JP2000277301A

JP2000277301A - 伝熱層を有する絶縁基板及び抵抗器

Info

Publication number: JP2000277301A
Application number: JP11085452A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Kishi; 弘志岸; Koichiro Tsujiku; 浩一郎都竹; Keizo Kawamura; 敬三川村; Takashi Amano; 崇天野
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1999-03-29
Filing date: 1999-03-29
Publication date: 2000-10-06

Abstract

(57)【要約】【課題】抵抗膜１３に発生する熱が放熱しやすく、こ
れによって抵抗膜１３の発熱が小さく、抵抗器の過負荷
特性が劣化しにくいようにする。【解決手段】抵抗器は、絶縁基板１１と、この絶縁基
板１１上に形成された抵抗膜１３と、この抵抗膜１３の
両端に電気的に導通するよう前記絶縁基板１１の両端に
形成された外部電極１６、１６とを有する。そして、絶
縁基板１１上に、前記抵抗膜１３の一部に対して電気的
に絶縁した状態で、絶縁基板１１より熱伝導良好な伝熱
層１７、１７を有する。伝熱層１７、１７は外部電極１
６、１６と導通している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チップ形状または
板状等を有する絶縁基板上に伝熱層を有する絶縁基板
と、この絶縁基板上に抵抗膜を形成し、この抵抗膜の両
端に電気的に導通するように絶縁基板の両端に導体を形
成した抵抗器に関し、特に過負荷特性の劣化の小さな絶
縁基板と抵抗器に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、チップ状の抵抗器の例を図９に
示す。この図９に示すように、焼成したアルミナ基板や
ガラス系絶縁セラミックス基板等の絶縁基板１の上の両
端部に所定の電極パターンに従ってＡｇペースト等の導
電ペーストが印刷され、これが焼き付けられ、いわゆる
枕電極２、２と呼ばれる一対の抵抗膜３の間の電極が形
成されている。これら枕電極２、２にわたってＲｕＯ₂
を主体とする抵抗ペーストが塗布され、焼き付けられ、
抵抗膜１３が形成されている。この抵抗膜１３の上にア
ンダーガラスが塗布され、これが焼き付けられ、アンダ
ーコート膜４が形成されている。このアンダーコート膜
４の上から、前記の抵抗膜３がレーザトリミングされ、
枕電極２、２の間の抵抗値が調整される。抵抗膜３の上
にオーバーガラスが塗布され、これが焼き付けられ、オ
ーバーコート膜５が形成されているる。さらに、チップ
状の絶縁基板１の両端部にＡｇペースト等の導電ペース
トが塗布され、これが焼き付けられ、このＡｇ膜の上に
Ｎｉメッキや半田メッキ等が施され、外部電極６、６が
形成されている。

【０００３】従来において、前記のような抵抗器や回路
基板等の電子部品を製造する絶縁セラミックス材料とし
ては、アルミナ基板及びＡｌ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂を主体とし
たガラス系の絶縁セラミックス材料が使用されていた。
このセラミックス材料はＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ₃、
ＣａＯ、ＭｇＯ等の粉末からなる磁器原料を溶媒に分解
したバインダ成分中に分散し、これをシート状に成型し
た後、焼成することにより得られる。

【０００４】

【発明が解決しようとしている課題】前述のようなアル
ミナ系のセラミックス材料による絶縁基板を使用した抵
抗器では、絶縁基板の熱伝導が大きいため、放熱性の点
で優れる。このため、過負荷特性が比較的良好である。
しかし、アルミナ系のセラミックス材料は非常に硬いた
め、焼成済みの絶縁基板の加工性が悪い。また、このア
ルミナ系のセラミックス材料は、低温で焼成することが
できない。このため、生産性が劣るという欠点がある。

【０００５】これに対し、ガラス系の絶縁セラミックス
材料による絶縁基板を使用した抵抗器は、絶縁基板の加
工性が良好なため、研削により絶縁基板を個々のチップ
に分割でき、しかも焼成温度が比較的低い。このため生
産性には優れる。しかし、ガラス系の絶縁セラミックス
材料は、熱伝導率が小さいため、抵抗器の過負荷特性が
大幅に劣化する傾向がある。これは、抵抗膜３の両端に
電力を印加した時に、抵抗膜３に熱が発生するが、絶縁
基板１の熱伝導性が悪いと、同絶縁基板１を介して放熱
が行われにくいためである。すなわち、実装したプリン
ト基板に前記の熱が逃げにくく、抵抗膜３が非常に高温
になる。

【０００６】本発明は、前記従来の抵抗器における課題
に鑑み、抵抗膜に電流を通電した時に、抵抗膜に発生す
る熱が放熱しやすく、これによって抵抗膜の発熱が小さ
く、過負荷特性が劣化しにくい抵抗器を提供することを
目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明では、前記の目的
を達成するため、熱発生源に近接して対向するように前
記絶縁基板１１、２１、３１より熱伝導良好な伝熱層１
７、２７、３７を設けた伝熱層を有する絶縁基板を使用
する。そして、この絶縁基板１１、２１，３１上に抵抗
膜１３を設けたものである。このような熱伝導良好な伝
熱層１７、１７を熱発生源である抵抗膜１３と近接して
配置し、抵抗膜１３に電流を通電してときに発生する熱
を、前記伝熱層１７、１７を介して広く拡散し、放熱す
る。

【０００８】すなわち、本発明による絶縁基板は、熱発
生源を有する絶縁基板１１、２１、３１を備え、絶縁基
板１１、２１、３１に、前記熱発生源に近接して対向す
るように前記絶縁基板１１、２１、３１より熱伝導良好
な伝熱層１７、２７、３７を設けたことを特徴とするも
のである。

【０００９】また、本発明による抵抗器は、絶縁基板１
１、２１、３１と、この絶縁基板１１、２１、３１上に
形成された抵抗膜１３と、この抵抗膜１３の両端に電気
的に導通するよう形成された導体とを有する。そして、
絶縁基板１１、２１、３１に、前記抵抗膜１３と近接し
て対向するように前記絶縁基板１１、２１、３１より熱
伝導良好な伝熱層１７、２７、３７を設けている。

【００１０】例えば、抵抗器がチップ形態を有するチッ
プ抵抗器の場合、絶縁基板１１はチップ状のものからな
り、このチップ状の絶縁基板１１の両端に、抵抗膜１３
の両端に電気的に導通するよう外部電極１６、１６が形
成されている。伝熱層１７、１７はこの外部電極１６、
１６と導通させる。

【００１１】このような抵抗器において、外部電極１
６、１６を介して抵抗膜１３に電流を通電すると、抵抗
膜１３に熱が発生する。この熱は、前記伝熱層１７、１
７を介して拡散し、速やかに絶縁基板１１の広い範囲に
伝熱し、放熱される。さらに、伝熱層１７、１７を外部
電極１６、１６と導通させることにより、抵抗膜１３で
発生した熱は、伝熱層１７、１７を介して拡散される。
そしてこの熱が外部電極１６、１６に伝熱され、この外
部電極１６、１６からこれに半田付けされたランド電極
を介して回路基板へと伝達される。これにより、抵抗器
の抵抗膜１３に発生した熱が速やかに拡散され、回路基
板へと放熱されるので、抵抗膜１３の温度上昇を抑える
ことができる。

【００１２】より具体的な構造としては、絶縁基板１１
の上に伝熱層１７、１７を形成し、この上に絶縁基板１
１とは別の絶縁層１９を設け、その上に抵抗膜１３を設
ける。従って、抵抗膜１３と伝熱層１７、１７との間に
絶縁層１９が介在される。抵抗膜１３と伝熱層１７、１
７とは、この絶縁層１９の厚さで決定される距離ｄを介
して配置されるが、耐電圧等の条件が許す限り絶縁層１
９の厚さを薄くすることにより、抵抗膜１３と伝熱層１
７、１７との距離ｄをごく小さくすることが有効であ
る。

【００１３】さらに、抵抗器はチップ状とし、これを回
路基板上に搭載する代わりに、回路基板を構成する絶縁
基板２１、３１上に抵抗器を直接形成することもでき
る。この場合、絶縁基板３１は複数の絶縁層３２、３２
…が積層された多層回路基板とすることもできる。この
多層回路基板の場合は、絶縁基板３１を構成する一部の
絶縁層３２を抵抗膜１３と伝熱層３７との間に介在させ
ることもできる。

【００１４】伝熱層１７、２７が抵抗膜１３の両端に接
続されている場合は、絶縁を図るため、伝熱層１７、２
７は互いに分離された一対の層からなる。この場合、伝
熱層１７、２７を分離する分離部１８は、抵抗膜１３の
ほぼ中央部に対応した位置からずれて形成することが好
ましい。

【００１５】抵抗膜１３は、レーザトリミング等の手段
により抵抗値が調整される。このレーザトリミングはア
ンダーコート膜１４の上からレーザを照射することによ
り行う。通常、このレーザトリミングは、抵抗膜１３の
中央部分で行われる。前述のように、伝熱層１７、２７
の分離部１８が抵抗膜１３の中央部からずれていると、
この抵抗膜１３の中央部に対応する位置に伝熱層１７、
２７が存在することになる。このため、レーザを照射時
に抵抗膜１３に発生する熱も前記の伝熱層１７、２７を
介して円滑に放熱することが可能となる。

【００１６】

【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
図１〜４は、本発明をチップ抵抗器に適用した実施形態
である。これらの図を参照しながら説明すると、まず焼
成したガラス系絶縁セラミックス基板等のチップ状の絶
縁基板１１を用意する。

【００１７】このような絶縁基板１１を形成するための
絶縁材料としては、ガラス成分を主体として、これにＭ
ｇＳｉＯ₃（エンスタタイト）やＣａＳｉＯ₃（ウォルス
テライト）を添加したものが好ましい。例えば、ＳｉＯ
₂が３０〜６０重量％と、Ａｌ₂Ｏ₃が５〜２５重量％
と、Ｂ₂Ｏ₃が５〜２５重量％と、ＣａＯとＭｇＯとの少
なくとも何れかが５〜３０重量％とからなるガラス成分
が４０〜７０重量％と、ＭｇＳｉＯ₃とＣａＳｉＯ₃の少
なくとも何れかの粒子が３０〜６０重量％とからなる絶
縁材料を使用することが好ましい。

【００１８】このような絶縁材料では、焼成済みのセラ
ミックの研削加工性が向上し、研削によりセラミックス
基板を個々のチップに分割できる。溶剤に溶解したバイ
ンダ成分に前記このような絶縁材料の粉末状を分散した
スラリを作り、これをドクターブレード塗工等の手段で
ポリエチレンテレフタレート等からなる支持フィルム上
に薄く展開し、乾燥し、セラミックグリーンシートを形
成する。このセラミックグリーンシートを適当な大きさ
に裁断し、脱バインダ処理し、焼成する等の行程を経
て、後述する絶縁基板１１を形成するためのセラミック
基板を形成する。そしてこのセラミック基板を使用し、
以降の抵抗器の製造工程に供する。

【００１９】まず、このセラミック基板上に、Ａｇペー
スト等の導電ペーストを印刷し、これを焼き付け、熱伝
導が良好な伝熱層１７、１７を形成する。この伝熱層１
７、１７は、セラミック基板を後述して分割することに
より得られる絶縁基板１１の中央部からずれた一部分を
除いて形成される。またこれら伝熱層１７、１７の両端
は、後述するようにしてセラミック基板を分割して形成
される絶縁基板１１の両端に達するよう形成される。次
に、この伝熱層１７の上にセラミックペーストやガラス
ペーストを塗布し、これを焼き付け、絶縁層１９を形成
する。

【００２０】次に、前記絶縁層１９の上に、所定の電極
パターンに従ってＡｇペースト等の導電ペーストを印刷
し、これを焼き付け、いわゆる枕電極１２、１２と呼ば
れる導体膜を形成する。その後、これら枕電極１２、１
２の間にＲｕＯ₂を主体とするメタルグレーズからなる
抵抗ペーストを塗布し、これを焼き付け、抵抗膜１２を
形成する。さらにアンダーガラスを塗布し、これを焼き
付け、アンダーコート膜１４を形成する。

【００２１】その後、抵抗膜１３をレーザトリミングす
る。この抵抗膜１３のレーザトリミングは、通常の場
合、抵抗膜１３の中央部、すなわち伝熱層１７が分離さ
れた部分で行う。その後、抵抗膜１３とアンダーコート
膜１４を覆うようにオーバーガラスを塗布し、これを焼
き付け、オーバーコート膜１５を形成する。

【００２２】このセラミックス基板を、ブレークする
か、またはワイヤーソー等の研削加工機により、個々の
チップ状の絶縁基板１１に分割する。その後、分割した
チップをバレル研磨する。最後に絶縁基板１１の両端に
Ａｇペースト等の導電ペーストを塗布し、これを焼き付
ける。さらにこのＡｇ膜の上にＮｉメッキや半田メッキ
等を施し、外部電極１６、１６を形成する。これによ
り、チップ抵抗器が完成する。

【００２３】この完成したチップ抵抗器を図１〜図４に
示す。このチップ抵抗器は、絶縁基板１１の上に、Ａｇ
膜からなる熱伝導が良好な伝熱層１７、１７が形成され
ている。この伝熱層１７、１７は、絶縁基板１１の中央
部からずれら一部分を除いて形成されることにより、こ
の中央部からずれた帯状の分離部１８を介して分割され
た一対の膜として形成されている。そしてこれら伝熱層
１７、１７の両端は、絶縁基板１１の両端に達し、絶縁
基板の端面に導出されている。

【００２４】この伝熱層１７、１７の厚さは、チップ抵
抗器のサイズ、製造の容易性等が条件が許す限りにおい
て、できるだけ厚いことが好ましい。例えば、縦１ｍ
ｍ、横０．５ｍｍのサイズのチップ抵抗器の場合、伝熱
層１７、１７の厚さは、５μｍ以上であることが好まし
い。

【００２５】前記の伝熱層１７の上に絶縁層１９が形成
されている。この絶縁層１９の厚さは、前記伝熱層１
７、１７と後述する抵抗膜１３との距離を決めるもので
ある。従って伝熱効果から、耐電圧特性等の電気的特性
が許容する条件の範囲で、絶縁層１９は出来るだけ薄い
ことが好ましい。例えば、前述の例の縦１ｍｍ、横０．
５ｍｍのサイズのチップ抵抗器の場合、絶縁層１９の厚
さにより決定される抵抗膜１３と伝熱層１７の距離ｄ
を、５０μｍ以下とすることが好ましい。

【００２６】次に、前記絶縁層１９の上の絶縁基板１１
の両端に当たる部分に、Ａｇ膜からなる枕電極１２、１
２が形成されている。この枕電極１２、１２の間にＲｕ
Ｏ₂を主体とする抵抗膜１２が形成されている。さら
に、この抵抗膜１２の上に、アンダーコート膜１４が形
成されている。

【００２７】抵抗膜１３は、このアンダーコート膜１４
の上からレーザトリミングされている。この抵抗膜１３
のレーザトリミングは、抵抗膜１３の中央部、すなわち
伝熱層１７の間の分離部１８に対応する部分で行われて
いる。この抵抗膜１３の中央部分に対応する位置にも伝
熱層１７が存在するため、レーザトリミングのためのレ
ーザ照射により抵抗膜１３に発生した熱を円滑に逃がす
ことができる。さらに、この抵抗膜１３とアンダーコー
ト膜１４を覆うようにオーバーコート膜１５が形成され
ている。

【００２８】分割された絶縁基板１１の両端には、Ａｇ
膜とその上に形成されたメッキ膜とにより、外部電極１
６、１６がそれぞれ形成されている。この外部電極１
６、１６には、前記枕電極１２、１２がそれぞれ導通し
ており、従って、外部電極１６、１６は枕電極１２、１
２を介して抵抗膜１３の両端に電気的に導通している。
さらに、この外部電極１６、１６には、前記の分離部１
８により絶縁基板１１の両側に分離された伝熱層１７、
１７の端部がそれぞれ導通している。

【００２９】このようなチップ抵抗器は、図示してない
回路基板上に搭載され、同回路基板上に形成されたラン
ド電極に外部電極１６、１６を半田付けした状態で使用
される。このようなチップ抵抗器の使用状態において、
外部電極１６、１６を介して抵抗膜１３に電流を通電す
ると、抵抗膜１３に熱が発生する。しかしこの抵抗膜１
３に発生した熱は、前記伝熱層１７、１７を介して拡散
し、速やかに絶縁基板１１の広い範囲に伝熱する。さら
にこの熱は、伝熱層１７、１７を介して外部電極１６、
１６に伝熱され、この外部電極１６、１６からこれに半
田付けされたランド電極を介して回路基板へと伝達され
る。これにより、抵抗器内に発生した熱が速やかに回路
基板へと放熱され、抵抗膜１３の温度上昇を抑えること
ができる。

【００３０】以上の例は、抵抗器をチップ形態を有する
チップ抵抗器として構成し、このチップ抵抗器を回路基
板上に搭載したものである。これに対し、抵抗器をチッ
プ抵抗器とせず、回路基板上に直接形成することもでき
る。図５と図６はこの例を示しおり、図１〜図４と同じ
部分、すなわち枕電極１２、１２、抵抗膜１３、アンダ
ーコート１４、オーバーコート１５及び絶縁層１９には
同じ符号を付して表してある。また、符号２６は、回路
基板を構成する絶縁基板２１上に形成された回路パター
ンとなる導体膜を示す。

【００３１】図５と図６に示すように、回路基板を構成
する絶縁基板２１の上に、Ａｇ膜からなる熱伝導が良好
な伝熱層２７、２７が形成されている。この伝熱層２
７、２７は、帯状の分離部１８を介して分割された一対
の膜として形成されている。この伝熱層２７の両端を除
いてその上に絶縁層１９が形成されている。この絶縁層
１９の厚さは、前記伝熱層２７、２７と後述する抵抗膜
１３との距離を決めるものである。従って伝熱効果か
ら、耐電圧特性等の電気的特性が許容する条件の範囲
で、絶縁層１９は出来るだけ薄いことが好ましい。例え
ば、前述のチップ抵抗器と同様に、絶縁層１９の厚さに
より決定される抵抗膜１３と伝熱層２７の距離ｄを、５
０μｍ以下とすることが好ましい。

【００３２】次に、前記絶縁層１９の両端から露出した
伝熱層２７、２７の両端から絶縁層１９の両端の上にわ
たってＡｇ膜からなる枕電極１２、１２が形成されてい
る。この枕電極１２、１２の間にＲｕＯ₂を主体とする
抵抗膜１２が形成されている。さらに、この抵抗膜１２
の上に、アンダーコート膜１４が形成されている。

【００３３】抵抗膜１３は、このアンダーコート膜１４
の上からレーザトリミングされている。この抵抗膜１３
のレーザトリミングは、抵抗膜１３の中央部、すなわち
伝熱層２７の間の分離部１８に対応する部分で行われて
いる。前記の伝熱層２７、２７を分離する分離部は、抵
抗膜１３の中央部分に対応する位置からずれており、同
中央部分に一方の伝熱層２７が存在する。このため、レ
ーザトリミングのためのレーザ照射により抵抗膜１３に
発生した熱を円滑に逃がすことができる。さらに、この
抵抗膜１３とアンダーコート膜１４を覆うようにオーバ
ーコート膜１５が形成されている。

【００３４】このような抵抗器において、抵抗膜１３に
電流を通電すると、抵抗膜１３に熱が発生する。しかし
この抵抗膜１３に発生した熱は、前記伝熱層２７、２７
を介して拡散し、速やかに絶縁基板２１の広い範囲に伝
熱する。これにより、抵抗器内に発生した熱が速やかに
放熱され、抵抗膜１３の温度上昇を抑えることができ
る。

【００３５】図７及び図８に示したのは、回路基板が複
数の絶縁層３２、３２…を積層して構成された多層回路
基板の場合である。この図７及び図８において、図５及
び図６と同じ部分、すなわち枕電極１２、１２、抵抗膜
１３、アンダーコート１４、オーバーコート１５及び絶
縁層１９には同じ符号を付して表してある。

【００３６】このような多層回路基板の場合は、多層回
路基板を構成する絶縁基板３１の一部の絶縁層３２を絶
縁層として利用し、この絶縁層３２と隣接する他の絶縁
層３２との間に伝熱層３７を形成することができる。す
なわち、絶縁基板３１上にＡｇ膜からなる一対の枕電極
１２、１２が直接形成され、この枕電極１２、１２の間
にＲｕＯ₂を主体とする抵抗膜１２が形成されている。
この抵抗膜１２の上に、アンダーコート膜１４が形成さ
れている。さらに、この抵抗膜１３とアンダーコート膜
１４を覆うようにオーバーコート膜１５が形成されてい
る。

【００３７】そして、前記の抵抗膜１３が形成された最
も表側の絶縁層３２とこれに隣接する絶縁層３２との間
に伝熱層３７を形成する。この伝熱層３７は、最も表側
の絶縁層３２を介して抵抗膜１３と対向するように設け
られている。すなわち、伝熱層３７と抵抗膜１３とは、
絶縁層３２に厚さにより決定される距離ｄをおいて対向
している。図示の例では、一方の枕電極１２を多層回路
基板に構成された回路と接続するための層間導体が伝熱
層３７を兼ねている。

【００３８】図７及び図８において符号３３は、絶縁基
板３１の絶縁層３２、３２…の層間に形成された回路パ
ターンとなる導体膜である。また図８において符号３４
は、絶縁層３２の間の導体膜２６、３３等を導通するス
ルーホール導体である。何れも、絶縁基板２６の表面に
形成された導体膜２６と共に所要の回路を構成する。

【００３９】このような抵抗器においても、抵抗膜１３
に発生した熱が、前記伝熱層３７を介して拡散し、速や
かに絶縁基板３１の広い範囲に伝熱することにより、抵
抗器内に発生した熱が放熱され、抵抗膜１３の温度上昇
を抑えることができる。この点は、前述の例と同じであ
る。

【００４０】なお、以上の例では、枕電極１２、１２、
外部電極１６、１６、伝熱層１７，１７にＡｇを使用
し、抵抗膜にＲｕＯ₂を使用した。また、絶縁基板１１
を形成する絶縁材料に特定のものを例示したが、本発明
はこれらに限られるものではない。例えば、伝熱層１
７、１７は、熱伝導が良好な膜であれば、その他の金属
材料等も適宜使用することが出来ることは言うまでもな
い。

【００４１】また、前述の実施例では、抵抗膜１３に発
生する熱を伝熱層１７、１７を介して放熱させるものを
例示しているが、本発明はこれに限らず、集積回路等の
電子部品から発生する熱を放熱する場合の基板について
も、本発明の伝熱層１７、１７を有する絶縁基板を適用
することができることは言うまでもない。

【００４２】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明による絶縁基
板とこれを使用した抵抗器では、抵抗膜１３に電流を通
電することにより抵抗膜１３に発生する熱が、伝熱層１
７、２７、３７を介して速やかに絶縁基板１１、２１、
３１の広い範囲に伝熱し、放熱させることができる。さ
らに、チップ抵抗器の場合は、前記抵抗膜１３に発生す
る熱を伝熱層１７、１７を介して外部電極１６、１６に
伝熱し、この外部電極１６、１６からこれにランド電極
を介して回路基板へと伝達することができるので、抵抗
器内に発生した熱を速やかに回路基板へと放熱し、抵抗
膜１３の温度上昇を抑えることができる。これにより、
過負荷特性に優れた抵抗器を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態による抵抗器を示す縦断側
面図である。

【図２】同実施態様による抵抗器の一部を示す要部拡大
縦断側面図である。

【図３】同実施態様による抵抗器の他部を示す要部拡大
縦断側面図である。

【図４】同実施態様による抵抗器を示す一部切り欠いら
平面図である。

【図５】本発明の他の実施形態による抵抗器を示す縦断
側面図である。

【図６】同実施態様による抵抗器の一部を示す要部拡大
縦断側面図である。

【図７】本発明のさらに他の実施形態による抵抗器を示
す縦断側面図である。

【図８】同実施態様による抵抗器の一部を示す要部拡大
縦断側面図である。

【図９】従来例である抵抗器を示す縦断側面図である。

【符号の説明】

１１絶縁基板１３抵抗膜１６外部電極１７伝熱層１８伝熱層の分離部１９絶縁層２１絶縁基板２７伝熱層３１絶縁基板３２絶縁層３７伝熱層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者川村敬三東京都台東区上野６丁目16番20号太陽誘電株式会社内 (72)発明者天野崇東京都台東区上野６丁目16番20号太陽誘電株式会社内Ｆターム(参考） 5E028 AA10 BA03 BB01 CA02 DA04 GA01 5E033 BE01 BE04 BH02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】熱発生源を有する絶縁基板（１１）、
（２１）、（３１）を備え、絶縁基板（１１）、（２
１）、（３１）に、前記熱発生源に近接して対向するよ
うに前記絶縁基板（１１）、（２１）、（３１）より熱
伝導良好な伝熱層（１７）、（２７）、（３７）を設け
たことを特徴とする伝熱層を有する絶縁基板。
【請求項２】絶縁基板（１１）はチップ状のものから
なることを特徴とする請求項１に記載の伝熱層を有する
絶縁基板。
【請求項３】絶縁基板（２１）、（３１）は回路基板
を構成する基板状のものからなることを特徴とする請求
項１に記載の伝熱層を有する絶縁基板。
【請求項４】絶縁基板（１１）、（２１）、（３１）
と、この絶縁基板（１１）、（２１）、（３１）上に形
成された抵抗膜（１３）と、この抵抗膜（１３）の両端
に電気的に導通するよう形成された導体とを有する抵抗
器において、絶縁基板（１１）、（２１）、（３１）
に、前記抵抗膜（１３）に近接して対向するように前記
絶縁基板（１１）、（２１）、（３１）より熱伝導良好
な伝熱層（１７）、（２７）、（３７）を設けたことを
特徴とする抵抗器。
【請求項５】絶縁基板（１１）はチップ状のものから
なることを特徴とする請求項４に記載の抵抗器。
【請求項６】抵抗膜（１３）の両端に電気的に導通す
るよう形成された導体は、チップ状の絶縁基板（１１）
の両端に形成された外部電極（１６）、（１６）である
ことを特徴とする請求項５に記載の抵抗器。
【請求項７】伝熱層（１７）、（１７）は外部電極
（１６）、（１６）と導通していることをことを特徴と
する請求項６に記載の抵抗器。
【請求項８】絶縁基板（２１）、（３１）は回路基板
を構成する基板状のものからなることを特徴とする請求
項４に記載の抵抗器。
【請求項９】絶縁基板（３１）は複数の絶縁層（３
２）、（３２）…が積層された多層回路基板であること
を特徴とする請求項８に記載の抵抗器。
【請求項１０】抵抗膜（１３）と伝熱層（１７）、
（２７）、（３７）との間に絶縁層（１９）、（３２）
が介在されていることを特徴とする請求項４〜９の何れ
かに記載の抵抗器。
【請求項１１】抵抗膜（１３）と伝熱層（１７）、
（２７）との間に介在された絶縁層（１９）は、絶縁基
板（１１）、（２１）とは別に形成された絶縁層である
ことを特徴とする請求項１０に記載の抵抗器。
【請求項１２】抵抗膜（１３）と伝熱層（３７）との
間に介在された絶縁層（３２）は、絶縁基板（３１）を
構成する表面側の絶縁層であることを特徴とする請求項
１０に記載の抵抗器。
【請求項１３】抵抗膜（１３）と伝熱層（１７）、
（２７）、（３７）とは、距離（ｄ）を介して近接して
配置されていることを特徴とする請求項４〜１２の何れ
かに記載の抵抗器。
【請求項１４】伝熱層（１７）、（２７）は、互いに
分離された一対の層からなり、伝熱層（１７）、（２
７）を分離する分離部（１８）は、抵抗膜（１３）のほ
ぼ中央部に対応した位置からずれて形成されていること
を特徴とする請求項４〜１４の何れかに記載の抵抗器。