JPS5810854A - 半導体拡散抵抗 - Google Patents
半導体拡散抵抗Info
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- JPS5810854A JPS5810854A JP10979681A JP10979681A JPS5810854A JP S5810854 A JPS5810854 A JP S5810854A JP 10979681 A JP10979681 A JP 10979681A JP 10979681 A JP10979681 A JP 10979681A JP S5810854 A JPS5810854 A JP S5810854A
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- resistor
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- diffusion region
- diffused
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/8605—Resistors with PN junctions
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体基体内に形成した拡散領域を利用した
抵抗に関するものである。
抵抗に関するものである。
半導体集積回路などの半導体装置の抵抗素子として半導
体基体内に形成した拡散領域を利用した拡散抵抗が広く
用いられている。バイポー２トランジスタを複数個並列
に接続したような回路を構成するときに、電流が特定の
トランジスタに集中するのを防止するために各トランジ
スタのエミッタ回路に挿入されるエミッタ安定化抵抗に
４この拡散抵抗が利用されている。
体基体内に形成した拡散領域を利用した拡散抵抗が広く
用いられている。バイポー２トランジスタを複数個並列
に接続したような回路を構成するときに、電流が特定の
トランジスタに集中するのを防止するために各トランジ
スタのエミッタ回路に挿入されるエミッタ安定化抵抗に
４この拡散抵抗が利用されている。
第１図は従来の一般的な拡散抵抗の構成を示す断面図、
第２図はその平面図である。ある導電形のシリコンクエ
ーハ（１）の所望領域に反対の導電形の不純物を所望濃
度に拡散した拡散領域（２）を形成し、この拡散領域（
２）上を含めたシリフンクエーハ（１）の上に形成され
たシリコン酸化膜（３）の、上記拡散領域（２）上の部
分に互いに離して複数個のコンタクトホール（４）およ
び（６１を開孔させ、シリコン酸化膜（３）の上にそれ
ぞれコンタクトホール（４）および（５）を通して拡散
領域（２）に接触する引出し電極（６）および（７）を
所望パターンに形成する；このようにして、両引出し電
極（６）および（７）間に所望の抵抗が形成され、これ
を例えば上述のエミッタ安定化抵抗として利用するとき
には引出し電極（６）および（１）をそれぞれエミッタ
およびエミッタ引出し電極へ接続すればよい。
第２図はその平面図である。ある導電形のシリコンクエ
ーハ（１）の所望領域に反対の導電形の不純物を所望濃
度に拡散した拡散領域（２）を形成し、この拡散領域（
２）上を含めたシリフンクエーハ（１）の上に形成され
たシリコン酸化膜（３）の、上記拡散領域（２）上の部
分に互いに離して複数個のコンタクトホール（４）およ
び（６１を開孔させ、シリコン酸化膜（３）の上にそれ
ぞれコンタクトホール（４）および（５）を通して拡散
領域（２）に接触する引出し電極（６）および（７）を
所望パターンに形成する；このようにして、両引出し電
極（６）および（７）間に所望の抵抗が形成され、これ
を例えば上述のエミッタ安定化抵抗として利用するとき
には引出し電極（６）および（１）をそれぞれエミッタ
およびエミッタ引出し電極へ接続すればよい。
仁のようにして得られる抵抗の値を小さくする場合には
、拡散領域（２）の不純物拡散濃度を高くする必要があ
るが、高濃度不純物拡散領域を形成するには、高温度で
の拡散を長時間行わなければならない。そして、この高
温度での処理はシリコンクエーハ（１）にひずみ、クラ
ック等の欠陥を発生させ、シリコンクエーハ（１）内に
構成される半導体装置の特性に悪影響をおよぼす。また
、コンタクトホール（４）および（６）の幅（第２図に
Ｗで示す）を大きくすることＫよって電極（６）および
（７）間の抵抗値を小さくすることができｂが、素子の
大きさによって幅Ｗには限界がある。更に、両コンタク
トホール（４）および（５１間の間隔（第２図にＬで示
す）を小さくしても上記抵抗値を小さくできるが、マス
クの精度およびマスク合わせの精度などによってこれに
も限界がある。このように従来の構成では抵抗値の小さ
い拡散抵抗を所定の条件の下で得ることは困難であった
。
、拡散領域（２）の不純物拡散濃度を高くする必要があ
るが、高濃度不純物拡散領域を形成するには、高温度で
の拡散を長時間行わなければならない。そして、この高
温度での処理はシリコンクエーハ（１）にひずみ、クラ
ック等の欠陥を発生させ、シリコンクエーハ（１）内に
構成される半導体装置の特性に悪影響をおよぼす。また
、コンタクトホール（４）および（６）の幅（第２図に
Ｗで示す）を大きくすることＫよって電極（６）および
（７）間の抵抗値を小さくすることができｂが、素子の
大きさによって幅Ｗには限界がある。更に、両コンタク
トホール（４）および（５１間の間隔（第２図にＬで示
す）を小さくしても上記抵抗値を小さくできるが、マス
クの精度およびマスク合わせの精度などによってこれに
も限界がある。このように従来の構成では抵抗値の小さ
い拡散抵抗を所定の条件の下で得ることは困難であった
。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、両
電極間の対向形状に工夫を加え、占有面積を大きくせず
に、実効的に抵抗素子の幅を大きくすることによって抵
抗値の小さい拡散抵抗を得ることを目的としている。
電極間の対向形状に工夫を加え、占有面積を大きくせず
に、実効的に抵抗素子の幅を大きくすることによって抵
抗値の小さい拡散抵抗を得ることを目的としている。
第３図はとの発明の一実施例の構成を示す平面図で、第
１図および第２図の従来例と同様、シリコンクエーハ（
１）の所望部分に拡散領域（２）を形成し、表面にシリ
コン酸化膜（３）を形成する。そして、拡散領域（２）
の上のシリコン酸化膜（３）に、第３図に示すように、
くシ形のフンタクトホール（４ａ）および（−）を互い
に組み合わせた形状に形成し、シリコン酸化膜（３）の
上にそれぞれコンタクトホール（４ａ）および（５ｍ）
を通して拡散領域（２）に接触する電極（６ａ）および
（７ａ）を形成する。当然ながら両電極（６ａ）および
（７ａ）は互いに接触せぬように形成する。
１図および第２図の従来例と同様、シリコンクエーハ（
１）の所望部分に拡散領域（２）を形成し、表面にシリ
コン酸化膜（３）を形成する。そして、拡散領域（２）
の上のシリコン酸化膜（３）に、第３図に示すように、
くシ形のフンタクトホール（４ａ）および（−）を互い
に組み合わせた形状に形成し、シリコン酸化膜（３）の
上にそれぞれコンタクトホール（４ａ）および（５ｍ）
を通して拡散領域（２）に接触する電極（６ａ）および
（７ａ）を形成する。当然ながら両電極（６ａ）および
（７ａ）は互いに接触せぬように形成する。
このような構成にすることによって、拡散領域（２）の
両コンタクトホール（４ａ）と（５ｓ＊）との間に対応
する部分が抵抗の主体部を形成するが、図から容易に判
るように実効的な幅Ｗを大きくすることができる。そし
て、抵抗値はこれに反比例するので、抵抗値の小さい拡
散抵抗が得られる。
両コンタクトホール（４ａ）と（５ｓ＊）との間に対応
する部分が抵抗の主体部を形成するが、図から容易に判
るように実効的な幅Ｗを大きくすることができる。そし
て、抵抗値はこれに反比例するので、抵抗値の小さい拡
散抵抗が得られる。
なお、拡散領域（りをイオン注入技術を用いて形成する
ようにすれば、抵抗値のばらつきの少ない再現性のよい
拡散抵抗が得られる。また、上記実施例のようにして抵
抗値の小さいものが得られるが抵抗値を調整したいとき
はコンタクトホールの一方または双方についてその一部
分のみを用いて拡散領域への接触をとるようにすればよ
い。
ようにすれば、抵抗値のばらつきの少ない再現性のよい
拡散抵抗が得られる。また、上記実施例のようにして抵
抗値の小さいものが得られるが抵抗値を調整したいとき
はコンタクトホールの一方または双方についてその一部
分のみを用いて拡散領域への接触をとるようにすればよ
い。
以上、説明したように、この発明になる拡散抵抗では２
つのコンタクトホールの形状をくし形とし、互いに組み
合わせた状態に形成し、これらのコンタクトホールを通
してそれぞれ接触する電極間の拡散領域の部分で実質的
に構成するようにしたので、不純物拡散濃度を大きくし
たり、面積の大きい拡散領域を用いることなく、抵抗値
を小さくすることができる。
つのコンタクトホールの形状をくし形とし、互いに組み
合わせた状態に形成し、これらのコンタクトホールを通
してそれぞれ接触する電極間の拡散領域の部分で実質的
に構成するようにしたので、不純物拡散濃度を大きくし
たり、面積の大きい拡散領域を用いることなく、抵抗値
を小さくすることができる。
第１図は従来の一般的な拡散抵抗の構成を示す断面図、
第２図はその平面図、第３図はこの発明はこの一実施例
の構成を示す平面図である。 図において、（１）はシリコンクエーノＳ（半導体基体
）、（２）は拡散領域、（３）はシリコン酸化膜（絶縁
膜）、（４ｍ） −（５ｍ）はコンタクトホール、（６
ａ） 、 （７ｍ）は金属電極である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人葛野信−（外１名）
第２図はその平面図、第３図はこの発明はこの一実施例
の構成を示す平面図である。 図において、（１）はシリコンクエーノＳ（半導体基体
）、（２）は拡散領域、（３）はシリコン酸化膜（絶縁
膜）、（４ｍ） −（５ｍ）はコンタクトホール、（６
ａ） 、 （７ｍ）は金属電極である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人葛野信−（外１名）
Claims (1)
- （１）半導体基体の表面部に上記半導体基体内は反対の
導電形の不純物の拡散領域を形成し、上記拡散領域上に
形成された絶縁膜に一対のくし形の形状を有するコンタ
クトホールを互いに上記くし形の部分を組み合わせた状
態に形成し、上記一対のコンタクトホールを介してそれ
ぞれ上記拡散領域に接触する金属電極を形成してなるこ
とを特徴とする半導体拡散抵抗。 ＋！＋ 一対のコンタクトホールの少くとも一方にお
いてはその一部を介して拡散領域に接触するように金属
電極を形成してなることを特徴とする特許請求Ｏ範Ｈ第
１項記載の半導体拡散抵抗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10979681A JPS5810854A (ja) | 1981-07-13 | 1981-07-13 | 半導体拡散抵抗 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10979681A JPS5810854A (ja) | 1981-07-13 | 1981-07-13 | 半導体拡散抵抗 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5810854A true JPS5810854A (ja) | 1983-01-21 |
| JPS6256667B2 JPS6256667B2 (ja) | 1987-11-26 |
Family
ID=14519432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10979681A Granted JPS5810854A (ja) | 1981-07-13 | 1981-07-13 | 半導体拡散抵抗 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5810854A (ja) |
-
1981
- 1981-07-13 JP JP10979681A patent/JPS5810854A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6256667B2 (ja) | 1987-11-26 |
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