JPS639959A - ポリシリコン高抵抗製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置上にポリシリコン高抵抗を製造す
る方法に関する。

〔従来技術〕

Ｓｉ基板１の上にポリシリコンにより高抵抗を製造する
場合は、従来では第５図に示すように、その抵抗として
のポリシリコン２を蛇行させて形成していたが、この方
法はレイアウトが複雑であり、また抵抗領域のために大
きな面積を必要とし、更に寄生容量が増大して周波数特
性が劣化するという問題があった。同図中で、３は酸化
膜、４はＡｌ−５ｉの電極である。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、形状が単純で、省スペースを実現でき
、抵抗値の設定も容易に行なうことができるようにした
ポリシリコン高抵抗製造法を提供することである。

〔発明の構成〕

このために本発明のポリシリコン高抵抗製造法は、基板
上に矩形状にポリシリコンを形成する第一工程と、該ポ
リシリコンの上面を覆った酸化膜にコンタクトホールを
形成する第二工程と、該コンタクトホールにおいて対向
するように電極を形成する第三工程と、該電極以外のＡ
ｆ−ＳｉのＳｉの除去と共に上記コンタクトホールから
露出している上記ポリシリコン部分を除去する第四工程
とで構成した。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について説明する。第１図乃至第
４図はその一実施例を示す図である。

本実施例においては、まずＳｉ基板１０の上に矩形状の
マスクによりポリシリコン１１を形成する（第１図）。

次に、酸化膜１２を形成してから、ポリシリコン１１の
上面にコンタクトホール１３を形成する（第２図）。

次に、そのコンタクトホール１３の一部に相互に離れて
対向するように、Ａ／−Ｓｉでなる電極１４をエツチン
グ形成する（第３図）。

次に、電極１４のエツチング用のマスクを残した状態で
行なう電極１４以外のＡβ−ＳｉのＳｉ除去時に、同時
にポリシリコン１１におけるコンタクトホール１３内で
且つ電極１４に覆われていない部分を除去して凹部１５
を形成する（第４図）以上の結果、高抵抗部分として残
っているポリシリコン１１は、第４図の破線の斜線部分
となり、これが電極１４によって両サイドから接続され
るようになる。

よって、ポリシリコンのレイアウト作業は単純な矩形の
配置で済むので極めて容易であり、また電極１４とポリ
シリコン１１とのコンタクト部分がそのポリシリコン１
１の内側となるので、省スペースを実現できる。更に、
電極１４とポリシリコン１１の間のコンタクト部分を大
きくとることができ、更に抵抗値の大きさは矩形のマス
クの大きさを適宜選択するのみで容易に調整することが
できる。更に、ポリシリコンのエツチング処理と電極の
Ｓｉ除去処理が同時に行われるので、工程が短縮される
。

〔発明の効果〕

以上から本発明によれば、形状が単純で、省スペースを
実現でき、抵抗値の設定も容易に行なうことができ、電
極のＳｉ除去単独工程を省略でき、る等の特徴がある。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は本発明の一実施例の工程を示す図であ
り、（ａ）は半導体装置の抵抗部分の上面図、世）は断
面図、第５図（ａ）は従来の半導体装置の抵抗部分の上
面図、（ｂ）は断面図である。 １０・・・Ｓｉ基板、１１・・・ポリシリコン、１２・
・・酸化膜、１３・・・コンタクトホール、１４・・・
電極、１５・・・凹部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）、基板上に矩形状にポリシリコンを形成する第一
   工程と、該ポリシリコンの上面を覆った酸化膜にコンタ
   クトホールを形成する第二工程と、該コンタクトホール
   において対向するように電極を形成する第三工程と、該
   電極以外のＡｌ−ＳｉのＳｉの除去と共に上記コンタク
   トホールから露出している上記ポリシリコン部分を除去
   する第四工程とでなることを特徴とするポリシリコン高
   抵抗製造法。