TWI713696B - 電流熔絲 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種能改善對端子部之連接性、提高電流額定值而不會導致電阻值上升、且能抑制熔斷時端子部之異常過熱的無鉛之電流熔絲。

該無鉛之電流熔絲具有兩個卡合端子部2、及設於卡合端子部2之間之熔斷部3，熔斷部3係由積層有無鉛低熔點金屬4、與熔點高於低熔點金屬4之無鉛第1高熔點金屬5的可溶導體6形成。

Description

電流熔絲

本發明係關於一種安裝於電流路徑上、因流過超過額定值之電流時之自發熱而熔斷且遮斷電流路徑的電流熔絲。本申請案係以2016年2月19日於日本申請之日本專利申請號特願2016-030512為基礎且主張優先權，且該申請案以參照之形式沿用於本申請案中。

以往，作為電子．電氣機器等之電性電路之安全裝置，採用如圖16(A)、(B)示、稱為所謂帶扣熔絲的、藉由焊料等連接媒體93利用線狀或帶狀熔斷部92將一對扣型端子91、91間連接而成的電流熔絲90。再者，圖16(A)係表示先前之電流熔絲之一例的俯視圖，圖16(B)係圖16(A)之A-A’剖面圖。

關於此種電流熔絲90，作為扣型端子91，一般採用銅端子，作為熔斷部92，一般採用由鉛中加有少量Sn、Ag等之線狀或帶狀的易熔之合金構成的熔斷構件，當該電性電路流過既定容量以上之過電流時熔斷部92會瞬間熔斷從而確保機器之安全性。

先前技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2002-352686號公報

以往之帶扣熔絲係於使用鉛合金等作為熔斷構件之熔斷部92之兩端連接有扣型端子91者，或者藉由鋅合金一體成形熔斷部92及扣型端子91者。然而，鉛合金係環境負荷大的有害金屬，與鎘、水銀或其等之合金等同樣要求強力削減。

作為鉛替代材料之Sn合金，於與扣型端子91之連接中，焊接時Sn合金會熔融，故而，難以用作熔斷構件。而且，鋅合金之熔點約為400℃，較之鉛合金將近高100℃，比電阻約為6μΩ．cm，較之鉛合金之約21μΩ．cm低1/3以上，故而，熔斷時之扣型端子91之溫度成為高溫，有對帶扣熔絲所連接之電路基板之端子部等周邊構件、機器本體或使用者造成熱影響的風險。故而，需要使熔斷部92局部變細等加工，但有電阻值升高從而難以應對較高之電流額定值的傾向。

故而，本發明之目的在於提供一種能改善對端子部之連接性，能提高電流額定值而不會導致電阻值上升，且能抑制熔斷時端子部之異常過熱的電流熔絲。

而且，另外，本發明之目的還在於提供一種亦能應對環境限制之強化的無鉛電流熔絲。

為了解決上述問題，本發明之電流熔絲中，具有兩個卡合端子部、及設於上述卡合端子部間之熔斷部，上述熔斷部係由積層有低熔點金屬、及熔點高於上述低熔點金屬之第1高熔點金屬的可溶導體形成。

而且，本發明之電流熔絲中，上述低熔點金屬係sn或主成分為Sn之合金，上述第1高熔點金屬係Ag、Cu或主成分為Ag或Cu之合金。

根據本發明，可溶導體係積層有低熔點金屬與第1高熔點金屬之積層體，故而，於對卡合端子部進行焊料連接時等低熔點金屬已熔融的情況下，因被第1高熔點金屬覆蓋，故不會熔斷，能進行焊料連接。

而且，可溶導體中積層有熔點低於第1高熔點金屬之低熔點金屬，故而，因過電流產生之自發熱而自低熔點金屬之熔點起開始熔融，開始侵蝕第1高熔點金屬，第1高熔點金屬於低於自身熔點之溫度下熔融。故而，根據本發明，能防止卡合端子部之過熱，利用低熔點金屬對第1高熔點金屬之熔蝕作用而使可溶導體迅速熔斷從而遮斷電流路徑。

1‧‧‧電流熔絲

2‧‧‧卡合端子部

3‧‧‧熔斷部

4‧‧‧低熔點金屬

5‧‧‧第1高熔點金屬

6‧‧‧可溶導體

7‧‧‧連接材

9‧‧‧變形限制部

10‧‧‧孔

10a‧‧‧側面

10b‧‧‧底面

11‧‧‧第2高熔點金屬

13‧‧‧第1高熔點粒子

15‧‧‧第2高熔點粒子

16‧‧‧凸緣部

17‧‧‧凹槽

20‧‧‧電流熔絲

圖1(A)係應用本發明之電流熔絲之俯視圖，圖1(B)係圖1(A)之A-A’剖面圖。

圖2(A)係於熔斷部設有變形限制部之電流熔絲之俯視圖，圖2(B)係圖2(A)之A-A’剖面圖。

圖3(A)係形成有非貫通孔之可溶導體於加熱前之剖面圖，圖3(B)係圖3(A)所示之可溶導體於加熱後之剖面圖。

圖4(A)係表示貫通孔內由第2高熔點金屬充填之可溶導體的剖面圖，圖4(B)係表示非貫通孔內由第2高熔點金屬充填之可溶導體的剖面圖。

圖5(A)係表示設有剖面為矩形狀之貫通孔的可溶導體之剖面圖，圖5(B)係表示設有剖面為矩形狀之非貫通孔的可溶導體之剖面圖。

圖6係表示設有第2高熔點金屬直至孔之開口端側之上側的可溶導體之剖面圖。

圖7(A)係表示對向地形成有非貫通孔之可溶導體的剖面圖，圖7(B)係表示非對向地形成有非貫通孔之可溶導體的剖面圖。

圖8係表示低熔點金屬中配合有第1高熔點粒子之可溶導體的剖面圖。

圖9(A)係表示低熔點金屬中配合有粒徑小於低熔點金屬之厚度之第1高熔點粒子的可溶導體於加熱前之剖面圖，圖9(B)係表示圖9(A)所示之可溶導體於加熱後之剖面圖。

圖10係表示第2高熔點粒子壓入至低熔點金屬之可溶導體的剖面圖。

圖11係表示第2高熔點粒子壓入至第1高熔點金屬及低熔點金屬之可溶導體的剖面圖。

圖12係表示於第2高熔點粒子之兩端形成有凸緣部之可溶導體的剖面圖。

圖13(A)係設有於熔斷部形成有凹槽之變形限制部的電流熔絲於加熱前之俯視圖，圖13(B)係圖13(A)之A-A’剖面圖。

圖14(A)係表示藉由可溶導體形成卡合端子部及熔斷部之電流熔絲的俯視圖，圖14(B)係圖14(A)之A-A’剖面圖。

圖15(A)係表示藉由設有變形限制部之可溶導體形成卡合端子部及熔斷部的電流熔絲之俯視圖，圖15(B)係圖15(A)之A-A’剖面圖。

圖16(A)係表示以往之電流熔絲之一例的俯視圖，圖16(B)係圖16(A)之 A-A’剖面圖。

以下，參照圖式，詳細說明應用本發明之電流熔絲。再者，本發明並不僅限於以下之實施形態，當然可於未脫離本發明要旨之範圍內進行各種變更。而且，圖式係示意性者，各尺寸之比例等有時與實際不同。具體的尺寸等應參考以下說明而判斷。而且，當然各個圖式間亦包含彼此之尺寸之關係或比例不同之部分。

[電流熔絲]

如圖1所示，應用本發明之電流熔絲1具有兩個卡合端子部2、及設於卡合端子部2間之熔斷部3。電流熔絲1中，兩個卡合端子部2卡合於電性電路之端子部間且得以螺固等，藉此，組裝至該電性電路之電流路徑上。並且，電流熔絲1係當其電性電路流過既定容量以上之過電流時使熔斷部3瞬間熔斷而遮斷一對卡合端子部2間之電流路徑，從而確保機器之安全性。

[卡合端子部]

卡合端子部2具有一部分開放之扣形狀或中央開口之大致圓盤形狀等、可卡合於未圖示之電性電路之端子部的公知之形狀，且例如藉由螺栓或螺釘等可自由裝卸地接合。作為卡合端子部2之材質，只要具有適度之剛性且導電性良好，則無特別限定，適宜使用銅、銅-鎳合金等。

電流熔絲1中，於一對卡合端子部2間，藉由焊料等連接材7連接有熔斷部3，且經由熔斷部3而導通。再者，連接材7並不限於焊料，可使用能導通連接卡合端子部2與熔斷部3之任一種材料。

[熔斷部]

熔斷部3係當流過既定容量以上之過電流時熔斷，從而遮斷跨及一對卡合端子部2間之電流路徑。熔斷部3係由積層有低熔點金屬4、及熔點高於低熔點金屬4之第1高熔點金屬5的可溶導體6形成。

第1高熔點金屬5適宜採用例如Ag、Cu或主成分為Ag或Cu之合金，且具有當連接於卡合端子部2時或將電流熔絲1焊料安裝於電路基板之端子部時的加熱溫度下亦不會熔融的高熔點。而且，第1高熔點金屬5較佳為，當含有鉛時亦將含有率設為RoHS指令之1000ppm以下。

低熔點金屬4只要為以當因過電流而使溫度上升而達到既定之溫度時會熔斷的溫度作為熔點的金屬，則無特別限定，適宜使用例如Sn或主成分為Sn之合金等一般稱為「無Pb焊料」之材料。低熔點金屬4之熔點未必要高於焊料連接之溫度，亦可於200℃左右熔融。而且，低熔點金屬4亦可使用會於更低之120℃~140℃左右熔融之Bi、In或含Bi或In之合金。低熔點金屬4可藉由該等金屬之選擇或使其等以既定之比例合金化而自由地設定所需之熔點溫度。而且，低熔點金屬4較佳為於含有鉛時亦將含有率設為RoHS指令之1000ppm以下。

可溶導體6係至少於低熔點金屬4之表背兩面積層有第1高熔點金屬5之積層體，較佳為，具有低熔點金屬4構成內層、第1高熔點金屬5構成外層之積層構造。因此，可溶導體6於當焊料連接於卡合端子部2時等低熔點金屬4熔融的情況下，因被第1高熔點金屬5覆蓋，故不會熔斷，而可進行焊料連接，可由與以往相同之步驟製造。

而且，可溶導體6中積層有熔點低於第1高熔點金屬5之低熔點金屬4，故而，因過電流產生之自發熱而自低熔點金屬4之熔點起開始 熔融，開始侵蝕第1高熔點金屬5。例如，於低熔點金屬4由Sn-Bi系合金或In-Sn系合金等構成時，可溶導體6自140℃或120℃左右之低溫度開始熔融。並且，電流熔絲1利用低熔點金屬4對第1高熔點金屬5之侵蝕作用(焊料侵蝕)，而使第1高熔點金屬5於低於自身熔點之溫度熔融。因此，可溶導體6能防止卡合端子部2之過熱，且能利用低熔點金屬4對第1高熔點金屬5之熔蝕作用而迅速熔斷從而遮斷電流路徑。

而且，可溶導體6係以高熔點金屬覆蓋，從而，較之以往之由Cu等高熔點金屬構成之電流熔絲，能大幅降低熔斷溫度，故而，亦無需使熔斷部局部變細等加工，能提高額定值而應對大電流。而且，與以往之使用鉛系高熔點焊料之可溶導體相比，能大幅降低導體電阻，與同一尺寸之以往之電流熔絲等相比，能大幅提高電流額定值。而且，較之具有相同電流額定值之以往之電流熔絲相比，能實現小型化、薄型化。

再者，可溶導體6能提高對於向組裝有電流熔絲1之電性系統瞬間施加異常高之電壓的突波的耐性(耐脈衝性)。即，可溶導體6於例如甚至流過100A之電流數msec時亦不會熔斷。關於此點，因於極短時間流過之大電流會流經導體之表層(表皮效應)，故可溶導體6中設有電阻值較低之鍍Ag等之第1高熔點金屬5作為外層，故而，容易流有藉由突波而施加之電流，能防止自發熱所致之熔斷。因此，可溶導體6較之以往之由焊料合金構成之熔絲，更能提高對突波之耐性。

再者，考慮到環境污染，作為可溶導體6中使用之材料，希望儘量控制鉛或鎘、水銀或其等之合金等有害金屬之使用。目前之帶扣熔絲中，可溶導體係依據電氣用品安全法所既定的材料(鉛、錫、鋅或以其 等作為主成分之合金)。如上所述，錫系材料之熔融溫度低故而缺陷在於與銅端子之焊料連接性，而鋅系材料具有相對較高之熔點故而存在熔斷時之熱影響之問題。另外，鉛系材料雖然容易解決該等問題，且當前並非環境限制(改正RoHS指令)對象，但將來可能會根據社會需求而成為削減對象。

關於此點，根據應用本發明之電流熔絲1，藉由不使用鉛系之有害金屬而形成可溶導體6，亦能應對環境限制之強化。而且，如上所述，使可溶導體6成為低熔點金屬4構成內層、第1高熔點金屬5構成外層之積層構造，藉此，於焊料連接於銅的卡合端子部2時亦能維持形狀，且熔斷時，亦會以較低之溫度熔融，能防止卡合端子部2過熱，且能迅速熔斷從而遮斷電流路徑。

可溶導體6可藉由於低熔點金屬4之表面採用電解鍍敷法等成膜技術形成第1高熔點金屬5而製造。例如，可溶導體6可藉由對已成形為既定形狀之焊料箔之表面實施Ag鍍敷而高效率地製造。並且，藉由焊料等連接材7連接於卡合端子部2。

再者，可溶導體6可藉由熔接而連接於卡合端子部2。藉此，亦可將一對卡合端子部2經由可溶導體6而電性連接。

而且，可溶導體6較佳為將低熔點金屬4之體積形成為大於第1高熔點金屬5之體積。可溶導體6能藉由利用自發熱使低熔點金屬4熔融而使第1高熔點金屬5熔蝕，從而迅速熔融、熔斷。因此，可溶導體6能藉由使低熔點金屬4之體積形成為大於第1高熔點金屬5之體積而促進該熔蝕作用，從而迅速遮斷一對卡合端子部2間。

[變形限制部]

而且，可溶導體6亦可形成抑制當焊料連接時等熔融之低熔點金屬4之流動且限制變形的變形限制部9。

如圖2所示，變形限制部9中，設於低熔點金屬4之一個或複數個孔10之側面10a之至少一部分被與第1高熔點金屬5連續之第2高熔點金屬11覆蓋。孔10可藉由例如將針等尖銳體刺入低熔點金屬4、或使用模具對低熔點金屬4實施壓製加工等而形成。而且，孔10係以既定之圖案、例如四方格子狀或六方格子狀遍及低熔點金屬4之整面而均等地形成。

第2高熔點金屬11之構成材料係與第1高熔點金屬5之構成材料同樣，具有於焊料連接溫度下不會熔融之高熔點。而且，第2高熔點金屬11係由與第1高熔點金屬5相同的材料、於第1高熔點金屬5之形成步驟中一併形成，此方面於製造效率上較佳。

如圖2所示，上述可溶導體6經由焊料等連接材7、或藉由熔接而連接於一對卡合端子部2間。此時，可溶導體6中，於低熔點金屬4積層有於連接溫度下亦不會熔融之第1高熔點金屬5作為外層且設置變形限制部9，從而，於暴露於高溫環境下的情況下，亦能將可溶導體6之變形控制於可抑制熔斷特性之不均的一定範圍內。因此，可溶導體6於大面積化時亦能抑制熔斷特性之變動，且容易提高電流熔絲1之額定值。

即，可溶導體6中，藉由於低熔點金屬4開設孔10，且具備利用第2高熔點金屬11覆蓋孔10之側面10a的變形限制部9，從而，於藉由焊料連接等外部熱源而短時間暴露於低熔點金屬4之熔點以上之高熱環境中時，亦可藉由覆蓋孔10之側面10a之第2高熔點金屬11，而支撐可抑制已熔融之低熔點金屬4之流動且構成外層的第1高熔點金屬5。因此， 可溶導體6能抑制熔融之低熔點金屬4因張力而凝集且膨脹，或熔融之低熔點金屬4流出而薄，從而發射局部破碎或鼓起的情況。

藉此，可溶導體6能防止於焊料連接時等之溫度下伴隨局部破碎或鼓起等變形而產生的電阻值之變動，且能維持於既定之溫度或電流下在既定之時間內熔斷的熔斷特性。而且，作為可溶導體6，於在電流熔絲1所搭載之電路基板上回流焊安裝有其他表面安裝零件、或電路基板進而回流焊安裝於其他電路基板上等、重複暴露於回流焊溫度下時，亦可藉由變形限制部9能抑制變形、使熔斷特性穩定化，且能提高安裝效率。

而且，如下文所述，於自大塊片狀元件切取而製造出可溶導體6時，低熔點金屬4自可溶導體6之側面露出，且該側面經由焊料等連接材7而接觸卡合端子部2。此情況下，可溶導體6亦藉由變形限制部9而抑制熔融之低熔點金屬4之流動，故而，亦不會因自該側面吸入熔融之焊料等連接材7而令低熔點金屬4之體積增加從而使電阻值局部下降。

而且，可溶導體6具備變形限制部9，藉此，能抑制過電流下之模組熱發熱之初的低熔點金屬4於熔融階段之非既定的變形。因此，可溶導體6能藉由變形限制部9而抑制發熱中之變形，使熔斷特性穩定化。

[貫通孔．非貫通孔]

此處，孔10亦可如圖2(B)所示形成為於厚度方向貫通低熔點金屬4之貫通孔，或亦可如圖3(A)、(B)所示形成為非貫通孔。當孔10形成為貫通孔時，覆蓋孔10之側面10a之第2高熔點金屬11係與積層於低熔點金屬4之表背面之第1高熔點金屬5連續。再者，孔10之形狀並無特別限定，除了圓形之外，亦可為楕圓形、角部呈弧形之長方形或方形。

而且，當孔10形成為非貫通孔時，如圖3(A)所示，孔10較佳為由第2高熔點金屬11覆蓋至底面10b。可溶導體6於使孔10形成為非貫通孔、且藉由加熱而使低熔點金屬4流動的情況下，亦可藉由覆蓋孔10之側面10a之第2高熔點金屬11而支撐可抑制流動且構成外層的第1高熔點金屬5，故而，如圖3(B)所示，可溶導體6之厚度之變動係輕微的，且熔斷特性不會變動。

[局熔點金屬之充填]

而且，孔10亦可如圖4(A)、(B)所示由第2高熔點金屬11充填。藉由以第2高熔點金屬11充填孔10，從而，可溶導體6中，能提高支撐構成外層之第1高熔點金屬5的變形限制部9之強度且進一步抑制可溶導體6之變形，且能藉由低電阻化而提高額定值。

如下文所述，第2高熔點金屬11可於藉由例如在開設有孔10之低熔點金屬4利用電解鍍敷等形成第1高熔點金屬5時同時形成，且可藉由調整孔徑或鍍敷條件而利用第2高熔點金屬11填埋孔10內。

[剖面形狀]

而且，如圖2(B)或圖3、圖4所示，孔10亦可形成為剖面錐狀。孔10可藉由例如將針等尖銳體刺入低熔點金屬4而形成開口，從而根據該尖銳體之形狀形成為剖面錐狀。而且，如圖5(A)、(B)所示，孔10亦可形成為剖面矩形狀。可溶導體6可藉由例如使用對應於剖面矩形狀之孔10之模具對低熔點金屬4進行壓製加工等而開設剖面矩形狀之孔10。

[高熔點金屬之局部覆蓋]

再者，就變形限制部9而言，只要孔10之側面10a之至少一部分被與 第1高熔點金屬5連續之第2高熔點金屬11覆蓋即可，如圖6所示，亦可藉由第2高熔點金屬11覆蓋至側面10a之上側。而且，變形限制部9亦可為於形成低熔點金屬4與第1高熔點金屬5之積層體之後，藉由使尖銳體自第1高熔點金屬5之上刺入而開設或貫通有孔10，且藉由將第1高熔點金屬5之一部分推入至孔10之側面10a而作為第2高熔點金屬11。

如圖6所示，藉由於孔10之側面10a之開口端側之一部分積層與第1高熔點金屬5連續之第2高熔點金屬11，亦能利用積層於孔10之側面10a之第2高熔點金屬11來抑制熔融之低熔點金屬4之流動，且能支撐開口端側之第1高熔點金屬5，從而能抑制可溶導體6之局部破碎或膨脹之發生。

而且，如圖7(A)所示，變形限制部9亦可使孔10形成為非貫通孔，且彼此對向地形成於低熔點金屬4之一面及另一面。而且，如圖7(B)所示，變形限制部亦可使孔10形成為非貫通孔，且彼此不對向地形成於低熔點金屬4之一面及另一面。藉由使非貫通之孔10彼此對向或非對向地形成於低熔點金屬4之兩面，亦能藉由覆蓋各孔10之側面10a之第2高熔點金屬11來抑制熔融之低熔點金屬4之流動，且支撐構成外層之第1高熔點金屬5。因此，可溶導體6能抑制熔融之低熔點金屬4因張力而凝集且膨脹，或熔融之低熔點金屬4流出而變薄，從而發生局部破碎或鼓起的情況。

再者，變形限制部9具備可供鍍敷液流入以藉由電解鍍敷而使第2高熔點金屬11覆蓋於孔10之側面10a的孔徑，此方面於製造效率上較佳，例如孔之最小徑設為50μm以上，更佳為設為70~80μm。再者， 孔10之最大徑可考慮到與第2高熔點金屬11之鍍敷界限或可溶導體6之厚度等的關係而適當設定，但若孔徑較大則有初始電阻值上升之傾向。

而且，變形限制部9較佳為將孔10之深度設為低熔點金屬4之厚度的50%以上。若孔10之深度比上述值淺，則無法抑制熔融之低熔點金屬4之流動，隨著可溶導體6之變形，可能會導致熔斷特性之變動。

而且，變形限制部9較佳為使形成於低熔點金屬4之孔10以既定之密度、例如每15×15mm為1個以上之密度形成。

而且，變形限制部9較佳為使孔10形成於當過電流時可溶導體6熔斷之部位。可溶導體6之熔斷部位並不由電流熔絲1之一對卡合端子部2支撐，而是剛性相對較低之部位，故而，於該部位容易因低熔點金屬4之流動而產生變形。故而，藉由於可溶導體6之熔斷部位開設孔10且利用第2高熔點金屬11覆蓋側面10a，能抑制熔斷部位之低熔點金屬4之流動從而防止變形。

而且，變形限制部9較佳為將孔10至少設於可溶導體6之中央部。可溶導體6之兩端部由一對卡合端子部2支撐，距外周距離最遠之中央部的剛性最低，故容易產生變形。故而，藉由於可溶導體6之該中央部設置側面10a被第2高熔點金屬11覆蓋的孔10，能提高該中央部之剛性，從而能有效防止變形。

而且，變形限制部9亦可將穿過可溶導體6之中心之線兩側的孔10之數量差或者密度差設為50%以下。即，變形限制部9係將複數個孔10分散配置於可溶導體6，且使變形限制部9之效果大致均等地作用於可溶導體6之整面，故而使穿過可溶導體6之中心之線兩側的數量差或密 度差成為50%以內。例如，當以由3點支撐而獲取平衡之方式將3個孔10均等地配置於可溶導體6之整面時，穿過可溶導體6之中心之線兩側的孔10之數量差或者密度差成為50%。藉由使穿過熔絲元件之中心之線兩側的孔10之數量差或者密度差為50%以下，亦能提高可溶導體6整體之剛性，從而有效防止變形。

[可溶導體之製造方法]

可溶導體6可藉由於低熔點金屬4開設構成變形限制部9之孔10後、於低熔點金屬4使用鍍敷技術成膜高熔點金屬而製造。可溶導體6係藉由例如於長條狀之焊料箔開設既定之孔10後、於表面實施Ag鍍敷而製造帶狀元件，當使用時，可藉由根據尺寸切斷而高效率地製造，且容易使用。

此處，於以往之僅由低熔點金屬與高熔點金屬之積層構造構成的可溶導體中，因有焊料等連接材7自切斷面之流入或低熔點金屬4之流出之虞，故而，為了避免切斷面與連接材7之接觸，亦須研究使兩端部彎曲等加工，從而會產生製造工時之增加、或阻礙電流熔絲1之小型化等不良現象。

關於此點，就可溶導體6而言，即便自切斷面露出低熔點金屬4，亦可藉由變形限制部9抑制熔融之低熔點金屬4之流動，故而，能抑制連接材7自切斷面之流入或低熔點金屬4之流出，從而能防止伴隨厚度之變動而產生的電阻值之不均及熔斷特性之變動。因此，亦無須使切斷面露出之兩端部彎曲這一加工，從而能實現製造效率之提高或電流熔絲1之小型化。

另外，關於可溶導體6，藉由使用蒸鍍等薄膜形成技術、或 其他周知積層技術，亦可形成積層有低熔點金屬4與第1高熔點金屬5之可溶導體6。

再者，可溶導體6亦可於構成外層之第1高熔點金屬5之表面形成未圖示之防氧化膜。可溶導體6之外層之第1高熔點金屬5進而被防氧化膜覆蓋，藉此，於例如作為第1高熔點金屬5形成有Cu鍍敷層時，亦能防止Cu之氧化。因此，可溶導體6能防止因Cu之氧化而令熔斷時間變長的現象，從而能以短時間熔斷。

而且，可溶導體6中，作為第1高熔點金屬5，可使用Cu等雖經濟但易氧化之金屬，可不採用Ag等高價材料而形成。

第1高熔點金屬5之防氧化膜可採用與低熔點金屬4相同的材料，例如可採用主成分為Sn之無Pb焊料。而且，防氧化膜可藉由於第1高熔點金屬5之表面實施鍍錫而形成。另外，防氧化膜亦可藉由Au鍍敷或預焊劑形成。

[片狀元件]

而且，可溶導體6亦可自大塊片狀元件以所需之尺寸切出。即，亦可形成由遍及整個面均等地形成有變形限制部9之低熔點金屬4與第1高熔點金屬5的積層體構成之大塊片狀元件，切出複數個任意尺寸之可溶導體6，從而形成可溶導體6。自片狀元件切出之可溶導體6中，變形限制部9係遍及整個面均等地形成，故而即便自切斷面露出低熔點金屬4，亦可藉由變形限制部9而抑制熔融之低熔點金屬4之流動，故而，能抑制焊料等連接材7自切斷面之流入或低熔點金屬4之流出，從而能防止伴隨厚度之變動而產生的電阻值之不均及熔斷特性之變動。

而且，於在上述長條狀之焊料箔開設既定之孔10後、於表面實施電解鍍敷、藉此製造帶狀元件且將其以既定之長度切斷的製法中，可溶導體6之尺寸係既定為帶狀元件之寬度，須按照每個尺寸來製造帶狀元件。

然而，藉由形成大塊片狀元件，可以所需之尺寸切出可溶導體6，從而使尺寸之自由度提高。

而且，若於長條狀之焊料箔實施電解鍍敷，則於電場集中之長度方向上之側緣部會較厚地鍍敷第1高熔點金屬5，從而難以獲得厚度均勻之可溶導體6。故而，電流熔絲1中，熔斷特性會因可溶導體6之該厚壁部位之配置而改變，故而配置上亦產生制約。

然而，藉由形成大塊片狀元件，能避開該厚壁部位而切出可溶導體6，且能獲得整個面為均勻厚度之可溶導體6。因此，自片狀元件切出之可溶導體6之熔斷特性不會根據配置而改變，配置之自由度高，能實現熔斷特性之穩定化。

[高熔點粒子]

而且，可溶導體6亦可如圖8所示，藉由使熔點高於低熔點金屬4之第1高熔點粒子13配合於低熔點金屬4而形成變形限制部9。第1高熔點粒子13係採用具有於焊料接合溫度下亦不會熔融之高熔點的物質，可使用例如Cu、Ag、Ni等金屬或由含有其等之合金構成之粒子、玻璃粒子、陶瓷粒子等。而且，第1高熔點粒子13可為球狀、鱗片狀等任意形狀。再者，作為第1高熔點粒子13，當使用金屬或合金等時，因比重大於玻璃或陶瓷，故適應性良好且分散性優良。

變形限制部9可藉由如下方式形成，即，於低熔點金屬材料配合第1高熔點粒子13後，藉由成型為帶狀等而形成以單層分散配置有第1高熔點粒子13之低熔點金屬4，此後積層第1高熔點金屬5。而且，變形限制部9亦可藉由於第1高熔點金屬5之積層後在厚度方向對可溶導體6進行壓製，而使第1高熔點粒子13密接於第1高熔點金屬5。藉此，變形限制部9中，第1高熔點金屬5由第1高熔點粒子13支撐，當低熔點金屬4因加熱而熔融時，亦能藉由第1高熔點粒子13抑制低熔點金屬4之流動且支撐第1高熔點金屬5，從而能抑制可溶導體6之局部破碎或膨脹之發生。

而且，變形限制部9亦可如圖9(A)所示，將小於低熔點金屬4之厚度之粒徑的第1高熔點粒子13配合於低熔點金屬4。該情況下，如圖9(B)所示，變形限制部9亦能藉由第1高熔點粒子13而抑制熔融之低熔點金屬4之流動且支撐第1高熔點金屬5，從而能抑制可溶導體6之局部破碎或膨脹之發生。

而且，可溶導體6亦可如圖10所示，藉由將熔點高於低熔點金屬4之第2高熔點粒子15壓入至低熔點金屬4而形成變形限制部9。第2高熔點粒子15可使用與上述第1高熔點粒子13相同之物質。

變形限制部9藉由將第2高熔點粒子15壓入至低熔點金屬4而進行填埋、此後積層第1高熔點金屬5而形成。此時，第2高熔點粒子15較佳為於厚度方向貫通於低熔點金屬4。藉此，變形限制部9中，第1高熔點金屬5由第2高熔點粒子15支撐，於低熔點金屬4藉由加熱而熔融時，亦能藉由第2高熔點粒子15而抑制低熔點金屬4之流動且支撐第1高熔點金屬5，從而能抑制可溶導體6之局部破碎或膨脹之發生。

而且，可溶導體6亦可如圖11所示，藉由將熔點高於低熔點金屬4之第2高熔點粒子15壓入至第1高熔點金屬5與低熔點金屬4而形成變形限制部9。

變形限制部9可藉由將第2高熔點粒子15壓入至低熔點金屬4與第1高熔點金屬5之積層體且填埋至低熔點金屬4內而形成。此時，第2高熔點粒子15較佳為沿厚度方向貫通於低熔點金屬4及第1高熔點金屬5。藉此，變形限制部9中，第1高熔點金屬5由第2高熔點粒子15支撐，於低熔點金屬4由加熱熔融時，亦能藉由第2高熔點粒子15抑制低熔點金屬4之流動且支撐第1高熔點金屬5，從而能抑制可溶導體6之局部破碎或膨脹之發生。

再者，變形限制部9亦可為，於低熔點金屬4形成孔10，且積層第2高熔點金屬11，進而將第2高熔點粒子15插入至該孔10內。

而且，變形限制部9亦可如圖12所示，於第2高熔點粒子15設置接合於第1高熔點金屬5之凸緣部16。凸緣部16可藉由例如將第1高熔點粒子13壓入至第1高熔點金屬5與低熔點金屬4後，於厚度方向對可溶導體6進行壓製，且使第2高熔點粒子15之兩端熔毀而形成。藉此，變形限制部9中，第1高熔點金屬5藉由與第2高熔點粒子15之凸緣部16接合而得以強固支撐，於低熔點金屬4因加熱而熔融時，亦能藉由第2高熔點粒子15而抑制低熔點金屬4之流動，且藉由凸緣部16支撐第1高熔點金屬5，從而能進一步抑制可溶導體6

局部破碎或膨脹之發生。

[變形例1]

再者，上述變形限制部9亦可如圖13(A)、(B)所示，於低熔點金屬4設 置一個或複數個凹槽17，且使該凹槽17之側面17a之至少一部分由與第1高熔點金屬5連續之第2高熔點金屬11覆蓋。凹槽17可藉由例如使用模具對低熔點金屬4進行壓製加工等而形成。而且，凹槽17可如圖13(A)所示沿可溶導體6之通電方向形成，或亦可沿與通電方向正交或斜交之方向形成。

利用由被第2高熔點金屬11覆蓋之凹槽17構成的變形限制部9，亦能抑制熔融之低熔點金屬4之流動，防止可溶導體6之局部破碎或鼓起，從而使熔斷特性穩定化。

[變形例2]

再者，上述電流熔絲1中，係藉由構成熔斷部3之可溶導體6形成，且使該可溶導體6連接於卡合端子部2間，但應用本發明之電流熔絲亦可如圖14(A)、(B)所示，由可溶導體6形成一對卡合端子部2及熔斷部3。圖14所示之電流熔絲20可藉由如下方式形成，即，例如衝壓成藉由焊料箔等低熔點金屬4而一體形成一對卡合端子部2及熔斷部3的形狀，此後實施Ag鍍敷。

電流熔絲20之卡合端子部2卡合於電性電路之端子部，且例如藉由螺栓或螺釘等接合，藉此，較之熔斷部3相對地更低電阻化，且藉由對於電性電路之端子部之散熱而使卡合端子部2冷卻，故而若流有過電流則熔斷部3會熔斷。

而且，如圖15(A)、(B)所示，電流熔絲20亦可於可溶導體6設置上述變形限制部9。設於電流熔絲20之變形限制部9係與形成於上述電流熔絲1之變形限制部9同樣包含各種變形例。由設有變形限制部9之 可溶導體6形成卡合端子部2，藉此，於卡合端子部2利用螺栓或螺釘等接合於電路基板時，亦能抑制螺釘緊固壓力所致的變形，能抑制電阻值或熔斷時間之變動，且能使熔斷特性穩定化。

而且，電流熔絲20中，藉由可溶導體6而一體成形卡合端子部2及熔斷部3，故可溶導體6之熔融溫度較低，例如為300℃左右，故而，能將熔融時之卡合端子部2之溫度抑制得較低，且亦無須使熔斷部3局部狹小化以作為卡合端子部2之過熱對策，低電阻化下之大電流之應對亦變得容易。再者，就電流熔絲20而言，亦能為了調整電阻值而調整熔斷部之寬度。

再者，電流熔絲20可藉由於形成低熔點金屬4與第1高熔點金屬5之積層體後，衝壓成圖14或圖15所示之既定之熔絲形狀而形成，但因低熔點金屬4會自切斷面露出，故而，就其施工方法而言，較佳為如圖15所示地形成變形限制部9。

1‧‧‧電流熔絲

2‧‧‧卡合端子部

3‧‧‧熔斷部

4‧‧‧無鉛低熔點金屬

5‧‧‧無鉛第1高熔點金屬

6‧‧‧可溶導體

7‧‧‧連接材

Claims (17)

1. 一種電流熔絲，其具有：兩個卡合端子部；及設於上述卡合端子部間之熔斷部；上述熔斷部係由積層有低熔點金屬與熔點高於上述低熔點金屬之第1高熔點金屬的可溶導體形成，於上述可溶導體設有限制變形之變形限制部，上述變形限制部係使設於上述低熔點金屬之一個或複數個孔之側面之至少一部分由與上述第1高熔點金屬連續之第2高熔點金屬覆蓋。
2. 如申請專利範圍第1項之電流熔絲，其中，上述孔為貫通孔或非貫通孔。
3. 如申請專利範圍第2項之電流熔絲，其中，上述孔由上述第2高熔點金屬充填。
4. 如申請專利範圍第1項之電流熔絲，其中，上述孔之形狀係圓形、楕圓形、角部呈弧形之長方形、或方形。
5. 如申請專利範圍第1項之電流熔絲，其中，上述變形限制部係熔點高於上述低熔點金屬之第1高熔點粒子配合於上述低熔點金屬而成。
6. 如申請專利範圍第1項之電流熔絲，其中，上述變形限制部係將熔點高於上述低熔點金屬之第2高熔點粒子壓入至上述低熔點金屬而成。
7. 如申請專利範圍第1項之電流熔絲，其中，上述變形限制部係熔點高於上述低熔點金屬之第2高熔點粒子壓入至上述第1高熔點金屬與上述低熔點金屬的積層體而成。
8. 如申請專利範圍第1項之電流熔絲，其中，上述變形限制部係於上述可溶導體與上述卡合端子部之連接中，抑制上述可溶導體之熔融之上述低熔點金屬的流動，抑制上述可溶導體之變形與電阻值變動。
9. 如申請專利範圍第1項之電流熔絲，其中，上述變形限制部抑制成形於上述可溶導體之一部分的兩個上述卡合端子部之螺釘緊固壓力所致的變形。
10. 一種電流熔絲，其具有：兩個卡合端子部；及設於上述卡合端子部間之熔斷部；上述熔斷部係由積層有低熔點金屬與熔點高於上述低熔點金屬之第1高熔點金屬的可溶導體形成，上述可溶導體係於兩個上述卡合端子部上以焊料連接，上述低熔點金屬之熔點係上述焊料之連接溫度以下，上述可溶導體中之鉛含有率為1000ppm(重量)以下，上述低熔點金屬利用於通電時對上述第1高熔點金屬侵蝕而熔斷之作用。
11. 一種電流熔絲，其具有：兩個卡合端子部；及設於上述卡合端子部間之熔斷部；上述熔斷部係由積層有低熔點金屬與熔點高於上述低熔點金屬之第1高熔點金屬的可溶導體形成，上述可溶導體中，上述低熔點金屬之體積大於上述第1高熔點金屬之 體積。
12. 如申請專利範圍第1、10、11項中任一項之電流熔絲，其中，上述可溶導體與上述兩個卡合端子部藉由連接媒體連接。
13. 如申請專利範圍第12項之電流熔絲，其中，上述連接媒體為焊料。
14. 如申請專利範圍第1、10、11項中任一項之電流熔絲，其中，上述可溶導體與上述兩個卡合端子部藉由熔接而連接。
15. 如申請專利範圍第1、10、11項中任一項之電流熔絲，其中，上述卡合端子部與上述熔斷部藉由上述可溶導體形成。
16. 如申請專利範圍第1、10、11項中任一項之電流熔絲，其中，上述可溶導體係至少於上述低熔點金屬之表背兩面積層有上述第1高熔點金屬的積層體。
17. 如申請專利範圍第1、10、11項中任一項之電流熔絲，其中，上述低熔點金屬係Sn或主成分為Sn之合金，上述第1高熔點金屬係Ag、Cu或者主成分為Ag或Cu之合金。

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