JP2015061034A - チップ抵抗器 - Google Patents

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秀和 唐澤
Hidekazu Karasawa
秀和 唐澤
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Abstract

【課題】はんだボールの発生と部品割れの発生を両方共に抑制することができるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器1は、直方体形状のセラミック基板2と、セラミック基板2の表面の長手方向両端部に設けられた一対の表面電極4と、これら一対の表面電極4に両端部を重ね合わせてセラミック基板2の表面に設けられた抵抗体5と、抵抗体5を被覆する保護層6と、セラミック基板2の長手方向両端面に設けられて裏面電極3と表面電極4とを橋絡している一対の端面電極7と、表面電極4と端面電極7および裏面電極3を覆う断面コ字状の外部電極8と、セラミック基板2の裏面中央の両裏面電極3で挟まれた領域に設けられた絶縁層9とを備えており、絶縁層9の厚み寸法は裏面電極3と外部電極8の重なり部分の厚みよりも大きく設定されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、回路基板上にはんだ付けによって面実装されるチップ抵抗器に関するものである。
この種のチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁性基台と、この絶縁性基台の表面の長手方向両端部に設けられた一対の表面電極と、これら一対の表面電極に接続するように絶縁性基台の表面に設けられた抵抗体と、この抵抗体を覆うように設けられた保護膜と、絶縁性基台の裏面の長手方向両端部に設けられた一対の裏面電極と、表面電極と裏面電極を覆うように絶縁性基台の両端面に設けられた一対の外部電極とを備えている。そして、このように構成されたチップ抵抗器は、回路基板に設けられたランド上にはんだペーストを印刷した後、裏面電極を下向きにして外部電極をランド上に搭載し、この状態ではんだペーストを溶融・固化することによって回路基板上に面実装される。
ところで、この種のチップ抵抗器を回路基板上に実装する際に、ランドに印刷されたはんだペースト量が多いと、はんだがランドに引き寄せられる前に部品の重みで横に出てしまい、そのまま凝固してはんだボールが発生するという問題がある。また、チップ抵抗器はチップマウンターの吸着ノズルで真空吸着して回路基板上に搭載されるようになっているが、その際に吸着ノズルからの押圧力が保護膜の頂点に集中するため、特に絶縁性基台の厚みが薄いチップ抵抗器の場合、部品に割れが発生するという問題がある。
そこで従来より、特許文献1に開示されているように、外部電極が絶縁性基台の表面に形成されないようにすると共に、裏面電極を絶縁性基台の幅寸法よりも小さく形成することにより、はんだボールの発生を防止したチップ抵抗器が提案されている。また、特許文献2に開示されているように、保護膜の平面視両端部に直線状に延びる2列の補助膜を形成し、吸着ノズルの押圧力が補助膜の下方に位置する裏面電極に印加されるようにすることにより、割れの発生を防止したチップ抵抗器が提案されている。
特開平10−64701号公報 特開2005−286016号公報
しかし、特許文献1に開示されたチップ抵抗器は、はんだボールの発生を抑制することは可能であるが、回路基板への搭載時に懸念される割れの発生を防止することはできず、しかも、裏面電極の幅寸法を小さくすることに伴って回路基板との固着性が悪くなるという別の問題が発生する。一方、特許文献2に開示されたチップ抵抗器によれば、割れの発生を防止する効果は期待できるものの、はんだボールの発生を抑制することはできず、前述した従来技術では、はんだボールの発生と部品割れという2つの問題を解消することはできなかった。
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、はんだボールの発生と部品割れの発生を両方共に抑制することができるチップ抵抗器を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、直方体形状の絶縁性基台と、この絶縁性基台の表面の長手方向両端部に設けられた一対の表面電極と、これら一対の表面電極に接続するように前記絶縁性基台の表面に設けられた抵抗体と、この抵抗体を覆うように設けられた保護膜と、前記絶縁性基台の裏面の長手方向両端部に設けられた一対の裏面電極と、前記表面電極と前記裏面電極を覆うように前記絶縁性基台の両端面に設けられた一対の外部電極とを備えたチップ抵抗器において、一対の前記裏面電極で挟まれた前記絶縁性基台の裏面領域に絶縁層を設け、この絶縁層の厚み寸法が前記裏面電極と前記外部電極の重なり部分の厚みよりも大きく設定されているという構成にした。
このように構成されたチップ抵抗器では、絶縁性基台の裏面領域に裏面電極と外部電極の重なり部分よりも下方へ突出する絶縁層が設けられており、チップ抵抗器を回路基板上に搭載したときに、ランドに塗布されたはんだペーストの多くが裏面電極の下側まで入り込むため、はんだボールの発生を防止することができると共に、はんだ付け後のヒートショックを吸収することができる。しかも、チップ抵抗器を吸着ノズルで真空吸着して回路基板上に搭載するとき、吸着ノズルからの押圧力が絶縁層の下面全体で受けられるため、部品割れの発生を防止することができる。
本発明のチップ抵抗器は、絶縁性基台の裏面領域に裏面電極と外部電極の重なり部分よりも下方へ突出する絶縁層が設けられているため、はんだボールの発生と部品割れの発生を両方共に抑制することができる。
本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器の断面図である。 該チップ抵抗器の裏面図である。 該チップ抵抗器の回路基板への実装工程を示す説明図である。
以下、発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図1と図2に示すように、本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器1は、直方体形状のセラミック基板2と、このセラミック基板2の裏面(図1では下面)の長手方向両端部に設けられた一対の裏面電極3と、セラミック基板2の表面(図1では上面)の長手方向両端部に設けられた一対の表面電極4と、これら一対の表面電極4に両端部を重ね合わせてセラミック基板2の表面に設けられた抵抗体5と、抵抗体5を被覆する2層構造の保護層6と、セラミック基板2の長手方向両端面に設けられて裏面電極3と表面電極4とを橋絡している一対の端面電極7と、表面電極4と端面電極7および裏面電極3を覆う断面コ字状の外部電極8と、セラミック基板2の裏面中央の両裏面電極3で挟まれた領域に設けられた絶縁層9によって構成されている。
セラミック基板2はアルミナを主成分とする絶縁性基台であり、このセラミック基板2は大判基板を縦横の分割溝に沿って分割して多数個取りされたものである。裏面電極3はAgペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、同じく表面電極4もAgペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。抵抗体5は酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、この抵抗体5にトリミング溝(図示省略)を形成することによってチップ抵抗器1の抵抗値が調整されている。保護層6はアンダーコート層とオーバーコート層の上下2層構造からなり、これら両層はガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。アンダーコート層は前述したトリミング溝の形成時にレーザの熱から抵抗体5を保護するものであり、オーバーコート層はトリミング溝の形成後にアンダーコート層上に形成されて抵抗体5を外部環境から保護するものである。
端面電極7はセラミック基板2の端面にスパッタリングにより形成されたものであり、セラミック基板2に対する密着性が良いクロム(Cr)とバリヤー層の材料を含有するスパッタ膜からなる。バリヤー層は熱応力(ヒートショック)に対するクッション材として機能するものであり、ニッケル(Ni)または銅(Cu)が用いられている。外部電極8は電解メッキによって形成されたものであり、錫(Sn)−鉛(Pb)や鉛フリーのSn等からなる。
絶縁層9はセラミック基板2の裏面にガラスペーストやセラミックスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させるか、もしくは厚みを容易に形成可能なエポキシ系の樹脂ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼付けたものであり、セラミック基板2の裏面で重なる裏面電極3と外部電極8の厚みよりも十分に大きな厚みに設定されている。具体的には、絶縁層9の厚みをH、裏面電極3と外部電極8を加えた厚みをhとすると、絶縁層9の厚みHは0.01mm≦H−h≦0.1mmの範囲に設定されており、このような厚みを有する絶縁層9がセラミック基板2の裏面に突出形成されていれば、絶縁層9を確実に回路基板に接触させた上ではんだペーストに外部電極8が接触するようになる。そして、絶縁層9は保護層6の真下位置で両裏面電極3に挟まれた領域に形成されており、絶縁層9と裏面電極3を覆う外部電極8との間には所定寸法の隙間Gが確保されている。この隙間Gの寸法はチップ抵抗器1のチップサイズを考慮して決定され、例えば0603サイズ(0.6mm×0.3mm)のチップ抵抗器1の場合、隙間Gを0.01mm〜0.05mmの範囲に設定することが好ましい。
このチップ抵抗器1は回路基板上に面実装されるようになっているが、以下、かかる実装工程を図3を参照しながら説明する。
まず、図3(a)に示すように、上面に一対のランド11が設けられた回路基板10を準備し、これらランド11上にクリームはんだ印刷機を用いてはんだペースト12を印刷して塗布する。
次に、チップマウンターの吸着ノズルを用いてチップ抵抗器1の表面側に露出する保護層6を真空吸着したなら、その状態のまま回路基板10上のランド11に裏面電極3が位置するように吸着ノズルを下降することにより、図3(b)に示すように、チップ抵抗器1を吸着ノズルの押圧力によって回路基板10上に押し付ける。その際、チップ抵抗器1の裏面中央部に絶縁層9が設けられていると共に、この絶縁層9がセラミック基板2の裏面に設けられた裏面電極3と外部電極8の重なり部分よりも下方へ突出しており、吸着ノズルの押圧力による荷重が裏面電極3側に作用せずに絶縁層9の下面全体で受け止められるため、チップ抵抗器1に割れが発生することを抑制できる。また、かかる吸着ノズルからの押圧力により、ランド11上に印刷されたはんだペースト12の一部は裏面電極3を覆う外部電極8の下側に入り込み、残りのはんだペースト12はチップ抵抗器1の端面に露出する外部電極8の側方へ押し出される。
しかる後、この状態のまま回路基板10をチップ抵抗器1と一緒にリフロー炉へ搬送し、このリフロー炉の中ではんだペースト12を溶融させた後に冷却・固化することにより、図3(c)に示すように、固化したはんだ12によって外部電極8がランド11に接合され、チップ抵抗器1が回路基板10上に面実装された状態となる。その際、セラミック基板2の裏面から下方へ突出する絶縁層9によって裏面電極3とランド11の間に所要のスペースが確保されるため、多くの量のはんだペースト12を裏面電極3の下側まで入り込ますことができ、はんだボールの発生を防止することができる。また、はんだ付け後のヒートショックに際しても、チップ抵抗器1と回路基板10の熱膨張率の差が裏面電極3の下側に入り込んだはんだによって吸収されるため、チップ抵抗器1に不要な応力が掛かることを抑止できる。
以上説明したように、本実施形態例に係るチップ抵抗器1は、セラミック基板2(絶縁性基台)の裏面中央部に裏面電極3と外部電極8の重なり部分よりも下方へ突出する絶縁層9を設けてあり、チップ抵抗器1を吸着ノズルで真空吸着して回路基板10上に搭載するとき、吸着ノズルからの押圧力が絶縁層9の下面全体で受け止められるため、部品割れの発生を防止することができる。また、チップ抵抗器1を回路基板10上に搭載したときに、回路基板10のランド11とチップ抵抗器1の裏面電極3との間に所要のスペースが確保され、このスペースに多くの量のはんだペースト12を入り込ますことができるため、はんだボールの発生を防止することができると共に、はんだ付け後のヒートショックを効果的に吸収することができる。
また、本実施形態例に係るチップ抵抗器1では、絶縁層9と裏面電極3を覆う外部電極8との間に隙間Gが形成されているため、一対の外部電極8を回路基板10の対応するランド11にはんだ付けしたとき、ランド11上に塗布したはんだペースト12が絶縁層9の側面に回り込むことはなく、両外部電極8(または両裏面電極3)間のはんだブリッジを抑制することができる。
1 チップ抵抗器
2 セラミック基板(絶縁性基台)
3 裏面電極
4 表面電極
5 抵抗体
6 保護層
7 端面電極
8 外部電極
9 絶縁層
10 回路基板
11 ランド
12 はんだペースト
G 隙間

Claims (1)

  1. 直方体形状の絶縁性基台と、この絶縁性基台の表面の長手方向両端部に設けられた一対の表面電極と、これら一対の表面電極に接続するように前記絶縁性基台の表面に設けられた抵抗体と、この抵抗体を覆うように設けられた保護膜と、前記絶縁性基台の裏面の長手方向両端部に設けられた一対の裏面電極と、前記表面電極と前記裏面電極を覆うように前記絶縁性基台の両端面に設けられた一対の外部電極とを備えたチップ抵抗器において、
    一対の前記裏面電極で挟まれた前記絶縁性基台の裏面領域に絶縁層を設け、この絶縁層の厚み寸法が前記裏面電極と前記外部電極の重なり部分の厚みよりも大きく設定されていることを特徴とするチップ抵抗器。
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