JP2635374B2 - 酸不安定性基を有するスルホニウム塩 - Google Patents
酸不安定性基を有するスルホニウム塩Info
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- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Description
【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明はスルホニウム基のほかにさらに酸分裂性基を
有する新規なスルホニウム塩に関するものである。これ
らの化合物は放射線照射により酸を形成し、これが酸不
安定基を分裂させ、これによりその溶解性が著しく変化
する。従って、これら化合物はことに陽イオン重合の光
重合開始剤ならびにフォトレジストの開始剤として適当
である。
有する新規なスルホニウム塩に関するものである。これ
らの化合物は放射線照射により酸を形成し、これが酸不
安定基を分裂させ、これによりその溶解性が著しく変化
する。従って、これら化合物はことに陽イオン重合の光
重合開始剤ならびにフォトレジストの開始剤として適当
である。
(従来技術) スルホニウム塩は各種文献、例えばH.M.ピット(Pit
t)の米国特許2,807,648号(1957年)、W.ハーン(Hah
n)及びR.ストロー(Stroh)の同2,833,827号(1958
年)、G.H.ウィーガンド(Wiegand)及びW.E.マッコー
エン(McEwen)のジャーナル、オブ、オーガニック、ケ
ミストリー33,2671(1968)などから夙に公知である。
t)の米国特許2,807,648号(1957年)、W.ハーン(Hah
n)及びR.ストロー(Stroh)の同2,833,827号(1958
年)、G.H.ウィーガンド(Wiegand)及びW.E.マッコー
エン(McEwen)のジャーナル、オブ、オーガニック、ケ
ミストリー33,2671(1968)などから夙に公知である。
光重合開始剤としては、陽イオン重合用のクリヴェロ
(Crivello)により開発された光重合開始剤(例えば米
国特許4,058,400号及び同4,058,401号参照)のような、
非求核反応対イオンを有するスルホニウム塩がほとんど
もっぱら問題となる。“Advances in Polym.Sci."62,1
−48(1984)におけるクリヴェロの「カチオニック、ポ
リメライゼイション−ヨードニウム及びスルホニウム塩
光重合剤」は、陽イオン重合の場合のオニウム塩の使用
について概説している。
(Crivello)により開発された光重合開始剤(例えば米
国特許4,058,400号及び同4,058,401号参照)のような、
非求核反応対イオンを有するスルホニウム塩がほとんど
もっぱら問題となる。“Advances in Polym.Sci."62,1
−48(1984)におけるクリヴェロの「カチオニック、ポ
リメライゼイション−ヨードニウム及びスルホニウム塩
光重合剤」は、陽イオン重合の場合のオニウム塩の使用
について概説している。
また、フォトレジスト材料におけるオニウム塩の使用
は、例えばニューヨーク、スケネラタディ、ジェネラ
ル、エレクトリックの1983年刊“Coporate Research an
d Development"におけるクリヴェロの「ポシビリティー
ズ、フォア、フォトイメジング、ユージング、オニウ
ム、ソールツ」に記載されている。
は、例えばニューヨーク、スケネラタディ、ジェネラ
ル、エレクトリックの1983年刊“Coporate Research an
d Development"におけるクリヴェロの「ポシビリティー
ズ、フォア、フォトイメジング、ユージング、オニウ
ム、ソールツ」に記載されている。
これら刊行物に記載のスルホニウム塩は極めて有効な
重合用開始剤であり、有効なフォトレジスト材料用の酸
形成剤である。しかしながら、この公知のスルホニウム
塩は、いずれも放射線作用により分裂し、その溶解性挙
動を著しく変化させる酸不安定基を持っていない。
重合用開始剤であり、有効なフォトレジスト材料用の酸
形成剤である。しかしながら、この公知のスルホニウム
塩は、いずれも放射線作用により分裂し、その溶解性挙
動を著しく変化させる酸不安定基を持っていない。
そこでこの分野の技術的課題は、高度の感応性を有
し、電磁波のなるべく広いスペクトル帯域において有効
であり、放射線照射により溶解性挙動が著しく変化する
光重合開始剤を提供することである。
し、電磁波のなるべく広いスペクトル帯域において有効
であり、放射線照射により溶解性挙動が著しく変化する
光重合開始剤を提供することである。
(発明の要約) しかるにこの技術的課題は、同じ分子中にスルホニウ
ム基のほかにさらに酸不安定基を有する特殊な新規スル
ホニウム塩により解決され得ることが見出された。
ム基のほかにさらに酸不安定基を有する特殊な新規スル
ホニウム塩により解決され得ることが見出された。
この知見に基ずく本発明の対象は、一般式I (式中、R1,R2及びR3は互に同じであっても異なっても
よく、場合によりヘテロ原子により置換された脂肪族或
は芳香族基を意味し、及び或はR1乃至R3のうちの2個が
結合して環を形成し、R1乃至R3のうちの少なくとも1個
が、短波長紫外線、電子線またはX線の照射でスルホニ
ウム塩により生じる酸によって接触的に分裂し得る少な
くとも1個の酸分裂性基を有し、該酸が酸不安定基を脱
離し、アルカリ不溶性基を塩基溶解性フェノール性基に
変換し、R1乃至R3の何れかが場合により酸により分裂し
得る基を介して1個或はさらに複数個のスルホニウム塩
基と結合することができ、X が非求核性対イオンを意
味する)で表わされるスルホニウム塩である。
よく、場合によりヘテロ原子により置換された脂肪族或
は芳香族基を意味し、及び或はR1乃至R3のうちの2個が
結合して環を形成し、R1乃至R3のうちの少なくとも1個
が、短波長紫外線、電子線またはX線の照射でスルホニ
ウム塩により生じる酸によって接触的に分裂し得る少な
くとも1個の酸分裂性基を有し、該酸が酸不安定基を脱
離し、アルカリ不溶性基を塩基溶解性フェノール性基に
変換し、R1乃至R3の何れかが場合により酸により分裂し
得る基を介して1個或はさらに複数個のスルホニウム塩
基と結合することができ、X が非求核性対イオンを意
味する)で表わされるスルホニウム塩である。
酸分裂性基としてtert−ブトキシカルボニル基及び/
或はトリアルキルシリル基を有するスルホニウム塩がこ
とに好ましい。
或はトリアルキルシリル基を有するスルホニウム塩がこ
とに好ましい。
本発明によるスルホニウム塩は短波長紫外線、電子線
及びレントゲン線に対して感応性を示す。
及びレントゲン線に対して感応性を示す。
また非求核性対イオンを有するヒドロキシフェニルス
ルホニウム塩をフェノール官能基においてエステル化し
或はエーテル化して上記スルホニウム塩を製造する方法
も本発明の対象となる。
ルホニウム塩をフェノール官能基においてエステル化し
或はエーテル化して上記スルホニウム塩を製造する方法
も本発明の対象となる。
(発明の構成) 対イオンとしてことに好ましいのは非求核性金属ハロ
ゲニド錯イオンである。
ゲニド錯イオンである。
錯対イオンを有するスルホニウム塩は放射線照射によ
り強酸を形成し、これが酸不安定基を分裂させ、アルカ
リ不溶性物質を塩基溶解性フェノール性化合物に変換さ
せる。
り強酸を形成し、これが酸不安定基を分裂させ、アルカ
リ不溶性物質を塩基溶解性フェノール性化合物に変換さ
せる。
分裂反応は触媒的であるので、酸は費消されず、陽イ
オン重合性モノマーの重合反応、または例えばポリアセ
タール或はポリ−t−ブチルメタクリラートにおける酸
不安定基の分裂のようなさらに他の反応が開始せしめら
れる。そのために、本発明によるスルホニウム塩は溶解
性挙動において変化し、水性アルカリ溶液による洗除、
現像が可能となる。
オン重合性モノマーの重合反応、または例えばポリアセ
タール或はポリ−t−ブチルメタクリラートにおける酸
不安定基の分裂のようなさらに他の反応が開始せしめら
れる。そのために、本発明によるスルホニウム塩は溶解
性挙動において変化し、水性アルカリ溶液による洗除、
現像が可能となる。
本発明のスルホニウム塩を表わす一般式(1) において、R1乃至R3は互に同じ或は異なるものを意味す
ることができ、炭素原子1乃至12個、ことに1乃至6個
の脂肪族基、例えばメチル、エチル、n−プロピル、i
−プロピル、n−ブチル、i−ブチル、tert−ブチル、
ペンチル、ヘキシルの各基を、場合により置換されたシ
クロヘキシル或はシクロペンチル基のような環式脂肪族
基を、フェニル、ナフチルのようなアリール基を、炭素
原子1乃至6個、ことに1乃至4個を有する1乃至4個
のアルキル基、炭素原子1乃至4個、ことに1乃至3個
を有するアルコキシ基、弗素、塩素、臭素のような1乃
至2個のハロゲンで置換されたアリール基、例えばメチ
ル−フェニル、メトキシフェニル、クロルフェニル、ブ
ロム−フェニル、ジクロルフェニル或はジメチル−フェ
ニルの各基を意味するか、或はR1乃至R3のうちの2個が
互に結合して環、ことに5員環或は6員環を形成するこ
とができる。ただしR1乃至R3のうちの少くとも1個は少
くとも1個の酸分裂性基を有する。
ることができ、炭素原子1乃至12個、ことに1乃至6個
の脂肪族基、例えばメチル、エチル、n−プロピル、i
−プロピル、n−ブチル、i−ブチル、tert−ブチル、
ペンチル、ヘキシルの各基を、場合により置換されたシ
クロヘキシル或はシクロペンチル基のような環式脂肪族
基を、フェニル、ナフチルのようなアリール基を、炭素
原子1乃至6個、ことに1乃至4個を有する1乃至4個
のアルキル基、炭素原子1乃至4個、ことに1乃至3個
を有するアルコキシ基、弗素、塩素、臭素のような1乃
至2個のハロゲンで置換されたアリール基、例えばメチ
ル−フェニル、メトキシフェニル、クロルフェニル、ブ
ロム−フェニル、ジクロルフェニル或はジメチル−フェ
ニルの各基を意味するか、或はR1乃至R3のうちの2個が
互に結合して環、ことに5員環或は6員環を形成するこ
とができる。ただしR1乃至R3のうちの少くとも1個は少
くとも1個の酸分裂性基を有する。
本発明のスルホニウム塩は一般式(I)において、R3
が例えば4−t−ブトキシカルボニルオキシ−フェニ
ル、4−t−ブトキシカルボニルオキシ−3,5−ジメチ
ルフェニル、4−t−ブトキシカルボニルオキシ−3−
メチル−フェニル、4−t−ブトキシカルボニルオキシ
−2−メチル−フェニル、4−t−ブトキシカルボニル
オキシ−3,5−ジメトキシ−フェニル、4−t−ブトキ
シカルボニルオキシ−3,5−ジフェニル−フェニル、4
−t−ブトキシカルボニルオキシ−1−ナフチル、4−
トリメチルシリル−オキシ−フェニル、4−トリメチル
シリル−オキシ−1−ナフチルを意味し、R1及びR2が例
えばテトラメチレン基に結合され、R3が上述した所と同
じ意味を有し、 で表わされる化合物、或はR1がメチルを、R2がフェニル
乃至トリルを、R3が酸分裂性基、例えば4−t−ブトキ
シカルボニルオキシ−フェニル、2,4−ジ−t−ブトキ
シカルボニルオキシ−フェニル、4−t−ブトキシカル
ボニルオキシ−2−メトキシ−フェニル、4−トリメチ
ルシリル−フェニルを意味する、 の化合物、或はR1がフェニル或はC1乃至C12で置換され
たフェニル或はハロゲン置換フェニルを、R2及びR3が酸
分裂性基を有する置換フェニル誘導体、例えば4−t−
ブトキシカルボニルオキシ−フェニル、4−トリメチル
シリルオキシ−フェニル、4−t−ブチル−シリルオキ
シ−フェニル、4−t−ブトキシカルボニルオキシ、3,
5−ジメチル−フェニルを意味する、 の化合物、或はR1,R2及びR3がすべて同じで、酸分裂性
基を意味する場合の化合物、すなわち酸分裂性基を3重
に有する化合物である。
が例えば4−t−ブトキシカルボニルオキシ−フェニ
ル、4−t−ブトキシカルボニルオキシ−3,5−ジメチ
ルフェニル、4−t−ブトキシカルボニルオキシ−3−
メチル−フェニル、4−t−ブトキシカルボニルオキシ
−2−メチル−フェニル、4−t−ブトキシカルボニル
オキシ−3,5−ジメトキシ−フェニル、4−t−ブトキ
シカルボニルオキシ−3,5−ジフェニル−フェニル、4
−t−ブトキシカルボニルオキシ−1−ナフチル、4−
トリメチルシリル−オキシ−フェニル、4−トリメチル
シリル−オキシ−1−ナフチルを意味し、R1及びR2が例
えばテトラメチレン基に結合され、R3が上述した所と同
じ意味を有し、 で表わされる化合物、或はR1がメチルを、R2がフェニル
乃至トリルを、R3が酸分裂性基、例えば4−t−ブトキ
シカルボニルオキシ−フェニル、2,4−ジ−t−ブトキ
シカルボニルオキシ−フェニル、4−t−ブトキシカル
ボニルオキシ−2−メトキシ−フェニル、4−トリメチ
ルシリル−フェニルを意味する、 の化合物、或はR1がフェニル或はC1乃至C12で置換され
たフェニル或はハロゲン置換フェニルを、R2及びR3が酸
分裂性基を有する置換フェニル誘導体、例えば4−t−
ブトキシカルボニルオキシ−フェニル、4−トリメチル
シリルオキシ−フェニル、4−t−ブチル−シリルオキ
シ−フェニル、4−t−ブトキシカルボニルオキシ、3,
5−ジメチル−フェニルを意味する、 の化合物、或はR1,R2及びR3がすべて同じで、酸分裂性
基を意味する場合の化合物、すなわち酸分裂性基を3重
に有する化合物である。
さらに一般式(I)中、R1乃至R3の何れかがさらに、
場合により酸分裂性基を介して結合された、1個或は複
数個のスルホニウム塩基を意味し、これが1分子中にさ
らに他のスルホニウム基を有する化合物、例えば も適当である。
場合により酸分裂性基を介して結合された、1個或は複
数個のスルホニウム塩基を意味し、これが1分子中にさ
らに他のスルホニウム基を有する化合物、例えば も適当である。
本発明によるスルホニウム塩のさらに他の例を以下に
掲記する。
掲記する。
ただし、X はハロゲン、ことにBF4 、AsF6 、SbF
6 、PF6 のような錯陰イオンを意味する。
6 、PF6 のような錯陰イオンを意味する。
R1及びR2は前述したようにアルキル、アリール或は置
換アリール基を意味し、或は互に結合して環を形成(二
価イオン結合、例えばテトラメチレン)する。
換アリール基を意味し、或は互に結合して環を形成(二
価イオン結合、例えばテトラメチレン)する。
またR4はt−ブトキシカルボニル基、或はトリメチル
シリル、t−ブチル−ジメチルシリルのようなトリアル
キルシリル基を意味する。
シリル、t−ブチル−ジメチルシリルのようなトリアル
キルシリル基を意味する。
本発明によるスルホニウム塩は以下のようにして製造
される。
される。
このスルホニウム塩はエステル、カルボナート及びエ
ーテル製造のための有機化学の常法により製造され得
る。すなわちフェノール基を有する公知のスルホニウム
塩から出発して、フェノールのt−ブチルエステル、t
−ブチルカルボナート或はシリルエーテルが生ずるよう
に反応させる。
ーテル製造のための有機化学の常法により製造され得
る。すなわちフェノール基を有する公知のスルホニウム
塩から出発して、フェノールのt−ブチルエステル、t
−ブチルカルボナート或はシリルエーテルが生ずるよう
に反応させる。
酸不安定のカルボナート基乃至エステル基を有する化
合物の製造方法として、本発明によれば非求核性対イオ
ンを有するヒドロキシフェニル−スルホニウム塩を塩基
で処理し、次いで活性カルボニル化合物と反応させる。
このヒドロキシフェニル−スルホニウム塩にヘキサメチ
ル−ジシラザン、シリルクロリドのような慣用のシリル
化試薬と反応させて酸不安定シリル基が導入される。
合物の製造方法として、本発明によれば非求核性対イオ
ンを有するヒドロキシフェニル−スルホニウム塩を塩基
で処理し、次いで活性カルボニル化合物と反応させる。
このヒドロキシフェニル−スルホニウム塩にヘキサメチ
ル−ジシラザン、シリルクロリドのような慣用のシリル
化試薬と反応させて酸不安定シリル基が導入される。
すでに非求核対イオンを含有するヒドロキシフェニル
−ジアルキル−スルホニウム塩は、例えばJ.Polym.Sc
i.,Chem.Ed.,18,1021(1980)に記載されている反応例
に従って製造され得る。本発明方法によれば、このよう
なスルホニウム塩をカリウム−t−ブチラートと共に無
水テトラヒドロフラン(THF)に入れ、次いでTHFに溶解
したジ−t−ブチルジカルボナートの溶液を滴下する。
後処理及び再結晶を経て純粋なスルホニウム塩が得られ
る。
−ジアルキル−スルホニウム塩は、例えばJ.Polym.Sc
i.,Chem.Ed.,18,1021(1980)に記載されている反応例
に従って製造され得る。本発明方法によれば、このよう
なスルホニウム塩をカリウム−t−ブチラートと共に無
水テトラヒドロフラン(THF)に入れ、次いでTHFに溶解
したジ−t−ブチルジカルボナートの溶液を滴下する。
後処理及び再結晶を経て純粋なスルホニウム塩が得られ
る。
或はまた、例えばt−ブチルオキシカルボニル−N−
イミダゾールのような活性カルボニル化合物とヒドロキ
シルフェニル−ジアルキル−スルホニウム塩とを反応さ
せることもできる。
イミダゾールのような活性カルボニル化合物とヒドロキ
シルフェニル−ジアルキル−スルホニウム塩とを反応さ
せることもできる。
ビス−(ヒドロキシフェニル)−アリール−スルホニ
ウム塩は、例えばJ.Polym.Sci.,Chem.Ed.18,2697(198
0)に記載されているクリヴェロ法により、非求核対イ
オンを有するジアリールヨードニウム塩を、銅(II)触
媒の存在下、例えばビス−(ヒドロキシフェニル)−ス
ルフィドと反応させて得られる。このようにして得られ
たスルホニウム塩は、同様にカルボナート、エステル或
はエーテル基を有する誘導体に変換される。
ウム塩は、例えばJ.Polym.Sci.,Chem.Ed.18,2697(198
0)に記載されているクリヴェロ法により、非求核対イ
オンを有するジアリールヨードニウム塩を、銅(II)触
媒の存在下、例えばビス−(ヒドロキシフェニル)−ス
ルフィドと反応させて得られる。このようにして得られ
たスルホニウム塩は、同様にカルボナート、エステル或
はエーテル基を有する誘導体に変換される。
トリス−(ヒドロキシフェニル)−スルホニウム塩
は、例えば米国特許2,833,827号(1958年)の方法によ
り製造され、上述の本発明方法により誘導体になされ
る。
は、例えば米国特許2,833,827号(1958年)の方法によ
り製造され、上述の本発明方法により誘導体になされ
る。
本発明によるスルホニウム塩の1例としての、フェニ
ル−ビス−(t−ブチルオキシカルボニルオキシド−フ
ェニル)スルホニウム−ヘキサフルオル砒酸塩は、露光
及びこれに次ぐ加熱処理により疏水性、アルカリ不溶性
出発物質がフェノール性誘導体に変換され得ることが実
証された。
ル−ビス−(t−ブチルオキシカルボニルオキシド−フ
ェニル)スルホニウム−ヘキサフルオル砒酸塩は、露光
及びこれに次ぐ加熱処理により疏水性、アルカリ不溶性
出発物質がフェノール性誘導体に変換され得ることが実
証された。
フォトレジスト材料中における酸不安定基分裂用光開
始剤としてのスルホニウム塩の使用は、ポリ−(t−ブ
チル−メタクリラート)及びポリマー全体に対し20重量
%の本発明によるスルホニウム塩から成るフォトレジス
ト溶液を珪素ウェーファー上に遠心式に成層し、画像形
成放射線露光に附し、加熱し、現像することにより達成
される。露光領域はアルカリ性現像剤により完全に洗除
されるが、非露光領域は全く洗除されない。慣用のトリ
アリールスルホニウム塩の添加により薄いレジスト層が
残存し、美麗な現像のためにはスルホニウム塩溶解のた
めの併用溶媒が必要である。
始剤としてのスルホニウム塩の使用は、ポリ−(t−ブ
チル−メタクリラート)及びポリマー全体に対し20重量
%の本発明によるスルホニウム塩から成るフォトレジス
ト溶液を珪素ウェーファー上に遠心式に成層し、画像形
成放射線露光に附し、加熱し、現像することにより達成
される。露光領域はアルカリ性現像剤により完全に洗除
されるが、非露光領域は全く洗除されない。慣用のトリ
アリールスルホニウム塩の添加により薄いレジスト層が
残存し、美麗な現像のためにはスルホニウム塩溶解のた
めの併用溶媒が必要である。
以下の実施例によりさらに本発明を詳述するが、ここ
で使用される部及びパーセントは明示されない限りすべ
て重量部及び重量%である。
で使用される部及びパーセントは明示されない限りすべ
て重量部及び重量%である。
実施例1 ジメチル−1−t−ブトキシカルボニルオキシ−フェニ
ル−スルホニウムヘキサフルオル砒酸塩の製造 ジメチル−4−ヒドロキシフェニル−スルホニウムヘ
キサフルオル砒酸塩を、J.Polym.Sci.,Polym.Chem.Ed.,
18,1021(1980)の合成例に従って調製した。無水HClの
導入下に、テトラヒドロフラン中のフェノール及びジメ
チルスルホキシドからまずスルホニウムクロリドを得、
これをカリウムヘキサフルオル砒酸塩と反応させ、ジメ
チル−4−ヒドロキシフェニル−スルホニウムヘキサフ
ルオル砒酸塩とした。
ル−スルホニウムヘキサフルオル砒酸塩の製造 ジメチル−4−ヒドロキシフェニル−スルホニウムヘ
キサフルオル砒酸塩を、J.Polym.Sci.,Polym.Chem.Ed.,
18,1021(1980)の合成例に従って調製した。無水HClの
導入下に、テトラヒドロフラン中のフェノール及びジメ
チルスルホキシドからまずスルホニウムクロリドを得、
これをカリウムヘキサフルオル砒酸塩と反応させ、ジメ
チル−4−ヒドロキシフェニル−スルホニウムヘキサフ
ルオル砒酸塩とした。
N2の導入下に、この塩2部を無水テトラヒドロフラン
55部中に溶解させた。次いでカリウム−t−ブチラート
1部を添加し、10分間攪拌した。テトラヒドロフラン10
部中ジ−t−ブチル−ジカルボナート1.27部の溶液を滴
下し、1時間攪拌した。反応混合物を50部の氷水に注下
し、エチルアセタートで複数回抽出した。合併エチルア
セタート相を硫酸マグネシウムで乾燥し、エチルアセタ
ートを除去した。このようにして生成物をエタノールか
ら2回再結晶させた。純粋なジメチル−4−t−ブトキ
シカルボニルオキシ−フェニル−スルホニウムヘキサフ
ルオル砒酸塩が1.5部の収量で得られた。
55部中に溶解させた。次いでカリウム−t−ブチラート
1部を添加し、10分間攪拌した。テトラヒドロフラン10
部中ジ−t−ブチル−ジカルボナート1.27部の溶液を滴
下し、1時間攪拌した。反応混合物を50部の氷水に注下
し、エチルアセタートで複数回抽出した。合併エチルア
セタート相を硫酸マグネシウムで乾燥し、エチルアセタ
ートを除去した。このようにして生成物をエタノールか
ら2回再結晶させた。純粋なジメチル−4−t−ブトキ
シカルボニルオキシ−フェニル−スルホニウムヘキサフ
ルオル砒酸塩が1.5部の収量で得られた。
NMR 1.5ppm(S,9H);3.3ppm(S,6H);7.65ppm及び8.15
ppm(para−subst.Arom.各D,4H) IR Ar−O−CO−O−Aliph.1760cm-1 原素分析 C H S As F 理論値 35.0 4.3 7.6 16.7 25.4 計算値 35.1 4.3 7.2 16.9 25.7 また、テトラヒドロフラン15部中において、ジメチル
−4−ヒドロキシフェニル−スルホニウムヘキサフルオ
ル砒酸塩(3.3部)とイミダゾール−N−カルボン酸−
t−ブチルエステル(1.9部)の反応により、ジメチル
−4−t−ブトキシカルボニルオキシフェニル−スルホ
ニウム−ヘキサフルオル砒酸塩を得た。反応混合物を8
時間、70℃に加熱し、冷却後、テトラヒドロフランを留
去し、残渣をエタノールから再結晶させた。
ppm(para−subst.Arom.各D,4H) IR Ar−O−CO−O−Aliph.1760cm-1 原素分析 C H S As F 理論値 35.0 4.3 7.6 16.7 25.4 計算値 35.1 4.3 7.2 16.9 25.7 また、テトラヒドロフラン15部中において、ジメチル
−4−ヒドロキシフェニル−スルホニウムヘキサフルオ
ル砒酸塩(3.3部)とイミダゾール−N−カルボン酸−
t−ブチルエステル(1.9部)の反応により、ジメチル
−4−t−ブトキシカルボニルオキシフェニル−スルホ
ニウム−ヘキサフルオル砒酸塩を得た。反応混合物を8
時間、70℃に加熱し、冷却後、テトラヒドロフランを留
去し、残渣をエタノールから再結晶させた。
同様のことをヘキサフルオルアンチモン酸塩及びヘキ
サフルオル燐酸塩のような他の塩に適用することができ
る。
サフルオル燐酸塩のような他の塩に適用することができ
る。
実施例2 フェニル−ビス−(4−t−ブトキシカルボニルオキシ
フェニル)−スルホニウムヘキサフルオル砒酸塩の製造 還流冷却器及び磁石攪拌器を附設した容積100mlの二
頚フラスコ中に、N2を導入しつつ、11.75g(0.025モ
ル)のジフェニルヨードニウムヘキサフルオル砒酸塩、
5.46g(0.025モル)の4,4′−ジヒドロキシ−ジフェニ
ルスルフィド及び0.2gの醋酸銅(II)を装填した。混合
物をN2雰囲気下に3時間、125℃に加熱した。次いでベ
ッハー装置中で多数回ジエチルエーテルで抽出した。粗
生成物をクロロホルム/ジエチルエーテルから再結晶さ
せた。収量6.3g。NMR及びIRスペクトル分析の結果、新
生成物がフェニル−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)
−スルホニウムヘキサフルオル砒酸塩であることが確認
された。
フェニル)−スルホニウムヘキサフルオル砒酸塩の製造 還流冷却器及び磁石攪拌器を附設した容積100mlの二
頚フラスコ中に、N2を導入しつつ、11.75g(0.025モ
ル)のジフェニルヨードニウムヘキサフルオル砒酸塩、
5.46g(0.025モル)の4,4′−ジヒドロキシ−ジフェニ
ルスルフィド及び0.2gの醋酸銅(II)を装填した。混合
物をN2雰囲気下に3時間、125℃に加熱した。次いでベ
ッハー装置中で多数回ジエチルエーテルで抽出した。粗
生成物をクロロホルム/ジエチルエーテルから再結晶さ
せた。収量6.3g。NMR及びIRスペクトル分析の結果、新
生成物がフェニル−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)
−スルホニウムヘキサフルオル砒酸塩であることが確認
された。
このフェニル−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−
スルホニウムヘキサフルオル砒酸塩6.3gを、N2導入下に
100mlの無水テトラヒドロフランに溶解させた。2.9gの
カリウム−t−ブチラートを添加し、さらに10分間攪拌
した。これに20mlのTHF中6.24gのジ−t−ブチル−ジカ
ルボナートの溶液を滴下し、さらに1時間攪拌した。反
応混合物を150gの氷水中に注下し、エチルアセタートで
多数回抽出した。合併アセタート相を硫酸マグネシウム
により乾燥し、溶媒を除去した。再結晶により7.0gの純
粋なフェニル−ビス−(4−t−ブトキシカルボニル−
オキシフェニル)−スルホニウムヘキサフルオル砒酸塩
が得られた。
スルホニウムヘキサフルオル砒酸塩6.3gを、N2導入下に
100mlの無水テトラヒドロフランに溶解させた。2.9gの
カリウム−t−ブチラートを添加し、さらに10分間攪拌
した。これに20mlのTHF中6.24gのジ−t−ブチル−ジカ
ルボナートの溶液を滴下し、さらに1時間攪拌した。反
応混合物を150gの氷水中に注下し、エチルアセタートで
多数回抽出した。合併アセタート相を硫酸マグネシウム
により乾燥し、溶媒を除去した。再結晶により7.0gの純
粋なフェニル−ビス−(4−t−ブトキシカルボニル−
オキシフェニル)−スルホニウムヘキサフルオル砒酸塩
が得られた。
NMR 1.5ppm(S,18H);7.5ppm(D,4H);7.7ppm(M,5
H);7.8ppm(D,4H) IR (C=O、カルボナート)1760cm-1 融点:128℃ 実施例3 フェニル−ビス−(4−t−ブトキシカルボニルオキ
シ−フェニル)−スルホニウムヘキサフルオル砒酸塩を
塩化ナトリウム板上に施こし、120℃に30秒間加熱し
た。赤外線スペクトルは1760cm-1(カルボナート)に鮮
明なカルボニルバンドを示し、フェノールOHは全く認め
られなかった。非加熱のスペクトルに対し全く変化は認
められない。248nm波長のExcimerレーザー光に10秒間露
光し、次いで120℃に30秒間加熱した所、カルボニルバ
ンドは完全に消失し、代りに3500cm-1にOHバンドが生起
した。
H);7.8ppm(D,4H) IR (C=O、カルボナート)1760cm-1 融点:128℃ 実施例3 フェニル−ビス−(4−t−ブトキシカルボニルオキ
シ−フェニル)−スルホニウムヘキサフルオル砒酸塩を
塩化ナトリウム板上に施こし、120℃に30秒間加熱し
た。赤外線スペクトルは1760cm-1(カルボナート)に鮮
明なカルボニルバンドを示し、フェノールOHは全く認め
られなかった。非加熱のスペクトルに対し全く変化は認
められない。248nm波長のExcimerレーザー光に10秒間露
光し、次いで120℃に30秒間加熱した所、カルボニルバ
ンドは完全に消失し、代りに3500cm-1にOHバンドが生起
した。
出発材料は希釈ナトリウムカルボナート溶液に不溶性
であったが、実施例による処理をしたものはこのアルカ
リ性溶媒に完全に溶解した。
であったが、実施例による処理をしたものはこのアルカ
リ性溶媒に完全に溶解した。
実施例4 4−(1−トリメチルシリルオキシナフチル)−テトラ
ヒドロ−チオフェニウムクロリドの合成 5.33g(20モル)の4−(1−ヒドロキシナフチル)
−テトラヒドロチオフェニウムクロリドを装填し、2.4m
lのヘキサメチル−ジシラザンを25℃において45分間に
わたり滴下した。さらに5mlのヘキサメチル−ジシラザ
ンを添加し、100℃で7時間反応させた。生成黄色溶液
からオイルポンプ減圧下に過剰のヘキサメチル−ジシラ
ザンを留去した。6.5gの黄色油状体が残留したが、これ
はNMRスペクトルにより所望のシリル化生成物であるこ
とが確認された。
ヒドロ−チオフェニウムクロリドの合成 5.33g(20モル)の4−(1−ヒドロキシナフチル)
−テトラヒドロチオフェニウムクロリドを装填し、2.4m
lのヘキサメチル−ジシラザンを25℃において45分間に
わたり滴下した。さらに5mlのヘキサメチル−ジシラザ
ンを添加し、100℃で7時間反応させた。生成黄色溶液
からオイルポンプ減圧下に過剰のヘキサメチル−ジシラ
ザンを留去した。6.5gの黄色油状体が残留したが、これ
はNMRスペクトルにより所望のシリル化生成物であるこ
とが確認された。
実施例5 蒸留スチレン30部、実施例2により製造されたフェニ
ル−ビス−(t−ブチルオキシカルボニルオキシフェニ
ル)−スルホニウムヘキサフルオル砒酸塩0.5部及びテ
トラクロルメタン10部から成る混合物を、窒素雰囲気
下、Cd−Xeランプで15分間露光処理した。発熱重合が生
起し、反応混合物は粘稠化した。その後、さらに30分
間、約80℃に加熱した。溶液を希釈ナトリウムカルボナ
ート溶液で希釈し振盪し、メタノールに注下した。IRス
ペクトルにより純粋なポリスチレンであり、分解開始剤
のフェノール吸収は全く生じないことが示された。
ル−ビス−(t−ブチルオキシカルボニルオキシフェニ
ル)−スルホニウムヘキサフルオル砒酸塩0.5部及びテ
トラクロルメタン10部から成る混合物を、窒素雰囲気
下、Cd−Xeランプで15分間露光処理した。発熱重合が生
起し、反応混合物は粘稠化した。その後、さらに30分
間、約80℃に加熱した。溶液を希釈ナトリウムカルボナ
ート溶液で希釈し振盪し、メタノールに注下した。IRス
ペクトルにより純粋なポリスチレンであり、分解開始剤
のフェノール吸収は全く生じないことが示された。
実施例6 市販のポリ−(t−ブチルメタクリラート)(n83,
000)をメチルグリコールアセタートに溶解させ、ポリ
−(t−ブチルメタクリラート)に対して20%のジメチ
ル−4−t−ブトキシカルボニルオキシ−フェニルスル
ホニウム−ヘキサフルオル砒酸塩を混和し、全体で固体
分25%の溶液を得た。この溶液を網目0.2μmのフィル
ターで濾過し、3000回転/分で珪素ウェーファー上に遠
心塗布した。形成された被膜を90℃で5分間加熱し、石
英マスクを介して画像形成露光し、次いで120℃で1分
間加熱した。pH値13.0のアルカリ性現像剤で露光領域が
完全に現像された。
000)をメチルグリコールアセタートに溶解させ、ポリ
−(t−ブチルメタクリラート)に対して20%のジメチ
ル−4−t−ブトキシカルボニルオキシ−フェニルスル
ホニウム−ヘキサフルオル砒酸塩を混和し、全体で固体
分25%の溶液を得た。この溶液を網目0.2μmのフィル
ターで濾過し、3000回転/分で珪素ウェーファー上に遠
心塗布した。形成された被膜を90℃で5分間加熱し、石
英マスクを介して画像形成露光し、次いで120℃で1分
間加熱した。pH値13.0のアルカリ性現像剤で露光領域が
完全に現像された。
本発明によるスルホニウム塩の代りにトリフェニルス
ルホニウムフルオル砒酸塩を使用して対比試験した所、
約0.1μm厚さのレジスト層が露光領域においてウェー
ファー上に残留した。
ルホニウムフルオル砒酸塩を使用して対比試験した所、
約0.1μm厚さのレジスト層が露光領域においてウェー
ファー上に残留した。
Claims (8)
- 【請求項1】一般式I (式中、R1、R2及びR3は互いに同じであっても異なって
いてもよく、場合によりヘテロ原子を有する脂肪族及び
/或は芳香族基を意味し、或はR1乃至R3のうちの2個が
結合して環を形成し、R1乃至R3のうちの少なくとも1個
が、短波長紫外線、電子線またはX線の照射でスルホニ
ウム塩により生じる酸によって接触的に分裂し得る少な
くとも1個の酸分裂性基を有し、該酸が酸不安定基を脱
離し、アルカリ不溶性基を塩基溶解性フェノール性基に
変換し、R1乃至R3の何れかが場合により酸により分裂し
得る基を介して1個或はさらに複数個のスルホニウム塩
基と結合することができ、X が非求核性対イオンを意
味する)で表されるスルホニウム塩。 - 【請求項2】酸分裂性基がtert−ブトキシカルボニル基
であることを特徴とする、請求項(1)のスルホニウム
塩。 - 【請求項3】酸分裂性基がトリアルキルシリル基である
ことを特徴とする、請求項(1)のスルホニウム塩。 - 【請求項4】1分子当り1個の酸分裂性基を有すること
を特徴とする、上記各項の何れかによるスルホニウム
塩。 - 【請求項5】1分子当り2個の酸分裂性基を有すること
を特徴とする、請求項(1)乃至(3)の何れかによる
スルホニウム塩。 - 【請求項6】1分子当り3個の酸分裂性基を有すること
を特徴とする、請求項(1)乃至(3)の何れかによる
スルホニウム塩。 - 【請求項7】非求核性対イオンを有するヒドロキシフェ
ニルスルホニウム塩をフェノール性官能基において慣用
の態様でエステル化乃至エーテル化することを特徴とす
る、請求項(1)乃至(6)の何れかによるスルホニウ
ム塩の製造方法。 - 【請求項8】光重合開始剤として請求項(1)乃至
(6)の何れかによるスルホニウム塩を使用することを
特徴とする、陽イオン重合法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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DE3721740.2 | 1987-07-01 |
Publications (2)
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---|---|
JPS6426550A JPS6426550A (en) | 1989-01-27 |
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EP (1) | EP0297442B1 (ja) |
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AT (1) | ATE61045T1 (ja) |
AU (1) | AU607780B2 (ja) |
CA (1) | CA1333400C (ja) |
DE (2) | DE3721740A1 (ja) |
DK (1) | DK362388A (ja) |
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US5247113A (en) * | 1989-01-16 | 1993-09-21 | Ciba-Geigy Corporation | Araliphatic sulfonium and their use |
SE8901048D0 (sv) * | 1989-03-23 | 1989-03-23 | Becker Wilhelm Ab | Polymerisationsinitiator |
DE3924298A1 (de) * | 1989-07-22 | 1991-02-07 | Basf Ag | Neue sulfoniumsalze und deren verwendung |
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JP2782093B2 (ja) * | 1989-07-27 | 1998-07-30 | 三新化学工業株式会社 | 重合性組成物 |
WO1993009112A1 (en) * | 1991-11-06 | 1993-05-13 | Ciba-Geigy Ag | A process for the production of cyclic sulfonium salts |
DE4219376A1 (de) * | 1992-06-12 | 1993-12-16 | Wacker Chemie Gmbh | Sulfoniumsalze und Verfahren zu deren Herstellung |
US5274148A (en) * | 1992-08-10 | 1993-12-28 | Isp Investments, Inc. | Dialky alkoxy phenyl sulfonium salt cationic initiators |
US5635332A (en) * | 1993-07-14 | 1997-06-03 | Nec Corporation | Alkylsulfonium salts and photoresist compositions containing the same |
JPH0954437A (ja) | 1995-06-05 | 1997-02-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 化学増幅型ポジレジスト組成物 |
US5648196A (en) * | 1995-07-14 | 1997-07-15 | Cornell Research Foundation, Inc. | Water-soluble photoinitiators |
DE19533607A1 (de) * | 1995-09-11 | 1997-03-13 | Basf Ag | Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen |
US5814431A (en) | 1996-01-10 | 1998-09-29 | Mitsubishi Chemical Corporation | Photosensitive composition and lithographic printing plate |
JP3760957B2 (ja) * | 1996-03-05 | 2006-03-29 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホニウム塩及び化学増幅ポジ型レジスト材料 |
US5908730A (en) * | 1996-07-24 | 1999-06-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical-sensitization photoresist composition |
US5945517A (en) * | 1996-07-24 | 1999-08-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical-sensitization photoresist composition |
JPH10147607A (ja) * | 1996-11-19 | 1998-06-02 | Nippon Soda Co Ltd | 硬化性組成物および硬化方法 |
US6187504B1 (en) * | 1996-12-19 | 2001-02-13 | Jsr Corporation | Radiation sensitive resin composition |
US6031014A (en) * | 1998-12-08 | 2000-02-29 | Crivello; James V. | Initiator compositions and methods for their synthesis and use |
JP4130030B2 (ja) | 1999-03-09 | 2008-08-06 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物および1,3−ジヒドロ−1−オキソ−2h−インデン誘導体化合物 |
US6416928B1 (en) * | 1999-10-06 | 2002-07-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Onium salts, photoacid generators, resist compositions, and patterning process |
US6511790B2 (en) | 2000-08-25 | 2003-01-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Alkaline liquid developer for lithographic printing plate and method for preparing lithographic printing plate |
DE60144036D1 (de) | 2000-11-30 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | Flachdruckplattenvorläufer |
US7521168B2 (en) | 2002-02-13 | 2009-04-21 | Fujifilm Corporation | Resist composition for electron beam, EUV or X-ray |
US6939662B2 (en) | 2002-05-31 | 2005-09-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive-working resist composition |
US20040067435A1 (en) | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image forming material |
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CN100578357C (zh) * | 2002-12-05 | 2010-01-06 | 国际商业机器公司 | 用于电子基平版印刷术的高灵敏性抗蚀剂组合物 |
US7314700B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-01-01 | International Business Machines Corporation | High sensitivity resist compositions for electron-based lithography |
JP2005028774A (ja) | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版用原版および平版印刷方法 |
US20050153239A1 (en) | 2004-01-09 | 2005-07-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Lithographic printing plate precursor and lithographic printing method using the same |
US20070144384A1 (en) | 2004-05-19 | 2007-06-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd | Image recording method |
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JP2006021396A (ja) | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版原版および平版印刷方法 |
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US7425406B2 (en) | 2004-07-27 | 2008-09-16 | Fujifilm Corporation | Lithographic printing plate precursor and lithographic printing method |
US20060032390A1 (en) | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Lithographic printing plate precursor and lithographic printing method |
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JP4815270B2 (ja) | 2005-08-18 | 2011-11-16 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版の作製方法及び作製装置 |
JP4759343B2 (ja) | 2005-08-19 | 2011-08-31 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版および平版印刷方法 |
ATE410460T1 (de) | 2005-08-23 | 2008-10-15 | Fujifilm Corp | Härtbare tinte enthaltend modifiziertes oxetan |
JP4757574B2 (ja) | 2005-09-07 | 2011-08-24 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、及び、平版印刷版 |
EP2103639A1 (en) | 2005-11-04 | 2009-09-23 | Fujifilm Corporation | Curable polycyclic epoxy composition, ink composition and inkjet recording method therewith |
ATE496766T1 (de) | 2006-03-03 | 2011-02-15 | Fujifilm Corp | Härtbare zusammensetzung, tintenzusammensetzung, tintenstrahlaufzeichnungsverfahren und flachdruckplatte |
JP2007241144A (ja) | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Fujifilm Corp | 感光性組成物、並びに光記録媒体及びその製造方法、光記録方法、光記録装置 |
JP5171005B2 (ja) | 2006-03-17 | 2013-03-27 | 富士フイルム株式会社 | 高分子化合物およびその製造方法、並びに顔料分散剤 |
JP4698470B2 (ja) | 2006-03-31 | 2011-06-08 | 富士フイルム株式会社 | 光記録媒体の処理方法及び処理装置、並びに光記録再生装置 |
JP5276264B2 (ja) | 2006-07-03 | 2013-08-28 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、及び、平版印刷版の製造方法 |
EP2060949A4 (en) * | 2006-09-08 | 2011-05-04 | Jsr Corp | RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND PROCESS FOR PRODUCING A LOW-MOLECULAR COMPOUND FOR USE THEREIN |
JP4777226B2 (ja) | 2006-12-07 | 2011-09-21 | 富士フイルム株式会社 | 画像記録材料、及び新規化合物 |
US8771924B2 (en) | 2006-12-26 | 2014-07-08 | Fujifilm Corporation | Polymerizable composition, lithographic printing plate precursor and lithographic printing method |
US7888537B2 (en) * | 2006-12-29 | 2011-02-15 | Uop Llc | Solid acid catalyst and process for decomposition of cumene hydroperoxide |
JP2008189776A (ja) | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Fujifilm Corp | 活性放射線硬化型重合性組成物、インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法、及び平版印刷版 |
US8541063B2 (en) | 2007-02-06 | 2013-09-24 | Fujifilm Corporation | Undercoat solution, ink-jet recording method and ink-jet recording device |
JP4881756B2 (ja) | 2007-02-06 | 2012-02-22 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、平版印刷版原版、平版印刷方法、及び新規シアニン色素 |
US8240808B2 (en) | 2007-02-07 | 2012-08-14 | Fujifilm Corporation | Ink-jet head maintenance device, ink-jet recording device and ink-jet head maintenance method |
JP5227521B2 (ja) | 2007-02-26 | 2013-07-03 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、及び、インクセット |
JP2008208266A (ja) | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Fujifilm Corp | インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、および平版印刷版 |
JP5224699B2 (ja) | 2007-03-01 | 2013-07-03 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、及び平版印刷版 |
JP2008233660A (ja) | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Fujifilm Corp | 浸漬型平版印刷版用自動現像装置およびその方法 |
ATE471812T1 (de) | 2007-03-23 | 2010-07-15 | Fujifilm Corp | Negativ-lithografiedruckplattenvorläufer und lithografiedruckverfahren damit |
JP4860525B2 (ja) | 2007-03-27 | 2012-01-25 | 富士フイルム株式会社 | 硬化性組成物及び平版印刷版原版 |
EP1975702B1 (en) | 2007-03-29 | 2013-07-24 | FUJIFILM Corporation | Colored photocurable composition for solid state image pick-up device, color filter and method for production thereof, and solid state image pick-up device |
JP5030638B2 (ja) | 2007-03-29 | 2012-09-19 | 富士フイルム株式会社 | カラーフィルタ及びその製造方法 |
EP1974914B1 (en) | 2007-03-29 | 2014-02-26 | FUJIFILM Corporation | Method of preparing lithographic printing plate |
JP5306681B2 (ja) | 2007-03-30 | 2013-10-02 | 富士フイルム株式会社 | 重合性化合物、重合体、インク組成物、印刷物及びインクジェット記録方法 |
EP1975706A3 (en) | 2007-03-30 | 2010-03-03 | FUJIFILM Corporation | Lithographic printing plate precursor |
JP5159141B2 (ja) | 2007-03-30 | 2013-03-06 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法及び平版印刷版 |
EP1975710B1 (en) | 2007-03-30 | 2013-10-23 | FUJIFILM Corporation | Plate-making method of lithographic printing plate precursor |
JP5243072B2 (ja) | 2007-03-30 | 2013-07-24 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、並びに、それを用いた画像記録方法及び画像記録物 |
JP5046744B2 (ja) | 2007-05-18 | 2012-10-10 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版、及びそれを用いた印刷方法 |
JP5376844B2 (ja) | 2007-06-21 | 2013-12-25 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版および平版印刷方法 |
US8426102B2 (en) | 2007-06-22 | 2013-04-23 | Fujifilm Corporation | Lithographic printing plate precursor and plate making method |
JP5247261B2 (ja) | 2007-07-02 | 2013-07-24 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版、及びそれを用いた印刷方法 |
JP5213375B2 (ja) | 2007-07-13 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 顔料分散液、硬化性組成物、それを用いるカラーフィルタ及び固体撮像素子 |
JP2009091555A (ja) | 2007-09-18 | 2009-04-30 | Fujifilm Corp | 硬化性組成物、画像形成材料及び平版印刷版原版 |
JP2009069761A (ja) | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Fujifilm Corp | 平版印刷版の製版方法 |
JP2009085984A (ja) | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 平版印刷版原版 |
JP4890403B2 (ja) | 2007-09-27 | 2012-03-07 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
JP2009083106A (ja) | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 平版印刷版用版面保護剤及び平版印刷版の製版方法 |
JP5111039B2 (ja) | 2007-09-27 | 2012-12-26 | 富士フイルム株式会社 | 重合性化合物、重合開始剤、および染料を含有する光硬化性組成物 |
JP4994175B2 (ja) | 2007-09-28 | 2012-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版、及びそれに用いる共重合体の製造方法 |
JP4951454B2 (ja) | 2007-09-28 | 2012-06-13 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版の作成方法 |
JP2009098688A (ja) | 2007-09-28 | 2009-05-07 | Fujifilm Corp | 平版印刷版原版、平版印刷版の作製方法および平版印刷方法 |
JP5244518B2 (ja) | 2007-09-28 | 2013-07-24 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版及び平版印刷版の作製方法 |
JP5002399B2 (ja) | 2007-09-28 | 2012-08-15 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版の処理方法 |
JP4790682B2 (ja) | 2007-09-28 | 2011-10-12 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
JP5265165B2 (ja) | 2007-09-28 | 2013-08-14 | 富士フイルム株式会社 | 塗布装置及びこれを用いるインクジェット記録装置 |
JP5227560B2 (ja) | 2007-09-28 | 2013-07-03 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、及び、成形印刷物の製造方法 |
JP4898618B2 (ja) | 2007-09-28 | 2012-03-21 | 富士フイルム株式会社 | インクジェット記録方法 |
JP5055077B2 (ja) | 2007-09-28 | 2012-10-24 | 富士フイルム株式会社 | 画像形成方法および平版印刷版原版 |
DE602008001931D1 (de) | 2007-09-28 | 2010-09-09 | Fujifilm Corp | Negatives lichtempfindliches Material und negativer planographischer Druckplattenvorläufer |
JP5322537B2 (ja) | 2007-10-29 | 2013-10-23 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
EP2218519A4 (en) | 2007-11-14 | 2012-03-21 | Fujifilm Corp | METHOD FOR DRYING A COATING FILM AND METHOD FOR PRODUCING A PRECURSOR FOR A LITHOGRAPHIC PRINTING PLATE |
US8240838B2 (en) | 2007-11-29 | 2012-08-14 | Fujifilm Corporation | Ink composition for inkjet recording, inkjet recording method, and printed material |
JP2009139852A (ja) | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Fujifilm Corp | 平版印刷版の作製方法及び平版印刷版原版 |
JP5066452B2 (ja) | 2008-01-09 | 2012-11-07 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版用現像処理方法 |
JP2009186997A (ja) | 2008-01-11 | 2009-08-20 | Fujifilm Corp | 平版印刷版原版、平版印刷版の作製方法及び平版印刷版方法 |
JP5155677B2 (ja) | 2008-01-22 | 2013-03-06 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版、およびその製版方法 |
JP5371449B2 (ja) | 2008-01-31 | 2013-12-18 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂、顔料分散液、着色硬化性組成物、これを用いたカラーフィルタ及びその製造方法 |
JP2009184188A (ja) | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Fujifilm Corp | 平版印刷版原版および印刷方法 |
JP5150287B2 (ja) | 2008-02-06 | 2013-02-20 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版の作製方法及び平版印刷版原版 |
JP5254632B2 (ja) | 2008-02-07 | 2013-08-07 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、及び、成形印刷物 |
US20090214797A1 (en) | 2008-02-25 | 2009-08-27 | Fujifilm Corporation | Inkjet ink composition, and inkjet recording method and printed material employing same |
JP5448352B2 (ja) | 2008-03-10 | 2014-03-19 | 富士フイルム株式会社 | 着色硬化性組成物、カラーフィルタ、及び、固体撮像素子 |
JP5175582B2 (ja) | 2008-03-10 | 2013-04-03 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版の作製方法 |
JP5583329B2 (ja) | 2008-03-11 | 2014-09-03 | 富士フイルム株式会社 | 顔料組成物、インク組成物、印刷物、インクジェット記録方法、及びポリアリルアミン誘導体 |
JP2009214428A (ja) | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Fujifilm Corp | 平版印刷版原版および平版印刷方法 |
JP5334624B2 (ja) | 2008-03-17 | 2013-11-06 | 富士フイルム株式会社 | 着色硬化性組成物、カラーフィルタ、及びカラーフィルタの製造方法 |
JP4940174B2 (ja) | 2008-03-21 | 2012-05-30 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版用自動現像装置 |
JP2009229771A (ja) | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Fujifilm Corp | 平版印刷版用自動現像方法 |
JP2009236942A (ja) | 2008-03-25 | 2009-10-15 | Fujifilm Corp | 平版印刷版原版及びその製版方法 |
JP5422146B2 (ja) | 2008-03-25 | 2014-02-19 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版作成用処理液および平版印刷版原版の処理方法 |
JP2009236355A (ja) | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Fujifilm Corp | 乾燥方法及び装置 |
JP4914862B2 (ja) | 2008-03-26 | 2012-04-11 | 富士フイルム株式会社 | インクジェット記録方法、及び、インクジェット記録装置 |
EP2105298B1 (en) | 2008-03-28 | 2014-03-19 | FUJIFILM Corporation | Negative-working lithographic printing plate precursor and method of lithographic printing using same |
JP5535444B2 (ja) | 2008-03-28 | 2014-07-02 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子用緑色硬化性組成物、固体撮像素子用カラーフィルタ及びその製造方法 |
JP5137662B2 (ja) | 2008-03-31 | 2013-02-06 | 富士フイルム株式会社 | 硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法、並びに固体撮像素子 |
JP5528677B2 (ja) | 2008-03-31 | 2014-06-25 | 富士フイルム株式会社 | 重合性組成物、固体撮像素子用遮光性カラーフィルタ、固体撮像素子および固体撮像素子用遮光性カラーフィルタの製造方法 |
JP5164640B2 (ja) | 2008-04-02 | 2013-03-21 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
US20090260531A1 (en) | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Fujifilm Corporation | Aluminum alloy plate for lithographic printing plate, lithographic printing plate support, presensitized plate, method of manufacturing aluminum alloy plate for lithographic printing plate and method of manufacturing lithographic printing plate support |
KR101441998B1 (ko) | 2008-04-25 | 2014-09-18 | 후지필름 가부시키가이샤 | 중합성 조성물, 차광성 컬러필터, 흑색 경화성 조성물, 고체촬상소자용 차광성 컬러필터와 그 제조 방법, 및 고체촬상소자 |
JP5414367B2 (ja) | 2008-06-02 | 2014-02-12 | 富士フイルム株式会社 | 顔料分散物及びそれを用いたインク組成物 |
JP5296434B2 (ja) | 2008-07-16 | 2013-09-25 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版用原版 |
JP5106285B2 (ja) | 2008-07-16 | 2012-12-26 | 富士フイルム株式会社 | 光硬化性組成物、インク組成物、及び該インク組成物を用いたインクジェット記録方法 |
JP5268588B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2013-08-21 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤 |
JP5274151B2 (ja) | 2008-08-21 | 2013-08-28 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、カラーフィルタ及びその製造方法、並びに、固体撮像素子 |
JP5444933B2 (ja) | 2008-08-29 | 2014-03-19 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型平版印刷版原版及びそれを用いる平版印刷方法 |
JP5183380B2 (ja) | 2008-09-09 | 2013-04-17 | 富士フイルム株式会社 | 赤外線レーザ用感光性平版印刷版原版 |
JP5383133B2 (ja) | 2008-09-19 | 2014-01-08 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、インクジェット記録方法及び印刷物成形体の製造方法 |
JP5408942B2 (ja) | 2008-09-22 | 2014-02-05 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版および製版方法 |
JP5449898B2 (ja) | 2008-09-22 | 2014-03-19 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版、及びそれを用いた印刷方法 |
JP2010102330A (ja) | 2008-09-24 | 2010-05-06 | Fujifilm Corp | 平版印刷版の作製方法 |
JP2010077228A (ja) | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Fujifilm Corp | インク組成物、インクジェット記録方法、及び、印刷物 |
EP2169018B1 (en) | 2008-09-26 | 2012-01-18 | Fujifilm Corporation | Ink composition and inkjet recording method |
JP5079653B2 (ja) | 2008-09-29 | 2012-11-21 | 富士フイルム株式会社 | 着色硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法、並びに固体撮像素子 |
JP5461809B2 (ja) | 2008-09-29 | 2014-04-02 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、及び、インクジェット記録方法 |
JP5171514B2 (ja) | 2008-09-29 | 2013-03-27 | 富士フイルム株式会社 | 着色硬化性組成物、カラーフィルタ、及びカラーフィルタの製造方法 |
JP5127651B2 (ja) | 2008-09-30 | 2013-01-23 | 富士フイルム株式会社 | 着色硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法、並びに固体撮像素子 |
JP5660268B2 (ja) | 2008-09-30 | 2015-01-28 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版、平版印刷版の製版方法及び重合性モノマー |
JP5340102B2 (ja) | 2008-10-03 | 2013-11-13 | 富士フイルム株式会社 | 分散組成物、重合性組成物、遮光性カラーフィルタ、固体撮像素子、液晶表示装置、ウェハレベルレンズ、及び撮像ユニット |
TWI465844B (zh) * | 2008-10-08 | 2014-12-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 光阻組成物,光阻圖型之形成方法,化合物,及酸產生劑 |
JP5398246B2 (ja) * | 2008-12-10 | 2014-01-29 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP2010180330A (ja) | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Fujifilm Corp | 非水系インク、インクセット、画像記録方法、画像記録装置、および記録物 |
JP5350827B2 (ja) | 2009-02-09 | 2013-11-27 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、及び、インクジェット記録方法 |
JP2010221692A (ja) | 2009-02-26 | 2010-10-07 | Fujifilm Corp | 平版印刷版原版及びその製版方法 |
JP5349095B2 (ja) | 2009-03-17 | 2013-11-20 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、及び、インクジェット記録方法 |
JP5349097B2 (ja) | 2009-03-19 | 2013-11-20 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、及び、成形印刷物の製造方法 |
JP5292156B2 (ja) | 2009-03-30 | 2013-09-18 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版及びその製版方法 |
JP5383289B2 (ja) | 2009-03-31 | 2014-01-08 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、インクジェット用であるインク組成物、インクジェット記録方法、およびインクジェット法による印刷物 |
JP5572026B2 (ja) | 2009-09-18 | 2014-08-13 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、及び、インクジェット記録方法 |
EP2481603A4 (en) | 2009-09-24 | 2015-11-18 | Fujifilm Corp | LITHOGRAPHIC ORIGINAL PRESSURE PLATE |
JP5530141B2 (ja) | 2009-09-29 | 2014-06-25 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物及びインクジェット記録方法 |
JP2011073211A (ja) | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Fujifilm Corp | 平版印刷版原版の製造方法 |
JP2011148292A (ja) | 2009-12-25 | 2011-08-04 | Fujifilm Corp | 平版印刷版原版及びその製版方法 |
JP5322963B2 (ja) | 2010-01-29 | 2013-10-23 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版及び平版印刷版の作製方法 |
JP5537980B2 (ja) | 2010-02-12 | 2014-07-02 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版及びその製版方法 |
US8828648B2 (en) | 2010-02-17 | 2014-09-09 | Fujifilm Corporation | Method for producing a planographic printing plate |
BR112012023662A2 (pt) | 2010-03-19 | 2016-08-16 | Fujifilm Corp | composição fotossensível à coloração, precursor de chapa de impressão litográfica e método de fabricação de chapa |
BR112012024549A2 (pt) | 2010-03-26 | 2016-05-31 | Fujifilm Corp | precursor placa impressão litográfica e método de produção do mesmo |
EP2554395B1 (en) | 2010-03-26 | 2016-04-27 | FUJIFILM Corporation | Master planographic printing plate and manufacturing method therefor |
BR112012024695A2 (pt) | 2010-03-30 | 2020-11-24 | Fujifilm Corporation | método de produção de placa de impressão litográfica |
JP5791874B2 (ja) | 2010-03-31 | 2015-10-07 | 富士フイルム株式会社 | 着色組成物、インクジェット用インク、カラーフィルタ及びその製造方法、固体撮像素子、並びに表示装置 |
EP2555054B1 (en) | 2010-03-31 | 2018-06-20 | FUJIFILM Corporation | Method for manufacturing a lithographic printing plate and printing method |
JP5246220B2 (ja) * | 2010-08-23 | 2013-07-24 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 |
EP2610067B1 (en) | 2010-08-27 | 2014-11-26 | FUJIFILM Corporation | Master planographic printing plate for on-press development, and plate-making method using said master planographic printing plate |
JP5789448B2 (ja) | 2010-08-31 | 2015-10-07 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版及びその製版方法 |
JP5656784B2 (ja) | 2010-09-24 | 2015-01-21 | 富士フイルム株式会社 | 重合性組成物及びそれを用いた平版印刷版原版、並びに平版印刷方法 |
JP5286350B2 (ja) | 2010-12-28 | 2013-09-11 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版、その製版方法、及び、その平版印刷方法 |
JP5205505B2 (ja) | 2010-12-28 | 2013-06-05 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版及びその平版印刷方法 |
EP3001249B1 (en) | 2011-02-28 | 2019-12-25 | FUJIFILM Corporation | Lithographic printing plate precursors and processes for preparing lithographic printing plates |
JP5244987B2 (ja) | 2011-02-28 | 2013-07-24 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版及びその製版方法 |
JP5417364B2 (ja) | 2011-03-08 | 2014-02-12 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子用硬化性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法 |
JP5651538B2 (ja) | 2011-05-31 | 2015-01-14 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版及びその製版方法 |
JP5949250B2 (ja) * | 2011-07-26 | 2016-07-06 | 住友化学株式会社 | 塩及びレジスト組成物 |
BR112014002574A2 (ja) | 2011-08-22 | 2019-12-17 | Fujifilm Corp | A manufacturing method of a planographic printing original plate and a lithographic printing plate |
JP5432960B2 (ja) | 2011-08-24 | 2014-03-05 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版及び平版印刷版の作製方法 |
JP5514781B2 (ja) | 2011-08-31 | 2014-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版及びこれを用いた平版印刷版の作成方法 |
JP5602195B2 (ja) | 2011-09-27 | 2014-10-08 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版及び平版印刷版の作製方法 |
JP5690696B2 (ja) | 2011-09-28 | 2015-03-25 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版の製版方法 |
JP5740275B2 (ja) | 2011-09-30 | 2015-06-24 | 富士フイルム株式会社 | 機上現像型の平版印刷版原版を用いる印刷方法 |
JP5976523B2 (ja) | 2011-12-28 | 2016-08-23 | 富士フイルム株式会社 | 光学部材セット及びこれを用いた固体撮像素子 |
JP5922013B2 (ja) | 2011-12-28 | 2016-05-24 | 富士フイルム株式会社 | 光学部材セット及びこれを用いた固体撮像素子 |
WO2013125323A1 (ja) | 2012-02-23 | 2013-08-29 | 富士フイルム株式会社 | 発色性組成物、発色性硬化組成物、平版印刷版原版及び製版方法、並びに発色性化合物 |
JP5490168B2 (ja) | 2012-03-23 | 2014-05-14 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版及び平版印刷版の作製方法 |
JP5579217B2 (ja) | 2012-03-27 | 2014-08-27 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
EP2644664B1 (en) | 2012-03-29 | 2015-07-29 | Fujifilm Corporation | Actinic radiation-curing type ink composition, inkjet recording method, decorative sheet, decorative sheet molded product, process for producing in-mold molded article, and in-mold molded article |
JP5512730B2 (ja) | 2012-03-30 | 2014-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版の作製方法 |
WO2014002835A1 (ja) | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 富士フイルム株式会社 | 現像処理廃液濃縮方法及び現像処理廃液のリサイクル方法 |
JP5699112B2 (ja) | 2012-07-27 | 2015-04-08 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版及びその製版方法 |
CN104619512A (zh) | 2012-09-20 | 2015-05-13 | 富士胶片株式会社 | 平版印刷版原版及制版方法 |
WO2014050435A1 (ja) | 2012-09-26 | 2014-04-03 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版及び製版方法 |
BR112015006131A2 (ja) | 2012-09-26 | 2019-11-19 | Fujifilm Corp | A platemaking method of a planographic printing original plate and a lithographic printing plate |
WO2014104136A1 (ja) | 2012-12-28 | 2014-07-03 | 富士フイルム株式会社 | 赤外線反射膜形成用の硬化性樹脂組成物、赤外線反射膜及びその製造方法、並びに赤外線カットフィルタ及びこれを用いた固体撮像素子 |
CN104884537A (zh) | 2012-12-28 | 2015-09-02 | 富士胶片株式会社 | 硬化性树脂组合物、红外线截止滤波器及使用其的固体摄影元件 |
EP2963495B1 (en) | 2013-02-27 | 2019-06-05 | FUJIFILM Corporation | Infrared-sensitive chromogenic composition, infrared-curable chromogenic composition, lithographic printing plate precursor, and plate formation method |
JP5980702B2 (ja) | 2013-03-07 | 2016-08-31 | 富士フイルム株式会社 | インクジェットインク組成物、インクジェット記録方法、及び、成型印刷物の製造方法 |
JP5939644B2 (ja) | 2013-08-30 | 2016-06-22 | 富士フイルム株式会社 | 画像形成方法、インモールド成型品の製造方法、及び、インクセット |
EP3088201B1 (en) | 2014-02-04 | 2019-01-16 | Fujifilm Corporation | Lithographic printing plate precursor, manufacturing method therefor, plate manufacturing method for lithographic printing plate, and printing method |
JP6991785B2 (ja) * | 2016-09-07 | 2022-01-13 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6621961B2 (ja) | 2017-02-28 | 2019-12-18 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版の作製方法 |
JP7484846B2 (ja) * | 2020-09-28 | 2024-05-16 | 信越化学工業株式会社 | 分子レジスト組成物及びパターン形成方法 |
WO2023032545A1 (ja) | 2021-08-31 | 2023-03-09 | 富士フイルム株式会社 | 硬化物の製造方法、積層体の製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法、並びに、処理液 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL278039A (ja) * | 1961-05-05 | |||
US3502710A (en) * | 1963-11-07 | 1970-03-24 | Dow Chemical Co | Water-soluble sulfonium derivatives of diphenyl ether |
US3359322A (en) * | 1966-05-11 | 1967-12-19 | Monsanto Co | Sulfonium ylids |
US3641065A (en) * | 1969-02-03 | 1972-02-08 | Merck & Co Inc | Method for the preparation of (cis-1 2 - epoxypropyl)phosphonic acid derivatives |
US3739012A (en) * | 1971-02-16 | 1973-06-12 | K Ratts | Dimethylsulfonium - 2-((alkoxycarbonyl)carbonyl)phenacylides and derivatives thereof |
US4093663A (en) * | 1973-11-15 | 1978-06-06 | The Dow Chemical Company | Novel onium surfactants |
US4058400A (en) * | 1974-05-02 | 1977-11-15 | General Electric Company | Cationically polymerizable compositions containing group VIa onium salts |
US4161478A (en) * | 1974-05-02 | 1979-07-17 | General Electric Company | Photoinitiators |
JPS5430138A (en) * | 1977-08-08 | 1979-03-06 | Sankyo Co Ltd | Cyclopropane carboxylate and its preparation |
FR2570844B1 (fr) * | 1984-09-21 | 1986-11-14 | Commissariat Energie Atomique | Film photosensible a base de polymere silicie et son utilisation comme resine de masquage dans un procede de lithographie |
DE3604580A1 (de) * | 1986-02-14 | 1987-08-20 | Basf Ag | Haertbare mischungen, enthaltend n-sulfonylaminosulfoniumsalze als kationisch wirksame katalysatoren |
US4689289A (en) * | 1986-04-30 | 1987-08-25 | General Electric Company | Block polymer compositions |
JPH06104656B2 (ja) * | 1986-06-26 | 1994-12-21 | 三新化学工業株式会社 | スルホニウム化合物およびその製造方法 |
US4760013A (en) * | 1987-02-17 | 1988-07-26 | International Business Machines Corporation | Sulfonium salt photoinitiators |
DE3721741A1 (de) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien |
US4933377A (en) * | 1988-02-29 | 1990-06-12 | Saeva Franklin D | Novel sulfonium salts and the use thereof as photoinitiators |
US4882201A (en) * | 1988-03-21 | 1989-11-21 | General Electric Company | Non-toxic aryl onium salts, UV curable coating compositions and food packaging use |
-
1987
- 1987-07-01 DE DE19873721740 patent/DE3721740A1/de not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-06-24 DE DE8888110061T patent/DE3861833D1/de not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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