JP2001253869A - ビススルホニウムボレート化合物及びその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高感度、高解像性、高密着性、低めっき浴汚
染性等の優れた性能を有する光重合開始剤として有用な
ビススルホニウムボレート化合物及び高感度、高解像
性、高密着性、低めっき浴汚染性等の優れた性能を有す
る光重合開始剤として有用なビススルホニウムボレート
化合物を歩留まりよく製造することができるビススルホ
ニウムボレート化合物野製造法を提供する。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表されるビススルホ
ニウムボレート化合物及び下記一般式（IV）で表される
ジフェニルスルホキシドと下記一般式（Ｖ）で表される
ジフェニルスルフィドを酸存在下に反応させ、次いで下
記一般式（VI）で表されるボレートのアルカリ金属塩を
反応させることを特徴とする下記一般式（Ｉ）で表され
るビススルホニウムボレート化合物の製造法。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光重合開始剤等に
有用なビススルホニウムボレート化合物及びその製造法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】感光性樹脂組成物は、ＵＶインキ、印刷
用刷版、また近年はレーザーを用いたホログラム、ドラ
イフィルム、半導体の微細加工用のレジストなど幅広い
産業分野で用いられている。従来プリント配線板の製造
分野において、エッチング、めっき等に用いられるレジ
スト材料としては、感光性樹脂組成物及びそれに支持体
と保護フィルムを用いて得られる感光性エレメントが広
く用いられている。感光性フィルムは、近年の印刷配線
板の高密度化に伴い、従来の感光性フィルムに比べて高
解像性・高密着性に関する要求がますます高くなってい
る。また、一方では、作業性の向上という点から、高感
度、低めっき浴汚染性の感光性樹脂組成物が望まれてお
り、これらの特性は、使用される光開始剤の種類及び量
に依存するものである。

【０００３】高感度の光重合開始剤は、ドイツ特許第
２，０２７，４６７号明細書、ヨーロッパ特許公開第１
１，７８６号公報、ヨーロッパ特許公開第２２０号公
報、ヨーロッパ特許公開第５８９号公報、特開平６−６
９６３１号公報等に記載されているが、これらはめっき
浴汚染性を有するという欠点がある。この他に、めっき
浴汚染性の少ない、２，４，５−トリフェニルイミダゾ
ール二量体と水素供与性化合物とを組み合わせ高感度に
した光重合開始剤系を用いた感光性樹脂組成物が、米国
特許第３，４７９，１８５号明細書に記載されている
が、要求される感度に調整するために２，４，５−トリ
フェニルイミダゾール二量体の使用量を増量すると、レ
ジストの線幅が太り解像性が劣るという問題がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】請求項１〜３記載の発
明は、高感度、高解像性、高密着性、低めっき浴汚染性
等の優れた性能を有する光重合開始剤として有用なビス
スルホニウムボレート化合物を提供するものである。請
求項４記載の発明は、高感度、高解像性、高密着性、低
めっき浴汚染性等の優れた性能を有する光重合開始剤と
して有用なビススルホニウムボレート化合物を歩留まり
よく製造することができるビススルホニウムボレート化
合物の製造法を提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、一般式（Ｉ）

【化５】 （一般式（Ｉ）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、各々独立
に、ハロゲン原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素
数１〜１２のアルコキシル基又は炭素数６〜１４のアリ
ール基を示し、Ｒ⁵及びＲ⁶は、各々独立に、炭素数１〜
１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシル基
を示し、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は、各々独立に、炭素
数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１４のアリール基
又は炭素数７〜１１のアリールアルキル基を示し、ｎ
は、０〜５の整数であり、ｍは、０〜４の整数である）
で表されるビススルホニウムボレート化合物に関する。

【０００６】また、本発明は、下記式（II）で表される
ビススルホニウムボレート化合物に関する。

【化６】

【０００７】また、本発明は、下記式（III）で表され
るビススルホニウムボレート化合物に関する。

【化７】

【０００８】また、本発明は、下記一般式（IV）で表さ
れるジフェニルスルホキシドと下記一般式（Ｖ）で表さ
れるジフェニルスルフィドを酸存在下に反応させ、次い
で下記一般式（VI）で表されるボレートのアルカリ金属
塩を反応させることを特徴とする前記一般式（Ｉ）で表
されるビススルホニウムボレート化合物の製造法に関す
る。

【化８】 （一般式（IV）、一般式（Ｖ）及び一般式（VI）中、Ｒ
¹、Ｒ²、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、ｎ及びｍ
は、一般式（Ｉ）と同意義であり、Ｍはアルカリ金属を
示す）

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明のビススルホニウムボレー
ト化合物は、前記一般式（Ｉ）で表されるものであり、
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴で示
されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、
臭素、沃素等が挙げられる。炭素数１〜１２のアルキル
基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert
−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、
シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチ
ルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ド
デシル基等が挙げられる。炭素数１〜１２のアルコキシ
ル基としては、例えば、前記炭素数１〜１２のアルキル
基で例示したものに対応するものが挙げられる。炭素数
６〜１４のアリール基としては、フェニル基、ナフチル
基、アントラニル基等が挙げられる。

【００１０】前記一般式（Ｉ）において、Ｒ⁵及びＲ⁶で
示される炭素数１〜１２のアルキル基及び炭素数１〜１
２のアルコキシル基としては、前記と同様のものが挙げ
られる。前記一般式（Ｉ）において、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹及
びＲ¹⁰で示される炭素数１〜１２のアルキル基及び炭素
数６〜１４のアリール基としては、前記と同様のものが
挙げられる。炭素数７〜１１のアリールアルキル基とし
ては、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、ナフチ
ルメチル基等が挙げられる。前記一般式（Ｉ）におい
て、ｎは、０〜５の整数であるが、感度、解像度等の点
から、１〜３であることが好ましく、すべてのｎが１で
あることがより好ましい。ｍは、０〜４の整数である
が、易合成性等の点から、０〜１であることが好まし
い。

【００１１】本発明の一般式（Ｉ）で表されるビススル
ホニウムボレート化合物は、カチオンとアニオンとから
構成される。上記カチオンとしては、例えば、ビス（４
−（ジフェニルスルホニオ）−フェニル）スルフィド、
ビス（４−（ジ（４−（２−ヒドロキシエチル）フェニ
ルスルホニオ）−フェニル）スルフィド、ビス（４−
（ジ（４−フルオロフェニル）スルホニオ）−フェニ
ル）スルフィド、ビス（４−（ジ（４−クロロフェニ
ル）スルホニオ）−フェニル）スルフィド、ビス（４−
（ジ（４−ブロモフェニル）スルホニオ）フェニルスル
ホニオ）−フェニル）スルフィド、ビス（４−（ジ（４
−アルキルフェニル）スルホニオ）フェニルスルホニ
オ）−フェニル）スルフィド等が挙げられる。

【００１２】上記アニオンとしては、ブチルトリフェニ
ルボレート、ヘキシルトリフェニルボレート、テトラフ
ェニルボレート、トリフェニルベンジルボレート、トリ
ス（２−フルオロフェニル）ブチルボレート、トリス
（３−フルオロフェニル）ブチルボレート、トリス（４
−フルオロフェニル）ブチルボレート、トリス（２，６
−ジフルオロフェニル）ブチルボレート、トリス（２，
４−ジフルオロフェニル）ブチルボレート、トリエチル
アンモニウムトリス（２，４，６−トリフルオロフェニ
ル）ボレート、トリス（２，４，５−トリフルオロフェ
ニル）ヘキシルボレート、トリス（２，３，４−トリフ
ルオロフェニル）ヘキシルボレート、トリス（３，４，
５−トリフルオロフェニル）ヘキシルボレート、トリス
（２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル）ヘキ
シルボレート等が挙げられる。

【００１３】これらのアニオンとカチオンとを組み合わ
せたビススルホニウムボレート化合物において、感度、
解像度、易合成性等の点から、下記式（II）で表される
ビススルホニウムボレート化合物が好ましい。

【化９】

【００１４】また、同様の点から、下記式（III）で表
されるビススルホニウムボレート化合物が好ましい。

【化１０】

【００１５】このような前記一般式（Ｉ）で示されるビ
ススルホニウムボレート化合物は、例えば、下記一般式
（IV）で表されるジフェニルスルホキシドと下記一般式
（Ｖ）で表されるジフェニルスルフィドを酸存在下に反
応させ、次いで下記一般式（VI）で表されるボレートの
アルカリ金属塩を反応させることにより製造することが
できる。

【００１６】

【化１１】 （一般式（IV）、一般式（Ｖ）及び一般式（VI）中、Ｒ
¹、Ｒ²、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、ｎ及びｍ
は、一般式（Ｉ）と同意義であり、Ｍはアルカリ金属を
示す）

【００１７】上記酸は、反応系を酸性に保てるものであ
れば、特に制限はないが、例えば、メチルスルホン酸等
が挙げられる。また、上記酸存在下の反応は脱水反応で
あるので五酸化リン等の触媒を使用することが好まし
い。この反応は１０〜１２０℃で１０分間〜１０時間程
度行われる。

【００１８】前記一般式（VI）で表されるボレートのア
ルカリ金属塩を反応させることにより、アニオン交換が
起こり目的の前記一般式（Ｉ）で表されるビススルホニ
ウムボレート化合物が生成する。一般式（VI）で表され
るボレートのアルカリ金属塩は水溶液として反応系に投
入できる。この反応は１０〜１２０℃で１０分間〜１０
時間程度行われる。前記一般式（VI）において、Ｍで示
されるアルカリ金属としては、例えば、ナトリウム、カ
リウム、リチウム等が挙げられる。一般式（VI）で表さ
れるボレートのアルカリ金属塩としては、例えば、トリ
フェニルベンジルボレートのナトリウム塩、テトラフェ
ニルボレートのナトリウム塩等が挙げられる。

【００１９】反応に供する各化合物の使用割合は、通
常、前記一般式（IV）で表されるジフェニルスルホキシ
ド１モルに対して、前記一般式（Ｖ）で表されるジフェ
ニルスルフィド０．４〜０．５モル、前記一般式（VI）
で表されるボレートのアルカリ金属塩０．８〜１．２モ
ル、メチルスルホン酸等の酸５〜１５モル、五酸化リン
等の触媒０．５〜１モル程度である。

【００２０】本発明の前記一般式（Ｉ）で表されるビス
スルホニウムボレート化合物は、感光性樹脂組成物にお
ける光重合開始剤として有用である。上記感光性樹脂組
成物としては、例えば、バインダーポリマー、光重合性
モノマー及び光重合開始剤を主成分として含有するもの
等が挙げられる。光重合開始剤に増感剤を併用してもよ
く、そのような増感剤としては、例えば、７−ジエチル
アミノ−４−メチルクマリン、４，４′−ビス（メチル
エチルアミノ）ベンゾフェノン等が挙げれられる。

【００２１】バインダーポリマとしては、例えば、メチ
ルアクリレート、エチルアクリレート、ブチルアクリレ
ート、２−エチルヘキシルアクリレート、テトラヒドロ
フルフリルアクリレート、ジメチルアミノエチルアクリ
レート、グリシジルアクリレート、２，２，２−トリフ
ルオロエチルアクリレート、２，２，３，３−テトラフ
ルオロプロピルアクリレート、これらに対応するメタク
リレート、アクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミ
ド、ジアセトンアクリルアミド、スチレン、ビニルトル
エン等の共重合体等が挙げられる。

【００２２】光重合性モノマー（エチレン性不飽和基を
有する光重合性化合物）としては、例えば、γ−クロロ
−β−ヒドロキシプロピル−β′−メタクリロイルオキ
シエチル−Ｏ−フタレート、ポリプロピレングリコール
ジアクリレート、ＥＯ（エチレンオキシド）変性ウレタ
ンジメタクリレート、ＥＯ，ＰＯ（プロピレンオキシ
ド）変性ウレタンジメタクリレート、トリス（メタクリ
ロイルオキシテトラエチレングリコールイソシアナトヘ
キサメチレンイソシアヌレート、ビスフェノールＡポリ
オキシエチレンジメタクリレート、トリメチロールプロ
パンエトキシトリアクリレート、ポリエチレングリコー
ルジメタクリレート、トリメチロールプロパントリアク
リレート等が挙げられる。またさらに多価アルコールに
α、β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物
（ポリエチレンジアクリレート、ウレタンジアクリレー
ト等）、以上に対応するメタクリレートなどが挙げられ
る。

【００２３】感光性樹脂組成物は、例えば、トルエン、
Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド、アセトン、メチルエ
チルケトン、メチルアルコール、エチルアルコール等の
溶剤を含んでもよく、溶剤を含んだ感光性樹脂組成物を
ポリエチレンテレフタラートフィルム等の支持体上に塗
布、乾燥して感光層とすることにより感光性エレメント
（感光性フィルムともいう）を製造できる。感光性エレ
メントを用いてのフォトレジスト画像の形成は、常法に
より行える。

【００２４】

【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。

【００２５】合成例１ 〔トリフェニルベンジルボレート・ナトリウム塩の合
成〕トリフルオロボロン−ジエチルエーテル錯体（４．
０２ｇ、０．０２８２モル）のジエチルエーテル（１０
ml）溶液を氷浴で冷却しつつ、フェニルリチウムの０．
８６Ｎシクロヘキサン−ジエチルエーテル溶液（１００
ml、０．０８６モル）を滴下した。滴下終了後、室温下
で２時間、さらに４０℃で２時間かくはんした。

【００２６】次いで、減圧下溶媒を留去し、テトラヒド
ロフラン（１０ml）を加えることにより溶媒を変換後、
ベンジルマグネシウムクロリドの１．２５Ｎジエチルエ
ーテル溶液（３０ml、０．０３７５モル）を氷温下で滴
下した。滴下終了後、室温下で２時間かくはんし、水酸
化ナトリウムの１３％水溶液（２３０ml）を加えた。次
いで、反応溶液に飽和食塩水（３００ml）を加え、有機
層を分離し、水層をテトラヒドロフラン（５０ml）で抽
出した。有機層を合わせて、減圧下乾燥した後、飽和食
塩水（１３０ml）を加え、酢酸エチル（３０ml×５回）
で抽出した。有機層を減圧下濃縮することにより、白色
固体の目的物を８．２８ｇ（収率７５．０％）で得た。

【００２７】実施例１ 〔ビススルホニムボレート（ＳＰＸＨ−１）の合成〕メ
タンスルホン酸３１．７１ｇ（０．３３モル）、五酸化
リン３．４１ｇ（０．０２４モル）を仕込み、７０℃に
加熱し、３時間撹拌して得られた均一溶液を室温まで冷
却した。この溶液中に４，４′−ジフルオロジフェニル
スルホキシド７．８６ｇ（０．０３３モル）、ジフェニ
ルスルフィド３．０７ｇ（０．０１６５モル）を仕込
み、室温で５時間撹拌した。

【００２８】この反応混合物を撹拌しながら３％テトラ
フェニルボレート・ナトリウム水溶液３８０ml（０．０
３３３モル）に少しずつ滴下し、室温で３時間撹拌し
た。析出した固体をろ別、乾燥し、次いでイソプロパノ
ールに加熱（７０℃）溶解し、０℃まで冷却し、次いで
ろ別、乾燥後、白色固体の目的物を１４．１８ｇ（０．
０１１２モル）得た。このものの元素分析値を表１に示
し、赤外線吸収スペクトルを図１に示した。

【００２９】

【表１】

【００３０】実施例２ 〔ビススルホニム・ボレート（ＳＰＸＨ−２）の合成〕
メタンスルホン酸２４．７０ｇ（０．１６モル）、五酸
化リン１．５６ｇ（０．０１１モル）を仕込み、７０℃
に加熱し、３時間撹拌して得られた均一溶液を室温まで
冷却した。この溶液中に４，４′−ジフルオロジフェニ
ルスルホキシド３．８１ｇ（０．０１６モル）、ジフェ
ニルスルフィド１．４９ｇ（０．００８モル）を仕込
み、室温で５時間撹拌した。

【００３１】この反応混合物を水３００mlに少しずつ滴
下し、次いで合成例１で得られたトリフェニルベンジル
ボレート・ナトリウム塩５．７０ｇ（０．０１６モル）
を仕込み、室温で３時間撹拌した。析出した固体をろ
別、乾燥し、次いでイソプロパノールに加熱（７０℃）
溶解し、０℃まで冷却し、次いでろ別、乾燥後、白色固
体の目的物を６．７３ｇ（０．００５２モル）得た。こ
のものの元素分析値を表２に示し、赤外線吸収スペクト
ルを図２に示した。

【００３２】

【表２】

【００３３】応用例１〜３、比較応用例１〜２ メタクリル酸エチル／スチレン／メタクリル酸共重合体
（重量比４６／２５／２９、重量平均分子量４．５万）
のメチルセロソルブ／トルエン（重量比８：２）溶液１
１１ｇ（固形分５０ｇ）、ビスフェノールＡポリオキシ
エチレンジメタクリレート４０ｇ、ＥＯ変性ウレタンジ
メタクリレート１０ｇ、ロイコクリスタルバイオレット
０．５ｇ、マラカイトグリーン０．０８ｇ、トルエン７
ｇ、アセトン１０ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３
ｇ及びメタノール３ｇを配合し組成物の溶液を得た。次
いで、得られた組成物の溶液に表３に示す光重合開始剤
系成分を溶解させて、感光性樹脂組成物の溶液を得た。

【００３４】

【表３】

【００３５】なお、表３における光重合開始剤系成分を
以下に示す。 Ｃ−１：７−ジエチルアミノ−４−メチルクマリン ＥＡＢ：４，４′−（ビスジエチルアミノ）ベンゾフェ
ノン Ｂ−１：テトラメチルアンモニウム・ブチルトリフェニ
ルボレート

【００３６】ＳＰＸＨ−１：

【化１２】

【００３７】ＳＰＸＨ−２：

【化１３】

【００３８】ＳＰ：

【化１４】

【００３９】次いで、この感光性樹脂組成物の溶液を、
１６μｍ厚のポリエチレンポリエチレンテレフタレート
フィルム上に均一に塗布し、１００℃の熱風対流式乾燥
器で、１０分間乾燥して、感光性エレメントを得た。感
光性樹脂組成物層の膜厚は、２０μｍであった。

【００４０】一方、銅箔（厚さ３５μｍ）を両面に積層
したガラスエポキシ材である銅張り積層板（日立化成工
業(株)製、商品名ＭＣＬ−Ｅ−６１）の銅表面を、♯６
００相当のブラシを持つ研磨機（三啓(株)製）を用いて
研磨し、水洗後、空気流で乾燥し、得られた銅張り積層
板を８０℃に加温し、その銅表面上に、前記感光性樹脂
組成物層を、１１０℃に加熱しながらラミネートした。
次に、高圧水銀灯ランプを有する露光機（オーク(株)
製）５９０を用いて、ネガとしてストーファー４１段ス
テップタブレットを試験片の上に置いて６０mJ/cm²露光
した。

【００４１】次に、ポリエチレンテレフタレートフィル
ムを剥離し、３０℃で１重量％炭酸ナトリウム水溶液を
２０秒間スプレーすることにより、未露光部分を除去し
た。さらに、銅張り積層板上に形成された光硬化膜のス
テップタブレットの段数を測定することにより、感光性
樹脂組成物の感度を評価し、その結果を表４に示した。
感度は、ステップタブレットの段数で示され、このステ
ップタブレットの段数が高いほど、感度が高いことを示
す。１段あたりの光学密度の差は、０．０５である。ま
た現像後のパターンを観察し、ライン・アンド・スペー
スとして残ったライン幅（μｍ）から解像度（μｍ）を
求めた。

【００４２】

【表４】

【００４３】表４から、本発明の前記一般式（Ｉ）で表
されるスルホニウムボレート化合物を使用した応用例１
〜３は、前記一般式（Ｉ）で表されるスルホニウムボレ
ート化合物を使用しない比較応用例１〜２と比べて感度
及び解像度が優れるものである。また、本発明の前記一
般式（Ｉ）で表されるスルホニウムボレート化合物を用
いた応用例例１〜３の感光性エレメントを、フィルム汚
染量１０dm/Lの濃度で現像液に溶解し、ハルセルメッキ
試験を行い、光重合開始剤を含まないブランクと比較し
たところ、メッキ外観に違いは見られず、メッキ浴汚染
がないという良好な結果が得られた。

【００４４】

【発明の効果】請求項１〜３記載のビススルホニウムボ
レート化合物は、高感度、高解像性、高密着性、低めっ
き浴汚染性等の優れた性能を有する光重合開始剤として
有用なものである。請求項４記載のビススルホニウムボ
レート化合物の製造法は、高感度、高解像性、高密着
性、低めっき浴汚染性等の優れた性能を有する光重合開
始剤として有用なビススルホニウムボレート化合物を歩
留まりよく製造することができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で得られたビススルホニウムボレート
化合物の赤外線吸収スペクトルである。

【図２】実施例２で得られたビススルホニウムボレート
化合物の赤外線吸収スペクトルである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 名取 美智子 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 立川 裕之 東京都荒川区東尾久７丁目２番35号 旭電 化工業株式会社内 (72)発明者 村井 俊彦 東京都荒川区東尾久７丁目２番35号 旭電 化工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA14 AB15 AC01 AD01 BC13 BC31 CA39 CA48 FA43 4H006 AA01 AA02 AB40 AC60 BA53 BA66 4H039 CA99 CD10 CD40 4H048 AA01 AA02 AB49 AC90 BB31 BC10 BC19 BC31 BE50 4J011 PA65 PA69 QA07 QA12 QA13 QA14 QA18 QA24 SA83 SA85 SA87 WA01

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （一般式（Ｉ）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、各々独立
   に、ハロゲン原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素
   数１〜１２のアルコキシル基又は炭素数６〜１４のアリ
   ール基を示し、Ｒ⁵及びＲ⁶は、各々独立に、炭素数１〜
   １２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシル基
   を示し、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は、各々独立に、炭素
   数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１４のアリール基
   又は炭素数７〜１１のアリールアルキル基を示し、ｎ
   は、０〜５の整数であり、ｍは、０〜４の整数である）
   で表されるビススルホニウムボレート化合物。
2. 【請求項２】 下記式（II）で表されるビススルホニウ
   ムボレート化合物。 【化２】
3. 【請求項３】 下記式（III）で表されるビススルホニ
   ウムボレート化合物。 【化３】
4. 【請求項４】 下記一般式（IV）で表されるジフェニル
   スルホキシドと下記一般式（Ｖ）で表されるジフェニル
   スルフィドを酸存在下に反応させ、次いで下記一般式
   （VI）で表されるボレートのアルカリ金属塩を反応させ
   ることを特徴とする請求項１記載の前記一般式（Ｉ）で
   表されるビススルホニウムボレート化合物の製造法。 【化４】 （一般式（IV）、一般式（Ｖ）及び一般式（VI）中、Ｒ
   ¹、Ｒ²、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、ｎ及びｍ
   は、一般式（Ｉ）と同意義であり、Ｍはアルカリ金属を
   示す）