JPH09213743A - 電子部品およびその製造方法 - Google Patents

電子部品およびその製造方法

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JPH09213743A
JPH09213743A JP1884396A JP1884396A JPH09213743A JP H09213743 A JPH09213743 A JP H09213743A JP 1884396 A JP1884396 A JP 1884396A JP 1884396 A JP1884396 A JP 1884396A JP H09213743 A JPH09213743 A JP H09213743A
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semiconductor device
wiring board
electronic component
bumps
support
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JP1884396A
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Hideko Ando
英子 安藤
Hiroshi Kikuchi
広 菊地
Toshihiko Sato
俊彦 佐藤
Tetsuya Hayashida
哲哉 林田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップが封止されてバンプを有する半
導体装置の配線基板に対する位置決めを容易に行うこと
のでき、且つ、規定量以上のバンプの潰れを防止するこ
とのできる電子部品を提供する。 【解決手段】 回路素子の形成された半導体チップ2が
バンプ10を有するパッケージ基板5に搭載されて封止
された半導体装置3と、この半導体装置3が実装された
配線基板4と、一方側が配線基板4に形成された位置決
め孔4aと、他方側がパッケージ基板5に形成された装
着孔5cと嵌合して半導体装置3を配線基板4の所定位
置に位置決めする支柱部12a、およびこの支柱部12
aの中途位置において外方に向けて形成されるとともに
半導体装置3と配線基板4との間に位置してバンプ10
のリフロー時に両者を規定間隔に保持するスペーサ部1
2bからなる複数本の支持ピン12とを有する電子部品
1である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品およびそ
の製造方法に関し、特に半導体チップの封止された半導
体装置をバンプを介して配線基板に電気的に接続した電
子部品に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】今日、たとえば高速CPUあるいはゲー
トアレイやマイクロコンピュータなどの論理LSIにお
いては、集積回路の多機能化、高速化に伴い、外部回路
との接続を行なう電極の数が急速に増大している。この
ような場合、周辺部から多くのピンを取り出そうとする
と、必然的に狭ピッチ化は避けられない。一方、ピッチ
を一定幅以上に狭めないようにすると、今度はパッケー
ジサイズが大きくなる。
【0003】かかるパッケージ側のジレンマを解決する
技術として、たとえば、日経BP社発行、「実践講座V
LSIパッケージング技術(下)」(1993年 5月31日発
行)、P173〜P178に記載のように、半導体チップをパッ
ケージ基板に搭載してこれを封止し、このパッケージ基
板に設けられたバンプによって配線基板との電気的な接
続を行うBGA(Ball Grid Array )構造の半導体装置
が知られている。
【0004】このような半導体装置における配線基板と
の電気的な接続は、前記した刊行物にも記載されている
ように、バンプを配線基板側の電極と相対応させて位置
合わせを行い、熱処理炉でリフローしてこれを溶解する
ことにより行なわれている。位置合わせは半導体装置の
バンプ配列から画像処理を行い特定バンプの座標を求
め、これを対応した配線基板側の電極に合わせるという
光学的操作により行われ、また、バンプには低融点ハン
ダが使用されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記した技術
では、バンプ数が増加する一方でパッケージ面積が狭小
化すると、半導体装置と配線基板との位置合わせが困難
になって接合不良を招来するおそれがある。
【0006】また、半導体装置と配線基板との接続にお
けるリフローの際に半導体装置本体の重さによりバンプ
が規定以上に潰れて他のバンプと接触し、ショート不良
が起こるおそれがある。
【0007】そこで、本発明の目的は、半導体チップが
封止されてバンプを有する半導体装置の配線基板に対す
る位置決めを容易に行うことのできる技術を提供するこ
とにある。
【0008】本発明の他の目的は、半導体チップの封止
された半導体装置をバンプを介して配線基板に電気的に
接続する場合における規定量以上のバンプの潰れを防止
することのできる技術を提供することにある。
【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【0011】すなわち、本発明による電子部品は、回路
素子の形成された半導体チップがバンプを有するパッケ
ージ基板に搭載されて封止された半導体装置と、この半
導体装置が実装された配線基板と、一方側が配線基板に
形成された位置決め孔と嵌合して半導体装置を配線基板
の所定位置に位置決めする支柱部、およびこの支柱部の
中途位置において外方に向けて形成されるとともに半導
体装置と配線基板との間に位置してバンプのリフロー時
に両者を規定間隔に保持するスペーサ部からなる複数本
の支持ピンとを有することを特徴とするものである。
【0012】このような電子部品においては、支柱部の
他方側が位置決め孔に対応してパッケージ基板の複数箇
所に形成された装着孔と嵌合して半導体装置が配線基板
に位置決めされるようにしてもよい。この場合、支持ピ
ンを熱収縮性樹脂により形成することができる。
【0013】また、このような電子部品においては、支
持ピンの他方側が半導体装置の外周を4方向から規制し
てこの半導体装置が配線基板に位置決めされるようにし
てもよい。この場合において、支持ピンを回転自在に位
置決め孔に嵌合し、支持ピンのスペーサ部には、これを
切り欠くようにして支柱部の外周面と同一またはこれよ
りも内方にまで形成されて支持ピンの回転によりスペー
サ部をパッケージ基板と非接触にするピン離脱部を形成
することができる。
【0014】さらに、このような電子部品においては、
パッケージ基板に支柱部の外周面と嵌合する切り欠き部
を形成し、支柱部とこの切り欠き部との嵌合によって半
導体装置が配線基板に位置決めされるようにしてもよ
い。
【0015】本発明による電子部品の製造方法は、回路
素子の形成された半導体チップがバンプを有するパッケ
ージ基板に搭載されて封止され、このパッケージ基板の
複数箇所に装着孔が形成された半導体装置を用意し、ま
た、支柱部およびこの支柱部の中途位置において外方に
向けて形成されたスペーサ部からなる支持ピンを複数本
用意し、半導体装置の搭載位置で装着孔が対応するよう
に配線基板に形成された位置決め孔に複数本の支持ピン
の一方側をそれぞれ差し込み、スペーサ部が半導体装置
と配線基板との間に位置するようにして支持ピンの他方
側と装着孔とを嵌合して半導体装置を搭載し、バンプを
リフローして半導体装置と配線基板とを電気的に接続す
ることを特徴とするものである。
【0016】さらに、本発明による電子部品の製造方法
は、回路素子の形成された半導体チップがバンプを有す
るパッケージ基板に搭載されて封止された半導体装置を
用意し、また、支柱部およびこの支柱部の中途位置にお
いて外方に向けて形成されたスペーサ部からなる支持ピ
ンを複数本用意し、支持ピンが半導体装置の搭載位置で
この半導体装置の4辺の外周面をそれぞれ規制し得るよ
うに形成された位置決め孔に複数本の支持ピンの一方側
をそれぞれ差し込み、スペーサ部が半導体装置と配線基
板との間に位置するようにしてこれらの支持ピンで形成
される領域に半導体装置を搭載し、バンプをリフローし
て半導体装置と配線基板とを電気的に接続することを特
徴とするものである。
【0017】そして、本発明による電子部品の製造方法
は、回路素子の形成された半導体チップがバンプを有す
るパッケージ基板に搭載されて封止された半導体装置を
用意し、また、支柱部、この支柱部の中途位置において
外方に向けて形成されたスペーサ部、およびこのスペー
サ部を切り欠くようにして支柱部の外周面と同一または
これよりも内方にまで形成されたピン離脱部からなる支
持ピンを複数本用意し、支持ピンが半導体装置の搭載位
置でこの半導体装置の4辺の外周面をそれぞれ規制し得
るように形成された位置決め孔に複数本の支持ピンの一
方側をそれぞれ回転自在に差し込み、スペーサ部が半導
体装置と配線基板との間に位置するようにしてこれらの
支持ピンで形成される領域に半導体装置を搭載し、バン
プをリフローして半導体装置と配線基板とを電気的に接
続し、リフロー後に、支柱部を回転してピン離脱部をパ
ッケージ基板内に位置させ、支持ピンを配線基板から抜
き取ることを特徴とするものである。
【0018】上記した手段によれば、半導体装置をバン
プを介して配線基板に接続する際に、これを配線基板の
所定位置に簡単に位置決めすることが可能になる。
【0019】また、リフロー時に規定間隔だけバンプが
潰れるとスペーサ部によってそれ以上の潰れが防止され
るので、バンプが規定量以上に潰れて他のバンプと接触
することに起因するショート不良が未然に防止される。
【0020】支持ピンにピン離脱部を形成すれば、最終
的な製品から支持ピンが除去されるので、支持ピンが邪
魔にならず製品としての取り扱いが容易になる。また、
抜き取られた支持ピンは他の電子部品の製造に再使用す
ることができる。
【0021】パッケージ基板に切り欠き部を形成してこ
の部分で支持ピンを嵌合させるようにすれば、支持ピン
がパッケージ基板の内側に移動した分だけ半導体装置の
配線基板に対する占有面積の縮小を図ることができる。
【0022】支持ピンを熱収縮性樹脂で形成すれば、支
持ピンによりパッケージ基板と配線基板とが強固に固定
されて加熱による反りが防止され、バンプの部分の間隔
が常に規定間隔に保たれる。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の部材には同一の符号を付
し、その繰り返しの説明は省略する。
【0024】(実施の形態1)図1は本発明の一実施の
形態である電子部品を示す平面図、図2は図1のII−II
線に沿う断面図、図3は図1の電子部品に用いられた支
持ピンを示す斜視図である。
【0025】図1および図2に示すように、本実施の形
態における電子部品1は回路素子の形成された半導体チ
ップ2が封止された半導体装置3と、この半導体装置3
が搭載された配線基板4とから構成されている。
【0026】半導体チップ2はたとえばムライト・セラ
ミックよりなるパッケージ基板5にハンダ・バンプ6を
介してフリップ・チップ接続され、たとえばAlN(窒
化アルミニウム)よりなるキャップ7により気密封止さ
れている。但し、半導体チップ2は樹脂によりモールド
封止されていてもよい。なお、気密性を確保するために
キャップ7の周囲はハンダ8によりパッケージ基板5に
取り付けられており、また、キャップ7を介して半導体
チップ2の裏面から放熱するために該半導体チップ2の
裏面はハンダ9によりキャップ7の内面に固定されてい
る。パッケージ基板5の実装面5aには、たとえば 250
℃程度でリフローする低融点ハンダからなるバンプ10
が形成されており、該バンプ10はチップ搭載面5bか
ら実装面5aに延びて形成されてたとえばCu(銅)か
らなる配線を介してハンダ・バンプ6と電気的に接続さ
れている。さらに、パッケージ基板5には4つの装着孔
5cが形成されている。
【0027】配線基板4におけるパッケージ基板5の装
着孔5cに対応した位置には位置決め孔4aが形成され
ている。そして、相互に対応する装着孔5cおよび位置
決め孔4aには支持ピン12の支柱部12aの一方側お
よび他方側がそれぞれ嵌合しており、このような支持ピ
ン12が4箇所に設けられることによって半導体装置3
が配線基板4の所定位置に位置決めされている。なお、
装着孔5cおよび位置決め孔4aはそれぞれ4箇所形成
されているが、2箇所以上であればよく、特に4箇所に
限定されるものではない。この配線基板4には銅箔パタ
ーンとソルダマスクとで配線層が形成されており、半導
体装置3は前記したバンプ10がこれに対応して配線層
から露出形成された電極に位置合わせされた状態で実装
されている。
【0028】支持ピン12は 300℃程度の耐熱性を有す
るたとえばエポキシ系樹脂により構成され、図3に示す
ように、たとえば円柱状の支柱部12aおよびこの支柱
部12aの中途位置において外方に向けて形成されたス
ペーサ部12bとから構成されている。このスペーサ部
12bの厚さはリフロー後における半導体装置3と配線
基板4との規定の間隔に相当する厚さとされている。な
お、支柱部12aは図示するような円柱状ではなく角柱
状に形成することもでき、スペーサ部12bは全周にわ
たって連続的に突出した形状ではなく部分的に突出した
形状であってもよい。また、位置的にバンプ10が近接
していることを考慮すると、支持ピン12は前述のエポ
キシ系樹脂やセラミックのように絶縁性を有する部材で
構成することが望ましい。
【0029】このような構成の電子部品1は次のように
して製造される。
【0030】先ず、前述した半導体装置3および複数本
の支持ピン12、つまり実装面5aにバンプ10を有す
るパッケージ基板5のチップ搭載面5bに回路素子の形
成された半導体チップ2が封止され、該パッケージ基板
5に装着孔5cの形成された半導体装置3、および支柱
部12aおよびこの支柱部12aの中途位置に形成され
たスペーサ部12bからなる支持ピン12を用意する。
【0031】次に、4本の支持ピン12の支柱部12a
の一方側を配線基板4の位置決め孔4aにそれぞれ差し
込み、さらに、支柱部12aの他方側と装着孔5cとを
嵌合させて半導体装置3を配線基板4に搭載する。前述
のように、位置決め孔4aと装着孔5cとは半導体装置
3の搭載位置において対応するように形成されているの
で、このような嵌合動作によって半導体装置3は配線基
板4の所定位置に簡単に位置決めされる。なお、スペー
サ部12bは半導体装置3と配線基板4との間に位置し
ている。
【0032】半導体装置3を搭載したならば、これをた
とえば 250℃程度に加熱してバンプ10をリフローし、
半導体装置3と配線基板4とを電気的に接続する。この
とき、荷重によりバンプ10が潰れて半導体装置3と配
線基板4との間隔は徐々に狭まって行くが、間隔がスペ
ーサ部12bの厚さにまでになると半導体装置3はバン
プ10ではなくスペーサ部12bで支持されるようにな
る。そして、スペーサ部12bの厚さはリフロー後の半
導体装置3と配線基板4との規定間隔相当となっている
ので、規定間隔に到達するとスペーサ部12bの働きに
よって該間隔が保持される。これにより、バンプ10が
それ以上に潰れることはない。
【0033】このように、本実施の形態によれば、支持
ピン12の支柱部12aの一方側を位置決め孔4aと、
他方側を装着孔5cとそれぞれ嵌合させて半導体装置3
を配線基板4に位置決めするようにしているので、たと
えバンプ10が微細、狭ピッチ化しても、半導体装置3
を配線基板4の所定位置に簡単に搭載決めすることが可
能になる。
【0034】また、厚さがリフロー後の半導体装置3と
配線基板4との規定間隔相当となったスペーサ部12b
を半導体装置3と配線基板4との間に位置させているの
で、リフロー時に該間隔だけバンプ10が潰れるとスペ
ーサ部12bによってそれ以上の潰れが防止される。こ
れにより、半導体装置3の本体の重さによりバンプ10
が規定量以上に潰れて他のバンプ10と接触することに
起因するショート不良が未然に防止される。
【0035】(実施の形態2)図4は本発明の他の実施
の形態である電子部品を示す平面図である。
【0036】図示するように、本実施の形態の電子部品
21においては、半導体装置3のパッケージ基板5に装
着孔は形成されておらず、位置決め孔4aに嵌合された
支持ピン12が半導体装置3の外周を4方向から規制す
ることによって半導体装置3が配線基板4に位置決めさ
れている。実施の形態1において述べたように、パッケ
ージ基板5に装着孔を形成して半導体装置3を位置決め
する場合には、最低2箇所の位置決め孔4aおよび装着
孔があればよいが、外周で位置決めする場合には4方向
全てを規制することが必要である。
【0037】なお、本実施の形態では、各方向それぞれ
1本ずつの支持ピン12で位置決めするようにしている
が、2本ずつ以上で、あるいは異なる方向で異なる本数
の支持ピン12で位置決めするようにしてもよい。
【0038】本実施の形態における電子部品21では、
先ず、半導体装置3および複数本の支持ピン12を用意
し、半導体装置3の搭載位置で支持ピン12が4辺の外
周面を規制する位置に開設された位置決め孔4aに各支
持ピン12の一方側を差し込む。次に、スペーサ部12
bが半導体装置3と配線基板4との間に位置するように
して支持ピン12で形成される領域に半導体装置3を搭
載する。前述したピン配列により、搭載された半導体装
置3は支持ピン12により4方向から規制されて配線基
板4に対して簡単に位置決めされる。
【0039】そして、搭載後、バンプをリフローし、半
導体装置3と配線基板4とを電気的に接続する。ここ
で、本実施の形態においても、スペーサ部12bにより
半導体装置3と配線基板4との間隔が規定間隔に保持さ
れてバンプがそれ以上に潰れることが防止され、バンプ
が他のバンプと接触することに起因するショート不良が
防止される。
【0040】(実施の形態3)図5は本発明のさらに他
の実施の形態である電子部品を示す平面図、図6は図5
のVI−VI線に沿う断面図、図7は図5の電子部品に用い
られた支持ピンを示す斜視図、図8は図5の電子部品に
おける支持ピンの抜き取り動作を示す説明図である。
【0041】図7において詳しく示すように、本実施の
形態による電子部品31に用いられた支持ピン32に
は、支柱部32aに形成されたスペーサ部32bを切り
欠くようにして、支柱部32aの外周面と同一の平坦面
となるピン離脱部32cが形成されているものである。
また、このような支持ピン32は配線基板4の位置決め
孔4aに回転自在に嵌合されている。なお、ピン離脱部
32cは必ずしも支柱部32aの外周面と同一の平坦面
である必要はなく、支柱部32aの外周面よりも内方に
入り込むようにして形成されていてもよい。さらに、内
方に形成されている場合には平坦面でなくてもよい。
【0042】このような支持ピン32は、実施の形態2
の場合と同様にして半導体装置3を4方向から規制し、
これを配線基板4に位置決めしている。
【0043】本実施の形態における電子部品31は、半
導体装置3を用意し、また、ピン離脱部32cの形成さ
れた複数本の支持ピン32を用意し、位置決め孔4aに
各支持ピン32の一方側を差し込む。そして、たとえば
4本の支持ピン32で形成される領域に半導体装置3を
搭載してこれを4方向から規制し、配線基板4に位置決
めする。このとき、図6に詳しく示すように、半導体装
置3と配線基板4との間にスペーサ部32bが位置する
ように支持ピン32の方向を調整する。
【0044】搭載後、バンプ10をリフローし、半導体
装置3と配線基板4とを電気的に接続する。本実施の形
態においても、スペーサ部32bにより半導体装置3と
配線基板4との間隔が規定間隔に保持され、バンプ10
が大きく潰れて他のバンプ10と接触することに起因す
るショート不良が防止される。
【0045】バンプ10をリフローした後は、図8
(a)に示す状態にある支持ピン32の支柱部32aを
回転し、図8(b)に示すように、ピン離脱部32cを
パッケージ基板5側に位置させて該パッケージ基板5内
にあるスペーサ部32bをこれと非接触になるようにす
る。このようにしてパッケージ基板5のスペーサ部32
bに対する干渉を排除したところで、支持ピン32を配
線基板4から抜き取る。
【0046】このように、支持ピン32を電子部品31
から取り去ることにより、支持ピン32が配線基板4の
裏面から突出したままになることがないので、支持ピン
32が邪魔にならず製品としての取り扱いが容易にな
る。また、抜き取られた支持ピン32は他の電子部品の
製造に再使用することができるので、コストダウンを図
ることが可能になる。
【0047】(実施の形態4)図9は本発明のさらに他
の実施の形態である電子部品を示す平面図である。
【0048】本実施の形態の電子部品41においては、
パッケージ基板5に支持ピン12の支柱部12aの外周
面と嵌合する切り欠き部5dが形成されており、支柱部
12aと切り欠き部5dとの嵌合によって半導体装置3
が配線基板4に位置決めされたものである。但し、図示
する場合には、切り欠き部5dはパッケージ基板5の対
向辺のそれぞれ2箇所ずつの計4箇所に形成されている
が、最低、対向辺各1箇所ずつでよい。なお、このよう
な電子部品41の製造方法は実施の形態1に示す場合と
同様であるので、その説明は省略する。
【0049】本実施の形態によれば、切り欠き部5dと
嵌合している寸法だけ支持ピン12がパッケージ基板5
の内側に位置することになるので、半導体装置3の配線
基板4に対する占有面積の縮小を図ることができて実装
効率の向上を図ることが可能になる。
【0050】ここで、支持ピン12に実施の形態3に示
すようなピン離脱部を支柱部12aの外周面の内方に入
り込むようにして形成すれば、リフロー後にこの支持ピ
ン12を取り外すことが可能になる。
【0051】(実施の形態5)図10は本発明のさらに
他の実施の形態である電子部品におけるリフロー後を示
す部分断面図である。
【0052】本実施の形態の電子部品51の基本構造は
実施の形態1に示すものと同一であるが、支持ピン52
が熱収縮性を有する樹脂により形成されている点で異な
っている。
【0053】このような電子部品51によれば、リフロ
ーのための加熱を行うと、支柱部52aが図10の二点
鎖線で示す本来の形状から、実線で示すように、パッケ
ージ基板5の装着孔5cおよび配線基板4の位置決め孔
4aを外側から覆うように収縮するようになる。
【0054】これにより、支持ピン52によりパッケー
ジ基板5と配線基板4とが強固に固定されて加熱による
反りが防止され、バンプ10の部分の間隔は常にスペー
サ部52bの厚みと同一に、つまり規定間隔に保たれ
る。
【0055】以上、本発明者によってなされた発明をそ
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもな
い。
【0056】たとえば、本実施の形態の位置決め孔4a
および装着孔5cはいずれも一方側から他方側に突き抜
けた貫通孔であるが、凹状のものつまり有底孔でもよ
い。
【0057】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
【0058】(1).すなわち、本発明の電子部品に関する
技術によれば、支持ピンの支柱部の一方側を位置決め孔
に嵌合し、他方側で半導体装置を配線基板に位置決めす
るようにしているので、半導体装置をバンプを介して配
線基板に接続する際において、たとえバンプが微細、狭
ピッチ化しても、これを配線基板の所定位置に簡単に位
置決めすることが可能になる。
【0059】(2).また、従来の光学的手段ではなく、こ
のような支持ピンによる機械的手段により位置決めをす
ることとしているため、製造プロセスの短縮化、低コス
ト化を図ることができる。
【0060】(3).また、厚さがリフロー後の半導体装置
と配線基板との規定間隔相当となったスペーサ部を半導
体装置と配線基板との間に位置させているので、リフロ
ー時に規定間隔だけバンプが潰れるとスペーサ部よって
それ以上の潰れが防止されるようになる。したがって、
バンプが規定量以上に潰れて他のバンプと接触すること
に起因するショート不良が未然に防止される。
【0061】(4).支持ピンにピン離脱部を形成すれば、
バンプをリフローした後で支持ピンを配線基板から抜き
取ることができるので、支持ピンが邪魔にならず製品と
しての取り扱いが容易になる。
【0062】(5).また、支持ピンにピン離脱部を形成す
れば、抜き取られた支持ピンは他の電子部品の製造に再
使用することができるので、コストダウンを図ることが
可能になる。
【0063】(6).パッケージ基板に切り欠き部を形成し
てこの部分で支持ピンを嵌合させるようにすれば、支持
ピンがパッケージ基板の内側に移動した分だけ半導体装
置の配線基板に対する占有面積の縮小を図ることがで
き、実装効率の向上を図ることが可能になる。
【0064】(7).支持ピンを熱収縮性樹脂で形成すれ
ば、これが装着孔および位置決め孔を外側から覆うよう
に熱収縮して支持ピンによりパッケージ基板と配線基板
とが強固に固定されるようになり、加熱による反りが防
止されてバンプの部分の間隔は常に規定間隔に保たれ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1による電子部品を示す平
面図である。
【図2】図1のII−II線に沿う断面図である。
【図3】図1の電子部品に用いられた支持ピンを示す斜
視図である。
【図4】本発明の実施の形態2による電子部品を示す平
面図である。
【図5】本発明の実施の形態3による電子部品を示す平
面図である。
【図6】図5のVI−VI線に沿う断面図である。
【図7】図5の電子部品に用いられた支持ピンを示す斜
視図である。
【図8】(a),(b)は図5の電子部品における支持
ピンの抜き取り動作を示す説明図である。
【図9】本発明の実施の形態4による電子部品を示す平
面図である。
【図10】本発明の実施の形態5による電子部品におけ
るリフロー後を示す部分断面図である。
【符号の説明】
1 電子部品 2 半導体チップ 3 半導体装置 4 配線基板 4a 位置決め孔 5 パッケージ基板 5a 実装面 5b チップ搭載面 5c 装着孔 5d 切り欠き部 6 ハンダ・バンプ 7 キャップ 8 ハンダ 9 ハンダ 10 バンプ 12 支持ピン 12a 支柱部 12b スペーサ部 21 電子部品 31 電子部品 32 支持ピン 32a 支柱部 32b スペーサ部 32c ピン離脱部 41 電子部品 51 電子部品 52 支持ピン 52a 支柱部 52b スペーサ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林田 哲哉 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回路素子の形成された半導体チップがバ
    ンプを有するパッケージ基板に搭載されて封止された半
    導体装置と、 前記半導体装置が実装された配線基板と、 一方側が前記配線基板に形成された位置決め孔と嵌合し
    て前記半導体装置を前記配線基板の所定位置に位置決め
    する支柱部、およびこの支柱部の中途位置において外方
    に向けて形成されるとともに前記半導体装置と前記配線
    基板との間に位置して前記バンプのリフロー時に両者を
    規定間隔に保持するスペーサ部からなる複数本の支持ピ
    ンとを有することを特徴とする電子部品。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の電子部品において、前記
    支柱部の他方側が前記位置決め孔に対応して前記パッケ
    ージ基板の複数箇所に形成された装着孔と嵌合して前記
    半導体装置が前記配線基板に位置決めされることを特徴
    とする電子部品。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の電子部品において、前記
    支持ピンは熱収縮性樹脂により形成されていることを特
    徴とする電子部品。
  4. 【請求項4】 請求項1記載の電子部品において、前記
    支持ピンの他方側が前記半導体装置の外周を4方向から
    規制してこの半導体装置が前記配線基板に位置決めされ
    ることを特徴とする電子部品。
  5. 【請求項5】 請求項4記載の電子部品において、前記
    支持ピンは回転自在に前記位置決め孔に嵌合され、前記
    スペーサ部には、これを切り欠くようにして前記支柱部
    の外周面と同一またはこれよりも内方にまで形成されて
    前記支持ピンの回転により前記スペーサ部を前記パッケ
    ージ基板と非接触にするピン離脱部を有することを特徴
    とする電子部品。
  6. 【請求項6】 請求項1記載の電子部品において、前記
    パッケージ基板には前記支柱部の外周面と嵌合する切り
    欠き部が形成され、前記支柱部とこの切り欠き部との嵌
    合によって前記半導体装置が前記配線基板に位置決めさ
    れることを特徴とする電子部品。
  7. 【請求項7】 回路素子の形成された半導体チップがバ
    ンプを有するパッケージ基板に搭載されて封止され、こ
    のパッケージ基板の複数箇所に装着孔が形成された半導
    体装置を用意し、 支柱部およびこの支柱部の中途位置において外方に向け
    て形成されたスペーサ部からなる支持ピンを複数本用意
    し、 前記半導体装置の搭載位置で前記装着孔が対応するよう
    に配線基板に形成された位置決め孔に複数本の前記支持
    ピンの一方側をそれぞれ差し込み、 前記スペーサ部が前記半導体装置と前記配線基板との間
    に位置するようにして前記支持ピンの他方側と前記装着
    孔とを嵌合して前記半導体装置を搭載し、 前記バンプをリフローして前記半導体装置と前記配線基
    板とを電気的に接続することを特徴とする電子部品の製
    造方法。
  8. 【請求項8】 回路素子の形成された半導体チップがバ
    ンプを有するパッケージ基板に搭載されて封止された半
    導体装置を用意し、 支柱部およびこの支柱部の中途位置において外方に向け
    て形成されたスペーサ部からなる支持ピンを複数本用意
    し、 前記支持ピンが前記半導体装置の搭載位置でこの半導体
    装置の4辺の外周面をそれぞれ規制し得るように形成さ
    れた位置決め孔に複数本の前記支持ピンの一方側をそれ
    ぞれ差し込み、 前記スペーサ部が前記半導体装置と前記配線基板との間
    に位置するようにしてこれらの支持ピンで形成される領
    域に前記半導体装置を搭載し、 前記バンプをリフローして前記半導体装置と前記配線基
    板とを電気的に接続することを特徴とする電子部品の製
    造方法。
  9. 【請求項9】 回路素子の形成された半導体チップがバ
    ンプを有するパッケージ基板に搭載されて封止された半
    導体装置を用意し、 支柱部、この支柱部の中途位置において外方に向けて形
    成されたスペーサ部、およびこのスペーサ部を切り欠く
    ようにして前記支柱部の外周面と同一またはこれよりも
    内方にまで形成されたピン離脱部からなる支持ピンを複
    数本用意し、 前記支持ピンが前記半導体装置の搭載位置でこの半導体
    装置の4辺の外周面をそれぞれ規制し得るように形成さ
    れた位置決め孔に複数本の前記支持ピンの一方側をそれ
    ぞれ回転自在に差し込み、 前記スペーサ部が前記半導体装置と前記配線基板との間
    に位置するようにしてこれらの支持ピンで形成される領
    域に前記半導体装置を搭載し、 前記バンプをリフローして前記半導体装置と前記配線基
    板とを電気的に接続し、 リフロー後、前記支柱部を回転して前記ピン離脱部を前
    記パッケージ基板内に位置させ、前記支持ピンを前記配
    線基板から抜き取ることを特徴とする電子部品の製造方
    法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1699079A2 (en) * 2005-02-25 2006-09-06 Fujitsu Limited Electronic device, standoff member, and method of manufacturing electronic device
WO2008139563A1 (ja) * 2007-05-07 2008-11-20 Fujitsu Limited 電子装置及びその製造方法、当該電子装置を有する電子機器
US7541721B2 (en) 2006-11-17 2009-06-02 Fujitsu Media Devices Limited Acoustic wave device
KR20140094515A (ko) * 2011-10-24 2014-07-30 다이아몬드 이노베이션즈, 인크. 복수의 세장형 요소를 이용하여 2 개의 부품을 그들 사이의 축선방향 및 각도방향 정렬을 보장하도록 접합하는 방법
JP2014216618A (ja) * 2013-04-30 2014-11-17 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR20230003850A (ko) * 2021-06-30 2023-01-06 주식회사 에프에스티 펠리클 조립체

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1699079A2 (en) * 2005-02-25 2006-09-06 Fujitsu Limited Electronic device, standoff member, and method of manufacturing electronic device
EP1699079A3 (en) * 2005-02-25 2007-11-14 Fujitsu Limited Electronic device, standoff member, and method of manufacturing electronic device
US7838987B2 (en) 2005-02-25 2010-11-23 Fujitsu Limited Electronic device, standoff member, and method of manufacturing electronic device
US7541721B2 (en) 2006-11-17 2009-06-02 Fujitsu Media Devices Limited Acoustic wave device
WO2008139563A1 (ja) * 2007-05-07 2008-11-20 Fujitsu Limited 電子装置及びその製造方法、当該電子装置を有する電子機器
KR20140094515A (ko) * 2011-10-24 2014-07-30 다이아몬드 이노베이션즈, 인크. 복수의 세장형 요소를 이용하여 2 개의 부품을 그들 사이의 축선방향 및 각도방향 정렬을 보장하도록 접합하는 방법
JP2014530774A (ja) * 2011-10-24 2014-11-20 ダイヤモンドイノベイションズ インコーポレーテッド 複数本の長寸要素を用いることにより2つの構成要素を結合してそれらの間の軸心的および角度的な整列を確実とする方法
JP2018024090A (ja) * 2011-10-24 2018-02-15 ダイヤモンド イノヴェーションズ インコーポレイテッド 複数本の長寸要素を用いることにより2つの構成要素を結合してそれらの間の軸心的および角度的な整列を確実とする方法
JP2014216618A (ja) * 2013-04-30 2014-11-17 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR20230003850A (ko) * 2021-06-30 2023-01-06 주식회사 에프에스티 펠리클 조립체

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