JP3265837B2 - 表面実装型サーミスタ - Google Patents
表面実装型サーミスタInfo
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- JP3265837B2 JP3265837B2 JP16552294A JP16552294A JP3265837B2 JP 3265837 B2 JP3265837 B2 JP 3265837B2 JP 16552294 A JP16552294 A JP 16552294A JP 16552294 A JP16552294 A JP 16552294A JP 3265837 B2 JP3265837 B2 JP 3265837B2
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- Details Of Resistors (AREA)
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
し、特に発熱を伴う電流制御用サーミスタ素子を表面実
装用に適する構成にした表面実装型サーミスタに関する
ものである。
6に基づいて説明する。両主面に電極1a,1bが形成
された円板状のサーミスタ素子1がある。このサーミス
タ素子1を、クリーム半田3が印刷された回路基板4の
所定の位置に載置してリフロー半田付することによっ
て、電極1aを回路基板4の一方の電極4aと導通させ
る。次に、導電体からなるリード端子5の一端を電極1
bと半田付けし、リード端子5の他端を回路基板4の他
方の電極4bと半田付けする。
ミスタは、サーミスタ素子1を回路基板4上に半田Hを
介して直接接続するものであった。
構成の表面実装型サーミスタにおいて、次のような問題
点を有していた。
するためには、回路基板4にサーミスタ素子1をリフロ
ー半田付けする工程、及び、リード端子5を回路基板4
とサーミスタ素子1に半田付けする工程が必要である。
a,1bを同時に半田付けできないために、最初に電極
1aをリフロー半田付するときの熱によって、電極1b
の半田付性が劣化する。半田付けする順序を逆にしても
同様に、後で半田付けする電極1aの半田付性が劣化す
る。
半田付により2回の熱ストレスを加えることになり、サ
ーミスタ素子1にクラックが発生しやすくなる。
基板4に直接伝わるために、回路基板4及び回路基板4
上の電子部品に悪影響を及ぼすことがある。
くなされたもので、発熱を伴うサーミスタ素子をケース
内に収納して表面実装用に適した表面実装型サーミスタ
を提供することにある。
実装型サーミスタにおいては、上部に開口部を有し、下
面内側に一方の端子の一端を配置するケースと、対向す
る両主面に電極が形成された板状のサーミスタ素子と、
前記開口部に固着される板状の蓋部を一端に有する他方
の端子と、から構成され、前記一方の端子及び他方の端
子の各他端が前記ケースの下面外側に設けられた表面実
装型サーミスタにおいて、前記ケース開口部の端部は、
その内側に端面部とその外側に一段高い端面部を有し、
前記他方の端子の蓋部を前記開口部の内側の端面部に当
接させ、前記外側の一段高い端面部を変形させて、前記
ケースに前記他方の端子の蓋部を一体に係止させたこと
を特徴とする。
面より高い接点部を有するとともに、該接点部から下面
外側に導出された一方の端子を有するケースと、相対す
る両主面に電極が形成された板状のサーミスタ素子と、
前記開口部に固着される板状の蓋部を一端に有する他方
の端子と、から構成され、前記ケース内部に前記サーミ
スタ素子が下面より高く装填され、前記開口部に前記他
方の端子の蓋部が固着され、前記一方の端子及び他方の
端子の各他端を前記ケースの下面外側に折曲げ成型され
ている表面実装型サーミスタにおいて、前記ケース開口
部の端部は、その内側に端面部とその外側に一段高い端
面部を有し、前記他方の端子の蓋部を前記開口部の内側
の端面部に当接させ、前記外側の一段高い端面部を変形
させて、前記ケースに前記他方の端子の蓋部を一体に係
止させたことを特徴とする。
方の端子の一端を配置するケースと、対向する両主面に
電極が形成された板状のサーミスタ素子と、前記開口部
に固着される板状の蓋部を一端に有する他方の端子と、
から構成され、前記一方の端子及び他方の端子の各他端
が前記ケースの下面外側に設けられた表面実装型サーミ
スタにおいて、前記ケース開口部近傍の端面に突起が設
けられ、該突起に対応して前記他方の端子の蓋部に貫通
孔が設けられ、前記突起を該貫通孔に係止させたことを
特徴とする。
面より高い接点部を有するとともに、該接点部から下面
外側に導出された一方の端子を有するケースと、相対す
る両主面に電極が形成された板状のサーミスタ素子と、
前記開口部に固着される板状の蓋部を一端に有する他方
の端子と、から構成され、前記ケース内部に前記サーミ
スタ素子が下面より高く装填され、前記開口部に前記他
方の端子の蓋部が固着され、前記一方の端子及び他方の
端子の各他端を前記ケースの下面外側に折曲げ成型され
ている表面実装型サーミスタにおいて、前記ケース開口
部近傍の端面に突起が設けられ、該突起に対応して前記
他方の端子の蓋部に貫通孔が設けられ、前記突起を該貫
通孔に係止させたことを特徴とする。
180度折返したものからなり、一端に接点部を有し、
他端が前記ケースの下面外側に設けられていることを特
徴とする。
ーミスタ素子,負特性サーミスタ素子,抵抗急変サーミ
スタ素子のいずれかの電流制御用半導体素子であること
を特徴とする。
タ素子を端子で狭持する構成にしたことにより、サーミ
スタ素子の電極に直接半田付けすることがない。また、
表面実装型サーミスタを回路基板に半田付けするために
は、一度のリフロー半田で済む。さらに、サーミスタ素
子は回路基板との間に空間を備えているため、サーミス
タ素子が発熱した熱が直接回路基板に伝わらなくするこ
とができるものである。
とづいて説明する。
は一方の端子11を有するケース12,サーミスタ素子
1,他方の端子14から構成されている。
る絶縁体からなる筐体15と、この筐体15の下面内側
から下面外側に導出された一方の端子11を有してい
る。一方の端子11は、好ましくはケース12の下面よ
りやや高い位置にバネ性を有する接点部11aを有する
とともに、この接点部11aから180度折り返してか
ら筐体15の側面を介して下面外側に導出されている。
また、ケース12の開口端部はその内側に内側開口端1
5a,その外側に一段高い端面部である外側開口端15
bが形成されている。
面に電極1a,1bが形成されているもので、電流制御
用サーミスタ素子である正特性サーミスタ素子,負特性
サーミスタ素子または抵抗急変サーミスタ素子のいずれ
かである。
側開口端15aに当接する蓋部14aと、他方は偏平状
のリード部14bとが形成されている。
素子1をケース12の内部に装填し、蓋部14aをケー
ス12の上方から内側開口端15aに当接させて、外側
開口端15bを内側に変形させることによって、蓋部1
4aをケース12の開口部12aに固着させたものであ
る。そして、他方の端子14のリード部14bは、一方
の端子11と対向するように、ケース12の側面外部を
通って底面に導出されている。
は、サーミスタ素子1がケース12内に装填され、下面
の電極1aは接点部11aと、上面の電極1bは蓋部1
4aとそれぞれ弾接することによって半田付けされるこ
となく両端子11,14と導通される。そして、両端子
11,14の外部接続用端子部はケース12の下面で対
向する位置に配置される。このため、例えば、クリーム
半田を塗布した回路基板に表面実装型サーミスタ10を
載置して、リフロー半田付けすることによって、ケース
12の下面に配置された外部接続用端子部を一度の加熱
で半田付けすることができる。また、表面実装型サーミ
スタ10は接点部11aがケース12の下面よりやや高
く位置しているために、ケース12の下面とサーミスタ
素子1との間に空間Sが形成されている。
づいて説明する。
は一方の端子21,ケース22,サーミスタ素子1,他
方の端子24から構成されている。
円弧状の接点部21aを有し、接点部21aからは断面
が略コ字状の他端を有している。
る絶縁体からなり、その内部にサーミスタ素子1を装填
することができる空間を有し、一方の側面には一方の端
子21が挿入可能な切り欠きKが底面まで形成されてい
る。ケース22の開口端部はその内側に内側開口端22
b,その外側に一段高い端面部である外側開口端22c
が形成され、内側開口端22bには複数(図では4個)
の突起22dが形成されている。
側開口端22bに当接する蓋部24aと、他方が偏平状
のリード部24bとからなり、蓋部24aにはケース2
2の突起22dに対応して突起22dが挿入できる貫通
孔24cが設けられている。
21をその接点部21aをケース22の下面内側にし
て、断面略コ字状部を下面を挟むようにして装着し、次
にサーミスタ素子1をケース22内部に装入し、蓋部2
4aをケース22の上方から内側開口端22bに当接さ
せて、外側開口端22cを内側に変形させることによっ
て、蓋部24aをケース22の開口部22aに固着させ
たものである。そして、他方の端子24のリード部24
bは、一方の端子21と対向するように、ケース22の
側面外部を通って底面に導出されている。
は、サーミスタ素子1がケース22内に装填され、下面
の電極1aは接点部21aと、上面の電極1bは蓋部2
4aとそれぞれ弾接することによって半田付けされるこ
となく両端子21,24と導通される。そして、両端子
21,24の外部接続用端子部はケース22の下面で対
向する位置に配置される。このため、例えば、クリーム
半田を塗布した回路基板に表面実装型サーミスタ20を
載置して、リフロー半田付けすることによって、ケース
22の下面に配置された外部接続用端子部を一度の加熱
で半田付けすることができる。また、表面実装型サーミ
スタ20は、接点部21aがケース22の下面よりやや
高く位置しているために、ケース22の下面とサーミス
タ素子1との間に空間Sが形成されている。
貫通孔24cに挿入し、突起22dを変形させて蓋部2
4をケース22に固着することも可能であり、この場合
には、ケース22の外側開口端22cはなくてもよい。
装型サーミスタでは、外部接続用端子部がケースの下面
に配置されているため、一度のリフロー半田付けによっ
て回路基板に半田付けすることができる。また、サーミ
スタ素子に直接半田付けすることがないため、サーミス
タ素子の電極に熱が加わらずに半田付け性の劣化が問題
になることがない。そして、回路基板に半田付けする際
に、サーミスタ素子には一度だけ熱ストレスがかかるだ
けであり、また、半田付けの熱がケース及び空間を介し
てサーミスタ素子に伝わるために直接半田付けするより
温度が低く、サーミスタ素子にクラックが発生しない。
さらに、サーミスタ素子が使用中に発熱する熱は、ケー
ス下面内側の空間及びケースを介して回路基板に伝わる
ため、低温になり、回路基板及び、表面実装型サーミス
タ近傍の他の電子部品に及ぼす影響を減少できる。
の断面図である。
例の断面図である。
面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 上部に開口部を有し、下面内側に一方の
端子の一端を配置するケースと、対向する両主面に電極
が形成された板状のサーミスタ素子と、前記開口部に固
着される板状の蓋部を一端に有する他方の端子と、から
構成され、 前記一方の端子及び他方の端子の各他端が前記ケースの
下面外側に設けられた表面実装型サーミスタにおいて、 前記ケース開口部の端部は、その内側に端面部とその外
側に一段高い端面部を有し、前記他方の端子の蓋部を前
記開口部の内側の端面部に当接させ、前記外側の一段高
い端面部を変形させて、前記ケースに前記他方の端子の
蓋部を一体に係止させたことを特徴とする表面実装型サ
ーミスタ。 - 【請求項2】 上部に開口部を有し、下面内側に下面よ
り高い接点部を有するとともに、該接点部から下面外側
に導出された一方の端子を有するケースと、相対する両
主面に電極が形成された板状のサーミスタ素子と、前記
開口部に固着される板状の蓋部を一端に有する他方の端
子と、から構成され、 前記ケース内部に前記サーミスタ素子が下面より高く装
填され、前記開口部に前記他方の端子の蓋部が固着さ
れ、前記一方の端子及び他方の端子の各他端を前記ケー
スの下面外側に折曲げ成型されている表面実装型サーミ
スタにおいて、 前記ケース開口部の端部は、その内側に端面部とその外
側に一段高い端面部を有し、前記他方の端子の蓋部を前
記開口部の内側の端面部に当接させ、前記外側の一段高
い端面部を変形させて、前記ケースに前記他方の端子の
蓋部を一体に係止させたことを特徴とする表面実装型サ
ーミスタ。 - 【請求項3】 上部に開口部を有し、下面内側に一方の
端子の一端を配置するケースと、対向する両主面に電極
が形成された板状のサーミスタ素子と、前記開口部に固
着される板状の蓋部を一端に有する他方の端子と、から
構成され、 前記一方の端子及び他方の端子の各他端が前記ケースの
下面外側に設けられた表面実装型サーミスタにおいて、 前記ケース開口部近傍の端面に突起が設けられ、該突起
に対応して前記他方の端子の蓋部に貫通孔が設けられ、
前記突起を該貫通孔に係止させたことを特徴とする表面
実装型サーミスタ。 - 【請求項4】 上部に開口部を有し、下面内側に下面よ
り高い接点部を有するとともに、該接点部から下面外側
に導出された一方の端子を有するケースと、相対する両
主面に電極が形成された板状のサーミスタ素子と、前記
開口部に固着される板状の蓋部を一端に有する他方の端
子と、から構成され、 前記ケース内部に前記サーミスタ素子が下面より高く装
填され、前記開口部に前記他方の端子の蓋部が固着さ
れ、前記一方の端子及び他方の端子の各他端を前記ケー
スの下面外側に折曲げ成型されている表面実装型サーミ
スタにおいて、 前記ケース開口部近傍の端面に突起が設けられ、該突起
に対応して前記他方の端子の蓋部に貫通孔が設けられ、
前記突起を該貫通孔に係止させたことを特徴とする表面
実装型サーミスタ。 - 【請求項5】 前記一方の端子は、弾性体材料を180
度折返したものからなり、一端に接点部を有し、他端が
前記ケースの下面外側に設けられていることを特徴とす
る請求項1乃至4のいずれかに記載の表面実装型サーミ
スタ。 - 【請求項6】 前記サーミスタ素子は、正特性サーミス
タ素子,負特性サーミスタ素子,抵抗急変サーミスタ素
子のいずれかの電流制御用サーミスタ素子であることを
特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の表面実装
型サーミスタ。
Priority Applications (8)
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EP95111283A EP0694929B1 (en) | 1994-07-18 | 1995-07-18 | Thermistor for surface mounting |
DE69509834T DE69509834T2 (de) | 1994-07-18 | 1995-07-18 | Thermistor für Oberflächen-Bestückung |
CN95115029A CN1052095C (zh) | 1994-07-18 | 1995-07-18 | 用于表面贴装的热敏电阻器 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JPH0831605A JPH0831605A (ja) | 1996-02-02 |
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Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP16552294A Expired - Lifetime JP3265837B2 (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 表面実装型サーミスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP3589174B2 (ja) * | 2000-10-24 | 2004-11-17 | 株式会社村田製作所 | 表面実装型正特性サーミスタおよびその実装方法 |
JP5247401B2 (ja) * | 2008-12-08 | 2013-07-24 | 株式会社クラベ | Ptc発熱装置 |
-
1994
- 1994-07-18 JP JP16552294A patent/JP3265837B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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