CN104347208A - 一种电阻器制作方法、电阻器及电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种电阻器制作方法、电阻器及电路，该电阻器包括绝缘基体；设置在绝缘基体上的电阻体及分别与该电阻体连接的第一电极和第二电极；以及与第一电极至少与其部分重叠的第一导电层和与第二电极至少与其部分重叠的第二导电层；设置于第一电极和第一导电层之间的用于阻挡外界腐蚀物与第一电极接触的第一阻挡层，和/或，设置于第二电极和第二导电层之间的用于阻挡外界腐蚀物与第二电极接触的第二阻挡层。通过本发明的实施，在电极与导电层之间增加阻挡层，防止了外界中的腐蚀物与电极接触，避免了电极因接触到这些腐蚀物而遭到腐蚀，在防止腐蚀方面取得了显著的进步，提高了产品性能的可靠性。

Description

一种电阻器制作方法、电阻器及电路

技术领域

本发明涉及电阻器领域，特别是涉及一种电阻器制作方法、电阻器及电路。

背景技术

随着通信技术的发展，对通信设备，尤其是通信电路的质量要求也日益严格，而目前，电阻器设备，尤其是厚膜芯片电阻器的硫化现象也日益严重.

现有的厚膜芯片电阻器的结构示意图如图1所示，参照图1所示，现有的厚膜芯片电阻器包括：陶瓷绝缘基体1，设置在陶瓷绝缘基体1上的底部电极（2a及2b）、顶部电极（3a及3b）、侧面电极（4a及4b）及电阻体5，设置在电阻体上的介质层6，及用于保护电阻体5的保护层7及电镀层（电镀镍层8a及8b、电镀锡层8c及8d），当然为了实现对厚膜芯片电阻器的标记，厚膜芯片电阻器还可以包括设置于保护层7之上的标记层9；由图1可知，保护层7及电镀层相交形成的交界线，该交界线处的电镀层很薄或未形成电镀层，从而存在缝隙或孔隙，这是现有电镀工艺无法避免的，特别是当丝网漏印保护层边界不整齐时，孔隙就尤为严重；当周围环境存在硫化物，如硫化氢/羰基硫/硫磺粉等时，由于分子扩散/吸附/毛细等物理作用，硫化物就会从这些孔隙处进入到厚膜芯片电阻器内部的顶部电极3并与其中的银发生化学反应，生成高电阻率的硫化银Ag₂S，从而使厚膜芯片电阻器的阻值变大甚至开路，导致电路发生故障。

因此，如何提供一种可以解决因电极腐蚀所导致的阻值变大的厚膜芯片电阻器，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供了一种电阻器制作方法、电阻器及电路，解决了当前技术中所存在的因电极腐蚀所导致阻值变大的问题。

本发明提供了一种电阻器制作方法，在一个实施例中，该电阻器制作方法包括：在绝缘基体上设置电阻体及分别与该电阻体连接的第一电极和第二电极的步骤；以及为第一电极设置至少与其部分重叠的第一导电层和为第二电极设置至少与其部分重叠的第二导电层的步骤；还包括：在第一电极和第一导电层之间设置用于阻挡外界腐蚀物与第一电极接触的第一阻挡层的步骤，和/或，在第二电极和第二导电层之间设置用于阻挡外界腐蚀物与第二电极接触的第二阻挡层的步骤。

进一步的，在上述实施例所提供的电阻器制作方法，还包括：在电阻体之上设置用于修正电阻体阻值的阻值修正层的步骤。

进一步的，在上述实施例所提供的电阻器制作方法，还包括：在阻值修正层之上设置与第一阻挡层和/或第二阻挡层至少部分重叠的保护层的步骤。

进一步的，在上述实施例所提供的电阻器制作方法中，设置第一阻挡层和/或第二阻挡层的方法包括丝网印刷、烘干或烧结。

本发明提供了一种电阻器，在一个实施例中，该电阻器包括绝缘基体，设置在绝缘基体上的电阻体及分别与该电阻体连接的第一电极和第二电极；以及与第一电极至少与其部分重叠的第一导电层和与第二电极至少与其部分重叠的第二导电层；还包括：设置于第一电极和第一导电层之间的用于阻挡外界腐蚀物与第一电极接触的第一阻挡层，和/或，设置于第二电极和第二导电层之间的用于阻挡外界腐蚀物与第二电极接触的第二阻挡层。

进一步的，在上述实施例所提供的电阻器中，第一阻挡层整体设置于第一电极之上；和/或，第二阻挡层整体设置于第二电极之上。

进一步的，在上述实施例所提供的电阻器还包括：设置于电阻体之上的用于修正电阻体阻值的阻值修正层。

进一步的，在上述实施例所提供的电阻器还包括：用于保护电阻体的保护层，保护层设置于阻值修正层之上，与第一阻挡层和/或第二阻挡层至少部分重叠。

进一步的，在上述实施例所提供的电阻器中，第一阻挡层和/或第二阻挡层的材料为导电材料。

进一步的，在上述实施例所提供的电阻器中，外界腐蚀物包括硫化物。

相应的，本发明也提供了一种电路，在一个实施例中，该电路包括本发明所提供的电阻器。

本发明的有益效果：

本发明提供的电阻器制作方法、电阻器及电路，通过在与第一电极与第一导电层之间增加第一阻挡层，和/或，在与第二电极与第二导电层之间增加第二阻挡层，防止了外界（空气/工作环境）中的腐蚀物（如硫化物等）与电极接触，避免了电极因接触到这些腐蚀物而遭到腐蚀，在防止腐蚀（如硫化失效）方面取得了显著的进步，解决了当前技术中所存在的因电极硫化等腐蚀所导致阻值变大的问题，达到了防止芯片电阻器硫化失效或延长芯片电阻器硫化失效时间的效果，提高了产品性能的可靠性。

附图说明

图1为现有技术中厚膜芯片电阻器的结构示意图；

图2为本发明第一实施例提供的电阻器的结构示意图；

图3为本发明第二实施例提供的电阻器制作方法的示意图；

图4为本发明第三实施例提供的电阻器的结构示意图；

图5为本发明第四实施例提供的电阻器的结构示意图；

图6为本发明第五实施例提供的电阻器制作方法的流程示意图；

图7a为执行图6中步骤S601之后电阻器的结构示意图；

图7b为执行图6中步骤S602之后电阻器的结构示意图；

图7c为执行图6中步骤S603之后电阻器的结构示意图；

图8为本发明第六实施例提供的电阻器制作方法的流程示意图；

图9a为执行图8中步骤S801之后电阻器的结构示意图；

图9b为执行图8中步骤S802之后电阻器的结构示意图；

图9c为执行图8中步骤S803之后电阻器的结构示意图。

具体实施方式

本发明提供的电阻器制作方法可以广泛的电阻器生产领域，都可以达到防止电阻器的电极因腐蚀而失效的现象，下文以该电阻器为厚膜芯片电阻器为例，并通过具体实施例结合附图的方式来对本发明做出进一步的诠释说明。

图2为本发明一实施例提供的电阻器的结构示意图，如图2所示，本发明提供的电阻器在包括：绝缘基体21，设置在绝缘基体21之上的电阻体22、分别与电阻体22连接的第一电极23a和第二电极23b，以及与第一电极23a至少与其部分重叠的第一导电层24a和与第二电极23b至少与其部分重叠的第二导电层24b之外，还包括：设置于第一电极23a和第一导电层24a之间的用于阻挡外界腐蚀物与第一电极23a接触的第一阻挡层25a，和/或，设置于第二电极23b和第二导电层24b之间的用于阻挡外界腐蚀物与第二电极接触23b的第二阻挡层25b。

进一步的，如图2所示，第一阻挡层25a整体设置于第一电极23a之上；和/或，第二阻挡层25b整体设置于第二电极23b之上；这样设置在达到防止腐蚀的同时，还减少了制作第一阻挡层25a及第二阻挡层25b的生产成本。

进一步的，如图2所示，电阻器还包括：用于保护电阻体22的保护层26，保护层26设置于电阻体22之上，与第一阻挡层25a和/或第二阻挡层25b至少部分重叠；这样设置在保护了电阻体22的同时，也进一步增强了防腐蚀效果，因为外界腐蚀物在进入电阻器之后，就直接全部被第一阻挡层25a和/或第二阻挡层25b拦截。

进一步的，在其他实施例中，图2所示的电阻器还包括：设置于电阻体之上的用于修正电阻体阻值的阻值修正层。

进一步的，在其他实施例中，阻挡层（包括第一阻挡层25a和/或第二阻挡层25b）的材料为导电材料，如，镍或镍基合金（如：镍铬，镍硼等），以及钯、铂、金等贵重金属组成的金属浆料，还可以是非银系导电树脂，尤其是使用碳系导电树脂；当材料为非银系导电树脂时，设置阻挡层的方式是采用丝网印刷、高温烘干，当材料为使用金属浆料时，设置阻挡层的方式是采用丝网印刷、高温烧结。

进一步的，在其他实施例中，外界腐蚀物包括硫化物，如硫化氢/羰基硫/硫磺粉等。

同时，为了将本发明提供的电阻器应用到实际生活中，本发明相应的也提供了一种电路，该电路包括本发明提供的电阻器。

图3为本发明第二实施例提供的电阻器制作方法的示意图；由图3可知，本发明提供的电阻器制作方法包括以下步骤：

S301：在绝缘基体上设置电阻体及与电阻体连接的电极；

具体的为：在绝缘基体上设置电阻体及分别与该电阻体连接的第一电极和第二电极；

S302：设置阻挡层；

具体的为：在第一电极之上之间设置用于阻挡外界腐蚀物与第一电极接触的第一阻挡层的步骤，和/或，在第二电极之上设置用于阻挡外界腐蚀物与第二电极接触的第二阻挡层；

进一步的，步骤S302可以包括：将第一阻挡层整体设置于第一电极之上；和/或，将第二阻挡层整体设置于第二电极之上；

S303：设置导电层；

具体的为：为第一电极设置至少与自身部分重叠的第一导电层，该第一导电层至少覆盖第一阻挡层的一部分，为第二电极设置至少与自身部分重叠的第二导电层，该第二导电层至少覆盖第二阻挡层的一部分。

较优的，在其他实施例中，图3所示电阻器制作方法还包括：在电阻体之上设置用于修正电阻体阻值的阻值修正层的步骤。进一步的，该步骤可以在步骤S302之前，也可以在步骤S302之后。

较优的，在其他实施例中，上述实施例中的电阻器制作方法还包括：在阻值修正层之上设置与第一阻挡层和/或第二阻挡层至少部分重叠的保护层的步骤。

较优的，在其他实施例中，在图3所示电阻器制作方法中，设置第一阻挡层和/或第二阻挡层的方法为包括丝网印刷、烘干或烧结。

现结合具体应用实例来对本发明做进一步的诠释说明，在下述实施例中，以电阻器为厚膜芯片电阻器为例，对照图1和图2，当电阻器为厚膜芯片电阻器时，图2所示电阻器中的绝缘基体21对应于图1中的陶瓷绝缘基体1，图2中的电阻体22对应于图1中的电阻体5，图2中的第一电极23a对应于图1中的顶部电极3a，第二电极23b对应于图1中的顶部电极3b，图2中的第一导电层24a对应于图1中的底部电极2a、侧面电极4a、电镀镍层8a及电镀锡层8c，第二导电层24b对应于图1中的底部电极2b、侧面电极4b、电镀镍层及8b及电镀锡层8d，图2中的第一阻挡层25a、第二阻挡层25b在图1不存在；在此基础上，结合图4及图5来说明采用本发明所提供的电阻器制作方法所生产出来的厚膜芯片电阻器的结构：

图4为本发明第三实施例提供的电阻器的结构示意图，图5为本发明第四实施例提供的电阻器的结构示意图；参照图4或图5可知，在本实施例中，本发明提供的电阻器包括：绝缘基体21，设置于绝缘基体21之上的电阻体22及分别与电阻体22连接的第一电极23a和第二电极23b，以及与第一电极23a至少与其部分重叠的第一导电层24a和与第二电极23b至少与其部分重叠的第二导电层24b，设置于第一电极23a和第一导电层24a之间的第一阻挡层25a，设置于第二电极23b和第二导电层24b之间的第二阻挡层25b，设置在电阻体22之上的阻值修正层27，设置于阻值修正层27之上、与第一阻挡层25a及第二阻挡层25b部分重叠的保护层26；第一阻挡层25a用于阻止外界腐蚀物通过保护层26与第一导电层24a之间的缝隙流入到第一电极23a，第二阻挡层25b用于阻止外界腐蚀物通过保护层26与第二导电层24b之间的缝隙流入到第二电极23b，起到了防止电阻器内部电电极腐蚀的作用，如硫化等。

较优的，为了实现对电阻器的标记，电阻器还可以包括设置于保护层26之上的标记层。

较优的，如图4所示，阻值修正层27完全覆盖电阻体22，第一阻挡层25a及第二阻挡层25b均与阻值修正层27相交；相应的，在其他实施例中，第一阻挡层25a及第二阻挡层25b中的最多一个与阻值修正层27相交。

较优的，如图5所示，阻值修正层27覆盖电阻体22的一部分，第一阻挡层25a及第二阻挡层25b均不与阻值修正层27相交。

较优的，第一阻挡层25a及第二阻挡层25b的材料可以是任何能起到阻挡空气/工作环境中的硫化物与第一电极23a和第二电极23b接触的导电材料即可，如，金属浆料或导电树脂。

图4及图5示例性的给出了两种采用本发明提供的电阻器制作方法所生产的厚膜芯片电阻器的结构示意图，现结合图6至图9c对这两种厚膜芯片电阻器的工艺流程给出相应的说明。

图6为本发明第五实施例提供的电阻器制作方法的流程示意图，如图6所示，在本实施例中，本发明提供的电阻器制作方法包括以下步骤：

S601：在绝缘基体上设置电阻体及第一电极和第二电极；

该步骤S601具体可以为：用银基金属浆料丝网漏印在陶瓷绝缘基体上，形成第一电极和第二电极，然后高温烧结而成，在第一电极和第二电极之间印刷烧结电阻体，电阻体与第一电极和第二电极有交叠；

执行该步骤S601之后的电阻器的结构示意图如图7a所示；

S602：在电阻体上设置阻值修正层；

该步骤S602具体可以为：在电阻体上印刷烧结阻值修正层；阻值修正层可以完全覆盖电阻体，为了保证厚膜芯片电阻器的电阻值的准确性，图6所示的制作方法还可以包括：在阻值修正层上对电阻体进行激光修阻；

执行该步骤S602之后电阻器的结构示意图如图7b所示；

S603：在第一电极上设置第一阻挡层，在第二电极上设置第二阻挡层；

该步骤S603具体可以为：在顶部电极上，印刷、高温固化第一阻挡层及第二阻挡层；

执行该步骤S603之后厚膜芯片电阻器的结构示意图如图7c所示；

S604：设置保护层、第一导电层及第二导电层；

该步骤S604具体可以为：在阻值修正层上覆盖保护层，保护层一定要覆盖到第一阻挡层及第二阻挡层，并有交叠，其覆盖交叠的长度尺寸不局限于某一具体尺寸；在保护层上印刷固化丝印标记层；一次分割陶瓷基板，呈现侧面电极部分，真空溅射侧面电极；二次分割陶瓷基板，使之成为一个个独立的电阻体，然后进行电镀形成电镀层，先电镀镍层，再电镀锡层；

执行该步骤S604之后厚膜芯片电阻器的结构示意图如图4所示；

在本实施例中，阻挡层的材料选用非银系导电树脂，尤其是使用碳系导电树脂，能方便后续用简单的电磁铁方法检查电镀镍层的质量。

图8为本发明第六实施例提供的电阻器制作方法的流程示意图，如图8所示，在本实施例中，本发明提供的电阻器制作方法包括以下步骤：

S801：在绝缘基体上设置电阻体及第一电极和第二电极；

该步骤S801与步骤S601相类似，不在赘述；

执行该步骤S801之后的电阻器的结构示意图如图9a所示；

S802：在第一电极上设置第一阻挡层，在第二电极上设置第二阻挡层；

该步骤S802具体可以为：在顶部电极上，印刷、高温烧结第一阻挡层及第二阻挡层；

执行该步骤S802之后电阻器的结构示意图如图9b所示；

S803：在电阻体上设置阻值修正层；

该步骤S803具体可以为：在电阻体上印刷烧结阻值修正层；阻值修正层可以不完全覆盖电阻体，为了保证电阻器的电阻值的准确性，图8所示的制作方法还可以包括：在阻值修正层上对电阻体进行激光修阻；

执行该步骤S803之后电阻器的结构示意图如图9c所示；

S804：设置保护层、第一导电层及第二导电层；

该步骤S804与步骤S604相类似，不在赘述；

执行该步骤S804之后厚膜芯片电阻器的结构示意图如图5所示；

在本实施例中，阻挡层的材料可以选用镍或镍基合金（如：镍铬，镍硼等），以及钯、铂、金等贵重金属组成的金属浆料。

综上可知，通过本发明的实施，至少存在以下有益效果：

在与第一电极与第一导电层之间增加第一阻挡层，和/或，在与第二电极与第二导电层之间增加第二阻挡层，防止了外界（空气/工作环境）中的腐蚀物（如硫化物等）与电极接触，避免了电极因接触到这些腐蚀物而遭到腐蚀，在防止腐蚀（如硫化失效）方面取得了显著的进步，解决了当前技术中所存在的因电极硫化等腐蚀所导致阻值变大的问题，达到了防止芯片电阻器硫化失效或延长芯片电阻器硫化失效时间的效果，提高了产品性能的可靠性；

进一步的，由于阻挡层仅需要起到阻挡外接腐蚀物接触到电极即可，因此，第一/第二阻挡层仅需在第一/第二导电层之前制作即可，兼容了现有的工艺流程；

进一步的，阻挡层的材料只要具备防止/减缓腐蚀的作用即可，增加了阻挡层材料选用的灵活性，阻挡层可以使用常见的金属浆料或导电树脂，在生产成本增加不大的情况下增强了厚膜芯片电阻器的防硫化效果。

以上仅是本发明的具体实施方式而已，并非对本发明做任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施方式所做的任意简单修改、等同变化或修饰，均仍属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (12)

1.一种电阻器制作方法，包括：在绝缘基体上设置电阻体及分别与该电阻体连接的第一电极和第二电极的步骤；以及为所述第一电极设置至少与其部分重叠的第一导电层和为所述第二电极设置至少与其部分重叠的第二导电层的步骤；其特征在于，还包括：在所述第一电极和所述第一导电层之间设置用于阻挡外界腐蚀物与所述第一电极接触的第一阻挡层的步骤，和/或，在所述第二电极和所述第二导电层之间设置用于阻挡外界腐蚀物与所述第二电极接触的第二阻挡层的步骤。

2.如权利要求1所述的电阻器制作方法，其特征在于，在所述第一电极和所述第一导电层之间设置用于阻挡外界腐蚀物与所述第一电极接触的第一阻挡层的步骤包括：将所述第一阻挡层整体设置于所述第一电极之上；在所述第二电极和所述第二导电层之间设置用于阻挡外界腐蚀物与所述第二电极接触的第二阻挡层的步骤包括：将所述第二阻挡层整体设置于所述第二电极之上。

3.如权利要求1所述的电阻器制作方法，其特征在于，还包括：在所述电阻体之上设置用于修正所述电阻体阻值的阻值修正层的步骤。

4.如权利要求3所述的电阻器制作方法，其特征在于，还包括：在所述阻值修正层之上设置与所述第一阻挡层和/或所述第二阻挡层至少部分重叠的保护层的步骤。

5.如权利要求1至4任一项所述的电阻器制作方法，其特征在于，设置所述第一阻挡层和/或所述第二阻挡层的方法包括丝网印刷、烘干或烧结。

6.一种电阻器，包括绝缘基体，设置在绝缘基体上的电阻体及分别与该电阻体连接的第一电极和第二电极；以及与所述第一电极至少与其部分重叠的第一导电层和与所述第二电极至少与其部分重叠的第二导电层；其特征在于，还包括：设置于所述第一电极和所述第一导电层之间的用于阻挡外界腐蚀物与所述第一电极接触的第一阻挡层，和/或，设置于所述第二电极和所述第二导电层之间的用于阻挡外界腐蚀物与所述第二电极接触的第二阻挡层。

7.如权利要求6所述的电阻器，其特征在于，所述第一阻挡层整体设置于所述第一电极之上；和/或，所述第二阻挡层整体设置于所述第二电极之上。

8.如权利要求6所述的电阻器，其特征在于，还包括：设置于所述电阻体之上的用于修正所述电阻体阻值的阻值修正层。

9.如权利要求8所述的电阻器，其特征在于，还包括：用于保护所述电阻体的保护层，所述保护层设置于所述阻值修正层之上，与所述第一阻挡层和/或所述第二阻挡层至少部分重叠。

10.如权利要求6至9任一项所述的电阻器，其特征在于，所述第一阻挡层和/或所述第二阻挡层的材料为导电材料。

11.如权利要求6至9任一项所述的电阻器，其特征在于，所述外界腐蚀物包括硫化物。

12.一种电路，其特征在于，包括如权利要求6至11任一项所述的电阻器。