JPH05255347A - スルホニウム錯体またはオキソスルホニウム錯体 - Google Patents

スルホニウム錯体またはオキソスルホニウム錯体

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JPH05255347A
JPH05255347A JP4089535A JP8953592A JPH05255347A JP H05255347 A JPH05255347 A JP H05255347A JP 4089535 A JP4089535 A JP 4089535A JP 8953592 A JP8953592 A JP 8953592A JP H05255347 A JPH05255347 A JP H05255347A
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 光および/または熱エネルギーの付与により
活性なラジカルを発生するスルホニウム錯体またはオキ
ソスルホニウム錯体に関する。 【構成】 一般式(1)で表される錯体。 (ただしRおよびRはアリール基を、Rはフェナ
シル基、ベンジル基もしくはアリル基を、Rは酸素原
子もしくは孤立電子対を、R〜Rはアルキル基、ア
リール基、アルケニル基、アルキニル基、脂環基より選
ばれる基を示し、R〜R全てが同時にアリール基と
なることはない。) 【効果】 一般式(1)の錯体は、スルホニウムカチオ
ンまたはオキソスルホニウムカチオン上の置換基とし
て、フェナシル基、ベンジル基もしくはアリル基を導入
することによって、光および/または熱エネルギーの付
与により、効率よくフリーラジカルを発生する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光および/または熱エ
ネルギーの付与により活性なラジカルを効率よく発生す
る新規なスルホニウム錯体またはオキソスルホニウム錯
体に関する。さらに詳しくは、重合性物質の重合開始剤
として著しく良好な効果を有し、水銀灯やレーザ等の各
種光源による光エネルギーおよび/または加熱やサーマ
ルヘッド等による熱エネルギーの付与により、高感度を
必要とする各種刷版材料、ホログラム材料やマイクロカ
プセルを利用した各種記録媒体やインキ、接着剤、粘着
剤、粘接着剤、封止剤等の良好な物性をもった重合物や
硬化物の形成に有用なスルホニウム錯体またはオキソス
ルホニウム錯体に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、さまざまなスルホニウム錯体およ
びオキソスルホニウム錯体の合成が多数報告されてお
り、これについては日本化学会編、新実験化学講座、第
14巻、1838頁(1978年、丸善)や大饗茂編、
有機硫黄化学(合成反応編)、237頁(1982年、
化学同人)、B.M.Trost およびL.S.Melvin,Jr 著、「Su
lfer Ylides 」、6頁、(1975年、Academic PRES
S)等にまとめられている。特にジアリールスルホニウ
ム錯体については、日本化学会誌、第87巻、第5号、
456頁(1966年)にはジアリールスルホニウム錯
体が、日本化学会誌、第87巻、第10号、1969頁
(1966年)にはジフェニルスルホニウム錯体が、ジ
ャーナル・オブ・ケミカル・ソサエティー(J.Chem.So
c. )、(C)、682頁(1970年)にはジアリー
ル(アリールオキシ)スルホニウム錯体が報告されてい
る。さらに、ヨーロッパ特許、第35969号にいくつ
かの(ジアリール)オキソスルホニウム錯体が開示され
ている。
【0003】しかしながら、これらの文献や特許に報告
されているジアリールスルホニウム錯体およびジアリー
ルオキソスルホニウム錯体はいずれも、そのアニオン部
はハロゲン原子、NO3 、BF4 、PF6 、SbF6
SbCl6 、AsF6 、ClO4 、HgI3 等の無機系
アニオンもしくはトリフルオロメチル硫酸、p−トルエ
ンスルホネート、ベンゾエート等のスルホン酸もしくは
カルボン酸等の有機酸のアニオンであり、アニオン部が
有機ホウ素アニオンからなるジアリールスルホニウム錯
体またはジアリールオキソスルホニウム錯体としては、
特開平2−177760号公報のジアリールおよびトリ
アリールスルホニウムボレート錯体が知られているのみ
であり、下記一般式(1)のようなスルホニウム錯体な
らびにオキソスルホニウム錯体はいずれも知られていな
い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光お
よび/または熱エネルギーの付与により効率よく活性な
ラジカルを発生するスルホニウム錯体およびオキソスル
ホニウム錯体を提案することにある。さらに詳しくは、
重合性物質の重合開始剤として著しく良好な効果を有
し、水銀灯やレーザ等の各種光源による光エネルギーお
よび/または加熱やサーマルヘッド等による熱エネルギ
ーの付与により、高感度を必要とする各種刷版材料、ホ
ログラム材料やマイクロカプセルを利用した各種記録媒
体や印刷インキ、接着剤、粘着剤、粘接着剤、封止剤等
の良好な物性をもった重合物や硬化物の形成に有用なス
ルホニウム錯体またはオキソスルホニウム錯体を提供す
ることにある。
【0005】アニオン部が有機ホウ素アニオンからなる
ジアリールスルホニウム錯体は、特開平2−17776
0号公報のジアリールおよびトリアリールスルホニウム
ボレート錯体が知られているが、これらはいずれもその
還元電位が低いため効率よくラジカルを発生せず感度的
に不十分であること等が問題点としてあげられる。そこ
で、これらの諸問題を解決できる重合開始剤の開発が望
まれていた。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、以上の諸
問題点を考慮し解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発
明に至った。即ち、本発明は、光および/または熱エネ
ルギーの付与により活性なラジカルを発生することを特
徴とする一般式(1)で表されるスルホニウム錯体また
はオキソスルホニウム錯体である。 一般式(1) (ただしR1 およびR2 は置換基を有してもよいアリー
ル基を、R3 は置換基を有してもよいフェナシル基、置
換基を有してもよいベンジル基もしくは置換基を有して
もよいアリル基を、R4 は酸素原子もしくは孤立電子対
を、R5 、R6 、R7 およびR8 はそれぞれ独立に、置
換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
アリール基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換
基を有してもよいアルキニル基、置換基を有してもよい
脂環基より選ばれる基を示し、R5、R6 、R7 および
8 全てが同時に置換基を有してもよいアリール基とな
ることはない。)
【0007】一般式(1)のR1 およびR2 は置換基を
有してもよいアリール基であり、例えば、フェニル基、
p−トリル基、キシリル基、クメニル基、ナフチル基、
アンスリル基、フェナントリル基等が挙げられ、これら
の基の水素原子はさらに他の置換基で置換されていても
良く、そのような置換基としては、例えば、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン基、
メトキシ基、エトキシ基、tert−ブトキシ基等のア
ルコキシ基、フェノキシ基、p−トリルオキシ基等のア
リールオキシ基、メトキシカルボニル基、ブトキシカル
ボニル基、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基等のエス
テル基、アセチル基、イソブチリル基、アクリロイル
基、メタクリロイル基、メトキサリル基、フェナシル基
等のアシル基、メチルチオ基、tert−ブチルチオ基
等のアルキルチオ基、フェニルチオ基、p−トリルチオ
基等のアリールチオ基、メチルアミノ基、シクロヘキシ
ルアミノ基等のアルキルアミノ基、ジメチルアミノ基、
ジエチルアミノ基、モルホリノ基、ピペリジノ基等のジ
アルキルアミノ基、フェニルアミノ基、p−トリルアミ
ノ基等のアリールアミノ基、メチル基、エチル基、te
rt−ブチル基、ドデシル基等のアルキル基、フェニル
基、p−トリル基、キシリル基、クメニル基、ナフチル
基、アンスリル基、フェナントリル基等のアリール基等
の他、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ホルミル基、メル
カプト基、スルホ基、メシル基、p−トルエンスルホニ
ル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメ
チル基、トリクロロメチル基、トリメチルシリル基、ホ
スフィニコ基、ホスホノ基、トリメチルアンモニウミル
基、ジメチルスルホニウミル基、トリフェニルフェナシ
ルホスホニウミル基等が挙げられる。
【0008】また一般式(1)のR3 は、置換基を有し
てもよいフェナシル基、置換基を有してもよいベンジル
基もしくは置換基を有してもよいアリル基のいずれかで
あり、このような置換基を有してもよいフェナシル基と
しては、例えば、フェナシル基、p−クロロフェナシル
基、p−ブロモフェナシル基、p−シアノフェナシル
基、p−ニトロフェナシル基、m−メトキシフェナシル
基等が、また置換基を有してもよいベンジル基として
は、例えば、ベンジル基、p−クロロベンジル基、p−
ブロモベンジル基、p−シアノベンジル基、m−ニトロ
ベンジル基、p−ニトロベンジル基、アニシル基等が、
また置換基を有してもよいアリル基としては、例えば、
アリル基、シンナミル基、2−ブテニル基、3,3−ジ
シアノ−2−フェニル−2−プロペニル基、3,3−ビ
ス(メトキシカルボニル)−2−フェニル−2−プロペ
ニル基等が挙げられ、これらの基の水素原子はさらに他
の置換基で置換されていても良く、そのような置換基と
しては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子等のハロゲン基、メトキシ基、tert−ブト
キシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、p−トリルオ
キシ基等のアリールオキシ基、ブトキシカルボニル基、
アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基等のエステル基、ア
セチル基、アクリロイル基、メトキサリル基等のアシル
基、メチルチオ基、tert−ブチルチオ基等のアルキ
ルチオ基、フェニルチオ基、p−トリルチオ基等のアリ
ールチオ基、メチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基
等のアルキルアミノ基、ジエチルアミノ基、モルホリノ
基等のジアルキルアミノ基、フェニルアミノ基、p−ト
リルアミノ基等のアリールアミノ基、メチル基、ter
t−ブチル基、ドデシル基等のアルキル基、フェニル
基、p−トリル基等のアリール基等の他、ヒドロキシ
基、カルボキシ基、メルカプト基、スルホ基、メシル
基、p−トルエンスルホニル基、ニトロ基、シアノ基、
トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリメチ
ルシリル基、ホスフィニコ基、ホスホノ基、トリメチル
アンモニウミル基、ジメチルスルホニウミル基、トリフ
ェニルフェナシルホスホニウミル基等が挙げられる。
【0009】また、一般式(1)のR5 、R6 、R7
よびR8 の置換基を有してもよいアルキル基、置換基を
有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルケ
ニル基、置換基を有してもよいアルキニル基、置換基を
有してもよい脂環基より選ばれる基を示し、このような
置換基を有してもよいアルキル基としては、メチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イ
ソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデ
シル基、オクタデシル基等が、置換基を有してもよいア
リール基としては、フェニル基、p−トリル基、キシリ
ル基、メシチル基、クメニル基等が、置換基を有しても
よいアルケニル基としては、ビニル基、1−プロペニル
基、イソプロペニル基、1−ブテニル基等が、置換基を
有してもよいアルキニル基としては、エチニル基、1−
ヘキシニル基、1−プロピニル基等が、置換基を有して
もよい脂環基としては、シクロヘキシル基、シクロペン
チル基、シクロヘキセニル基、ノルボルニル基、ボルニ
ル基、メンチル基、ピナニル基、アダマンチル基等が挙
げられ、これらの基の水素原子はさらに他の置換基で置
換されていても良く、そのような置換基としては、例え
ば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等の
ハロゲン基、メトキシ基、tert−ブトキシ基等のア
ルコキシ基、フェノキシ基、メチル基、tert−ブチ
ル基、ドデシル基等のアルキル基、フェニル基、p−ト
リル基等のアリール基等の他、メシル基、p−トルエン
スルホニル基、トリフルオロメチル基等が挙げられる。
【0010】また、一般式(1)におけるボレートアニ
オン上の置換基R5 が置換基を有してもよいアルキル基
であり、R6 、R7 およびR8 が置換基を有してもよい
アリール基である構造であると、ボレートアニオン上の
置換基R5 、すなわち置換基を有してもよいアルキル基
が優先的かつ効率的に開裂してラジカルを発生すると考
えられ、重合開始剤として用いる場合、著しい感度の向
上が認められる。
【0011】一方、R5 、R6 、R7 およびR8 全てが
同時に置換基を有してもよいアリール基となると、ボレ
ートアニオンが効率的に開裂せず、重合開始剤として用
いる場合、このような構造は好ましくない。
【0012】したがって本発明に該当するスルホニウム
錯体およびオキソスルホニウム錯体の具体例としては、
カチオン部がジフェニルフェナシルスルホニウム、ビス
(p−tert−ブチルフェニル)フェナシルスルホニ
ウム、ビス(p−クロロフェニル)フェナシルスルホニ
ウム、ジフェニル(p−クロロフェナシル)スルホニウ
ム、ジフェニル(p−ニトロフェナシル)スルホニウ
ム、ジフェニル(m−メトキシフェナシル)スルホニウ
ム、ジフェニル(p−シアノフェナシル)スルホニウ
ム、ジフェニル[(1−ナフチル)カルボニルメチル]
スルホニウム、ジフェニルベンジルスルホニウム、ビス
(p−tert−ブチルフェニル)ベンジルスルホニウ
ム、ビス(p−クロロフェニル)ベンジルスルホニウ
ム、ジフェニル(p−クロロベンジル)スルホニウム、
ジフェニル(p−ニトロベンジル)スルホニウム、ジフ
ェニル(p−シアノベンジル)スルホニウム、ジフェニ
ル[(1−ナフチル)メチル]スルホニウム、ジフェニ
ルアリルスルホニウム、ビス(p−tert−ブチルフ
ェニル)アリルスルホニウム、ビス(p−クロロフェニ
ル)アリルスルホニウム、ジフェニル(3,3−ジシア
ノ−2−フェニル−2−プロペニル)スルホニウム、ジ
フェニル[3,3−ビス(メトキシカルボニル)−2−
フェニル−2−プロペニル]スルホニウム、ジフェニル
(3,3−ジシアノ−2−メチル−2−プロペニル)ス
ルホニウム、ジフェニルフェナシルオキソスルホニウ
ム、ビス(p−tert−ブチルフェニル)フェナシル
オキソスルホニウム、ジフェニル(p−クロロフェナシ
ル)オキソスルホニウム、ジフェニル(p−シアノフェ
ナシル)オキソスルホニウム、ジフェニル[(1−ナフ
チル)カルボニルメチル]オキソスルホニウム、ジフェ
ニルベンジルオキソスルホニウム、ビス(p−クロロフ
ェニル)ベンジルオキソスルホニウム、ジフェニル(p
−シアノベンジル)オキソスルホニウム、ジフェニルア
リルオキソスルホニウム、ビス(p−tert−ブチル
フェニル)アリルオキソスルホニウム、ジフェニル
(3,3−ジシアノ−2−フェニル−2−プロペニル)
オキソスルホニウム、ジフェニル[3,3−ビス(メト
キシカルボニル)−2−フェニル−2−プロペニル]オ
キソスルホニウム等の各スルホニウムカチオンまたはオ
キソスルホニウムカチオンと、アニオン部がtert−
ブチルトリエチルボレート、フェニルトリエチルボレー
ト、トリブチルベンジルボレート、ジエチルジブチルボ
レート、ジブチルジフェニルボレート、メチルトリフェ
ニルボレート、エチルトリフェニルボレート、プロピル
トリフェニルボレート、イソプロピルトリフェニルボレ
ート、ブチルトリフェニルボレート、sec−ブチルト
リフェニルボレート、tert−ブチルトリフェニルボ
レート、ドデシルトリフェニルボレート、ベンジルトリ
フェニルボレート、ビニルトリフェニルボレート、エチ
ニルトリフェニルボレート、ブチルトリメシチルボレー
ト、ブチルトリス(p−メトキシフェニル)ボレート、
ブチルトリス(p−フルオロフェニル)ボレート、ブチ
ルトリス(p−ブロモフェニル)ボレート、sec−ブ
チルトリス(p−メトキシフェニル)ボレート、sec
−ブチルトリス(p−フルオロフェニル)ボレート、t
ert−ブチルトリス(p−ブロモフェニル)ボレー
ト、ブチルトリス[3,5−ビス(トリフルオロメチ
ル)フェニル]ボレート等の各ボレートアニオンとの組
み合わせより構成されるスルホニウム錯体およびオキソ
スルホニウム錯体が挙げられるが、本発明はこれらの例
に限定されるわけではない。
【0013】本発明の一般式(1)のスルホニウム錯体
またはオキソスルホニウム錯体は、一般式(2)のスル
ホニウム錯体またはオキソスルホニウム錯体と、一般式
(3)で表される有機ホウ素化合物とを所定の有機溶媒
または水、あるいは水と有機溶媒との混合溶媒中で反応
させて合成することが可能である。
【0014】一般式(2) (ただしR1 およびR2 は置換基を有してもよいアリー
ル基を、R3 は置換基を有してもよいフェナシル基、置
換基を有してもよいベンジル基もしくは置換基を有して
もよいアリル基を、R4 は酸素原子もしくは孤立電子対
を、またXはハロゲン原子、BF4 、PF6 、Sb
6 、SbCl6 、AsF6 、ClO4 等の無機系アニ
オン、ベンゾエート、メチル硫酸、トリフルオロメチル
硫酸、ベンゼンスルホネートおよびp−トルエンスルホ
ネート等の有機酸のアニオンを示す。)
【0015】一般式(3) (ただしMはアルカリ金属、アンモニウムもしくは置換
アンモニウムを、R5 、R6 、R7 およびR8 はそれぞ
れ独立に、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を
有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルケ
ニル基、置換基を有してもよいアルキニル基、置換基を
有してもよい脂環基より選ばれる基を示し、R5
6 、R7 およびR8 全てが同時に置換基を有してもよ
いアリール基となることはない。)
【0016】一般式(1)のスルホニウム錯体またはオ
キソスルホニウム錯体を合成する際の出発物質となる一
般式(2)のスルホニウム錯体またはオキソスルホニウ
ム錯体は、日本化学会編、新実験化学講座、第14巻、
1838頁(1978年、丸善)や大饗茂編、有機硫黄
化学(合成反応編)、237頁(1982年、化学同
人)、B.M.Trost およびL.S.Melvin,Jr 著、「Sulfer Y
lides 」、6頁、(1975年、Academic Press)に引
用されている文献や、さらには日本化学会誌、第87
巻、第5号、456頁(1966年)や日本化学会誌、
第87巻、第10号、1969頁(1966年)、ジャ
ーナル・オブ・ケミカル・ソサエティー(J.Chem.Soc.
)、(C)、682頁(1970年)、ヨーロッパ特
許第35969号等に記載のスルホニウム錯体およびオ
キソスルホニウム錯体を用いることが可能である。
【0017】また、一般式(1)のスルホニウム錯体ま
たはオキソスルホニウム錯体を合成する際のもう一方の
出発物質である一般式(3)で表される有機ホウ素化合
物については、リービッヒーズ・アナーレン(Liebig's
Ann. )、第563号、110頁、(1949年)、ジ
ャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー(J.Org.
Chem. )、第29巻、1971頁(1964年)、ジャ
ーナル・オブ・ケミカル・ソサエティー・パーキン2
(J.Chem.Soc.,Perkin 2)、1225頁(1978年)
等に記載の有機ホウ素化合物を用いることが可能であ
る。
【0018】この場合の溶媒としては、該溶剤に対する
原料の溶解性や目的とするスルホニウム錯体あるいはオ
キソスルホニウム錯体の性質等に応じて使い分けること
が好ましい。
【0019】例えば、原料がいずれも水溶性の場合、具
体的には原料のスルホニウム錯体あるいはオキソスルホ
ニウム錯体のアニオン部が塩素あるいは臭素で、原料の
ホウ素化合物のカチオン部がアルカリ金属の場合、反応
溶媒に水を用いると、目的とするスルホニウム錯体ある
いはオキソスルホニウム錯体は水に殆ど不溶なため、反
応系中に生成した結晶を濾過、水洗、乾燥するだけで目
的とするスルホニウム錯体あるいはオキソスルホニウム
錯体を得ることができる。またこの際、あらかじめ反応
系中に水との混和性に劣る有機溶媒であるジクロロメタ
ンやクロロホルム、酢酸エチル、ベンゼン、エーテル等
を共存させておけば、目的とするスルホニウム錯体ある
いはオキソスルホニウム錯体を生成と同時に有機層中に
抽出できる。この方法は、特に水に対し不安定であった
り結晶化しにくい油状のスルホニウム錯体あるいはオキ
ソスルホニウム錯体の合成に適している。ただしこの場
合、用いる有機溶媒が生成したスルホニウム錯体あるい
はオキソスルホニウム錯体を溶解することが必要であ
る。一方、原料のいずれかが水に対する溶解性の乏しい
場合、具体的には原料のスルホニウム錯体あるいはオキ
ソスルホニウム錯体のアニオン部がBF4 、PF6 、S
bF6 、AsF6 、ClO4 、メチル硫酸、トリフルオ
ロメチル硫酸、ベンゼンスルホネートおよびp−トルエ
ンスルホネート等であったり、原料の有機ホウ素化合物
のカチオン部が4級アンモニウム等の場合、反応溶媒は
原料に対する溶解性の高い有機溶媒あるいは水と有機溶
媒との混合溶媒を用いるのが好ましい。この際、水と相
互に混ざり合うような有機溶媒、例えば、低級アルコー
ル、アセトニトリル、アセトン、テトラヒドロフラン、
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等を用い
ると、反応終了後、過剰量の水等の目的とするスルホニ
ウム錯体あるいはオキソスルホニウム錯体を溶解しにく
い溶媒の添加により、容易に目的とするスルホニウム錯
体あるいはオキソスルホニウム錯体を結晶もしくは油状
物質の形で得ることができる。このようにして得たスル
ホニウム錯体あるいはオキソスルホニウム錯体は、通常
の目的に対してこのまま使用しても差し支えないが、有
機溶媒から再結晶化させて、さらに高純度品を得ること
も可能である。
【0020】また反応温度は、反応溶媒の融点以上で、
かつ原料もしくは生成するスルホニウム錯体あるいはオ
キソスルホニウム錯体が分解する温度以下であればどの
ような温度で反応させてもかまわないが、本反応は反応
に際し多量の熱の出入りが無いこと、また室温付近です
みやかに反応が進行することから、経済性、安全性の面
からも室温付近で反応させることが好ましい。
【0021】本発明の一般式(1)のスルホニウム錯体
もしくはオキソスルホニウム錯体は、そのFD−MSス
ペクトルが、それぞれスルホニウムカチオンまたはオキ
ソスルホニウムカチオンに由来するフラグメントピーク
を示し、また元素分析値によって、スルホニウム錯体も
しくはオキソスルホニウム錯体を構成する元素の組成を
決定できるので、これによって同定することができる。
【0022】
【作用】本発明の一般式(1)で表されるスルホニウム
錯体またはオキソスルホニウム錯体は、スルホニウムカ
チオンまたはオキソスルホニウムカチオン上に、置換基
を有してもよいフェナシル基、置換基を有してもよいベ
ンジル基もしくは置換基を有してもよいアリル基を導入
することによって、光および/または熱エネルギーの付
与により励起し分解することにより、効率よくフリーラ
ジカルを発生するものと考えられる。また、これと同時
に結晶性、有機溶剤に対する溶解性の向上が得られ、こ
れによって良好な安定性が得られる。
【0023】
【実施例】以下、実施例および参考例にて本発明を詳細
に説明するが、本発明は下記のみに限定されるものでは
ない。
【0024】実施例1 ジフェニルフェナシルスルホニウムブチルトリフェニル
ボレートの合成 ジフェニルフェナシルスルホニウムパークロレート6.
65gをアセトニトリル100mlに溶解させた溶液
に、ブチルトリフェニルほう酸リチウム5.03gをア
セトニトリル50mlに溶解させた溶液を加え、室温に
て30分撹拌した。その後、水200mlを加え沈澱し
た黄色の油状成分を分取し、ジクロロメタン100ml
を加えた。ジクロロメタン層を水洗、乾燥後、濃縮し、
白色結晶のジフェニルフェナシルスルホニウムブチルト
リフェニルボレート3.67gを得た。 融点 121〜124℃(110℃くらいから徐々に分
解) IRスペクトルを第1図に示した。 FD−MS m/z 305(( M−B( C4 9)( C
6 5)3)+ ) 元素分析 C4241BOS 理論値 C;83.43%、H;6.83% 測定値 C;83.52%、H;6.91%
【0025】実施例2 ビス(p−tert−ブチルフェニル)フェナシルスル
ホニウム(sec−ブチル)トリフェニルボレートの合
成 ビス(p−tert−ブチルフェニル)フェナシルスル
ホニウムヘキサフルオロホスフェート5.00gをアセ
トニトリル100mlに溶解させた溶液に、sec−ブ
チルトリフェニルほう酸リチウム2.61gをアセトニ
トリル50mlに溶解させた溶液を加え、室温にて30
分撹拌した。その後、水200mlを加え沈澱した黄色
の油状成分を分取し、ジクロロメタン100mlを加え
た。ジクロロメタン層を水洗、乾燥後、濃縮し、ビス
(p−tert−ブチルフェニル)フェナシルスルホニ
ウム(sec−ブチル)トリフェニルボレート4.32
gを得た。 FD−MS m/z 417(( M−B( C4 9)( C
6 5)3)+ ) 元素分析 C5057BOS 理論値 C;83.77%、H;8.01% 測定値 C;83.63%、H;8.13%
【0026】実施例3 ビス(p−トリル)(p−ニトロフェナシル)スルホニ
ウム−tert−ブチルトリス(p−メトキシフェニ
ル)ボレートの合成 ビス(p−トリル)(p−ニトロフェナシル)スルホニ
ウムヘキサフルオロホスフェート5.00gをアセトニ
トリル100mlに溶解させた溶液に、テトラメチルア
ンモニウム−tert−ブチルトリス(p−メトキシフ
ェニル)ボレート4.43gをアセトン50mlに溶解
させた溶液を加え、室温にて30分撹拌した。その後、
水200mlを加え沈澱した黄色の油状成分を分取し、
ジクロロメタン100mlを加えた。ジクロロメタン層
を水洗、乾燥後、濃縮し、ビス(p−トリル)(p−ニ
トロフェナシル)スルホニウム−tert−ブチルトリ
ス(p−メトキシフェニル)ボレート2.27gを得
た。 FD−MS m/z 378(( M−B( C4 9)( C
6 4 OCH3)3)+ ) 元素分析 C4750BNO6 S 理論値 C;73.53%、H;6.56%、N;1.
82% 測定値 C;73.42%、H;6.64%、N;1.
78%
【0027】実施例4 ビス(p−クロロフェニル)(p−メトキシフェナシ
ル)スルホニウムメチルトリス(p−フルオロフェニ
ル)ボレートの合成 ビス(p−クロロフェニル)(p−メトキシフェナシ
ル)スルホニウムヘキサフルオロホスフェート5.00
gをアセトニトリル100mlに溶解させた溶液に、メ
チルトリス(p−フルオロフェニル)ほう酸リチウム
2.80gをアセトニトリル50mlに溶解させた溶液
を加え、室温にて30分撹拌した。その後、メタノール
200mlを加え沈澱した結晶を分取し、ジクロロメタ
ン100mlを加えた。ジクロロメタン層を水洗、乾燥
後、濃縮し、ビス(p−クロロフェニル)(p−メトキ
シフェナシル)スルホニウムメチルトリス(p−フルオ
ロフェニル)ボレート3.31gを得た。 FD−MS m/z 403(( M−B( CH3)( C6
4 F)3) + ) 元素分析 C4032BCl23 2 S 理論値 C;67.15%、H;4.51% 測定値 C;67.09%、H;4.72%
【0028】実施例5 フェニル(1−ナフチル)(1−ナフチル−カルボニル
メチル)スルホニウム(2−tert−ブチルエテニ
ル)トリス(p−ブロモフェニル)ボレートの合成 フェニル(1−ナフチル)(1−ナフチル−カルボニル
メチル)スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート
6.41gをアセトニトリル100mlに溶解させた溶
液に、(2−tert−ブチルエテニル)トリス(p−
ブロモフェニル)ほう酸リチウム5.58gをアセトニ
トリル50mlに溶解させた溶液を加え、室温にて30
分撹拌した。その後、水200mlを加え沈澱した黄色
の油状成分を分取し、ジクロロメタン100mlを加え
た。ジクロロメタン層を水洗、乾燥後、濃縮し、フェニ
ル(1−ナフチル)(1−ナフチル−カルボニルメチ
ル)スルホニウム(2−tert−ブチルエテニル)ト
リス(p−ブロモフェニル)ボレート4.27gを得
た。 FD−MS m/z 405(( M−B( C6 11)(C
6 4 Br)3) + ) 元素分析 C5244BBr3 OS 理論値 C;64.55%、H;4.58% 測定値 C;64.39%、H;4.69%
【0029】実施例6 ジフェニル−p−フルオロフェナシルスルホニウム(2
−tert−ブチルエテニル)トリメシチルボレートの
合成 ジフェニル−p−フルオロフェナシルスルホニウムパー
クロレート5.00gをアセトニトリル100mlに溶
解させた溶液に、(2−tert−ブチルエテニル)ト
リメシチルほう酸ナトリウム5.59gをアセトン50
mlに溶解させた溶液を加え、室温にて30分撹拌し
た。その後、水200mlを加え沈澱した黄色の油状成
分を分取し、ジクロロメタン100mlを加えた。ジク
ロロメタン層を水洗、乾燥後、濃縮し、ジフェニル−p
−フルオロフェナシルスルホニウム(2−tert−ブ
チルエテニル)トリメシチルボレート3.11gを得
た。 FD−MS m/z 323(( M−B( C6 9)( C
6 2(CH3)3)3)+ ) 元素分析 C5358BFOS 理論値 C;82.36%、H;7.56% 測定値 C;82.19%、H;7.42%
【0030】実施例7 フェニル(9−アンスリル)(p−クロロフェナシル)
スルホニウム(tert−ブチル)トリエチルボレート
の合成 フェニル(9−アンスリル)(p−クロロフェナシル)
スルホニウムヘキサフルオロアルセネート5.00gを
アセトニトリル100mlに溶解させた溶液に、ter
t−ブチルトリエチルほう酸リチウム1.29gをアセ
トニトリル50mlに溶解させた溶液を加え、室温にて
30分撹拌した。その後、水200mlを加え沈澱した
黄色の油状成分を分取し、ジクロロメタン100mlを
加えた。ジクロロメタン層を水洗、乾燥後、濃縮し、フ
ェニル(9−アンスリル)(p−クロロフェナシル)ス
ルホニウム(tert−ブチル)トリエチルボレート
2.43gを得た。 FD−MS m/z 439(( M−B(tert-C4 9)
( C2 5)3)+ ) 元素分析 C3844BClOS 理論値 C;76.70%、H;7.45% 測定値 C;76.58%、H;7.29%
【0031】実施例8 ジフェニル(p−ブロモフェナシル)スルホニウムフェ
ニルトリブチルボレートの合成 ジフェニル(p−ブロモフェナシル)スルホニウムテト
ラフルオロボレート5.00gをアセトニトリル100
mlに溶解させた溶液に、フェニルトリブチルほう酸リ
チウム2.82gをアセトニトリル50mlに溶解させ
た溶液を加え、室温にて30分撹拌した。その後、水2
00mlを加え沈澱した黄色の油状成分を分取し、ジク
ロロメタン100mlを加えた。ジクロロメタン層を水
洗、乾燥後、濃縮し、ジフェニル(p−ブロモフェナシ
ル)スルホニウムフェニルトリブチルボレート2.23
gを得た。 FD−MS m/z 383(( M−B( C6 5)( C
4 9)3)+ ) 元素分析 C3848BBrOS 理論値 C;70.92%、H;7.52% 測定値 C;71.05%、H;7.39%
【0032】実施例9 ジフェニル(p−シアノフェナシル)スルホニウムアリ
ルトリエチルボレートの合成 ジフェニル(p−シアノフェナシル)スルホニウムテト
ラフルオロボレート5.00gをアセトニトリル100
mlに溶解させた溶液に、アリルトリエチルほう酸リチ
ウム1.75gをアセトニトリル50mlに溶解させた
溶液を加え、室温にて30分撹拌した。その後、水20
0mlを加え沈澱した黄色の油状成分を分取し、ジクロ
ロメタン100mlを加えた。ジクロロメタン層を水
洗、乾燥後、濃縮し、ジフェニル(p−シアノフェナシ
ル)スルホニウムアリルトリエチルボレート3.41g
を得た。 FD−MS m/z 330(( M−B( CH2 CHC
2)( C2 5)3)+ ) 元素分析 C3036BNOS 理論値 C;76.75%、H;7.73%、N;2.
98% 測定値 C;76.82%、H;7.82%、N;2.
89%
【0033】実施例10 ジフェニル(p−メチルフェナシル)スルホニウムベン
ジルトリエチルボレートの合成 ジフェニル(p−メチルフェナシル)スルホニウム(p
−トルエンスルホネート)5.00gをアセトニトリル
100mlに溶解させた溶液に、ベンジルトリエチルほ
う酸リチウム2.07gをアセトニトリル50mlに溶
解させた溶液を加え、室温にて30分撹拌した。その
後、水200mlを加え沈澱した黄色の油状成分を分取
し、ジクロロメタン100mlを加えた。ジクロロメタ
ン層を水洗、乾燥後、濃縮し、ジフェニル(p−メチル
フェナシル)スルホニウムベンジルトリエチルボレート
2.12gを得た。 FD−MS m/z 319(( M−B( CH2 6
5)( C2 5)3)+ ) 元素分析 C3441BOS 理論値 C;80.30%、H;8.13% 測定値 C;80.27%、H;8.05%
【0034】実施例11 ジフェニルフェナシルオキソスルホニウムブチルトリフ
ェニルボレートの合成 ジフェニルフェナシルオキソスルホニウムパークロレー
ト6.72gをアセトニトリル100mlに溶解させた
溶液に、ブチルトリフェニルほう酸リチウム5.00g
をテトラヒドロフラン50mlに溶解させた溶液を加
え、室温にて30分撹拌した。その後、水200mlを
加え沈澱した黄色の油状成分を分取し、ジクロロメタン
100mlを加えた。ジクロロメタン層を水洗、乾燥
後、濃縮し、ジフェニルフェナシルオキソスルホニウム
ブチルトリフェニルボレート3.87gを得た。 FD−MS m/z 321(( M−B( C4 9)( C
6 5)3)+ ) 元素分析 C4241BO2 S 理論値 C;81.28%、H;6.66% 測定値 C;81.32%、H;6.72%
【0035】実施例12 ビス(p−tert−ブチルフェニル)フェナシルオキ
ソスルホニウム(sec−ブチル)トリフェニルボレー
トの合成 ビス(p−tert−ブチルフェニル)フェナシルオキ
ソスルホニウムヘキサフルオロホスフェート5.00g
をアセトニトリル100mlに溶解させた溶液に、se
c−ブチルトリフェニルほう酸リチウム2.54gをア
セトニトリル50mlに溶解させた溶液を加え、室温に
て30分撹拌した。その後、水200mlを加え沈澱し
た黄色の油状成分を分取し、ジクロロメタン100ml
を加えた。ジクロロメタン層を水洗、乾燥後、濃縮し、
ビス(p−tert−ブチルフェニル)フェナシルオキ
ソスルホニウム(sec−ブチル)トリフェニルボレー
ト4.43gを得た。 FD−MS m/z 435(( M−B( C4 9)( C
6 5)3)+ ) 元素分析 C5057BO2 S 理論値 C;81.94%、H;7.84% 測定値 C;82.02%、H;7.94%
【0036】実施例13 ビス(p−クロロフェニル)(p−メトキシフェナシ
ル)オキソスルホニウムメチルトリス(p−フルオロフ
ェニル)ボレートの合成 ビス(p−クロロフェニル)(p−メトキシフェナシ
ル)オキソスルホニウムヘキサフルオロホスフェート
5.00gをアセトニトリル100mlに溶解させた溶
液に、メチルトリス(p−フルオロフェニル)ほう酸リ
チウム2.62gをアセトニトリル50mlに溶解させ
た溶液を加え、室温にて30分撹拌した。その後、水2
00mlを加え沈澱した黄色の油状成分を分取し、ジク
ロロメタン100mlを加えた。ジクロロメタン層を水
洗、乾燥後、濃縮し、ビス(p−クロロフェニル)(p
−メトキシフェナシル)オキソスルホニウムメチルトリ
ス(p−フルオロフェニル)ボレート3.26gを得
た。 FD−MS m/z 419(( M−B( CH3)( C6
4 F)3) + ) 元素分析 C4032BCl2 3 3 S 理論値 C;65.68%、H;4.41% 測定値 C;65.78%、H;4.52%
【0037】実施例14 ジフェニル(p−ブロモフェナシル)オキソスルホニウ
ムフェニルトリブチルボレートの合成 ジフェニル(p−ブロモフェナシル)オキソスルホニウ
ムテトラフルオロボレート5.00gをアセトニトリル
100mlに溶解させた溶液に、フェニルトリブチルほ
う酸リチウム2.82gをアセトニトリル50mlに溶
解させた溶液を加え、室温にて30分撹拌した。その
後、水200mlを加え沈澱した黄色の油状成分を分取
し、ジクロロメタン100mlを加えた。ジクロロメタ
ン層を水洗、乾燥後、濃縮し、ジフェニル(p−ブロモ
フェナシル)オキソスルホニウムフェニルトリブチルボ
レート2.23gを得た。 FD−MS m/z 400(( M−B( C6 5)( C
4 9)3)+ ) 元素分析 C3848BBrO2 S 理論値 C;70.92%、H;7.52% 測定値 C;71.05%、H;7.39%
【0038】実施例15 ジフェニルベンシルスルホニウムブチルトリフェニルボ
レートの合成 ジフェニルベンジルスルホニウムテトラフルオロボレー
ト5.00gをアセトニトリル100mlに溶解させた
溶液に、ブチルトリフェニルほう酸リチウム4.05g
をアセトニトリル50mlに溶解させた溶液を加え、室
温にて30分撹拌した。その後、水200mlを加え沈
澱した黄色の油状成分を分取し、ジクロロメタン100
mlを加えた。ジクロロメタン層を水洗、乾燥後、濃縮
し、ジフェニルベンジルスルホニウムブチルトリフェニ
ルボレート2.95gを得た。 FD−MS m/z 277(( M−B( C4 9)( C
6 5)3)+ ) 元素分析 C4141BS 理論値 C;85.40%、H;7.17% 測定値 C;85.32%、H;7.04%
【0039】実施例16 ジフェニル(p−シアノベンシル)スルホニウム(se
c−ブチル)トリフェニルボレートの合成 ジフェニル(p−シアノベンジル)スルホニウムヘキサ
フルオロホスフェート5.00gをアセトニトリル10
0mlに溶解させた溶液に、sec−ブチルトリフェニ
ルほう酸リチウム3.30gをアセトニトリル50ml
に溶解させた溶液を加え、室温にて30分撹拌した。そ
の後、水200mlを加え沈澱した黄色の油状成分を分
取し、ジクロロメタン100mlを加えた。ジクロロメ
タン層を水洗、乾燥後、濃縮し、ジフェニル(p−シア
ノベンジル)スルホニウム(sec−ブチル)トリフェ
ニルボレート2.82gを得た。 FD−MS m/z 302(( M−B( C4 9)( C
6 5)3)+ ) 元素分析 C4240BNS 理論値 C;83.85%、H;6.70%、N;2.
33% 測定値 C;83.95%、H;6.64%、N;2.
28%
【0040】実施例17 ビス(p−tert−ブチルフェニル)(p−クロロベ
ンシル)スルホニウムメチルトリス(p−メトキシフェ
ニル)ボレートの合成 ビス(p−tert−ブチルフェニル)(p−クロロベ
ンシル)スルホニウムヘキサフルオロホスフェート5.
00gをアセトニトリル100mlに溶解させた溶液
に、テトラメチルアンモニウムメチルトリス(p−メト
キシフェニル)ボレート3.70gをアセトニトリル5
0mlに溶解させた溶液を加え、室温にて30分撹拌し
た。その後、メタノール200mlを加え沈澱した結晶
を分取し、ジクロロメタン100mlを加えた。ジクロ
ロメタン層を水洗、乾燥後、濃縮し、ビス(p−ter
t−ブチルフェニル)(p−クロロベンシル)スルホニ
ウムメチルトリス(p−メトキシフェニル)ボレート
2.31gを得た。 FD−MS m/z 423(( M−B( CH3)((C6
4 OCH3)3)+ ) 元素分析 C4956BClO3 S 理論値 C;76.30%、H;7.32% 測定値 C;76.21%、H;7.18%
【0041】実施例18 ビス(p−クロロフェニル)(p−ブロモベンシル)ス
ルホニウム(2−フェニルエテニル)トリス(p−フル
オロフェニル)ボレートの合成 ビス(p−クロロフェニル)(p−ブロモベンシル)ス
ルホニウムヘキサフルオロホスフェート5.00gをア
セトニトリル100mlに溶解させた溶液に、(2−フ
ェニルエテニル)トリス(p−フルオロフェニル)ほう
酸リチウム3.56gをアセトニトリル50mlに溶解
させた溶液を加え、室温にて30分撹拌した。その後、
水200mlを加え沈澱した黄色の油状成分を分取し、
ジクロロメタン100mlを加えた。ジクロロメタン層
を水洗、乾燥後、濃縮し、ビス(p−クロロフェニル)
(p−ブロモベンシル)スルホニウム(2−フェニルエ
テニル)トリス(p−フルオロフェニル)ボレート1.
85gを得た。 FD−MS m/z 423(( M−B( CHCHC6
5)( C6 4 F)3)+ ) 元素分析 C4533BBrCl2 F3 S 理論値 C;65.56%、H;4.04% 測定値 C;65.42%、H;3.99%
【0042】実施例19 フェニル(1−ナフチル)(1−ナフチルメチル)スル
ホニウムアリルトリス(p−ブロモフェニル)ボレート
の合成 フェニル(1−ナフチル)(1−ナフチルメチル)スル
ホニウムヘキサフルオロアンチモネート5.00gをア
セトン100mlに溶解させた溶液に、アリルトリス
(p−ブロモフェニル)ほう酸リチウム4.30gをア
セトニトリル50mlに溶解させた溶液を加え、室温に
て30分撹拌した。その後、水200mlを加え沈澱し
た黄色の油状成分を分取し、ジクロロメタン100ml
を加えた。ジクロロメタン層を水洗、乾燥後、濃縮し、
フェニル(1−ナフチル)(1−ナフチルメチル)スル
ホニウムアリルトリス(p−ブロモフェニル)ボレート
2.52gを得た。 FD−MS m/z 377(( M−B( CH2 CHC
2)( C6 4 Br)3) + ) 元素分析 C4838BBr3 S 理論値 C;64.24%、H;4.27% 測定値 C;64.36%、H;4.22%
【0043】実施例20 フェニル(p−フェニルチオフェニル)(p−ニトロベ
ンジル)スルホニウムベンジルトリフェニルボレートの
合成 フェニル(p−フェニルチオフェニル)(p−ニトロベ
ンジル)スルホニウムパークロレート5.00gをアセ
トニトリル100mlに溶解させた溶液に、ベンジルト
リフェニルほう酸リチウム3.21gをアセトニトリル
50mlに溶解させた溶液を加え、室温にて30分撹拌
した。その後、水200mlを加え沈澱した黄色の油状
成分を分取し、ジクロロメタン100mlを加えた。ジ
クロロメタン層を水洗、乾燥後、濃縮し、フェニル(p
−フェニルチオフェニル)(p−ニトロベンジル)スル
ホニウムベンジルトリフェニルボレート2.42gを得
た。 FD−MS m/z 430(( M−B( CH2 6
5)((C6 5)3)+ ) 元素分析 C5042BNO2 2 理論値 C;78.62%、H;5.54%、N;1.
83% 測定値 C;78.54%、H;5.41%、N;1.
86%
【0044】実施例21 ジフェニル(p−メチルベンジル)スルホニウム(te
rt−ブチル)トリエチルボレートの合成 ジフェニル(p−メチルベンジル)スルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート5.00gをアセトニトリル10
0mlに溶解させた溶液に、tert−ブチルトリエチ
ルほう酸リチウム1.69gをアセトニトリル50ml
に溶解させた溶液を加え、室温にて30分撹拌した。そ
の後、水200mlを加え沈澱した黄色の油状成分を分
取し、ジクロロメタン100mlを加えた。ジクロロメ
タン層を水洗、乾燥後、濃縮し、ジフェニル(p−メチ
ルベンジル)スルホニウム(tert−ブチル)トリエ
チルボレート1.28gを得た。 FD−MS m/z 291(( M−B( CH2 6
4 CH3)((C2 5)3)+ ) 元素分析 C3043BS 理論値 C;80.69%、H;9.71% 測定値 C;80.42%、H;9.62%
【0045】実施例22 ジフェニル(p−メトキシベンジル)スルホニウムフェ
ニルトリブチルボレートの合成 ジフェニル(p−メトキシベンジル)スルホニウムテト
ラフルオロボレート5.00gをアセトニトリル100
mlに溶解させた溶液に、フェニルトリブチルほう酸リ
チウム3.26gをアセトニトリル50mlに溶解させ
た溶液を加え、室温にて30分撹拌した。その後、水2
00mlを加え沈澱した黄色の油状成分を分取し、ジク
ロロメタン100mlを加えた。ジクロロメタン層を水
洗、乾燥後、濃縮し、ジフェニル(p−メトキシベンジ
ル)スルホニウムフェニルトリブチルボレート1.99
gを得た。 FD−MS m/z 307(( M−B( C6 5)((C
4 9)3)+ ) 元素分析 C3851BOS 理論値 C;80.54%、H;9.07% 測定値 C;80.53%、H;9.12%
【0046】実施例23 ジフェニル(p−フェニルチオベンジル)スルホニウム
ベンジルトリエチルボレートの合成 ジフェニル(p−フェニルチオベンジル)スルホニウム
ヘキサフルオロホスフェート5.00gをアセトニトリ
ル100mlに溶解させた溶液に、ベンジルトリエチル
ほう酸リチウム1.85gをアセトニトリル50mlに
溶解させた溶液を加え、室温にて30分撹拌した。その
後、水200mlを加え沈澱した黄色の油状成分を分取
し、ジクロロメタン100mlを加えた。ジクロロメタ
ン層を水洗、乾燥後、濃縮し、ジフェニル(p−フェニ
ルチオベンジル)スルホニウムベンジルトリエチルボレ
ート2.04gを得た。 FD−MS m/z 385(( M−B( CH2 6
5)((C2 5)3)+ ) 元素分析 C3843BS2 理論値 C;79.42%、H;7.54% 測定値 C;79.31%、H;7.39%
【0047】実施例24 ジフェニルベンシルオキソスルホニウムブチルトリフェ
ニルボレートの合成ジフェニルベンジルオキソスルホニ
ウムテトラフルオロボレート5.00gをアセトニトリ
ル100mlに溶解させた溶液に、ブチルトリフェニル
ほう酸リチウム4.00gをテトラヒドロフラン50m
lに溶解させた溶液を加え、室温にて30分撹拌した。
その後、水200mlを加え沈澱した黄色の油状成分を
分取し、ジクロロメタン100mlを加えた。ジクロロ
メタン層を水洗、乾燥後、濃縮し、ジフェニルベンジル
オキソスルホニウムブチルトリフェニルボレート2.7
8gを得た。 FD−MS m/z 293(( M−B( C4 9)( C
6 5)3)+ ) 元素分析 C4141BOS 理論値 C;83.09%、H;6.97% 測定値 C;83.15%、H;7.01%
【0048】実施例25 ジフェニル(p−シアノベンシル)オキソスルホニウム
(sec−ブチル)トリフェニルボレートの合成 ジフェニル(p−シアノベンジル)オキソスルホニウム
ヘキサフルオロホスフェート5.00gをジオキサン1
00mlに溶解させた溶液に、sec−ブチルトリフェ
ニルほう酸リチウム3.25gをジオキサン50mlに
溶解させた溶液を加え、室温にて30分撹拌した。その
後、メタノール200mlを加え沈澱した結晶を分取
し、ジクロロメタン100mlを加えた。ジクロロメタ
ン層を水洗、乾燥後、濃縮し、ジフェニル(p−シアノ
ベンジル)オキソスルホニウム(sec−ブチル)トリ
フェニルボレート2.41gを得た。 FD−MS m/z 318(( M−B( C4 9)( C
6 5)3)+ ) 元素分析 C4240BNOS 理論値 C;81.67%、H;6.53%、N;2.
27% 測定値 C;81.49%、H;6.47%、N;2.
29%
【0049】実施例26 ビス(p−クロロフェニル)(p−ブロモベンシル)オ
キソスルホニウム(2−フェニルエテニル)トリス(p
−フルオロフェニル)ボレートの合成 ビス(p−クロロフェニル)(p−ブロモベンシル)オ
キソスルホニウムヘキサフルオロホスフェート5.00
gをアセトニトリル100mlに溶解させた溶液に、
(2−フェニルエテニル)トリス(p−フルオロフェニ
ル)ほう酸リチウム3.48gをアセトニトリル50m
lに溶解させた溶液を加え、室温にて30分撹拌した。
その後、水200mlを加え沈澱した黄色の油状成分を
分取し、ジクロロメタン100mlを加えた。ジクロロ
メタン層を水洗、乾燥後、濃縮し、ビス(p−クロロフ
ェニル)(p−ブロモベンシル)オキソスルホニウム
(2−フェニルエテニル)トリス(p−フルオロフェニ
ル)ボレート1.95gを得た。 FD−MS m/z 439(( M−B( CHCHC6
5)( C6 4 F)3)+ ) 元素分析 C4533BBrCl2 3 OS 理論値 C;64.31%、H;3.96% 測定値 C;64.12%、H;3.92%
【0050】実施例27 ジフェニル(p−メトキシベンジル)オキソスルホニウ
ムフェニルトリブチルボレートの合成 ジフェニル(p−メトキシベンジル)オキソスルホニウ
ムテトラフルオロボレート5.00gをアセトニトリル
100mlに溶解させた溶液に、フェニルトリブチルほ
う酸リチウム3.14gをアセトニトリル50mlに溶
解させた溶液を加え、室温にて30分撹拌した。その
後、水200mlを加え沈澱した黄色の油状成分を分取
し、ジクロロメタン100mlを加えた。ジクロロメタ
ン層を水洗、乾燥後、濃縮し、ジフェニル(p−メトキ
シベンジル)オキソスルホニウムフェニルトリブチルボ
レート2.25gを得た。 FD−MS m/z 323(( M−B( C6 5)((C
4 9)3)+ ) 元素分析 C3851BO2 S 理論値 C;78.33%、H;8.82% 測定値 C;78.12%、H;8.92%
【0051】実施例28 ジフェニルアリルスルホニウムブチルトリフェニルボレ
ートの合成 ジフェニルアリルスルホニウムテトラフルオロボレート
5.00gをアセトニトリル100mlに溶解させた溶
液に、ブチルトリフェニルほう酸リチウム4.70gを
アセトニトリル50mlに溶解させた溶液を加え、室温
にて30分撹拌した。その後、水200mlを加え沈澱
した黄色の油状成分を分取し、ジクロロメタン100m
lを加えた。ジクロロメタン層を水洗、乾燥後、濃縮
し、ジフェニルアリルスルホニウムブチルトリフェニル
ボレート3.87gを得た。 FD−MS m/z 227(( M−B( C4 9)( C
6 5)3)+ ) 元素分析 C3739BS 理論値 C;84.39%、H;7.47% 測定値 C;84.42%、H;7.34%
【0052】実施例29 ジフェニル(3,3−ジシアノ−2−フェニル−2−プ
ロペニル)スルホニウム(sec−ブチル)トリフェニ
ルボレートの合成 ジフェニル(3,3−ジシアノ−2−フェニル−2−プ
ロペニル)スルホニウムテトラフルオロボレート5.0
0gをアセトニトリル100mlに溶解させた溶液に、
sec−ブチルトリフェニルほう酸リチウム3.35g
をアセトニトリル50mlに溶解させた溶液を加え、室
温にて30分撹拌した。その後、水200mlを加え沈
澱した黄色の油状成分を分取し、ジクロロメタン100
mlを加えた。ジクロロメタン層を水洗、乾燥後、濃縮
し、ジフェニル(3,3−ジシアノ−2−フェニル−2
−プロペニル)スルホニウム(sec−ブチル)トリフ
ェニルボレート2.87gを得た。 FD−MS m/z 353(( M−B( C4 9)( C
6 5)3)+ ) 元素分析 C4541BN2 S 理論値 C;82.81%、H;6.33%、N;4.
29% 測定値 C;82.72%、H;6.27%、N;4.
34%
【0053】実施例30 ビス(p−クロロフェニル)(3,3−ジシアノ−2−
メチル−2−プロペニル)スルホニウムメチルトリス
(p−メトキシフェニル)ボレートの合成 ビス(p−クロロフェニル)(3,3−ジシアノ−2−
メチル−2−プロペニル)スルホニウムヘキサフルオロ
ホスフェート5.00gをアセトニトリル100mlに
溶解させた溶液に、テトラメチルアンモニウムメチルト
リス(p−メトキシフェニル)ボレート4.17gをア
セトニトリル50mlに溶解させた溶液を加え、室温に
て30分撹拌した。その後、水200mlを加え沈澱し
た黄色の油状成分を分取し、ジクロロメタン100ml
を加えた。ジクロロメタン層を水洗、乾燥後、濃縮し、
ビス(p−クロロフェニル)(3,3−ジシアノ−2−
メチル−2−プロペニル)スルホニウムメチルトリス
(p−メトキシフェニル)ボレート2.85gを得た。 FD−MS m/z 359(( M−B( CH3)( C6
4 OCH3)3)+ ) 元素分析 C4037BCl2 2 3 S 理論値 C;67.90%、H;5.27%、N;3.
96% 測定値 C;68.02%、H;5.34%、N;4.
02%
【0054】実施例31 ビス(p−tert−ブチルフェニル)[3,3−ビス
(メトキシカルボニル)−2−フェニル−2−プロペニ
ル]スルホニウムビニルトリス(p−フルオロフェニ
ル)ボレートの合成 ビス(p−tert−ブチルフェニル)[3,3−ビス
(メトキシカルボニル)−2−フェニル−2−プロペニ
ル]スルホニウムパークロレート5.00gをアセトニ
トリル100mlに溶解させた溶液に、ビニルトリス
(p−フルオロフェニル)ほう酸リチウム4.17gを
アセトニトリル50mlに溶解させた溶液を加え、室温
にて30分撹拌した。その後、水200mlを加え沈澱
した黄色の油状成分を分取し、ジクロロメタン100m
lを加えた。ジクロロメタン層を水洗、乾燥後、濃縮
し、ビス(p−tert−ブチルフェニル)[3,3−
ビス(メトキシカルボニル)−2−フェニル−2−プロ
ペニル]スルホニウムビニルトリス(p−フルオロフェ
ニル)ボレート2.85gを得た。 FD−MS m/z 531(( M−B( CHCH2)(
6 4 F)3) + ) 元素分析 C5354BF3 4 S 理論値 C;74.47%、H;6.37% 測定値 C;74.56%、H;6.29%
【0055】実施例32 ビス(p−フルオロフェニル)(3,3−ジシアノ−2
−p−トリル−2−プロペニル)スルホニウムフェニル
トリブチルボレートの合成 ビス(p−フルオロフェニル)(3,3−ジシアノ−2
−p−トリル−2−プロペニル)スルホニウム(p−ト
ルエンスルホネート)5.00gをアセトニトリル10
0mlに溶解させた溶液に、フェニルトリブチルほう酸
リチウム2.38gをアセトニトリル50mlに溶解さ
せた溶液を加え、室温にて30分撹拌した。その後、水
200mlを加え沈澱した黄色の油状成分を分取し、ジ
クロロメタン100mlを加えた。ジクロロメタン層を
水洗、乾燥後、濃縮し、ビス(p−フルオロフェニル)
(3,3−ジシアノ−2−p−トリル−2−プロペニ
ル)スルホニウムフェニルトリブチルボレート2.09
gを得た。 FD−MS m/z 403(( M−B( C6 5)( C
4 9)3)+ ) 元素分析 C4246BF2 2 S 理論値 C;76.12%、H;7.45%、N;4.
23% 測定値 C;76.23%、H;7.39%、N;4.
32%
【0056】実施例33 フェニル(1−ナフチル)[3,3−ジシアノ−2−
(p−クロロフェニル)−2−プロペニル]スルホニウ
ムアリルトリエチルボレートの合成 フェニル(1−ナフチル)[3,3−ジシアノ−2−
(p−クロロフェニル)−2−プロペニル]スルホニウ
ムヘキサフルオロアステネート5.00gをアセトニト
リル100mlに溶解させた溶液に、アリルトリエチル
ほう酸リチウム1.16gをアセトニトリル50mlに
溶解させた溶液を加え、室温にて30分撹拌した。その
後、水200mlを加え沈澱した黄色の油状成分を分取
し、ジクロロメタン100mlを加えた。ジクロロメタ
ン層を水洗、乾燥後、濃縮し、フェニル(1−ナフチ
ル)[3,3−ジシアノ−2−(p−クロロフェニル)
−2−プロペニル]スルホニウムアリルトリエチルボレ
ート1.53gを得た。 FD−MS m/z 437(( M−B( CH2 CHC
2)( C2 5)3)+ ) 元素分析 C3638BClN2 S 理論値 C;74.93%、H;6.64%、N;4.
86% 測定値 C;75.02%、H;6.54%、N;4.
92%
【0057】実施例34 ジフェニルアリルオキソスルホニウムブチルトリフェニ
ルボレートの合成 ジフェニルアリルオキソスルホニウムテトラフルオロボ
レート5.00gをアセトニトリル100mlに溶解さ
せた溶液に、ブチルトリフェニルほう酸リチウム4.7
0gをアセトニトリル50mlに溶解させた溶液を加
え、室温にて30分撹拌した。その後、水200mlを
加え沈澱した黄色の油状成分を分取し、ジクロロメタン
100mlを加えた。ジクロロメタン層を水洗、乾燥
後、濃縮し、ジフェニルアリルオキソスルホニウムブチ
ルトリフェニルボレート3.87gを得た。 FD−MS m/z 243(( M−B(n- C4 9)(
6 5)3)+ ) 元素分析 C3739BOS 理論値 C;81.91%、H;7.25% 測定値 C;82.01%、H;7.32%
【0058】(実施例35) ジフェニル(3,3−ジシアノ−2−フェニル−2−プ
ロペニル)オキソスルホニウム(sec−ブチル)トリ
フェニルボレートの合成 ジフェニル(3,3−ジシアノ−2−フェニル−2−プ
ロペニル)オキソスルホニウムテトラフルオロボレート
5.00gをアセトニトリル100mlに溶解させた溶
液に、sec−ブチルトリフェニルほう酸リチウム3.
35gをアセトニトリル50mlに溶解させた溶液を加
え、室温にて30分撹拌した。その後、水200mlを
加え沈澱した黄色の油状成分を分取し、ジクロロメタン
100mlを加えた。ジクロロメタン層を水洗、乾燥
後、濃縮し、ジフェニル(3,3−ジシアノ−2−フェ
ニル−2−プロペニル)オキソスルホニウム(sec−
ブチル)トリフェニルボレート2.87gを得た。 FD−MS m/z 369(( M−B( C4 9)( C
6 5)3)+ ) 元素分析 C4541BN2 OS 理論値 C;80.83%、H;6.18%、N;4.
19% 測定値 C;80.75%、H;6.24%、N;4.
25%
【0059】実施例36 ビス(p−tert−ブチルフェニル)[3,3−ビス
(メトキシカルボニル)−2−フェニル−2−プロペニ
ル]オキソスルホニウムビニルトリス(p−フルオロフ
ェニル)ボレートの合成 ビス(p−tert−ブチルフェニル)[3,3−ビス
(メトキシカルボニル)−2−フェニル−2−プロペニ
ル]オキソスルホニウムパークロレート5.00gをア
セトニトリル100mlに溶解させた溶液に、ビニルト
リス(p−フルオロフェニル)ほう酸リチウム4.17
gをアセトニトリル50mlに溶解させた溶液を加え、
室温にて30分撹拌した。その後、水200mlを加え
沈澱した黄色の油状成分を分取し、ジクロロメタン10
0mlを加えた。ジクロロメタン層を水洗、乾燥後、濃
縮し、ビス(p−tert−ブチルフェニル)[3,3
−ビス(メトキシカルボニル)−2−フェニル−2−プ
ロペニル]オキソスルホニウムビニルトリス(p−フル
オロフェニル)ボレート2.85gを得た。 FD−MS m/z 547(( M−B( CHCH2)(
6 4 F)3) + ) 元素分析 C5354BF3 5 S 理論値 C;73.10%、H;6.25% 測定値 C;73.21%、H;6.29%
【0060】実施例37 ビス(p−フルオロフェニル)[3,3−ジシアノ−2
−p−トリル−2−プロペニル]スルホニウムフェニル
トリブチルボレートの合成 ビス(p−フルオロフェニル)[3,3−ジシアノ−2
−p−トリル−2−プロペニル]スルホニウム(p−ト
ルエンスルホネート)5.00gをアセトニトリル10
0mlに溶解させた溶液に、フェニルトリブチルほう酸
リチウム2.38gをアセトニトリル50mlに溶解さ
せた溶液を加え、室温にて30分撹拌した。その後、水
200mlを加え沈澱した黄色の油状成分を分取し、ジ
クロロメタン100mlを加えた。ジクロロメタン層を
水洗、乾燥後、濃縮し、ビス(p−フルオロフェニル)
[3,3−ジシアノ−2−p−トリル−2−プロペニ
ル]スルホニウムフェニルトリブチルボレート2.09
gを得た。 FD−MS m/z 419(( M−B( C6 5)( C
4 9)3)+ ) 元素分析 C4246BF2 2 OS 理論値 C;74.32%、H;7.28%、N;4.
13% 測定値 C;74.25%、H;7.34%、N;4.
22%
【0061】参考例1〜6および比較例1、2 ラジカル重合可能なエチレン性不飽和結合を有する化合
物としてペンタエリスリトールトリアクリレート50部
と本発明のスルホニウム錯体としてジフェニルフェナシ
ルスルホニウムブチルトリフェニルボレート1部からな
る混合物をガラス板上に約5ミクロンの厚さに塗布し、
さらにこの上に厚さ約25ミクロンのポリエチレンテレ
フタレートフィルムを密着させたサンプルを作成した。
このサンプルを150℃のオーブン中で10分間保持し
たところ、このサンプルは硬化し明らかに重合生成物を
与えた。ジフェニルフェナシルスルホニウムブチルトリ
フェニルボレートのかわりに、ジフェニルベンジルスル
ホニウムブチルトリフェニルボレート、ジフェニルアリ
ルスルホニウムブチルトリフェニルボレート、ジフェニ
ルフェナシルオキソスルホニウムブチルトリフェニルボ
レート、ジフェニルベンジルオキソスルホニウムブチル
トリフェニルボレート、ジフェニルアリルオキソスルホ
ニウムブチルトリフェニルボレートを用いた場合、いず
れもサンプルは硬化し明らかに重合生成物を与えたが、
ジフェニルフェナシルスルホニウムブチルトリフェニル
ボレートのかわりに、公知のジフェニルフェナシルスル
ホニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルフェナシ
ルオキソスルホニウムヘキサフルオロホスフェートを含
んだサンプルでは同条件下では重合生成物は認められな
かった。
【0062】参考例7〜12および比較例3、4 ラジカル重合可能なエチレン性不飽和結合を有する化合
物としてペンタエリスリトールトリアクリレート50部
と重合開始剤としてジメチルフェナシルスルホニウムブ
チルトリフェニルボレート1部を希釈溶剤としてジオキ
サン100部に溶解し、この混合物をガラス板上に約5
ミクロンの厚さに塗布し、これを70℃の熱風オーブン
中で2分間乾燥した後、次いでこの上に10%ポリビニ
ルアルコール水溶液を約5ミクロンの厚さに塗布し、こ
れを再び70℃の熱風オーブン中で2分間乾燥させたサ
ンプルを作成した。このサンプルを500mWの高圧水
銀ランプで30秒照射したところ、このサンプルは硬化
し明らかに重合生成物を与えた。ジフェニルフェナシル
スルホニウムブチルトリフェニルボレートのかわりに、
ジフェニルベンジルスルホニウムブチルトリフェニルボ
レート、ジフェニルアリルスルホニウムブチルトリフェ
ニルボレート、ジフェニルフェナシルオキソスルホニウ
ムブチルトリフェニルボレート、ジフェニルベンジルオ
キソスルホニウムブチルトリフェニルボレート、ジフェ
ニルアリルオキソスルホニウムブチルトリフェニルボレ
ートを用いた場合、いずれもサンプルは硬化し明らかに
重合生成物を与えたが、ジフェニルフェナシルスルホニ
ウムブチルトリフェニルボレートのかわりに、公知のジ
フェニルフェナシルスルホニウムテトラフルオロボレー
ト、ジフェニルフェナシルオキソスルホニウムヘキサフ
ルオロホスフェートを含んだサンプルでは同条件下では
重合生成物は認められなかった。
【0063】参考例13〜18および比較例5〜7 希釈溶剤としてメチルエチルケトン360部、バインダ
ーとしてポリメチルメタクリレート20部、ラジカル重
合可能なエチレン性不飽和結合を有する化合物としてペ
ンタエリスリトールトリアクリレート20部、増感剤と
して3,3’−カルボニルビス(7−ジエチルアミノク
マリン)1部からなる溶液2gに重合開始剤として下記
第1表に示した本発明のスルホニウム錯体あるいはオキ
ソスルホニウム錯体1.2×10-5モルを加え感光液と
した。この感光液をスピンコーターにて約2μmの厚さ
にガラス板上に塗布し、さらにこの上に酸素遮断層とし
て10%ポリビニルアルコール水溶液をスピンコーター
にて約5μmの厚さに塗布し感光板とした。この感光板
にビーム径1.5mmのアルゴンイオンレーザ光(48
8nm)を照射時間を変えて露光した後、水およびトル
エンにて現像処理を行いレーザビーム径と同等の大きさ
の硬化スポット径を与える露光エネルギーを感度として
第1表に示した。比較例として重合開始剤に公知のジフ
ェニルフェナシルスルホニウムテトラフルオロボレー
ト、ジフェニルフェナシルオキソスルホニウムヘキサフ
ルオロホスフェートならびにトリフェニルスルホニウム
ブチルトリフェニルボレートを用いた場合の感度を併せ
て第1表に示した。第1表の結果より明かなように、本
発明のスルホニウム錯体あるいはオキソスルホウム錯体
を重合開始剤に用いた場合、公知のジフェニルフェナシ
ルスルホニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルフ
ェナシルオキソスルホニウムヘキサフルオロホスフェー
トならびにトリフェニルスルホニウムブチルトリフェニ
ルボレートを重合開始剤に用いた場合よりもいずれも感
度が向上していることがわかる。
【0064】
【表1】
【0065】
【発明の効果】本発明の一般式(1)で表されるスルホ
ニウム錯体およびオキソスルホニウム錯体は、スルホニ
ウムカチオンまたはオキソスルホニウムカチオン上の置
換基として、置換基を有してもよいフェナシル基、置換
基を有してもよいベンジル基もしくは置換基を有しても
よいアリル基を導入することによって、光および/また
は熱エネルギーの付与により、効率よくフリーラジカル
を発生する。
【0066】したがって、重合性物質の重合開始剤とし
て著しく良好な効果を有し、水銀灯やレーザ等の各種光
源による光エネルギーおよび/または加熱やサーマルヘ
ッド等による熱エネルギーの付与により、高感度を必要
とする各種刷版材料、ホログラム材料やマイクロカプセ
ルを利用した各種記録媒体やインキ、接着剤、粘着剤、
粘接着剤、封止剤等の良好な物性をもった重合物や硬化
物の形成に有用である。
【0067】
【図面の簡単な説明】
図1は実施例1で合成したスルホニウム錯体のIRスペ
クトル(KBr錠剤中)を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光および/または熱エネルギーの付与によ
    り活性なラジカルを発生することを特徴とする一般式
    (1)で表されるスルホニウム錯体またはオキソスルホ
    ニウム錯体。 一般式(1) (ただしR1 およびR2 は置換基を有してもよいアリー
    ル基を、R3 は置換基を有してもよいフェナシル基、置
    換基を有してもよいベンジル基もしくは置換基を有して
    もよいアリル基を、R4 は酸素原子もしくは孤立電子対
    を、R5 、R6 、R7 およびR8 はそれぞれ独立に、置
    換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
    アリール基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換
    基を有してもよいアルキニル基、置換基を有してもよい
    脂環基より選ばれる基を示し、R5、R6 、R7 および
    8 全てが同時に置換基を有してもよいアリール基とな
    ることはない。)
  2. 【請求項2】一般式(1)において、R5 が置換基を有
    してもよいアルキル基であり、R6、R7 およびR8
    置換基を有してもよいアリール基であることを特徴とす
    る請求項1記載のスルホニウム錯体またはオキソスルホ
    ニウム錯体。
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