JP2015129731A - 温度センサ - Google Patents

Abstract

【課題】検知対象に対するサーミスタ素子の位置を安定させること。【解決手段】温度センサ１において、サーミスタ素子５は、サーミスタ本体５１に形成された外部電極５２，５３を含む。配線導体３１は、外部電極５２に接続されたランド電極３４と、端子電極３３とを結ぶ線状導体である。また、配線導体３２は、外部電極５３と接続されたランド電極３６と、端子電極３５とを結ぶ線状導体である。配線導体３１，３２は、可撓性を有する基材２上に形成される。ここで、端子電極３３，３５は、サーミスタ素子５を基準として互いに異なる方位に設けられる。回路基板７４には、端子電極３３，３５が接合可能なランド電極７５，７６が形成される。ここで、端子電極３３，３５間の距離ｄ１は、ランド電極７５，７６間の距離ｄ２よりも大きい。【選択図】図１

Description

本発明は、サーミスタ素子を備えた温度センサであって、回路基板上に実装可能な温度センサに関する。

従来、この種の温度センサとしては、例えば、下記の特許文献１に記載されたサーミスタセンサがある。この温度センサは可撓性テープを備える。可撓性テープの表面には、金属箔よりなる二条のリード線が横並びで延設されている。両リード線の一端にはサーミスタ素子が設けられている。また、両リード線の大部分と、サーミスタ素子とを覆うように樹脂コーティングが施されている。また、両リード線の他端は、温度センサを回路基板上に実装可能にすべく、樹脂コーティングが施されることなく露出している。

温度センサは回路基板上に実装される。具体的には、サーミスタ素子は、温度検知の対象となる物に直接接するように配置される。他にも、このサーミスタ素子は、温度検知の対象となる物や空間に近接するように配置される場合もある。また、両リード線の他端は、回路基板上に配置された分圧回路に接続される。より具体的には、回路基板上のランド電極にはんだ等で接合される。この分圧回路には定電圧が印加されており、検知対象の温度が変化すると、サーミスタ素子の抵抗値も変化し、両リード線の他端間には、検知対象の温度に相関する値の電圧が現れる。

特開平０８−０６８６９９号公報

従来の温度センサでは、単一の可撓性テープにリード線が横並びで延設されており、両リード線の他端が回路基板上に接合される。それに対し、両リード線の一端側、つまりサーミスタ素子が設けられている端部側は固定されていない。したがって、回路基板の揺れ等に起因して、検知対象に対するサーミスタ素子の位置が不安定となる場合がある。

それゆえに、本発明の目的は、検知対象に対するサーミスタ素子の位置を安定させることが可能な温度センサを提供することである。

上記目的を達成するために、本発明一局面は、回路基板上に実装可能な温度センサに向けられており、サーミスタ本体と、サーミスタ本体に形成された第一外部電極および第二外部電極と、を含むサーミスタ素子と、第一外部電極と接続された第一ランド電極と、第一端子電極とを結ぶ線状の第一配線導体と、第二外部電極と接続された第二ランド電極と、第二端子電極とを結ぶ線状の第二配線導体と、第一配線導体および第二配線導体が形成されており、可撓性を有する基材であって、サーミスタ素子を基準として第一端子電極および第二端子電極を互いに異なる方位に配置した基材と、を備えている。

ここで、回路基板には、第一端子電極および第二端子電極が接合可能な第一ランド電極および第二ランド電極が形成されており、第一端子電極および第二端子電極の間の距離ｄ１は、第一ランド電極および第二ランド電極の間の距離ｄ２よりも大きく設計される。

上記局面によれば、温度センサに備わるサーミスタ素子の検知対象に対する位置を安定させることが可能となる。

第一実施形態に係る温度センサの完成品の一例を示す斜視図である。 図１の温度センサの分解斜視図である。 図１の温度センサの製造工程を示す第一の模式図である。 図１の温度センサの製造工程を示す第二の模式図である。 従来のサーミスタセンサの問題点を詳細に示す模式図である。 第二実施形態に係る温度センサの完成品の一例を示す斜視図である。

《第一実施形態》
以下、図面を参照して、第一実施形態に係る温度センサ１を説明する。その説明に先立ち、いくつかの図面に示すＬ軸、Ｗ軸、Ｔ軸を定義する。Ｌ軸、Ｗ軸およびＴ軸は、互いに直交しており、温度センサ１の左右方向（長さ方向）、前後方向（幅方向）および上下方向（高さ方向）を示す。

《温度センサ１の基本構成》
図１および図２に示すように、温度センサ１は、大略的には、基材２と、第一配線導体３１と、第二配線導体３２と、第一樹脂コート部４１と、第二樹脂コート部４２と、サーミスタ素子５と、保護部材６と、を備える。

基材２は、いわゆるフレキシブルプリント配線板（以下、ＦＰＣという場合がある）であって、可撓性および電気絶縁性を有する材料から作製される。この種の材料としては、典型的には、ポリイミド（以下、ＰＩという場合がある）またはポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴという場合がある）がある。ここで、サーミスタ素子５による温度検知の対象以外の熱（例えば、回路基板７４（図３Ａ等を参照）からの熱）をサーミスタ素子５に伝えないようするため、基材２の材料としては、相対的に低い熱伝導率を有するものを使用することが好ましい。

基材２は、上記材料を矩形シート状に成形したものである。この基材２は、Ｔ軸方向に相対向する底面および上面Ｍ０を有する。また、基材２のサイズの一例は下記の通りである。ここで、以下の説明の便宜のため、Ｌ寸、Ｗ寸およびＴ寸を定義する。Ｌ寸は対象物のＬ軸方向の寸法（長さ）であり、Ｗ寸は同対象物のＷ軸方向の寸法（幅）であり、Ｔ寸は同対象物のＴ軸方向の寸法（厚さ）である。
基材２のＬ寸：約３５ｍｍ
基材２のＷ寸：約３ｍｍ
基材２のＴ寸：約２５μｍ

次に、以下の説明の便宜のため、基材２の縦中心線ＡＡ'と横中心線ＢＢ'とを定義する。縦中心線ＡＡ'は、上面Ｍ０の左辺におけるＷ軸方向中点と、同上面Ｍ０の右辺におけるＷ軸方向中点とを結ぶ仮想的な直線である。また、横中心線ＢＢ'は、同上面Ｍ０の前辺および後辺のＬ軸方向中点同士を結ぶ仮想的な直線である。縦中心線ＡＡ'を含みかつＴＬ平面に略平行な面を縦中心面といい、横中心線ＢＢ'を含みかつＷＴ平面に略平行な面を横中心面という。また、縦中心面と横中心面との仮想的な交線を軸Ｃという。図１および図２では、縦中心線ＡＡ'を一点鎖線で、横中心線ＢＢ'を二点鎖線で、軸Ｃを三点鎖線にて示している。

配線導体３１，３２はいずれも導電性材料で形成される。この種の導電性材料としては銅が典型的である。また、サーミスタ素子５への不所望な熱伝導を抑えるために、低熱伝導率の金属（例えば、銅とニッケルとの合金）を用いても良い。

配線導体３１は、基材２の上面Ｍ０上に縦中心線ＡＡ'に沿って形成されており、上面Ｍ０の左端近傍と軸Ｃ近傍との間に延在している直線状の導体層である。ここで、配線導体３１は軸Ｃには到達していない。このような配線導体３１の左端は、温度センサ１を回路基板７４（図３Ａ等を参照）に実装するための第一端子電極３３として用いられる。一方、配線導体３１の右端（つまり、軸Ｃ側の端部）は、サーミスタ素子５が実装される第一ランド電極３４として用いられる。

配線導体３２は、横中心面を基準として配線導体３１と略対称な形状を有する。それゆえ、配線導体３２の説明を簡素化する。この配線導体３２には、温度センサ１を回路基板７４に実装するための第二端子電極３５と、サーミスタ素子５が実装される第二ランド電極３６とが備わっている。以上のことから、配線導体３１，３２は、サーミスタ素子５を基準として、互いに異なる方位に延在している。より具体的には、各配線導体３１，３２の中心線の一方は他方に対し約１８０°の角度をなしている。

上記から明らかなように、上記ランド電極３４，３６は、Ｌ軸方向に間隔を空けて基材２上に設けられる。この間隔のＬ軸方向距離は、サーミスタ素子５が有する外部電極５２，５３の間のＬ軸方向距離に基づき定められる。例えば、外部電極５２，５３の間のＬ軸方向距離が約１．６ｍｍであれば、ランド電極間のＬ軸方向距離も１．６ｍｍ程度となる。

樹脂コート部４１，４２はいずれも、電気絶縁性を有する樹脂製フィルムで形成される。樹脂コート部４１は、配線導体３１において端子電極３３およびランド電極３４を除いた部分を覆うように上面Ｍ０に形成される。樹脂コート部４２は上面Ｍ０に形成されており、配線導体３２の端子電極３５およびランド電極３６を除いた部分を覆っている。

サーミスタ素子５は、例えば積層型のチップサーミスタであって、図２に示すように、サーミスタ本体５１と、第一外部電極５２と、第二外部電極５３と、を含んでいる。

サーミスタ本体５１は複数のセラミック層を含む。ここで、複数のセラミック層はＴ軸方向に積層される。また、複数のセラミック層においてＴ軸方向に隣り合うセラミック層の間には、内部電極が一つずつ設けられている。

また、サーミスタ本体５１は、周囲温度の変化に対して抵抗値が大きく変化する温度特性を有する。本実施形態では、サーミスタ本体５１は、温度上昇と共に抵抗値が小さくなるＮＴＣサーミスタであるとする。かかるＮＴＣサーミスタは、例えば、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）および銅（Ｃｕ）等の遷移元素のグループから選ばれた二種から四種の酸化物を混合し焼結した酸化物焼結体（セラミック焼結体）から作製可能である。

また、サーミスタ本体５１は、例えばＪＩＳ（日本工業規格）にて規格化されたサイズを有する。本実施形態では、サーミスタ本体５１は１６０８サイズを有するとする。１６０８サイズの詳細は下記の通りである。
本体５１のＬ寸：１．６ｍｍ
本体５１のＷ寸：０．８ｍｍ
本体５１のＴ寸：０．４ｍｍ
なお、上記において、Ｔ寸は０．４ｍｍに限定される訳では無く、他の値でも構わない。

また、サーミスタ本体５１は、図２中の点線円内に示すように、第一主面Ｍ１、第二主面Ｍ２、第一側面Ｓ１、第二側面Ｓ２、第三側面Ｓ３および第四側面Ｓ４からなる略直方体形状を有する。主面Ｍ１，Ｍ２はサーミスタ本体５１の底面および上面である。また、側面Ｓ１，Ｓ２はサーミスタ本体５１の左側面および右側面である。側面Ｓ３，Ｓ４はサーミスタ本体５１の前面および背面である。

外部電極５２，５３は、例えば銀（Ａｇ）を主成分とする下地層と、下地層上に形成されたニッケル（Ｎｉ）のめっき層と、Ｎｉめっき層上に形成されたスズ（Ｓｎ）めっき層とからなる。

外部電極５２は、例えばサーミスタ本体５１の左端部を覆っている。具体的には、外部電極５２は、本実施形態では、サーミスタ本体５１の側面Ｓ１全域に加え、主面Ｍ１，Ｍ２および側面Ｓ３，Ｓ４それぞれの左端部分を覆うものとする。

外部電極５３は、例えばサーミスタ本体５１の右端部を覆っている。具体的には、外部電極５３は、本実施形態では、サーミスタ本体５１の側面Ｓ２全域に加え、主面Ｍ１，Ｍ２および側面Ｓ３，Ｓ４それぞれの右端部分を覆う。この外部電極５３は、外部電極５２を基準としてＬ軸方向に所定距離だけ離して設けられている。

ここで、図１および図２を再度参照する。以上のサーミスタ素子５は、基材２の上面Ｍ０に実装される。具体的には、外部電極５２の底面が配線導体３１のランド電極３４の上面に、また、外部電極５３の底面が配線導体３２のランド電極３６の上面に、はんだ等により接合される。その結果、サーミスタ本体５１の主面Ｍ１が基材２の上面Ｍ０に実質的に面するようになる。

保護部材６は、電気絶縁性および高い熱伝導性を有する樹脂材料から作製される。また、この樹脂材料は、サーミスタ本体５１を構成するセラミックよりも高い展延性を有する。この種の樹脂材料としては、他にも、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることが可能である。

保護部材６は、サーミスタ素子５の主面Ｍ２側の全域を少なくとも覆っている。このような保護部材６を設けることで、導電性の検知対象（例えば、電子機器が有する金属製の筐体）にサーミスタ素子５を直接接触させることが可能となる。さらに、電子機器に揺れや振動が加わった場合に、セラミック製のサーミスタ素子５に欠けが生じたりクラックが入ったりすることを防止することが可能となる。

また、保護部材６の上面は平坦に形成されることが好ましい。これにより、検知対象からサーミスタ素子５への熱伝導を概ね均等にすることが可能となる。

《温度センサ１の製法》
次に、温度センサ１の製造工程の一例について説明する。温度センサ１の製造工程は、大略的には、サーミスタ素子５の製造工程と、基材２の製造工程・基材２への実装工程と、を含む。以下、各工程を順番に説明する。

サーミスタ素子５の製造工程は、下記の（Ａ−１）〜（Ａ−３）の工程を含んでいる。

（Ａ−１） セラミック素原料であるＭｎ₃Ｏ₄、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｃｏ₃Ｏ₄、ＮｉＯ、ＣｕＯが所定量秤量され、これにより、セラミック素原料を得る。このセラミック素原料は、ジルコニア等の粉砕媒体が内有されたボールミルに投入され、十分に湿式粉砕される。粉砕されたセラミック素原料は、約７６０℃の温度で約２時間の間、仮焼処理され、これによって、セラミック粉末を得る。次に、このセラミック粉末は、所定量の有機バインダを共に、湿式で混合処理され、これによって、スラリーを得る。このスラリーはドクターブレード法等により成形加工され、これによって、セラミックグリーンシートを得る。

（Ａ−２） 上記工程（Ａ−１）で得られたセラミックグリーンシートには、銀（Ａｇ）およびパラジウム（Ｐｄ）の合金を主成分とした内部電極用ペーストで、内部電極のパターンがスクリーン印刷される。次に、パターン印刷済みのセラミックグリーンシートが複数枚積層された後、その上下両面には、パターン無しのセラミックグリーンシートが圧着される。これにより、未焼成の積層体が得られる。次に、未焼成の積層体は、後で行われる焼成後に例えば１６０８サイズとなるように切断された後、ジルコニア製の匣に収容される。その後、匣内の積層体に対し約３５０℃の温度で約２時間の条件で脱バインダ処理が行われる。脱バインダ処理済の積層体に対し、所定温度（例えば１１００℃〜１１７５℃）で焼成処理が行われる。これによって、サーミスタ本体５１が得られる。

（Ａ−３） 上記工程（Ａ−２）で得られたサーミスタ本体５１の左右両端面に、Ａｇを主成分とする外部電極用ペーストが塗布され焼き付けられて、外部電極５２，５３の基礎となる下地電極が形成される。その後、電解めっきにより、各下地電極上にＮｉめっき層が形成され、各Ｎｉめっき層上にＳｎめっき層が形成される。
上記工程（Ａ−１）〜（Ａ−３）により、大量のサーミスタ素子５が一括的に生産される。

基材２の製造工程・実装工程は、工程（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）を含んでいる。

（Ｂ−１） まず、大判のＦＰＣ用片面銅張板が準備される。かかる片面銅張板は、基材２となるべきＰＩフィルムと、配線導体３１，３２となるべき銅箔と、を含む。ＰＩフィルムのＴ寸は約２５μｍである。また、銅箔のＴ寸は約１８μｍである。

（Ｂ−２） 次に、銅箔表面上にドライフィルムレジスト（日立化成製：ＰＨＯＴＥＣ−ＲＹ３２３７）をラミネータによって貼り付ける。その後、配線導体３１，３２の外形に基づき窓が形成されたフォトリソグラフィ用マスクをレジスト上に設置した後に、マスク上から光を照射する（つまり、露光を行う）。次に、露光後の銅張板に対して現像機を用いて現像処理（エッチング処理）を行い、これによって、ＰＩフィルム上に配線導体３１，３２が形成される。

（Ｂ−３） 次に、配線導体３１，３２に、ニッケルめっきおよび金めっきを電解めっきにより行う。その後、樹脂コート部４１，４２となるべきＰＩ製カバーフィルム（Ｔ寸は２５μｍ）を熱圧着によりＰＩフィルム上に貼り付けて、ＰＩフィルム間に配線導体３１，３２が挟み込まれた積層板を得る。次に、この積層板が前述の基材２のサイズにダイシングされ、これによって、基材２が得られる。

（Ｂ−４） 次に、サーミスタ素子５が、上述の通り基材２の上面Ｍ０上にはんだを用いて実装される。
以上の工程により、温度センサ１が完成する。

《温度センサ１の実装工程》
上記のような温度センサ１は、図３Ｂ下段に示すように、電子機器７の内部に備わる回路基板７４に実装されて、かかる実装面Ｍ４からその法線方向（つまりＴ軸正方向）に所定距離ｄ０だけ離れた筐体７１（より具体的には、内側表面Ｍ５上の領域α）の表面温度を検知する。以下、温度センサ１の電子機器７への実装工程について、図３Ａおよび図３Ｂを参照して説明する。

まず、図３Ｂ下段を参照する。電子機器７は、筐体（換言すると、外装体）７１を備える。筐体７１は、ユーザ使用時に背面側となる外装ケース７２と、ユーザ使用時に前面側となる外装カバー７３と、を備える。外装ケース７２の内部には、種々の電子回路が自身の実装面Ｍ４に配置された回路基板７４が収容される。ここで、点線円内に示すように、実装面Ｍ４は、外装ケース７２の内側表面Ｍ５と隙間（つまり、空気層）を介して正対する。なお、図示は省略しているが、外装カバー７３には、例えば液晶ディスプレイが取り付けられている。

次に、図３Ａ上段を参照する。温度センサ１は回路基板７４上に実装される。具体的には、点線円内に示すように、回路基板７４の実装面Ｍ４には、温度センサ１を実装するための第一ランド電極７５および第二ランド電極７６が形成されている。ランド電極７５，７６は、本実施形態では、温度センサ１の両端子電極３３，３５と同様に概ね同一直線上に配置される。また、温度センサ１における両端子電極３３，３５の間（より具体的には、端子電極３３のＬ軸負方向側端部から端子電極３５のＬ軸正方向側端部まで）の距離をｄ１とし、両ランド電極７５，７６間（より具体的には、ランド電極７５のＬ軸負方向側端部からランド電極７６のＬ軸正方向側端部まで）の距離をｄ２とすると、ｄ１，ｄ２は、ｄ２＜ｄ１を満たす値に設計される。

次に、図３Ａ下段に示すように、ランド電極７５と配線導体３１の端子電極３３とが、また、ランド電極７６と配線導体３２の端子電極３５とが、導電性テープ等により、それぞれ電気的に接続される。ここで、ｄ２＜ｄ１であるから、基材２には、Ｌ軸の両方向（つまり、左右両側）から圧縮力が加わる。その結果、基材２は撓み、サーミスタ素子５はＴ軸正方向（つまり、上方）に持ち上がる。ここで、サーミスタ素子５が持ち上がった時の回路基板７４の実装面Ｍ４に対するサーミスタ素子５の主面Ｍ２の距離をｄ４とすると、ｄ１，ｄ２は、ｄ４＞ｄ０となる値に設計される。

次に、図３Ｂ上段に示すように、外装ケース７２において温度検知されるべき箇所に、保護部材６となる樹脂材料製の両面テープが貼り付けられる。その後、回路基板７４の実装面Ｍ４と外装ケース７２の内側表面Ｍ５とが正対するように、回路基板７４が外装ケース７２の内部に収容される。これにより、サーミスタ素子５の主面Ｍ２が内側表面Ｍ５を押圧すると共に保護部材６に接着される。これにより、サーミスタ素子５の位置が安定する。

次に、図３Ｂ下段に示すように、外装カバー７３が外装ケース７２の内部空間を閉止するように取り付けられ、これによって、温度センサ１の電子機器７への取り付けが完了する。この状態で、温度センサ１は、電子機器７の動作中、外装ケース７２の表面温度を検出する。

《温度センサ１の作用・効果》
ところで、「発明が解決しようとする課題」の欄でも説明した通り、従来の温度センサでは、サーミスタ素子が設けられている端部側は固定されていない。それゆえ、従来の温度センサが実装された回路基板の揺れ等に起因して、検知対象に対するサーミスタ素子の位置が不安定となる場合がある。

それに対し、図１〜図３Ｂを参照して説明した通り、本温度センサ１によれば、可撓性を有する基材２の一方端および他方端に一つずつ端子電極３３，３５が設けられている。かかる端子電極３３，３５を用いて、温度センサ１は回路基板７４のランド電極７５，７６に接合される。ここで、距離ｄ１は距離ｄ２よりも大きいため、サーミスタ素子５は持ち上がって筐体７１の内側表面Ｍ５に押し付けられる。また、本実施形態では、サーミスタ素子５は保護部材６により内側表面Ｍ５に接着される。よって、ユーザによる電子機器７の持ち運び等によって、回路基板７４が揺れたとしても、検知対象に対するサーミスタ素子５の位置は安定している。

また、特許文献１に記載の従来の温度センサには、長尺の可撓性テープの影響で、製造時に回路基板に容易に実装できないという問題点があった。以下、図４を参照して、電子機器８の内部に、従来の温度センサ１０１を実装する手順を説明すると共に、上記問題点について説明する。

図４の最上段に示すように、温度センサ１０１が手作業で外装ケース８２および回路基板８４に実装される。具体的には、温度センサ１０１に備わるサーミスタ素子１０３を検知対象の近傍に配置する。また、温度センサ１０１に備わる両リード線の他端１０４を、回路基板８４の主面上のランド電極にはんだ等で接合させる。

次に、図４の上から二段目に示すように、回路基板８４の主面と外装ケース８２の内側表面とが正対するように、回路基板８４が外装ケース８２の内部に収容され固定される。

次に、図４の上から三段目に示すように、外装カバー８３が外装ケース８２の内部空間を閉止するように取り付けられ、図４の最下段に示すように電子機器８が完成する。この状態で、サーミスタ素子１０３は、電子機器８の動作中、筐体温度を検知する。

従来の温度センサ１０１を用いた電子機器８ではサーミスタ素子１０３と両リード線の他端１０４とは互いに近接するにも関わらず、手作業で回路基板８４を外装ケース８２内部に収容する関係で、可撓性テープ１０２を十分な長さにする必要がある。その結果、可撓性テープ１０２に余計な部分が発生し、この部分を狭空間に押し込めなければならない場合が発生する。

それに対し、本温度センサ１の場合には、特徴的な基材２の作用により、図３Ａおよび図３Ｂを参照して説明したように、サーミスタ素子５を回路基板７４に実装すると、サーミスタ素子５は実装面Ｍ４から距離ｄ０以上に持ち上がる。よって、回路基板７４を外装ケース７２内部に収容するだけで、サーミスタ素子５を外装ケース７２の内側表面Ｍ５に押し当てることが可能となる。したがって、基材２を不必要に長尺にする必要も無いため、本温度センサ１によれば、電子機器７等の製造時に回路基板７４に容易に外装ケース７２に収容することが可能となる。

また、本温度センサ１によれば、回路基板７４の実装面Ｍ４に対するサーミスタ素子５の高さは、ｄ１，ｄ２を適切に調整することで自由に設定することが可能となる。つまり、検知位置へのサーミスタ素子５の配置は、サーミスタ素子５自体の高さに無関係である。したがって、サーミスタ素子５の体積を小さくすることが可能となる。これにより、サーミスタ素子５の熱容量が小さくできるため、サーミスタ素子５は、周囲温度の変化に対し素早く反応することが可能となる。

また、回路基板７４には、ＣＰＵおよびパワーアンプ等のような発熱量の多い電子部品（以下、発熱部品という）が実装される。しかし、本温度センサ１によれば、基材２の作用により、これら発熱部品からサーミスタ素子５を熱的に隔離することができる。このように、サーミスタ素子５は、対象の温度をより正確に検出することが可能となる。

《付記１》
上記実施形態では、サーミスタ素子５が筐体７１の内側表面Ｍ５の温度を検知するために、配線導体３１，３２は、ｄ１＞ｄ２かつｄ４＞ｄ０を満たすよう設計されるとして説明する。しかし、温度センサ１の仕様によっては、回路基板７４の実装面Ｍ４および内側表面Ｍ５の間の空間温度をサーミスタ素子５に検知させたい場合もある。この場合、配線導体３１，３２は、ｄ１＞ｄ２かつ０＜ｄ４＜ｄ０を満たすよう設計される。

《付記２》
上記実施形態では、配線導体３１，３２は同一直線上に配置されるとして説明した。しかし、これに限らず、配線導体３１，３２は、ｄ１＞ｄ２を満しつつ対象の温度を正しく検知可能であれば、同一直線上に配置されなくとも構わない。

《付記３》
上記実施形態では、配線導体３１，３２のそれぞれは直線状の導体層であると説明した。しかし、これに限らず、配線導体３１，３２は、ｄ１＞ｄ２を満しつつ対象の温度を正しく検知可能であれば、非直線状であっても構わない。

《付記４》
上記実施形態では、温度センサ１は保護部材６を備える例について説明した。しかし、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、保護部材６は、温度センサ１の実装工程にて温度センサ１に取り付けられる場合もある。したがって、温度センサ１の完成品に必ずしも保護部材６が取り付けられているとは限らない。つまり、温度センサ１の完成品の出荷後に保護部材６は選択的に取り付けられれば良い。

《付記５》
上記実施形態では、サーミスタ本体５１はＮＴＣサーミスタであった。しかし、これに限らず、サーミスタ本体５１はＰＴＣサーミスタでも構わない。この場合、サーミスタ本体５１は、典型的には、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃）に所定量の希土類を混合し焼結したセラミック焼結体からなっている。

《付記６》
上記実施形態では、サーミスタ素子５は積層型チップサーミスタとして説明する。しかし、これに限らず、サーミスタ素子５は、単板型のチップサーミスタであっても構わない。

《付記７》
また、サーミスタ本体５１は、１６０８サイズに限らず、３２２５サイズ、３２１６サイズ、２０１２サイズ、１００５サイズ、０６０３サイズ、０４０２サイズでも構わない。これらサイズに関し、Ｌ寸等は下記の表１に記載の通りである。

《付記８》
上記工程（Ａ−１）では、セラミック素原料として、Ｍｎ₃Ｏ₄等の酸化物を用いた。しかし、これに限らず、Ｍｎの炭酸塩または水酸化物等を用いることも可能である。

《付記９》
工程（Ａ−３）では、外部電極５２，５３は、Ａｇの焼き付けおよび電解めっきにより形成された。しかし、これに限らず、スパッタリングまたは真空蒸着法等により形成されても構わない。

《第二実施形態》
次に、図５を参照して、第二実施形態に係る温度センサ１ａについて説明する。図５において、温度センサ１ａは、図１等の温度センサ１と比較すると、配線導体３１，３２および樹脂コート部４１，４２に代えて、第一配線導体３１ａ、第二配線導体３２ａおよび樹脂コート部４１ａを備えている点で相違する。この点以外に両温度センサ１，１ａの間には構成的な相違は無いので、図５において図１等に示すものに相当する構成については同一参照符号を付け、それぞれの説明を省略または簡素化する。

配線導体３１ａ，３２ａは、配線導体３１，３２と同様、導電性材料で形成される。また、配線導体３１ａ，３２ａは、縦中心線ＡＡ'を挟んで横並びに延在する直線状の導体層である。また、配線導体３１ａの左端は、温度センサ１ａを回路基板に実装するための第一端子電極３３ａとして、その右端は、サーミスタ素子５が実装される第一ランド電極３４ａとして用いられる。配線導体３２ａは、配線導体３１ａと同様に、温度センサ１ａの実装用に第二端子電極３５ａと、サーミスタ素子５の実装用に第二ランド電極３６ａとを備えている。

樹脂コート部４１ａは、樹脂コート部４１と同様、樹脂製フィルムで形成される。この樹脂コート部４１ａは、配線導体３１ａにおいて端子電極３３ａおよびランド電極３４ａを除いた部分と、両配線導体３２ａにおいて端子電極３５ａおよびランド電極３６ａを除いた部分と、を覆うように、基材２上に形成される。

また、温度センサ１ａにおいて、基材２、配線導体３１ａ，３２ａおよび樹脂コート部４１ａからなる積層体は、温度検知の対象の位置にサーミスタ素子５が適切に配置されるよう、両端子電極３３ａ，３５ａと、両ランド電極３４ａ，３６ａとの間で、例えば線ＤＤ'に沿って折り曲げられる。ここで、図５では点線にて、折り曲げ後の温度センサ１ａの一部分が示されている。折り曲げ後、両ランド電極３４ａ，３６ａを回路基板に実装すると、サーミスタ素子５が回路基板に対し離れる。これにより、サーミスタ素子５は、回路基板から離れた場所にある検知対象の温度を検知できるようになる。

本発明に係る温度センサは、検知対象に対するサーミスタ素子の位置を安定させることが可能であり、電子機器向け等に好適である。

１，１ａ 温度センサ
２ 基材
３１，３１ａ 第一配線導体
３３，３３ａ 第一端子電極
３４，３４ａ 第一ランド電極
３２，３２ａ 第二配線導体
３５，３５ａ 第二端子電極
３６，３６ａ 第二ランド電極
４１ 第一樹脂コート部
４２ 第二樹脂コート部
４１ａ 樹脂コート部
５ サーミスタ素子
５１ サーミスタ本体
５２，５３ 第一外部電極，第二外部電極
６ 保護部材
７ 電子機器
７１ 筐体
７２ 外装ケース
７３ 外装カバー
７４ 回路基板
７５，７６ 第一ランド電極，第二ランド電極

Claims (5)

1. 回路基板上に実装可能な温度センサであって、
   サーミスタ本体と、前記サーミスタ本体に形成された第一外部電極および第二外部電極と、を含むサーミスタ素子と、
   前記第一外部電極と接続された第一ランド電極と、第一端子電極とを結ぶ線状の第一配線導体と、
   前記第二外部電極と接続された第二ランド電極と、第二端子電極とを結ぶ線状の第二配線導体と、
   前記第一配線導体および前記第二配線導体が形成されており、可撓性を有する基材であって、前記サーミスタ素子を基準として前記第一端子電極および前記第二端子電極を互いに異なる方位に配置した基材と、を備え、
   前記回路基板には、前記第一端子電極および前記第二端子電極が接合可能な第一ランド電極および第二ランド電極が形成されており、
   前記第一端子電極および前記第二端子電極の間の距離ｄ１は、前記第一ランド電極および前記第二ランド電極の間の距離ｄ２よりも大きく設計される、温度センサ。
2. 前記第一配線導体および前記第二配線導体は概ね同一直線上に配置されている、請求項１に記載の温度センサ。
3. 前記サーミスタ本体は、前記基材と実質的に面する第一主面と、前記第一主面と相対する第二主面を有し、
   前記第二主面は、前記サーミスタ本体よりも展延性が高い保護部材によって覆われている、請求項１または２に記載の温度センサ。
4. 前記保護部材は、電気絶縁性を有する材料から作製されており、概ね平坦な表面を有する、請求項３に記載の温度センサ。
5. 前記第一配線導体および前記第二配線導体は、低熱伝導率の金属材料で作製されている、請求項１〜４のいずれかに記載の温度センサ。

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