JP3146726B2 - バンプ付電子部品の実装方法 - Google Patents

バンプ付電子部品の実装方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品の電極に突設
されたバンプを基板の電極に着地させ、次にリフロー処
理を行ってバンプを加熱溶融させることによりバンプを
基板の電極にボンディングするバンプ付電子部品の実装
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】バンプ付電子部品はリード付電子部品と
比較して実装面積を小さくできることから、近年、次第
に普及してきている。図8は、基板に実装された従来の
バンプ付電子部品の側面図である。バンプ付電子部品1
は、電子部品2の電極3にバンプ(突出電極)4を突設
して形成されており、このバンプ4を基板5の電極6に
着地させた後、リフロー処理を行ってバンプ4を加熱溶
融させることにより、バンプ4を電極6にボンディング
する。
【0003】図9は、バンプ4を基板5の電極6にボン
ディングする前の部分拡大図であって、バンプ4の断面
形状は略円球状である。また図10はボンディング後の
部分拡大図であって、バンプ4は加熱溶融時の表面張力
と電子部品2の自重により押し潰されて、やや扁平な断
面形状となっている。
【0004】電子部品2に突設されるバンプ4の数は、
一般に10個以上、若しくは数100個以上であってき
わめて多いが、すべてのバンプ4を基板5の電極6に確
実に着地させてボンディングしなければならず、ボンデ
ィング不良のバンプ4が1個でもあると、不良品となっ
てしまう。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところがバンプ4の高
さd1にばらつきが生じることはその製造上避けられ
ず、また基板5にも反りが生じることはその製造上避け
られないことから、従来の実装方法では、多数個のすべ
てのバンプ4を基板5の電極6に確実に着地させてボン
ディングさせることはかなり困難であるという問題点が
あった。因みに、バンプ4はスクリーン印刷法やメッキ
法などにより形成される。
【0006】またバンプ付電子部品1を基板5に実装し
た後、バンプ4が基板5の電極6にしっかりボンディン
グされているか否かを検査する必要があるが、従来の実
装方法では、ボンディング良とボンディング不良のバン
プ4には形状的な差異はあまり無いので、例えば軟X線
による外観検査を行っても信頼性の高い良否判定結果を
得にくいという問題点があった。
【0007】ところで、図9に示すリフロー前のバンプ
4の高さd1と、図10に示すリフロー後のバンプ4の
高さd2の差△d=d1−d2が大きい程、すなわちリ
フロー処理によってバンプ4の高さが収縮する程、バン
プ4の高さのばらつきや基板5の反りを吸収でき、すべ
てのバンプ4を基板5の電極6に確実にボンディングで
きる。また図9に示すバンプ4の形状と、図10に示す
バンプ4の形状に顕著な差異がある程、ボンディング良
・ボンディング不良の外観検査の良否判定を行いやすい
ものである。
【0008】そこで本発明は叙上の点を勘案してなされ
たものであって、電子部品のすべてのバンプを基板の電
極に確実にボンディングでき、且つ実装後の外観検査に
おいてボンディング良・ボンディング不良を的確に判定
することが可能なバンプ付電子部品の実装方法を提供す
ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】このために本発明のバン
プ付電子部品の実装方法は、基板の電極の面積を電子部
品の電極の面積よりも大きく形成することにより、リフ
ロー処理において加熱溶融したバンプを基板の電極上に
拡散させてその断面形状を台形状にした後、X線装置に
よりバンプの平面積を観察し、この平面積の大小からボ
ンディング良・ボンディング不良を判定するようにした
ものである。
【0010】
【作用】上記構成によれば、リフロー時に加熱溶融した
バンプが面積の大きい基板の電極上に拡散することによ
り、その断面形状は台形となることから、リフロー前の
バンプの高さとリフロー後のバンプ高さの差が大きくな
り、このようなバンプの高さの収縮によってバンプの高
さのばらつきや基板の反りを吸収してすべてのバンプを
基板の電極にボンディングできる。またリフロー後には
バンプの平面積はリフロー前に比較して著しく大きくな
るので、X線を使用してバンプの平面積の大きさを測定
することにより、ボンディング良・ボンディング不良の
良否判定を的確に行える。
【0011】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
【0012】図1は実装前のバンプ付電子部品と基板の
斜視図である。バンプ付電子部品1は、電子部品2の下
面に形成された電極3上にバンプ4を突設して形成され
ている。このバンプ付電子部品1は、上記した従来のバ
ンプ付電子部品と同じものである。また基板5の上面に
は電極6がエッチング法などにより形成されているが、
基板5の電極6の面積は、電子部品2の電極3の面積よ
りもかなり大きくしてある。なお本実施例の電極3,6
の平面形状は円形であるが、四角形などでもよい。
【0013】このバンプ付電子部品1は、基板5の電極
6にフラックスを塗布した後、バンプ4を電極6に着地
させて基板5に搭載され、続いてリフロー処理が行われ
る。図2はリフロー装置の内部構造を示す断面図であ
る。加熱室11の内部には基板5を搬送するコンベア1
2が配設されており、またコンベア12の上方にはヒー
タ13とファン14が配設されている。15はファン1
4の駆動用モータである。また加熱室11の後方には冷
却室16が設けられており、この冷却室16には冷却用
のファン14が配設されている。
【0014】コンベア12により基板5を右方へ搬送し
ながら、ヒータ13で加熱された空気をファン14によ
り基板5に吹き付け、バンプ4を加熱溶融させてリフロ
ー処理した後、冷却室16において基板5に冷風を吹き
付けることにより、加熱溶融したバンプ4を冷却して固
化させる。なおリフロー装置としては、加熱室にチッソ
ガスを供給するチッソリフロー装置も適用できる。
【0015】図3はリフロー後のバンプ付電子部品1と
基板5の側面図、図4はその部分拡大図である。図示す
るように、基板5の電極6の面積は電子部品2の電極3
の面積より大きいので、リフロー時には加熱溶融したバ
ンプ4は流動し、電極6の全面若しくはほぼ全面に拡散
して、その断面形状は台形状となり、その高さd2はリ
フロー前の高さd1(図8参照)よりも著しく収縮し、
その差△d=d1−d2は上記従来の場合よりもかなり
大きい。したがってバンプ4の高さのばらつきや基板5
の反りは十分に吸収され、すべてのバンプ4は基板5の
電極6にしっかりボンディングされる。
【0016】図5は、バンプ付電子部品1が搭載された
基板5を軟X線装置により観察している側面図であっ
て、17は軟X線照射部、18は受像部である。また図
6(a)は、軟X線装置で入手したリフロー前のバンプ
4の画像、図6(b)はリフロー後の画像である。軟X
線は、電子部品2や基板5を透過するので、バンプ4の
画像を入手することができる。図示するように、リフロ
ー後には、バンプ4は基板5の電極6の全面に拡散する
ので、その平面積はリフロー前よりも著しく大きくな
る。ところで、基板5の電極6に着地できなかったバン
プ4は、基板5の電極6上に拡散できないので、その平
面形状はリフロー後においても図6(a)に示す小面積
のままとなる。そこでリフロー後にバンプ4の平面積を
軟X線により観察し、その平面積の大小を測定すること
により、ボンディング良・ボンディング不良を的確に判
定できる。
【0017】図7(a)(b)(c)は、電極6の平面
形状を4角形にした場合の軟X線の画像を示している。
図7(a)はリフロー前の画像、図7(b)(c)はリ
フロー後の画像である。図7(b)に示すものは、リフ
ローによりバンプ4は電極6の全面に拡散してバンプ4
の平面形状は4角形になっており良品である。これに対
し図7(c)に示すものは、リフローによりバンプ4は
十分に拡散しておらず、その平面形状は円形のままであ
り、不良品である。したがってこのように電極3と電極
6の平面形状を異ならせておけば、リフロー後のバンプ
4の平面形状から良否を容易に判定できる。電極6の形
状としては、4角形以外にも6角形などでもよい。
【0018】本発明は上記実施例に限定されないのであ
って、例えばバンプ付電子部品としては、複数個のチッ
プをパッケージしたマルチップパッケージタイプのバン
プ付電子部品にも適用できる。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように本発明のバンプ付電
子部品の実装方法によれば、リフロー時に加熱溶融した
バンプが面積の大きい基板の電極上に拡散することによ
り、その断面形状は台形となることから、リフロー前の
バンプの高さとリフロー後のバンプ高さの差が大きくな
り、バンプの高さのばらつきや基板の反りを吸収してす
べてのバンプを基板の電極にボンディングできる。また
リフロー後にはバンプの平面積はリフロー前に比較して
著しく大きくなるので、X線を使用してバンプの平面積
の大きさを測定することにより、ボンディング良・ボン
ディング不良の良否判定を的確に行える。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のバンプ付電子部品と基板の
斜視図
【図2】本発明の一実施例のリフロー装置の断面図
【図3】本発明の一実施例のリフロー後のバンプ付電子
部品と基板の側面図
【図4】本発明の一実施例のリフロー後のバンプ付電子
部品と基板の部分拡大図
【図5】本発明の一実施例の軟X線装置の側面図
【図6】(a)本発明の一実施例のリフロー前のバンプ
の画像図 (b)本発明の一実施例のリフロー後のバンプの画像図
【図7】(a)本発明の他の実施例のリフロー前のバン
プの画像図 (b)本発明の他の実施例のリフロー後のバンプの画像
図 (c)本発明の他の実施例のリフロー後のバンプの画像
【図8】従来のバンプ付電子部品と基板のリフロー後の
側面図
【図9】従来のバンプ付電子部品と基板のリフロー前の
部分拡大図
【図10】従来のバンプ付電子部品と基板のリフロー後
の部分拡大図
【符号の説明】
1 バンプ付電子部品 2 電子部品 3 電極 4 バンプ 5 基板 6 電極

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電子部品の電極に突設されたバンプを基板
    の電極に着地させ、次にリフロー処理を行ってバンプを
    加熱溶融させることによりバンプを基板の電極にボンデ
    ィングするバンプ付電子部品の実装方法であって、前記
    基板の電極の面積を前記電子部品の電極の面積よりも大
    きく形成することにより、前記リフロー処理において加
    熱溶融したバンプを前記基板の電極上に拡散させてその
    断面形状を台形状にした後、X線装置によりバンプの平
    面積を観察し、この平面積の大小からボンディング良・
    ボンディング不良を判定することを特徴とするバンプ付
    電子部品の実装方法。
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