6(a)に示すように、部品側パッド電極2と基板側パッド電極12とがはんだ3aによって電気的、機械的に接続され、ICチップ4が基板1上に実装される。
【0033】
<部品側パッド電極と基板側パッド電極の接続状態の検査方法>
次に、上述のようにして接続されたパッド電極の接続状態の検査方法を、図6を参照しつつ説明する。なお、上述のように、図6(a)は平面透視図、(b)はX線照射領域B1のX線透過像、(c)はX線照射領域B2のX線透過像を示している。
【0034】
(1)まず、基板1の裏面側からX線を照射して、図6(b),(c)に示すような透過像を得る。
(2)次に、得られたX線透過像(図6(b),(c))から、はんだバンプ3が溶融して流動したはんだ3aの形状を検出して、部品側パッド電極2と基板側パッド電極12の、はんだバンプ3(はんだ3a)による接続状態の良否を識別(判定)する。
【0035】
この実施形態2では、部品側パッド電極2の幅W2及びはんだバンプ3の幅W3(=W2)を、基板側パッド電極12の幅W1よりも大きくしているので、はんだバンプ3が溶融していない場合と、はんだバンプ3が溶融したはんだ3aが流動した場合の、形状変化の程度が大きくなるとともに、はんだバンプ3が溶融したはんだ3aの、基板側パッド電極12の表面への流れ込み部分の長さ(不透過部分の長さ)を長くすることが可能になる(すなわち、はんだバンプ3の大きさ(幅)W2に対して、基板側パッド電極12の幅W1が小さくなっていることから、はんだ3aの流れ込み長さが、実施形態1の場合よりも大きくなる)ため、さらに確実に接続状態の良否を識別することが可能になる。
【0036】
なお、X線透過像を得る領域を、図6(b)の領域B1から、それよりも狭い、図6(c)の領域B2に絞り込むことにより、溶融したはんだ3aがその表面の全体にゆきわたっていない基板側パッド電極12(12a)については、X線不透過部分がごくわずかしか認められず、ほぼ全体がX線透過部分として認識されるようになるため、溶融したはんだ3aがその表面の全体にゆきわたった基板側パッド電極12を極めて容易に識別することが可能になり、容易に接続状態の良否を識別することが可能になる。
【0037】
なお、この実施形態2のように構成した場合、部品側パッド電極の配設ピッチが小さい表面実装部品を実装する場合に特に有意義であり、ショート不良の発生を抑制することが可能になる。
【0038】
なお、上記実施形態1及び2では、表面実装部品がICチップである場合を例にとって説明したが、本願発明は、ICチップ以外の表面実装部品を実装するにあたって、部品側パッド電極を基板側パッド電極に接続する場合に広く適用することが可能である。
【0039】
本願発明はさらにその他の点においても上記実施形態1,2に限定されるものではなく、基板の構造や材質、部品側パッド電極や基板側パッド電極の具体的な形状、寸法、材質、はんだバンプの構成や材質などに関し、発明の要旨の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【0040】
【発明の効果】
上述のように、本願発明(請求項)のパッド電極の接続状態の検査方法は、基板の表面に形成された基板側パッド電極が、部品対応領域の内側に、かつ、部品対応領域の外縁に沿って一列に配設されているので、表面実装部品を高密度実装した場合にも、各表面実装部品の電極どうしの短絡を招いたりすることがなく、また、基板側パッド電極の長さが、表面実装部品の基板と対向する面に形成された、対応する部品側パッド電極の長さより長く、かつ、基板側パッド電極が、対応する部品側パッド電極よりも部品対応領域の中央側に長く延びて形成されているので、例えば、X線撮影による非破壊検査で、はんだバンプが溶融流動した後のはんだの形状を検出することにより、部品側パッド電極と基板側パッド電極の、はんだバンプによる接続状態の良否を容易かつ確実に識別することができる
また、基板の裏面側からX線を照射し、部品対応領域の内側の、外縁が複数の基板側パッド電極を長さ方向の途中部分で横切る領域についてX線透過像を得るとともに、得られたX線透過像から、はんだバンプが溶融流動した後のはんだの形状を検出するようにしているので、部品側パッド電極と基板側パッド電極の、はんだバンプによる接続状態の良否を容易かつ確実に識別することが可能になり、表面実装部品の実装信頼性を向上させることが可能になる。
【0041】
また、本願請求項2のパッド電極の接続構造のように、部品側パッド電極の幅を基板側パッド電極の幅より大きくした場合、部品側パッド電極上にはんだバンプを形成する場合に、はんだバンプの幅を基板側パッド電極の幅より大きくすることが可能になり、基板側パッド電極の長手方向へのはんだの流れ込み量を大きくして、識別の精度を向上させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明の一実施形態(実施形態1)において、ICチップを基板上に載置した状態を示す図であり、(a)は平面透視図、(b)は(a)のa−a線断面図である。
【図2】本願発明の一実施形態(実施形態1)において、ICチップを基板上に載置してリフローした後の状態を示す図であり、(a)は平面透視図、(b)は(a)のa−a線断面図である。
【図3】本願発明の一実施形態(実施形態1)において、ICチップを基板上に載置してリフローした後の状態を示す図であり、(a)は平面透視図、(b)は(a)のX線照射領域BのX線透過像を示している。
【図4】本願発明の一実施形態(実施形態1)において、ICチップを基板上に載置してリフローした後の状態を示す図であり、(a)は平面透視図、(b)は(a)のX線照射領域BのX線透過像を示している。
【図5】本願発明の他の実施形態(実施形態2)において、ICチップを基板上に載置した状態を示す図であり、(a)は平面透視図、(b)は(a)のa−a線断面図である。
【図6】本願発明の他の実施形態(実施形態2)において、ICチップを基板上に載置してリフローした後の状態を示す図であり、(a)は平面透視図、(b)はX線照射領域B1のX線透過像、(c)はX線照射領域B2のX線透過像を示している。
【図7】従来のパッド電極の接続構造を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のa−a線断面図である。
【符号の説明】
1 基板
2 部品側パッド電極
3 はんだバンプ
3a はんだバンプが溶融したはんだ
4 ICチップ(表面実装部品)
12 基板側パッド電極
12a はんだがゆきわたっていない状態の基板側パッド電極
A 部品対応領域
L1 基板側パッド電極の長さ
L2 部品側パッド電極の長さ
L3 はんだバンプの長さ
W1 基板側パッド電極の幅
W2 部品側パッド電極の幅
W3 はんだバンプの幅
B,B1,B2 X線照射領域

Claims (2)

  1. 基板の表面に形成された基板側パッド電極が、表面実装部品の平面形状に対応する領域(以下、「部品対応領域」)の内側に、かつ、部品対応領域の外縁に沿って一列に配設されているとともに、基板側パッド電極の部品対応領域の外縁に略直交する方向の寸法(以下、「基板側パッド電極の長さ」)が、表面実装部品の基板と対向する面に形成された、対応する部品側パッド電極の、表面実装部品の外縁に略直交する方向の寸法(以下、「部品側パッド電極の長さ」)より大きく、かつ、基板側パッド電極が、対応する部品側パッド電極よりも部品対応領域の中央側に長く延びており、
    部品側パッド電極が、対応する基板側パッド電極に、はんだバンプが溶融して流れ込んだはんだにより接続されたパッド電極の接続構造におけるパッド電極の接続状態の検査方法であって、
    前記基板の裏面側からX線を照射し、前記部品対応領域の内側の領域であって、外縁が前記複数の基板側パッド電極を長さ方向の途中部分で横切る領域についてX線透過像を得る工程と、
    得られたX線透過像から、前記はんだバンプが溶融し、前記基板側パッド電極上を流動した後のはんだの形状を検出して、部品側パッド電極と基板側パッド電極の接続状態の良否を識別する工程と
    を具備することを特徴とするパッド電極の接続状態の検査方法。
  2. 前記部品側パッド電極の幅が、前記基板側パッド電極の幅よりも大きく形成されていることを特徴とする請求項1記載のパッド電極の接続状態の検査方法。
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US09/973,822 US6768062B2 (en) 2000-10-12 2001-10-11 Connection method and connection structure of pad electrodes, and inspecting methods for connection state thereof
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001358452A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Murata Mfg Co Ltd 電子部品の実装方法
US7259043B2 (en) * 2002-05-14 2007-08-21 Texas Instruments Incorporated Circular test pads on scribe street area
JP2005340674A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Toshiba Corp 半導体装置とその製造方法
DE102006003931B3 (de) * 2006-01-26 2007-08-02 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit oberflächenmontierbaren Außenkontakten und Verfahren zur Herstellung desselben
JP2007234782A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Toyota Industries Corp 複合回路基板
US9129955B2 (en) * 2009-02-04 2015-09-08 Texas Instruments Incorporated Semiconductor flip-chip system having oblong connectors and reduced trace pitches
JP5143211B2 (ja) * 2009-12-28 2013-02-13 パナソニック株式会社 半導体モジュール
US20110186899A1 (en) * 2010-02-03 2011-08-04 Polymer Vision Limited Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch
JP2013004737A (ja) * 2011-06-16 2013-01-07 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ
TWI453881B (zh) * 2012-01-04 2014-09-21 矽品精密工業股份有限公司 封裝結構及其製法
JP5630482B2 (ja) 2012-08-28 2014-11-26 株式会社村田製作所 回路モジュール
JP6352644B2 (ja) * 2014-02-12 2018-07-04 新光電気工業株式会社 配線基板及び半導体パッケージの製造方法
JP6956552B2 (ja) * 2017-07-19 2021-11-02 株式会社小糸製作所 車載用電子回路実装基板

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6232536A (ja) 1985-08-06 1987-02-12 Fujitsu Ltd 符号付2進除算の結果補正と異常検出方式
JPH0458573A (ja) * 1990-06-27 1992-02-25 Tanaka Denshi Kogyo Kk 超電導接続方法
JPH0528037A (ja) 1991-07-23 1993-02-05 Nec Corp バツフア管理方式
JP2678958B2 (ja) 1992-03-02 1997-11-19 カシオ計算機株式会社 フィルム配線基板およびその製造方法
JP3146726B2 (ja) 1993-03-11 2001-03-19 松下電器産業株式会社 バンプ付電子部品の実装方法
JP2867313B2 (ja) * 1993-12-10 1999-03-08 日本特殊陶業株式会社 セラミック基板
US5569880A (en) * 1994-12-02 1996-10-29 Avx Corporation Surface mountable electronic component and method of making same
JPH08236586A (ja) * 1994-12-29 1996-09-13 Nitto Denko Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0982760A (ja) 1995-07-07 1997-03-28 Toshiba Corp 半導体装置、半導体素子およびその半田接続部検査方法
JP3311215B2 (ja) * 1995-09-28 2002-08-05 株式会社東芝 半導体装置
JPH09181120A (ja) * 1995-12-25 1997-07-11 Matsushita Electron Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH09219583A (ja) * 1996-02-09 1997-08-19 Hitachi Ltd はんだバンプの接続方法
US5889326A (en) * 1996-02-27 1999-03-30 Nec Corporation Structure for bonding semiconductor device to substrate
JP2803664B2 (ja) * 1996-02-27 1998-09-24 日本電気株式会社 基板接続構造
JPH1070153A (ja) * 1996-08-26 1998-03-10 Hitachi Ltd 電子部品の接続方法
JPH1074802A (ja) 1996-08-30 1998-03-17 Shimu:Kk ボールグリッドアレイパッケージの接続構造及びその接続検査方法
JP3446508B2 (ja) 1996-12-03 2003-09-16 松下電器産業株式会社 バンプ付きワークの実装方法および実装基板
DE69835747T2 (de) * 1997-06-26 2007-09-13 Hitachi Chemical Co., Ltd. Substrat zur montage von halbleiterchips
JP3881751B2 (ja) * 1997-08-20 2007-02-14 沖電気工業株式会社 半導体チップの実装構造および実装方法
JP3435034B2 (ja) * 1997-09-26 2003-08-11 京セラ株式会社 回路基板
JP3416040B2 (ja) * 1997-11-11 2003-06-16 富士通株式会社 半導体装置
JPH11233936A (ja) 1998-02-18 1999-08-27 Hitachi Shonan Denshi Co Ltd はんだ接合検査方法、及びその方法を使用する表面実装配線板
US5969461A (en) * 1998-04-08 1999-10-19 Cts Corporation Surface acoustic wave device package and method
US6040630A (en) * 1998-04-13 2000-03-21 Harris Corporation Integrated circuit package for flip chip with alignment preform feature and method of forming same
JP3351355B2 (ja) * 1998-09-29 2002-11-25 株式会社デンソー 電子部品の実装構造
JP2000138313A (ja) * 1998-10-30 2000-05-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2001068836A (ja) * 1999-08-27 2001-03-16 Mitsubishi Electric Corp プリント配線基板及び半導体モジュール並びに半導体モジュールの製造方法
US6426545B1 (en) * 2000-02-10 2002-07-30 Epic Technologies, Inc. Integrated circuit structures and methods employing a low modulus high elongation photodielectric

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