JP2861811B2 - Ｐｂｇａパッケージ及びｐｂｇａパッケージ実装用母基板及びｐｂｇａパッケージ実装方法 - Google Patents
Ｐｂｇａパッケージ及びｐｂｇａパッケージ実装用母基板及びｐｂｇａパッケージ実装方法Info
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品、半導体素子
等を搭載するＰＢＧＡパッケージ及びＰＢＧＡパッケー
ジ実装用母基板及びＰＢＧＡパッケージ実装方法に関す
るものである。
等を搭載するＰＢＧＡパッケージ及びＰＢＧＡパッケー
ジ実装用母基板及びＰＢＧＡパッケージ実装方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の実装に用いるパッケージの
１つにＰＢＧＡ（プラスチック・ボール・グリッド・ア
レイ）がある。これは、従来のＰＰＧＡ（プラスチック
・ピン・グリッド・アレイ）のピンの代わりに半田ボー
ルを電極として用いたもので、ＰＢＧＡパッケージを実
装する母基板（ＰＢＧＡパッケージ実装用母基板）上に
他の電子部品と同様に配置してリフロー加熱することに
より表面実装が可能なパッケージである。
１つにＰＢＧＡ（プラスチック・ボール・グリッド・ア
レイ）がある。これは、従来のＰＰＧＡ（プラスチック
・ピン・グリッド・アレイ）のピンの代わりに半田ボー
ルを電極として用いたもので、ＰＢＧＡパッケージを実
装する母基板（ＰＢＧＡパッケージ実装用母基板）上に
他の電子部品と同様に配置してリフロー加熱することに
より表面実装が可能なパッケージである。
【０００３】図７に基づいてＰＢＧＡパッケージの一例
を説明する。図７は、ＰＢＧＡパッケージをＰＢＧＡパ
ッケージ実装用母基板の表面に配置し、リフロー加熱し
ている状態を示す断面図である。図で、１は裏面に半田
ボール電極２が形成されたＰＢＧＡパッケージ、３はＰ
ＢＧＡパッケージを実装するＰＢＧＡパッケージ実装用
母基板である。但し、ＰＢＧＡパッケージ１及びＰＢＧ
Ａパッケージ実装用母基板３の配線部分（内部配線用の
スルーホールを含む）、半導体素子等の部品については
図示を省略している。
を説明する。図７は、ＰＢＧＡパッケージをＰＢＧＡパ
ッケージ実装用母基板の表面に配置し、リフロー加熱し
ている状態を示す断面図である。図で、１は裏面に半田
ボール電極２が形成されたＰＢＧＡパッケージ、３はＰ
ＢＧＡパッケージを実装するＰＢＧＡパッケージ実装用
母基板である。但し、ＰＢＧＡパッケージ１及びＰＢＧ
Ａパッケージ実装用母基板３の配線部分（内部配線用の
スルーホールを含む）、半導体素子等の部品については
図示を省略している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図７に示すように、リ
フロー工程において周囲より熱が伝わり、半田ボール電
極２が溶融してＰＢＧＡパッケージ１とＰＢＧＡパッケ
ージ実装用母基板３が接合されるが、ＰＢＧＡパッケー
ジ１とＰＢＧＡパッケージ実装用母基板３との間の隙間
が狭いので、ＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付近に
形成された半田ボール電極２には熱が伝わりにくく、そ
の部分の半田ボール電極２が溶融しにくいという問題点
があり接続不良の原因となっていた。
フロー工程において周囲より熱が伝わり、半田ボール電
極２が溶融してＰＢＧＡパッケージ１とＰＢＧＡパッケ
ージ実装用母基板３が接合されるが、ＰＢＧＡパッケー
ジ１とＰＢＧＡパッケージ実装用母基板３との間の隙間
が狭いので、ＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付近に
形成された半田ボール電極２には熱が伝わりにくく、そ
の部分の半田ボール電極２が溶融しにくいという問題点
があり接続不良の原因となっていた。
【０００５】本発明は上記課題に鑑みなされたもので、
その目的とするところは、リフロー加熱時の半田溶融不
足によるＰＢＧＡパッケージとＰＢＧＡパッケージ実装
用母基板との接続不良を防止することができるＰＢＧＡ
パッケージの構造及びＰＢＧＡパッケージ実装用母基板
の構造及びＰＢＧＡパッケージ実装方法を提供すること
にある。
その目的とするところは、リフロー加熱時の半田溶融不
足によるＰＢＧＡパッケージとＰＢＧＡパッケージ実装
用母基板との接続不良を防止することができるＰＢＧＡ
パッケージの構造及びＰＢＧＡパッケージ実装用母基板
の構造及びＰＢＧＡパッケージ実装方法を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載のＰＢＧＡパッケージは、裏面に半田
ボール電極が形成されたＰＢＧＡパッケージにおいて、
前記ＰＢＧＡパッケージの表面から裏面に貫通する通気
孔を設けたことを特徴とするものである。
め、請求項１記載のＰＢＧＡパッケージは、裏面に半田
ボール電極が形成されたＰＢＧＡパッケージにおいて、
前記ＰＢＧＡパッケージの表面から裏面に貫通する通気
孔を設けたことを特徴とするものである。
【０００７】請求項２記載のＰＢＧＡパッケージは、裏
面に半田ボール電極が形成されたＰＢＧＡパッケージに
おいて、前記ＰＢＧＡパッケージの表面に熱吸収用ラン
ドを形成すると共に、その熱吸収用ランドと所定の半田
ボール電極とを熱伝導用スルーホールで接続したことを
特徴とするものである。
面に半田ボール電極が形成されたＰＢＧＡパッケージに
おいて、前記ＰＢＧＡパッケージの表面に熱吸収用ラン
ドを形成すると共に、その熱吸収用ランドと所定の半田
ボール電極とを熱伝導用スルーホールで接続したことを
特徴とするものである。
【０００８】請求項３記載のＰＢＧＡパッケージは、半
導体素子を搭載すると共に裏面に半田ボール電極が形成
されたＰＢＧＡパッケージにおいて、搭載された前記半
導体素子を覆う、熱の反射率の高いカバーを設けたこと
を特徴とするものである。
導体素子を搭載すると共に裏面に半田ボール電極が形成
されたＰＢＧＡパッケージにおいて、搭載された前記半
導体素子を覆う、熱の反射率の高いカバーを設けたこと
を特徴とするものである。
【０００９】請求項４記載のＰＢＧＡパッケージは、裏
面に半田ボール電極が形成されたＰＢＧＡパッケージに
おいて、ＰＢＧＡパッケージの表面の中央付近が赤外線
の吸収率が高くなるように、前記ＰＢＧＡパッケージの
表面の色を連続的に、または、段階的に、変化させたこ
とを特徴とするものである。
面に半田ボール電極が形成されたＰＢＧＡパッケージに
おいて、ＰＢＧＡパッケージの表面の中央付近が赤外線
の吸収率が高くなるように、前記ＰＢＧＡパッケージの
表面の色を連続的に、または、段階的に、変化させたこ
とを特徴とするものである。
【００１０】請求項５記載のＰＢＧＡパッケージ実装用
母基板は、裏面に半田ボール電極が形成されたＰＢＧＡ
パッケージを実装するＰＢＧＡパッケージ実装用母基板
において、前記ＰＢＧＡパッケージ実装位置の周辺に熱
吸収用ランドを形成すると共に、前記ＰＢＧＡパッケー
ジが前記ＰＢＧＡパッケージ実装用母基板上に配置され
た際に前記熱吸収用ランドと所定の半田ボール電極とを
接続する熱伝導用スルーホールを形成したことを特徴と
するものである。
母基板は、裏面に半田ボール電極が形成されたＰＢＧＡ
パッケージを実装するＰＢＧＡパッケージ実装用母基板
において、前記ＰＢＧＡパッケージ実装位置の周辺に熱
吸収用ランドを形成すると共に、前記ＰＢＧＡパッケー
ジが前記ＰＢＧＡパッケージ実装用母基板上に配置され
た際に前記熱吸収用ランドと所定の半田ボール電極とを
接続する熱伝導用スルーホールを形成したことを特徴と
するものである。
【００１１】請求項６記載のＰＢＧＡパッケージ実装方
法は、裏面に半田ボール電極が形成されたＰＢＧＡパッ
ケージをＰＢＧＡパッケージ実装用母基板に実装するＰ
ＢＧＡパッケージ実装方法において、前記ＰＢＧＡパッ
ケージを前記ＰＢＧＡパッケージ実装用母基板上に配置
すると共に、前記ＰＢＧＡパッケージ実装用母基板をは
さんで前記ＰＢＧＡパッケージに形成された所定の前記
半田ボール電極と対峙するように前記ＰＢＧＡパッケー
ジ実装用母基板の裏面に熱吸収率の高い熱吸収手段を密
着させ、加熱して実装を行うことを特徴とするものであ
る。
法は、裏面に半田ボール電極が形成されたＰＢＧＡパッ
ケージをＰＢＧＡパッケージ実装用母基板に実装するＰ
ＢＧＡパッケージ実装方法において、前記ＰＢＧＡパッ
ケージを前記ＰＢＧＡパッケージ実装用母基板上に配置
すると共に、前記ＰＢＧＡパッケージ実装用母基板をは
さんで前記ＰＢＧＡパッケージに形成された所定の前記
半田ボール電極と対峙するように前記ＰＢＧＡパッケー
ジ実装用母基板の裏面に熱吸収率の高い熱吸収手段を密
着させ、加熱して実装を行うことを特徴とするものであ
る。
【００１２】
【作用】請求項１記載のＰＢＧＡパッケージで、ＰＢＧ
Ａパッケージの表面から裏面に貫通する通気孔をＰＢＧ
Ａパッケージの中央付近に設けたことにより、リフロー
の際、その貫通孔を介して熱がＰＢＧＡパッケージとＰ
ＢＧＡパッケージ実装用母基板との隙間にも十分伝わる
ので、ＰＢＧＡパッケージの中央付近に形成された半田
ボール電極が十分溶融するようになる。
Ａパッケージの表面から裏面に貫通する通気孔をＰＢＧ
Ａパッケージの中央付近に設けたことにより、リフロー
の際、その貫通孔を介して熱がＰＢＧＡパッケージとＰ
ＢＧＡパッケージ実装用母基板との隙間にも十分伝わる
ので、ＰＢＧＡパッケージの中央付近に形成された半田
ボール電極が十分溶融するようになる。
【００１３】請求項２記載のＰＢＧＡパッケージで、Ｐ
ＢＧＡパッケージの表面に熱吸収用ランドを形成すると
共に、その熱吸収用ランドと所定の半田ボール電極（Ｐ
ＢＧＡパッケージの中央付近に形成された半田ボール電
極）とをスルーホール（熱伝導用スルーホール）で接続
したことにより、リフローの際、熱吸収用ランドに吸収
された熱が熱伝導用スルーホールを介してＰＢＧＡパッ
ケージの中央付近に形成された半田ボール電極に伝わる
ので、ＰＢＧＡパッケージの中央付近に形成された半田
ボール電極が十分溶融するようになる。
ＢＧＡパッケージの表面に熱吸収用ランドを形成すると
共に、その熱吸収用ランドと所定の半田ボール電極（Ｐ
ＢＧＡパッケージの中央付近に形成された半田ボール電
極）とをスルーホール（熱伝導用スルーホール）で接続
したことにより、リフローの際、熱吸収用ランドに吸収
された熱が熱伝導用スルーホールを介してＰＢＧＡパッ
ケージの中央付近に形成された半田ボール電極に伝わる
ので、ＰＢＧＡパッケージの中央付近に形成された半田
ボール電極が十分溶融するようになる。
【００１４】請求項３記載のＰＢＧＡパッケージで、Ｐ
ＢＧＡパッケージに実装された半導体素子の上部を熱の
反射率の高いカバーで覆うことにより、リフローの際、
半導体素子に熱が伝わりにくくなるので、リフロー加熱
温度を高く設定してＰＢＧＡパッケージの中央付近に形
成された半田ボール電極を十分溶融させることができ
る。
ＢＧＡパッケージに実装された半導体素子の上部を熱の
反射率の高いカバーで覆うことにより、リフローの際、
半導体素子に熱が伝わりにくくなるので、リフロー加熱
温度を高く設定してＰＢＧＡパッケージの中央付近に形
成された半田ボール電極を十分溶融させることができ
る。
【００１５】請求項４記載のＰＢＧＡパッケージで、Ｐ
ＢＧＡパッケージの表面の中央付近で赤外線の吸収率が
高くなるように、ＰＢＧＡパッケージの表面の色を連続
的に、または、段階的に、変化させたことにより、赤外
線照射により加熱した際、ＰＢＧＡパッケージの中央付
近の温度を周辺部分の温度より高くすることができるの
で、ＰＢＧＡパッケージの中央付近に形成された半田ボ
ール電極を十分溶融させることができる。
ＢＧＡパッケージの表面の中央付近で赤外線の吸収率が
高くなるように、ＰＢＧＡパッケージの表面の色を連続
的に、または、段階的に、変化させたことにより、赤外
線照射により加熱した際、ＰＢＧＡパッケージの中央付
近の温度を周辺部分の温度より高くすることができるの
で、ＰＢＧＡパッケージの中央付近に形成された半田ボ
ール電極を十分溶融させることができる。
【００１６】請求項５記載のＰＢＧＡパッケージ実装用
母基板で、ＰＢＧＡパッケージ実装位置の周辺に熱吸収
用ランドを形成すると共に、ＰＢＧＡパッケージがＰＢ
ＧＡパッケージ実装用母基板上に配置された際に熱吸収
用ランドと所定の半田ボール電極（ＰＢＧＡパッケージ
の中央付近に形成された半田ボール電極）とを接続する
熱伝導用スルーホールを形成したことにより、リフロー
の際、熱吸収用ランドに吸収された熱が熱伝導用スルー
ホールを介してＰＢＧＡパッケージの中央付近に形成さ
れた半田ボール電極に伝わるので、ＰＢＧＡパッケージ
の中央付近に形成された半田ボール電極が十分溶融する
ようになる。
母基板で、ＰＢＧＡパッケージ実装位置の周辺に熱吸収
用ランドを形成すると共に、ＰＢＧＡパッケージがＰＢ
ＧＡパッケージ実装用母基板上に配置された際に熱吸収
用ランドと所定の半田ボール電極（ＰＢＧＡパッケージ
の中央付近に形成された半田ボール電極）とを接続する
熱伝導用スルーホールを形成したことにより、リフロー
の際、熱吸収用ランドに吸収された熱が熱伝導用スルー
ホールを介してＰＢＧＡパッケージの中央付近に形成さ
れた半田ボール電極に伝わるので、ＰＢＧＡパッケージ
の中央付近に形成された半田ボール電極が十分溶融する
ようになる。
【００１７】請求項６記載のＰＢＧＡパッケージ実装方
法で、ＰＢＧＡパッケージをＰＢＧＡパッケージ実装用
母基板上に配置すると共に、ＰＢＧＡパッケージ実装用
母基板をはさんでＰＢＧＡパッケージに形成された所定
の半田ボール電極（ＰＢＧＡパッケージの中央付近に形
成された半田ボール電極）と対峙するように、ＰＢＧＡ
パッケージ実装用母基板の裏面に熱吸収率の高い熱吸収
手段を密着させ、加熱することにより、熱吸収手段に吸
収された熱がＰＢＧＡパッケージ実装用母基板を介し
て、ＰＢＧＡパッケージの裏面の中央付近に形成された
半田ボール電極に伝わるので、ＰＢＧＡパッケージの中
央付近に形成された半田ボール電極を十分溶融させるこ
とができる。
法で、ＰＢＧＡパッケージをＰＢＧＡパッケージ実装用
母基板上に配置すると共に、ＰＢＧＡパッケージ実装用
母基板をはさんでＰＢＧＡパッケージに形成された所定
の半田ボール電極（ＰＢＧＡパッケージの中央付近に形
成された半田ボール電極）と対峙するように、ＰＢＧＡ
パッケージ実装用母基板の裏面に熱吸収率の高い熱吸収
手段を密着させ、加熱することにより、熱吸収手段に吸
収された熱がＰＢＧＡパッケージ実装用母基板を介し
て、ＰＢＧＡパッケージの裏面の中央付近に形成された
半田ボール電極に伝わるので、ＰＢＧＡパッケージの中
央付近に形成された半田ボール電極を十分溶融させるこ
とができる。
【００１８】
【実施例】図１に基づいて本発明に係るＰＢＧＡパッケ
ージの一実施例を説明する。図１は、ＰＢＧＡパッケー
ジをＰＢＧＡパッケージ実装用母基板の表面に配置し、
加熱している状態を示す断面図である。図７に示した例
と同等構成については同符号を付すこととする。図で、
１は裏面に半田ボール電極２が形成されたＰＢＧＡパッ
ケージ、３はＰＢＧＡパッケージを実装するＰＢＧＡパ
ッケージ実装用母基板である。但し、ＰＢＧＡパッケー
ジ１及びＰＢＧＡパッケージ実装用母基板３の配線部分
（内部配線用のスルーホールを含む）、半導体素子等の
部品については図示を省略している。図１に示す実施例
ではＰＢＧＡパッケージ１の中央付近に、ＰＢＧＡパッ
ケージ１の表面から裏面にまで貫通する通気孔１ａが２
個形成されてる。このように構成することにより、リフ
ロー加熱時、通気孔１ａを介してＰＢＧＡパッケージ１
の裏面の中央付近に形成されている半田ボール電極２に
熱が伝わりやすくなるので、ＰＢＧＡパッケージ１の裏
面の中央付近に形成されている半田ボール電極２が十分
溶融することになる。通気孔１ａの形状は実施例に限定
されず、円筒状でも四角柱状でもかまわないが、図１に
示したように、両端の開口に向かうに従って孔の径が大
きくなるように形成することによりＰＢＧＡパッケージ
１の表面からＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付近に
形成された半田ボール電極２の接合状態を目視確認しや
すくなる。
ージの一実施例を説明する。図１は、ＰＢＧＡパッケー
ジをＰＢＧＡパッケージ実装用母基板の表面に配置し、
加熱している状態を示す断面図である。図７に示した例
と同等構成については同符号を付すこととする。図で、
１は裏面に半田ボール電極２が形成されたＰＢＧＡパッ
ケージ、３はＰＢＧＡパッケージを実装するＰＢＧＡパ
ッケージ実装用母基板である。但し、ＰＢＧＡパッケー
ジ１及びＰＢＧＡパッケージ実装用母基板３の配線部分
（内部配線用のスルーホールを含む）、半導体素子等の
部品については図示を省略している。図１に示す実施例
ではＰＢＧＡパッケージ１の中央付近に、ＰＢＧＡパッ
ケージ１の表面から裏面にまで貫通する通気孔１ａが２
個形成されてる。このように構成することにより、リフ
ロー加熱時、通気孔１ａを介してＰＢＧＡパッケージ１
の裏面の中央付近に形成されている半田ボール電極２に
熱が伝わりやすくなるので、ＰＢＧＡパッケージ１の裏
面の中央付近に形成されている半田ボール電極２が十分
溶融することになる。通気孔１ａの形状は実施例に限定
されず、円筒状でも四角柱状でもかまわないが、図１に
示したように、両端の開口に向かうに従って孔の径が大
きくなるように形成することによりＰＢＧＡパッケージ
１の表面からＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付近に
形成された半田ボール電極２の接合状態を目視確認しや
すくなる。
【００１９】次に、図２に基づいて本発明に係るＰＢＧ
Ａパッケージの異なる実施例について説明する。図２は
ＰＢＧＡパッケージの断面図である。但し、図１に示し
た実施例の構成と同等構成については同符号を付すこと
とする（以下に説明する他の実施例についても、同様と
する）。図２で、１はＰＢＧＡパッケージ、２はＰＢＧ
Ａパッケージ１の裏面に形成された半田ボール電極、４
はＰＢＧＡパッケージ１の表面に形成された熱吸収用ラ
ンド、５はＰＢＧＡパッケージ１の表面に形成された熱
吸収用ランド４とＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付
近に形成された半田ボール電極２とを接続する熱伝導用
スルーホールである。熱伝導用スルーホール５は、内部
配線用スルーホール（図示省略）とは別に設けられたも
のである。このように構成することによって、リフロー
加熱時、ＰＢＧＡパッケージ１の表面に形成された熱吸
収用ランド４に吸収された熱が熱伝導用スルーホール５
を介してＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付近に形成
された半田ボール電極２に伝わるのでＰＢＧＡパッケー
ジ１の裏面の中央付近に形成された半田ボール電極２を
十分溶融させることができる。
Ａパッケージの異なる実施例について説明する。図２は
ＰＢＧＡパッケージの断面図である。但し、図１に示し
た実施例の構成と同等構成については同符号を付すこと
とする（以下に説明する他の実施例についても、同様と
する）。図２で、１はＰＢＧＡパッケージ、２はＰＢＧ
Ａパッケージ１の裏面に形成された半田ボール電極、４
はＰＢＧＡパッケージ１の表面に形成された熱吸収用ラ
ンド、５はＰＢＧＡパッケージ１の表面に形成された熱
吸収用ランド４とＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付
近に形成された半田ボール電極２とを接続する熱伝導用
スルーホールである。熱伝導用スルーホール５は、内部
配線用スルーホール（図示省略）とは別に設けられたも
のである。このように構成することによって、リフロー
加熱時、ＰＢＧＡパッケージ１の表面に形成された熱吸
収用ランド４に吸収された熱が熱伝導用スルーホール５
を介してＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付近に形成
された半田ボール電極２に伝わるのでＰＢＧＡパッケー
ジ１の裏面の中央付近に形成された半田ボール電極２を
十分溶融させることができる。
【００２０】次に、図３に基づいて本発明に係るＰＢＧ
Ａパッケージのさらに異なる実施例について説明する。
図３はＰＢＧＡパッケージの断面図である。図で、１は
ＰＢＧＡパッケージ、１ｂはＰＢＧＡパッケージ１の上
面に形成された半導体素子実装用凹部、２は半田ボール
電極、６はチップ状の半導体素子、７は半導体素子６の
上面に形成された電極パッド（図示省略）とＰＢＧＡパ
ッケージ１に形成されたボンディングパッド（図示省
略）とを接続するボンディングワイヤー、８は半導体素
子実装用凹部１ｂの開口を塞ぐようにＰＢＧＡパッケー
ジ１に固着されたカバーである。このカバー８は熱の反
射率の高い材料で構成しておく。これにより、リフロー
加熱時、熱が半導体素子６に伝わりにくくなる。従来、
ＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付近に形成された半
田ボール電極２が十分溶融するようにリフロー加熱温度
を上げてやると、半導体素子６が劣化するという不具合
が発生していたので、そのようなリフロー条件を用いる
ことができなかったが、図３に示すように構成すること
によって、半導体素子６を劣化させずにＰＢＧＡパッケ
ージ１の裏面の中央付近に形成された半田ボール電極２
が十分溶融するようにリフロー加熱温度を上げて半田接
合を行うことができるようになる。
Ａパッケージのさらに異なる実施例について説明する。
図３はＰＢＧＡパッケージの断面図である。図で、１は
ＰＢＧＡパッケージ、１ｂはＰＢＧＡパッケージ１の上
面に形成された半導体素子実装用凹部、２は半田ボール
電極、６はチップ状の半導体素子、７は半導体素子６の
上面に形成された電極パッド（図示省略）とＰＢＧＡパ
ッケージ１に形成されたボンディングパッド（図示省
略）とを接続するボンディングワイヤー、８は半導体素
子実装用凹部１ｂの開口を塞ぐようにＰＢＧＡパッケー
ジ１に固着されたカバーである。このカバー８は熱の反
射率の高い材料で構成しておく。これにより、リフロー
加熱時、熱が半導体素子６に伝わりにくくなる。従来、
ＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付近に形成された半
田ボール電極２が十分溶融するようにリフロー加熱温度
を上げてやると、半導体素子６が劣化するという不具合
が発生していたので、そのようなリフロー条件を用いる
ことができなかったが、図３に示すように構成すること
によって、半導体素子６を劣化させずにＰＢＧＡパッケ
ージ１の裏面の中央付近に形成された半田ボール電極２
が十分溶融するようにリフロー加熱温度を上げて半田接
合を行うことができるようになる。
【００２１】次に、図４の断面図に基づいて本発明に係
るＰＢＧＡパッケージのさらに異なる実施例について説
明する。図で、１はＰＢＧＡパッケージ、２は半田ボー
ル電極、９はＰＢＧＡパッケージ１の表面に形成された
熱吸収層である。図４に示す熱吸収層９は、その色を周
囲に向かうに従って段階的に変えた層で、その色の違い
によってＰＢＧＡパッケージ１表面の中央付近の赤外線
吸収率が高く、周辺に向かうに従って赤外線の吸収率が
低くなるように設定されている。
るＰＢＧＡパッケージのさらに異なる実施例について説
明する。図で、１はＰＢＧＡパッケージ、２は半田ボー
ル電極、９はＰＢＧＡパッケージ１の表面に形成された
熱吸収層である。図４に示す熱吸収層９は、その色を周
囲に向かうに従って段階的に変えた層で、その色の違い
によってＰＢＧＡパッケージ１表面の中央付近の赤外線
吸収率が高く、周辺に向かうに従って赤外線の吸収率が
低くなるように設定されている。
【００２２】このように構成することによって、赤外線
照射による加熱時、熱吸収層９が熱を吸収することによ
り、ＰＢＧＡパッケージ１の中央付近の温度を局所的に
高めることができるので、ＰＢＧＡパッケージ１の裏面
の中央付近に形成された半田ボール電極２を十分に溶融
させることができる。熱吸収層９は、ＰＢＧＡパッケー
ジ１の中央付近から周辺に向かうに従って連続的に、ま
たは、段階的にその色が変化するように形成してもよい
し、ＰＢＧＡパッケージ１の中央付近にのみ単一の色で
形成してもよい。 次に、図５の断面図に基づいて本発
明に係るＰＢＧＡパッケージ実装用母基板の一実施例に
ついて説明する。図５は、ＰＢＧＡパッケージをＰＢＧ
Ａパッケージ実装用母基板の表面に配置し、加熱してい
る状態を示す断面図である。図で、１はＰＢＧＡパッケ
ージ、２は半田ボール電極、３はＰＢＧＡパッケージ実
装用母基板、１０はＰＢＧＡパッケージ実装位置の周辺
に形成された熱吸収用ランド、１１は熱吸収用ランド１
０とＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付近に形成され
た半田ボール電極２とを接続する熱伝導用スルーホール
である。図２に示した実施例が熱吸収用ランド４及び熱
伝導用スルーホール５をＰＢＧＡパッケージ１に形成し
ていたのに対し、図５に示す実施例は、熱吸収用ランド
１０及び熱伝導用スルーホール１１をＰＢＧＡパッケー
ジ実装用母基板３側に設けたものである。
照射による加熱時、熱吸収層９が熱を吸収することによ
り、ＰＢＧＡパッケージ１の中央付近の温度を局所的に
高めることができるので、ＰＢＧＡパッケージ１の裏面
の中央付近に形成された半田ボール電極２を十分に溶融
させることができる。熱吸収層９は、ＰＢＧＡパッケー
ジ１の中央付近から周辺に向かうに従って連続的に、ま
たは、段階的にその色が変化するように形成してもよい
し、ＰＢＧＡパッケージ１の中央付近にのみ単一の色で
形成してもよい。 次に、図５の断面図に基づいて本発
明に係るＰＢＧＡパッケージ実装用母基板の一実施例に
ついて説明する。図５は、ＰＢＧＡパッケージをＰＢＧ
Ａパッケージ実装用母基板の表面に配置し、加熱してい
る状態を示す断面図である。図で、１はＰＢＧＡパッケ
ージ、２は半田ボール電極、３はＰＢＧＡパッケージ実
装用母基板、１０はＰＢＧＡパッケージ実装位置の周辺
に形成された熱吸収用ランド、１１は熱吸収用ランド１
０とＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付近に形成され
た半田ボール電極２とを接続する熱伝導用スルーホール
である。図２に示した実施例が熱吸収用ランド４及び熱
伝導用スルーホール５をＰＢＧＡパッケージ１に形成し
ていたのに対し、図５に示す実施例は、熱吸収用ランド
１０及び熱伝導用スルーホール１１をＰＢＧＡパッケー
ジ実装用母基板３側に設けたものである。
【００２３】図５に示すように構成することによって、
リフロー加熱時、ＰＢＧＡパッケージ実装用母基板３の
表面に形成された熱吸収用ランド１０に吸収された熱が
熱伝導用スルーホール１１を介してＰＢＧＡパッケージ
１の裏面の中央付近に形成された半田ボール電極２に伝
わるのでＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付近に形成
されている半田ボール電極２を十分溶融させることがで
きる。
リフロー加熱時、ＰＢＧＡパッケージ実装用母基板３の
表面に形成された熱吸収用ランド１０に吸収された熱が
熱伝導用スルーホール１１を介してＰＢＧＡパッケージ
１の裏面の中央付近に形成された半田ボール電極２に伝
わるのでＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付近に形成
されている半田ボール電極２を十分溶融させることがで
きる。
【００２４】次に、図６の断面図に基づいて本発明に係
るＰＢＧＡパッケージ実装方法の一実施例について説明
する。図６は、ＰＢＧＡパッケージをＰＢＧＡパッケー
ジ実装用母基板の表面に配置し、加熱している状態を示
す断面図である。図で、１はＰＢＧＡパッケージ、２は
半田ボール電極、３はＰＢＧＡパッケージ実装用母基
板、１２はＰＢＧＡパッケージ実装用母基板３の裏面に
密着させた、平板状の熱吸収率の高い材料（Ａｌ，Ｃｕ
等）で構成された熱吸収手段である。この熱吸収手段１
２は、ＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付近に形成さ
れた半田ボール電極２の下方に配置される。言い換える
と、ＰＢＧＡパッケージ実装用母基板をはさんでＰＢＧ
Ａパッケージ１の裏面の中央付近に形成された半田ボー
ル電極２と対峙するように熱吸収手段１２は配置されて
いる。この熱吸収手段１２の数、配置する位置、形状は
ＰＢＧＡパッケージ１またはＰＢＧＡパッケージ実装用
母基板３に応じて変えればよく、実施例に限定されるも
のではない。
るＰＢＧＡパッケージ実装方法の一実施例について説明
する。図６は、ＰＢＧＡパッケージをＰＢＧＡパッケー
ジ実装用母基板の表面に配置し、加熱している状態を示
す断面図である。図で、１はＰＢＧＡパッケージ、２は
半田ボール電極、３はＰＢＧＡパッケージ実装用母基
板、１２はＰＢＧＡパッケージ実装用母基板３の裏面に
密着させた、平板状の熱吸収率の高い材料（Ａｌ，Ｃｕ
等）で構成された熱吸収手段である。この熱吸収手段１
２は、ＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付近に形成さ
れた半田ボール電極２の下方に配置される。言い換える
と、ＰＢＧＡパッケージ実装用母基板をはさんでＰＢＧ
Ａパッケージ１の裏面の中央付近に形成された半田ボー
ル電極２と対峙するように熱吸収手段１２は配置されて
いる。この熱吸収手段１２の数、配置する位置、形状は
ＰＢＧＡパッケージ１またはＰＢＧＡパッケージ実装用
母基板３に応じて変えればよく、実施例に限定されるも
のではない。
【００２５】図６に示すように熱吸収手段１２を配置し
た後、リフロー加熱を行うと、熱吸収手段１２に吸収さ
れた熱がＰＢＧＡパッケージ実装用母基板３を介して、
ＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付近に形成された半
田ボール電極２に伝わるので、ＰＢＧＡパッケージ１の
裏面の中央付近に形成された半田ボール電極２を十分に
溶融させることができる。
た後、リフロー加熱を行うと、熱吸収手段１２に吸収さ
れた熱がＰＢＧＡパッケージ実装用母基板３を介して、
ＰＢＧＡパッケージ１の裏面の中央付近に形成された半
田ボール電極２に伝わるので、ＰＢＧＡパッケージ１の
裏面の中央付近に形成された半田ボール電極２を十分に
溶融させることができる。
【００２６】なお、通気孔または熱吸収用ランドまたは
熱伝導用スルーホールの位置、数、形状は実施例に限定
されるものではない。
熱伝導用スルーホールの位置、数、形状は実施例に限定
されるものではない。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、請求項１及び請求項２及
び請求項４記載のＰＢＧＡパッケージによれば、ＰＢＧ
Ａパッケージの裏面の中央付近に形成された半田ボール
電極にリフロー時の熱を伝えやすくなるのでＰＢＧＡパ
ッケージの裏面の中央付近に形成された半田ボール電極
を十分に溶融させることができ、ＰＢＧＡパッケージと
ＰＢＧＡパッケージ実装用母基板との接続不良の発生を
防止することができる。
び請求項４記載のＰＢＧＡパッケージによれば、ＰＢＧ
Ａパッケージの裏面の中央付近に形成された半田ボール
電極にリフロー時の熱を伝えやすくなるのでＰＢＧＡパ
ッケージの裏面の中央付近に形成された半田ボール電極
を十分に溶融させることができ、ＰＢＧＡパッケージと
ＰＢＧＡパッケージ実装用母基板との接続不良の発生を
防止することができる。
【００２８】また、請求項３記載のＰＢＧＡパッケージ
によれば、ＰＢＧＡパッケージに実装された半導体素子
上部を熱の反射率の高いカバーで覆うことにより、半導
体素子を劣化させずに、リフロー加熱温度を上げてＰＢ
ＧＡパッケージの裏面の中央付近に形成された半田ボー
ル電極を十分溶融させることができるので、ＰＢＧＡパ
ッケージとＰＢＧＡパッケージ実装用母基板との接続不
良の発生を防止することができる。
によれば、ＰＢＧＡパッケージに実装された半導体素子
上部を熱の反射率の高いカバーで覆うことにより、半導
体素子を劣化させずに、リフロー加熱温度を上げてＰＢ
ＧＡパッケージの裏面の中央付近に形成された半田ボー
ル電極を十分溶融させることができるので、ＰＢＧＡパ
ッケージとＰＢＧＡパッケージ実装用母基板との接続不
良の発生を防止することができる。
【００２９】さらに、請求項５記載のＰＢＧＡパッケー
ジ実装用母基板によれば、ＰＢＧＡパッケージの裏面の
中央付近に形成された半田ボール電極にリフロー時の熱
を伝えやすくなるのでＰＢＧＡパッケージの裏面の中央
付近に形成された半田ボール電極を十分に溶融させるこ
とができ、ＰＢＧＡパッケージとＰＢＧＡパッケージ実
装用母基板との接続不良の発生を防止することができ
る。
ジ実装用母基板によれば、ＰＢＧＡパッケージの裏面の
中央付近に形成された半田ボール電極にリフロー時の熱
を伝えやすくなるのでＰＢＧＡパッケージの裏面の中央
付近に形成された半田ボール電極を十分に溶融させるこ
とができ、ＰＢＧＡパッケージとＰＢＧＡパッケージ実
装用母基板との接続不良の発生を防止することができ
る。
【００３０】また、請求項６記載のＰＢＧＡパッケージ
実装方法によれば、熱吸収手段に吸収された熱がＰＢＧ
Ａパッケージの裏面の中央付近に形成された半田ボール
電極に伝わるので、ＰＢＧＡパッケージの裏面の中央付
近に形成された半田ボール電極を十分に溶融させること
ができ、ＰＢＧＡパッケージとＰＢＧＡパッケージ実装
用母基板との接続不良の発生を防止することができる。
実装方法によれば、熱吸収手段に吸収された熱がＰＢＧ
Ａパッケージの裏面の中央付近に形成された半田ボール
電極に伝わるので、ＰＢＧＡパッケージの裏面の中央付
近に形成された半田ボール電極を十分に溶融させること
ができ、ＰＢＧＡパッケージとＰＢＧＡパッケージ実装
用母基板との接続不良の発生を防止することができる。
【図１】本発明に係るＰＢＧＡパッケージの一実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明に係るＰＢＧＡパッケージの異なる実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図３】本発明に係るＰＢＧＡパッケージのさらに異な
る実施例を示す断面図である。
る実施例を示す断面図である。
【図４】本発明に係るＰＢＧＡパッケージのさらに異な
る実施例を示す断面図である。
る実施例を示す断面図である。
【図５】本発明に係るＰＢＧＡパッケージ実装用母基板
の一実施例を示す断面図である。
の一実施例を示す断面図である。
【図６】本発明に係るＰＢＧＡパッケージ実装方法の一
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
【図７】従来のＰＢＧＡパッケージの一例を示す断面図
である。
である。
１ ＰＢＧＡパッケージ １ａ 通気孔 ２ 半田ボール電極 ３ ＰＢＧＡパッケージ実装用母基板 ４，１０ 熱吸収用ランド ５，１１ 熱伝導用スルーホール ８ カバー １２ 熱吸収手段
Claims (6)
- 【請求項１】 裏面に半田ボール電極が形成されたＰＢ
ＧＡパッケージにおいて、前記ＰＢＧＡパッケージの表
面から裏面に貫通する通気孔を設けたことを特徴とする
ＰＢＧＡパッケージ。 - 【請求項２】 裏面に半田ボール電極が形成されたＰＢ
ＧＡパッケージにおいて、前記ＰＢＧＡパッケージの表
面に熱吸収用ランドを形成すると共に、その熱吸収用ラ
ンドと所定の半田ボール電極とを熱伝導用スルーホール
で接続したことを特徴とするＰＢＧＡパッケージ。 - 【請求項３】 半導体素子を搭載すると共に裏面に半田
ボール電極が形成されたＰＢＧＡパッケージにおいて、
搭載された前記半導体素子を覆う、熱の反射率の高いカ
バーを設けたことを特徴とするＰＢＧＡパッケージ。 - 【請求項４】 裏面に半田ボール電極が形成されたＰＢ
ＧＡパッケージにおいて、ＰＢＧＡパッケージの表面の
中央付近が赤外線の吸収率が高くなるように、前記ＰＢ
ＧＡパッケージの表面の色を連続的に、または、段階的
に、変化させたことを特徴とするＰＢＧＡパッケージ。 - 【請求項５】 裏面に半田ボール電極が形成されたＰＢ
ＧＡパッケージを実装するＰＢＧＡパッケージ実装用母
基板において、前記ＰＢＧＡパッケージ実装位置の周辺
に熱吸収用ランドを形成すると共に、前記ＰＢＧＡパッ
ケージが前記ＰＢＧＡパッケージ実装用母基板上に配置
された際に前記熱吸収用ランドと所定の半田ボール電極
とを接続する熱伝導用スルーホールを形成したことを特
徴とするＰＢＧＡパッケージ実装用母基板。 - 【請求項６】 裏面に半田ボール電極が形成されたＰＢ
ＧＡパッケージをＰＢＧＡパッケージ実装用母基板に実
装するＰＢＧＡパッケージ実装方法において、前記ＰＢ
ＧＡパッケージを前記ＰＢＧＡパッケージ実装用母基板
上に配置すると共に、前記ＰＢＧＡパッケージ実装用母
基板をはさんで前記ＰＢＧＡパッケージに形成された所
定の前記半田ボール電極と対峙するように前記ＰＢＧＡ
パッケージ実装用母基板の裏面に熱吸収率の高い熱吸収
手段を密着させ、加熱して実装を行うことを特徴とする
ＰＢＧＡパッケージ実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6133322A JP2861811B2 (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | Ｐｂｇａパッケージ及びｐｂｇａパッケージ実装用母基板及びｐｂｇａパッケージ実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6133322A JP2861811B2 (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | Ｐｂｇａパッケージ及びｐｂｇａパッケージ実装用母基板及びｐｂｇａパッケージ実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07336046A JPH07336046A (ja) | 1995-12-22 |
| JP2861811B2 true JP2861811B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=15102000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6133322A Expired - Fee Related JP2861811B2 (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | Ｐｂｇａパッケージ及びｐｂｇａパッケージ実装用母基板及びｐｂｇａパッケージ実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2861811B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2735059B2 (ja) * | 1995-12-26 | 1998-04-02 | 日本電気株式会社 | プリント配線板の実装部品のリペア方法 |
| JP5195001B2 (ja) * | 2008-05-07 | 2013-05-08 | 株式会社リコー | 回路基板の製造方法、回路基板、アクティブマトリックス回路基板、画像表示装置 |
| US10645824B2 (en) | 2013-08-29 | 2020-05-05 | Kyocera Corporation | Electronic component housing package and electronic apparatus |
-
1994
- 1994-06-15 JP JP6133322A patent/JP2861811B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07336046A (ja) | 1995-12-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |