JPH10242394A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH10242394A
JPH10242394A JP9043234A JP4323497A JPH10242394A JP H10242394 A JPH10242394 A JP H10242394A JP 9043234 A JP9043234 A JP 9043234A JP 4323497 A JP4323497 A JP 4323497A JP H10242394 A JPH10242394 A JP H10242394A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistance
photoresist
opening
forming
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9043234A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Fukui
武司 福井
Hidetoshi Furukawa
秀利 古川
Daisuke Ueda
大助 上田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP9043234A priority Critical patent/JPH10242394A/ja
Priority to US09/031,039 priority patent/US6245628B1/en
Priority to CN98105298.3A priority patent/CN1116701C/zh
Publication of JPH10242394A publication Critical patent/JPH10242394A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
    • H01L29/66196—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices with an active layer made of a group 13/15 material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/8605—Resistors with PN junctions

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半絶縁性基板上に、不純物注入により形成さ
れた抵抗領域を完全に横切る開口部を有するフォトレジ
ストを形成して抵抗領域をエッチングして抵抗値を調整
した場合、エッチング調整の仕方によっては抵抗値が無
限大になることがあった。抵抗値が無限大になることを
事前に防止し、抵抗値の制御性及び均一性の向上を高
め、歩留まりの向上を図ることを目的とする。 【解決手段】 半絶縁性基板上に、抵抗領域を選択的に
形成し、抵抗領域の両端にオーミック電極を選択的に形
成する。次に、電極間に開口部を有するフォトレジスト
を抵抗領域を完全に横切らないように形成する。次に、
前記開口部内の抵抗領域を少しづつエッチング除去する
ことにより、所望の抵抗値を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半絶縁性の半導体
基板上に形成された半導体装置の製造方法、特に、抵抗
値が調整された抵抗の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の電極間の抵抗の形成方法において
は、抵抗領域の上にフォトレジストによる抵抗調整用の
開口部を形成し、開口部より抵抗領域をエッチングする
ことにより、電流をモニターしながら所望の抵抗値を得
る方法が行われていた。
【０００３】従来のフォトレジストパターンを用いた抵
抗値調整法による抵抗の形成方法について、図３に示し
た断面図（Ａ１〜Ｆ１）と平面図（Ａ２〜Ｆ２）を参照
して説明する。
【０００４】まず、ＧａＡｓ等の半絶縁性基板１上に開
口部２を有するフォトレジスト３を形成し、半絶縁性基
板１に不純物のイオン注入を行い、高不純物濃度の抵抗
コンタクト領域４を形成する（図３のＡ１，Ａ２）。
【０００５】次に、フォトレジスト３を除去し、半絶縁
性基板１上に開口部５を有する新たなフォトレジスト６
を形成する。その後、半絶縁性基板１にイオン注入を行
い、低不純物濃度の抵抗領域７を形成する（図３のＢ
１，Ｂ２）。
【０００６】その後フォトレジスト６を除去し、半絶縁
性基板１上に電極形成用の開口部８を有するフォトレジ
スト９を形成する（図３のＣ１，Ｃ２）。
【０００７】次に、金属膜を形成したのち、フォトレジ
スト９を除去してリフト・オフ法によりオーミック電極
１０を形成する（図３のＤ１，Ｄ２）。
【０００８】次に、半絶縁性基板１上に抵抗領域７を横
切った抵抗調整用の開口部１１を有するフォトレジスト
１２を形成し、抵抗領域７にエッチングを施した後、抵
抗値を測定しながら所望の抵抗値になるように調整を行
う（図３のＥ１，Ｅ２）。
【０００９】最後に、フォトレジスト１２を除去するこ
とにより抵抗値が調整された電極間の抵抗が形成される
（図３のＦ１，Ｆ２）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような抵抗の形成方法では、図３のＥ２に示すように抵
抗領域７上を完全に横切ったフォトレジスト１２の開口
部１１を形成するため、開口部１１を通して抵抗領域７
をエッチングし、電流をモニターしながら抵抗値の調整
を行うとき、図４に示すように、エッチング時間がある
ところから急に抵抗値が高くなるので、エッチングの調
整時間を少しオーバーするだけで、抵抗領域７を貫通し
てしまい、抵抗が無限大の抵抗値となってしまうことが
ある。
【００１１】また、図４に示すように抵抗値を設計値の
範囲内に合わせるためのエッチング時間が秒単位の非常
に短いため、抵抗値の制御性が悪く、その抵抗値のばら
つきが原因で歩留まりが低下するという問題があった。
【００１２】一般に、集積回路内の抵抗形成において、
歩留まりの向上を図るために電極間の抵抗値の制御性の
向上が要求されている。本発明は、このような電極間の
抵抗の形成において、抵抗値の制御性の向上を図ること
を目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】課題を解決するための本
発明の抵抗の形成方法は、半絶縁性の半導体基板上に不
純物のイオン注入もしくは拡散により選択的に抵抗領域
を形成し、抵抗領域の両端部に電極を形成し、表面に膜
を形成した後、前記抵抗領域を横切らない膜の開口部を
形成し、開口部で露出した抵抗領域をエッチングする事
によって前記抵抗領域の抵抗値の調整を行うものであ
る。
【００１４】これにより、抵抗領域を貫通する程エッチ
ングしても抵抗値が無限大にならないとともに、設定値
にあわせる抵抗値調整のためのエッチング時間も余裕を
もって行うことができるため、抵抗値の制御性の向上及
び歩留まりの向上を図ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図１と図２を用いて説明する。
【００１６】（実施の形態）本発明の実施の形態におけ
る抵抗領域を完全に横切らないフォトレジストパターン
を用いた抵抗値調整法による抵抗の形成方法について、
図１に示した断面図（Ａ１〜Ｆ１）と平面図（Ａ２〜Ｆ
２）を参照して説明する。
【００１７】まず、ＧａＡｓ等の半導体の半絶縁性基板
１上に開口部２を有するフォトレジスト３を形成し、半
絶縁性基板１に不純物のイオン注入もしくは不純物の拡
散により、高不純物濃度の抵抗コンタクト領域４を形成
する（図１のＡ１，Ａ２）。
【００１８】次に、フォトレジスト３を除去し、半絶縁
性基板１上に抵抗領域形成用の開口部５を有する新たな
フォトレジスト６を形成する。その後、フォトレジスト
６をマスクとして半絶縁性基板１にイオン注入もしくは
拡散を行い、低不純物濃度の抵抗領域７を形成する（図
１のＢ１，Ｂ２）。
【００１９】その後、フォトレジスト６を除去し、半絶
縁性基板１上に電極形成用の開口部８を有する新たなフ
ォトレジスト９を形成する（図１のＣ１，Ｃ２）。
【００２０】次に、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ等の金属膜を表
面に形成したのち、フォトレジスト９を除去してリフト
・オフ法によりオーミック電極１０を形成する（図１の
Ｄ１，Ｄ２）。
【００２１】次に、半絶縁性基板１上に抵抗領域７を横
切らない２個の抵抗調整用の開口部１３を有するフォト
レジスト１４を形成し、エッチング液に浸して開口部１
３より抵抗領域７にエッチングを施す。この後、半絶縁
性基板１をエッチング液から取り出し、一部開口された
電極にプローブを当て、電流を流して所望の抵抗値にな
ったかどうか測定する。まだ所望の抵抗値になっていな
ければ再度エッチングを行い、取り出してから抵抗値を
測定する。この工程を繰り返すことによって所望の抵抗
値になるように調整を行う（図１のＥ１，Ｅ２）。
【００２２】最後に、フォトレジスト１４を除去するこ
とにより、抵抗値が調整された電極間の抵抗が形成され
る（図１のＦ１，Ｆ２）。
【００２３】本発明の実施の形態により得られた、エッ
チング時間とシート抵抗値の関係を図２に示す。
【００２４】この図から分かるように、本発明の抵抗の
形成方法では、従来の抵抗形成方法に比べて（図４参
照）、エッチング時間に対しての抵抗値の変化率が小さ
い。このため図２の斜線部分のように、設計値の範囲内
に抵抗値に合わせるためのエッチング時間が従来より長
くなるため、エッチング時間を少々オーバーしても抵抗
値は設計値内にとどめることができ、抵抗値の均一性の
向上が図られ、歩留まりの向上が実現できる。
【００２５】また、抵抗値調整のためのエッチングによ
り、例え抵抗領域を貫通しても抵抗値が無限大になる事
を防ぐことができるため、抵抗値調整が従来よりも安全
に、容易に行うことができる。
【００２６】なお、実施の形態において、抵抗値調整用
の開口部を２個形成したように開口部を偶数個形成する
ことにより、抵抗の形状を対称にできるためバランスが
とれる。しかし、抵抗値調整用の開口部の数を奇数個に
してもよく、抵抗の形状が非対称になるだけで、上記の
効果は変わらない。
【００２７】
【発明の効果】本発明の抵抗の形成方法によれば、設計
値内での抵抗値調整のためのエッチング時間に十分な余
裕があることと、抵抗値調整のためのエッチングによ
り、例え抵抗領域を貫通しても抵抗値が無限大になるこ
とが無いため、抵抗値の調整がやりやすくなるととも
に、抵抗値のばらつきが減少するため、歩留まりの向上
を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における抵抗の形成方法を
示すフローチャート
【図２】本発明のエッチング時間に対するシート抵抗値
の変化を示した図
【図３】従来の抵抗形成方法を示すフローチャート
【図４】従来のエッチング時間に対するシート抵抗値の
変化を示した図
【符号の説明】
１ 半絶縁性基板 ２、５、８、１３ 開口部 ３、６、９、１４ フォトレジスト ４ 抵抗コンタクト領域 ７ 抵抗領域 １０ オーミック電極

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半絶縁性の半導体基板上に不純物をイオン
    注入もしくは拡散により選択的に抵抗領域を形成する工
    程と、同抵抗領域の両端部に電極を形成する工程と、前
    記半導体基板の表面に膜を形成した後、前記抵抗領域を
    横切らない前記膜の開口部を形成する工程および同開口
    部で露出した前記抵抗領域をエッチングすることによっ
    て前記抵抗領域の抵抗値の調整を行う工程とを有するこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】抵抗領域を横切らない開口部を複数個形成
    することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造
    方法。
JP9043234A 1997-02-27 1997-02-27 半導体装置の製造方法 Pending JPH10242394A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9043234A JPH10242394A (ja) 1997-02-27 1997-02-27 半導体装置の製造方法
US09/031,039 US6245628B1 (en) 1997-02-27 1998-02-26 Method of manufacturing a resistor in a semiconductor device
CN98105298.3A CN1116701C (zh) 1997-02-27 1998-02-27 半导体器件的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9043234A JPH10242394A (ja) 1997-02-27 1997-02-27 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10242394A true JPH10242394A (ja) 1998-09-11

Family

ID=12658228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9043234A Pending JPH10242394A (ja) 1997-02-27 1997-02-27 半導体装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6245628B1 (ja)
JP (1) JPH10242394A (ja)
CN (1) CN1116701C (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8546884B2 (en) * 2002-10-29 2013-10-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. High value resistors in gallium arsenide
US7199016B2 (en) * 2004-08-13 2007-04-03 Raytheon Company Integrated circuit resistor
US7911318B2 (en) * 2007-02-16 2011-03-22 Industrial Technology Research Institute Circuit boards with embedded resistors
CN106298117A (zh) * 2015-06-11 2017-01-04 大量科技股份有限公司 电阻元件及其阻值修整方法
DE102016101249A1 (de) 2015-11-02 2017-05-04 Epcos Ag Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE113820C (ja) *
SE354143B (ja) * 1972-02-15 1973-02-26 Ericsson Telefon Ab L M
JPS5513426B2 (ja) * 1974-06-18 1980-04-09
US4051504A (en) * 1975-10-14 1977-09-27 General Motors Corporation Ion implanted zener diode
NL7513161A (nl) * 1975-11-11 1977-05-13 Philips Nv Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
US4160984A (en) * 1977-11-14 1979-07-10 Hughes Aircraft Company Schottky-gate field-effect transistor and fabrication process therefor
US4191938A (en) * 1978-07-03 1980-03-04 International Business Machines Corporation Cermet resistor trimming method
JPS55138267A (en) * 1979-04-12 1980-10-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of semiconductor integrated circuit containing resistance element
US4583107A (en) * 1983-08-15 1986-04-15 Westinghouse Electric Corp. Castellated gate field effect transistor
US4679298A (en) * 1984-01-16 1987-07-14 Mcdonnell Douglas Corporation Method of fabrication of GaAs complementary enhancement mode junction field effect transistor
US4742021A (en) * 1985-05-05 1988-05-03 Burr-Brown Corporation Subsurface zener diode and method of making
US4637126A (en) * 1985-08-30 1987-01-20 Rca, Inc. Method for making an avalanche photodiode
KR920009718B1 (ko) * 1987-08-10 1992-10-22 스미도모덴기고오교오 가부시기가이샤 화합물반도체장치 및 그 제조방법
JPH0793410B2 (ja) * 1987-12-28 1995-10-09 三菱電機株式会社 半導体装置
US5081439A (en) * 1990-11-16 1992-01-14 International Business Machines Corporation Thin film resistor and method for producing same
US5089427A (en) * 1990-12-03 1992-02-18 Motorola Inc. Semiconductor device and method
JP2687758B2 (ja) * 1991-05-27 1997-12-08 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
EP0620586B1 (en) * 1993-04-05 2001-06-20 Denso Corporation Semiconductor device having thin film resistor
US5468672A (en) * 1993-06-29 1995-11-21 Raytheon Company Thin film resistor and method of fabrication
JPH0818011A (ja) * 1994-04-25 1996-01-19 Seiko Instr Inc 半導体装置及びその製造方法
US5496762A (en) * 1994-06-02 1996-03-05 Micron Semiconductor, Inc. Highly resistive structures for integrated circuits and method of manufacturing the same
JPH0855978A (ja) * 1994-06-09 1996-02-27 Ngk Insulators Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPH08250520A (ja) * 1995-03-14 1996-09-27 Mitsubishi Electric Corp 電界効果型半導体装置
US5585302A (en) * 1995-08-10 1996-12-17 Sony Corporation Formation of polysilicon resistors in the tungsten strapped source/drain/gate process
US5837570A (en) * 1995-12-28 1998-11-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Heterostructure semiconductor device and method of fabricating same
US5679593A (en) * 1996-02-01 1997-10-21 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a high resistance integrated circuit resistor
US5622884A (en) * 1996-05-30 1997-04-22 Winbond Electronics Corp. Method for manufacturing a semiconductor memory cell and a polysilicon load resistor of the semiconductor memory cell
US5796131A (en) * 1996-07-22 1998-08-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Metal semiconductor field effect transistor (MESFET) device with single layer integrated metal
JPH10209178A (ja) * 1997-01-27 1998-08-07 Mitsubishi Electric Corp 電界効果型トランジスタ，およびその製造方法
US5976944A (en) * 1997-02-12 1999-11-02 Harris Corporation Integrated circuit with thin film resistors and a method for co-patterning thin film resistors with different compositions
JPH10326890A (ja) * 1997-03-21 1998-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US5830792A (en) * 1997-05-21 1998-11-03 Vanguard International Semiconductor Corporation Method of making a stack capacitor in a DRAM cell
US5834356A (en) * 1997-06-27 1998-11-10 Vlsi Technology, Inc. Method of making high resistive structures in salicided process semiconductor devices
JPH1154527A (ja) * 1997-07-30 1999-02-26 Fujitsu Ltd 電界効果トランジスタおよびその製造方法
US5895250A (en) * 1998-06-11 1999-04-20 Vanguard International Semiconductor Corporation Method of forming semicrown-shaped stacked capacitors for dynamic random access memory

Also Published As

Publication number Publication date
CN1116701C (zh) 2003-07-30
CN1192039A (zh) 1998-09-02
US6245628B1 (en) 2001-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4784718A (en) Method for manufacturing semiconductor device
US5270228A (en) Method of fabricating gate electrode in recess
JPH10242394A (ja) 半導体装置の製造方法
EP0718877A2 (en) Method of manufacturing a MESFET
JP2674618B2 (ja) 半導体集積装置の製造方法
JPH04168763A (ja) ポリシリコン抵抗体の製造方法
JP2664527B2 (ja) 半導体装置
KR0161198B1 (ko) 이종접합 트랜지스터의 부콜렉터층을 이용한 고저항 제조방법
KR100257525B1 (ko) 트랜지스터 형성방법
JPH0513458A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100272577B1 (ko) 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
JPS61136226A (ja) オ−ミツク電極の製造方法
JPH04162635A (ja) 半導体装置の製造方法
KR0161924B1 (ko) 박막트랜지스터 제조방법
JPH0426154A (ja) 半導体装置における抵抗形成方法
JPH029451B2 (ja)
JPS6134966A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS59964A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6148957A (ja) Ｍｏｓキヤパシタの製造方法
JPH01265573A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS59101872A (ja) 半導体装置
JPS5810854A (ja) 半導体拡散抵抗
JPH02199865A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0824160B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS59215773A (ja) 半導体装置