JPH0426154A - 半導体装置における抵抗形成方法 - Google Patents
半導体装置における抵抗形成方法Info
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- JPH0426154A JPH0426154A JP13162090A JP13162090A JPH0426154A JP H0426154 A JPH0426154 A JP H0426154A JP 13162090 A JP13162090 A JP 13162090A JP 13162090 A JP13162090 A JP 13162090A JP H0426154 A JPH0426154 A JP H0426154A
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- electrodes
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置における抵抗形成方法に関する。
具体的にいうと、本発明は、化合物半導体装置もしくは
集積回路において、半絶縁性基板内に抵抗を形成するた
めの方法に関する。
集積回路において、半絶縁性基板内に抵抗を形成するた
めの方法に関する。
［背景技術］
従来の半導体装置における抵抗の構造を、第３図に示す
。
。
３１は、絶縁領域３２内に形成された抵抗領域であり、
通常は、ｎ型キャリア活性層によって形成されている。
通常は、ｎ型キャリア活性層によって形成されている。
抵抗領域３１は、絶縁領域３２によって囲まれており、
抵抗領域３１の両端には、それぞれオーミック電極３３
．３４が形成されている。
抵抗領域３１の両端には、それぞれオーミック電極３３
．３４が形成されている。
［発明が解決しようとする課題］
上記のような構造の抵抗にあっては、その抵抗値は、抵
抗領域３１のシート抵抗ρ及びその幅Ｗとオーミック電
極３３．３４間の距１１１Ｌによって決まり（ρＬ／Ｗ
）、抵抗形成後には、製造ばらつきによる抵抗値の変動
や、周辺回路の電圧・電流等の特性変動の調節を行うこ
とができなかった。
抗領域３１のシート抵抗ρ及びその幅Ｗとオーミック電
極３３．３４間の距１１１Ｌによって決まり（ρＬ／Ｗ
）、抵抗形成後には、製造ばらつきによる抵抗値の変動
や、周辺回路の電圧・電流等の特性変動の調節を行うこ
とができなかった。
本発明は、取上の従来例の欠点に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、抵抗を一旦形成した後
においても、抵抗値を調整することができるようにする
ことにある。
あり、その目的とするところは、抵抗を一旦形成した後
においても、抵抗値を調整することができるようにする
ことにある。
［課題を解決するための手段］
このため、本発明の半導体装置における抵抗形成方法は
、絶縁領域内に形成された抵抗領域の両端部にオーミッ
ク接触する第一の電極を設け、少なくとも一方の前記第
一の電極の内側の端よりも内側へ張り出させるようにし
て当該第一の電極と導通すると共に抵抗領域との間にシ
ョットキー障壁を持つ第二の電極を設け、この第二の電
極をオーミック接触に変質させることによって前記第一
の電極間の抵抗値を調整することを特徴としている。
、絶縁領域内に形成された抵抗領域の両端部にオーミッ
ク接触する第一の電極を設け、少なくとも一方の前記第
一の電極の内側の端よりも内側へ張り出させるようにし
て当該第一の電極と導通すると共に抵抗領域との間にシ
ョットキー障壁を持つ第二の電極を設け、この第二の電
極をオーミック接触に変質させることによって前記第一
の電極間の抵抗値を調整することを特徴としている。
［作用コ
第二の電極が抵抗領域とショットキー接触している時に
は、第二の電極と抵抗領域との間に電流が流れないので
、この抵抗値は、第一の電極間の距離によって決まる。
は、第二の電極と抵抗領域との間に電流が流れないので
、この抵抗値は、第一の電極間の距離によって決まる。
これに対し、第二の電極が変質させられて抵抗領域とオ
ーミック接触するようになった時には、第二の電極と抵
抗領域との間にも電流が流れるので、この抵抗値は、第
二の電極間の距離（あるいは、一方の第二の電極のみが
オーミック接触に変質させられた場合には、変質した第
二の電極と対向する第一の電極との間の距離）によって
決まる。したがって、第二の電極を局所７二−ル等によ
ってオーミック接触となるように変質させることによっ
て抵抗値を小さくすることができ、第二の電極を適宜オ
ーミック電極に変質させることにより抵抗値を調整する
ことができる。
ーミック接触するようになった時には、第二の電極と抵
抗領域との間にも電流が流れるので、この抵抗値は、第
二の電極間の距離（あるいは、一方の第二の電極のみが
オーミック接触に変質させられた場合には、変質した第
二の電極と対向する第一の電極との間の距離）によって
決まる。したがって、第二の電極を局所７二−ル等によ
ってオーミック接触となるように変質させることによっ
て抵抗値を小さくすることができ、第二の電極を適宜オ
ーミック電極に変質させることにより抵抗値を調整する
ことができる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を添付図に基づいて詳述する。
２は、絶縁領域１内に形成された抵抗領域であり、通常
は、ｎ型キャリア活性層によって形成されている。この
抵抗領域２は、例えばＧａＡｓ半絶縁性基板等の絶縁基
板（ウェハ）７の表面に選択的イオン注入を行うことに
より形成でき、あるいは、絶縁基板７の表面に形成され
たｎ型エピタキシャル層を選択的にエツチングすること
によっても形成することができる。抵抗領域２の両端部
には、抵抗領域２とオーミック接触する第一の電極３゜
４が設けられている。この第一の電極３，４は、抵抗の
両端の電極となるものであり、リフトオフ法によって金
属薄膜を抵抗領域２の両端部及び絶縁領域１の一部に蒸
着させることによって形成されている。画策−の電極３
，４の上には、第二の電極５．６が形成されており、第
二の電極５．６は、抵抗領域２側で第一の電ｔｆ３．４
の端からそれぞれ距離Ｌ＋、Ｌ＝だけ張り出しており、
第二の電極５．６の第一の電極３．４の縁から張り出し
た部分は、抵抗領域２とショットキー接触（第１図で、
ショットキー障壁の領域を斜線を施して示している。）
しており、このショットキー障壁の下方には空乏層８が
生じている。この第二の電極５．６は、リフトオフ法に
よって電極金属を蒸着させることによって形成されてお
り、電極金属としてチタン／白金／金（Ｔ ｉ／Ｐｔ／
Ａｕ）を用いると、ショットキー障壁の高さは、０．７
〜０ 、８ ｅＶになる。
は、ｎ型キャリア活性層によって形成されている。この
抵抗領域２は、例えばＧａＡｓ半絶縁性基板等の絶縁基
板（ウェハ）７の表面に選択的イオン注入を行うことに
より形成でき、あるいは、絶縁基板７の表面に形成され
たｎ型エピタキシャル層を選択的にエツチングすること
によっても形成することができる。抵抗領域２の両端部
には、抵抗領域２とオーミック接触する第一の電極３゜
４が設けられている。この第一の電極３，４は、抵抗の
両端の電極となるものであり、リフトオフ法によって金
属薄膜を抵抗領域２の両端部及び絶縁領域１の一部に蒸
着させることによって形成されている。画策−の電極３
，４の上には、第二の電極５．６が形成されており、第
二の電極５．６は、抵抗領域２側で第一の電ｔｆ３．４
の端からそれぞれ距離Ｌ＋、Ｌ＝だけ張り出しており、
第二の電極５．６の第一の電極３．４の縁から張り出し
た部分は、抵抗領域２とショットキー接触（第１図で、
ショットキー障壁の領域を斜線を施して示している。）
しており、このショットキー障壁の下方には空乏層８が
生じている。この第二の電極５．６は、リフトオフ法に
よって電極金属を蒸着させることによって形成されてお
り、電極金属としてチタン／白金／金（Ｔ ｉ／Ｐｔ／
Ａｕ）を用いると、ショットキー障壁の高さは、０．７
〜０ 、８ ｅＶになる。
この状態では、ショットキー障壁を持つ第二の電極５．
６の下には、空乏層８が発生しているので、抵抗領域２
と第二の電極５，６との間には電流は流れず、電流は、
第一の電極３がら抵抗領域２へ流入し、抵抗領域２を通
って抵抗領！２から他方の第一の電極４へ流出する。あ
るいは、第一の電極４から抵抗領域２へ流入し、抵抗領
域２を通り、抵抗領域２から第一の電極３へ流出する。
６の下には、空乏層８が発生しているので、抵抗領域２
と第二の電極５，６との間には電流は流れず、電流は、
第一の電極３がら抵抗領域２へ流入し、抵抗領域２を通
って抵抗領！２から他方の第一の電極４へ流出する。あ
るいは、第一の電極４から抵抗領域２へ流入し、抵抗領
域２を通り、抵抗領域２から第一の電極３へ流出する。
故に、抵抗領域２のシート抵抗をρ、抵抗領域２の幅を
Ｗ、第二のＭ極５．６間の距離をＬ２、第二の電極５．
６の張り出し寸法をそれぞれｒＪＨ。
Ｗ、第二のＭ極５．６間の距離をＬ２、第二の電極５．
６の張り出し寸法をそれぞれｒＪＨ。
Ｌａとすると、この抵抗の当初の抵抗値は、近似的に、
ρ （Ｌ ＋＋ Ｌ ２＋Ｌ ！ｌ） Ｗとなる。なお
、ショットキー障壁のある領域と無い領域とでは、ショ
ッ）・キー障壁の影響のため、シート抵抗ρが若干異な
るが、抵抗領Ｍ、２を絶縁基板７の内部に深く形成する
ことにより、ショットキー障壁の影響を小さくすること
かできる。
、ショットキー障壁のある領域と無い領域とでは、ショ
ッ）・キー障壁の影響のため、シート抵抗ρが若干異な
るが、抵抗領Ｍ、２を絶縁基板７の内部に深く形成する
ことにより、ショットキー障壁の影響を小さくすること
かできる。
こうして抵抗を形成した後、回路調整等のために抵抗値
を下げたい場合には、第二の電極５，６のショットキー
障壁を形成されている部分を局所的にアニールし、ショ
ットキー障壁を持っていた部分をオーミック接触に変質
させる。この局所的アニールの方法としては、例えばレ
ーザーアニルを用いることかでき、レーザー照射は、数
Ｗ／ｃｍ２で１秒以内で十分である。こうして、第二の
電極５，６をオーミック接触に変質させると、空乏層８
が消失もしくは減少するので、抵抗領域２と第二の電極
５，６との間で電流が流れるようになり、抵抗値が小さ
くなる。例えば、一方の第二の電極５のみを局所アニー
ルすると、抵抗値は、ρ（Ｌ２＋Ｌ９）Ｗとなり、他方
の第二の電極６のみを局所アニールすると、抵抗値は、
ρ（Ｌｌ＋ＩＪ、ｌ）Ｗとなり、両方の第二の電極５，
６を局所的にアニールすると、抵抗値はρＬ２Ｗとなり
、第二の電極５，６の局所アニールの態様を変えること
により（局所アニールを行わない場合を含めて）、４段
階に抵抗値を調整することがでとる。
を下げたい場合には、第二の電極５，６のショットキー
障壁を形成されている部分を局所的にアニールし、ショ
ットキー障壁を持っていた部分をオーミック接触に変質
させる。この局所的アニールの方法としては、例えばレ
ーザーアニルを用いることかでき、レーザー照射は、数
Ｗ／ｃｍ２で１秒以内で十分である。こうして、第二の
電極５，６をオーミック接触に変質させると、空乏層８
が消失もしくは減少するので、抵抗領域２と第二の電極
５，６との間で電流が流れるようになり、抵抗値が小さ
くなる。例えば、一方の第二の電極５のみを局所アニー
ルすると、抵抗値は、ρ（Ｌ２＋Ｌ９）Ｗとなり、他方
の第二の電極６のみを局所アニールすると、抵抗値は、
ρ（Ｌｌ＋ＩＪ、ｌ）Ｗとなり、両方の第二の電極５，
６を局所的にアニールすると、抵抗値はρＬ２Ｗとなり
、第二の電極５，６の局所アニールの態様を変えること
により（局所アニールを行わない場合を含めて）、４段
階に抵抗値を調整することがでとる。
なお、上記実施例では、第二の電極の全体をアニールし
ているが、例えば抵抗値をモニターしながら、第二の電
極を部分的にレーザーアニールずれば、さらに細かく抵
抗値を調整することかできる。また、例えば、第一の電
極からくじ歯状に第二の電極を張り出させておき、適宜
くし歯片をレーザーアニールして抵抗値を微調整させる
ことなども可能である。
ているが、例えば抵抗値をモニターしながら、第二の電
極を部分的にレーザーアニールずれば、さらに細かく抵
抗値を調整することかできる。また、例えば、第一の電
極からくじ歯状に第二の電極を張り出させておき、適宜
くし歯片をレーザーアニールして抵抗値を微調整させる
ことなども可能である。
［発明の効果］
本発明によれば、抵抗領域との間にショットキー障壁を
持つ第二の電極に局所アニール等を施してオーミック接
触に変質させることにより、抵抗値を調整することがで
きる。したがって、抵抗の形成後においても、容易に抵
抗値を調整することかでと、製造ばらつぎによる抵抗値
の変動を調整することができる。また、抵抗値を調整す
ることにより、周辺回路の印加電圧や電流等の特性変動
を調整することができ、回路の整合条件の微調整にも用
いることができる。この結果、集積回路等の歩留まりを
向上させることができる。
持つ第二の電極に局所アニール等を施してオーミック接
触に変質させることにより、抵抗値を調整することがで
きる。したがって、抵抗の形成後においても、容易に抵
抗値を調整することかでと、製造ばらつぎによる抵抗値
の変動を調整することができる。また、抵抗値を調整す
ることにより、周辺回路の印加電圧や電流等の特性変動
を調整することができ、回路の整合条件の微調整にも用
いることができる。この結果、集積回路等の歩留まりを
向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は第１
図のＡ−Ａ線断面図、第３図は従来例の平面図である。 １・・・絶縁領域 ２・・・抵抗領域 ３．４・・・第一の電極 ５．６・・・第二の電極 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 中 野 雅 房
図のＡ−Ａ線断面図、第３図は従来例の平面図である。 １・・・絶縁領域 ２・・・抵抗領域 ３．４・・・第一の電極 ５．６・・・第二の電極 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 中 野 雅 房
Claims (1)
- （１）絶縁領域内に形成された抵抗領域の両端部にオー
ミック接触する第一の電極を設け、少なくとも一方の前
記第一の電極の内側の端よりも内側へ張り出させるよう
にして当該第一の電極と導通すると共に抵抗領域との間
にショットキー障壁を持つ第二の電極を設け、この第二
の電極をオーミック接触に変質させることによって前記
第一の電極間の抵抗値を調整することを特徴とする半導
体装置における抵抗形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13162090A JPH0426154A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 半導体装置における抵抗形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13162090A JPH0426154A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 半導体装置における抵抗形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0426154A true JPH0426154A (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=15062317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13162090A Pending JPH0426154A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 半導体装置における抵抗形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0426154A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0704764A1 (en) | 1994-09-05 | 1996-04-03 | Mitsubishi Chemical Corporation | Photopolymerizable composition and photosensitive lithographic printing plate |
-
1990
- 1990-05-21 JP JP13162090A patent/JPH0426154A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0704764A1 (en) | 1994-09-05 | 1996-04-03 | Mitsubishi Chemical Corporation | Photopolymerizable composition and photosensitive lithographic printing plate |
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