CN216565625U - 一种可焊接的高温ptc加热元件 - Google Patents
一种可焊接的高温ptc加热元件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN216565625U CN216565625U CN202122595189.1U CN202122595189U CN216565625U CN 216565625 U CN216565625 U CN 216565625U CN 202122595189 U CN202122595189 U CN 202122595189U CN 216565625 U CN216565625 U CN 216565625U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heating
- ptc
- heating portion
- temperature
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种可焊接的高温PTC加热元件，其涉及PTC加热元件焊接领域，其包括PTC陶瓷、所述PTC陶瓷两侧分别设置有与PTC陶瓷电连接的金属导电层，以及与金属导电层电连接的导线；所述PTC陶瓷包括位于PTC陶瓷一侧的加热部和位于PTC陶瓷另一侧的非加热部，所述金属导电层包括与加热部接触且电连接的第一导电部和与非加热部接触且电连接的第二导电部，所述第二导电部上设置有用于与导线进行焊接的焊接点；PTC陶瓷包括加热部和非加热部，即使加热部的温度很高，但由于非加热部不会加热，把焊接点设置在位于非加热部的第二导电部上，可以将金属导电层与导线互相焊接；本实用新型解决现有技术中的技术问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及PTC加热元件焊接技术领域，尤其涉及一种可焊接的高温PTC加热元件。
背景技术
传统的PTC恒温加热元件，整个PTC加热元件的电阻基本一致，而整个加热元件的表面温度也基本一致。一般的焊锡熔化温度都要低于200℃，当PTC加热元件表面达到200℃以上时，焊接在PTC加热元件表面的焊锡会熔化，造成焊锡脱落。这样使得传统结构的PTC加热元件的表面温度在200℃以上时不能用普通焊锡进行焊接。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中的上述缺陷，提供了一种可焊接的高温PTC加热元件，其解决现有技术中PTC加热元件的表面温度过高，不能用普通焊锡进行焊接的技术问题。
为实现上述目的，本实用新型提供了一种可焊接的高温PTC加热元件，包括PTC陶瓷、所述PTC陶瓷两侧分别设置有与PTC陶瓷电连接的金属导电层，以及与金属导电层电连接的导线；所述PTC陶瓷包括位于PTC陶瓷一侧的加热部和位于PTC陶瓷另一侧的非加热部，所述金属导电层包括与加热部接触且电连接的第一导电部和与非加热部接触且电连接的第二导电部，所述第二导电部上设置有用于与导线进行焊接的焊接点，把焊接点设置在与非加热部相接触的第二导电部上，使得焊接点处的温度较低，可以将金属导电层与导线互相焊接。
上述技术方案中，所述非加热部的电阻大于加热部的电阻，加热部的电阻小，发热功率比较大；非加热部的电阻大，发热功率比较小，使得第二导电部的温度较小。
上述技术方案中，至少一个所述非加热部的表面与第二导电部之间设置有绝缘层，绝缘层阻挡了电流从非加热部中经过，使得非加热部的加热功率变小。
上述技术方案中，所述第一导电部与加热部之间设置有欧姆接触层，欧姆接触层可以使第一导电部与加热部之间和非加热部与第二导电部之间，产生电子势垒，使得非加热部的发热功率将会变小。
上述技术方案中，所述第二导电部与非加热部之间的接触面积小于第一导电部与加热部之间的接触面积，第一导电部非加热部的接触面积比较大，电阻就比较小，加热部的发热功率就会较大；第二导电部与非加热部之间的接触面积比较小，所以电阻就比较大，非发热区的发热功率就会较小。
上述技术方案中，所述金属导电层为银质构件，银金属导电性能良好。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：
金属导电层设置在PTC陶瓷两侧，以形成电流回路。PTC陶瓷包括加热部和非加热部，加热部的加热温度很高，非加热部不会加热，加热温度低。金属导电层包括与加热部接触且电连接的第一导电部和与非加热部接触且电连接的第二导电部。由于非加热部不加热，与非加热部相接触的第二导电部的温度将会远远低于与加热部相接触的第一导电部，把焊接点设置在位于非加热部的金属导电层上，普通焊锡的耐受温度将高于第二导电部的温度，从而可以将金属导电层与导线互相焊接，解决了PTC加热元件的表面温度过高，不能用普通焊锡进行焊接的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型提供的一种可焊接的高温PTC加热元件的结构示意图；
图2是本实用新型提供的另一种可焊接的高温PTC加热元件的结构示意图。
附图标记：PTC陶瓷-1、加热部-11、非加热部-12、金属导电层-2、第一导电部-21、第二导电部-22、导线-3、焊接点-4、欧姆接触层-5、绝缘层-6。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1-图2所示，本实施例提供了一种可焊接的高温PTC加热元件，其包括PTC陶瓷1、金属导电层2、导线3。其中，金属导电层2上设置有焊接点4，金属导电层2通过焊接点4与导线3焊接连接。
两个金属导电层2分别设置在PTC陶瓷1两侧，以使金属导电层2和PTC陶瓷1形成电流回路。PTC陶瓷1包括位于PTC陶瓷1一侧的加热部11和位于PTC陶瓷1另一侧的非加热部12，金属导电层2包括与加热部11接触且电连接的第一导电部21和与非加热部12接触且电连接的第二导电部22。焊接点4位于非加热部12的一侧，金属导电层2通过导线3与外部电源电连接。具体而言，PTC陶瓷1包括加热部11和非加热部12，即使加热部11的温度达到200℃以上，但由于非加热部12不会产生热量，而位于非加热部12的第二导电部22的温度将会低于普通焊锡的耐受温度，把焊接点4设置在位于非加热部12的第二导电部22上，可以将金属导电层2与导线3互相焊接。
本实施例的非加热部12的电阻大于加热部11的电阻。PTC陶瓷1的制造过程中，通过控制陶瓷材料的电阻率，使PTC陶瓷1的非加热部12的电阻率比加热部11更大，从而在导电过程中，非加热部12的电流小于加热部11的电流，从而非加热部12的温度将会远远低于于加热部11的温度。
具体的，至少一个非加热部12的表面与第二导电部22之间设置有绝缘层6，也可以两个非加热部12的表面与第二导电部22之间均设置有绝缘层6。只要增加了一个绝缘层6，即会使非加热部12的电阻大于加热部11的电阻，加热部11的电流即会远远大于非加热部12的电流。
更具体的，第二导电部22与非加热部12之间的接触面积小于第一导电部21与加热部11之间的接触面积。本实施例的金属导电层2优选为银金属，银金属的导电性能和延展性能良好，于其他实施例中，也可以为其他导电金属。第二导电部22优选为导电银丝，第一导电部21优选为导电银片。第一导电部21的导电银片与加热部11的接触面积比较大，电阻就比较小，电流更容易从加热部11中经过；第二导电部22的导电细丝与非加热部12的接触面积比较小，所以电阻就比较大，电流就没那么容易从非加热部12中经过，从而非加热部12的温度远远低于加热部11的温度。
综上所述，加热部11的电阻小，发热功率比较大，加热部11的表面温度在200℃以上，超过普通焊锡的耐受温度，不可以用普通焊锡焊接；但是非加热部12的电阻大，发热功率比较小，使得第二导电部22的温度较小，从而焊接点4周围的表面温度在200℃以下，低于普通焊锡的耐受温度，从而可以将第二导电部22和导线3互相焊接，解决了PTC加热元件的表面温度过高，不能用普通焊锡进行焊接的问题。
实施例二
如图2所示，本实施例提供另一种可焊接的高温PTC加热元件，其第一导电部21与加热部11之间优选设置有欧姆接触层5，其余结构与实施例一相同，不再累述。
欧姆接触层5作用，是使第一导电部21与加热部11之间接触呈现很小的电阻，电流更加容易从加热部11中通过，而没有欧姆接触层5的非加热部12，电流没有那么容易从非加热部12中通过，于是第一导电部21与加热部11之间和非加热部12与第二导电部22之间，产生电子势垒，因此非加热部12与第二导电部22之间将会形成很大的电阻接触，于是非加热部12的发热功率将会远远小于加热部11的加热功率。
上述实施例为本实用新型较佳的实施方式，但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种可焊接的高温PTC加热元件，其特征在于，包括PTC陶瓷(1)、所述PTC陶瓷(1)两侧分别设置有与PTC陶瓷(1)电连接的金属导电层(2)，以及与金属导电层(2)电连接的导线(3)；
所述PTC陶瓷(1)包括位于PTC陶瓷(1)一侧的加热部(11)和位于PTC陶瓷(1)另一侧的非加热部(12)，所述金属导电层(2)包括与加热部(11)接触且电连接的第一导电部(21)和与非加热部(12)接触且电连接的第二导电部(22)，所述第二导电部(22)上设置有用于与导线(3)进行焊接的焊接点(4)。
2.根据权利要求1所述的一种可焊接的高温PTC加热元件，其特征在于，所述非加热部(12)的电阻大于加热部(11)的电阻。
3.根据权利要求1所述的一种可焊接的高温PTC加热元件，其特征在于，至少一个所述非加热部(12)的表面与第二导电部(22)之间设置有绝缘层(6)。
4.根据权利要求3所述的一种可焊接的高温PTC加热元件，其特征在于，所述第一导电部(21)与加热部(11)之间设置有欧姆接触层(5)。
5.根据权利要求1所述的一种可焊接的高温PTC加热元件，其特征在于，所述第二导电部(22)与非加热部(12)之间的接触面积小于第一导电部(21)与加热部(11)之间的接触面积。
6.根据权利要求1所述的一种可焊接的高温PTC加热元件，其特征在于，所述金属导电层(2)为银质构件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202122595189.1U CN216565625U (zh) | 2021-10-27 | 2021-10-27 | 一种可焊接的高温ptc加热元件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202122595189.1U CN216565625U (zh) | 2021-10-27 | 2021-10-27 | 一种可焊接的高温ptc加热元件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN216565625U true CN216565625U (zh) | 2022-05-17 |
Family
ID=81567329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202122595189.1U Active CN216565625U (zh) | 2021-10-27 | 2021-10-27 | 一种可焊接的高温ptc加热元件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN216565625U (zh) |
-
2021
- 2021-10-27 CN CN202122595189.1U patent/CN216565625U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5427462B2 (ja) | 熱電変換モジュール | |
| JP2016071973A (ja) | 実装体の製造方法、温度ヒューズ素子の実装方法及び温度ヒューズ素子 | |
| JP2002305101A (ja) | 表面実装型正特性サーミスタおよびその製造方法 | |
| JP2001267642A (ja) | 熱電変換モジュールの製造方法 | |
| CN216565625U (zh) | 一种可焊接的高温ptc加热元件 | |
| JP4431756B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| CN100566512C (zh) | 电路基板 | |
| JP4085563B2 (ja) | パワー半導体モジュールの製造方法 | |
| KR102323978B1 (ko) | 열전 모듈 | |
| JPH01255257A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4015244B2 (ja) | 合金型温度ヒュ−ズの製造方法 | |
| WO2022007422A1 (zh) | 一种具有大电流、低引线电阻封接电磁继电器外壳 | |
| CN210245193U (zh) | 热敏电阻元件 | |
| CN210467818U (zh) | Igbt模块封装结构 | |
| KR102227075B1 (ko) | 태양전지 및 태양전지의 제조방법 | |
| JPH0582002U (ja) | 電力型面実装低抵抗器 | |
| JP4329187B2 (ja) | 半導体素子 | |
| CN220692331U (zh) | 一种改进型导电块 | |
| JP2015115349A (ja) | 半導体装置 | |
| CN212113704U (zh) | 一种可提高载流能力的芯片封装结构 | |
| US5506447A (en) | Hybrid integrated circuit | |
| JPH0514438Y2 (zh) | ||
| CN212434540U (zh) | 一种用于温控器的保险装置 | |
| CN214627403U (zh) | 一种发热板及应用其的电器 | |
| JP7281715B2 (ja) | 熱電変換モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |