JP2019500589A - センサ構成体およびセンサ構成体を製造するための方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、温度測定用のセンサ構成体（１０）を開示し、このセンサ構成体は、少なくとも１つの電極（２，３）を備える１つのセンサ素子（１）と、少なくとも１つの接続素子（４）と、を備え、この接続素子（４）は、このセンサ素子（１）のワイヤリングの無い接続用に形成されて配設されている。さらに本発明は、センサ構成体（１０）を製造するための方法を開示する。【選択図】 図１

Description

本発明は、センサ構成体を開示する。この構成体は、特に温度の測定用に用いられる。さらに本発明は、センサ構成体を製造するための方法を開示する。

従来技術では、様々なアプリケーションにおけるモニタリングおよび制御のために主にセラミック高温導体サーミスタ素子（ＮＴＣ），シリコン温度センサ（ＫＴＹ），白金温度センサ（ＰＲＴＤ），または熱電対（ＴＣ）を用いて、温度が測定されていた。この際その低い製造コストのために、ＮＴＣサーミスタが最も広く普及している。ＮＴＣサーミスタ素子のもう１つの利点は、熱電対またはたとえばＰｔ素子のような金属抵抗素子とは逆に、顕著に負の抵抗温度特性を有していることである。

このＮＴＣセラミックの電気的接続のためには、金属電極が取り付けられなければならない。このため従来技術では、主に銀ペーストまたは金ペーストから成る厚膜電極がシルクスクリーン印刷およびこれに続く焼成によって取り付けられる。

銀メタライジングは、とりわけはんだ結合に適している。増大する技術的な要求のため、ボンディングおよび溶接のような、最近の信頼性のある端子接続に関して、特に金ワイヤ、アルミニウムワイヤ、あるいは銅ワイヤを用いたボンディングの際には、もう１つの電極が必要であるが、これは銀への結合が充分な信頼性を全く備えないからである。

金メタライジングの場合には、接続ワイヤへのはんだ付けは実現することができない。ボンディング接続は、費用的な理由から、金の細いワイヤを用いてのみ実現されている。金電極へのアルミニウムボンディングワイヤ接続は、上記の必要とされる信頼性を達成しない。

パワーモジュールにおける使用の場合には、主に表面実装デバイスのＮＴＣ温度センサ（複数）が用いられ、これらははんだ付けされる。低パワー用の制御モジュールでは、この代替として、ＮＴＣチップ（複数）も用いられ、これらはその下面でＡｇ焼結ペースト，はんだ，または接着を用いて取り付けられており、そしてその上面でボンディングワイヤを介して接続される。

使用温度および信頼性に関して増大する要求のため、はんだ付け無しにプリント基板／ＤＣＢ基板へ取り付けることができ、かつ高い長時間安定性を備えるとともにより高い温度での使用に適したＮＴＣ温度センサが求められている。同時にこのような新たなセンサは、安価な製造方法によって製造可能でなければならない。

本発明の課題は、改善された特性を備えるセンサ構成体を提示することである。

これらの課題は、独立請求項に記載のセンサ構成体および方法によって解決される。

１つの態様によれば、温度測定用の１つのセンサ構成体が提示される。このセンサ構成体は、１つのセンサ素子を備える。このセンサ構成体は、好ましくは１つのセラミックのセンサ材料を備える。このセンサ素子は、好ましくは１つのＮＴＣサーミスタチップである。このセンサ素子は、少なくとも１つの電極を備える。好ましくはこのセンサ素子は、２つの電極を備える。好ましくはこれらの電極は、このセンサ素子の異なる面上に、たとえば上面および下面上に配設されている。この代替として、これらの電極は、１つの面上に、たとえばこの上面上に配設されていてよい。

さらにこのセンサ構成体は、１つの接続素子を備える。この接続素子は、１つの導電性の材料を備える。このセンサ構成体は、ただ１つの接続素子を備えてよい。このセンサ構成体は、２つ以上の接続素子、たとえば２つの接続素子を備えてもよい。この接続素子は、上記のセンサ素子のワイヤリングの無い接続用に形成されて配設されている。換言すれば、この接続素子は、上記のセンサ素子をワイヤリング無しで接続するための、外部のパターン／構造を備えている。さらに、この接続素子は、上記のセンサ素子をワイヤリング無しで接続することを可能とする、所定の位置および／または方向に配設されている。センサ素子と接続素子との相対的な位置は、ワイヤリング無しの接続が可能となるように設定されている。さらにこの接続素子は、上記のセンサ素子あるいは上記のセンサ構成体の剛性を高めるように形成されて配設されている。好ましくはこのセンサ素子の接続部は、１つのプロセスステップにおいて上記のセンサ構成体の回路基板への取り付けと一緒に行われる。

１つの実施形態例によれば、上記の接続素子は座面（複数）を備える。この接続素子は、少なくとも１つの第１の座面および少なくとも１つの第２の座面を備える。これらの座面の少なくとも１つ、すなわち１つの第１の座面は、少なくとも部分的に上記のセンサ素子の１つの外面上に配設されている。好ましくは、この第１の座面はこの外面の一部分上で着座している。これにより上記の接続素子は、上記のセンサ素子の保護に用いられる。たとえば銀焼結の場合での圧力負荷は、この接続素子によって補償することができる。これによりとりわけ剛性のあるセンサ構成体が提供される。

１つの実施形態例によれば、上記の座面のもう１つ、すなわち１つの第２の座面は、上記のセンサ素子を基板に結合するために形成されて配設されている。たとえば上記の接続素子の第２の座面は、上記の回路基板上あるいはこの基板に固定されている。こうして簡単なやりかたで上記のセンサ素子のワイヤリング無しの接続を達成することができる。

１つの実施形態例によれば、上記の座面（複数）は、それぞれ水平方向に延在している１つの領域を備える。これらの座面の水平方向に延在している領域は、上記の接続素子の上面および／または下面を形成している。換言すれば、上記の接続素子の上面は、２つの画定された水平方向の領域を備えてよく、これらは座面として用いられる。この代替として、上記の接続素子の下面は、２つの画定された水平方向の領域を備えてよく、これらは座面として用いられる。この代替として、上記の上面が少なくとも１つの画定された水平方向の領域を備え、そして上記の下面が少なくとも１つの画定された水平方向の領域を備えてよく、ここでこれらの水平方向の領域は座面として用いられる。これらの座面は、好ましくは上記の接続素子の、垂直方向に延在する１つの領域によって互いに結合されている。

たとえば上記の接続素子は、階段形状に形成されている。具体的には、この接続素子は、１つの金属ブラケットを備えてよい。この金属ブラケットは、好ましくは階段形状に形成されており、この金属ブラケットを用いてセンサ素子と回路基板との結合を行うことができるようになっている。

この代替として、上記の接続素子は、波形状に形成されていてよい。換言すれば、この接続素子は、アーチ形状（geschwungene Form）を備えてよい。この金属ブラケットは、好ましくは波形状に形成されており、この金属ブラケットを用いてセンサ素子と回路基板との結合を行うことができるようになっている。

具体的には、上記の接続素子は、この接続素子が上記のセンサ素子の上面または外面上でも、またもう１つの表面、たとえば１つのプリント基板の表面上にも着座することができるように形成されている。この際この接続素子は上記のセンサ素子の上面を完全に覆ってよく、あるいは部分的にのみ覆ってもよい。

上記の選択された構造は、小さな電気的および熱的バラつきでのセンサ素子の製造プロセスを可能とする。同時に、上記のブラケット形状の接続素子を有する構造により、上記のＮＴＣサーミスタチップの機械的剛性が大きくなり、ここでこのＮＴＣサーミスタチップ自体が、加圧焼結のプロセスの際に保護される。これによりこのデバイスの過圧焼結は、微小亀裂等のどのような損傷も生じないようにすること、あるいは全くこのデバイスの破損を引き起こさないようにすることを可能とする。

このようにして安価な電極系を有する１つのＮＴＣ温度センサが提供され、これはさらに加えてこのＮＴＣ温度センサのワイヤリング無しの接続を可能とする。この温度センサの接続は、１つのプロセスステップにおいて、他の部品の取り付けと一緒に行われることになる。パワーモジュールの場合においては、これは銀焼結の加圧焼結を用いた接続となる。ここでデバイスは、３００℃までの温度で、３０ＭＰａまでの圧力負荷あるいはこれ以上の圧力負荷を受ける。

１つの実施形態例によれば、上記のセンサ素子は、上面を備える。好ましくはこのセンサ素子の上面は、このセンサ素子の１つの回路基板上への取り付けの後で、この回路基板に向いていないセンサ素子の表面となる。上記の接続素子は、少なくとも部分的にこの上面と結合されている。この接続素子は、たとえばこの上面上に焼結固着（aufgesintert）されている。好ましくはこの接続素子は、無圧で銀ペーストを用いてこの上面上に焼結固着されている。この代替として、しかしながら上記の接続素子は、はんだ処理を用いるかまたは接着によってもこの上面上に固定されてよい。

１つの実施形態によれば、本発明によるセンサ構成体は、もう１つの接続素子を備える。このもう１つの接続素子は、上記のセンサ素子と上記の回路基板との間のもう１つの接続を形成するように構成されている。

２つの接続素子を有するセンサ構成体の利点は、これらの接続素子の（上）面に渡る取り付けの際に、上記の回路基板上での水平化も、また調整の改善も容易に実現することができることである。もう１つの利点は、上記の銀焼結，はんだ付け，または接着の際に、上記のＮＴＣチップ自体を加圧することを必要とせずに、このセンサ素子をこれら２つの接続素子の面に渡って押圧することができることである。

このセンサ素子は、下面を備える。上記のもう１つの接続素子は、少なくとも部分的に、このセンサ素子の下面に配設されている。好ましくは、このセンサ素子の下面は、その回路基板への取り付けの後は、このセンサ素子の、この回路基板に向いた表面を形成する。上記のもう１つの接続素子は、少なくとも部分的にこの下面と結合されている。この接続素子は、たとえばこの下面上に焼結固着されている。好ましくはこの接続素子は、銀ペーストを用いてこの下面上に無圧で焼結固着されている。しかしながら、この代替として、この接続素子は、はんだ付け処理または接着を用いて、この下面に固定されてよい。

１つの態様によれば、１つのセンサ構成体を製造するための方法が示される。好ましくは、この方法によって上述のセンサ構成体が製造される。上記のセンサ素子、上記の接続素子、上記のセンサ構成体、またはこの方法に関して開示された全ての特徴は、これに対応してそれぞれの他の態様に関しても開示されているものであり、そしてこの逆も成り立っている。またそれぞれの特徴がそれぞれの態様に関連して顕わに示されていない場合でこれらは成り立っているものである。

本方法は、以下のステップを備える。
− １つのセラミック基体を形成するためのＮＴＣシート（複数）を製造するステップ。
− 積層され、プレスされ、そして脱炭されたこれらのグリーンシート（複数）を焼結するステップ。好ましくはこのセラミック基体は、ペロブスカイト構造を備える。具体的にはこのセラミックは、様々なドーピングを含むＹ−Ｃａ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｏ系をベースにするものであってよい。代替として、このセラミックは、スピネル構造を備えてよい。たとえばこのセラミックは、様々なドーピングを含むＮｉ−Ｃｏ−Ｍｎ−Ｏ系をベースにするものであってよい。
− Ｎｉ／Ａｇの薄膜電極（複数）または厚膜電極を、上記の基体上のＡｇまたはＡｕの下地上に、両側に取り付けるステップ。
− 少なくとも１つの接続素子を１つの外面に取り付けるステップ。好ましくはこの接続素子は、この外面の１つの部分領域上に焼結固着される。
− 好ましくは銀焼結を用いて、上記のセンサ構成体を１つの回路基板に接続するステップ。

このようにして安価な電極系を有する１つのＮＴＣ温度センサが提供され、これはこのＮＴＣセンサのワイヤリング無しの接続を可能とする。この温度センサの接続は、１つのプロセスステップにおいて、他の部品と一緒に取り付けることで行うことができる。

１つの態様によれば、少なくとも１つの電極を備える、温度測定用のセンサ素子が提示され、ここでこのセンサ素子は、上面を備え、そして１つの接続素子がこの上面に配設されており、ここでこの接続素子は、１つのブラケットの形状で形成されている。

実施形態例とこれに付随する図を参照して、本発明によるセンサ構成体を以下に詳細に説明する。

以下に説明する図面は、寸法を正確に示すものではない。むしろより見易いように、個々の寸法は、拡大、縮小、または歪んで表示されていることがあり得る。

互いに同じ要素、または同じ機能を担う要素は、同じ参照番号で示されている。

１つのセンサ構成体を示す。 図１に示すセンサ構成体を側面図で示す。 もう１つの実施形態例による、図２のセンサ構成体を示す。 １つのＤＣＢ基板に取り付けられた１つのセンサ構成体を示す。

図１は、１つのセンサ構成体１０を示す。図２は、このセンサ構成体１０を側面図で示す。このセンサ構成体１０は、１つのセンサ素子１を備える。好ましくはこのセンサ素子１（センサ１）は、１つのＮＴＣサーミスタチップから成っている。このＮＴＣサーミスタチップは、様々なドーピングを含むＹ−Ｃａ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｏ系のペロブスカイトをベースにして製造され、または様々なドーピングを含むＮｉ−Ｃｏ−Ｍｎ−Ｏ系のスピネルをベースにして製造される。このセンサ素子１は、具体的には１つのセラミック基体７を備える。このセラミック基体７は、上述の構造をベースにして製造されている。追加的に、このセンサ素子１は、もう１つのセラミックの補強部または１つの担体を備える（不図示）。このＮＴＣサーミスタチップ１は、顆粒からプレスによって直接製造されるか、またはセラミックシートから構築されてよい。

センサ１の上面５および下面６上には、シルクスクリーン印刷またはスパッタリング等の薄膜技術を用いて、電極２，３が取り付けられる。

これらの電極の取り付けの際には、薄膜技術と厚膜技術とが区別されてよい。薄膜電極の製造は、スパッタリングまたは蒸着によって行うことができる。この際１つの第１の実施形態におけるこのベース電極は、１つの層（たとえばバナジウム成分を含む１つのニッケル層、または１つの銅層）から成っているか、または１つの第２の実施形態においては、２つの層（たとえばＣｒ／Ｎｉ，Ｔｉ／Ｎｉ，またはＮｉ／Ｃｕ）から成っており、これら２つの層も同様にバナジウム成分を含んでよい。このベース電極は、１つの酸化しにくい金属から成るカバー層によって保護されてよい。微細分散した銀ペーストでの銀焼結を用いた結合の場合には、銀のカバー電極が有利である。このベース電極の厚さは、１０μｍより小さく、さらに有利には３μｍより小さく、理想的には０．５μｍより小さい。上記のカバー電極の厚さは１μｍまでであってよく、特別な場合は２０μｍまでであってよい。

厚膜電極の製造は、シルクスクリーン印刷処理とこれに続く焼成によって行うことができる。ここに使用されるペーストは、銀あるいは金または適当な混合物を含んでよい。

電極２，３は、上述したように、上記のＮＴＣサーミスタチップの上面５および下面６上に取り付けられる。

センサ構成体１０は、１つの接続素子４を備える。さらにこのセンサ構成体１０は、図３を参照して説明されるように、さらなる接続素子４'を備えてもよい。

具体的には、センサ１の上面５上に、接続素子４が配設されている。この接続素子４は、この面５上に配設されている電極２上に、少なくとも部分的に着座している。

この実施形態例による接続素子４は、１つの金属ブラケットの形態で実装されている。具体的にはこの接続素子４は階段状に形成されている。しかしながらこの接続素子は他の形状であってもよく、たとえばアーチ形状の接続素子４であってもよい。

いずれの場合においても、接続素子４は、１つの第１の座面４ａおよび１つの第２の座面４ｂを備えなければならない。これらの座面４ａ，４ｂは、この接続素子４の同じ面上、たとえば下面上に形成されている。この代替として、これらの座面４ａ，４ｂは、異なる面、すなわちこの接続素子４の上面および下面に形成されていてよい。

座面４ａ，４ｂは、この実施形態例においては、接続素子４の下面の水平のセグメントとして形成されている。これらの座面４ａ，４ｂは、１つの垂直方向のウェブ４ｃによって互いに結合されている。この接続素子４の下面の反対側にある上面も同様に形成されている。すなわちこの接続素子の上面は、水平方向の２つの領域を備え、そしてこれらの間に配設されている垂直方向の１つのウェブを備える。

第１の座面４ａは、センサ素子１の上面５に着座している。具体的にはこの第１の座面４ａは、上面５に配設されている電極２を少なくとも部分的に覆っている。接続素子４は、ＮＴＣサーミスタチップの上面５上に、銀ペーストを用いて無圧で焼結固定されている。代替として、この接続素子４を、たとえば上記の金属ブラケットに、はんだ付け処理を用いて、または接着によって取り付けることも可能である。

第２の座面４ｂは、たとえば１つのプリント基板またはボードあるいは１つのＤＣＢ基板１１上に着座している（図４参照）。この第２の座面４ｂは、このＤＣＢ基板の１つの電極パッド１２ａ，１２ｂ上に着座している（図４）。

上記のＤＣＢ基板１１あるいは上記のプリント基板へのセンサ１の接続は、銀焼結、はんだ付け、または接着を用いて行うことができ、ここでＮＴＣサーミスタチップ１は、１つの電極パッド上に配置され、そして接続素子４は、もう１つの電極パッド上に配置される。この結果接続素子４を介したこのセンサ１の接続は、１つのプロセスステップにおいて他の部品と一緒に取り付けられる。この結果この実施形態例においては、この接続素子４を有するＮＴＣサーミスタチップは、実質的に、１つの金属ブラケットによって上記の上面５上に接続されている１つのＮＴＣサーミスタチップとなる。この接続素子４は、基板への接続の他に、銀の加圧焼結の際のＮＴＣサーミスタチップ用の保護として用いられる。

定格温度でとりわけバラつきの少ない抵抗とするためには、追加的なトリミング処理を用いて個々のデバイスの抵抗を調整することができる。この際セラミック材料または電極材料が、たとえばレーザー裁断、グラインディング、ソーイングによって、部分的に除去され、こうしてこの抵抗の幾何形状の変更によって調整される。

上記の金属ブラケットの取り付けは、上記の抵抗の調整の後に行われる。センサ１は、上述のように、押圧下でプリント基板／ＤＣＢ基板上に焼結されてよい。さらに導電路へのセンサ１の接続は、接着またははんだ付けによっても可能である。この１つの処理ステップにおける直接の接続によって、他の接続、たとえばボンディングはもはや必要ではない。こうしてこの金属ブラケットを有するＮＴＣサーミスタチップ１は、ワイヤリング無しで取り付けることができる。

上記の選択された構造は、上記の電気抵抗の小さな電気的および熱的バラつきを有する、１つのデバイスの製造プロセスを可能とする。同時に、上記の金属ブラケットを有する構造により、上記のサーミスタの機械的剛性が大きくなり、ここでこのＮＴＣサーミスタチップ自体が、加圧焼結のプロセスの際に保護される。これによりこのデバイスの過圧焼結は、微小亀裂等のどのような損傷も生じないようにすること、あるいは全くこのデバイスの破損を引き起こさないようにすることを可能とする。

以下ではセンサ構成体１０の製造が例示的に記載される。

第１のステップにおいて、ＮＴＣ粉末が製造される。このステップには、計量、湿式の一次造粒、乾燥、ふるい分け、か焼、湿式の二次造粒、乾燥、ふるい分けが含まれる。

次のステップにおいて、ＮＴＣシートの製造が行われる。この後グリーンシートの積層およびプレスが行われる。これに続いてこの積層され、そしてプレスされたグリーンシート（複数）の脱炭が行われる。

続いてこの脱炭された基板の焼結が行われる。次のステップにおいて、既に上述されたように、Ｎｉ／Ａｇの薄膜電極が両面に取り付けられる。

この後、定格温度での個々の基板の抵抗（複数）の電気的測定が行われる。これに続いてこれらの基板は、この予備測定データに基づいて、ＮＴＣサーミスタチップ（複数）に個々に分離される。

このサーミスタの抵抗は、一方では焼結パラメータ／セラミック組成によって調整することができ、他方ではチップ形状によって調整することができる。上記の基板を個々に分離する前に、定格温度でのこの基板の総抵抗が求められる。この予備測定データを参照して、それぞれのＮＴＣサーミスタチップの幾何形状が画定される。

裁断処理によって、最終的な幾何形状が生成される。極めてバラつきの少ない抵抗とする場合には、定格温度での抵抗の調整のためにトリミング処理が、部分的なレーザーアブレーションによって行われてよい。

続いて目視検査および抜き取り検査的な試験測定が行われる。この後上記のように金属ブラケットが取り付けられる。具体的には、この金属ブラケットの取り付けは、上記の抵抗の調整の後で行われる。最後に再度目視検査および抜き取り検査のような試験測定が行われる。

図３は、もう１つの実施形態例による、１つのセンサ構成体１０の側面図を示す。

図１および２に示すセンサ構成体１０と異なり、図３に示すセンサ構成体１０は、２つの接続素子４，４'を備える。この際１つの接続素子４は、その第１の座面４ａが少なくとも部分的にセンサ１の上面５上に着座するように、配設されている。この接続素子４の第２の座面４ｂは、センサ１を接続するために（図４参照）、たとえば１つの回路基板あるいはＤＣＢ基板１１に配設されるように構成されている。具体的にはこの第２の座面４ｂは、図４から明らかなように、このＤＣＢ基板１１の１つの電極パッド１２ｂ上に配設されている。

この第２の座面４ｂおよびこれと反対側にある水平方向の面によって構成される、接続素子４の側部アームは、このために、そして図１および２を参照して説明されている接続素子と異なり、より厚く形成されていてよい（顕わには示されていない）。以上により、センサ１と回路基板との間のより大きな距離、具体的にはより大きな高さを跨ぐことができる。たとえばここではすなわちこのセンサ１は、より高く形成されるか、または、ここに示すように、もう１つの接続素子４'上に配設することができる。上記のアームをより厚く実装することの代替として、図３に示すように、座面４ａ，４ｂを結合する垂直方向のウェブがより長く実装されてよい。

上記のもう１つの接続素子４'は、その第１の座面４ａ'が少なくとも部分的にセンサ１の下面６上に着座するように、配設されている。この実施形態例においては、この第１の座面４ａ'の反対側にある第３の座面８は、たとえば上記の回路基板上または上記のＤＣＢ基板１１上に着座している。ここでこの第３の座面８は、この接続素子４'の上面に配設されている。この代替として、この第１の座面４ａ'の１つの部分領域が上記のＤＣＢ基板１１上あるいは１つの電極パッド１２ａ上に着座していてもよい（図４参照）。この場合、この第１の座面４ａ'は、もう１つの、すなわち第２の座面４ｂ'を形成し、これは上記のＤＣＢ基板１１上への着座に用いられる。

ここで提示した物の記載は、個々の特定の実施形態に限定されるものではない。むしろこれらの個々の実施形態の特徴は、技術的に意味がある限り、任意に互いに組み合わせることができる。

１ ： センサ素子
２ ： 電極
３ ： 電極
４，４'： 電極
４ａ，４ａ'： 第１の座面
４ｂ，４ｂ'： 第２の座面
４ｃ ： ウェブ
５ ： 上面
６ ： 下面
７ ： 基体
８ ： 第３の座面
１０ ： センサ構成体
１１ ： ＤＣＢ基板
１２ａ，１２ｂ ： ＤＣＢ基板の電極パッド

Claims (13)

1. 温度測定用のセンサ構成体（１０）であって、
   少なくとも１つの電極（２，３）を有する１つのセンサ素子（１）と、
   少なくとも１つの接続素子（４）と、
   を備え、
   前記接続素子（４）は、前記センサ素子（１）のワイヤリングの無い接続用に形成されて配設されている、
   ことを特徴とするセンサ構成体。
2. 請求項１に記載のセンサ構成体において、
   前記接続素子（４）は、１つの第１の座面（４ａ）および１つの第２の座面（４ｂ）を備え、 前記第１および第２の座面（４ａ，４ｂ）の内少なくとも１つは、少なくとも部分的に前記センサ素子（１）の１つの外面上に配設されている、
   ことを特徴とするセンサ構成体。
3. 前記第１および第２の座面（４ａ，４ｂ）の内のもう１つは、前記センサ素子（１）を１つの回路基板と接続するために形成されて配設されていることを特徴とする、請求項２に記載のセンサ構成体。
4. 請求項２または３に記載のセンサ構成体において、
   前記第１および第２の座面（４ａ，４ｂ）は、前記接続素子（４）の上面および／または下面の、水平方向に延在している１つの領域を備え、 前記第１および第２の座面（４ａ，４ｂ）は、前記接続素子（４）の、垂直方向に延在する１つの領域（４ｃ）によって互いに結合されている、
   ことを特徴とするセンサ構成体。
5. 前記接続素子（４）は、階段形状に形成されていることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のセンサ構成体。
6. 前記接続素子（４）は、波形状に形成されていることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のセンサ構成体。
7. 前記接続素子（４）は、１つの金属ブラケットを備えることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載のセンサ構成体。
8. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載のセンサ構成体において、
   前記センサ素子（１）は、上面（５）を備え、
   前記接続素子（４）は、少なくとも部分的に前記上面（５）と結合されている、
   ことを特徴とするセンサ構成体。
9. 前記接続素子（４）は、前記上面（５）上に焼結固着されていることを特徴とする、請求項８に記載のセンサ構成体。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載のセンサ構成体において、
    前記センサ素子（１）は、下面（６）を備え、 もう１つの接続素子（４'）が、少なくとも部分的に、前記センサ素子（１）の前記下面に配設されていることを特徴とするセンサ構成体。
11. センサ構成体（１０）を製造するための方法であって、
    １つのセラミック基体（７）を形成するための複数のＮＴＣシートを製造するステップと、
    積層され、プレスされ、そして脱炭された複数の前記グリーンシートを焼結するステップと、
    複数のＮｉ／Ａｇの薄膜電極（２，３）を、前記基体（７）上に取り付けて、１つのセンサ素子（１）を形成するステップと、
    少なくとも１つの接続素子（４）を前記センサ素子（１）の１つの外面に取り付けるステップと、
    を備えることを特徴とする方法。
12. 銀焼結を用いて、前記センサ素子を１つの回路基板に接続する、さらなるステップを備えることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
13. 前記接続素子（４）を介した前記センサ素子（１）の接続、および１つの回路基板との前記センサ素子（１）の結合は、１つのプロセスステップにおいて行われることを特徴とする、請求項１１または１２に記載の方法。

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