JP2002305101A - 表面実装型正特性サーミスタおよびその製造方法 - Google Patents
表面実装型正特性サーミスタおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面実装型正特性サーミスタにおいて、金属
端子を電極にはんだ付けする際の加熱が短時間に十分か
つ均一に行える。 【解決手段】 板状の正特性サーミスタ素体１２の両
主面に形成された電極１３、１３と、熱伝導率が低い金
属からなり、電極１３、１３との接続領域に切り欠き１
６、１６を有する一対の金属端子１４、１４との間に、
はんだ１５、１５を塗布し、近赤外線ヒートビームで加
熱して、金属端子１４、１４と電極１３、１３とを接続
する。
端子を電極にはんだ付けする際の加熱が短時間に十分か
つ均一に行える。 【解決手段】 板状の正特性サーミスタ素体１２の両
主面に形成された電極１３、１３と、熱伝導率が低い金
属からなり、電極１３、１３との接続領域に切り欠き１
６、１６を有する一対の金属端子１４、１４との間に、
はんだ１５、１５を塗布し、近赤外線ヒートビームで加
熱して、金属端子１４、１４と電極１３、１３とを接続
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、主として交換機
や電話機などの過電流保護に用いられる表面実装型正特
性サーミスタに関する。
や電話機などの過電流保護に用いられる表面実装型正特
性サーミスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】板状の正特性サーミスタ素子を表面実装
型として用いる場合、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示
す表面実装型正特性サーミスタ１のような構成がある。
すなわち、板状の正特性サーミスタ素体２の両主面に、
Ｎｉめっきからなる下層３ａ、３ａとＡｇペースト焼付
けによる最外層３ｂ、３ｂとからなる対向する一対の電
極３、３が形成され、最外層３ｂ、３ｂには、洋白から
なり、錫めっきが施された一対の板状の金属端子４、４
の一端４ａ、４ａがはんだ５、５で接続されている。金
属端子４、４の他端４ｂ、４ｂは、図示していないが、
はんだなどによって基板の電気回路に接続される。
型として用いる場合、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示
す表面実装型正特性サーミスタ１のような構成がある。
すなわち、板状の正特性サーミスタ素体２の両主面に、
Ｎｉめっきからなる下層３ａ、３ａとＡｇペースト焼付
けによる最外層３ｂ、３ｂとからなる対向する一対の電
極３、３が形成され、最外層３ｂ、３ｂには、洋白から
なり、錫めっきが施された一対の板状の金属端子４、４
の一端４ａ、４ａがはんだ５、５で接続されている。金
属端子４、４の他端４ｂ、４ｂは、図示していないが、
はんだなどによって基板の電気回路に接続される。
【０００３】上記表面実装型正特性サーミスタ１におい
て、金属端子４、４と電極３、３とをはんだ５、５で接
続する工程は、金属端子４、４の一端４ａ、４ａと電極
３、３との間にペースト状のはんだ５、５を塗布し、リ
フロー炉で加熱、溶融し、その後冷却して電極３、３に
金属端子４、４を接合する、いわゆるリフローはんだ付
けにより行われている。
て、金属端子４、４と電極３、３とをはんだ５、５で接
続する工程は、金属端子４、４の一端４ａ、４ａと電極
３、３との間にペースト状のはんだ５、５を塗布し、リ
フロー炉で加熱、溶融し、その後冷却して電極３、３に
金属端子４、４を接合する、いわゆるリフローはんだ付
けにより行われている。
【０００４】洋白あるいはステンレスなど熱伝導率の低
い材質からなる金属端子４、４は、はんだ付け時の加熱
による一端４ａ、４ａから他端４ｂ、４ｂへの熱伝導が
少なく、他端４ｂ、４ｂが変色したり、酸化しにくい。
したがって、基板へのはんだ付け性の低下を招きにく
い。
い材質からなる金属端子４、４は、はんだ付け時の加熱
による一端４ａ、４ａから他端４ｂ、４ｂへの熱伝導が
少なく、他端４ｂ、４ｂが変色したり、酸化しにくい。
したがって、基板へのはんだ付け性の低下を招きにく
い。
【０００５】
【発明が解決しようする課題】しかしながら、一方で
は、洋白あるいはステンレスなど熱伝導率の低い材質か
らなる金属端子４、４は、一端４ａ、４ａの下のはんだ
５、５への熱伝導も少なく、リフローはんだ付け時には
んだ５、５が溶けにくいという問題がある。
は、洋白あるいはステンレスなど熱伝導率の低い材質か
らなる金属端子４、４は、一端４ａ、４ａの下のはんだ
５、５への熱伝導も少なく、リフローはんだ付け時には
んだ５、５が溶けにくいという問題がある。
【０００６】したがって、加熱時間が短すぎると、はん
だ５、５が十分に溶けず、金属端子４、４と電極３、３
との取付け強度が不十分となる。一方、はんだ５、５を
十分に溶かそうとして加熱時間が長くなりすぎると、金
属端子４、４の一端４ａ、４ａの変色にとどまらず、他
端４ｂ、４ｂの錫めっきが酸化して、基板実装時のはん
だ濡れ性が劣化してしまう。
だ５、５が十分に溶けず、金属端子４、４と電極３、３
との取付け強度が不十分となる。一方、はんだ５、５を
十分に溶かそうとして加熱時間が長くなりすぎると、金
属端子４、４の一端４ａ、４ａの変色にとどまらず、他
端４ｂ、４ｂの錫めっきが酸化して、基板実装時のはん
だ濡れ性が劣化してしまう。
【０００７】また、図５の横向きの矢印ははんだ５の熱
伝導を示しているが、加熱時の熱がはんだ５中心部まで
伝わりにくく、加熱が不均一という問題もあった。
伝導を示しているが、加熱時の熱がはんだ５中心部まで
伝わりにくく、加熱が不均一という問題もあった。
【０００８】この発明の目的は、電極にはんだ付けする
際の加熱が十分かつ均一に行えるような構造の金属端子
およびその金属端子を用いた表面実装型正特性サーミス
タの製造方法を提供することである。
際の加熱が十分かつ均一に行えるような構造の金属端子
およびその金属端子を用いた表面実装型正特性サーミス
タの製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この第１の発明にかかる
表面実装型正特性サーミスタは、板状の正特性サーミス
タ素体と、前記正特性サーミスタ素体の両主面に形成さ
れた少なくとも二層の電極と、熱伝導率が低い金属から
なり、一端が前記電極の最外層と接続され、該接続領域
に前記電極の最外層が露出する切り欠きを有する一対の
金属端子と、前記金属端子の一端と前記電極の最外層と
を接続するはんだと、を備えることを特徴とする。
表面実装型正特性サーミスタは、板状の正特性サーミス
タ素体と、前記正特性サーミスタ素体の両主面に形成さ
れた少なくとも二層の電極と、熱伝導率が低い金属から
なり、一端が前記電極の最外層と接続され、該接続領域
に前記電極の最外層が露出する切り欠きを有する一対の
金属端子と、前記金属端子の一端と前記電極の最外層と
を接続するはんだと、を備えることを特徴とする。
【００１０】この第２の発明にかかる表面実装型正特性
サーミスタは、前記電極が、Ｎｉを主成分とする第一層
と、第一層よりも面積を小さく、主面端縁からギャップ
を有して形成されるＡｇを主成分とする第二層と、から
構成されることを特徴とする。
サーミスタは、前記電極が、Ｎｉを主成分とする第一層
と、第一層よりも面積を小さく、主面端縁からギャップ
を有して形成されるＡｇを主成分とする第二層と、から
構成されることを特徴とする。
【００１１】この第３の発明にかかる表面実装型正特性
サーミスタは、前記金属端子が、ステンレス材または洋
白からなることを特徴とする。
サーミスタは、前記金属端子が、ステンレス材または洋
白からなることを特徴とする。
【００１２】この第４の発明にかかる表面実装型正特性
サーミスタは、前記金属端子が、はんだ付け性を高める
ためのめっき処理が施されていることを特徴とする。
サーミスタは、前記金属端子が、はんだ付け性を高める
ためのめっき処理が施されていることを特徴とする。
【００１３】この第５の発明にかかる表面実装型正特性
サーミスタは、前記はんだが、前記金属端子の切り欠き
を通じて、該金属端子外表面まで溢れ出ていることを特
徴とする。
サーミスタは、前記はんだが、前記金属端子の切り欠き
を通じて、該金属端子外表面まで溢れ出ていることを特
徴とする。
【００１４】この第６の発明にかかる表面実装型正特性
サーミスタの製造方法は、板状の正特性サーミスタ素体
を準備する工程と、この正特性サーミスタ素体の両主面
に、電極を形成する工程と、一対の金属端子を準備する
工程と、この金属端子の一端に切り欠きを形成する工程
と、この金属端子の一端と電極との間にはんだを塗布し
た後、加熱、溶融して、金属端子と電極とを接合する工
程と、を備えることを特徴とする。
サーミスタの製造方法は、板状の正特性サーミスタ素体
を準備する工程と、この正特性サーミスタ素体の両主面
に、電極を形成する工程と、一対の金属端子を準備する
工程と、この金属端子の一端に切り欠きを形成する工程
と、この金属端子の一端と電極との間にはんだを塗布し
た後、加熱、溶融して、金属端子と電極とを接合する工
程と、を備えることを特徴とする。
【００１５】この第７の発明にかかる表面実装型正特性
サーミスタの製造方法は、近赤外線ヒートビームを用い
て、はんだを加熱、溶融することを特徴とする。
サーミスタの製造方法は、近赤外線ヒートビームを用い
て、はんだを加熱、溶融することを特徴とする。
【００１６】この発明によれば、金属端子の一端に形成
された切り欠きにより、金属端子の下のはんだを効率よ
く加熱できる。
された切り欠きにより、金属端子の下のはんだを効率よ
く加熱できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の1つの実施の形
態について、図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を用いて説明
する。図１に示す表面実装型正特性サーミスタ１１は、
板状の正特性サーミスタ素体１２と、正特性サーミスタ
素体１２の両主面に形成された対向する一対の電極１
３、１３と、電極１３、１３に接続された一対の金属端
子１４、１４と、前記金属端子１４、１４の一端１４
ａ、１４ａと前記電極１３、１３とを接続するはんだ１
５、１５と、を備える。金属端子１４、１４の他端１４
ｂ、１４ｂは、図示していないが、はんだなどによって
基板の電気回路に接続される。また、金属端子１４、１
４の一端１４ａ、１４ａには、貫通孔１６、１６が形成
されており、はんだ１５、１５は、貫通孔１６、１６か
ら金属端子１４、１４外表面に溢れ出ている。
態について、図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を用いて説明
する。図１に示す表面実装型正特性サーミスタ１１は、
板状の正特性サーミスタ素体１２と、正特性サーミスタ
素体１２の両主面に形成された対向する一対の電極１
３、１３と、電極１３、１３に接続された一対の金属端
子１４、１４と、前記金属端子１４、１４の一端１４
ａ、１４ａと前記電極１３、１３とを接続するはんだ１
５、１５と、を備える。金属端子１４、１４の他端１４
ｂ、１４ｂは、図示していないが、はんだなどによって
基板の電気回路に接続される。また、金属端子１４、１
４の一端１４ａ、１４ａには、貫通孔１６、１６が形成
されており、はんだ１５、１５は、貫通孔１６、１６か
ら金属端子１４、１４外表面に溢れ出ている。
【００１８】表面実装型正特性サーミスタ１１は、以下
の製造方法にて作製される。まず、チタン酸バリウム系
セラミック半導体を主成分とする正特性サーミスタ原料
を用いて、乾式成形で円板状の成形体を作製し、焼成す
ることにより正特性サーミスタ素体１２を作製する。正
特性サーミスタ素体１２は、直径８ｍｍ、厚み２ｍｍ、
抵抗値２０Ω、キュリー温度１２０℃である。
の製造方法にて作製される。まず、チタン酸バリウム系
セラミック半導体を主成分とする正特性サーミスタ原料
を用いて、乾式成形で円板状の成形体を作製し、焼成す
ることにより正特性サーミスタ素体１２を作製する。正
特性サーミスタ素体１２は、直径８ｍｍ、厚み２ｍｍ、
抵抗値２０Ω、キュリー温度１２０℃である。
【００１９】次に、前記正特性サーミスタ素体１２の両
主面に電極１３、１３を形成する。電極１３、１３は、
前記正特性サーミスタ素体１２の対向する両主面に、オ
ーミックコンタクトが得られるように無電解メッキによ
るＮｉからなる下層１３ａ、１３ａを形成し、さらにそ
の上に、正特性サーミスタ素体１２の主面端縁からギャ
ップを設けて、はんだ付け性を確保するためのＡｇペー
ストからなる最外層１３ｂ、１３ｂを焼付けたものであ
る。Ａｇからなる最外層１３ｂ、１３ｂの直径は６ｍｍ
である。
主面に電極１３、１３を形成する。電極１３、１３は、
前記正特性サーミスタ素体１２の対向する両主面に、オ
ーミックコンタクトが得られるように無電解メッキによ
るＮｉからなる下層１３ａ、１３ａを形成し、さらにそ
の上に、正特性サーミスタ素体１２の主面端縁からギャ
ップを設けて、はんだ付け性を確保するためのＡｇペー
ストからなる最外層１３ｂ、１３ｂを焼付けたものであ
る。Ａｇからなる最外層１３ｂ、１３ｂの直径は６ｍｍ
である。
【００２０】さらに、金属端子１４、１４を準備する。
金属端子１４、１４は、ステンレスからなる厚み０．１
５〜０．２ｍｍ、幅４ｍｍの金属板に、はんだ付け性を
高めるために、０．５〜１μｍ厚みのＮｉメッキと、３
〜５μｍのＳｎ−Ｐｂ（９０％−１０％）はんだめっき
を行い、図１（ｂ）に示すように、長手方向に沿った切
断面が略Ｌ字形状になるよう成形したものである。
金属端子１４、１４は、ステンレスからなる厚み０．１
５〜０．２ｍｍ、幅４ｍｍの金属板に、はんだ付け性を
高めるために、０．５〜１μｍ厚みのＮｉメッキと、３
〜５μｍのＳｎ−Ｐｂ（９０％−１０％）はんだめっき
を行い、図１（ｂ）に示すように、長手方向に沿った切
断面が略Ｌ字形状になるよう成形したものである。
【００２１】さらにまた、金属端子１４、１４の一端１
４ａ、１４ａに、貫通孔１６、１６を形成する。貫通孔
１６、１６は、金属端子１４、１４の一端１４ａ、１４
ａの、外部電極１３、１３の最外層１３ｂ、１３ｂと接
続される領域（図１の斜線部）のほぼ中央に、打ち抜き
などにより、電極面に対し垂直方向に形成する。貫通孔
１６、１６の直径は１ｍｍである。
４ａ、１４ａに、貫通孔１６、１６を形成する。貫通孔
１６、１６は、金属端子１４、１４の一端１４ａ、１４
ａの、外部電極１３、１３の最外層１３ｂ、１３ｂと接
続される領域（図１の斜線部）のほぼ中央に、打ち抜き
などにより、電極面に対し垂直方向に形成する。貫通孔
１６、１６の直径は１ｍｍである。
【００２２】そして、前記金属端子１４、１４の一端１
４ａ、１４ａと電極１３、１３の最外層１３ｂ、１３ｂ
との間にペースト状のはんだ１５、１５を塗布し、治具
により保持した状態で、両面から近赤外線ヒートビーム
を用いてはんだ１５、１５を加熱、溶融する。その後、
冷却して、金属端子１４、１４の一端１４ａ、１４ａを
電極１３、１３にはんだ付けして固定する。
４ａ、１４ａと電極１３、１３の最外層１３ｂ、１３ｂ
との間にペースト状のはんだ１５、１５を塗布し、治具
により保持した状態で、両面から近赤外線ヒートビーム
を用いてはんだ１５、１５を加熱、溶融する。その後、
冷却して、金属端子１４、１４の一端１４ａ、１４ａを
電極１３、１３にはんだ付けして固定する。
【００２３】このときのはんだ１５、１５の量は、溶融
したはんだ１５、１５が貫通孔１６、１６を通じて金属
端子１４、１４外表面まで溢れ出る程度とする。
したはんだ１５、１５が貫通孔１６、１６を通じて金属
端子１４、１４外表面まで溢れ出る程度とする。
【００２４】次に、金属端子４、４に貫通孔１６を形成
せず、リフローはんだ付けにより金属端子４、４を電極
３、３にはんだ付けした、従来例の表面実装型正特性サ
ーミスタ１を作製する。そして、上記実施例の表面実装
型正特性サーミスタ１１と比較する。その結果を表１に
示す。
せず、リフローはんだ付けにより金属端子４、４を電極
３、３にはんだ付けした、従来例の表面実装型正特性サ
ーミスタ１を作製する。そして、上記実施例の表面実装
型正特性サーミスタ１１と比較する。その結果を表１に
示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１に明らかなように、従来例の表面実装
型正特性サーミスタ１は、３０秒では加熱時間が短すぎ
て、はんだ５、５が十分に溶けず、金属端子４、４を電
極３、３に取り付けられなかった。逆に、１２０秒で
は、はんだ５、５が溶けて取り付けはできるが、加熱時
間が長すぎて、金属端子４、４の他端４ｂ、４ｂの錫め
っきが酸化して変色してしまった。
型正特性サーミスタ１は、３０秒では加熱時間が短すぎ
て、はんだ５、５が十分に溶けず、金属端子４、４を電
極３、３に取り付けられなかった。逆に、１２０秒で
は、はんだ５、５が溶けて取り付けはできるが、加熱時
間が長すぎて、金属端子４、４の他端４ｂ、４ｂの錫め
っきが酸化して変色してしまった。
【００２７】一方、実施例の表面実装型正特性サーミス
タ１１は、３０秒の加熱ではんだが溶け、金属端子１
４、１４を電極１３、１３にはんだ付けできた。また、
金属端子１４、１４の他端１４ｂ、１４ｂの変色もなか
った。
タ１１は、３０秒の加熱ではんだが溶け、金属端子１
４、１４を電極１３、１３にはんだ付けできた。また、
金属端子１４、１４の他端１４ｂ、１４ｂの変色もなか
った。
【００２８】これは、実施例の表面実装型正特性サーミ
スタ１１は、金属端子１４、１４の一端１４ａ、１４ａ
に貫通孔１６、１６が形成されており、はんだ１５、１
５を効率よく加熱できるからである。また、実施例で用
いた近赤外線ヒートビームは、ハロゲンランプなどの光
を集光して対象物を加熱するため、金属端子１４、１４
の一端１４ａ、１４ａを集中して加熱できるからであ
る。
スタ１１は、金属端子１４、１４の一端１４ａ、１４ａ
に貫通孔１６、１６が形成されており、はんだ１５、１
５を効率よく加熱できるからである。また、実施例で用
いた近赤外線ヒートビームは、ハロゲンランプなどの光
を集光して対象物を加熱するため、金属端子１４、１４
の一端１４ａ、１４ａを集中して加熱できるからであ
る。
【００２９】なお、上記実施例においては、金属端子１
４、１４の一端１４ａ、１４ａに円形の貫通孔１６、１
６を１つ形成したが、図３（ａ）、（ｂ）の表面実装型
正特性サーミスタ１１’、１１’’のように、貫通孔１
６’の形状は任意でよく、また、貫通孔１６を複数個形
成してもよい。さらに、貫通孔１６に限らず、図３
（ｃ）の表面実装型正特性サーミスタ２１のように、切
り込み２６を設けてもよい。
４、１４の一端１４ａ、１４ａに円形の貫通孔１６、１
６を１つ形成したが、図３（ａ）、（ｂ）の表面実装型
正特性サーミスタ１１’、１１’’のように、貫通孔１
６’の形状は任意でよく、また、貫通孔１６を複数個形
成してもよい。さらに、貫通孔１６に限らず、図３
（ｃ）の表面実装型正特性サーミスタ２１のように、切
り込み２６を設けてもよい。
【００３０】ただし、貫通孔１６、１６’および切り込
み２６は、金属端子１４の一端１４ａが電極１３の最外
層１３ｂと接続される領域（図１および図３の斜線部）
内に形成されることとする。これは、Ｎｉからなる下層
１３ａ、１３ａは、Ａｇペーストの焼付け時に酸化して
おり、通常のペースト状のはんだ１５、１５を使用した
はんだ付けでは金属端子１４、１４の一端１４ａ、１４
ａと接合しないからである。
み２６は、金属端子１４の一端１４ａが電極１３の最外
層１３ｂと接続される領域（図１および図３の斜線部）
内に形成されることとする。これは、Ｎｉからなる下層
１３ａ、１３ａは、Ａｇペーストの焼付け時に酸化して
おり、通常のペースト状のはんだ１５、１５を使用した
はんだ付けでは金属端子１４、１４の一端１４ａ、１４
ａと接合しないからである。
【００３１】また、上記実施例では、金属端子１４、１
４の材質にステンレスを用いたが、この発明は、ステン
レスや洋白などの熱伝導の低い金属からなる金属端子１
４、１４に特に有効である。
４の材質にステンレスを用いたが、この発明は、ステン
レスや洋白などの熱伝導の低い金属からなる金属端子１
４、１４に特に有効である。
【００３２】従来例の課題として前述したように、熱伝
導の低い金属からなる金属端子１４、１４を電極１３、
１３の最外層１３ｂ、１３ｂにはんだ付けしようとする
と、金属端子１４、１４が暖まりにくく、金属端子１
４、１４の外表面と裏面（はんだ１５、１５側）との温
度差が大きくなり、裏面のペースト状のはんだ１５、１
５が溶融して接合するまでに、表面のめっきが長時間高
温にさらされる。すると、金属端子１４、１４表面が変
色、酸化し、はんだ濡れ性が低下してしまう。
導の低い金属からなる金属端子１４、１４を電極１３、
１３の最外層１３ｂ、１３ｂにはんだ付けしようとする
と、金属端子１４、１４が暖まりにくく、金属端子１
４、１４の外表面と裏面（はんだ１５、１５側）との温
度差が大きくなり、裏面のペースト状のはんだ１５、１
５が溶融して接合するまでに、表面のめっきが長時間高
温にさらされる。すると、金属端子１４、１４表面が変
色、酸化し、はんだ濡れ性が低下してしまう。
【００３３】しかしながら、金属端子１４、１４の一端
１４ａ、１４ａの電極と接続する領域に切り欠きを設
け、さらに近赤外線ヒートビームを用いることにより、
十分な取り付け強度をより短時間に効果的に得ることが
できる。
１４ａ、１４ａの電極と接続する領域に切り欠きを設
け、さらに近赤外線ヒートビームを用いることにより、
十分な取り付け強度をより短時間に効果的に得ることが
できる。
【００３４】
【発明の効果】表面実装型正特性サーミスタは、リード
タイプよりも搭載時などの上面からの衝撃が大きく、素
子と金属端子の接続が強固なことが求められるが、この
発明によれば、金属端子の一端の電極と接続する領域に
切り欠きを設けることにより、金属端子の下のはんだを
切り欠き箇所から直接加熱でき、十分かつ均一にはんだ
を加熱して、効果的なはんだ付けを行うことができる。
さらに、はんだが切り欠きから金属端子外表面まで溢れ
出るので、金属端子と電極がより強固に固定される。
タイプよりも搭載時などの上面からの衝撃が大きく、素
子と金属端子の接続が強固なことが求められるが、この
発明によれば、金属端子の一端の電極と接続する領域に
切り欠きを設けることにより、金属端子の下のはんだを
切り欠き箇所から直接加熱でき、十分かつ均一にはんだ
を加熱して、効果的なはんだ付けを行うことができる。
さらに、はんだが切り欠きから金属端子外表面まで溢れ
出るので、金属端子と電極がより強固に固定される。
【００３５】また、表面実装型正特性サーミスタは、回
路基板への実装時にも高温状態にさらされるため、金属
端子と電極との接合に、より高温の融点を持つはんだを
用いなければならないが、この発明によれば、近赤外線
ヒータビームを用いることにより、短時間で高温まで加
熱でき、金属端子が酸化されにくく、基板実装時のはん
だ濡れ性が良好に保たれる。
路基板への実装時にも高温状態にさらされるため、金属
端子と電極との接合に、より高温の融点を持つはんだを
用いなければならないが、この発明によれば、近赤外線
ヒータビームを用いることにより、短時間で高温まで加
熱でき、金属端子が酸化されにくく、基板実装時のはん
だ濡れ性が良好に保たれる。
【図１】この発明の1つの実施の形態の表面実装型正特
性サーミスタを示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は
縦断面図、（ｃ）は底面図である。
性サーミスタを示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は
縦断面図、（ｃ）は底面図である。
【図２】図１（ａ）の表面実装型正特性サーミスタのＡ
−Ａ’線断面図であり、（ａ）ははんだ付け時の加熱状
態を示し、（ｂ）は加熱によりはんだが溶融した状態を
示している。
−Ａ’線断面図であり、（ａ）ははんだ付け時の加熱状
態を示し、（ｂ）は加熱によりはんだが溶融した状態を
示している。
【図３】この発明の他の実施の形態の表面実装型正特性
サーミスタを示す平面図であり、（ａ）は金属端子に四
角形状の貫通孔が形成された表面実装型正特性サーミス
タ、（ｂ）は金属端子に複数の円形の貫通孔が形成され
た表面実装型正特性サーミスタ、（ｃ）は金属端子に切
り込みが形成された表面実装型正特性サーミスタであ
る。
サーミスタを示す平面図であり、（ａ）は金属端子に四
角形状の貫通孔が形成された表面実装型正特性サーミス
タ、（ｂ）は金属端子に複数の円形の貫通孔が形成され
た表面実装型正特性サーミスタ、（ｃ）は金属端子に切
り込みが形成された表面実装型正特性サーミスタであ
る。
【図４】従来例の表面実装型正特性サーミスタを示して
おり、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図、（ｃ）は底
面図である。
おり、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図、（ｃ）は底
面図である。
【図５】図４（ａ）の表面実装型正特性サーミスタのＡ
−Ａ’線断面図であり、図２（ａ）に対応して、はんだ
付け時の加熱状態を示している。
−Ａ’線断面図であり、図２（ａ）に対応して、はんだ
付け時の加熱状態を示している。
１１、１１’、１１’’、２１ 表面実装型正特性サ
ーミスタ １２ 正特性サーミスタ素体 １３、１３ 電極 １３ａ、１３ａ 第一層 １３ｂ、１３ｂ 第二層 １４、１４ 金属端子 １４ａ、１４ａ 一端 １５、１５ はんだ １６、１６、１６’、２６ 切り欠き
ーミスタ １２ 正特性サーミスタ素体 １３、１３ 電極 １３ａ、１３ａ 第一層 １３ｂ、１３ｂ 第二層 １４、１４ 金属端子 １４ａ、１４ａ 一端 １５、１５ はんだ １６、１６、１６’、２６ 切り欠き
Claims (7)
- 【請求項１】 板状の正特性サーミスタ素体と、前記正
特性サーミスタ素体の両主面に形成された少なくとも二
層の電極と、熱伝導率が低い金属からなり、一端が前記
電極の最外層と接続され、該接続領域に前記電極の最外
層が露出する切り欠きを有する一対の金属端子と、前記
金属端子の一端と前記電極の最外層とを接続するはんだ
と、を備えることを特徴とする表面実装型正特性サーミ
スタ。 - 【請求項２】 前記電極は、Ｎｉを主成分とする第一層
と、第一層よりも面積を小さく、主面端縁からギャップ
を有して形成されるＡｇを主成分とする第二層と、から
構成されることを特徴とする請求項１記載の表面実装型
正特性サーミスタ。 - 【請求項３】 前記金属端子は、ステンレス材または洋
白からなることを特徴とする請求項１または請求項２記
載の表面実装型正特性サーミスタ。 - 【請求項４】 前記金属端子は、はんだ付け性を高める
ためのめっき処理が施されていることを特徴とする請求
項３記載の表面実装型正特性サーミスタ。 - 【請求項５】 前記はんだは、前記金属端子の切り欠き
を通じて、該金属端子外表面まで溢れ出ていることを特
徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の表面
実装型正特性サーミスタ。 - 【請求項６】 板状の正特性サーミスタ素体を準備する
工程と、 この正特性サーミスタ素体の両主面に、電極を形成する
工程と、 一対の金属端子を準備する工程と、 この金属端子の一端に切り欠きを形成する工程と、 この金属端子の一端と電極との間にはんだを塗布した
後、加熱、溶融して、金属端子と電極とを接合する工程
と、を備えることを特徴とする表面実装型正特性サーミ
スタの製造方法。 - 【請求項７】 近赤外線ヒートビームを用いて、はんだ
を加熱、溶融することを特徴とする請求項６記載の表面
実装型正特性サーミスタの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001107087A JP2002305101A (ja) | 2001-04-05 | 2001-04-05 | 表面実装型正特性サーミスタおよびその製造方法 |
| US10/090,157 US6690258B2 (en) | 2001-04-05 | 2002-03-05 | Surface-mount positive coefficient thermistor and method for making the same |
| CNB021075921A CN1235237C (zh) | 2001-04-05 | 2002-03-18 | 表面安装的正温度系数热敏电阻器及制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001107087A JP2002305101A (ja) | 2001-04-05 | 2001-04-05 | 表面実装型正特性サーミスタおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002305101A true JP2002305101A (ja) | 2002-10-18 |
Family
ID=18959467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001107087A Pending JP2002305101A (ja) | 2001-04-05 | 2001-04-05 | 表面実装型正特性サーミスタおよびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6690258B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002305101A (ja) |
| CN (1) | CN1235237C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101985499B1 (ko) * | 2017-12-28 | 2019-06-03 | 삼화콘덴서공업 주식회사 | 과전류 보호 기능을 가지는 금속 산화물 바리스터 |
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| DE102005043413A1 (de) * | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Robert Bosch Gmbh | Grundmodul für einen Bewegungssensor |
| US8581686B2 (en) | 2009-03-24 | 2013-11-12 | Tyco Electronics Corporation | Electrically activated surface mount thermal fuse |
| US8289122B2 (en) * | 2009-03-24 | 2012-10-16 | Tyco Electronics Corporation | Reflowable thermal fuse |
| TWI411188B (zh) * | 2010-09-29 | 2013-10-01 | Polytronics Technology Corp | 過電流保護裝置 |
| US8854784B2 (en) | 2010-10-29 | 2014-10-07 | Tyco Electronics Corporation | Integrated FET and reflowable thermal fuse switch device |
| CN202601345U (zh) * | 2011-12-01 | 2012-12-12 | 埃普科斯股份有限公司 | 保护器件 |
| TWM498952U (zh) * | 2014-12-05 | 2015-04-11 | Polytronics Technology Corp | 過電流保護元件及其保護電路板 |
| CN205016317U (zh) * | 2015-06-30 | 2016-02-03 | 瑞侃电子(上海)有限公司 | 可回流焊的正温度系数电路保护器件 |
| CN106328326A (zh) * | 2015-06-30 | 2017-01-11 | 瑞侃电子(上海)有限公司 | 可回流焊的正温度系数电路保护器件 |
| CN106556468A (zh) * | 2015-09-25 | 2017-04-05 | 株式会社村田制作所 | 带引线的热敏电阻组件及其制造方法 |
| DE102016101246A1 (de) | 2015-11-02 | 2017-05-04 | Epcos Ag | Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung |
| US10304596B1 (en) * | 2017-11-09 | 2019-05-28 | Fuzetec Technology Co., Ltd. | PTC circuit protection device and method of making the same |
| USD933025S1 (en) * | 2019-09-19 | 2021-10-12 | Smart Electronics Inc. | Circuit protection element |
| JP1671885S (ja) * | 2019-09-19 | 2020-11-02 | ||
| USD933023S1 (en) * | 2019-09-19 | 2021-10-12 | Smart Electronics Inc. | Circuit protection element |
| JP2022049940A (ja) * | 2020-09-17 | 2022-03-30 | Koa株式会社 | 端子接続構造及び電子部品 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4431983A (en) * | 1980-08-29 | 1984-02-14 | Sprague Electric Company | PTCR Package |
| JPS6048201U (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-04 | ティーディーケイ株式会社 | 正特性サ−ミスタ装置 |
| JPS6450444U (ja) * | 1987-09-22 | 1989-03-29 | ||
| JPH05343201A (ja) * | 1992-06-11 | 1993-12-24 | Tdk Corp | Ｐｔｃサーミスタ |
| US5726623A (en) * | 1994-03-01 | 1998-03-10 | Bowthorpe Components Limited | Thermistor mounting arrangement |
| TW421413U (en) * | 1994-07-18 | 2001-02-01 | Murata Manufacturing Co | Electronic apparatus and surface mounting devices therefor |
| WO1997006537A2 (en) * | 1995-08-07 | 1997-02-20 | Philips Electronics N.V. | Multiplet ptc resistor |
| JP3297269B2 (ja) * | 1995-11-20 | 2002-07-02 | 株式会社村田製作所 | 正特性サーミスタの実装構造 |
-
2001
- 2001-04-05 JP JP2001107087A patent/JP2002305101A/ja active Pending
-
2002
- 2002-03-05 US US10/090,157 patent/US6690258B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-18 CN CNB021075921A patent/CN1235237C/zh not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101985499B1 (ko) * | 2017-12-28 | 2019-06-03 | 삼화콘덴서공업 주식회사 | 과전류 보호 기능을 가지는 금속 산화물 바리스터 |
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|---|---|
| CN1235237C (zh) | 2006-01-04 |
| US20020175801A1 (en) | 2002-11-28 |
| CN1379416A (zh) | 2002-11-13 |
| US6690258B2 (en) | 2004-02-10 |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040608 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040706 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041109 |