JP2008053255A - チップ抵抗器 - Google Patents

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Abstract

【課題】放熱効果に優れたチップ抵抗器10,40を提供すること。
【解決手段】抵抗体層16,46のうち発熱量の大きい高抵抗部分16b,46aを主電極層12,13,42,43に隣接して設け、かつ高抵抗部分を絶縁性保護膜18,47を介して補助電極層19,20,48で被覆し、補助電極層19,20,48をランドに対向するように配線基板29に載置して実装するので、抵抗体層16,46の高抵抗部分16b,46aの発熱が高抵抗部分16b,46aの上層を成す補助電極層19,20,48に直接的に伝熱し、補助電極層19,20,48からランド30へと速やかに放熱される。このため、従来のチップ抵抗器に比べ、高い放熱効果を得ることができる。
【選択図】図1

Description

本発明はチップ抵抗器に関し、より詳しくは放熱性の向上を図ることのできるチップ抵抗器の構造に関する。
チップ抵抗器の一形式として、特開2001−35702号公報には耐熱性絶縁体の表面に一対の電極層を形成し、両電極層を接続するように抵抗体層を形成し、この抵抗体層を両電極層に隣接する高抵抗部分とそれ以外の低抵抗部分から構成したチップ抵抗器が記載されている。
このチップ抵抗器は、配線基板のランドに電極層が対向接触するように実装して使用する。
かかる構造のチップ抵抗器によれば、抵抗体のうち発熱量の大きい高抵抗部分を電極層に隣接して設け、電極層をランドに対向接触させることにより、高抵抗部分における発熱を電極層を伝ってランドへと効果的に放熱することができる。
特開2001−35702号公報
上記した従来のチップ抵抗器は電極層と抵抗体層の高抵抗部分を隣接して設けているものの、電極層と高抵抗部分は耐熱性絶縁体の表面上で並列に配置されているため、伝熱作用という観点からは熱的に離間している。そのため高抵抗部分の発熱が速やかに電極層へ伝わらないので、放熱効果が不十分である。
本発明はかかる問題点に鑑み、より放熱効果に優れたチップ抵抗器を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために請求項1に記載の発明は、耐熱性絶縁体の表面に一対の主電極層を形成すると共に両電極層を接続するように抵抗体層を形成し、かつ該抵抗体層を前記両主電極層又は少なくとも一方の主電極層に隣接する高発熱部分とそれ以外の低発熱部分で構成したチップ抵抗器であって、前記抵抗体層を絶縁性保護膜で被覆し、かつ該絶縁性保護膜の上から前記高発熱部分の少なくとも一部を補助電極層で被覆し、該補助電極層を高発熱部分に隣接する前記主電極層に接続したことを特徴とする。
上記目的を達成するため請求項2に記載の発明は、耐熱性絶縁体の表面に一対の主電極層を形成すると共に両電極層を接続するように抵抗体層を形成し、かつ該抵抗体層を前記両主電極層又は少なくとも一方の主電極層に隣接する高抵抗部分とそれ以外の低抵抗部分を直列接続して構成したチップ抵抗器であって、前記抵抗体体層を絶縁性保護膜で被覆し、かつ該絶縁性保護膜の上から前記高抵抗部分の少なくとも一部を補助電極層で被覆し、該補助電極層を高抵抗部分に隣接する前記主電極層に接続したことを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のチップ抵抗器において、前記抵抗体層を一対の幅狭辺と一対の幅廣辺から成る四角形の枠形に形成し、一方の主電極層を一方の幅狭辺の中間部に接続し、他方の主電極層を他方の幅狭辺の中間部に接続し、前記補助電極層を一方の幅狭辺の略半分を被覆するとともに一方の主電極に接続した第1補助電極層、一方の幅狭辺の残り半分を被覆するとともに一方の主電極層に接続した第2補助電極層、他方の幅狭辺の略半分を被覆するとともに他方の主電極層に接続した第3補助電極層及び他方の幅狭辺の残り半分を被覆するとともに他方の主電極層に接続した第4補助電極層から構成し、第1補助電極層と第2補助電極層の間に一方の主電極層を露出させ、第3補助電極層と第4補助電極層との間に他方の主電極層を露出したことを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項1,2又は3に記載のチップ抵抗器において、前記補助電極層に銅めっきを施したことを特徴とする。
請求項1及び2に記載の発明に係るチップ抵抗器は、補助電極層がランドに対向するように配線基板に載置し、半田付けして実装する。
而して本発明によれば、抵抗体層のうち高発熱部分若しくは発熱量の大きい高抵抗部分を主電極層に隣接して設け、かつ高発熱部分若しくは高抵抗部分の少なくとも一部を絶縁性保護膜を介して補助電極層で被覆し、補助電極層をランドに対向するように配線基板に載置して実装するので、抵抗体層の高発熱部分若しくは高抵抗部分の発熱が高発熱部分若しくは高抵抗部分の上層を成す補助電極層に直接的に伝熱し、補助電極層からランドへと速やかに放熱される。このため、高抵抗部分に対し並列配置された主電極層を通してランドへ放熱する従来のチップ抵抗器に比べ、高い放熱効果を得ることができる。
請求項3に記載の発明によれば、抵抗体を一対の幅狭辺と一対の幅広辺から成る四角形の枠形に形成したので、幅狭辺が高抵抗部分となり、幅広辺が低抵抗部分となる。そして、第1補助電極層と第2補助電極層で一方の幅狭辺を被覆し、第3補助電極層と第4補助電極層で他方の幅狭辺を被覆するので、高抵抗部分となる幅狭辺の発熱を第1〜第4補助電極層を通してランドへと効果的に放熱できる。
また、補助電極層を4分割して第1と第2補助電極層の間に一方の主電極層を露出させ、第3補助電極層と第4補助電極層との間に他方の主電極層を露出したので、主電極層を配線基板のランドに対向接触するように実装できる。このため、抵抗体層の抵抗値が低い場合における補助電極層の抵抗値に対する悪影響を抑制しつつ、補助電極層による放熱効果の向上を図ることができる。
請求項4に記載の発明によれば、補助電極層に熱伝導率の高い銅めっきを施したので、補助電極層に伝わる抵抗体層の高発熱部分若しくは高抵抗部分からの発熱が補助電極層全面に速やかに拡散する。このため、より一層放熱効果を高めることができる。
以下に本発明を添付図面に基づき説明する。図1は本発明の第1実施例に係るチップ抵抗器の構造を示す模式的断面図である。当該チップ抵抗器10は、耐熱性絶縁体から成る基板11、一対の主電極層12,13、一対の下面電極層14,15、抵抗体層16、一次コート層17、二次コート層(絶縁性保護膜)18、補助電極層19,20、側面電極層21,22、銅めっき層23,24、中間電極層25,26及び外部電極層27,28から構成される。以下にその製造工程を説明する。
一次(主電極間方向と直角の方向)、二次(主電極間方向)の2種類の分割用スリット(図示せず)を形成した高純度アルミナから成る基板11の表面に銀系の電極ペーストを印刷し、焼成して一対の主電極層12,13を形成する。同様にして基板11の裏面に一対の下面電極層14,15を印刷、焼成により形成する。この銀系の電極ペーストの焼成温度は850℃とする。
次ぎに、一対の主電極層間を接続するように、酸化ルテニウム系の抵抗ペーストを印刷し、焼成して抵抗体層16を形成する。
続いて、抵抗体層16の上にホウ珪酸鉛ガラス系のガラスペーストを印刷し、焼成して一次コート層17を形成する。この一次コート層17は次ぎに行う抵抗体層のトリミング時の熱衝撃を緩和し、トリミング溝先端の微少クラックの発生を防止するために形成される。
続いて、一次コート層17の上から抵抗体層16にレーザを放射して2本の平行に延びるトリミング溝16aを形成し、これにより抵抗値を目標値に修正する。
図2に、主電極層12,13、抵抗体層16、一次コート層17及びトリミング溝16aが形成されたチップ片一個分の基板11を示す。一方のトリミング溝16aは抵抗体層16の一方の主電極層12に隣接する部位に形成され、長方形の抵抗体層16の一方の長辺から内部へと延びている。また、他方のトリミング溝16aは他方の主電極13に隣接する部位に形成され、長方形の他方の長辺から内部へと延びている。これにより、抵抗体層16は、各主電極層12,13に隣接する高抵抗部分16bと、両高抵抗部分16b間の低抵抗部分16cに区分される。
次ぎに、図3に示すように、一次コート層17の上から抵抗体層16を被覆するようにホウ珪酸鉛ガラス系のガラスペーストを印刷し、焼成して二次コート層(絶縁性保護膜)18を形成する。この二次コート層18によって抵抗体層16は外部環境から絶縁され、機械的衝撃から保護される。
続いて、図4に示すように、電極ペースト(例えば焼成温度が600℃の低温焼成の銀ペースト)を抵抗体層16の高抵抗部分16bとそれに隣接する主電極12,13を二次コート層18の上から被覆するように印刷し、焼成して補助電極層19,20を形成する。補助電極層19,20は抵抗体層16からは二次コート層18によって絶縁されるものの、二次コート層18から露出している主電極層12,13の一端と電気的に接続される。
次に、一次スリットから基板11を短冊状に分割する。短冊状の基板11には二次スリットで区画された多数のチップ片が並列形成されている。この短冊状の基板11の両分割面に電極ペーストを印刷し、焼成して側面電極層21,22を形成する。側面電極層21,22により主電極層12,13と下面電極層14,15が接続される。そして、短冊状の基板11を二次スリットに沿って分割し、個々のチップ片10にする。
二次スリットから分割した個々のチップ片10は、続いて、銅めっき、ニッケルめっき及び錫めっきを順に施し、補助電極層19,20、側面電極層21,22、下面電極層14,15を被覆する銅めっき層23,24、中間電極層(ニッケルめっき層)25,26、外部電極層(錫めっき層)27,28を形成する。ここに、銅めっき層23,24は補助電極層19,20の熱を補助電極層19,20全面に効果的に拡散させるため、中間電極層25,26は側面電極層21,22のはんだ喰われを防止するため、また、外部電極層27,28ははんだ付け性を良好にするため施される。
第1実施例に係るチップ抵抗器10の構造及び製造工程は以上の通りであって、配線基板29に実装するには図5に示すように、補助電極層19,20が配線基板29のランド30に対向するように載置し、はんだ31で固着する。
第1実施例のチップ抵抗器10は、抵抗体層16のうち発熱量の大きい高抵抗部分16bを主電極層12,13に隣接して設け、かつ高抵抗部分16bを絶縁性保護膜18を介して補助電極層19,20で被覆し、補助電極層19,20をランド30に対向配置するので、高抵抗部分16bの発熱が高抵抗部分16bの上層を成す補助電極層19,20に直接的に伝熱する。このため、補助電極層19,20からランド30へと速やかに放熱されるので、高い放熱効果を得ることができる。
また、補助電極層19,20に熱伝導率の高い銅メッキ23,24を施したので、補助電極層19,20に伝わる抵抗体層16の高抵抗部分16bの発熱が補助電極層19,20全体に速やかに拡散する。このため、より一層放熱効果を高めることができる。
本発明の第2実施例に係るチップ抵抗器40を図6に示す。当該チップ抵抗器40も第1実施例に係るチップ抵抗器10と同じように、耐熱性絶縁体から成る基板41、主電極層42,43、下面電極層44,45、抵抗体層46、二次コート層(絶縁性保護膜)47、補助電極層48、側面電極層50,51、銅めっき層52,53、中間電極層54,55及び外部電極層56,57から構成される。ただし、このチップ抵抗器40では抵抗体層46の抵抗値調整のためのレーザトリミングを行わないので、一次コート層が省略されている。なお、各層は第1実施例のチップ抵抗器10の対応層と同じ材料から成る。
このチップ抵抗器40では、図7に示すように、抵抗体層46として幅の狭い一対の幅狭長辺46aと幅の広い一対の幅広短辺46bから成る四角形の枠形を有する抵抗体層46を基板41の表面に印刷、焼成して形成する。続いて、一対の主電極層42,43をそれぞれ幅狭長辺46aの中間部に接続するように形成する。尚、主電極層42,43は中央部が突出した略T字形をしており、突出部がそれぞれ幅狭長辺46aの中間部に接続するように形成する。また、各主電極層42,43の抵抗体層の側端部46aは基板41の長辺端部41aに沿って形成する。
次ぎに、図8に示すように、二次コート層(絶縁性保護膜)47で抵抗体層46を被覆する。このとき、主電極層42,43が二次コート層47から露出するように二次コート層47に切欠部47aが形成される。
続いて、抵抗体層46を二次コート層47の上から補助電極層48で被覆する。図9に示すように、この補助電極層48は第1〜第4の四つの補助電極層48a,48b,48c,48dから構成される。そして一方の幅狭長辺46aの半分と、その残り半分をそれぞれ第1補助電極層48aと第2補助電極層48bで被覆し、両補助電極層48a,48bの間から一方の主電極層42を露出させる。第1補助電極層48aと第2補助電極層48bはそれぞれ一方の主電極層42に接続する。同様に、他方の幅狭長辺46aの略半分と、その残り半分をそれぞれ第3補助電極層48cと第4補助電極層48dで被覆し、両補助電極層48c,48dの間から他方の主電極層43を露出させる。第3補助電極層48cと第4補助電極層48dはそれぞれ他方の主電極層43に接続する。
続いて、第1スリットから基板を短冊状に分割し、分割面に側面電極層50,51を形成する。その後、第2スリットから基板を分割して個々のチップ片41を形成し、各チップ片41に銅めっき52,53、ニッケルめっき(中間電極層)54,55、錫めっき(外部電極層)56,57を形成する。
第2実施例に係るチップ抵抗器40の構造は以上の通りであって、配線基板29に実装するには図10に示すように、補助電極層48が配線基板29のランド30に対向するように載置し、はんだ31で固着する。
第2実施例に係るチップ抵抗器41は、抵抗体層46を一対の幅狭長辺46aと一対の幅広短辺46bから成る四角形の枠形にしたので、幅狭長辺46aが高抵抗部分となり、幅広短辺46bが低抵抗部分となる。そして、第1補助電極層48aと第2補助電極層48bで一方の幅狭長辺46aを被覆し、第3補助電極層48cと第4補助電極層48dで他方の幅狭長辺46aを被覆するので、高抵抗部分となる幅狭長辺46aの発熱を第1〜第4補助電極層48a,48b,48c,48dを通して効果的に放熱できる。
また、補助電極層を4分割して第1補助電極層48aと第2補助電極層48bの間に一方の主電極42を露出させ、第3補助電極層48cと第4補助電極層48dとの間に他方の主電極層43を露出したので、主電極層42,43を配線基板29のランド30に対向接触するように実装できる。このため、抵抗体層46の抵抗値が低い場合における補助電極層48の抵抗値に対する悪影響を抑制しつつ、補助電極層48による放熱効果の向上を図ることができる。
尚、第二実施例において抵抗体の幅狭部を高抵抗部とし、抵抗体の幅広部を低抵抗部としたが、これに限らず抵抗体の幅を同一にして、抵抗率の高い抵抗材料を使用して高抵抗部とし、抵抗率の低い抵抗材料を使用して低抵抗部としてもよい。
また、第一及び第二実施例において補助電極は高抵抗部全体を被覆するとしたが、これに限らず高抵抗部の一部分を被覆してもよい。
本発明の第1実施例に係るチップ抵抗器の構造を模式的に示す中央部横断断面図である。 同チップ抵抗器の主電極層と抵抗体層及び一次コートを示す模式的斜視図である。 同チップ抵抗器の主電極層と二次コートを示す模式的斜視図である。 同チップ抵抗器の補助電極層を示す模式的斜視図である。 同チップ抵抗器と配線基板を示す模式的断面図である。 本発明の第2実施例に係るチップ抵抗器の構造を模式的に示す中央部横断断面図である。 同チップ抵抗器の主電極層と抵抗体層を示す模式的斜視図である。 同チップ抵抗器の主電極層と二次コートを示す模式的斜視図である。 同チップ抵抗器の補助電極層を示す模式的斜視図である。 同チップ抵抗器と配線基板を示す模式的断面図である。
符号の説明
10,40…チップ抵抗器
11,41…耐熱絶縁体
12,13,42,43…主電極層
16,46…抵抗体層
16b,46a…高抵抗部分
18,47…二次コート(絶縁性保護膜)
19,20,48…補助電極層
23,24,52,53…銅めっき。

Claims (4)

  1. 耐熱性絶縁体の表面に一対の主電極層を形成すると共に両電極層を接続するように抵抗体層を形成し、かつ該抵抗体層を前記両主電極層又は少なくとも一方の主電極層に隣接する高発熱部分とそれ以外の低発熱部分で構成したチップ抵抗器であって、前記抵抗体層を絶縁性保護膜で被覆し、かつ該絶縁性保護膜の上から前記高発熱部分の少なくとも一部を補助電極層で被覆し、該補助電極層を高発熱部分に隣接する前記主電極層に接続したことを特徴とするチップ抵抗器。
  2. 耐熱性絶縁体の表面に一対の主電極層を形成すると共に両電極層を接続するように抵抗体層を形成し、かつ該抵抗体層を前記両主電極層又は少なくとも一方の主電極層に隣接する高抵抗部分とそれ以外の低抵抗部分を直列接続して構成したチップ抵抗器であって、前記抵抗体層を絶縁性保護膜で被覆し、かつ該絶縁性保護膜の上から前記高抵抗部分の少なくとも一部を補助電極層で被覆し、該補助電極層を高抵抗部分に隣接する前記主電極層に接続したことを特徴とするチップ抵抗器。
  3. 前記抵抗体層を一対の幅狭辺と一対の幅広辺から成る四角形の枠形に形成し、一方の主電極層を一方の幅狭辺の中間部に接続し、他方の主電極層を他方の幅狭辺の中間部に接続し、前記補助電極層を一方の幅狭辺の略半分を被覆するとともに一方の主電極に接続した第1補助電極層、一方の幅狭辺の残り半分を被覆するとともに一方の主電極層に接続した第2補助電極層、他方の幅狭辺の略半分を被覆するとともに他方の主電極層に接続した第3補助電極層及び他方の幅狭辺の残り半分を被覆するとともに他方の主電極層に接続した第4補助電極層から構成し、第1補助電極層と第2補助電極層の間に一方の主電極層を露出させ、第3補助電極層と第4補助電極層との間に他方の主電極層を露出したことを特徴とする請求項2に記載のチップ抵抗器。
  4. 前記補助電極層に銅めっきを施したことを特徴とする請求項1,2又は3に記載のチップ抵抗器。
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