JPH0851003A - 表面実装型サーミスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】発熱を伴うサーミスタ素子をべース上面に載置
して表面実装用に適した表面実装型サーミスタを提供す
る。 【構成】平板状のベース１１と、該ベース１１の接地底
面に設けられた一対の外部接続端子１４，１５と、該外
部接続端子１４，１５に接続されて前記ベース１１の上
面に配置された一対のリード端子１２，１３と、対向す
る両主面に電極１ａ，１ｂが形成された平板状のサーミ
スタ素子１とを備え、該サーミスタ素子１が前記一対の
リード端子間１２，１３に挿入されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、サーミスタ素子に関
し、特に発熱を伴う電流制御用サーミスタ素子を表面実
装用に適する構成にした表面実装型サーミスタに関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の表面実装型サーミスタについて図
３に基づいて説明する。サーミスタ素子１は円板状でそ
の両主面に電極１ａ，１ｂが形成されている。このサー
ミスタ素子１を、回路基板４の上に例えば印刷などによ
り設けられたクリーム半田３の上に載置してリフロー半
田付することによって、電極１ａを回路基板４の一方の
電極４ａとを導通させる。次に、導電体からなるリード
端子５の一端を電極１ｂと、リード端子５の他端を回路
基板４の他方の電極４ｂとをそれぞれ半田Ｈにより半田
付けする。

【０００３】このようにして、従来の表面実装型のサー
ミスタは、サーミスタ素子１を回路基板４上に直接接続
するものであった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
構成の表面実装型サーミスタにおいて、次のような問題
点を有していた。

【０００５】１．サーミスタ素子１を回路基板４に実装
するためには、回路基板４にサーミスタ素子１をリフロ
ー半田付けする工程、及び、リード端子５を回路基板４
の電極４ｂとサーミスタ素子１の電極１ｂに半田付けす
る工程が必要である。

【０００６】２．サーミスタ素子１の両主面の電極１
ａ，１ｂを同時に半田付けできないために、最初に電極
１ａをリフロー半田付するときの熱によって、電極１ｂ
の半田付性が劣化する。半田付けする順序を逆にしても
同様に、後で半田付けする電極１ａの半田付性が劣化す
る。

【０００７】３．サーミスタ素子１が発熱した熱が回路
基板４に直接伝わるために、回路基板４及び回路基板４
上の電子部品に悪影響を及ぼすことがある。

【０００８】本発明の目的は、上述の問題点を解消すべ
くなされたもので、発熱を伴うサーミスタ素子をべース
上面に載置して表面実装用に適した表面実装型サーミス
タを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の表面実装型サーミスタにおいては、平板状
のベースと、該ベースの接地底面に設けられた一対の外
部接続端子と、該外部接続端子に接続されて前記ベース
の上面に配置された一対のリード端子と、対向する両主
面に電極が形成された平板状のサーミスタ素子とを備
え、該サーミスタ素子が前記一対のリード端子間に挿入
されていることを特徴とする。

【００１０】そして、サーミスタ素子とリード端子が高
温半田によって接続されていることを特徴とする。

【００１１】そして、サーミスタ素子とリード端子の一
部が外装材によって覆われていることを特徴とする。

【００１２】そして、前記サーミスタ素子は正特性サー
ミスタ素子，負特性サーミスタ素子，抵抗急変サーミス
タ素子のいずれかの電流制御用半導体素子であることを
特徴とする。

【００１３】

【作用】本発明では、上述のようにサーミスタ素子を、
べース上面に載置してリード端子と導通させる構成にし
たことにより、回路基板への取り付けにおいて、サーミ
スタ素子の電極に直接半田付けすることがない。また、
表面実装型サーミスタを回路基板に半田付けするために
は、一度のリフロー半田で済む。さらに、サーミスタ素
子が回路基板との間にベースを備えているため、サーミ
スタ素子が発熱した熱はベースを介して回路基板に伝わ
る。

【００１４】

【実施例】以下に、本発明の一実施例を図１及び図２に
示し、その図にもとづいて説明する。図１において、表
面実装型サーミスタ１０はサーミスタ素子１，ベース１
１，外部接続端子１２並びに１３，及び，リード端子１
４並びに１５から構成されている。

【００１５】ベース１１は、ポリフェニレンサルファイ
ド（ＰＰＳ）などの絶縁性樹脂からなる平板状であり、
その一端から下面に亘って設けられる一対の外部接続端
子１２，１３が一体に成形されている。そして、外部接
続端子１２，１３は、半田付けが可能である。

【００１６】一対のリード端子１４，１５は、半田付け
が可能な銅線等からなるものであり、その一端が外部接
続端子１２，１３にそれぞれ電気的に導通して固着さ
れ、他端はベース１１の上面に配置されている。

【００１７】サーミスタ素子１は、ベース１１の上面の
一対のリード端子１４，１５の他端の間に挿入され、サ
ーミスタ素子１の電極１ａ，１ｂとリード端子１４，１
５とが、例えば、高温半田で半田付けされて導通され
る。

【００１８】かかる表面実装型サーミスタ１０は、ベー
ス１１の上面にサーミスタ素子１が載置され、このサー
ミスタ素子１の電極１ａ，１ｂにそれぞれ半田付けされ
た一対のリード端子１４，１５と接続された外部接続端
子１２，１３がベース１１の接地底面に設けらた構成か
らなる。

【００１９】このため、例えば、クリーム半田を塗布し
た回路基板（図示せず）に表面実装型サーミスタ１０を
載置して、リフロー半田付けすることによって、ベース
１１の接地底面に設けられた外部接続端子１２，１３を
一度の加熱で回路基板に半田付けすることができる。

【００２０】そして、表面実装型サーミスタ１０は、サ
ーミスタ素子１がベース１１の上面に載置され、サーミ
スタ素子１と回路基板との間にベース１１が存在する。
このため、サーミスタ素子１が使用中に発熱する熱は、
ベースを介して回路基板に伝わるため、低温になり、回
路基板及び、表面実装型サーミスタ１０近傍の他の電子
部品に及ぼす影響を少なくできる。

【００２１】さらに、サーミスタ素子１の電極１ａ，１
ｂとリード端子１４，１５との接続に高温半田を用いて
いるために、表面実装型サーミスタ１０を回路基板に半
田付けするときや、表面実装型サーミスタ１０が発熱し
ても、半田が溶けることなく信頼性が高い。

【００２２】また、ベース１１は、サーミスタ素子１０
の種々の大きさに対して、少ない種類のサイズで対応す
ることが可能である。

【００２３】尚、表面実装型サーミスタ１０の絶縁耐力
や寿命等の電気的特性の信頼性向上のために、図２に示
すように、サーミスタ素子１及びリード端子１４，１５
の一部を絶縁樹脂１６などの外装材で被覆することが好
ましい。

【００２４】そして、サーミスタ素子１は、過電流保護
用の正特性サーミスタ素子及び突入電流抑制用の負特性
サーミスタ素子等の発熱を伴う電流制御用サーミスタ素
子等に適用するものである。

【００２５】尚、ベース１１は絶縁樹脂に限るものでな
く、アルミナなどのセラミックで形成され、外部接続端
子１２，１３は銀等の導電性ペーストを焼き付けて形成
されたもの、又は、別部材からなる金属端子等を接着剤
などで固着されているものでも良い。

【００２６】

【発明の効果】以上述べたように、本発明による表面実
装型サーミスタでは、外部接続端子がベースの接地底面
に配置されているため、一度のリフロー半田付けによっ
て回路基板に半田付けすることができる。また、サーミ
スタ素子に直接半田付けする回数が一回のため、サーミ
スタ素子の電極の半田付け性の劣化が問題になることが
ない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る表面実装型サーミスタの一実施例
の側面図である。

【図２】本発明に係る表面実装型サーミスタの外装被覆
された実施例の側面図である。

【図３】従来の表面実装されたサーミスタの側面部分断
面図である。

【符号の説明】

１ サーミスタ素子 １ａ，１ｂ 電極 １０ 表面実装型サーミスタ １１ ベース １２，１３ リード端子 １４，１５ 外部接続端子

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 平板状のベースと、該ベースの接地底面
   に設けられた一対の外部接続端子と、該外部接続端子に
   接続されて前記ベースの上面に配置された一対のリード
   端子と、対向する両主面に電極が形成された平板状のサ
   ーミスタ素子とを備え、該サーミスタ素子が前記一対の
   リード端子間に挿入されていることを特徴とする表面実
   装型サーミスタ。
2. 【請求項２】 サーミスタ素子とリード端子が高温半田
   によって接続されていることを特徴とする請求項１に記
   載の表面実装型サーミスタ。
3. 【請求項３】 サーミスタ素子とリード端子の一部が外
   装材によって覆われていることを特徴とする請求項１又
   は２に記載の表面実装型サーミスタ。
4. 【請求項４】 前記サーミスタ素子は正特性サーミスタ
   素子，負特性サーミスタ素子，抵抗急変サーミスタ素子
   のいずれかの電流制御用半導体素子であることを特徴と
   する請求項１，２又は３に記載の表面実装型サーミス
   タ。