JPH11135304A - Ｎｔｃサーミスタ及び電流制限回路 - Google Patents
Ｎｔｃサーミスタ及び電流制限回路Info
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- JPH11135304A JPH11135304A JP9293736A JP29373697A JPH11135304A JP H11135304 A JPH11135304 A JP H11135304A JP 9293736 A JP9293736 A JP 9293736A JP 29373697 A JP29373697 A JP 29373697A JP H11135304 A JPH11135304 A JP H11135304A
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- resin case
- thermistor element
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- ntc thermistor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
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- Thermistors And Varistors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 より大きな突入電流を確実かつ安全に抑制す
ることができるＮＴＣサーミスタを提供する。 【解決手段】 耐熱性樹脂よりなる樹脂ケース２内に、
両面に電極３ｂ，３ｃが形成されているサーミスタ素子
３を収納し、該サーミスタ素子３を、Ｃｕ系金属材料よ
りなる第１，第２の金属端子５，６で弾力挟持し、第
１，第２の金属端子５，６を樹脂ケース２外へ引き出し
てなるＮＴＣサーミスタ１。
ることができるＮＴＣサーミスタを提供する。 【解決手段】 耐熱性樹脂よりなる樹脂ケース２内に、
両面に電極３ｂ，３ｃが形成されているサーミスタ素子
３を収納し、該サーミスタ素子３を、Ｃｕ系金属材料よ
りなる第１，第２の金属端子５，６で弾力挟持し、第
１，第２の金属端子５，６を樹脂ケース２外へ引き出し
てなるＮＴＣサーミスタ１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば電子機器に
おける突入電流を抑制するのに用いられるＮＴＣサーミ
スタに関し、より詳細には、樹脂ケース内にＮＴＣサー
ミスタ素子を収納してなり、樹脂ケース外に金属端子が
引き出されている構造を有するＮＴＣサーミスタの改良
に関する。
おける突入電流を抑制するのに用いられるＮＴＣサーミ
スタに関し、より詳細には、樹脂ケース内にＮＴＣサー
ミスタ素子を収納してなり、樹脂ケース外に金属端子が
引き出されている構造を有するＮＴＣサーミスタの改良
に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種電子機器や電気機器では、電源スイ
ッチをオン状態としたときに、大きな突入電流が生じ
る。従って、従来、突入電流を抑制して回路を保護する
ために、各種ＮＴＣサーミスタが用いられている。
ッチをオン状態としたときに、大きな突入電流が生じ
る。従って、従来、突入電流を抑制して回路を保護する
ために、各種ＮＴＣサーミスタが用いられている。
【０００３】ＮＴＣサーミスタは、電源スイッチをオン
状態としたときに、ＮＴＣサーミスタ素子の有する抵抗
値成分により突入電流を抑制し、突入電流を抑制した後
には、ＮＴＣサーミスタの有する負の抵抗温度特性によ
り自己発熱によりその抵抗値成分が減少するため、所定
の回路動作を可能とするように動作する。
状態としたときに、ＮＴＣサーミスタ素子の有する抵抗
値成分により突入電流を抑制し、突入電流を抑制した後
には、ＮＴＣサーミスタの有する負の抵抗温度特性によ
り自己発熱によりその抵抗値成分が減少するため、所定
の回路動作を可能とするように動作する。
【０００４】従来の突入電流抑制用ＮＴＣサーミスタの
一例を、図５及び図６を参照して説明する。このＮＴＣ
サーミスタはリード端子付きの電子部品として構成され
ている。製造に際しては、図５に示すように、Ｍｎ、Ｎ
ｉなどの遷移元素の酸化物を複数種用いて構成された円
板状のセラミック素体５１の両面にＡｇペーストを塗布
し、焼き付けることにより電極５２を形成し、サーミス
タ素子５３を得る。
一例を、図５及び図６を参照して説明する。このＮＴＣ
サーミスタはリード端子付きの電子部品として構成され
ている。製造に際しては、図５に示すように、Ｍｎ、Ｎ
ｉなどの遷移元素の酸化物を複数種用いて構成された円
板状のセラミック素体５１の両面にＡｇペーストを塗布
し、焼き付けることにより電極５２を形成し、サーミス
タ素子５３を得る。
【０００５】このサーミスタ素子５３の両主面の電極５
２に、それぞれリード端子５４ａ，５４ｂを半田Ｘによ
り接合する。この場合、リード端子５４ａ，５４ｂとし
ては、直径０．５〜１．０ｍｍ程度のリード線が用いら
れている。しかる後、脱脂洗浄し、図６に示すように、
サーミスタ素子５３をディッピングもしくは粉体塗装法
などにより外装樹脂５５で被覆する。このようにして、
リード型ＮＴＣサーミスタ５６が製造されている。
２に、それぞれリード端子５４ａ，５４ｂを半田Ｘによ
り接合する。この場合、リード端子５４ａ，５４ｂとし
ては、直径０．５〜１．０ｍｍ程度のリード線が用いら
れている。しかる後、脱脂洗浄し、図６に示すように、
サーミスタ素子５３をディッピングもしくは粉体塗装法
などにより外装樹脂５５で被覆する。このようにして、
リード型ＮＴＣサーミスタ５６が製造されている。
【０００６】他方、特開平７−３７７０６号公報には、
ＬａＣｏ系酸化物などの希土類遷移元素酸化物を用いた
セラミック素体の両主面に電極を形成してなるＮＴＣサ
ーミスタ素子を樹脂ケース内に収納し、金属端子により
弾力挟持してなるＮＴＣサーミスタが開示されている。
ここでは、ＬａＣｏ系酸化物を用いたＮＴＣサーミスタ
素子を用いることにより、低抵抗であり室温におけるＢ
定数が小さく、かつ高温でのＢ定数が大きいため、定常
状態における電力消費量を十分に低減することができ、
かつ大電流を流すことができるとされている。
ＬａＣｏ系酸化物などの希土類遷移元素酸化物を用いた
セラミック素体の両主面に電極を形成してなるＮＴＣサ
ーミスタ素子を樹脂ケース内に収納し、金属端子により
弾力挟持してなるＮＴＣサーミスタが開示されている。
ここでは、ＬａＣｏ系酸化物を用いたＮＴＣサーミスタ
素子を用いることにより、低抵抗であり室温におけるＢ
定数が小さく、かつ高温でのＢ定数が大きいため、定常
状態における電力消費量を十分に低減することができ、
かつ大電流を流すことができるとされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】近年、各種電子機器や
電気機器における大容量化が進み、大電流域における突
入電流抑制が強く求められている。また、製造物責任法
により、電気部品や電子部品において、より高い安全性
が強く求められるようになっている。
電気機器における大容量化が進み、大電流域における突
入電流抑制が強く求められている。また、製造物責任法
により、電気部品や電子部品において、より高い安全性
が強く求められるようになっている。
【０００８】ところで、上述したリード型ＮＴＣサーミ
スタ５６では、Ｎｉ系及び／またはＭｎ系遷移元素酸化
物を用いてサーミスタ素子５１が構成されているため、
Ｂ定数が２０００〜３５００Ｋ以下と小さい。従って、
回路の定常電流値が５Ａを超えるような大電流域で使用
すると、例えば、素子温度が１６０℃以上となり、素子
発熱が非常に大きくなり、サーミスタ素子５１とリード
端子５４ａ，５４ｂとを半田付けしている部分が溶融し
たり、あるいは外装樹脂５５が溶融変形したり、さらに
はＮＴＣサーミスタ５６を実装している回路基板が損傷
したりするおそれがあった。そこで、従来、リード型Ｎ
ＴＣサーミスタ素子５６は、回路の定常電流が比較的小
さな用途に主として用いられてきた。
スタ５６では、Ｎｉ系及び／またはＭｎ系遷移元素酸化
物を用いてサーミスタ素子５１が構成されているため、
Ｂ定数が２０００〜３５００Ｋ以下と小さい。従って、
回路の定常電流値が５Ａを超えるような大電流域で使用
すると、例えば、素子温度が１６０℃以上となり、素子
発熱が非常に大きくなり、サーミスタ素子５１とリード
端子５４ａ，５４ｂとを半田付けしている部分が溶融し
たり、あるいは外装樹脂５５が溶融変形したり、さらに
はＮＴＣサーミスタ５６を実装している回路基板が損傷
したりするおそれがあった。そこで、従来、リード型Ｎ
ＴＣサーミスタ素子５６は、回路の定常電流が比較的小
さな用途に主として用いられてきた。
【０００９】他方、特開平７−３７７０６号公報に開示
されているＮＴＣサーミスタでは、ＬａＣｏ系希土類元
素酸化物からなるサーミスタ素子を用いているため、上
述したとおり、大電流用途に対応することができる。ま
た、外装樹脂を用いるのではなく、樹脂ケース内にサー
ミスタ素子を収納してなり、かつサーミスタ素子を金属
端子により弾力挟持した構造を有するため、外装樹脂の
溶融やリード線とサーミスタ素子との半田結合部分の溶
出などの問題は生じ難い。
されているＮＴＣサーミスタでは、ＬａＣｏ系希土類元
素酸化物からなるサーミスタ素子を用いているため、上
述したとおり、大電流用途に対応することができる。ま
た、外装樹脂を用いるのではなく、樹脂ケース内にサー
ミスタ素子を収納してなり、かつサーミスタ素子を金属
端子により弾力挟持した構造を有するため、外装樹脂の
溶融やリード線とサーミスタ素子との半田結合部分の溶
出などの問題は生じ難い。
【００１０】しかしながら、近年、より大きな突入電流
を抑制することが求められてきており、特開平７−３７
７０６号公報に開示されているＮＴＣサーミスタでは、
このような要求に十分に応えることができなかった。本
発明の目的は、より大きな突入電流を確実かつ安全に抑
制することができるＮＴＣサーミスタを提供することに
ある。
を抑制することが求められてきており、特開平７−３７
７０６号公報に開示されているＮＴＣサーミスタでは、
このような要求に十分に応えることができなかった。本
発明の目的は、より大きな突入電流を確実かつ安全に抑
制することができるＮＴＣサーミスタを提供することに
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、負の抵抗温度特性を有するＮＴＣサーミスタであっ
て、両面に電極が形成されており、かつ負の抵抗温度特
性を有するサーミスタ素子と、前記サーミスタ素子を収
納している樹脂ケースと、Ｃｕ系金属材料よりなり、か
つ前記サーミスタ素子を弾力挟持しており、前記樹脂ケ
ース外に引き出されている第１，第２の金属端子とを備
えることを特徴とする。
は、負の抵抗温度特性を有するＮＴＣサーミスタであっ
て、両面に電極が形成されており、かつ負の抵抗温度特
性を有するサーミスタ素子と、前記サーミスタ素子を収
納している樹脂ケースと、Ｃｕ系金属材料よりなり、か
つ前記サーミスタ素子を弾力挟持しており、前記樹脂ケ
ース外に引き出されている第１，第２の金属端子とを備
えることを特徴とする。
【００１２】請求項１に記載の発明に係るＮＴＣサーミ
スタでは、好ましくは、請求項２に記載のように、サー
ミスタ素子はＬａＣｏ系希土類遷移元素酸化物により構
成される。
スタでは、好ましくは、請求項２に記載のように、サー
ミスタ素子はＬａＣｏ系希土類遷移元素酸化物により構
成される。
【００１３】また、請求項１または２に記載のＮＴＣサ
ーミスタにおいて、上記金属端子は、好ましくは、請求
項３に記載のように、Ｃｕ−Ｔｉ系合金により構成され
る。また、より好ましくは、請求項４に記載のように、
上記金属端子は、ケース外に引き出されている部分がフ
ァストンタブ端子形状を有する。
ーミスタにおいて、上記金属端子は、好ましくは、請求
項３に記載のように、Ｃｕ−Ｔｉ系合金により構成され
る。また、より好ましくは、請求項４に記載のように、
上記金属端子は、ケース外に引き出されている部分がフ
ァストンタブ端子形状を有する。
【００１４】また、請求項１〜４の何れかに記載のＮＴ
Ｃサーミスタにおいては、好ましくは、請求項５に記載
のように、樹脂ケースの下面から下方に突出した支持部
が形成されている。
Ｃサーミスタにおいては、好ましくは、請求項５に記載
のように、樹脂ケースの下面から下方に突出した支持部
が形成されている。
【００１５】さらに、請求項１〜５に記載のＮＴＣサー
ミスタでは、好ましくは、請求項６に記載のように、樹
脂ケース内において、サーミスタ素子の位置ずれを防止
するための位置決めホルダーがケース内に配置される。
この位置決めホルダーは、より具体的には、例えば、請
求項７に記載のように、前記位置決めホルダーが、サー
ミスタ素子の外径よりも大きな開口を有する板状部材か
らなり、該板状部材が樹脂ケース内に固定的に配置され
ていることにより構成される。
ミスタでは、好ましくは、請求項６に記載のように、樹
脂ケース内において、サーミスタ素子の位置ずれを防止
するための位置決めホルダーがケース内に配置される。
この位置決めホルダーは、より具体的には、例えば、請
求項７に記載のように、前記位置決めホルダーが、サー
ミスタ素子の外径よりも大きな開口を有する板状部材か
らなり、該板状部材が樹脂ケース内に固定的に配置され
ていることにより構成される。
【００１６】また、請求項１〜７の何れかに記載のＮＴ
Ｃサーミスタにおいては、好ましくは、請求項８に記載
のように、サーミスタ素子の両面に形成される電極はＡ
ｇ−Ｐｄ合金により構成される。
Ｃサーミスタにおいては、好ましくは、請求項８に記載
のように、サーミスタ素子の両面に形成される電極はＡ
ｇ−Ｐｄ合金により構成される。
【００１７】請求項９に記載の発明は、本発明に係るＮ
ＴＣサーミスタを用いた電流制限回路であって、ＮＴＣ
サーミスタのサーミスタ素子の発熱温度が１６０℃以上
とされていることを特徴とする。
ＴＣサーミスタを用いた電流制限回路であって、ＮＴＣ
サーミスタのサーミスタ素子の発熱温度が１６０℃以上
とされていることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
非限定的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
非限定的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
【００１９】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施
例に係るＮＴＣサーミスタを示す側面断面図及び正面図
である。ＮＴＣサーミスタ１は、ＰＰＳ（ポリフェニレ
ンサルファイド）樹脂よりなる樹脂ケース２内にサーミ
スタ素子３を収納した構造を有する。
例に係るＮＴＣサーミスタを示す側面断面図及び正面図
である。ＮＴＣサーミスタ１は、ＰＰＳ（ポリフェニレ
ンサルファイド）樹脂よりなる樹脂ケース２内にサーミ
スタ素子３を収納した構造を有する。
【００２０】樹脂ケース２は、上記耐熱性に優れたＰＰ
Ｓ樹脂により構成されているため、サーミスタ素子３が
自己発熱し高温状態になったとしても、樹脂ケース２の
変形や溶融が生じ難い。好ましくは、樹脂ケース２を構
成する樹脂としては、その軟化点が、使用するサーミス
タ素子３の自己発熱に際して到達する最高温度以上とな
るように、サーミスタ素子３及び樹脂ケース２を選択す
ることにより、樹脂ケース２の熱による変形や溶融をよ
り一層確実に防止することができる。
Ｓ樹脂により構成されているため、サーミスタ素子３が
自己発熱し高温状態になったとしても、樹脂ケース２の
変形や溶融が生じ難い。好ましくは、樹脂ケース２を構
成する樹脂としては、その軟化点が、使用するサーミス
タ素子３の自己発熱に際して到達する最高温度以上とな
るように、サーミスタ素子３及び樹脂ケース２を選択す
ることにより、樹脂ケース２の熱による変形や溶融をよ
り一層確実に防止することができる。
【００２１】樹脂ケース２は、ＰＰＳ以外の耐熱樹脂、
例えば液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポ
リイミド、ポリアミド等により構成されてもよく、ある
いはポリスチレン、フェノール、ナイロン、ナイロン
６、ナイロン６６などにガラス充填剤を添加することに
より耐熱性を高めた樹脂複合材により構成されてもよ
い。
例えば液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポ
リイミド、ポリアミド等により構成されてもよく、ある
いはポリスチレン、フェノール、ナイロン、ナイロン
６、ナイロン６６などにガラス充填剤を添加することに
より耐熱性を高めた樹脂複合材により構成されてもよ
い。
【００２２】樹脂ケース２は、略直方体状の形状を有
し、その内部に円板状のサーミスタ素子３が収納されて
いる。サーミスタ素子３は、円板状のＬａＣｏ系遷移元
素酸化物からなるサーミスタ素体３の両主面に電極３
ｂ，３ｃを形成した構造を有する。
し、その内部に円板状のサーミスタ素子３が収納されて
いる。サーミスタ素子３は、円板状のＬａＣｏ系遷移元
素酸化物からなるサーミスタ素体３の両主面に電極３
ｂ，３ｃを形成した構造を有する。
【００２３】電極３ｂ，３ｃは、本実施例では、Ａｇ及
びＰｄを重量比で７：３の割合で含むＡｇ−Ｐｄ合金に
より構成されている。Ａｇ−Ｐｄ合金よりなる電極３
ｂ，３ｃの形成は、Ａｇ−Ｐｄ導電ペーストを塗布し、
焼き付けることにより行われている。なお、電極間マイ
グレーションを防止するために、電極３ｂ，３ｃの径
は、サーミスタ素体３ａの径よりも小さくされている。
びＰｄを重量比で７：３の割合で含むＡｇ−Ｐｄ合金に
より構成されている。Ａｇ−Ｐｄ合金よりなる電極３
ｂ，３ｃの形成は、Ａｇ−Ｐｄ導電ペーストを塗布し、
焼き付けることにより行われている。なお、電極間マイ
グレーションを防止するために、電極３ｂ，３ｃの径
は、サーミスタ素体３ａの径よりも小さくされている。
【００２４】サーミスタ素子３は、板状の位置決めホル
ダー４の開口４ａ内に位置するように配置されている。
位置決めホルダー４は、サーミスタ素子３の図１におけ
る上下方向への移動を規制するため、特にサーミスタ素
子３の下面の樹脂ケース２の下面への接触を防止するた
めに設けられている。
ダー４の開口４ａ内に位置するように配置されている。
位置決めホルダー４は、サーミスタ素子３の図１におけ
る上下方向への移動を規制するため、特にサーミスタ素
子３の下面の樹脂ケース２の下面への接触を防止するた
めに設けられている。
【００２５】位置決めホルダー４を構成する材料は、特
に限定されるわけではないが、例えば、合成樹脂やセラ
ミックスなどの適宜の絶縁性材料により構成することが
できる。位置決めホルダー４の開口４ａは、上述した位
置決め作用を果たすために、その径がサーミスタ素子３
の径よりも大きくされている。
に限定されるわけではないが、例えば、合成樹脂やセラ
ミックスなどの適宜の絶縁性材料により構成することが
できる。位置決めホルダー４の開口４ａは、上述した位
置決め作用を果たすために、その径がサーミスタ素子３
の径よりも大きくされている。
【００２６】サーミスタ素子３は、樹脂ケース２内にお
いて、第１，第２の金属端子５，６により弾力挟持され
ている。金属端子５，６は、樹脂ケース２内から樹脂ケ
ース２の下方に引き出された平坦な端子本体５ａ，６ａ
を有し、端子本体５ａ，６ａの内側端でサーミスタ素子
３側に折り曲げられて、ばね性を有する弾性接触部５
ｂ，６ｂが形成されている構造を有する。従って、サー
ミスタ素子３は、弾性接触部５ｂ，６ｂにより弾力挟持
されている。
いて、第１，第２の金属端子５，６により弾力挟持され
ている。金属端子５，６は、樹脂ケース２内から樹脂ケ
ース２の下方に引き出された平坦な端子本体５ａ，６ａ
を有し、端子本体５ａ，６ａの内側端でサーミスタ素子
３側に折り曲げられて、ばね性を有する弾性接触部５
ｂ，６ｂが形成されている構造を有する。従って、サー
ミスタ素子３は、弾性接触部５ｂ，６ｂにより弾力挟持
されている。
【００２７】また、上記金属端子５，６の樹脂ケース２
外へ引き出されている部分は、図１（ｂ）及び図２に示
されているように、ファストンタブ形状を有するように
構成されている。従って、プリント回路基板へ実装し得
るだけでなく、ファストンタブのワイヤー接続も可能と
されている。
外へ引き出されている部分は、図１（ｂ）及び図２に示
されているように、ファストンタブ形状を有するように
構成されている。従って、プリント回路基板へ実装し得
るだけでなく、ファストンタブのワイヤー接続も可能と
されている。
【００２８】もっとも、金属端子５，６の樹脂ケース２
外へ引き出されている部分は、ファストンタブ形状とさ
れる必要は必ずしもなく、通常のプリント回路基板への
実装に適した適宜の形状とされていてもよい。
外へ引き出されている部分は、ファストンタブ形状とさ
れる必要は必ずしもなく、通常のプリント回路基板への
実装に適した適宜の形状とされていてもよい。
【００２９】また、上記金属端子５，６は、Ｃｕ系金属
材料により構成されており、Ｃｕ系金属材料はその体積
固有抵抗が小さいため、大電流下における金属端子５，
６自体の自己発熱が低減される。従って、大きな突入電
流が流れた場合に、樹脂ケース２の溶融などを効果的に
防止することができる。
材料により構成されており、Ｃｕ系金属材料はその体積
固有抵抗が小さいため、大電流下における金属端子５，
６自体の自己発熱が低減される。従って、大きな突入電
流が流れた場合に、樹脂ケース２の溶融などを効果的に
防止することができる。
【００３０】上記Ｃｕ系金属材料としては、好ましく
は、Ｃｕ−Ｔｉ系合金が用いられ、それによって金属端
子５，６の弾性接触部５ｂ，６ｂの熱によるばね性の劣
化を抑制し得る。
は、Ｃｕ−Ｔｉ系合金が用いられ、それによって金属端
子５，６の弾性接触部５ｂ，６ｂの熱によるばね性の劣
化を抑制し得る。
【００３１】ＮＴＣサーミスタ１の組み立てに際して
は、図２に示すように、樹脂ケース本体２ａの下方開口
２ｂ側から、サーミスタ素子３を位置決めホルダー４の
開口４ａ内に配置した状態で挿入し、さらに金属端子
５，６をその上端側から挿入し、蓋材２ｃを装着し、接
着剤（図示せず）により固定することにより行われる。
なお、接着剤は必ずしも用いずともよく、図２に示され
ているように、蓋材２ｃの側面に嵌合突起２ｄを設け、
該嵌合突起２ｄが嵌まり合う嵌合凹部を樹脂ケース本体
２ａの内面に設けておき、蓋材２ｃを樹脂ケース本体２
ａに嵌め込むことにより固定してもよい。
は、図２に示すように、樹脂ケース本体２ａの下方開口
２ｂ側から、サーミスタ素子３を位置決めホルダー４の
開口４ａ内に配置した状態で挿入し、さらに金属端子
５，６をその上端側から挿入し、蓋材２ｃを装着し、接
着剤（図示せず）により固定することにより行われる。
なお、接着剤は必ずしも用いずともよく、図２に示され
ているように、蓋材２ｃの側面に嵌合突起２ｄを設け、
該嵌合突起２ｄが嵌まり合う嵌合凹部を樹脂ケース本体
２ａの内面に設けておき、蓋材２ｃを樹脂ケース本体２
ａに嵌め込むことにより固定してもよい。
【００３２】また、支持部２ｅ，２ｆは、本実施例で
は、蓋材２ｃの下面に蓋材２ｃと一体に形成されている
が、支持部２ｅ，２ｆは別部材により構成されてもよ
く、蓋材２ｃの下面に接着剤等を用いて固定されていて
もよい。
は、蓋材２ｃの下面に蓋材２ｃと一体に形成されている
が、支持部２ｅ，２ｆは別部材により構成されてもよ
く、蓋材２ｃの下面に接着剤等を用いて固定されていて
もよい。
【００３３】上記のようにして組み立てることにより、
図３に斜視図で示すＮＴＣサーミスタ１を得ることがで
きる。ＮＴＣサーミスタ１では、樹脂ケース２の下面か
ら下方に突出するように支持部２ｅ，２ｆが形成されて
いる。支持部２ｅ，２ｆの長さは、金属端子５，６のケ
ース２の下面からの突出量よりも短くされており、プリ
ント回路基板にＮＴＣサーミスタ１を実装した際に、Ｎ
ＴＣサーミスタ１を安定に配置すると共に、樹脂ケース
２とプリント回路基板との間に間隙を設けてＮＴＣサー
ミスタ１からプリント回路基板への熱放散を抑制するよ
うに作用する。
図３に斜視図で示すＮＴＣサーミスタ１を得ることがで
きる。ＮＴＣサーミスタ１では、樹脂ケース２の下面か
ら下方に突出するように支持部２ｅ，２ｆが形成されて
いる。支持部２ｅ，２ｆの長さは、金属端子５，６のケ
ース２の下面からの突出量よりも短くされており、プリ
ント回路基板にＮＴＣサーミスタ１を実装した際に、Ｎ
ＴＣサーミスタ１を安定に配置すると共に、樹脂ケース
２とプリント回路基板との間に間隙を設けてＮＴＣサー
ミスタ１からプリント回路基板への熱放散を抑制するよ
うに作用する。
【００３４】また、ＮＴＣサーミスタ１では、サーミス
タ素子３は金属端子５，６の弾性接触部５ａ，６ａで弾
力挟持されているだけであるため、半田などの接合材を
省略することができる。従って、サーミスタ素子３の発
熱による半田の溶出といった問題が生じない。加えて、
サーミスタ素子３が、金属端子５，６で弾力挟持されて
おり、樹脂ケース２に接触されていないため、ＮＴＣサ
ーミスタ３の発熱に伴う樹脂ケース２の変形や溶融が生
じ難い。
タ素子３は金属端子５，６の弾性接触部５ａ，６ａで弾
力挟持されているだけであるため、半田などの接合材を
省略することができる。従って、サーミスタ素子３の発
熱による半田の溶出といった問題が生じない。加えて、
サーミスタ素子３が、金属端子５，６で弾力挟持されて
おり、樹脂ケース２に接触されていないため、ＮＴＣサ
ーミスタ３の発熱に伴う樹脂ケース２の変形や溶融が生
じ難い。
【００３５】また、サーミスタ素子３は、ＬａＣｏ系遷
移元素酸化物よりなるサーミスタ素体３ａを用いて構成
されており、このＬａＣｏ系遷移元素酸化物からなるサ
ーミスタ素体３ａのＢ定数は４０００〜５０００Ｋと非
常に大きい。従来のＭｎ系酸化物やＮｉ系酸化物を主体
とするＮＴＣサーミスタでは、Ｂ定数が２５００〜３５
００Ｋ程度であったため、これらのサーミスタに比べ
て、本実施例のサーミスタ素子３では、同じ電流を負荷
した場合、サーミスタ素子３の発熱を非常に小さくする
ことができる。従って、大電流が負荷されたとしても、
サーミスタ素子３自体の発熱量が小さいため、大電流用
途に適したＮＴＣサーミスタ１を構成することができ
る。
移元素酸化物よりなるサーミスタ素体３ａを用いて構成
されており、このＬａＣｏ系遷移元素酸化物からなるサ
ーミスタ素体３ａのＢ定数は４０００〜５０００Ｋと非
常に大きい。従来のＭｎ系酸化物やＮｉ系酸化物を主体
とするＮＴＣサーミスタでは、Ｂ定数が２５００〜３５
００Ｋ程度であったため、これらのサーミスタに比べ
て、本実施例のサーミスタ素子３では、同じ電流を負荷
した場合、サーミスタ素子３の発熱を非常に小さくする
ことができる。従って、大電流が負荷されたとしても、
サーミスタ素子３自体の発熱量が小さいため、大電流用
途に適したＮＴＣサーミスタ１を構成することができ
る。
【００３６】さらに、位置決めホルダー４の開口４ａ内
にサーミスタ素子３が配置されているため、サーミスタ
素子３が図１（ａ）に示す状態から上下方向にずれたと
しても、サーミスタ素子３と樹脂ケース２の内面との接
触を防止することができる。
にサーミスタ素子３が配置されているため、サーミスタ
素子３が図１（ａ）に示す状態から上下方向にずれたと
しても、サーミスタ素子３と樹脂ケース２の内面との接
触を防止することができる。
【００３７】また、電極３ｂ，３ｃは、Ａｇ−Ｐｄ合金
を用いて構成されているため、Ａｇよりなる電極に比べ
電極間マイグレーションを抑制することができ、それに
よって大電流が流れた際のショートなどをより確実に防
止することができる。
を用いて構成されているため、Ａｇよりなる電極に比べ
電極間マイグレーションを抑制することができ、それに
よって大電流が流れた際のショートなどをより確実に防
止することができる。
【００３８】なお、上述した実施例では、開口４ａを有
する位置決めホルダー４を用い、サーミスタ素子３の樹
脂ケース２内における上下方向の移動を規制していた
が、位置決めホルダーとしては、円形の開口４ａを有す
るものに限定されず、矩形等の他の形状の開口を有する
ものであってもよい。また、開口を有するものに限ら
ず、樹脂ケース本体２ａの内面に接触し、該内面からサ
ーミスタ素子３の外周面方向に延びる複数の突起を樹脂
ケース本体２ａに固定することにより位置決めホルダー
としてもよい。
する位置決めホルダー４を用い、サーミスタ素子３の樹
脂ケース２内における上下方向の移動を規制していた
が、位置決めホルダーとしては、円形の開口４ａを有す
るものに限定されず、矩形等の他の形状の開口を有する
ものであってもよい。また、開口を有するものに限ら
ず、樹脂ケース本体２ａの内面に接触し、該内面からサ
ーミスタ素子３の外周面方向に延びる複数の突起を樹脂
ケース本体２ａに固定することにより位置決めホルダー
としてもよい。
【００３９】また、図２に示されているように、金属端
子５，６の弾性接触部５ｂ，６ｂは、それぞれ複数形成
されているが、弾性接触部５ｂ，６ｂは、サーミスタ素
子３を安定に弾力挟持し得る限り、ある程度の幅を有す
る単一の部分で構成されていてもよい。
子５，６の弾性接触部５ｂ，６ｂは、それぞれ複数形成
されているが、弾性接触部５ｂ，６ｂは、サーミスタ素
子３を安定に弾力挟持し得る限り、ある程度の幅を有す
る単一の部分で構成されていてもよい。
【００４０】図４は、上記実施例に係るＮＴＣサーミス
タ１を用いた電流制限回路の一例を示す回路図である。
図４において、ＮＴＣサーミスタ１は、ハロゲンランプ
ヒータ１１への突入電流を制限するためにハロゲンラン
プヒータ１１に対して直列に接続されている。ここで、
ＮＴＣサーミスタ１内のサーミスタ素子３は、ＬａＣｏ
Ｏ3 よりなるサーミスタ素体を用いて構成されており、
その自己発熱に際しての素子温度は、例えば５Ａを超え
る大電流域で使用した場合、１６０℃以上となる。しか
しながら、ＮＴＣサーミスタ１が、上述した構造を有す
るため、サーミスタ素子３の温度が１６０℃以上となっ
たとしても、ＮＴＣサーミスタ１の変形や溶融が生じ難
い。
タ１を用いた電流制限回路の一例を示す回路図である。
図４において、ＮＴＣサーミスタ１は、ハロゲンランプ
ヒータ１１への突入電流を制限するためにハロゲンラン
プヒータ１１に対して直列に接続されている。ここで、
ＮＴＣサーミスタ１内のサーミスタ素子３は、ＬａＣｏ
Ｏ3 よりなるサーミスタ素体を用いて構成されており、
その自己発熱に際しての素子温度は、例えば５Ａを超え
る大電流域で使用した場合、１６０℃以上となる。しか
しながら、ＮＴＣサーミスタ１が、上述した構造を有す
るため、サーミスタ素子３の温度が１６０℃以上となっ
たとしても、ＮＴＣサーミスタ１の変形や溶融が生じ難
い。
【００４１】
【発明の効果】請求項１に記載の発明に係るＮＴＣサー
ミスタでは、ＮＴＣサーミスタ素子が樹脂ケースに収納
されているので、外装樹脂で被覆されているリード付き
のＮＴＣサーミスタに比べて、ＮＴＣサーミスタ素子が
高温状態となったとしても、熱による変形が生じ難い。
加えて、サーミスタ素子は第１，第２の金属端子により
弾力挟持されているため、すなわち半田などの接合材を
用いて固着する必要はないため、サーミスタ素子が発熱
したとしても、接合材の溶融に起因するショート事故な
どが生じない。
ミスタでは、ＮＴＣサーミスタ素子が樹脂ケースに収納
されているので、外装樹脂で被覆されているリード付き
のＮＴＣサーミスタに比べて、ＮＴＣサーミスタ素子が
高温状態となったとしても、熱による変形が生じ難い。
加えて、サーミスタ素子は第１，第２の金属端子により
弾力挟持されているため、すなわち半田などの接合材を
用いて固着する必要はないため、サーミスタ素子が発熱
したとしても、接合材の溶融に起因するショート事故な
どが生じない。
【００４２】さらに、第１，第２の金属端子がＣｕ系金
属材料よりなり、体積固有抵抗が小さいため、金属端子
自体の自己発熱は低く、発熱したとしても、樹脂ケース
あるいは回路基板への熱の伝導が小さいため、熱による
変形が生じ難い。
属材料よりなり、体積固有抵抗が小さいため、金属端子
自体の自己発熱は低く、発熱したとしても、樹脂ケース
あるいは回路基板への熱の伝導が小さいため、熱による
変形が生じ難い。
【００４３】従って、請求項１に記載の発明に係るＮＴ
Ｃサーミスタを、例えば５Ａ以上の大きな突入電流が負
荷される用途に用いたとしても、変形や損傷等が生じ難
いため、このような大きな突入電流が生じる電気機器や
電子機器の保護に好適なＮＴＣサーミスタを提供するこ
とが可能となる。
Ｃサーミスタを、例えば５Ａ以上の大きな突入電流が負
荷される用途に用いたとしても、変形や損傷等が生じ難
いため、このような大きな突入電流が生じる電気機器や
電子機器の保護に好適なＮＴＣサーミスタを提供するこ
とが可能となる。
【００４４】請求項２に記載の発明に係るＮＴＣサーミ
スタでは、サーミスタ素子が、ＬａＣｏ系希土類遷移元
素酸化物により構成されており、Ｂ定数が４０００〜５
０００Ｋと大きいので、大きな電流が負荷されたとして
も、素子発熱が低減され、従って、より一層大電流用途
に適したＮＴＣサーミスタを提供することができる。
スタでは、サーミスタ素子が、ＬａＣｏ系希土類遷移元
素酸化物により構成されており、Ｂ定数が４０００〜５
０００Ｋと大きいので、大きな電流が負荷されたとして
も、素子発熱が低減され、従って、より一層大電流用途
に適したＮＴＣサーミスタを提供することができる。
【００４５】請求項３に記載の発明では、金属端子がＣ
ｕ−Ｔｉ系合金により構成されているので、体積固有抵
抗が小さく、大電流用途に適しているだけでなく、高温
下における金属端子の熱疲労によるばね性の劣化を抑制
することができる。
ｕ−Ｔｉ系合金により構成されているので、体積固有抵
抗が小さく、大電流用途に適しているだけでなく、高温
下における金属端子の熱疲労によるばね性の劣化を抑制
することができる。
【００４６】請求項４に記載の発明によれば、金属端子
の樹脂ケース外に引き出されている部分がファストンタ
ブ端子形状を有するため、通常のプリント回路基板等へ
の実装に適しているだけでなく、ファストンタブのワイ
ヤ接続も可能なＮＴＣサーミスタとすることができる。
の樹脂ケース外に引き出されている部分がファストンタ
ブ端子形状を有するため、通常のプリント回路基板等へ
の実装に適しているだけでなく、ファストンタブのワイ
ヤ接続も可能なＮＴＣサーミスタとすることができる。
【００４７】請求項５に記載の発明では、樹脂ケース下
面から下方に突出された支持部が設けられているので、
ＮＴＣサーミスタをプリント回路基板などに実装した際
に、ＮＴＣサーミスタを安定に位置させることができる
と共に、支持部により樹脂ケース下面と実装面との間に
空間を形成することができるので、樹脂ケースからプリ
ント回路基板などへの熱放散を抑制することができ、よ
り一層大電流用途に適したＮＴＣサーミスタを得ること
ができる。
面から下方に突出された支持部が設けられているので、
ＮＴＣサーミスタをプリント回路基板などに実装した際
に、ＮＴＣサーミスタを安定に位置させることができる
と共に、支持部により樹脂ケース下面と実装面との間に
空間を形成することができるので、樹脂ケースからプリ
ント回路基板などへの熱放散を抑制することができ、よ
り一層大電流用途に適したＮＴＣサーミスタを得ること
ができる。
【００４８】請求項６に記載の発明では、樹脂ケース内
におけるサーミスタ素子の位置ずれを防止するために位
置決めホルダーがさらに備えられているので、第１，第
２の金属端子によるサーミスタ素子の弾力挟持が損なわ
れ、サーミスタ素子が位置ずれを起こそうとしても、位
置決めホルダーによりサーミスタ素子の位置ずれが防止
される。従って、サーミスタ素子の樹脂ケース内面への
接触を抑制することができ、樹脂ケースの熱変形や損傷
を確実に防止することができる。
におけるサーミスタ素子の位置ずれを防止するために位
置決めホルダーがさらに備えられているので、第１，第
２の金属端子によるサーミスタ素子の弾力挟持が損なわ
れ、サーミスタ素子が位置ずれを起こそうとしても、位
置決めホルダーによりサーミスタ素子の位置ずれが防止
される。従って、サーミスタ素子の樹脂ケース内面への
接触を抑制することができ、樹脂ケースの熱変形や損傷
を確実に防止することができる。
【００４９】特に、請求項７に記載のように、位置決め
ホルダーとして、サーミスタ素子の外径よりも大きな開
口を有する板状部材を用い、この板状部材を樹脂ケース
内において固定的に配置した場合には、サーミスタ素子
の上下方向への移動が規制され、特にサーミスタ素子の
樹脂ケース底面への接触が確実に防止されるため、より
一層熱変形や損傷が生じ難い安全性に優れたＮＴＣサー
ミスタとすることができる。
ホルダーとして、サーミスタ素子の外径よりも大きな開
口を有する板状部材を用い、この板状部材を樹脂ケース
内において固定的に配置した場合には、サーミスタ素子
の上下方向への移動が規制され、特にサーミスタ素子の
樹脂ケース底面への接触が確実に防止されるため、より
一層熱変形や損傷が生じ難い安全性に優れたＮＴＣサー
ミスタとすることができる。
【００５０】請求項８に記載の発明では、サーミスタ素
子の電極が、Ａｇ−Ｐｄ合金により構成されているの
で、Ａｇ電極に比べて電極間マイグレーションを抑制す
ることができ、それによって大電流下における異常発熱
やショートを効果的に防止することができる。
子の電極が、Ａｇ−Ｐｄ合金により構成されているの
で、Ａｇ電極に比べて電極間マイグレーションを抑制す
ることができ、それによって大電流下における異常発熱
やショートを効果的に防止することができる。
【００５１】請求項９に記載の発明に係る電流制限回路
では、サーミスタ素子の発熱温度が１６０℃以上である
が、請求項１〜８の何れかに記載のＮＴＣサーミスタを
用いているので、発熱温度が高いにも係わらず、ＮＴＣ
サーミスタにおける素子発熱に起因する変形や損傷など
の事故を確実に防止することができ、従って５Ａ以上の
大電流が負荷される電子機器や回路における保護回路と
して、請求項９に記載の発明に係る電流制限回路を好適
に用いることができる。
では、サーミスタ素子の発熱温度が１６０℃以上である
が、請求項１〜８の何れかに記載のＮＴＣサーミスタを
用いているので、発熱温度が高いにも係わらず、ＮＴＣ
サーミスタにおける素子発熱に起因する変形や損傷など
の事故を確実に防止することができ、従って５Ａ以上の
大電流が負荷される電子機器や回路における保護回路と
して、請求項９に記載の発明に係る電流制限回路を好適
に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、本発明の一実
施例に係るＮＴＣサーミスタを示す側面断面図及び正面
図。
施例に係るＮＴＣサーミスタを示す側面断面図及び正面
図。
【図２】図１に示した実施例のＮＴＣサーミスタを組み
立てる工程を示す分解斜視図。
立てる工程を示す分解斜視図。
【図３】図１に示した実施例のＮＴＣサーミスタの外観
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図４】請求項９に記載の発明に係る電流制限回路の一
例を示す回路図。
例を示す回路図。
【図５】従来のリード型ＮＴＣサーミスタを製造する工
程を説明するための正面図。
程を説明するための正面図。
【図６】従来のリード付きＮＴＣサーミスタを示す正面
図。
図。
【符号の説明】 １…ＮＴＣサーミスタ ２…樹脂ケース ２ａ…樹脂ケース本体 ２ｂ…開口 ２ｃ…蓋材 ２ｅ，２ｆ…支持部 ３…サーミスタ素子 ３ａ…サーミスタ素体 ３ｂ，３ｃ…電極 ４…位置決めホルダー ４ａ…開口 ５，６…第１，第２の金属端子 ７…電流制限回路
Claims (9)
- 【請求項１】 両面に電極が形成されており、かつ負の
抵抗温度特性を有するサーミスタ素子と、 前記サーミスタ素子を収納している樹脂ケースと、 Ｃｕ系金属材料よりなり、かつ前記サーミスタ素子を弾
力挟持しており、前記樹脂ケース外に引き出されている
第１，第２の金属端子とを備えることを特徴とする、Ｎ
ＴＣサーミスタ。 - 【請求項２】 前記サーミスタ素子が、ＬａＣｏ系希土
類遷移元素酸化物からなることを特徴とする、請求項１
に記載のＮＴＣサーミスタ。 - 【請求項３】 前記金属端子が、Ｃｕ−Ｔｉ系合金から
なることを特徴とする、請求項１または２に記載のＮＴ
Ｃサーミスタ。 - 【請求項４】 前記金属端子の樹脂ケース外に引き出さ
れている部分がファストンタブ端子形状を有することを
特徴とする、請求項１〜３の何れかに記載のＮＴＣサー
ミスタ。 - 【請求項５】 前記樹脂ケースの下面から下方に突出さ
れた支持部が設けられていることを特徴とする、請求項
１〜４の何れかに記載のＮＴＣサーミスタ。 - 【請求項６】 前記樹脂ケース内におけるサーミスタ素
子の位置ずれを防止するための位置決めホルダーをさら
に備えることを特徴とする、請求項１〜５の何れかに記
載のＮＴＣサーミスタ。 - 【請求項７】 前記位置決めホルダーが、サーミスタ素
子の外径よりも大きな開口を有する板状部材からなり、
該板状部材が樹脂ケース内に固定的に配置されている、
請求項６に記載のＮＴＣサーミスタ。 - 【請求項８】 前記サーミスタ素子における電極が、Ａ
ｇ−Ｐｄ合金により構成されている、請求項１〜７の何
れかに記載のＮＴＣサーミスタ。 - 【請求項９】 請求項１〜８の何れかに記載のＮＴＣサ
ーミスタを用いた電流制限回路であって、サーミスタ素
子の発熱温度が１６０℃以上とされていることを特徴と
する、電流制限回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9293736A JPH11135304A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | Ｎｔｃサーミスタ及び電流制限回路 |
| TW087115691A TW388037B (en) | 1997-10-27 | 1998-09-21 | NTC thermistor |
| DE19848823A DE19848823A1 (de) | 1997-10-27 | 1998-10-22 | NTC-Thermistor |
| CNB981205518A CN1134027C (zh) | 1997-10-27 | 1998-10-22 | Ntc热敏电阻 |
| KR1019980045060A KR100318397B1 (ko) | 1997-10-27 | 1998-10-27 | Ntc서미스터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9293736A JPH11135304A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | Ｎｔｃサーミスタ及び電流制限回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135304A true JPH11135304A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17798582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9293736A Pending JPH11135304A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | Ｎｔｃサーミスタ及び電流制限回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11135304A (ja) |
| KR (1) | KR100318397B1 (ja) |
| CN (1) | CN1134027C (ja) |
| DE (1) | DE19848823A1 (ja) |
| TW (1) | TW388037B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005243827A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Murata Mfg Co Ltd | Ｐｔｃ素子の選別方法 |
| CN108345052A (zh) * | 2018-02-23 | 2018-07-31 | 北京爱尔达电子设备有限公司 | 热敏电阻支承结构及火箭探空仪 |
| CN115087258A (zh) * | 2021-03-12 | 2022-09-20 | 斯玛特电子公司 | 电路保护器件 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100360848B1 (ko) * | 2000-10-14 | 2002-11-13 | 자화전자 주식회사 | 무기 산화물 반도체 소자장치 |
| DE102010023240B4 (de) * | 2010-06-09 | 2013-02-28 | Pierburg Gmbh | Anordnung eines NTC-Widerstandes in einem Elektromagneten |
| DE102011013334A1 (de) * | 2011-03-08 | 2012-09-13 | Epcos Ag | Elektrisches Modul zur Einschaltstrombegrenzung |
| CN102930941A (zh) * | 2011-08-09 | 2013-02-13 | 株式会社村田制作所 | 热敏电阻装置 |
| DE102016107931A1 (de) | 2016-04-28 | 2017-11-02 | Epcos Ag | Elektronisches Bauelement zur Einschaltstrombegrenzung und Verwendung eines elektronischen Bauelements |
| DE102017215240A1 (de) * | 2017-08-31 | 2019-02-28 | Seg Automotive Germany Gmbh | NTC-Bauteil zum Einbau in den Stromkreis einer elektrischen Baueinheit |
| CN108735406A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-02 | 广西新未来信息产业股份有限公司 | 一种适于机械化生产的阻燃防爆压敏电阻器 |
| DE102021118566A1 (de) | 2021-07-19 | 2023-01-19 | Tdk Electronics Ag | Verfahren zur Herstellung von NTC-Senoren |
-
1997
- 1997-10-27 JP JP9293736A patent/JPH11135304A/ja active Pending
-
1998
- 1998-09-21 TW TW087115691A patent/TW388037B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-10-22 CN CNB981205518A patent/CN1134027C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-22 DE DE19848823A patent/DE19848823A1/de not_active Withdrawn
- 1998-10-27 KR KR1019980045060A patent/KR100318397B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005243827A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Murata Mfg Co Ltd | Ｐｔｃ素子の選別方法 |
| CN108345052A (zh) * | 2018-02-23 | 2018-07-31 | 北京爱尔达电子设备有限公司 | 热敏电阻支承结构及火箭探空仪 |
| CN115087258A (zh) * | 2021-03-12 | 2022-09-20 | 斯玛特电子公司 | 电路保护器件 |
| US11776716B2 (en) * | 2021-03-12 | 2023-10-03 | Smart Electronics Inc. | Circuit protection device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100318397B1 (ko) | 2002-02-19 |
| DE19848823A1 (de) | 1999-06-17 |
| KR19990037415A (ko) | 1999-05-25 |
| CN1215898A (zh) | 1999-05-05 |
| CN1134027C (zh) | 2004-01-07 |
| TW388037B (en) | 2000-04-21 |
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